JPH084059B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH084059B2 JPH084059B2 JP62166302A JP16630287A JPH084059B2 JP H084059 B2 JPH084059 B2 JP H084059B2 JP 62166302 A JP62166302 A JP 62166302A JP 16630287 A JP16630287 A JP 16630287A JP H084059 B2 JPH084059 B2 JP H084059B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に
半導体層の形成方法の改善に関するものである。
半導体層の形成方法の改善に関するものである。
従来，固体電解コンデンサは第３図（Ａ）の工程流れ
図に示すようにタンタル等の弁作用を有する金属粉末に
弁作用を有する陽極リードを植立し所望の形状に成型し
てなる陽極体の表面に電気化学的に陽極酸化し、誘電体
としての酸化皮膜を形成する。しかるのち酸化皮膜上に
硝酸マンガン等の金属硝酸塩溶液中に浸漬させ熱分解す
る工程を繰り返し、二酸化マンガン等の半導体層を形成
している。上記の浸漬液としては最初は浸透性のよい比
較的マンガン密度の少ない液を使用し、最終段階ではマ
ンガン密度の濃い液として二酸化マンガン粉末を含むス
ラリー状の浸漬液が使われている。次いで、この半導体
層上にグラファイト,Agペースト，はんだ等を順次形成
し、陰極導体層を構成し、陰極リード付けを行なった
後、金属ケースに収納したり樹脂外装したりしている。
図に示すようにタンタル等の弁作用を有する金属粉末に
弁作用を有する陽極リードを植立し所望の形状に成型し
てなる陽極体の表面に電気化学的に陽極酸化し、誘電体
としての酸化皮膜を形成する。しかるのち酸化皮膜上に
硝酸マンガン等の金属硝酸塩溶液中に浸漬させ熱分解す
る工程を繰り返し、二酸化マンガン等の半導体層を形成
している。上記の浸漬液としては最初は浸透性のよい比
較的マンガン密度の少ない液を使用し、最終段階ではマ
ンガン密度の濃い液として二酸化マンガン粉末を含むス
ラリー状の浸漬液が使われている。次いで、この半導体
層上にグラファイト,Agペースト，はんだ等を順次形成
し、陰極導体層を構成し、陰極リード付けを行なった
後、金属ケースに収納したり樹脂外装したりしている。
しかしながら従来方法による固体電解コンデンサには
漏れ電流値,tanδ値、インピーダンス値の向上の要求に
対して十分対応しきれず工程上での歩留低下、半田耐熱
試験でのインピーダンスの劣化という問題があった。こ
れは主として半導体層の形成にバラツキが多いために起
こっている問題であり、特に浸漬の最終段階で行なう二
酸化マンガンを含むスラリー状液体の不均一な付着によ
って生じている。即ち浸漬液の粘度や二酸化マンガン粒
子の分布状態によって陽極体への付着量や二酸化マンガ
ン粒子の付着分布にバラツキが生じる。そのため第３図
（Ｂ）（Ｃ）のように半導体層15が極度に薄くなったり
異常に厚くなった部分ができてしまったりする。又半導
体層15の表面も適度な凹凸層が安定して形成されないと
いう欠点があった。特に凹凸層が適度に形成されないと
陽極導体層との界面が剥れやすくなり半田耐熱試験での
特性劣化が起こりやすくなる。
漏れ電流値,tanδ値、インピーダンス値の向上の要求に
対して十分対応しきれず工程上での歩留低下、半田耐熱
試験でのインピーダンスの劣化という問題があった。こ
れは主として半導体層の形成にバラツキが多いために起
こっている問題であり、特に浸漬の最終段階で行なう二
酸化マンガンを含むスラリー状液体の不均一な付着によ
って生じている。即ち浸漬液の粘度や二酸化マンガン粒
子の分布状態によって陽極体への付着量や二酸化マンガ
ン粒子の付着分布にバラツキが生じる。そのため第３図
（Ｂ）（Ｃ）のように半導体層15が極度に薄くなったり
異常に厚くなった部分ができてしまったりする。又半導
体層15の表面も適度な凹凸層が安定して形成されないと
いう欠点があった。特に凹凸層が適度に形成されないと
陽極導体層との界面が剥れやすくなり半田耐熱試験での
特性劣化が起こりやすくなる。
本発明の目的は、半導体層の形成に際し、二酸化マン
ガン付着量の均一化と適度な凹凸層を安定して形成する
ことができ、tanδ値，インピーダンス値，漏れ電流値
等の改善ができ、特に半田耐熱試験での特性劣化を防止
できる固体電解コンデンサの製造方法を提供することに
ある。
ガン付着量の均一化と適度な凹凸層を安定して形成する
ことができ、tanδ値，インピーダンス値，漏れ電流値
等の改善ができ、特に半田耐熱試験での特性劣化を防止
できる固体電解コンデンサの製造方法を提供することに
ある。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金
属陽極体の表面にその弁作用金属の酸化皮膜を形成する
工程と、前記酸化皮膜形成後の陽極体を半導体母液に浸
漬した後加熱することを繰り返し行って前記酸化皮膜上
に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体
層上にグラファイト層，金属層を順次形成する工程とを
含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記半導
体層形成工程に続けて、前記半導体層形成工程で形成さ
れた半導体層表面に対する粉末粒子状物質の付着を容易
ならしめるために、前記半導体層表面を少なくとも硝酸
マンガンを含む溶液で湿らせる前処理工程と、前記前処
理工程終了後の陽極体に二酸化マンガン（MnO2）及び酸
化水酸化マンガン（MnO（OH）２）のいずれかの粉末粒
子を振りかけあるいは吹き付けて半導体層表面に前記粉
末粒子を付着させた後、その粉末粒子が付着した陽極体
を加熱する工程とを設けたことを特徴とする。
属陽極体の表面にその弁作用金属の酸化皮膜を形成する
工程と、前記酸化皮膜形成後の陽極体を半導体母液に浸
漬した後加熱することを繰り返し行って前記酸化皮膜上
に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体
層上にグラファイト層，金属層を順次形成する工程とを
含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記半導
体層形成工程に続けて、前記半導体層形成工程で形成さ
れた半導体層表面に対する粉末粒子状物質の付着を容易
ならしめるために、前記半導体層表面を少なくとも硝酸
マンガンを含む溶液で湿らせる前処理工程と、前記前処
理工程終了後の陽極体に二酸化マンガン（MnO2）及び酸
化水酸化マンガン（MnO（OH）２）のいずれかの粉末粒
子を振りかけあるいは吹き付けて半導体層表面に前記粉
末粒子を付着させた後、その粉末粒子が付着した陽極体
を加熱する工程とを設けたことを特徴とする。
また、粉末粒子の粒径は20μ〜150μが好適である。
また、所定の前処理としては硝酸マンガンを含む溶液
に浸漬後ガーゼ又は線布で拭きとるか、又は低温熱処理
を施すことにより実施することができる。
に浸漬後ガーゼ又は線布で拭きとるか、又は低温熱処理
を施すことにより実施することができる。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第
１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する
ためのタンタル電解コンデンサの製造工程流れ図及びそ
れによって得られた半導体層形成後のペレットの断面図
である。
１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する
ためのタンタル電解コンデンサの製造工程流れ図及びそ
れによって得られた半導体層形成後のペレットの断面図
である。
第１図（Ａ），（Ｂ）に従い本発明の第１の実施例を
説明する。まず、第１図（Ｂ）に示すように陽極リード
11を植立状に導出するタンタル焼結体からなる陽極体12
をリン酸水溶液中で陽極酸化し，タンタルの酸化皮膜13
を形成する。次いで硝酸マンガン溶液を酸化皮膜上に浸
漬付着させ熱分解により二酸化マンガンの半導体層15を
形成する。上記の浸漬及び熱分解の操作を３回繰り返
し、充分量の二酸化マンガンの半導体層15を形成する。
しかるのち陽極体を硝酸マンガン水溶液に数秒浸漬し表
面を湿らせたあと粒径30μ〜80μの二酸化マンガン粉末
の入った回転型振りかけ機（図示せず）にセットし１分
間回転させ二酸化マンガンの粉末を陽極体に付着させ
る。そして230℃で熱分解後さらにもう１回硝酸マンガ
ンの浸漬，分解を行なって二酸化マンガンの半導体層14
を安定化させる。次に、グラファイト層,Agペースト層
及び半田層の陰極導体部を形成し、樹脂外装して固体電
解コンデンサを得た。本方法によって得られた半導体層
14は、第１図（Ｂ）に示すように二酸化マンガン付着量
が、従来のものに比べて格段に安定して均一な二酸化マ
ンガンの半導体層14が得られると共に、二酸化マンガン
粒子を30μ〜80μとすることによって十分な凹凸層を得
ることができた。
説明する。まず、第１図（Ｂ）に示すように陽極リード
11を植立状に導出するタンタル焼結体からなる陽極体12
をリン酸水溶液中で陽極酸化し，タンタルの酸化皮膜13
を形成する。次いで硝酸マンガン溶液を酸化皮膜上に浸
漬付着させ熱分解により二酸化マンガンの半導体層15を
形成する。上記の浸漬及び熱分解の操作を３回繰り返
し、充分量の二酸化マンガンの半導体層15を形成する。
しかるのち陽極体を硝酸マンガン水溶液に数秒浸漬し表
面を湿らせたあと粒径30μ〜80μの二酸化マンガン粉末
の入った回転型振りかけ機（図示せず）にセットし１分
間回転させ二酸化マンガンの粉末を陽極体に付着させ
る。そして230℃で熱分解後さらにもう１回硝酸マンガ
ンの浸漬，分解を行なって二酸化マンガンの半導体層14
を安定化させる。次に、グラファイト層,Agペースト層
及び半田層の陰極導体部を形成し、樹脂外装して固体電
解コンデンサを得た。本方法によって得られた半導体層
14は、第１図（Ｂ）に示すように二酸化マンガン付着量
が、従来のものに比べて格段に安定して均一な二酸化マ
ンガンの半導体層14が得られると共に、二酸化マンガン
粒子を30μ〜80μとすることによって十分な凹凸層を得
ることができた。
第２図（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２の実施例を説明
するための製造工程の流れ図及び第２の実施例により得
られた半導体層形成後の素子の断面図である。
するための製造工程の流れ図及び第２の実施例により得
られた半導体層形成後の素子の断面図である。
第２図（Ａ）に示すように、第１の実施例と同様の方
法で硝酸マンガンの熱分解を繰り返して二酸化マンガン
の半導体層15を形成した後、陽極体をスラリー溶液（Mn
O2＋Mn（NO3）２・3H2O＋α）に浸漬後、陽極体先端部
分に付着したスラ溶液の厚い部分を線布あるいはガーゼ
で拭きとり、薄い均一層にした上で比較的粒形の大きい
（70〜120μｍ）二酸化マンガンの粉末を振りかける。
その後第１の実施例と同様の方法で固体電解コンデンサ
を得た。本実施例によって得られた固体電解コンデンサ
は第２図（Ｂ）に示すように均一層の上に凹凸の大きい
半導体層14が形成されるため、特性及び半田耐熱性の向
上が達成された。
法で硝酸マンガンの熱分解を繰り返して二酸化マンガン
の半導体層15を形成した後、陽極体をスラリー溶液（Mn
O2＋Mn（NO3）２・3H2O＋α）に浸漬後、陽極体先端部
分に付着したスラ溶液の厚い部分を線布あるいはガーゼ
で拭きとり、薄い均一層にした上で比較的粒形の大きい
（70〜120μｍ）二酸化マンガンの粉末を振りかける。
その後第１の実施例と同様の方法で固体電解コンデンサ
を得た。本実施例によって得られた固体電解コンデンサ
は第２図（Ｂ）に示すように均一層の上に凹凸の大きい
半導体層14が形成されるため、特性及び半田耐熱性の向
上が達成された。
また、第２図（Ａ）の製造工程の流れ図の（ロ）に示
すように振りかけ材料として二酸化マンガンの代りに酸
化水酸化マンガン（MnO（OH）２）の粉末粒子を振りか
けても同様実施できた。
すように振りかけ材料として二酸化マンガンの代りに酸
化水酸化マンガン（MnO（OH）２）の粉末粒子を振りか
けても同様実施できた。
また、第２図（Ａ）の（ハ），（ニ）に示すように、
スラリー溶液浸漬後綿布等で拭きとる代りに50℃,5〜10
分間低温熱処理をし半乾きの状態で各々二酸化マンガン
の粉末又は酸化水酸化マンガンの粉末を振りかけても同
様に実施することができた。
スラリー溶液浸漬後綿布等で拭きとる代りに50℃,5〜10
分間低温熱処理をし半乾きの状態で各々二酸化マンガン
の粉末又は酸化水酸化マンガンの粉末を振りかけても同
様に実施することができた。
以上説明した本発明の実施例と従来の浸漬付着のみに
よって半導体層を形成した固体電解コンデンサの特性比
較を表１に示す。
よって半導体層を形成した固体電解コンデンサの特性比
較を表１に示す。
表１より本発明の実施例1,実施例２共に従来例のもの
に比較し何れの特性も改善されていることがわかる。
に比較し何れの特性も改善されていることがわかる。
なお、粉末粒子を20μｍ以下にすると適度な凹凸が得
られず，又150μｍ以上にすると粉末粒子の脱落が起き
安定した凹凸層が得られなかった。
られず，又150μｍ以上にすると粉末粒子の脱落が起き
安定した凹凸層が得られなかった。
以上説明したように本発明は、半導体層の形成に粉末
粒子の振りかけ付着を行なったことにより均一な半導体
層が得られると共に適度な凹凸層を安定して得ることが
できた。そのため、固体電解コンデンサの工程でのイン
ピーダンス不良，漏れ電流不良率が著しく低下すると共
に、半田耐熱試験での不良率も著しく低減した。
粒子の振りかけ付着を行なったことにより均一な半導体
層が得られると共に適度な凹凸層を安定して得ることが
できた。そのため、固体電解コンデンサの工程でのイン
ピーダンス不良，漏れ電流不良率が著しく低下すると共
に、半田耐熱試験での不良率も著しく低減した。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの製造工程流れ図及びそれによって得られた半導体層
形成後のペレットの断面図，第２図（Ａ），（Ｂ）は本
発明の第２実施例を説明するための製造工程流れ図及び
それによって得られた半導体形成後のペレット断面図で
あり、図中（イ）（ロ）（ハ）（ニ）は粉末粒子と前処
理方法の違いを区別する記号である。又、第３図（Ａ）
〜（Ｃ）はそれぞれ従来例を説明するための製造工程流
れ図及びそれによってしばしば発生する半導体層の問題
点を示す断面図である。 11……陽極リード,12……陽極体,13……酸化皮膜,14…
…半導体層（振りかけによる）,15……半導体層（浸漬
による）。
めの製造工程流れ図及びそれによって得られた半導体層
形成後のペレットの断面図，第２図（Ａ），（Ｂ）は本
発明の第２実施例を説明するための製造工程流れ図及び
それによって得られた半導体形成後のペレット断面図で
あり、図中（イ）（ロ）（ハ）（ニ）は粉末粒子と前処
理方法の違いを区別する記号である。又、第３図（Ａ）
〜（Ｃ）はそれぞれ従来例を説明するための製造工程流
れ図及びそれによってしばしば発生する半導体層の問題
点を示す断面図である。 11……陽極リード,12……陽極体,13……酸化皮膜,14…
…半導体層（振りかけによる）,15……半導体層（浸漬
による）。
Claims (3)
- 【請求項１】弁作用金属陽極体の表面にその弁作用金属
の酸化皮膜を形成する工程と、前記酸化皮膜形成後の陽
極体を半導体母液に浸漬した後加熱することを繰り返し
行って前記酸化皮膜上に半導体層を形成する半導体層形
成工程と、前記半導体層上にグラファイト層，金属層を
順次形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方
法において、前記半導体層形成工程に続けて、 前記半導体層形成工程で形成された半導体層表面に対す
る粉末粒子状物質の付着を容易ならしめるために、前記
半導体層表面を少なくとも硝酸マンガンを含む溶液で湿
らせる前処理工程と、 前記前処理工程終了後の陽極体に二酸化マンガン（Mn
O2）及び酸化水酸化マンガン（MnO（OH）２）のいずれ
かの粉末粒子を振りかけあるいは吹き付けて半導体層表
面に前記粉末粒子を付着させた後、その粉末粒子が付着
した陽極体を加熱する工程とを設けたことを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】前記粉末粒子の粒径が20μｍ〜150μｍで
あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】前記前処理工程が、前記第１の半導体層形
成工程終了後の陽極体を前記硝酸マンガンを含む溶液に
浸漬することと、その浸漬後にガーゼ及び線布のいずれ
かで拭きとるか、又は低温熱処理を施すこととによるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項又
は第（２）項記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62166302A JPH084059B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-07-02 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-309635 | 1986-12-26 | ||
| JP30963586 | 1986-12-26 | ||
| JP62166302A JPH084059B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-07-02 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265417A JPS63265417A (ja) | 1988-11-01 |
| JPH084059B2 true JPH084059B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=26490725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62166302A Expired - Lifetime JPH084059B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-07-02 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084059B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS573210B2 (ja) * | 1974-06-13 | 1982-01-20 |
-
1987
- 1987-07-02 JP JP62166302A patent/JPH084059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63265417A (ja) | 1988-11-01 |
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