JPH084052B2 - 薄膜作製用合金ターゲット - Google Patents
薄膜作製用合金ターゲットInfo
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- JPH084052B2 JPH084052B2 JP60008804A JP880485A JPH084052B2 JP H084052 B2 JPH084052 B2 JP H084052B2 JP 60008804 A JP60008804 A JP 60008804A JP 880485 A JP880485 A JP 880485A JP H084052 B2 JPH084052 B2 JP H084052B2
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- thin film
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- alloy
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体として用いられる薄膜を作製
するための合金ターゲットに関するものでスパッタ法に
よりガラスあるいはプラスティック基板上に作製した薄
膜であり、薄面に対して垂直な磁気異方性を有し、レー
ザー等の加熱により反転磁区を作り情報を記録すること
ができる薄膜の作製を目的とした合金ターゲットに関す
る。
するための合金ターゲットに関するものでスパッタ法に
よりガラスあるいはプラスティック基板上に作製した薄
膜であり、薄面に対して垂直な磁気異方性を有し、レー
ザー等の加熱により反転磁区を作り情報を記録すること
ができる薄膜の作製を目的とした合金ターゲットに関す
る。
従来の光磁気記録媒体は例えば特開昭57−94948のよ
うに重希土類金属としてTb,Gd,Dy等のうち1種類以上お
よびFeまたはCoのうち1種類以上からなる非晶質合金薄
膜からなる。
うに重希土類金属としてTb,Gd,Dy等のうち1種類以上お
よびFeまたはCoのうち1種類以上からなる非晶質合金薄
膜からなる。
垂直磁化膜を得るための条件は公知のように、 Ku>2πM▲2 S▼ と書きあらわされる。但しKuは磁気異方性エネルギー
(erg/cc)、Msは飽和磁化(emu/cc)である。Tb,Gd,Dy
らはFeおよびCoと非晶質合金を作るとフェリ磁性体とな
るため、最も残留磁化の小さくなる組成、補償組成に近
い組成からなる薄膜を光磁気媒体として用いていた。
(erg/cc)、Msは飽和磁化(emu/cc)である。Tb,Gd,Dy
らはFeおよびCoと非晶質合金を作るとフェリ磁性体とな
るため、最も残留磁化の小さくなる組成、補償組成に近
い組成からなる薄膜を光磁気媒体として用いていた。
しかし、光磁気記録媒体用薄膜作製の際に用いられる
Tb,Gd,Dyは補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を作
りやすく、それらを溶融し鋳造しただけでは割れやすい
という問題点があり、合金ターゲットを作製するには特
殊な技術が必要である。
Tb,Gd,Dyは補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を作
りやすく、それらを溶融し鋳造しただけでは割れやすい
という問題点があり、合金ターゲットを作製するには特
殊な技術が必要である。
従って、スパッタ法で薄膜を作製するには、複合ター
ゲットが用いられている。複合ターゲット法では、 薄膜の組成制御が困難である。
ゲットが用いられている。複合ターゲット法では、 薄膜の組成制御が困難である。
均一な薄膜を得るためにはペレットの配置をくふうす
る等、煩雑な手続きが必要である。
る等、煩雑な手続きが必要である。
という問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、組成としてNdを含むことによ
り、合金ターゲットが靱性を有し、工業的規模で合金タ
ーゲットの製造が可能となり、光磁気記録媒体の薄膜の
組成制御が容易であり、均一で特性の優れた薄膜を作製
するための合金ターゲットを提供するものである。
その目的とするところは、組成としてNdを含むことによ
り、合金ターゲットが靱性を有し、工業的規模で合金タ
ーゲットの製造が可能となり、光磁気記録媒体の薄膜の
組成制御が容易であり、均一で特性の優れた薄膜を作製
するための合金ターゲットを提供するものである。
本発明の薄膜作製用合金ターゲットは、 光磁気記録媒体として用いられる非晶質合金薄膜を作
製するための薄膜作製用合金ターゲットにおいて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dy
のうち1種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのう
ち1種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Nd
と前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at%と
なることを特徴とする。
製するための薄膜作製用合金ターゲットにおいて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dy
のうち1種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのう
ち1種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Nd
と前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at%と
なることを特徴とする。
実施例により、本発明の効果について述べる。本実施
例ではNd,Dy,Feを低周波溶解炉で熔かし鋳造したものを
合金ターゲットとして用いた。薄膜はいずれもスパッタ
法で作製し、スパッタ条件は初期真空度約5×10-7Tor
r、Ar圧10mTorr、基板バイアス0Vである。
例ではNd,Dy,Feを低周波溶解炉で熔かし鋳造したものを
合金ターゲットとして用いた。薄膜はいずれもスパッタ
法で作製し、スパッタ条件は初期真空度約5×10-7Tor
r、Ar圧10mTorr、基板バイアス0Vである。
第1図は本発明におけるNdxDy5Fe95-x合金ターゲット
と複合ターゲットから作製した薄膜のカー回転角(以下
θkと記す)の組成依存性を示している。合金ターゲッ
トから作製した薄膜のθkが複合ターゲットから作製し
たものに比べて大きくなっている。光磁気媒体として使
用するときS/Nはθkに比例するので、この特性は非常
に有利なものとなる。
と複合ターゲットから作製した薄膜のカー回転角(以下
θkと記す)の組成依存性を示している。合金ターゲッ
トから作製した薄膜のθkが複合ターゲットから作製し
たものに比べて大きくなっている。光磁気媒体として使
用するときS/Nはθkに比例するので、この特性は非常
に有利なものとなる。
第2図は本発明におけるNdxFe100-x合金ターゲットの
組成と合金ターゲットから作製された薄膜の関係を示し
たものである。合金ターゲットの組成と薄膜の組成とは
一致する傾向にある。合金ターゲットの組成は熔解前の
秤量で容易に制御できる。一方、図3にNdxFe100-x複合
ターゲットの面積比と複合ターゲットから作製された薄
膜の関係を示す。合金ターゲットの場合と比べて一致は
よくない。
組成と合金ターゲットから作製された薄膜の関係を示し
たものである。合金ターゲットの組成と薄膜の組成とは
一致する傾向にある。合金ターゲットの組成は熔解前の
秤量で容易に制御できる。一方、図3にNdxFe100-x複合
ターゲットの面積比と複合ターゲットから作製された薄
膜の関係を示す。合金ターゲットの場合と比べて一致は
よくない。
上記のように合金ターゲットを用いると複合ターゲッ
トを用いた場合に比べて、薄膜の組成を狙いどおり制御
できる。従ってある範囲内であれば、薄膜の組成制御が
容易となる。このことは特性のよい光磁気記録媒体を再
現性よく得るうえで有利なことである。
トを用いた場合に比べて、薄膜の組成を狙いどおり制御
できる。従ってある範囲内であれば、薄膜の組成制御が
容易となる。このことは特性のよい光磁気記録媒体を再
現性よく得るうえで有利なことである。
図4はスパッタ法で作製したNdxFe100-x非晶質薄膜に
おいて任意の3点でθkを測定し をで規格化したものの組成依存性を示している。但
し、kはθkの平均値である。θkは、合金ターゲッ
トから作製された薄膜と複合ターゲットから作製された
薄膜とでθkの大きさが明らかに異なるため、kで規
格化した。
おいて任意の3点でθkを測定し をで規格化したものの組成依存性を示している。但
し、kはθkの平均値である。θkは、合金ターゲッ
トから作製された薄膜と複合ターゲットから作製された
薄膜とでθkの大きさが明らかに異なるため、kで規
格化した。
はθkのばらつきの相対的な目安となる。
θkはその測定時にレーザーが照射された領域(スポ
ット径約500μm)の組成に敏感であるから、θkのば
らつきは組成の不均一さを示している。θkのばらつき
は明らかに合金ターゲットから作製した薄膜の方が、複
合ターゲットから作製した薄膜に比べて小さい。θkの
ばらつきは読み出しの際のノイズ源となるため、この特
性は光磁気記録媒体として用いる場合、有利なものであ
る。
ット径約500μm)の組成に敏感であるから、θkのば
らつきは組成の不均一さを示している。θkのばらつき
は明らかに合金ターゲットから作製した薄膜の方が、複
合ターゲットから作製した薄膜に比べて小さい。θkの
ばらつきは読み出しの際のノイズ源となるため、この特
性は光磁気記録媒体として用いる場合、有利なものであ
る。
組成としてNdを含むことにより合金が靱性を有し、鋳
造合金とすることで容易に工業的規模での製造が可能と
なる。更に複合ターゲットを使用して薄膜を作製するの
と比較して、本発明の合金ターゲットを使用して薄膜を
作製することにより、薄膜の組成制御が容易となり、薄
膜のカー回転角が増大し、均一性の優れた薄膜の作製が
可能であるという効果を奏する。
造合金とすることで容易に工業的規模での製造が可能と
なる。更に複合ターゲットを使用して薄膜を作製するの
と比較して、本発明の合金ターゲットを使用して薄膜を
作製することにより、薄膜の組成制御が容易となり、薄
膜のカー回転角が増大し、均一性の優れた薄膜の作製が
可能であるという効果を奏する。
第1図 Ndx Dy0.05Fe0.95−x非晶質薄膜におけるθ
kの組成依存性を示した図 第2図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の合金ターゲット組
成依存性を示した図 第3図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の複合ターゲット面
積比依存性を示した図 第4図 Ndx Fe100-x非晶質薄膜における相対ばらつき
と組成を示した図
kの組成依存性を示した図 第2図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の合金ターゲット組
成依存性を示した図 第3図 Ndx Fe1-x非晶質薄膜組成の複合ターゲット面
積比依存性を示した図 第4図 Ndx Fe100-x非晶質薄膜における相対ばらつき
と組成を示した図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川渡 聡 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 杉本 守 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 青山 明 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 根橋 聡 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 株式会 社諏訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭61−15308(JP,A) 特開 昭60−128606(JP,A) 特公 昭49−42320(JP,B1)
Claims (1)
- 【請求項1】光磁気記録媒体として用いられる非晶質合
金薄膜を作製するための薄膜作製用合金ターゲットにお
いて、 軽希土類金属としてNdと、重希土類金属としてTb、Dyの
うち1種類以上の元素と、遷移金属としてFe、Coのうち
1種類以上の元素と、を含む鋳造合金であり、前記Ndと
前記重希土類金属とを合わせて原子比で10〜50at%とな
ることを特徴とする薄膜作製用合金ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008804A JPH084052B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 薄膜作製用合金ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008804A JPH084052B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 薄膜作製用合金ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168222A JPS61168222A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH084052B2 true JPH084052B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=11703030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60008804A Expired - Lifetime JPH084052B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 薄膜作製用合金ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084052B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243268A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Seiko Epson Corp | スパツタリング・タ−ゲツト |
| US4824481A (en) * | 1988-01-11 | 1989-04-25 | Eaastman Kodak Company | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942320A (ja) * | 1972-04-08 | 1974-04-20 | ||
| JPS60128606A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP60008804A patent/JPH084052B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61168222A (ja) | 1986-07-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |