JPH084052B2 - Alloy target for thin film production - Google Patents
Alloy target for thin film productionInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体として用いられる薄膜を作製
するための合金ターゲットに関するものでスパッタ法に
よりガラスあるいはプラスティック基板上に作製した薄
膜であり、薄面に対して垂直な磁気異方性を有し、レー
ザー等の加熱により反転磁区を作り情報を記録すること
ができる薄膜の作製を目的とした合金ターゲットに関す
る。The present invention relates to an alloy target for producing a thin film used as a magneto-optical recording medium, which is a thin film produced on a glass or plastic substrate by a sputtering method. The present invention relates to an alloy target for producing a thin film having magnetic anisotropy perpendicular to a thin surface and capable of recording information by forming an inverted magnetic domain by heating a laser or the like.
従来の光磁気記録媒体は例えば特開昭57−94948のよ
うに重希土類金属としてTb,Gd,Dy等のうち１種類以上お
よびFeまたはCoのうち１種類以上からなる非晶質合金薄
膜からなる。A conventional magneto-optical recording medium is composed of an amorphous alloy thin film made of one or more kinds of heavy rare earth metals such as Tb, Gd and Dy and one or more kinds of Fe or Co as disclosed in JP-A-57-94948. .
垂直磁化膜を得るための条件は公知のように、 Ku＞２πＭ▲2 S▼ と書きあらわされる。但しKuは磁気異方性エネルギー
（erg/cc）、Msは飽和磁化（emu/cc）である。Tb,Gd,Dy
らはFeおよびCoと非晶質合金を作るとフェリ磁性体とな
るため、最も残留磁化の小さくなる組成、補償組成に近
い組成からなる薄膜を光磁気媒体として用いていた。As is well known, the condition for obtaining the perpendicular magnetization film is expressed as Ku> 2πM 2 S ▼. However, Ku is magnetic anisotropy energy (erg / cc) and Ms is saturation magnetization (emu / cc). Tb, Gd, Dy
Since an amorphous alloy with Fe and Co forms a ferrimagnetic material, they used a thin film having a composition with the smallest residual magnetization and a composition close to the compensation composition as a magneto-optical medium.
しかし、光磁気記録媒体用薄膜作製の際に用いられる
Tb,Gd,Dyは補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を作
りやすく、それらを溶融し鋳造しただけでは割れやすい
という問題点があり、合金ターゲットを作製するには特
殊な技術が必要である。However, it is used in the fabrication of thin films for magneto-optical recording media.
Tb, Gd, and Dy have a problem that transition metals and intermetallic compounds are easy to form in the vicinity of the compensating composition, and they are easily cracked just by melting and casting them, so special technology is required to prepare alloy targets. .
従って、スパッタ法で薄膜を作製するには、複合ター
ゲットが用いられている。複合ターゲット法では、 薄膜の組成制御が困難である。Therefore, a composite target is used to form a thin film by the sputtering method. In the composite target method, it is difficult to control the composition of the thin film.
均一な薄膜を得るためにはペレットの配置をくふうす
る等、煩雑な手続きが必要である。In order to obtain a uniform thin film, complicated procedures such as the placement of pellets are necessary.
という問題点を有する。There is a problem.
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、組成としてNdを含むことによ
り、合金ターゲットが靱性を有し、工業的規模で合金タ
ーゲットの製造が可能となり、光磁気記録媒体の薄膜の
組成制御が容易であり、均一で特性の優れた薄膜を作製
するための合金ターゲットを提供するものである。Therefore, the present invention solves such a problem,
The purpose is to include Nd as the composition, so that the alloy target has toughness, it is possible to manufacture the alloy target on an industrial scale, and it is easy to control the composition of the thin film of the magneto-optical recording medium, and to make it uniform. The present invention provides an alloy target for producing a thin film having excellent characteristics.
本発明の薄膜作製用合金ターゲットは、 光磁気記録媒体として用いられる非晶質合金薄膜を作
製するための薄膜作製用合金ターゲットにおいて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dy
のうち１種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのう
ち１種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Nd
と前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at％と
なることを特徴とする。The alloy target for thin film production of the present invention is an alloy target for thin film production for producing an amorphous alloy thin film used as a magneto-optical recording medium, wherein Nd is a light rare earth metal and Tb and Dy are heavy rare earth metals.
A casting alloy containing one or more elements of the above and one or more elements of Fe and Co as transition metals.
And the heavy rare earth metal are combined so that the atomic ratio is 10 to 50 at%.
実施例により、本発明の効果について述べる。本実施
例ではNd,Dy,Feを低周波溶解炉で熔かし鋳造したものを
合金ターゲットとして用いた。薄膜はいずれもスパッタ
法で作製し、スパッタ条件は初期真空度約５×10-7Tor
r、Ar圧10mTorr、基板バイアス0Vである。The effects of the present invention will be described with reference to examples. In this embodiment, Nd, Dy, and Fe melted and cast in a low-frequency melting furnace were used as the alloy target. All thin films were prepared by sputtering, and the sputtering conditions were initial vacuum degree of about 5 × 10 -7 Tor.
r, Ar pressure 10 mTorr, substrate bias 0V.
第１図は本発明におけるNdxDy5Fe95-x合金ターゲット
と複合ターゲットから作製した薄膜のカー回転角（以下
θｋと記す）の組成依存性を示している。合金ターゲッ
トから作製した薄膜のθｋが複合ターゲットから作製し
たものに比べて大きくなっている。光磁気媒体として使
用するときS/Nはθｋに比例するので、この特性は非常
に有利なものとなる。FIG. 1 shows the composition dependence of the Kerr rotation angle (hereinafter referred to as θk) of the thin film prepared from the Nd x Dy 5 Fe 95-x alloy target and the composite target in the present invention. The θk of the thin film made from the alloy target is larger than that made from the composite target. This characteristic is very advantageous because the S / N is proportional to θk when used as a magneto-optical medium.
第２図は本発明におけるNdxFe100-x合金ターゲットの
組成と合金ターゲットから作製された薄膜の関係を示し
たものである。合金ターゲットの組成と薄膜の組成とは
一致する傾向にある。合金ターゲットの組成は熔解前の
秤量で容易に制御できる。一方、図３にNdxFe100-x複合
ターゲットの面積比と複合ターゲットから作製された薄
膜の関係を示す。合金ターゲットの場合と比べて一致は
よくない。FIG. 2 shows the relationship between the composition of the Nd x Fe 100- x alloy target and the thin film produced from the alloy target in the present invention. The composition of the alloy target and the composition of the thin film tend to match. The composition of the alloy target can be easily controlled by weighing before melting. On the other hand, FIG. 3 shows the relationship between the area ratio of the Nd x Fe 100-x composite target and the thin film prepared from the composite target. The match is not as good as for alloy targets.
上記のように合金ターゲットを用いると複合ターゲッ
トを用いた場合に比べて、薄膜の組成を狙いどおり制御
できる。従ってある範囲内であれば、薄膜の組成制御が
容易となる。このことは特性のよい光磁気記録媒体を再
現性よく得るうえで有利なことである。When the alloy target is used as described above, the composition of the thin film can be controlled as desired, as compared with the case where the composite target is used. Therefore, within a certain range, it becomes easy to control the composition of the thin film. This is advantageous in obtaining a magneto-optical recording medium having good characteristics with good reproducibility.
図４はスパッタ法で作製したNdxFe100-x非晶質薄膜に
おいて任意の３点でθｋを測定し をで規格化したものの組成依存性を示している。但
し、ｋはθｋの平均値である。θｋは、合金ターゲッ
トから作製された薄膜と複合ターゲットから作製された
薄膜とでθｋの大きさが明らかに異なるため、ｋで規
格化した。Figure 4 shows θk measured at arbitrary 3 points in Nd x Fe 100-x amorphous thin film prepared by sputtering method. Shows the composition dependence of what is standardized by. However, k is an average value of θk. θk is standardized by k because the magnitude of θk is obviously different between the thin film made from the alloy target and the thin film made from the composite target.
はθｋのばらつきの相対的な目安となる。 Is a relative measure of the variation of θk.
θｋはその測定時にレーザーが照射された領域（スポ
ット径約500μｍ）の組成に敏感であるから、θｋのば
らつきは組成の不均一さを示している。θｋのばらつき
は明らかに合金ターゲットから作製した薄膜の方が、複
合ターゲットから作製した薄膜に比べて小さい。θｋの
ばらつきは読み出しの際のノイズ源となるため、この特
性は光磁気記録媒体として用いる場合、有利なものであ
る。Since θk is sensitive to the composition of the region irradiated with the laser (spot diameter of about 500 μm) at the time of the measurement, the variation of θk indicates the nonuniformity of the composition. The variation of θk is apparently smaller in the thin film made from the alloy target than in the thin film made from the composite target. Since the variation of θk becomes a noise source at the time of reading, this characteristic is advantageous when used as a magneto-optical recording medium.
組成としてNdを含むことにより合金が靱性を有し、鋳
造合金とすることで容易に工業的規模での製造が可能と
なる。更に複合ターゲットを使用して薄膜を作製するの
と比較して、本発明の合金ターゲットを使用して薄膜を
作製することにより、薄膜の組成制御が容易となり、薄
膜のカー回転角が増大し、均一性の優れた薄膜の作製が
可能であるという効果を奏する。By containing Nd as a composition, the alloy has toughness, and when it is a cast alloy, it can be easily manufactured on an industrial scale. Further, compared to producing a thin film using a composite target, by producing a thin film using the alloy target of the present invention, the composition control of the thin film becomes easy, the Kerr rotation angle of the thin film increases, The effect is that a thin film having excellent uniformity can be produced.
第１図 Ndx Dy0.05Fe0.95−ｘ非晶質薄膜におけるθ
ｋの組成依存性を示した図 第２図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の合金ターゲット組
成依存性を示した図 第３図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の複合ターゲット面
積比依存性を示した図 第４図 Ndx Fe100-x非晶質薄膜における相対ばらつき
と組成を示した図Fig. 1 θ in Nd x Dy 0.05 Fe 0.95-x amorphous thin film
Figure shows the alloy target composition dependency of FIGS Figure 2 Nd x Fe 1-x amorphous thin film composition showing the composition dependency of k Figure 3 Nd x Fe 1-x composite target of amorphous thin film composition Figure showing area ratio dependency Figure 4 Figure showing relative variation and composition in Nd x Fe 100-x amorphous thin films
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川渡 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 杉本 守 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 青山 明 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 根橋 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭61−15308（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−128606（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−42320（ＪＰ，Ｂ１) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Shimokawa 3-5 Yamato, Suwa, Nagano Prefecture 3-5 Suwa Seikosha Co., Ltd. (72) Mamoru Sugimoto 3-3.5 Yamato, Suwa, Nagano Prefecture No. Shares company Suwa Seikosha (72) Inventor Akira Aoyama 3-3-5 Yamato, Suwa, Nagano Prefecture Shares company Suwa Seikosha (72) Inventor Satoshi Nehashi 3-5 Yamato, Suwa, Nagano Prefecture No. Stock Company Suwa Seikosha (56) References JP 61-15308 (JP, A) JP 60-128606 (JP, A) JP 49-42320 (JP, B1)
Claims (1)
金薄膜を作製するための薄膜作製用合金ターゲットにお
いて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dyの
うち１種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのうち
１種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Ndと
前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at％とな
ることを特徴とする薄膜作製用合金ターゲット。1. An alloy target for forming an amorphous alloy thin film used as a magneto-optical recording medium, comprising: Nd as a light rare earth metal and at least one element selected from Tb and Dy as a heavy rare earth metal. And a casting alloy containing one or more elements selected from the group consisting of Fe and Co as transition metals, wherein the atomic ratio of the Nd and the heavy rare earth metal is 10 to 50 at%. Fabrication alloy target.
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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| JPS61168222A JPS61168222A (en) | 1986-07-29 |
| JPH084052B2 true JPH084052B2 (en) | 1996-01-17 |
Family
ID=11703030
Family Applications (1)
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Family Cites Families (2)
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1985
- 1985-01-21 JP JP60008804A patent/JPH084052B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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