JPH084052B2 - 薄膜作製用合金ターゲット - Google Patents

薄膜作製用合金ターゲット

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JPH084052B2
JPH084052B2 JP60008804A JP880485A JPH084052B2 JP H084052 B2 JPH084052 B2 JP H084052B2 JP 60008804 A JP60008804 A JP 60008804A JP 880485 A JP880485 A JP 880485A JP H084052 B2 JPH084052 B2 JP H084052B2
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thin film
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alloy
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伸 舩田
達也 下田
聡 下川渡
守 杉本
明 青山
聡 根橋
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体として用いられる薄膜を作製
するための合金ターゲットに関するものでスパッタ法に
よりガラスあるいはプラスティック基板上に作製した薄
膜であり、薄面に対して垂直な磁気異方性を有し、レー
ザー等の加熱により反転磁区を作り情報を記録すること
ができる薄膜の作製を目的とした合金ターゲットに関す
る。
〔従来の技術〕
従来の光磁気記録媒体は例えば特開昭57−94948のよ
うに重希土類金属としてTb,Gd,Dy等のうち1種類以上お
よびFeまたはCoのうち1種類以上からなる非晶質合金薄
膜からなる。
垂直磁化膜を得るための条件は公知のように、 Ku>2πM▲2 S▼ と書きあらわされる。但しKuは磁気異方性エネルギー
(erg/cc)、Msは飽和磁化(emu/cc)である。Tb,Gd,Dy
らはFeおよびCoと非晶質合金を作るとフェリ磁性体とな
るため、最も残留磁化の小さくなる組成、補償組成に近
い組成からなる薄膜を光磁気媒体として用いていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、光磁気記録媒体用薄膜作製の際に用いられる
Tb,Gd,Dyは補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を作
りやすく、それらを溶融し鋳造しただけでは割れやすい
という問題点があり、合金ターゲットを作製するには特
殊な技術が必要である。
従って、スパッタ法で薄膜を作製するには、複合ター
ゲットが用いられている。複合ターゲット法では、 薄膜の組成制御が困難である。
均一な薄膜を得るためにはペレットの配置をくふうす
る等、煩雑な手続きが必要である。
という問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、組成としてNdを含むことによ
り、合金ターゲットが靱性を有し、工業的規模で合金タ
ーゲットの製造が可能となり、光磁気記録媒体の薄膜の
組成制御が容易であり、均一で特性の優れた薄膜を作製
するための合金ターゲットを提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜作製用合金ターゲットは、 光磁気記録媒体として用いられる非晶質合金薄膜を作
製するための薄膜作製用合金ターゲットにおいて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dy
のうち1種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのう
ち1種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Nd
と前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at%と
なることを特徴とする。
〔実施例〕
実施例により、本発明の効果について述べる。本実施
例ではNd,Dy,Feを低周波溶解炉で熔かし鋳造したものを
合金ターゲットとして用いた。薄膜はいずれもスパッタ
法で作製し、スパッタ条件は初期真空度約5×10-7Tor
r、Ar圧10mTorr、基板バイアス0Vである。
第1図は本発明におけるNdxDy5Fe95-x合金ターゲット
と複合ターゲットから作製した薄膜のカー回転角(以下
θkと記す)の組成依存性を示している。合金ターゲッ
トから作製した薄膜のθkが複合ターゲットから作製し
たものに比べて大きくなっている。光磁気媒体として使
用するときS/Nはθkに比例するので、この特性は非常
に有利なものとなる。
第2図は本発明におけるNdxFe100-x合金ターゲットの
組成と合金ターゲットから作製された薄膜の関係を示し
たものである。合金ターゲットの組成と薄膜の組成とは
一致する傾向にある。合金ターゲットの組成は熔解前の
秤量で容易に制御できる。一方、図3にNdxFe100-x複合
ターゲットの面積比と複合ターゲットから作製された薄
膜の関係を示す。合金ターゲットの場合と比べて一致は
よくない。
上記のように合金ターゲットを用いると複合ターゲッ
トを用いた場合に比べて、薄膜の組成を狙いどおり制御
できる。従ってある範囲内であれば、薄膜の組成制御が
容易となる。このことは特性のよい光磁気記録媒体を再
現性よく得るうえで有利なことである。
図4はスパッタ法で作製したNdxFe100-x非晶質薄膜に
おいて任意の3点でθkを測定し をで規格化したものの組成依存性を示している。但
し、kはθkの平均値である。θkは、合金ターゲッ
トから作製された薄膜と複合ターゲットから作製された
薄膜とでθkの大きさが明らかに異なるため、kで規
格化した。
はθkのばらつきの相対的な目安となる。
θkはその測定時にレーザーが照射された領域(スポ
ット径約500μm)の組成に敏感であるから、θkのば
らつきは組成の不均一さを示している。θkのばらつき
は明らかに合金ターゲットから作製した薄膜の方が、複
合ターゲットから作製した薄膜に比べて小さい。θkの
ばらつきは読み出しの際のノイズ源となるため、この特
性は光磁気記録媒体として用いる場合、有利なものであ
る。
〔発明の効果〕
組成としてNdを含むことにより合金が靱性を有し、鋳
造合金とすることで容易に工業的規模での製造が可能と
なる。更に複合ターゲットを使用して薄膜を作製するの
と比較して、本発明の合金ターゲットを使用して薄膜を
作製することにより、薄膜の組成制御が容易となり、薄
膜のカー回転角が増大し、均一性の優れた薄膜の作製が
可能であるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図 Ndx Dy0.05Fe0.95−x非晶質薄膜におけるθ
kの組成依存性を示した図 第2図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の合金ターゲット組
成依存性を示した図 第3図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の複合ターゲット面
積比依存性を示した図 第4図 Ndx Fe100-x非晶質薄膜における相対ばらつき
と組成を示した図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川渡 聡 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 杉本 守 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 青山 明 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 根橋 聡 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭61−15308(JP,A) 特開 昭60−128606(JP,A) 特公 昭49−42320(JP,B1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光磁気記録媒体として用いられる非晶質合
    金薄膜を作製するための薄膜作製用合金ターゲットにお
    いて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dyの
    うち1種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのうち
    1種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Ndと
    前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at%とな
    ることを特徴とする薄膜作製用合金ターゲット。
JP60008804A 1985-01-21 1985-01-21 薄膜作製用合金ターゲット Expired - Lifetime JPH084052B2 (ja)

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JPS61168222A JPS61168222A (ja) 1986-07-29
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63243268A (ja) * 1987-03-30 1988-10-11 Seiko Epson Corp スパツタリング・タ−ゲツト
US4824481A (en) * 1988-01-11 1989-04-25 Eaastman Kodak Company Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4942320A (ja) * 1972-04-08 1974-04-20
JPS60128606A (ja) * 1983-12-15 1985-07-09 Seiko Instr & Electronics Ltd 光磁気記録媒体

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