JPH0840701A - 活性水素発生器 - Google Patents
活性水素発生器Info
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- JPH0840701A JPH0840701A JP6182687A JP18268794A JPH0840701A JP H0840701 A JPH0840701 A JP H0840701A JP 6182687 A JP6182687 A JP 6182687A JP 18268794 A JP18268794 A JP 18268794A JP H0840701 A JPH0840701 A JP H0840701A
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- hydrogen
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ほぼ１００％の活性水素１１を大量に発生す
ることができる活性水素発生器を提供することにある。 【構成】 水素吸収性の低い筒７の一端を水素吸収性の
高い物質の拡散板７で気密性よく閉じられ、もう一端に
加圧水素ガス１の導入口１０が設けられたことを特徴と
する活性水素発生器。
ることができる活性水素発生器を提供することにある。 【構成】 水素吸収性の低い筒７の一端を水素吸収性の
高い物質の拡散板７で気密性よく閉じられ、もう一端に
加圧水素ガス１の導入口１０が設けられたことを特徴と
する活性水素発生器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成や表面への水素
照射処理や他元素のガスとの反応に用いる活性水素発生
器に関する。
照射処理や他元素のガスとの反応に用いる活性水素発生
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、水素照射処理を行うには、水素プ
ラズマや熱分解水素ラジカルが用いられてきた。例えば
特開昭６３−７９３１５号公報が例としてあげられる。
ラズマや熱分解水素ラジカルが用いられてきた。例えば
特開昭６３−７９３１５号公報が例としてあげられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の水素プラズマ
は、荷電粒子であるため半導体や絶縁体に帯電性の欠陥
を形成してしまう。また、熱分解ラジカルは、現存の発
生器の生成効率が悪く極めて低い照射レートしか得られ
ないという問題がある。本発明の目的は活性水素の生成
効率の高い発生器を提供することにある。
は、荷電粒子であるため半導体や絶縁体に帯電性の欠陥
を形成してしまう。また、熱分解ラジカルは、現存の発
生器の生成効率が悪く極めて低い照射レートしか得られ
ないという問題がある。本発明の目的は活性水素の生成
効率の高い発生器を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、水素吸収性の
低い筒の一端を水素吸収性の高い物質の拡散板で気密性
よく閉じられ、もう一端に加圧水素ガスの導入口が設け
られたことを特徴とする活性水素発生器である。拡散板
は、水素吸収時に水素ぜい性を起こした状態で加えられ
た水素圧力に耐える厚みを持つことを特徴とする。
低い筒の一端を水素吸収性の高い物質の拡散板で気密性
よく閉じられ、もう一端に加圧水素ガスの導入口が設け
られたことを特徴とする活性水素発生器である。拡散板
は、水素吸収時に水素ぜい性を起こした状態で加えられ
た水素圧力に耐える厚みを持つことを特徴とする。
【０００５】
【作用】水素は、固体中を拡散する際、単原子状になっ
て拡散する。高圧水素を板状の固体で閉じこめた場合、
高圧の水素に接した固体の一端から吸収された水素は、
単原子の形で濃度勾配に沿って拡散し、水素圧力の低い
固体の一端の表面から解離していく。その際、固体原子
と活性水素の結合の解離に必要なエネルギーより高い温
度が与えられていれば、水素は安定分子にならずとも、
活性分子のまま放出される。このように放出される水素
は、十分な温度さえ与えられていれば、ほぼ１００％の
活性水素にもなりえる。
て拡散する。高圧水素を板状の固体で閉じこめた場合、
高圧の水素に接した固体の一端から吸収された水素は、
単原子の形で濃度勾配に沿って拡散し、水素圧力の低い
固体の一端の表面から解離していく。その際、固体原子
と活性水素の結合の解離に必要なエネルギーより高い温
度が与えられていれば、水素は安定分子にならずとも、
活性分子のまま放出される。このように放出される水素
は、十分な温度さえ与えられていれば、ほぼ１００％の
活性水素にもなりえる。
【０００６】
【実施例】本発明の一実施例を図を用いて説明する。
【０００７】図１は本発明の基本構成を説明する断面模
式図である。水素ガス１を導入するためのステンレスの
筒２の一端に口径２００mmのフランジ３を溶接し、その
フランジ３上面に網目状の透かしを有するステンレスの
円板４を溶接し、さらに銅のガスケット５，６で周囲を
上下から挟み込んで厚さ０．５mmのパラジウム製の円板
状拡散板７を乗せ、下の網目状透かしを有するステンレ
スの円板４と同じ網目状透かしを有する円板８を下の網
目と網目を合わせて乗せ、ネジ９で銅のガスケット５，
６を潰すようにして拡散板７を挟み込む構造を形成す
る。この活性水素発生器は、水素導入口１０から５気圧
程度の水素ガス１を導入することで、特に加熱すること
なく活性水素１１を発生することができる。発生量を調
整するには、導入水素ガス１圧力を調整すればよい。
式図である。水素ガス１を導入するためのステンレスの
筒２の一端に口径２００mmのフランジ３を溶接し、その
フランジ３上面に網目状の透かしを有するステンレスの
円板４を溶接し、さらに銅のガスケット５，６で周囲を
上下から挟み込んで厚さ０．５mmのパラジウム製の円板
状拡散板７を乗せ、下の網目状透かしを有するステンレ
スの円板４と同じ網目状透かしを有する円板８を下の網
目と網目を合わせて乗せ、ネジ９で銅のガスケット５，
６を潰すようにして拡散板７を挟み込む構造を形成す
る。この活性水素発生器は、水素導入口１０から５気圧
程度の水素ガス１を導入することで、特に加熱すること
なく活性水素１１を発生することができる。発生量を調
整するには、導入水素ガス１圧力を調整すればよい。
【０００８】本実施例では、拡散板７にパラジウムを用
いているが、水素を吸収する能力の高い固体の物質であ
れば同様に使用することができ、特に、水素吸蔵合金の
類（例えば、マンガン１：ニッケル４．５：アルミニウ
ム０．５の合金）を用いればより大量の活性分子を発生
することもできる。逆に、非常に微量の活性分子を必要
とする際は、水素吸収能力の比較的小さい物質を使用す
ると制御しやすい。活性分子発生量を制御する手段とし
ては、拡散板７の加熱、導入側水素１の加熱やプラズマ
化も有効である。
いているが、水素を吸収する能力の高い固体の物質であ
れば同様に使用することができ、特に、水素吸蔵合金の
類（例えば、マンガン１：ニッケル４．５：アルミニウ
ム０．５の合金）を用いればより大量の活性分子を発生
することもできる。逆に、非常に微量の活性分子を必要
とする際は、水素吸収能力の比較的小さい物質を使用す
ると制御しやすい。活性分子発生量を制御する手段とし
ては、拡散板７の加熱、導入側水素１の加熱やプラズマ
化も有効である。
【０００９】また、網目状の透かしを有するステンレス
の円板４は、水素圧力に耐える強度を持たせるためのも
のであり、拡散板７の強度が十分である場合は必要な
い。さらに、拡散板７以外の構造物は十分な強度があり
水素吸収性が低ければステンレスである必要はない。
の円板４は、水素圧力に耐える強度を持たせるためのも
のであり、拡散板７の強度が十分である場合は必要な
い。さらに、拡散板７以外の構造物は十分な強度があり
水素吸収性が低ければステンレスである必要はない。
【００１０】本実施例の活性水素発生器ではほぼ６０％
の活性水素を生成できた。
の活性水素を生成できた。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば活性効率の優れた活性水
素発生器が得られる。
素発生器が得られる。
【図１】本発明の実施例を説明する断面模式図である。
１ 水素ガス ２ ステンレスの筒 ３ フランジ ４ 網目状の透かしを有するステンレスの円板 ５ ガスケット ６ ガスケット ７ 拡散板 ８ ４と同じ網目状透かしを有する円板 ９ ネジ １０ 水素導入口 １１ 活性水素
Claims (3)
- 【請求項１】水素吸収性の低い筒の一端を水素吸収性の
高い物質の拡散板で気密性よく閉じられ、もう一端に加
圧水素ガスの導入口が設けられたことを特徴とする活性
水素発生器。 - 【請求項２】水素吸収性の高い物質の拡散板は、水素を
吸収時に水素ぜい性を起こした状態で、加えられた水素
圧力に耐える厚みを持つことを特徴とする請求項１記載
の活性水素発生器。 - 【請求項３】水素吸収性の高い物質はパラジウムまたは
水素吸収合金であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の活性水素発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6182687A JPH0840701A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 活性水素発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6182687A JPH0840701A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 活性水素発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0840701A true JPH0840701A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=16122684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6182687A Pending JPH0840701A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 活性水素発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0840701A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261296A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶薄膜の分子線エピタキシヤル成長法および該方法において使用する原子状水素発生装置 |
| JPH02204302A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 水素ガス精製法 |
-
1994
- 1994-08-04 JP JP6182687A patent/JPH0840701A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261296A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶薄膜の分子線エピタキシヤル成長法および該方法において使用する原子状水素発生装置 |
| JPH02204302A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 水素ガス精製法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970527 |