JPH083904B2 - 半導体レ−ザ−駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ−駆動回路Info
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- JPH083904B2 JPH083904B2 JP62028352A JP2835287A JPH083904B2 JP H083904 B2 JPH083904 B2 JP H083904B2 JP 62028352 A JP62028352 A JP 62028352A JP 2835287 A JP2835287 A JP 2835287A JP H083904 B2 JPH083904 B2 JP H083904B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザー駆動回路、特に光学式記録
再生装置における半導体レーザー駆動回路に関するもの
である。
再生装置における半導体レーザー駆動回路に関するもの
である。
第５図は例えば特開昭61−16044号公報に示された従
来の半導体レーザー駆動回路を示すブロック図であり、
図において、１は例えばレーザーダイオードの如き半導
体レーザー、２は半導体レーザー１で出射された光出力
をモニターするフォトダイオード、３はフォトダイオー
ド２の出力である電流を電圧に変換する電流−電圧変換
回路である。これらフォトダイオード２と電流・電圧変
換回路３により半導体レーザー１の光出力を電圧信号に
変換して出力する光・電変換回路20が構成されている。
４は変換回路３の電圧出力の高レベルをピークホールド
する第１のピークホールド回路、５は変換回路３の電圧
出力の低レベルをピークホールドする第２のピークホー
ルド回路、６は第１のピークホールド回路４の出力が一
方の入力端子に入力され且つ他方の入力端子７には高レ
ベル基準電圧が入力される第１の増幅器、８は第２のピ
ークホールド回路５の出力が一方の入力端子に入力され
且つ他方の入力端子９には低レベル基準電圧が入力され
る第２の増幅器である。これら増幅器６および８は、第
１のピークホールド回路４および第２のピークホールド
回路５の出力に従ってかつ、設定される基準電圧に従っ
て半導体レーザー１の光出力を設定する。10は第１の増
幅器６の出力を駆動電流に変換する第１のドライバー、
11は第２の増幅器８の出力を駆動電流に変換する第２の
ドライバー、12は第１のドライバー10から出力される駆
動電流が入力される変調回路、13は変調回路12の変調入
力端子である。変調回路12は変調入力端子13から入力さ
れる入力信号によってスイッチングする回路であり、入
力信号レベルの高低によって切換り、第１のドライバー
10の出力をオン・オフさせるようになっている。変調回
路12および第２のドライバー11は共に半導体レーザー１
に接続されている。
来の半導体レーザー駆動回路を示すブロック図であり、
図において、１は例えばレーザーダイオードの如き半導
体レーザー、２は半導体レーザー１で出射された光出力
をモニターするフォトダイオード、３はフォトダイオー
ド２の出力である電流を電圧に変換する電流−電圧変換
回路である。これらフォトダイオード２と電流・電圧変
換回路３により半導体レーザー１の光出力を電圧信号に
変換して出力する光・電変換回路20が構成されている。
４は変換回路３の電圧出力の高レベルをピークホールド
する第１のピークホールド回路、５は変換回路３の電圧
出力の低レベルをピークホールドする第２のピークホー
ルド回路、６は第１のピークホールド回路４の出力が一
方の入力端子に入力され且つ他方の入力端子７には高レ
ベル基準電圧が入力される第１の増幅器、８は第２のピ
ークホールド回路５の出力が一方の入力端子に入力され
且つ他方の入力端子９には低レベル基準電圧が入力され
る第２の増幅器である。これら増幅器６および８は、第
１のピークホールド回路４および第２のピークホールド
回路５の出力に従ってかつ、設定される基準電圧に従っ
て半導体レーザー１の光出力を設定する。10は第１の増
幅器６の出力を駆動電流に変換する第１のドライバー、
11は第２の増幅器８の出力を駆動電流に変換する第２の
ドライバー、12は第１のドライバー10から出力される駆
動電流が入力される変調回路、13は変調回路12の変調入
力端子である。変調回路12は変調入力端子13から入力さ
れる入力信号によってスイッチングする回路であり、入
力信号レベルの高低によって切換り、第１のドライバー
10の出力をオン・オフさせるようになっている。変調回
路12および第２のドライバー11は共に半導体レーザー１
に接続されている。
次に動作について説明する。書込み時に半導体レーザ
ー１が発光すると、フォトダイオード２は半導体レーザ
ー１より出射された光を受けて電流を出力する。フォト
ダイオード２の出力電流は電流−電圧変換回路３によっ
て電圧変化に変換され、第１のピークホールド回路４お
よび第２のピークホールド回路５にそれぞれ供給され
る。第１のピークホールド回路４では電流−電圧変換回
路３のハイレベルをピークホールドし、第２のピークホ
ールド回路５ではローレベルをピークホールドする。そ
してピークホールドされた高レベルおよび低レベルは、
それぞれ第１の増幅器６および第２の増幅器８に供給さ
れる。
ー１が発光すると、フォトダイオード２は半導体レーザ
ー１より出射された光を受けて電流を出力する。フォト
ダイオード２の出力電流は電流−電圧変換回路３によっ
て電圧変化に変換され、第１のピークホールド回路４お
よび第２のピークホールド回路５にそれぞれ供給され
る。第１のピークホールド回路４では電流−電圧変換回
路３のハイレベルをピークホールドし、第２のピークホ
ールド回路５ではローレベルをピークホールドする。そ
してピークホールドされた高レベルおよび低レベルは、
それぞれ第１の増幅器６および第２の増幅器８に供給さ
れる。
第１の増幅器６および第２の増幅器８は、それぞれの
ホールド回路4,5から入力される電圧が、それぞれ入力
端子7,9に設定される基準電圧に等しい電圧になる様に
フィードバックコントロールしている。増幅器6,8の出
力はそれぞれ第１のドライバー10,および第２のドライ
バー11に入力されて駆動電流に変換される。第１のドラ
イバー10より出力される駆動電流は、変調回路12に入力
され、変調入力端子13の入力信号により変調される。変
調回路12の出力は、第２のドライバー11の出力と加算さ
れて、半導体レーザー１に供給され、該半導体レーザー
１を駆動する。
ホールド回路4,5から入力される電圧が、それぞれ入力
端子7,9に設定される基準電圧に等しい電圧になる様に
フィードバックコントロールしている。増幅器6,8の出
力はそれぞれ第１のドライバー10,および第２のドライ
バー11に入力されて駆動電流に変換される。第１のドラ
イバー10より出力される駆動電流は、変調回路12に入力
され、変調入力端子13の入力信号により変調される。変
調回路12の出力は、第２のドライバー11の出力と加算さ
れて、半導体レーザー１に供給され、該半導体レーザー
１を駆動する。
第６図（ａ）は以上のようにして駆動される半導体レ
ーザー１の光出力レベル、第６図（ｂ）は半導体レーザ
ー１に流れる電流を示している。図中、ISIGは第１のド
ライバー10によって駆動される電流であり、IDCは第２
のドライバー11によって駆動される電流である。第１の
増幅器６の入力端子７における設定基準電圧を変化させ
ると高レベルのみを変化させ、第２の増幅器８の入力端
子９における設定基準電圧を変化させると低レベルのみ
を変化させることができる。
ーザー１の光出力レベル、第６図（ｂ）は半導体レーザ
ー１に流れる電流を示している。図中、ISIGは第１のド
ライバー10によって駆動される電流であり、IDCは第２
のドライバー11によって駆動される電流である。第１の
増幅器６の入力端子７における設定基準電圧を変化させ
ると高レベルのみを変化させ、第２の増幅器８の入力端
子９における設定基準電圧を変化させると低レベルのみ
を変化させることができる。
このような従来の半導体レーザー駆動回路において
は、さまざまな光学式記録媒体の記録再生条件に対応さ
せるために、それぞれのドライバー10,11の電流可変範
囲を大きくとっておく必要がある。
は、さまざまな光学式記録媒体の記録再生条件に対応さ
せるために、それぞれのドライバー10,11の電流可変範
囲を大きくとっておく必要がある。
従来の半導体レーザー駆動回路は以上のように構成さ
れているので、それぞれのドライバーの最大電流値I
SIG(max)，IDC(max)の合計が半導体レーザーの出射パワ
ーの絶対最大定格をこえる電流値となり、回路の立上り
時やこの駆動回路の系が切れた場合、半導体レーザーの
定格をオーバーし、半導体レーザーの寿命を縮めたり、
破壊するなどの問題があった。
れているので、それぞれのドライバーの最大電流値I
SIG(max)，IDC(max)の合計が半導体レーザーの出射パワ
ーの絶対最大定格をこえる電流値となり、回路の立上り
時やこの駆動回路の系が切れた場合、半導体レーザーの
定格をオーバーし、半導体レーザーの寿命を縮めたり、
破壊するなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、回路の立上り時や、誤った設定を行なった
場合においても、半導体レーザーの絶対最大定格をこえ
ることがなく、半導体レーザーの劣化や破壊を心配せ
ず、安心して使用できる半導体レーザー駆動回路を提供
することを目的とする。
れたもので、回路の立上り時や、誤った設定を行なった
場合においても、半導体レーザーの絶対最大定格をこえ
ることがなく、半導体レーザーの劣化や破壊を心配せ
ず、安心して使用できる半導体レーザー駆動回路を提供
することを目的とする。
この発明に係る半導体レーザー駆動回路は、半導体レ
ーザーに流れる電流のうち、第１又は第２のドライバー
のいずれか一方によって駆動される電流値を検出する電
流検出回路と、第１又は第２のドライバーのうち他方の
ドライバーによって駆動される電流を前記電流検出回路
の出力により制限する電流制限回路をもうけ、該電流検
出回路の出力値に応じて第１又は第２のドライバーのう
ち他方のドライバーにより駆動される電流の制限値を制
御できるように構成したものである。
ーザーに流れる電流のうち、第１又は第２のドライバー
のいずれか一方によって駆動される電流値を検出する電
流検出回路と、第１又は第２のドライバーのうち他方の
ドライバーによって駆動される電流を前記電流検出回路
の出力により制限する電流制限回路をもうけ、該電流検
出回路の出力値に応じて第１又は第２のドライバーのう
ち他方のドライバーにより駆動される電流の制限値を制
御できるように構成したものである。
この発明における半導体レーザー駆動回路は、一方の
ドライバーによって駆動される電流値を検出する電流検
出回路は、得られた出力値により他方のドライバーによ
り駆動される電流の制限値を制御されるため、半導体レ
ーザーに流れるトータル電流があらかじめ設定された値
以上には流れず、半導体レーザーの破壊等を防止する。
ドライバーによって駆動される電流値を検出する電流検
出回路は、得られた出力値により他方のドライバーによ
り駆動される電流の制限値を制御されるため、半導体レ
ーザーに流れるトータル電流があらかじめ設定された値
以上には流れず、半導体レーザーの破壊等を防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において従来の技術を示す第
５図と同一又は相当部分については同一符号を付してそ
の説明を省略する。
５図と同一又は相当部分については同一符号を付してそ
の説明を省略する。
第１図は、この発明の一実施例の基本的構成を示すブ
ロック図である。図において、21は第２のドライバー11
によって駆動される電流IDCの値を検出する電流検出回
路、22は第１のドライバー10によって駆動される電流I
SIGを制限する電流制限回路である。電流制限回路22は
第１の増幅器６と第１のドライバー10間に挿入され、電
流検出回路21の出力を制御入力とする。
ロック図である。図において、21は第２のドライバー11
によって駆動される電流IDCの値を検出する電流検出回
路、22は第１のドライバー10によって駆動される電流I
SIGを制限する電流制限回路である。電流制限回路22は
第１の増幅器６と第１のドライバー10間に挿入され、電
流検出回路21の出力を制御入力とする。
第２図は第１図に示す実施例の具体的回路の一部分を
示す回路図であり、図において、第１図に示すブロック
要素に対応する部分は破線で囲んで同一符号を付して示
している。
示す回路図であり、図において、第１図に示すブロック
要素に対応する部分は破線で囲んで同一符号を付して示
している。
電流検出回路21は第２のドライバー11の出力トランジ
スタQ1のエミッタと電源間に接続された抵抗R1により構
成され、電流制限回路22は第１の増幅器６の出力端と第
１のドライバー10の入力端間に接続された抵抗R2と、第
１のドライバー10の入力端と第２のドライバー11の出力
トランジスタQ1間に接続されたダイオードＤとにより構
成されている。
スタQ1のエミッタと電源間に接続された抵抗R1により構
成され、電流制限回路22は第１の増幅器６の出力端と第
１のドライバー10の入力端間に接続された抵抗R2と、第
１のドライバー10の入力端と第２のドライバー11の出力
トランジスタQ1間に接続されたダイオードＤとにより構
成されている。
次に第１図および第２図に示す実施例の動作について
説明する。
説明する。
正常動作時においては、従来例と同様に、第１の増幅
器６および第２の増幅器８のそれぞれの入力端子7,9に
設定される基準電圧にしたがって半導体レーザー１は発
光し、コントロールされる。
器６および第２の増幅器８のそれぞれの入力端子7,9に
設定される基準電圧にしたがって半導体レーザー１は発
光し、コントロールされる。
次に異状動作時、たとえば電源投入時または半導体レ
ーザー１の出射光がフォトダイオード２にもどってこな
くなった等の系が切れた場合について述べる。
ーザー１の出射光がフォトダイオード２にもどってこな
くなった等の系が切れた場合について述べる。
まず、第１のドライバー10,第２のドライバー11の入
力電圧VH，VL対出力電流ISIG，IDC特性を第３図（ａ）
（ｂ）に示す。図中、入力電圧VH，VLを上げても出力電
流ISIG，IDCが増加しないのは、回路の電源電圧やトラ
ンジスタの飽和等によって制限されているからである。
その時の電流をISIG(max)，IDC(max)とする。従来は、
異状動作時に、この電流ISIG(max)とIDC(max)の合計が
半導体レーザー１に流れ、該半導体レーザー１の定格I
LD(max)を越え半導体レーザー１の劣化や破壊を起こし
ていた。
力電圧VH，VL対出力電流ISIG，IDC特性を第３図（ａ）
（ｂ）に示す。図中、入力電圧VH，VLを上げても出力電
流ISIG，IDCが増加しないのは、回路の電源電圧やトラ
ンジスタの飽和等によって制限されているからである。
その時の電流をISIG(max)，IDC(max)とする。従来は、
異状動作時に、この電流ISIG(max)とIDC(max)の合計が
半導体レーザー１に流れ、該半導体レーザー１の定格I
LD(max)を越え半導体レーザー１の劣化や破壊を起こし
ていた。
この実施例においては、第２のドライバー11の入力に
電圧が加わると、出力電流IDCが半導体レーザー１に流
れる。この電流値を電流検出回路21により、電圧として
とりだし、電流制限回路22に制御入力電圧として入力す
る。電流制限回路22の入力端には第１の増幅器６の出力
電圧が入力され、制御入力電圧より低い電圧範囲ではそ
の入力電圧に比例して第１のドライバー10の出力電流I
SIGは増加する。しかし、制御入力電圧より高くなる
と、電流制限回路22の出力電圧は一定となり、第１のド
ライバー10の出力電流ISIGが制限される。第２のドライ
バー11の出力電流IDCが増加すればするほど電流制限回
路22の制御入力電圧は下がるので、第１のドライバー10
の出力電流ISIGの制限値ISIG(LIMT)も下がる。
電圧が加わると、出力電流IDCが半導体レーザー１に流
れる。この電流値を電流検出回路21により、電圧として
とりだし、電流制限回路22に制御入力電圧として入力す
る。電流制限回路22の入力端には第１の増幅器６の出力
電圧が入力され、制御入力電圧より低い電圧範囲ではそ
の入力電圧に比例して第１のドライバー10の出力電流I
SIGは増加する。しかし、制御入力電圧より高くなる
と、電流制限回路22の出力電圧は一定となり、第１のド
ライバー10の出力電流ISIGが制限される。第２のドライ
バー11の出力電流IDCが増加すればするほど電流制限回
路22の制御入力電圧は下がるので、第１のドライバー10
の出力電流ISIGの制限値ISIG(LIMT)も下がる。
第２図を用いて説明すると、第２のドライバー11の入
力に電圧が加わると、出力電流IDCが流れ、電流検出回
路21の抵抗R1の端子電圧VIはVI＝VCC−RI・IDCとなる。
力に電圧が加わると、出力電流IDCが流れ、電流検出回
路21の抵抗R1の端子電圧VIはVI＝VCC−RI・IDCとなる。
一方、第１のドライバー10側は、電流制限回路22の抵
抗R2とダイオードＤの接点電圧がVI＋0.6〔Ｖ〕の電圧
より低い電圧でドライブされている範囲では、その入力
電圧に比例して出力電流ISIGは増加する。しかし、その
接点電圧がVI＋0.6〔Ｖ〕になると、ダイオードＤが導
通し、接点電圧はVI＋0.6〔Ｖ〕以上には上がらずISIG
は一定となり、制限される。
抗R2とダイオードＤの接点電圧がVI＋0.6〔Ｖ〕の電圧
より低い電圧でドライブされている範囲では、その入力
電圧に比例して出力電流ISIGは増加する。しかし、その
接点電圧がVI＋0.6〔Ｖ〕になると、ダイオードＤが導
通し、接点電圧はVI＋0.6〔Ｖ〕以上には上がらずISIG
は一定となり、制限される。
第２のドライバー11の出力電流IDCが増加すればする
ほど抵抗R1の端子電圧VIは下がるので、第１のドライバ
ー10の電流を制限する電圧VI＋0.6〔Ｖ〕も下がり、出
力電流ISIGの制限値ISIG(LIMT)も下がることになる。
ほど抵抗R1の端子電圧VIは下がるので、第１のドライバ
ー10の電流を制限する電圧VI＋0.6〔Ｖ〕も下がり、出
力電流ISIGの制限値ISIG(LIMT)も下がることになる。
半導体レーザー１に流れる最大電流値は、第２のドラ
イバー11の最大電流IDC(max)と第１のドライバー10の出
力電流の制限値ISIG(LIMT)の和であり、この値を半導体
レーザー１の最大定格電流ILD(max)より小さくすること
により、半導体レーザー１の劣化や破壊を防止してい
る。
イバー11の最大電流IDC(max)と第１のドライバー10の出
力電流の制限値ISIG(LIMT)の和であり、この値を半導体
レーザー１の最大定格電流ILD(max)より小さくすること
により、半導体レーザー１の劣化や破壊を防止してい
る。
第４図（ａ）は従来例の第２のドライバー11の入力電
圧VL対半導体レーザー１の電流ILDの関係を示し、第４
図（ｂ）はこの実施例の第２のドライバー11の入力電圧
VL対半導体レーザー１の電流ILDの関係を示す。図中、
第１のドライバー10により、最大電流ISIG(max)を流し
ている状態とする。
圧VL対半導体レーザー１の電流ILDの関係を示し、第４
図（ｂ）はこの実施例の第２のドライバー11の入力電圧
VL対半導体レーザー１の電流ILDの関係を示す。図中、
第１のドライバー10により、最大電流ISIG(max)を流し
ている状態とする。
なお、上記実施例では、第１のドライバー10側に電流
制限回路22を挿入したものを示したが、これとは逆に第
２のドライバー11側に電流制限回路22を設けてもよい。
制限回路22を挿入したものを示したが、これとは逆に第
２のドライバー11側に電流制限回路22を設けてもよい。
以上のように、この発明によれば、第１又は第２のド
ライバーのうちのいずれか一方のドライバーによって駆
動される電流値を検出する電流検出回路と、第１又は第
２のドライバーのうち他方のドライバーによって駆動さ
れる電流を電流検出回路からの出力により制限する電流
制限回路をもうけ、電流検出手段の出力値に応じて他方
のドライバーにより駆動される電流の制限値を制御でき
るように構成したので、半導体レーザーには絶対最大定
格をこえるような過電流は流れることがなく、劣化や破
壊を気にせず安心して使用できる効果がある。
ライバーのうちのいずれか一方のドライバーによって駆
動される電流値を検出する電流検出回路と、第１又は第
２のドライバーのうち他方のドライバーによって駆動さ
れる電流を電流検出回路からの出力により制限する電流
制限回路をもうけ、電流検出手段の出力値に応じて他方
のドライバーにより駆動される電流の制限値を制御でき
るように構成したので、半導体レーザーには絶対最大定
格をこえるような過電流は流れることがなく、劣化や破
壊を気にせず安心して使用できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザー駆動
回路を示すブロック図、第２図は第１図に示す実施例の
一部分の具体的回路図、第３図（ａ）は第１のドライバ
ーの入力電圧対出力電流特性図、第３図（ｂ）は第２の
ドライバーの入力電圧対出力電流特性図、第４図（ａ）
は従来の第２のドライバーの入力電圧対半導体レーザー
電流特性図、第４図（ｂ）は実施例の第２のドライバー
の入力電圧対半導体レーザー電流特性図、第５図は、従
来の半導体レーザー駆動回路を示すブロック図、第６図
（ａ）は半導体レーザーの光出力波形図、第６図（ｂ）
は半導体レーザーに流れる電流を示す波形図である。 １は半導体レーザー、２はフォトダイオード、３は電流
・電圧変換回路、４は第１のピークホールド回路、５は
第２のピークホールド回路、６は第１の増幅器、７は第
１の入力端子、８は第２の増幅器、９は第２の入力端
子、10は第１のドライバー、11は第２のドライバー、12
は変調回路、13は変調入力端子、20は光・電変換回路、
21は電流検出回路、22は電流制限回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
回路を示すブロック図、第２図は第１図に示す実施例の
一部分の具体的回路図、第３図（ａ）は第１のドライバ
ーの入力電圧対出力電流特性図、第３図（ｂ）は第２の
ドライバーの入力電圧対出力電流特性図、第４図（ａ）
は従来の第２のドライバーの入力電圧対半導体レーザー
電流特性図、第４図（ｂ）は実施例の第２のドライバー
の入力電圧対半導体レーザー電流特性図、第５図は、従
来の半導体レーザー駆動回路を示すブロック図、第６図
（ａ）は半導体レーザーの光出力波形図、第６図（ｂ）
は半導体レーザーに流れる電流を示す波形図である。 １は半導体レーザー、２はフォトダイオード、３は電流
・電圧変換回路、４は第１のピークホールド回路、５は
第２のピークホールド回路、６は第１の増幅器、７は第
１の入力端子、８は第２の増幅器、９は第２の入力端
子、10は第１のドライバー、11は第２のドライバー、12
は変調回路、13は変調入力端子、20は光・電変換回路、
21は電流検出回路、22は電流制限回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザーの光出力を電圧信号に変換
して出力する光・電変換回路と、前記光・電変換回路の
出力電圧のハイレベルピーク又はローレベルピークのう
ちのいずれか一方をホールドする第１のピークホールド
回路と、前記光・電変換回路の出力電圧のハイレベルピ
ーク又はローレベルピークのうちの他方をホールドする
第２のピークホールド回路と、前記第１のピークホール
ド回路の出力電圧が第１の基準電圧に等しい電圧になる
ように制御する第１の増幅器と、前記第２のピークホー
ルド回路の出力電圧が第２の基準電圧に等しい電圧にな
るように制御する第２の増幅器と、前記第１の増幅器の
出力を入力として駆動電流を形成する第１のドライバー
と、前記第２の増幅器の出力を入力として駆動電流を形
成する第２のドライバーと、前記第1,又は第２のドライ
バーの出力のうちいずれか一方の出力を変調入力に応じ
て変調して出力する変調回路とを備え、前記第1,又は第
２のドライバーの出力のうちの他方の出力と前記変調回
路の出力とを前記半導体レーザーに与えて発光させ、該
半導体レーザーによって記録および再生を行う光学式記
録再生装置の半導体レーザー駆動回路において、前記第
1,又は第２のドライバーのうちのいずれか一方の出力電
流を検出する電流検出回路と、前記電流検出回路の出力
により前記第1,又は第２のドライバーのうちの他方のド
ライバーからの出力電流を制限する電流制限回路とが設
けられていることを特徴とする半導体レーザー駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028352A JPH083904B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 半導体レ−ザ−駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028352A JPH083904B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 半導体レ−ザ−駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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1987
- 1987-02-12 JP JP62028352A patent/JPH083904B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS63197037A (ja) | 1988-08-15 |
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