JPH083883B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH083883B2 JPH083883B2 JP62146058A JP14605887A JPH083883B2 JP H083883 B2 JPH083883 B2 JP H083883B2 JP 62146058 A JP62146058 A JP 62146058A JP 14605887 A JP14605887 A JP 14605887A JP H083883 B2 JPH083883 B2 JP H083883B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度磁気記録に適する薄膜磁気ヘツドに
係り、特に書込特性のよい薄膜磁気ヘツドに関する。
係り、特に書込特性のよい薄膜磁気ヘツドに関する。
薄膜磁気ヘツドは、半導体プロセスにより基板上に形
成したコイル，絶縁層，磁極から構成される。すなわ
ち、薄膜磁気ヘツドの縦断面構成を示した第２図のよう
に、下部磁性膜層１上に絶縁層２が積層されている。こ
の絶縁層２上には、複数のコイル５を内蔵する絶縁層３
が積層されている。この絶縁層３上には、上部磁性膜層
６が積層されている。薄膜磁気ヘツド磁極に適用される
磁性膜としては、厚さ１〜２μｍのNi81Fe19（パーマロ
イ）合金が一般的に用いられている。パーマロイは、磁
歪定数λｓが小さく、一軸異方性の付与が容易で困難軸
方向保磁力HCHを１エルステツド以下とすることがで
き、しかも化学的、熱的安定性がよい利点がある。一
方、パーマロイの飽和磁束密度BSは約10000ガウスであ
り、薄膜磁気ヘツド磁極厚さを減少させて、記録密度を
上昇させるには限界があつた。すなわち、第２図に示す
薄膜磁気ヘツド下部磁性膜厚１および上部磁性膜層６の
厚さtg1およびtg2を減少させることにより、書込磁界９
の空間分布を急峻にし、記録媒体12に書き込まれる記録
ビツト11の長さを短かくすることで記録密度の増大が可
能であるが、書込磁界強度は低下する。これを補うた
め、コイル５に流す電流を増加させるが、パーマロイは
前述のごとくBSが低く磁極が飽和して、書込磁界が十分
発生しない。したがつて、磁極部分に飽和磁束密度の高
い非晶質Co系合金（BS＝13000〜15000ガウス）、結晶質
Fe系合金（BS＝18000〜21000ガウス）等を適用すること
が考えられる。しかし、非晶質Co系合金は熱安定性に問
題があり、また結晶質Fe系合金は耐食性に問題があり、
これらの問題は未だ解決されていない。
成したコイル，絶縁層，磁極から構成される。すなわ
ち、薄膜磁気ヘツドの縦断面構成を示した第２図のよう
に、下部磁性膜層１上に絶縁層２が積層されている。こ
の絶縁層２上には、複数のコイル５を内蔵する絶縁層３
が積層されている。この絶縁層３上には、上部磁性膜層
６が積層されている。薄膜磁気ヘツド磁極に適用される
磁性膜としては、厚さ１〜２μｍのNi81Fe19（パーマロ
イ）合金が一般的に用いられている。パーマロイは、磁
歪定数λｓが小さく、一軸異方性の付与が容易で困難軸
方向保磁力HCHを１エルステツド以下とすることがで
き、しかも化学的、熱的安定性がよい利点がある。一
方、パーマロイの飽和磁束密度BSは約10000ガウスであ
り、薄膜磁気ヘツド磁極厚さを減少させて、記録密度を
上昇させるには限界があつた。すなわち、第２図に示す
薄膜磁気ヘツド下部磁性膜厚１および上部磁性膜層６の
厚さtg1およびtg2を減少させることにより、書込磁界９
の空間分布を急峻にし、記録媒体12に書き込まれる記録
ビツト11の長さを短かくすることで記録密度の増大が可
能であるが、書込磁界強度は低下する。これを補うた
め、コイル５に流す電流を増加させるが、パーマロイは
前述のごとくBSが低く磁極が飽和して、書込磁界が十分
発生しない。したがつて、磁極部分に飽和磁束密度の高
い非晶質Co系合金（BS＝13000〜15000ガウス）、結晶質
Fe系合金（BS＝18000〜21000ガウス）等を適用すること
が考えられる。しかし、非晶質Co系合金は熱安定性に問
題があり、また結晶質Fe系合金は耐食性に問題があり、
これらの問題は未だ解決されていない。
フエロマグネテイズム（ホゾルス著、フアンノストラ
ンド出版,1951年）（Feromagnetism,R.M.Bozorth,Van N
ostrand1951）165頁および675頁によれば、Co−Fe−Ni
三元系状態図におけるCo主成分領域において、磁歪定数
がほぼ零、かつ飽和磁束密度12000ガウス以上の領域が
存在することが明らかである。しかし、この領域の合金
系は、磁気異方性定数K1が大きく（〜104erg/cm3）、当
該合金をそのまま磁気ヘツド磁極として用いても、透磁
率が低く実用とならない。従来より、透磁率を高めるた
め、例えばアイ・イー・イー・イー トランザクシヨン
・オン・マグネテイクス エム・エー・ジー13,1521（1
977年）IEEE,Trans.Magn.MAG−13,1521（1977）に示さ
れるごとく、パーマロイとAl2O3等の誘電体を用い多層
膜とし、数10μｍ幅の短冊状に加工することにより、高
周波領域での誘磁率が増大することは知られている。こ
れは、高周波励磁時、パーマロイ内に発生する渦電流に
よるエネルギー損失が、薄膜化と短冊状加工という次元
形状の限定によつて減少することによる。したがつて、
本質的に異方性の大きいCoNiFe系金属は、そのまま多層
化しても誘磁率は向上しない。一方、アイ・イー・イー
・イー トランザクシヨン オブ マグネテイクス エ
ム・エー・ジー166頁（1961年）、IEEE,Trans.Magn.MAG
−1,66,（1961）によれば、パーマロイの蒸着中、互い
に直交し、交番する磁界を基板に印加することにより、
パーマロイの一軸異方性定数を制御し得ることが知られ
ている。これを、CoNiFe合金の電着法による形状に適用
した例が、特開昭61−76642号公報に開示されている。
この従来例によれば、CoNiFeの合金の異方性磁界HKは約
1/6に低減される。
ンド出版,1951年）（Feromagnetism,R.M.Bozorth,Van N
ostrand1951）165頁および675頁によれば、Co−Fe−Ni
三元系状態図におけるCo主成分領域において、磁歪定数
がほぼ零、かつ飽和磁束密度12000ガウス以上の領域が
存在することが明らかである。しかし、この領域の合金
系は、磁気異方性定数K1が大きく（〜104erg/cm3）、当
該合金をそのまま磁気ヘツド磁極として用いても、透磁
率が低く実用とならない。従来より、透磁率を高めるた
め、例えばアイ・イー・イー・イー トランザクシヨン
・オン・マグネテイクス エム・エー・ジー13,1521（1
977年）IEEE,Trans.Magn.MAG−13,1521（1977）に示さ
れるごとく、パーマロイとAl2O3等の誘電体を用い多層
膜とし、数10μｍ幅の短冊状に加工することにより、高
周波領域での誘磁率が増大することは知られている。こ
れは、高周波励磁時、パーマロイ内に発生する渦電流に
よるエネルギー損失が、薄膜化と短冊状加工という次元
形状の限定によつて減少することによる。したがつて、
本質的に異方性の大きいCoNiFe系金属は、そのまま多層
化しても誘磁率は向上しない。一方、アイ・イー・イー
・イー トランザクシヨン オブ マグネテイクス エ
ム・エー・ジー166頁（1961年）、IEEE,Trans.Magn.MAG
−1,66,（1961）によれば、パーマロイの蒸着中、互い
に直交し、交番する磁界を基板に印加することにより、
パーマロイの一軸異方性定数を制御し得ることが知られ
ている。これを、CoNiFe合金の電着法による形状に適用
した例が、特開昭61−76642号公報に開示されている。
この従来例によれば、CoNiFeの合金の異方性磁界HKは約
1/6に低減される。
また、CoNiFe合金を真空蒸着等の方法により形成する
ことが、特公昭60−82638号公報に開示されている。
ことが、特公昭60−82638号公報に開示されている。
しかし、上記特開昭61−76642号公報に記載された従
来例では、電着法により形成された磁性膜は、薄膜磁気
ヘツド形成プロセス中に膜が受ける熱処理により磁気特
性が劣化することにより、保磁力が増大する難点があ
る。
来例では、電着法により形成された磁性膜は、薄膜磁気
ヘツド形成プロセス中に膜が受ける熱処理により磁気特
性が劣化することにより、保磁力が増大する難点があ
る。
また、特公昭60−82638号公報記載の形成条件である
基板温度350℃、膜推積速度18Å／秒では、飽和磁束密
度の高い高Co領域、すなわちCo濃度70重量％以上の合金
の保磁力を低下させることはできない。
基板温度350℃、膜推積速度18Å／秒では、飽和磁束密
度の高い高Co領域、すなわちCo濃度70重量％以上の合金
の保磁力を低下させることはできない。
すなわち、上記従来技術では、高飽和磁束密度を有す
るCoFeまたはCoNiFe合金が高透磁率すなわち保磁力が小
さく形成される点について考慮されておらず、これらの
合金を薄膜磁気ヘツド用磁極として用いるには難点があ
つた。
るCoFeまたはCoNiFe合金が高透磁率すなわち保磁力が小
さく形成される点について考慮されておらず、これらの
合金を薄膜磁気ヘツド用磁極として用いるには難点があ
つた。
このような問題点を解決するために、本発明は、上記
CoFeまたはCoNiFe合金が保磁力を小さく形成されてな
り、再生特性のよい薄膜磁気ヘツドを提供することを目
的とする。
CoFeまたはCoNiFe合金が保磁力を小さく形成されてな
り、再生特性のよい薄膜磁気ヘツドを提供することを目
的とする。
問題点を解決するための手段について述べる前に、本
発明を完成するに至つた経緯について説明する。
発明を完成するに至つた経緯について説明する。
耐熱性のよい磁性薄膜を実現する手段として、スパツ
タリング法が知られている。本発明者らは、Co濃度70％
以上のCoNiFe合金をカソードとして、ガラス基板上への
スパツタリング膜形成を試みた。その結果、薄膜磁気ヘ
ツド磁極に適用される、厚さ約１μｍ程度のスパツタリ
ング膜は、合金組成を変化させ、またはスパツタリング
電力、Arガス圧を変化させても保磁力Hcは300eと大き
く、膜には一軸磁気異方性も誘起されなかつた。しか
し、スパツタリング膜厚を減少させた場合は、困難軸方
向保磁力HCHは、0.5μｍ以下で急激に低下することがわ
かつた。また、スパツタリング時の基板温度を膜表面で
100℃以下に保つことにより、１〜1.5μｍの膜厚でも困
難軸方向保磁力を20e以下とすることができた。
タリング法が知られている。本発明者らは、Co濃度70％
以上のCoNiFe合金をカソードとして、ガラス基板上への
スパツタリング膜形成を試みた。その結果、薄膜磁気ヘ
ツド磁極に適用される、厚さ約１μｍ程度のスパツタリ
ング膜は、合金組成を変化させ、またはスパツタリング
電力、Arガス圧を変化させても保磁力Hcは300eと大き
く、膜には一軸磁気異方性も誘起されなかつた。しか
し、スパツタリング膜厚を減少させた場合は、困難軸方
向保磁力HCHは、0.5μｍ以下で急激に低下することがわ
かつた。また、スパツタリング時の基板温度を膜表面で
100℃以下に保つことにより、１〜1.5μｍの膜厚でも困
難軸方向保磁力を20e以下とすることができた。
すなわち、基板温度を低く保ち形成した合金膜あるい
は膜厚の小さい膜では、その平均結晶粒径を0.06μｍ以
下とすることができる。その結果、困難軸方向保磁力が
低下したものと考えられる。
は膜厚の小さい膜では、その平均結晶粒径を0.06μｍ以
下とすることができる。その結果、困難軸方向保磁力が
低下したものと考えられる。
本発明は、かかる知見によりなされたものであり、そ
の内容は、基板上に第１の絶縁層を有し、当該絶縁層上
に下部磁性膜層、第２の絶縁層および上部磁性膜層が順
に積層され、下部および上部磁性膜層が一部分で接しか
つ同部分を巻回するコイルを第２の絶縁層内に有する薄
膜磁気ヘツドにおいて、前記磁性膜層の一部または全部
は磁性合金であるCoFeまたはCoNiFeからなり、当該磁性
合金の結晶粒径の平均値が0.06μｍ以下であることを特
徴とする薄膜磁気ヘツドである。
の内容は、基板上に第１の絶縁層を有し、当該絶縁層上
に下部磁性膜層、第２の絶縁層および上部磁性膜層が順
に積層され、下部および上部磁性膜層が一部分で接しか
つ同部分を巻回するコイルを第２の絶縁層内に有する薄
膜磁気ヘツドにおいて、前記磁性膜層の一部または全部
は磁性合金であるCoFeまたはCoNiFeからなり、当該磁性
合金の結晶粒径の平均値が0.06μｍ以下であることを特
徴とする薄膜磁気ヘツドである。
上記本発明において、磁性合金の結晶粒径の平均値を
0.06μｍ以下にする方法として、例えば次の方法があ
る。まず、磁性合金層をスパツタリング法により形成
し、膜作成時の基板温度を100℃以下とする方法があ
る。その他、磁性合金層厚さを0.5μｍ以下とし、磁性
合金層間に別な金属の合金，誘電体を挟み込み、多層化
する方法である。
0.06μｍ以下にする方法として、例えば次の方法があ
る。まず、磁性合金層をスパツタリング法により形成
し、膜作成時の基板温度を100℃以下とする方法があ
る。その他、磁性合金層厚さを0.5μｍ以下とし、磁性
合金層間に別な金属の合金，誘電体を挟み込み、多層化
する方法である。
この方法により、低保磁力で厚いCoNiFe合金膜が得ら
れることがわかつた。この方法は、基板が冷却できない
量産形のスパツタリング装置を用いた、CoNiFe膜の形成
に有利である。
れることがわかつた。この方法は、基板が冷却できない
量産形のスパツタリング装置を用いた、CoNiFe膜の形成
に有利である。
上記本発明におけるCoNiFe合金またはCoFe磁性合金の
組成は、Co100-X-F-YNiXFeYと表記したとき、０≦ｘ≦2
0かつ≦ｙ≦10である。
組成は、Co100-X-F-YNiXFeYと表記したとき、０≦ｘ≦2
0かつ≦ｙ≦10である。
CoNiFeまたはCoFe磁性合金層の平均結晶粒径を保磁力
との関係を第１図に示し、基板温度と磁性合金層の平均
結晶粒径との関係を第３図に示し、磁性合金層の膜厚と
保磁力との関係を第４図に示す。
との関係を第１図に示し、基板温度と磁性合金層の平均
結晶粒径との関係を第３図に示し、磁性合金層の膜厚と
保磁力との関係を第４図に示す。
第１図からわかるように、結晶粒径が0.06μｍ以下の
とき、保磁力を大幅に低下することができる。結晶粒径
を0.06μｍ以下にすることにより、磁性合金膜の保磁力
が低下する理由について説明する。
とき、保磁力を大幅に低下することができる。結晶粒径
を0.06μｍ以下にすることにより、磁性合金膜の保磁力
が低下する理由について説明する。
多結晶磁性合金の磁化は、平均容易軸方向に沿つて結
晶物ごとにばらついた微小な磁化の和であることが知ら
れている。この合金の平均磁化方向を回転させるため、
外部磁界を印加したとき、個々の結晶粒は、その結晶方
位により安定していた磁化を、よりエネルギーの高い方
向へ向けることになる。この回転のしやすさを表わすの
が、結晶磁気異方性エネルギーK1であり、高Co濃度のCo
NiFeまたは、CoFe合金のK1は104〜105erg/cm3とパーマ
ロイ（102erg/cm3）の100〜1000倍である。粗大な結晶
粒を、それと同体積の微細な結晶粒では、各結晶粒間の
結晶方位が異なるため、磁気異方性エネルギーが低下す
る。すなわち、結晶物径がより微細であるほど、個々の
結晶磁気異方性は小さくなる。このことが細かい結晶粒
径のCoNiFeまたはCoFe膜でのみ低い困難軸方向保磁力を
実現できる理由と考えられる。
晶物ごとにばらついた微小な磁化の和であることが知ら
れている。この合金の平均磁化方向を回転させるため、
外部磁界を印加したとき、個々の結晶粒は、その結晶方
位により安定していた磁化を、よりエネルギーの高い方
向へ向けることになる。この回転のしやすさを表わすの
が、結晶磁気異方性エネルギーK1であり、高Co濃度のCo
NiFeまたは、CoFe合金のK1は104〜105erg/cm3とパーマ
ロイ（102erg/cm3）の100〜1000倍である。粗大な結晶
粒を、それと同体積の微細な結晶粒では、各結晶粒間の
結晶方位が異なるため、磁気異方性エネルギーが低下す
る。すなわち、結晶物径がより微細であるほど、個々の
結晶磁気異方性は小さくなる。このことが細かい結晶粒
径のCoNiFeまたはCoFe膜でのみ低い困難軸方向保磁力を
実現できる理由と考えられる。
平均結晶粒径を0.06μｍ以下とすることにより耐熱性
が向上し、その結果、薄膜磁気ヘツド形成プロセス中、
膜が受ける熱処理により磁性特性が劣化することなく、
保磁力が増大することもない。これは、平均結晶粒径が
十分小さいと、粒成長しないからである。
が向上し、その結果、薄膜磁気ヘツド形成プロセス中、
膜が受ける熱処理により磁性特性が劣化することなく、
保磁力が増大することもない。これは、平均結晶粒径が
十分小さいと、粒成長しないからである。
次に、基板温度と平均結晶粒径との関係については、
第３図に示すように、基板温度が低く（100℃以下）保
たれて形成された合金膜では、その平均結晶粒径が0.06
μｍ以下となつていることがわかる。
第３図に示すように、基板温度が低く（100℃以下）保
たれて形成された合金膜では、その平均結晶粒径が0.06
μｍ以下となつていることがわかる。
次に、膜厚と保磁力の関係については、第４図に示す
ように、膜厚が0.5μｍ以下で、保磁力が小さいことが
わかる。これは、次の理由による。高い基板温度で、厚
いCoNiFe合金膜を形成した場合、その膜厚方向の結晶粒
径は、基板側が細かく、膜表面に向つて粗大化している
ことがわかつた。そこで、第４図に示した膜厚と保磁力
の関係から、膜厚を0.5μｍ以下とすればよい。この場
合、磁性合金層間に別な金属，合金，誘電体を挟み込
み、多層膜化できる。多層膜とするこで保磁力が低下す
るのも、CoNiFe結晶粒の成長を別な層によつて断ち切る
ことにより、磁性層結晶粒径を0.06μｍ以下としている
効果によると考えられる。
ように、膜厚が0.5μｍ以下で、保磁力が小さいことが
わかる。これは、次の理由による。高い基板温度で、厚
いCoNiFe合金膜を形成した場合、その膜厚方向の結晶粒
径は、基板側が細かく、膜表面に向つて粗大化している
ことがわかつた。そこで、第４図に示した膜厚と保磁力
の関係から、膜厚を0.5μｍ以下とすればよい。この場
合、磁性合金層間に別な金属，合金，誘電体を挟み込
み、多層膜化できる。多層膜とするこで保磁力が低下す
るのも、CoNiFe結晶粒の成長を別な層によつて断ち切る
ことにより、磁性層結晶粒径を0.06μｍ以下としている
効果によると考えられる。
以下、本発明の実施例について説明する。第１表に、
CoNiFe合金のスパツタリング条件を示す。
CoNiFe合金のスパツタリング条件を示す。
上記条件で形成したCoNiFeスパツタリング膜を第１層
とし、NiFe,Al2O3およびSiO2を第２層として積層膜を形
成し、その磁気特性を各膜厚と各第２表に示す。
とし、NiFe,Al2O3およびSiO2を第２層として積層膜を形
成し、その磁気特性を各膜厚と各第２表に示す。
表中、NiFe,Al2O3，SiO2は、いずれもCoNiFeと同一ス
パツタ装置内で、別なカソードを用い、スパツタリング
した。この条件を、第３表に示す。
パツタ装置内で、別なカソードを用い、スパツタリング
した。この条件を、第３表に示す。
本実施例によけば、飽和磁束密度がパーマロイ（1000
0ガウス）より大きく、かつ保磁力の小さいCoNiFe多層
膜が得られた。
0ガウス）より大きく、かつ保磁力の小さいCoNiFe多層
膜が得られた。
本発明の他の実施例について説明する。第１表に示し
た条件で、基板を水冷しスパツタリングしたところ、第
４表に示す結果を得た。このときの基板温度は、50〜60
℃であつた。
た条件で、基板を水冷しスパツタリングしたところ、第
４表に示す結果を得た。このときの基板温度は、50〜60
℃であつた。
この実施例によれば、膜厚が0.5μｍ以下で、保磁力
が小さいことがわかる。
が小さいことがわかる。
また、本発明の第３の実施例について説明する。
第１表により形成したCoNiFe合金（層厚0.1μｍ）とA
l2O3（層厚0.01μｍ）多層膜（膜厚1.1μｍ）を磁極と
して用い、第２図に示す構造の薄膜磁気ヘツドを作製
し、一方パーマロイ（膜厚1.1μｍ）を用いた薄膜磁気
ヘツドを作製し、両者の記録、再生特性を比較した。記
録媒体には、γ−Fe2O3膜を用いた。多層膜を用い作製
した薄膜磁気ヘツドは、パーマロイ使用のものに比べ記
録後再生出力は約1.3倍となつた。本実施例により、磁
極厚を減少させることにより、分解能を高めた薄膜磁気
ヘツドを作製できることがわかる。
l2O3（層厚0.01μｍ）多層膜（膜厚1.1μｍ）を磁極と
して用い、第２図に示す構造の薄膜磁気ヘツドを作製
し、一方パーマロイ（膜厚1.1μｍ）を用いた薄膜磁気
ヘツドを作製し、両者の記録、再生特性を比較した。記
録媒体には、γ−Fe2O3膜を用いた。多層膜を用い作製
した薄膜磁気ヘツドは、パーマロイ使用のものに比べ記
録後再生出力は約1.3倍となつた。本実施例により、磁
極厚を減少させることにより、分解能を高めた薄膜磁気
ヘツドを作製できることがわかる。
さらに、本発明の第４の実施例について説明する。第
１表によるCoNiFe合金作製時、基板に対し互いに直交す
る方向に順に磁界を印加し、成膜を行つた。第５表に条
件を示す。
１表によるCoNiFe合金作製時、基板に対し互いに直交す
る方向に順に磁界を印加し、成膜を行つた。第５表に条
件を示す。
このスイツチング磁界中スパツタリングによりCoNiFe
の合金の異方性磁界を20エルステツドから12エルステツ
ドへ減少することができ、膜単体の透磁率を向上させる
ことができる。
の合金の異方性磁界を20エルステツドから12エルステツ
ドへ減少することができ、膜単体の透磁率を向上させる
ことができる。
以上説明したように、本発明によれば、パーマロイ単
層膜より飽和磁束密度が大きく、保磁力が小さく、かつ
耐熱性のよい磁性薄膜を作製できるので、これを適用し
た薄膜磁気ヘツドの分解能を高め、再生特性の良好な高
記録密度磁気記録用薄膜磁気ヘツドを提供できる効果が
ある。
層膜より飽和磁束密度が大きく、保磁力が小さく、かつ
耐熱性のよい磁性薄膜を作製できるので、これを適用し
た薄膜磁気ヘツドの分解能を高め、再生特性の良好な高
記録密度磁気記録用薄膜磁気ヘツドを提供できる効果が
ある。
第１図はCoNiFe結晶粒径と保磁力の関係を示すグラフ、
第２図は薄膜磁気ヘツド縦断面図および記録，再生原理
を示す図、第３図は結晶粒径と基板温度の関係を示すグ
ラフ、第４図はCoNiFe膜厚と保磁力の関係を示すグラフ
である。 １……下部磁性膜層、２……ギヤツプ部、５……コイ
ル、６……上部磁性膜層、９……書込磁界、10……媒体
よりの記録磁界、12……記録媒体。
第２図は薄膜磁気ヘツド縦断面図および記録，再生原理
を示す図、第３図は結晶粒径と基板温度の関係を示すグ
ラフ、第４図はCoNiFe膜厚と保磁力の関係を示すグラフ
である。 １……下部磁性膜層、２……ギヤツプ部、５……コイ
ル、６……上部磁性膜層、９……書込磁界、10……媒体
よりの記録磁界、12……記録媒体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成重 真治 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 西岡 浩一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小林 哲夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭62−287410（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−243108（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−158306（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第１の絶縁層を有し、当該絶縁層
上に下部磁性膜層、第２の絶縁層及び上部磁性膜層が順
に積層され、下部及び上部磁性膜層が一部分で接しかつ
同部分を巻回するコイルを第２の絶縁層内に有する薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜層の一部または全部は
磁性合金であるCoFeまたは、CoNiFeからなり、当該磁性
合金の結晶粒径の平均値が0.06μｍ以下であることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146058A JPH083883B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146058A JPH083883B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311613A JPS63311613A (ja) | 1988-12-20 |
| JPH083883B2 true JPH083883B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=15399132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146058A Expired - Lifetime JPH083883B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083883B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240972A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nec Corp | 磁気抵抗効果薄膜 |
| JP2769403B2 (ja) * | 1992-02-21 | 1998-06-25 | シーケーディ株式会社 | 磁気抵抗素子 |
| US9142226B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Thin film with tuned grain size |
| US9378760B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Seagate Technology Llc | Data reader with tuned microstructure |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661216A (en) * | 1986-04-21 | 1987-04-28 | International Business Machines Corporation | Electrodepositing CoNiFe alloys for thin film heads |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62146058A patent/JPH083883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63311613A (ja) | 1988-12-20 |
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