JPH0841625A - 蒸着処理層および接着促進層を有する金属基体 - Google Patents
蒸着処理層および接着促進層を有する金属基体Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 308
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 308
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 248
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 182
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 130
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 59
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 59
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 53
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 44
- -1 organosilane compound Chemical class 0.000 claims description 38
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 31
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 22
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 claims description 18
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 15
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N chromium zinc Chemical compound [Cr].[Zn] DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims description 7
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 7
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 5
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 276
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 28
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 8
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N=C(N)N SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]oxy-3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound NCCC[Si](OCC)(OCC)OC(C)(CCO)CCO PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFMXGGLQTNRDPK-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-[4-[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]phenyl]propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]-n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(=CC=2)N(CC2OC2)CC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1N(CC1OC1)CC1CO1 RFMXGGLQTNRDPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRAGBEWQGHCDDU-UHFFFAOYSA-M C([O-])([O-])=O.[NH4+].[Zr+] Chemical compound C([O-])([O-])=O.[NH4+].[Zr+] WRAGBEWQGHCDDU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N [Al].[Cu].[Zn] Chemical compound [Al].[Cu].[Zn] MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical group C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFXFKBDDQUKKTF-UHFFFAOYSA-N amino(phenyl)silicon Chemical compound N[Si]C1=CC=CC=C1 PFXFKBDDQUKKTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Chemical group 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000000853 cresyl group Chemical class C1(=CC=C(C=C1)C)* 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-diamine Chemical compound NC1CCCC(N)C1 GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- URUGTERYLBWXOS-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;furan-2,5-dione Chemical compound OCCO.O=C1OC(=O)C=C1 URUGTERYLBWXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N n'-[(3-ethenylphenyl)methyl]-n-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCC1=CC=CC(C=C)=C1 GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000002905 orthoesters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003348 petrochemical agent Substances 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- RQAGEUFKLGHJPA-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoylsilicon Chemical compound [Si]C(=O)C=C RQAGEUFKLGHJPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVCBSVKTTHLKQC-UHFFFAOYSA-M propanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC([O-])=O TVCBSVKTTHLKQC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCAGGTLUGWSHOV-UHFFFAOYSA-N tris(tert-butylperoxy)-ethenylsilane Chemical compound CC(C)(C)OO[Si](OOC(C)(C)C)(OOC(C)(C)C)C=C WCAGGTLUGWSHOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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Abstract
製造に有用な金属基体または金属ホイルを提供するこ
と。 【構成】 金属基体の少なくとも片面の上に接着してい
る少なくとも一つの蒸着処理層、および少なくとも一つ
の処理層の上に接着している接着促進材料層を有する金
属基体が提供される。ただし、二つの処理層が該基体の
片面上に付与され、かつ第一の層が蒸着した亜鉛である
場合、第二の層は蒸着したシリカまたはアルミナではな
く、そして該接着促進材料は、該基体と他の基板との接
着を増強するのに適している。
Description
詳細には、銅ホイルのような金属ホイルに関する。この
金属基体は、少なくともその一面の上に設けられた少な
くとも一つの蒸着処理層、および少なくとも一つの処理
層の上に設けられた接着促進材料層を有する。これらの
ホイルは、バッテリー、EMI/RFIシールドガスケットお
よびパネル、ならびにプリント回路板(PCB)を含めた種
々の製品の製造に有用である。
らに詳細には、プリント回路板を含む種々の製品の生産
に有用な金属ホイル(例えば、銅ホイル)に関する。さ
らに特定すると、本発明は、長期間の保存中、および、
加熱および圧力下で行う積層手順全体にわたり銅の明る
い色調を維持するために金属基体(例えば、銅ホイル)
の特性を向上させ、そして同時に銅ホイルの表面のはん
だ付性および/またははんだぬれ性を保持する表面処理
に関する。
基板材料として現在用いられている。典型的には、これ
らの基板は、ファイバガラス/エポキシハードボード、
またはいくつかの場合において、可撓性プラスチック基
板のいずれかに積層した銅ホイルの薄いシートから製造
される。製造の後期段階では、銅ホイルは必要な回路パ
ターンでプリントされ、次いで銅ホイルの不必要な部分
がエッチングにより削られ、電子回路設計における種々
のコンポーネント間の所望の相互接続回路を提供する。
一般に、電解での析出またはローリング技術(rolling t
echnique)のいずれかにより調製される。銅ホイルが電
解により製造される場合、銅ホイルは無光沢、または粗
い面および光沢面を有する。プラスチック基板に積層し
た面は一般に無光沢面である。 電解で形成した銅ホイ
ルが用いられようと、引き延ばした(rolled)銅ホイルが
用いられようと、そのように形成したホイルの表面は、
積層後の十分な結合力の形成に容易にはなじまない。従
って、ホイルは、樹脂表面への結合性、酸化耐性、腐食
耐性などを含む特性を向上させるために、さらなる化学
プロセスにより処理されなければならない。銅ホイルの
光沢面は、保存中、または熱および圧力下における積層
中の酸化を防止するために処理される。種々のポリマー
基板に対する銅ホイルの無光沢面の接着性を向上させる
ために、種々の技法が示唆および利用されてきた。銅ホ
イルと絶縁ポリマー基板との接着を達成するための一例
としては、銅表面を粗くすることが挙げられる。
り達成される。電気で析出した銅ホイルは、表面の粗い
状態で電気的に形成され得る。この粗面の表面は、大表
面積処理を行うことによりさらに粗くされる。これらの
処理は、団粒(nodular)または粉末形態で電解析出した
銅、あるいは特に、団粒状または樹枝状に成長する酸化
銅であり得る。しばしば、引き延ばした銅ホイルは、ロ
ーリングまたはその次の摩耗により機械的な粗さが与え
られる。引き延ばしたホイルはまた、通常、表面積増大
のための小球銅または酸化銅で処理されている。
との機械的結合が形成され、ポリマーに対する接着性を
増強する。機械的結合は、液体の接着剤が付与され次い
で硬化するときか、または硬化前の積層中に樹脂が溶融
し流出するときに形成される。ポリマーは、粗くした表
面処理部分の周囲に流出し、機械的結合を形成する。銅
ホイルとポリマー樹脂との間には、接着に寄与するいく
つかの因子が考えられる。それらのいくつかには、表面
積、粗さのタイプ、ぬれ性、化学結合形成、化学結合の
タイプ、相互貫入網目構造の形成、および接着材料の性
質がある。
しばしば、互いに接着しすぎて、その結果、樹脂内部に
は凝集の失敗が生じる。いくつかの樹脂では、処理物と
樹脂との機械的結合に所望の強い接着が得られず、樹脂
と銅との間の界面に接着の失敗が生じる。
するために使用されてきた表面のラフニング(roughenin
g)は、PCBの製造において困難を生じ得、そしてPCBの好
ましくない性能に寄与し得る。銅のサブトラクティブエ
ッチングプロセス(subtractive copper etching proces
s)において、樹脂に付いた樹枝状物または団粒を除去す
るために、さらにエッチングの時間を必要とする。これ
は、製造プロセスの低下を示すだけでなく、銅ライン側
壁の側方エッチングに起因する多大なラインの損失に寄
与する。表面のラフニングは、高周波数電気信号を低下
するので、PCBの好ましくない電気的性能に寄与する。
粗いベースホイル(base foil)を有する必要があるの
で、良好な積層体およびPCB性能を与える他の特性(例
えば、引張り強さおよび伸び率)は制限される。樹枝状
または団粒状に表面ラフニング処理を行うことは困難で
あり、電解処理の場合には特別な装置が、そして酸化物
処理の場合には特別な化学物質が必要である。
また、ホイルとポリマー基板との接着を増強し得る材料
でホイルをコーティングすることにより向上し得る。接
着促進化合物として種々の材料が文献に示され、これら
には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン、シラ
ン、ポリビニルブチラール樹脂などの有機材料が挙げら
れる。銅ホイルとポリマー基板との間の接着性を向上さ
せるために、種々の金属および金属合金の層を配置する
こともまた示唆されている。
イルおよび金属障壁層を備えたプリント回路板用の導電
エレメントを記載しており、これによりプリント回路板
のステイニングが実質的に低減される。金属層は、亜
鉛、インジウム、ニッケル、コバルト、スズ、黄銅およ
び青銅からなる群から選択される金属の薄いメッキ(dep
osit)である。障壁層は、特定の金属層に適した標準的
な電着手法により、銅ホイルの片面に付与される。特許
権者らはまた、金属障壁層は銅ホイル表面に電着される
必要はないが、蒸着のような他の手段により付与され得
ることを示唆している。障壁層がメッキされた後、ホイ
ルは、積層を行う前に、腐食防止剤のようなものでさら
に処理され得る。
材料を形成するのに特に有用な蒸着金属層を有する材料
の製造方法を記載している。この特許に記載される方法
は、支持体または基板(ポリマー材料であり得るか、ポ
リマー材料および紙、織または不織布または紙の複合体
であり得る)上に金属層として、金属の単一層、互いに
接触した異なる金属の層、金属合金の単一層、互いに接
触した金属および金属化合物の層、あるいは金属化合物
の単一層を蒸着する工程を包含する。蒸着により層が形
成された後、揮発性の有機材料を用いて第二の有機材料
層を蒸着により金属層の上に付与する。金属層上の有機
化合物の層は金属層のバッファ層として機能し、そして
蒸着により形成される金属層をさらにすべらせる。
その分割米国特許第4,455,181号は、高分解能プリント
回路パターンを作製するのに有用な銅被覆積層体を記載
している。積層体は、シリカコーティングされたアルミ
ニウムキャリヤシート上の蒸着銅フィルムの上に亜鉛フ
ィルムを蒸着し、得られた亜鉛−銅ホイルの上にシリカ
フィルムを蒸着し、得られた物体を基板に結合し、次い
でシリカコーティングされたアルミニウムキャリヤシー
トを銅被覆積層体から剥離することにより作製される。
上記第4,383,003号特許に記載された積層体の一つは、
薄い銅のシート、該銅シートの上に蒸着された非常に薄
い亜鉛フィルム、および該亜鉛フィルムの上に蒸着され
たシリカまたはアルミナフィルムを備えている。必要に
応じて、シランカップリング剤のコーティングがシリカ
フィルムの上に配置される。
面の上に設けられかつ接着している少なくとも一つの蒸
着処理層、および少なくとも一つの処理層の上に設けら
れかつ接着している接着促進材料層を有する金属基体を
提供し、該接着促進材料は、該基体と他の基板との接着
を増強するのに適しており、ただし、二つの処理層が該
基体の一方の面上に付与され、かつ第一の層が蒸着した
亜鉛である場合、第二の層は蒸着したシリカまたはアル
ミナを含まない。
ルである。
て、少なくとも一つの処理層は、少なくとも一つの蒸着
金属層を包含する。
銅ホイルである。
は電着銅ホイルである。
は、実質的に均一な無作為に配向したグレイン構造を有
するコントロールされた低プロファイル電着銅ホイルで
あり、該グレイン構造は、本質的に柱状グレインフリー
かつ双晶境界フリーであり、そして約10ミクロンまでの
平均粒径を有する。
は、好ましい配向ならびに変色および双晶境界を包含す
る高密度結晶欠陥の柱状グレイン構造を有し、かつ約20
ミクロンまでの平均粒径を有する標準プロファイル電着
銅ホイルである。
は加工した銅ホイルである。
はメッキまたはアニーリングした電着銅ホイルである。
はローリングまたはアニーリングした加工銅ホイルであ
る。
において、少なくとも一つの処理層は、該ホイルの少な
くとも一方の面上の少なくとも一つの蒸着金属層を包含
する。
は、金属ホイルの両面上に設けられかつ接着している少
なくとも一つの蒸着金属層を有する。
は、該金属ホイルの両面上に設けられかつ接着している
少なくとも一つの蒸着金属層、および該金属ホイルの両
面上の該金属層の上に設けられかつ接着している接着促
進材料層を有する。
は、光沢面および無光沢面を有する電着銅ホイルであ
り、そして少なくとも一つの蒸着金属層が、該銅ホイル
の無光沢面の上に設けられかつ接着している。
金属は、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロ
ム、銅、ビスマス、マンガン、コバルト、ニッケル、亜
鉛、インジウム、スズ、モリブデン、銀、金、タングス
テン、ジルコニウム、アンチモン、クロム−亜鉛合金、
黄銅、青銅、およびこれらの金属の2種またはそれ以上
の組み合わせからなる群から選択される。
上の金属層の金属は、インジウム、スズ、コバルト、ニ
ッケル、銅、マンガン、クロム、チタン、ビスマス、亜
鉛、および亜鉛−クロム合金、ならびにこれらの金属の
2種またはそれ以上の組み合わせからなる群から選択さ
れる。
らに上記銅ホイルの光沢面の上に設けられかつ接着して
おり、そして該金属層の金属は、インジウム、マグネシ
ウム、アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、スズ、ニッケ
ル、コバルト、および亜鉛−クロム合金、ならびにこれ
らの金属の2種またはそれ以上の組み合わせを包含する
群から選択される。
蒸着により付与される。
料は有機材料である。
は、熱硬化性または熱可塑性ポリマーおよびコポリマ
ー、ならびにそれらの組み合わせを包含する。
料は、エポキシ樹脂、有機官能性シラン、ホルムアルデ
ヒド樹脂、ポリエステル樹脂、またはそれらの混合物を
含有する。
料は、少なくとも1種類の有機金属化合物である。
料は、次式により表される少なくとも1種類の有機シラ
ン化合物である: R4-nSiXn ここで、Rはアルキルまたはアリール基、あるいは次式
により表される官能基である: CxH2xY ここで、xは0から20であり、そしてYは、アミノ、アミ
ド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カル
ボキシ、アリール、ビニル、アリル、スチリル、エポキ
シ、イソシアナート、グリシドキシ、およびアクリルオ
キシ基からなる群から選択され;Xは加水分解可能な基
であり;そしてnは1、2、3または4である。
は3であり、そしてxは1から5である。
り、各Rは1から約5個の炭素原子を含むアルキル基で
ある。
にある上記ホイルのベース表面は、いかなる追加の表面
ラフニングもしていないことにより特徴づけられる。
の少なくとも一つの粗い層が、ホイルと、第一の上記少
なくとも一つの蒸着処理層との間に配置される。
みは約10Åから約3000Åである。
は、次式により表される少なくとも1種のエポキシシラ
ンを含有する:
たは炭化水素基であり;R4およびR5は独立してアルキレ
ンまたはアルキリデン基であり;そしてR6、R7およびR8
は独立して炭化水素基である。
一つの蒸着金属層は、上記接着促進層を付与する前に、
80℃から800℃の高温にさらされる。
なくとも一方の面は2つの蒸着金属層を有し、各層の金
属は異なる。
の面の上に設けられかつ接着している少なくとも一つの
蒸着金属層、および少なくとも一つの金属層の上に設け
られかつ接着している有機接着促進材料層を有する電着
または加工銅ホイルを提供し、該接着促進層は、該ホイ
ルと他の基板との接着を増強するのに適しており、そし
て該金属層は、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ビスマ
ス、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、アンチモ
ン、ジルコニウム、銀、金、クロム−亜鉛合金、黄銅、
青銅、およびこれらの金属の2種またはそれ以上の組み
合わせ、ならびに金属酸化物からなる群から選択される
金属、金属酸化物、金属窒化物、またはそれらの組み合
わせを含む。ただし、該ホイルが一方の面上に二つの金
属層を有する場合、第一の層が亜鉛を含むときは、第二
の層は蒸着したアルミナまたはシリカを含まない。
ルである。
面および光沢面を有し、そして少なくとも一つの蒸着金
属障壁層は、銅ホイルの少なくとも該無光沢面の上に設
けられかつ接着している。
面および光沢面を有し、そして上記蒸着金属層は該銅ホ
イルの両面の上に設けられかつ接着している。
上記ホイルの両面上の蒸着金属層の上に設けられかつ接
着している。
の金属層の金属は、インジウム、亜鉛、スズ、コバル
ト、銅、ニッケル、マンガン、クロム、チタン、ビスマ
ス、および亜鉛−クロム合金、ならびにこれらの金属の
2種またはそれ以上の組み合わせからなる群から選択さ
れる。
の下にある銅ホイルのベース表面は、いかなる追加の表
面ラフニングもしていないことにより特徴づけられる。
の粗い層が、上記銅ホイルの少なくとも一方の面と、上
記蒸着金属層との間に配置される。
は、実質的に均一な無作為に配向したグレイン構造を有
するコントロールされた低プロファイル電着銅ホイルで
あり、該グレイン構造は、本質的に柱状グレインフリー
かつ双晶境界フリーであり、そして約10ミクロンまでの
平均粒径を有する。
は、好ましい配向ならびに変色および双晶境界を包含す
る高密度結晶欠陥の柱状グレイン構造を有し、かつ約20
ミクロンまでの平均粒径を有する標準プロファイル電着
銅ホイルである。
進材料は、エポキシ樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、ポリ
エステル樹脂、またはそれらの混合物を含有する。
は、少なくとも1種の有機金属化合物を含有する。
合物は、次式により表される少なくとも1種の有機シラ
ン化合物を包含する: R4-nSiXn ここで、Rはアルキルまたはアリール基、あるいは次式
により表される官能基である: CxH2xY ここで、xは0から20であり、そしてYは、アミノ、ア
ミド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カ
ルボキシ、アリール、ビニル、アリル、スチリル、エポ
キシ、イソシアナート、グリシドキシ、およびアクリル
オキシ基からなる群から選択され;Xは加水分解可能な
基であり;そしてnは1、2、3または4である。
は蒸着により付与される。
することによりエッチングしたか、または電気化学的に
金属コーティングを析出した少なくとも一方の面、エッ
チングしたかまたは電気化学的に析出した少なくとも一
方のコーティングの上に設けられかつ接着している少な
くとも一つの蒸着処理層、および少なくとも一つの蒸着
処理層の上に設けられかつ接着している接着促進材料層
を有する金属基体を提供し、該接着促進層の材料は、該
基体と他の基板との接着を増強するのに適している。
ルである。
ルである。
する: (A)金属ホイル; (B)該金属ホイルの少なくとも一方の面の上に設けられ
かつ接着している少なくとも一つの蒸着処理層; (C)少なくとも一つの蒸着処理層の上に設けられかつ接
着している接着促進材料層;および (D)該接着促進層の上に設けられかつ接着している非導
電性材料層。
一つは蒸着金属層である。
層は、上記金属ホイルの各面の上に設けられかつ接着し
ている。
の金属層は、上記金属ホイルの両面の上に設けられかつ
接着しており、そして接着促進層が、該両面上の金属層
の上に設けられかつ接着している。
は銅ホイルである。
た積層体を提供する: (A)一方の面がエッチングされた導電性金属ホイル; (B)該導電性金属ホイルの他方の面の上に設けられかつ
接着している少なくとも一つの蒸着処理層; (C)該少なくとも一つの処理層の上に設けられかつ接着
している接着促進材料層;および (D)該接着促進層の上に設けられかつ接着している非導
電性材料層。
た多層積層体を提供する: (A)対置した第一および第二の面を有する、エッチング
した導電性金属ホイル; (B)該金属ホイルの第一および第二の面の上に設けられ
かつ接着している蒸着金属層; (C)該二つの金属層の上に設けられかつ接着している接
着促進材料層;および (D)該二つの接着促進層の上に設けられかつ接着してい
る非導電性材料層。
の製品の製造に有用なホイルが提供される。
好ましくは、導電性の金属基体である。金属基体の選択
は金属基体の所望の最終用途に依存する。
ト、バー、ロッド、ワイヤ、ホイルなどの任意の形状で
あり得る。好ましくは、金属基体はホイルであり、さら
に好ましくは銅または銅ベースの合金ホイルである。従
って、本明細書中の議論は一般にホイル、特に銅ホイル
に関するが、一般的な議論では他のホイルおよび金属基
体に適用可能であることが理解されるべきである。
において周知であり、種々の技法により作製される。加
工または引き延ばされたホイルは、ローリングのような
プロセスにより、金属(銅)または合金(銅合金)のス
トリップまたはインゴットの厚みを機械的に薄くして製
造される。電着されたホイルは、回転カソードドラムの
上に銅イオンを電解析出し、次いで析出したストリップ
をカソードから剥離することにより製造される。この方
法は一連のホイルストリップを形成するのに用いられ得
る。ホイルはまた他の方法によっても調製され得る。例
えば、銅ホイルは、アルミニウムのような導電性キャリ
ヤの上に銅の層を電着するか、または蒸着することによ
り調製され得る。他の銅ホイルは、銅層を鉄−ニッケル
合金のような合金ホイル上にローリングすることにより
調製され得る。銅は鉄−ニッケル合金の片面または両面
に引き延ばされ得る。多層ホイルのさらに別の例は、銅
の両面にコーティングされたモリブデンホイルまたは層
である。あるいは、銅は剥離コートキャリヤの上に蒸着
され得、その後、蒸着銅フィルムが剥離コートキャリヤ
から除去され得る。
れた銅ホイルが好ましく、電着した銅ホイルが特に好ま
しい。銅ホイルは、典型的には、約0.0002インチ〜約0.
02インチの範囲の僅かな厚みを有する。ホイル厚はしば
しば重量で表記され、本発明のホイルは典型的には約1/
8〜約14オンス/フィート2の範囲の重量または厚みを有
する。本発明におけるベースホイルとして使用されるホ
イルは、メッキ(plated)ホイルまたはアニーリングした
電着ホイルであり得る。加工銅ホイルは、ローリングま
たはアニーリングした加工銅ホイルであり得る。
のある面(ドラム側)、および粗いまたは無光沢の面
(銅析出成長側)を有する。以下に十分説明する処理層
はホイルのどちらかの面と接着し得、そしていくつかの
場合では両面と接着する。
(電着または加工された)ホイルの片面または両面は、
「標準プロファイル表面(standard-profile surfac
e)」、「低(low)プロファイル表面」、または「極低(ve
ry low)プロファイル表面」である。本明細書中で用い
られる用語「標準プロファイル表面」とは、約10μm以
下のRt mを有するホイル表面を意味する。標準プロファ
イル電着銅ホイルはまた、好ましい配向および高密度結
晶欠陥(例えば、変色および双晶境界)の柱状グレイン
構造を有することで特徴づけられ得、そしてホイルは約
20ミクロンまでの平均粒径を有する。用語「低プロファ
イル表面」とは約7μm以下のRtmを有するホイル表面
を意味する。用語「極低プロファイル表面」とは約4μ
m以下のRtmを有するホイル表面を意味する。Rtmは、連
続した各5回のサンプル測定の山−谷垂直方向の最大寸
法の平均であり、これはRank Taylor Hobson, Ltd., Le
icester, Englandより市販されるSurftronic 3 profilo
meterを用いて測定され得る。
場合、銅ホイルは、エッチング性およびインピーダンス
コントロールを提供するために、コントロールされた低
プロファイルを有することがしばしば望ましい。これら
のホイルは、所望の取り扱い性および表面品質特性を提
供するために、そしてクラッキングに抵抗する高温での
大きな伸び率を提供するために、高い最大引張り強さ(U
TS)を有することがまた好ましい。一つの実施態様にお
いて、本発明に使用される銅ホイルは、実質的に均一な
無作為に配向したグレイン構造を有するコントロールさ
れた低プロファイル電着銅ホイルであることに特徴があ
り、このグレイン構造は、本質的に柱状グレインフリー
かつ双晶境界フリー(columnar grain-free and twin-bo
undary free)であり、そして約10ミクロンまでの平均粒
径を有する。これらのホイルは、一般に、最大引張り強
さが23℃で約70,000〜約120,000psiの範囲に測定され、
そして伸び率は180℃で約6%〜約28%と測定される。
これらの特性を有する銅ホイルは、以下の工程を包含す
る方法により調製され得る:(A)アノードとカソードの
間に電解液を流す工程、および該カソードに銅を析出す
るために、該アノードと該カソード間に有効な電圧をか
ける工程;該電解液は、銅イオン、硫酸イオン、および
少なくとも一種の有機添加剤またはその誘導体を含有
し、そして電流密度は約0.1〜約5A/cm2の範囲にある;
および(B)該カソードから該銅ホイルを除去する工程。
一つの実施態様において、上記溶液の塩化物イオン濃度
は約1ppmまでである。
の、無光沢面の未加工ホイルのラフネス(Rtm)を有す
る。これらのホイルの光沢面のRtmは、好ましくは、約
6ミクロン未満であり、そしてさらに頻繁には約2〜約
5ミクロンの範囲である。これらの銅ホイルの重量は、
一般に、1平方フィートあたり約1/8〜約14オンスの範
囲である。1平方フィートあたり0.5オンスの重量を有
するホイルは、僅か約17ミクロンの厚みを有する。
よび「未加工」とは、ホイルの特性を精密化または増強
する目的の次の処理(1回またはそれ以上の表面ラフニ
ング処理)がなされていない、調製したばかりのベース
ホイルを意味する。未加工ホイルはまた、「めっきし
た」または「ローリングした(引き延ばした)」とも称
される。本明細書中で用いられる用語「処理した」と
は、少なくとも1回のそのような処理を受けた未加工ま
たはベースのホイルを意味する。これらの処理は通常の
ものであり、そして典型的には種々の処理溶液およびす
すぎ溶液の使用を包含する。ホイルの片面または両面が
処理され得る。これらの処理は化学的または物理的処理
であり得る。
々の化学物質が未加工ホイルに付与され得る。例えば、
ホイル表面は、表面をマイクロエッチングするために硫
酸のような酸と接触され得る。また、本発明に従って蒸
着処理層を付与する前に、銅ホイルは、当業者に周知の
浸漬および電気めっき技術により、種々の金属コーティ
ング(例えば、亜鉛、スズ、銅、クロムまたはそれらの
合金(例えば、クロム−亜鉛))が電解的に与えられ得
る。例えば、銅ホイルの光沢面の上にスズまたはスズ−
亜鉛合金を電気めっきすることは、米国特許第4,082,59
1号に記載されており、この文献は本明細書中に参考と
して援用されている。他の例には、未加工ホイルは、ク
ロムコーティングをメッキするために、クロム酸(CrO3)
の酸溶液中に浸漬される。
与する前に表面ラフニング処理され得るが、ホイルの接
着特性の向上が、ホイルをさらに表面ラフニング処理す
ることなく達成され得ることは本発明の有意な利点であ
る。つまり、本発明の一実施態様において、本発明に使
用されるホイルは、表面不純物が除去されている未加工
ホイルであり得るが、そうでなければ蒸着処理層が接着
される片面または両面上にいかなる追加の表面ラフニン
グ処理も行っていないことを特徴とする未加工ホイルで
あり得る。用語「追加の表面ラフニング処理」とは、ホ
イル表面のラフネスを増大するための、ベースまたは未
加工ホイル上に施すいかなる処理をも意味する。これら
の処理には化学処理(例えば、団粒または粉末形態で電
解析出した銅、あるいは団粒状または樹枝状に成長する
酸化銅)が含まれる。一つの好ましい実施態様におい
て、ベースホイルは、約65℃の酸溶液(例えば、20容量
%の硫酸溶液)に約15秒間浸漬し、次いで直ちに水洗す
ることによりマイクロエッチングされる。他の有用な表
面改変処理には、グロー放電およびスパッタリングが挙
げられる。
次の摩耗(標準プロファイル表面のラフネスを超えてそ
れを増大する)により加工銅ホイルに与えられた機械的
ラフネスは、追加の表面ラフニング処理であると考えら
れる。他の実施態様では、標準プロファイル表面のラフ
ネスを超えてホイルのラフネスを増大する、未加工また
はベースの銅ホイルに与えられた任意のラフネスは、追
加の表面ラフニング処理であると考えられる。他の実施
態様では、低プロファイル表面のラフネスを超えてホイ
ルのラフネスを増大する、未加工またはベースの銅ホイ
ルに与えられた任意のラフネスは、追加の表面ラフニン
グ処理であると考えられる。他の実施態様では、極低プ
ロファイル表面のラフネスを超えてホイルのラフネスを
増大する、未加工またはベースの銅ホイルに与えられた
任意のラフネスは、追加の表面ラフニング処理であると
考えられる。
を受けたホイルに蒸着処理層を付与することは本発明の
範囲内である。従って、一実施態様において、ホイルの
片面または両面は、1つまたは複数の処理層の蒸着を行
う前に、銅または酸化銅の粗い層を提供するために処理
され得る。銅は、当業者に周知の技法によって、団粒ま
たは粉末形態で電解により析出され得る。酸化銅は団粒
または樹枝状に成長し得る。他の実施態様において、蒸
着処理層が接着するベースまたは未加工ホイルの片面ま
たは両面は、ホイルに蒸着処理層を付与するまで未処理
の状態である。
設けられかつ接着した少なくとも一つの蒸着処理層を有
する。上記のように、蒸着処理層は未加工または未処理
ホイル上に配置され得るか、またはホイルが1回または
それ以上の追加の表面ラフニング処理を受けた後に、こ
れらの処理層がホイルに付与され得る。一実施態様にお
いて、ホイルの片面が処理層を有し、そして他の実施態
様においてはホイルの両面が処理層を有する。本発明の
さらなる実施態様において、ホイルの片面または両面
は、以下に十分説明するように、2つまたはそれ以上の
連続した蒸着処理層を有し得る。さらに別の実施態様で
は、本発明のホイルは、未加工またはベースホイルと1
つまたは複数の蒸着処理層との間に、銅または酸化銅の
少なくとも1つの粗い層を有する。さらなる実施態様に
おいて、本発明のホイルは、ホイルの上に、そしてホイ
ルと1つまたはそれ以上の蒸着層との間に、化学的また
は電気的に付与した少なくとも1つの金属または金属酸
化物層を有し得る。
に、種々の蒸着処理層(例えば、ホイルをプリント回路
板形成に使用する場合に、樹脂層全体にしみおよびしみ
出しが現れるのを防止または最小限にする安定化層、障
壁層またはそれらの組み合わせ;酸化抑制層、耐湿層な
ど)が本発明のホイル上に存在し得る。
の片面または両面に配置した1つまたは複数の蒸着処理
層は、金属障壁層および/または金属安定化層である。
上記のように、本発明は、ホイルの片面または両面に1
種以上の上記の金属層を使用することを意図している。
本発明に有用な金属層における用語「金属」には、金属
類、合金類、および金属化合物(例えば、金属酸化物ま
たは窒化物)が挙げられるが、金属類が好ましい。
は、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロム、マ
ンガン、銅、ビスマス、コバルト、ニッケル、亜鉛、イ
ンジウム、スズ、モリブデン、銀、金、タングステン、
ジルコニウム、アンチモン、クロム−亜鉛合金、黄銅、
青銅、およびこれらの金属の2種またはそれ以上の混合
物が挙げられる。一つまたは複数の金属層が電着銅ホイ
ルの無光沢面に配置される場合、金属は、好ましくは、
インジウム、スズ、コバルト、ニッケル、亜鉛、銅、マ
ンガン、クロム、チタン、ビスマス、青銅、または亜鉛
−クロム合金である。電着銅ホイルの光沢面に付与され
る1つまたは複数の金属層のための好ましい金属は、エ
ッチング可能な金属であり、これらには、インジウム、
クロム、マグネシウム、アルミニウム、銅、スズ、ニッ
ケル、コバルト、亜鉛、または亜鉛−クロム合金が挙げ
られる。
は両面に2種またはそれ以上の蒸着層を含み得る。例え
ば、上記の任意の金属類または金属合金類の第一の層
(障壁層)は、銅ホイルに蒸着され得、次いで第二の層
(安定化層)が蒸着される。あるいは、第二の層は例え
ば金属酸化物(例えば、シリカ、アルミナ、酸化インジ
ウム、酸化マグネシウムなど)を包含し得る。ただし、
このとき、第一の蒸着層が亜鉛の場合、第二の蒸着層は
蒸着シリカまたはアルミナを含有しない。
の処理層の厚みは変化し得、そして任意の特定の用途に
おける望ましい厚みは、当業者により容易に決定され得
る。一般に、処理層が金属層である場合、金属層の厚み
は約10〜約10,000Åの範囲であり得、いくつかの場合で
は約20〜1000Åの範囲内である。
かつ接着しており、そして金属安定化層が障壁層の上に
蒸着している他の実施態様においては、障壁層の厚みは
約0.01〜約1ミクロンの範囲であり得、そして安定化層
の厚みは0.002〜約0.1ミクロンで変化し得る。安定剤層
として特に有用な金属には、スズ、ニッケル、モリブデ
ン、インジウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛(Z
n)、クロム(Cr)、および亜鉛(Zn)−クロム(Cr)合金が挙
げられる。
り得られ得、そしてこのような技術としては、物理蒸着
(PVD)(これには、熱蒸発、電子ビーム付与、誘導およ
び/または抵抗付与(inductive and/or resistive depo
sition)、イオンメッキ、スパッタリング、プラズマ活
性化蒸発(plasma-activated evaporation)、リアクティ
ブエバポレーション(reactive evaporation)および活性
化リアクティブエバポレーションが含まれる)および化
学蒸着(CVD)が挙げられる。物理蒸着はまた、真空メタ
リゼーション(vacuum metallization)および蒸発コーテ
ィングとして文献に記されている。熱蒸発による付与方
法では、金属基体に付与する材料(一般に、金属または
合金)を高真空下(例えば、10-2〜約10-6torr)で加熱
し、その結果材料が蒸発または昇華し、そしてコーティ
ングされる金属物体に移動する。スパッタリングプロセ
スでは、プラズマ放電で作り出された強力な不活性イオ
ンが標的に衝突し、そして運動量交換を通じてコーティ
ング材料をはじき出す。物理蒸着は、本質的に、物理的
手段のみによる材料の移動およびコーティングの形成を
包含する。これに対して、化学蒸着では、材料の移動
は、温度、または基板と周囲のガス雰囲気との間の濃度
勾配により誘導された化学反応により行われる。蒸着の
原理、および金属を含む種々の材料を蒸着するのに有用
な方法は、Vapor Deposition, C.F. Powellら編、John
Wiley & Sons, Inc., New York, 1966に記載されてい
る。
化し、そしてその蒸気をホイル表面で分解または反応さ
せ、コーティングとしてホイル表面に非揮発性の金属を
生成することにより達成される。蒸着の化学反応は、熱
蒸着または熱分解、水素還元、金属蒸気による還元、金
属ホイルとの反応、化学輸送反応などにより行われ得
る。これらの方法は、Vapor Deposition、第9章、C.F.
Powell、J.H. OxleyおよびJ.M. Blocker, Jr.編、J. W
iley & Sons, Inc., New York, 1966に詳細に記載され
ており、そしてこの章はCVDプロセスの記載に関して本
明細書中で参考として援用されている。
する銅ホイルは、Edwards CoatingSystemsより入手され
る装置 E306Aを用いて得られ得る。このユニットは、2
×10-6mbar〜2×10-5mbar作動減圧領域を有する。金属
の蒸着は、一般に、35〜80ミリアンペアの蒸発電流(eva
porating current)にて約0.3〜約40分またはそれ以上
で、十分な厚さ(例えば、約10Å〜3000Å)にされ得
る。用いる蒸発電流は蒸発すべき材料の量および形態に
依存する。例えば、約65〜80ミリアンペアの電流は、一
般に、インジウム、スズ、クロム、コバルトおよびニッ
ケルを蒸着するために使用される。35〜50ミリアンペア
の範囲の蒸発電流はマグネシウムおよび亜鉛に対して適
切であり、そして50〜65ミリアンペアの範囲の電流は、
アルミニウム、マンガン、スズおよび黄銅の蒸着に適切
である。Edwards装置において、蒸発すべき金属を含む
ボート(boat)からホイルサンプルまでの距離は、約5イ
ンチである。一般に、コーティング材料の薄いホイルま
たはチップは、タングステンボートに置かれ、減圧下で
加熱される。
は、接着促進層を付与する前に、その特性を向上させる
ためにさらに処理され得る。蒸着金属層は、金属層の表
面被覆率、性質および特性を変更するために、例えば約
80℃〜約800℃の高温(これは蒸着する金属に依存す
る)で数秒〜1時間加熱され得る。例えば、銅ホイルに
蒸着したインジウムなどの金属層は、銅ホイルを完全に
は被覆しておらず、約2%〜3%または5%もの銅が剥
離している。蒸着したインジウムコーティングを、約19
0℃の高温で60分間オーブン中で焼くと、表面の銅の露
出比は0.5%程度にまで減少する。他の実施態様では、
蒸着した金属を酸素雰囲気下にてオーブン中で焼き、少
なくとも表面の金属の一部を酸化物の形態に変換する。
金属表面を高温で窒素に曝露すると、少なくとも一部分
の表面の金属が金属窒化物に変換される。接着促進層を
付与する前に蒸着金属を加熱するとまた、ベース金属−
蒸着金属界面におけるベース金属および蒸着金属の合金
形成が促進される。
複数の蒸着金属層の特性は、イオンボンバードメント/
加熱、酸素プラズマイオンボンバードメント、および所
望の特性を向上させる(例えば、酸化および安定化の保
護を与える)材料で蒸着金属層を電気メッキすることに
よりさらに改変され得る。耐酸化性などの特性を向上さ
せるために、例えば、蒸着した金属層を、接着促進層を
付与する前に(例えば、クロム、銅、スズ、ビスマス、
または亜鉛−クロム混合物などを含有する)酸性溶液で
電気化学的に処理することにより、クロム、スズ、ビス
マスまたは亜鉛−クロムコーティングを蒸着金属コーテ
ィングの上に付与し得る。
記のような少なくとも一つの蒸着処理層を有し、そして
この少なくとも一つの処理層は、処理層の上に設けられ
かつ接着した接着促進層を有する。接着促進層は、ホイ
ルと基板(例えば、PCBの形成に用いられるポリマー樹
脂基板)との接着を増強するために使用される。接着剤
または接着促進剤の性質、および接着層がコーティング
されたホイルの用途に依存して、この層の厚みは約4〜
約500,000Åの広い範囲にわたり変化し得る。処理およ
び未処理金属ホイルの他の基板(ポリマー樹脂基板を含
む)に対する接着性を向上させるためには、種々の接着
促進材料が当該分野において公知であり、そのような従
来の接着剤は本発明に使用され得る。接着性の向上は、
接着剤と、金属ホイルに予め付与されている1つまたは
複数の蒸着処理表面とが共同作用した結果として得られ
る。電気的に使用する場合、高絶縁性の接着剤が選択さ
れる。接着剤または接着促進剤は、有機、有機金属また
は無機化合物であり得る。
材料であり、これは、熱硬化性または熱可塑性ポリマー
およびコポリマー、ならびにそれらの混合物を包含し得
る。熱硬化性または熱可塑性ポリマーおよびコポリマー
のような有機材料が使用される場合、これらは当該分野
でしばしば接着剤と称され、この層の厚みは上記の範囲
の上限である。一般に、約10,000Åから約500,000Åま
での厚みが、蒸着処理層の上に付与される。対照的に、
接着促進層に有用な有機金属化合物(例えば、シランカ
ップリング剤)は一般に接着促進剤と称され、この接着
促進剤の厚みは非常に小さく、例えば約4Å〜約200Å
である。
ポリマーの例には、エポキシ樹脂、ホルムアルデヒド樹
脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリエステル
樹脂、ブタジエン−アクリロニトリルゴム、ポリビニル
ブチラール樹脂などが挙げられる。混合したポリ(ビニ
ルブチラール)−フェノール−ホルムアルデヒド樹脂も
また有用である。ポリエステルである種々のアルキド樹
脂は接着剤として使用され得る。有用なアルキド樹脂の
例は、無水マレイン酸−エチレングリコールポリエステ
ルである。このようなポリエステルをスチレン中に溶解
し、そして少量の過酸化物開始剤を加え加熱して所定の
場所で共重合することにより、優れた接着剤が得られ
る。
に使用される接着剤材料は、(A)少なくとも一種類の多
官能性エポキシ樹脂を含有する。他の実施態様では、接
着促進層は、(A)少なくとも一種類の多官能性エポキシ
樹脂を含有するエポキシ樹脂;および(B)(B-1)および(B
-2)から誘導される組成物、の混合物を含む。(B-1)は少
なくとも一種類の二官能性エポキシ樹脂であり、(B-2)
は次式により表される少なくとも一種類の成分である: R-(G)n (I) ここで、式(I)において、Rは芳香族、脂環または複素環
基であり;Gは、COOH、OH、SH、NH2、NHR1、(NHC(=NH))
mNH2、R2COOH、R2OH、R2SH、R2NH2、およびR2NHR1から
なる群から選択される官能基であり、ここでR1は炭化水
素基であり、R2はアルキレンまたはアルキリデン基であ
り、そしてmは1〜約4の範囲の数である;そしてnは
3からR上の置換可能な水素の数までの範囲の数であ
る。
れ得る多官能性エポキシ化合物(A)は、1分子あたり平
均して2個を超えるエポキシ基(オキシラン環)を含む
化合物である。一実施態様において、これらのエポキシ
化合物は、1分子あたり平均して約6個までのエポキシ
基を含む。一実施態様では、多官能性エポキシはエポキ
シノボラック樹脂である。多官能性エポキシは3官能性
または4官能性エポキシ樹脂であり得る(3官能性エポ
キシ樹脂は1分子あたり平均して3個のエポキシ基を含
むエポキシ樹脂であり、4官能性エポキシ樹脂は1分子
あたり平均して4個のエポキシ基を含む)。多官能性エ
ポキシは、典型的には約100〜約250、一実施態様におい
ては約190〜約240の範囲の平均エポキシ当量を有する。
エポキシ当量は、分子中のエポキシ基の数で割ったエポ
キシ分子の分子量である。従って、例えば、分子量600
の3官能性エポキシは200のエポキシ当量を有する。
は、Tactix 742(Dow Chemical)およびPT 810(Ciba Geig
y)が挙げられる。有用な市販の4官能性エポキシ樹脂の
例には、MT 0163(Ciba Geigy)、Epon 1031(Shell)、お
よびEpon HPT 1071(Shell)が挙げられる。
クレゾールおよびエポキシフェノールノボラックが挙げ
られる。有用な市販のノボラックの例には、DEN 438、D
EN 439およびTactix 785(各々はDowより入手可能であ
る)、DPS 164(Shell)およびECN 1299(Ciba Geigy)が挙
げられる。
約10,000の範囲の平均分子量を有する任意の2官能性エ
ポキシ樹脂(エポキシ当量は約500〜約5000)であり
得、一実施態様では約1000〜約6000の平均分子量を有す
る(2官能性エポキシ樹脂は、1分子あたり平均して2
個のエポキシ基を含むエポキシ樹脂である)。一実施態
様において、2官能性エポキシ樹脂の混合物が使用さ
れ、一つは約1000〜約3000、好ましくは約1500〜約2500
の平均分子量を有し、もう一つは約3000を超えて約6000
まで、好ましくは約3500〜約5000の平均分子量を有す
る。
脂(B-1)は次式により表される化合物である:
立して水素、または1〜約20個の炭素原子の範囲の炭化
水素基であり、nは1〜約20、好ましくは1〜約6、一
実施態様では1〜約3、そして他の実施態様では1また
は2の数である。例として以下が挙げられる:ビスフェ
ノールA(ここで、R1およびR2は共にCH3である);ビ
スフェノールF(ここで、R1およびR2は共にHであ
る);ビスフェノールAD(ここで、R1はHであり、そ
してR2はCH3である)。他には、以下に示す基を有する
樹脂が挙げられる:R1はHであり、そしてR2はC6H13であ
る;R1はHであり、そしてR2はC12H25である;R1はCH3で
あり、そしてR2はC2H5である;R1はCH3であり、そしてR
2はC4H9である;など。
くとも一つの化合物である: R-(G)n (I) 式(I)において、Rは芳香族、脂環または複素環基であ
る。Gは、COOH、OH、SH、NH2、NHR1、(NHC(=NH))mNH2、
R2COOH、R2OH、R2SH、R2NH2、およびR2NHR1からなる群
から選択される官能基であり、ここでR1は炭化水素基で
あり、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは1〜約3個の炭素原子を有するアルキル基で
あり、R2はアルキレンまたはアルキリデン基であり、好
ましくは1〜約6個の炭素原子を有し、さらに好ましく
は1、2または3個の炭素原子を有するアルキレン基で
あり、そしてmは1〜約4の範囲の数であり、一実施態
様ではmは2である。Gは好ましくはNH2、OH、またはCH
2NH2である。nは3からR上の置換可能な水素の数までの
範囲の数である。
ンゼン);多核性であり得、ここで芳香核は、芳香核が
他の核と2カ所で縮合している縮合タイプ(例えば、ナ
フタレン)であるか、または少なくとも2つの核(単核
または多核)が互いに架橋結合を介して結合している架
橋タイプである。これらの架橋結合は炭素−炭素単結
合、エーテル結合、ケト結合、スルフィド結合、硫黄原
子、スルフィニル結合、スルホニル結合、アルキレン結
合、アルキリデン結合、アミノ結合などであり得る。通
常は芳香族基Rはベンゼン核である。これらの芳香族基
は、1つまたはそれ以上のアルキル基(例えば、C1〜C
10)が芳香核に結合している、アルキル置換の芳香族基
であり得る。
得、好ましくは3〜6個の炭素原子、さらに好ましくは
5または6個の炭素原子を有する。これらの環基は、1
つまたはそれ以上のアルキル基(例えば、C1〜C10)が
環炭素原子に結合している、アルキル置換の脂環基であ
り得る。例として、シクロプロパン、シクロブタン、シ
クロペンタン、シクロペンテン、1,3-シクロペンタジエ
ン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、1,3-シクロヘキ
サジエンなどが挙げられる。
原子がN、SまたはOである5または6員環の化合物から
誘導される。これらの環基は、1つまたはそれ以上のア
ルキル基(例えば、C1〜C10)が環の炭素または窒素原
子に結合している、アルキル置換の複素環基であり得
る。例として、ピロール、フラン、チオフェン、ピリジ
ンなどから誘導されるR基が挙げられる。
フェノール、m-アミノフェノール、p-アミノフェノー
ル、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、
p-フェニレンジアミン、1,3-キシレンジアミン、イソ
ホロンジアミン、1,3,5-トリヒドロキシベンゼン、ジア
ミノジフェニルスルホン、1,4-キシレンジアミン、3-ア
ミノフェニルスルホン、1,4-シクロヘキサンジアミン、
1,3-シクロヘキサンジアミン、1-o-トリルビグアニド、
およびそれらの2つまたはそれ以上の混合物が挙げられ
る。
2)は、成分(A)と混合する前かまたは混合するときに、
互いに単に混合される。この実施態様では、成分(B-1)
および(B-2)は予備反応(pre-reacted)しない。一実施態
様では、成分(B-1)および(B-2)は、成分(A)と配合する
前に、互いに予備反応する。この反応は、反応条件下で
所望の生成物が得られるまで、成分(B-1)と成分(B-2)と
を接触することにより行われ得る。いずれにせよ、(B-
1)と(B-2)との当量比は一般に約1:2〜約1:4であ
り、一実施態様では約1:2.5〜約1:3.5である。成分
(B-1)の当量は、成分(B-1)の分子量を、(B-1)の1分子
あたりのエポキシ基の平均数で割ることにより決定され
る。(B-2)の当量は、(B-2)の分子量を、(B-2)の1分子
あたりの官能基、Gの数で割ることにより決定される。
(B-2)の官能基の数を決定するのに、COOH、SH、NHR1、R
2COOH、R2SH、およびR2NHR1はそれぞれ1つの官能基と
して数えられる。NH2およびR2NH2はそれぞれ2つの官能
基として数えられる。(NHC(=NH))mNH2中の官能基の数
は、基の中の反応性窒素部位の数に等しい。従って、例
えば、GがNHC(=NH)NHC(=NH)NH2の場合、これは6個の官
能基として数えられる。
る場合、反応温度は一般に約60℃〜約150℃であり、一
実施態様では約80℃〜約110℃である。反応を完結する
のに要する時間は所望の反応の程度に依存するが、一般
に約2〜約24時間であり、一実施態様では約4〜約8時
間である。一実施態様において、成分(B-1)および(B-2)
の一方または両方を、互いに反応させる前に、適切な溶
媒に溶かす。そのような溶媒の例には、メチルイソブチ
ルケトン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエン、
アセトン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
剤組成物はまた、このエポキシ接着剤組成物の硬化を促
進するために、有効量の補足付加物(C)(supplemental a
dduct)を含有する。この補足付加物は、少なくとも一種
類の2官能性エポキシ樹脂と少なくとも一種類のアルキ
レンポリアミンとの反応生成物である。2官能性エポキ
シ樹脂は上記の樹脂(B-1)と同様である。アルキレンポ
リアミンは次式により表される化合物である:
て水素または炭化水素基であり、好ましくは、1〜約10
個の炭素原子を有し、好ましくは1〜約4個の炭素原子
を有するアルキルであり;R2は、好ましくは1〜約4個
の炭素原子を有し、さらに好ましくは2または3個の炭
素原子を有するアルキレン基であり;そしてnは1〜約1
0、好ましくは1〜約4、さらに好ましくは1または2
の数である。例としては、エチレンジアミン、トリエチ
レンテトラミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジ
アミンなどが挙げられる。2官能性エポキシ樹脂とアル
キレンポリアミンとの反応は一般に約25℃〜約100℃の
温度で行われ、一実施態様では約70℃〜約90℃である。
反応を完結するのに要する時間は所望の反応の程度に依
存するが、一般に約2〜約24時間であり、一実施態様で
は約2〜約4時間である。一実施態様において、反応成
分の一方または両方を、互いに反応させる前に、適切な
溶媒に溶かす。そのような溶媒の例には、メチルイソブ
チルケトン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエ
ン、アセトン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
上記のエポキシ接着剤組成物は、好ましくは、約10重量
%〜約40重量%、一実施態様では約20重量%〜約30重量
%の多官能性エポキシ(A);約40重量%〜約80重量%、
一実施態様では約55重量%〜約75重量%の組成物(B);
および約25重量%まで、一実施態様では約5重量%〜約
15重量%の補足付加物(C)を含有する。
物は、これらの組成物の接着特性を増強するために、有
効量の少なくとも1種類の低分子量2官能性エポキシ化
合物を含有する。これらの低分子量エポキシは、典型的
には約160〜約400、一実施態様では約200〜約250の範囲
の分子量を有する。一実施態様において、低分子量エポ
キシは次式により表される:
する上記のタイプの芳香族または環式脂肪族基であり、
単核性基(例えば、ベンゼン)が好ましく、そしてR1お
よびR2は、独立して、好ましくは1〜約6個の炭素原
子、一実施態様では1〜約3個の炭素原子を有するアル
キレンまたはアルキリデン基である。有用な低分子量2
官能性エポキシの例は、Arがベンゼン核であり、そして
R1およびR2が共にメチレンであるエポキシである;この
化合物は、Rhone PoulencよりHeloxy 69という商品名で
市販されている。これらの低分子量2官能性エポキシ
は、約10重量%まで、一実施態様では約5重量%までの
濃度で接着剤組成物中に存在する。
物はまた、これらの組成物の接着特性を増強するため
に、有効量の少なくとも1種類のフェノール性レゾール
を含有する。これらのレゾールは典型的には希釈した形
態で提供され、希釈液はエタノールのような適切な溶媒
であり、固形分含量は例えば約50重量%〜約70重量%で
ある。有用なフェノール性レゾールは、典型的には、15
0℃で約30〜約200秒のゲル時間(gel time)を有し、一実
施態様では150℃で約90〜約140秒である。有用な市販の
フェノール性レゾールには、PR-GNF-1(エタノール中に
60重量%の固形分含量を有し、そして150℃で90〜140秒
のゲル時間を有するものとして同定される、Sumitomo D
urezの製品)、およびArofene 536-E-56(Ashland Chemi
cal)が挙げられる。フェノール性レゾールは、約5重量
%まで、一実施態様では約3重量%までの濃度で接着剤
組成物中に存在する。
たはフェノール樹脂あるいはエポキシ樹脂の混合物であ
る場合、この層の厚みは、約1ミクロン(10,000Å)から
約50ミクロン(500,000Å)までの範囲であり得、このと
き特に、コーティングされたホイルはフェノール板紙に
積層される。このような層の厚みはしばしばグラム/メ
ートル2で表記され、約10〜約50グラム/メートル2の厚
みが好ましい。これらのより厚い層は一般にロールコー
ティングにより付与される。
記のエポキシ接着剤の付与は、典型的には、約15℃〜約
45℃、さらに頻繁には約20℃〜約30℃の温度で行われ
る。エポキシ接着剤を処理層に付与した後、表面の乾燥
を促進するため、約90℃〜約180℃、さらに頻繁には約1
40℃〜約170℃の温度まで、好ましくは約0.5〜約10分間
加熱することにより、エポキシ樹脂を半硬化(B段階)
する。一般に、乾燥は約1〜約5分で達成され得る。処
理層上のB段階のエポキシ接着剤の乾燥フィルムの厚み
は、約10,000〜500,000Åであり得る。
として有用なエポキシ樹脂混合物を例示する目的で提供
される。以下の実施例ならびに明細書および特許請求の
範囲を通じて特に指示のない限り、全ての部およびパー
セントは重量であり、全ての温度は摂氏であり、そして
全ての圧力は大気圧またはその付近である。
スフェノールAエポキシ樹脂として同定されるDow Chem
icalの製品)を55グラムのメチルイソブチルケトンに溶
解して一晩加熱し、エポキシ溶液を得る。メタ−アミノ
フェノール(9.3g)を20グラムのメチルイソブチルケト
ンに溶解して加熱し、試薬溶液を得る。試薬溶液をエポ
キシ溶液に加え、そして6時間で115℃まで加熱し、エ
ポキシ滴定により96%反応した生成物を得る。
ビスフェノールAエポキシ樹脂として同定されるDow Ch
emicalの製品)を75グラムのメチルイソブチルケトンに
溶解して一晩加熱し、エポキシ溶液を得る。メタ−アミ
ノフェノール(4.5g)を15グラムのメチルイソブチルケ
トンに溶解して加熱し、試薬溶液を得る。試薬溶液をエ
ポキシ溶液に加え、そして10.5時間で115℃まで加熱
し、エポキシ滴定により90%反応した生成物を得る。
すように、種々の多官能性エポキシと混合し、表に示す
接着剤処方物を得る。使用する多官能性エポキシは以下
である:MT 0163(4官能性エポキシ樹脂として同定さ
れるCiba Geigyの製品);Tactix 785(エポキシノボラ
ックとして同定されるDow Chemicalの製品);および DPS 164(エポキシノボラックとして同定されるShellの
製品)。
下が挙げられる:ベンゾトリアゾールおよびその誘導
体;有機酸の金属塩(例えば、クエン酸ナトリウムおよ
びカリウム);有機アミン;サイドリックアルキレンウ
レア(cydric alkylene ureas);オルトエステル;な
ど。無機接着促進層は、リンまたはクロム含有化合物を
包含し得る。
着促進層は、種々の有機金属化合物(例えば、ケイ素、
チタン、ジルコニウム、アルミニウムなどに基づいた化
合物)を包含し得る。
が市販されており、例えば、Kenrich Petrochemicals,
Inc.からはKen-React(登録商標)との商品名で市販され
ている。このタイプのチタネートには以下が挙げられ
る:モノアルコキシチタネート(例えば、イソプロピル
トリ(N-エチルアミノエチルアミノ)チタネート、イソプ
ロピルトリ-イソステアロイルチタネート、およびチタ
ニウムジ(ジオクチルピロホスフェート)オキシアセテー
ト);配位チタネート(例えば、テトライソプロピルジ
(ジオクチルホスファイト)チタネート);およびネオア
ルコキシチタネート(例えば、ネオアルコキシトリ(p-N
-(β-アミノエチル)アミノフェニル)チタネート)。他
のタイプには、キレート、4級および環ヘテロ原子チタ
ネートが挙げられる。 ジルコニウム接着促進剤はま
た、Kenrichから入手可能である。典型的なジルコネー
トには、ネオアルコキシトリスネオデカノイルジルコネ
ート、ネオアルコキシトリス(ドデカノイル)ベンゼン
スルホニルジルコネート、ネオアルコキシトリス(m-
アミノフェニル)ジルコネート、アンモニウムジルコニ
ウムカーボネート、およびジルコニウムプロピオネート
が挙げられる。
進層は少なくとも1種類の有機官能性シランを含む。PC
Bを作製するのに従来より用いられる任意のシラン化合
物が、本発明に使用され得る。一実施態様では、有機官
能性シランは次式により表されるシランカップリング剤
であり得る: R4-nSiXn (V) ここで、Rはアルキルまたはアリール基、あるいは次式
により表される官能基である: CxH2xY ここで、xは0〜20であり、そしてYは、アミノ、アミ
ド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カル
ボキシ、アシル、ビニル、アリル、スチリル、エポキ
シ、イソシアナート、グリシドキシ、およびアクリルオ
キシ基からなる群から選択され、 Xは、アルコキシ(例
えば、メトキシ、エトキシなど)、フェノキシ、アセト
キシなどまたはハロゲン(例えば、塩素)のような加水分
解可能な基であり;そしてnは1、2、3または4であ
り、好ましくはnは3である。式(V)により表されるシラ
ンカップリング剤には、ハロシラン、アミノアルコキシ
シラン、アミノフェニルシラン、フェニルシラン、複素
環式シラン、N-ヘテロ環シラン、アクリルシラン、およ
びメルカプトシランが挙げられる。2種またはそれ以上
のシランの混合物もまた有用である。一実施態様では、
XはORであり、ここでRは約5個までの炭素原子を含むア
ルキル基か、または約8個までの炭素原子を含むアリー
ル基である。他の実施態様では、xは0〜10、さらに頻
繁には1〜約5の整数である。
ンの例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルト
リメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリアセトキシシラン、などが挙げられる。
リメトキシシラン、1,3-ジビニルテトラメチルジシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポ
キシシラン、ビニルトリス(2-メトキシエトキシ)シラ
ン、およびビニルトリス(t-ブチルペルオキシ)シラン
が挙げられる。
るエポキシシランであり得る:
たは炭化水素基であり;R4およびR5は独立してアルキレ
ンまたはアルキリデン基であり;そしてR6、R7およびR8
は独立して炭化水素基である。炭化水素基は好ましくは
1〜約10個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約6個の
炭素原子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素原子を含
む。これらの炭化水素基は好ましくはアルキルである。
アルキレンまたはアルキリデン基であるR4およびR5は好
ましくは1〜約10個の炭素原子、さらに好ましくは1〜
約6個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素
原子、さらに好ましくは1または2個の炭素原子を含
む。アルキレンおよびアルキリデン基は、メチレン、エ
チレン、プロピレン基などであり得る。そのような化合
物の一例は次式により表される:
グ剤は、次式により表されるアクリルシランであり得
る:
たは炭化水素基であり;R4はアルキレンまたはアルキリ
デン基であり;そしてR5、R6およびR7は独立して炭化水
素基である。炭化水素基は好ましくは1〜約10個の炭素
原子、さらに好ましくは1〜約6個の炭素原子、さらに
好ましくは1〜約4個の炭素原子を含む。これらの炭化
水素基は好ましくはアルキル(例えば、メチル、エチ
ル、プロピルなど)である。アルキレンおよびアルキリ
デン基は好ましくは1〜約10個の炭素原子、さらに好ま
しくは1〜約6個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約
4個の炭素原子を含む。アルキレン基には、メチレン、
エチレン、プロピレン基などが挙げられる。そのような
化合物の一例は次式により表される:
表されるアミノシランであり得る:
たは炭化水素基であり;R3およびR5は独立してアルキレ
ンまたはアルキリデン基であり;R6、R7およびR8は独立
して炭化水素基であり;そしてnは0または1である。
炭化水素基は好ましくは1〜約10個の炭素原子、さらに
好ましくは1〜約6個の炭素原子、さらに好ましくは1
〜約4個の炭素原子を含む。これらの炭化水素基は好ま
しくはアルキル(例えば、メチル、エチル、プロピルな
ど)である。アルキレンおよびアルキリデン基は好まし
くは1〜約10個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約6
個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素原子
を含む。アルキレン基には、メチレン、エチレン、プロ
ピレン基などが挙げられる。そのようなシランの例は次
式により表されるものが挙げられる: H2NCH2CH2CH2Si(OC2H5) (VIIIA) H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3 (VIIIB) メルカプトシランカップリング剤は次式により表され得
る:
り;R2はアルキレンまたはアルキリデン基であり;そし
てR3、R4およびR5は独立して炭化水素基である。炭化水
素基は好ましくは1〜約10個の炭素原子、さらに好まし
くは1〜約6個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約4
個の炭素原子を含む。これらの炭化水素基は好ましくは
アルキル(例えば、メチル、エチル、プロピルなど)で
ある。アルキレンおよびアルキリデン基は好ましくは1
〜約10個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約6個の炭
素原子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素原子を含
む。これらの基は好ましくはアルキレン(例えば、メチ
レン、エチレン、プロピレン基など)である。そのよう
な化合物の一例は次式である: HSCH2CH2CH2Si(OCH3)3 (IXA) さらに他の実施態様において、シランカップリング剤は
次式により表され得る:
て水素または炭化水素基であり;R4、R6およびR8は独立
してアルキレンまたはアルキリデン基であり;各R9は独
立して炭化水素基であり;Arは芳香族基であり;そして
Xはハロゲンである。炭化水素基は好ましくは1〜約10
個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約6個の炭素原
子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素原子を含む。こ
れらの炭化水素基は好ましくはアルキル(例えば、メチ
ル、エチル、プロピルなど)である。アルキレンおよび
アルキリデン基は好ましくは1〜約10個の炭素原子、さ
らに好ましくは1〜約6個の炭素原子、さらに好ましく
は1〜約4個の炭素原子を含む。これらの基は好ましく
はアルキレン(例えば、メチレン、エチレン、プロピレ
ン基など)である。芳香族基Arは、単核性(例えば、フ
ェニレン)または多核性(例えば、ナフチレン)であり
得、単核基、特にフェニレンが好ましい。ハロゲンXは
好ましくは塩素または臭素であり、さらに好ましくは塩
素である。そのようなシランの例は次式により表され
る:
ング剤は次式により表され得る:
立して炭化水素基であり;R4はアルキレンまたはアルキ
リデン基であり;そしてnは0または1である。炭化水
素基は好ましくは1〜約10個の炭素原子、さらに好まし
くは1〜約6個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約4
個の炭素原子を含む。これらの炭化水素基は好ましくは
アルキル(例えば、メチル、エチル、プロピルなど)で
ある。アルキレンおよびアルキリデン基は好ましくは1
〜約10個の炭素原子、さらに好ましくは1〜約6個の炭
素原子、さらに好ましくは1〜約4個の炭素原子を含
む。これらの基は好ましくはアルキレン(例えば、メチ
レン、エチレン、プロピレン基など)である。そのよう
な化合物の例には、テトラエトキシシランおよび(CH3O)
3SiCH2CH2Si(OCH3)3が挙げられる。
カップリング剤としては、アミノプロピルトリメトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシエ
チル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-(N-ス
チリルメチル-2-アミノエチルアミン)プロピルトリメト
キシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、N-メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、2-(2
-アミノエチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシラ
ン、およびN-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラ
ン、ならびにそれらの混合物からなる群から選択される
カップリング剤が挙げられる。
グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびフェニ
ルトリエトキシシランである。前者と後者との重量比は
好ましくは約1:10〜約10:1、さらに好ましくは約
1:5〜約5:1の範囲であり、一実施態様における重
量比は約1:3である。
5:1の重量比の3-グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランおよびテトラエトキシシランである。一つの好ま
しい実施態様における重量比は約1:1である。
は、N-メチルアミノプロピルトリメトキシシランおよび
クロロプロピルトリメトキシシランである。前者と後者
との重量比は好ましくは約1:10〜約10:1、さらに好
ましくは約1:5〜約5:1の範囲であり、一実施態様
における重量比は約1:1である。
は、3-(N-スチリルメチル-2-アミノエチルアミノ)プロ
ピルトリメトキシシランおよびN-メチルアミノプロピル
トリメトキシシランである。前者と後者との重量比は好
ましくは約1:10〜約10:1、さらに好ましくは約1:
5〜約5:1の範囲であり、一実施態様における重量比
は約1:1である。
合物は、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびN-メチルアミノプロピルトリメトキシシランであ
る。前者と後者との重量比は好ましくは約1:10〜約1
0:1、さらに好ましくは約1:5〜約5:1の範囲で
あり、一実施態様における重量比は約1:3である。
る接着促進層は、公知の付与方法(これには、リバース
ロールコーティング、ドクターブレードコーティング、
ディップ、ペイント、スプレー、はけ塗、電着、蒸着な
どが含まれる)を用いて、蒸着処理層の付与後に基体お
よびホイルに付与され得る。これらの任意の方法により
付与され得る接着促進材料は、ニート(neat)であり得る
か、あるいは適切な媒体に分散または溶解され得る。接
着促進材料を付与するプロセスは、所望ならば、数回、
繰り返され得る。
な媒体中で蒸着処理表面に付与される。さらに特定する
と、シランカップリング剤は、水溶液、水およびアルコ
ールの混合物、または適切な有機溶媒の形態中に、ある
いはシランカップリング剤の水性エマルジョンとして、
あるいは適切な有機溶媒中のシランカップリング剤溶液
の水性エマルジョンとして、処理層に付与され得る。通
常の有機溶媒がシランカップリング剤に使用され得、こ
れには、例えば、アルコール、エーテル、ケトン、およ
び、これらと、脂肪族または芳香族炭化水素との混合
物、あるいはアミン(例えば、N,N-ジメチルホルムアミ
ド)との混合物が挙げられる。有用な溶媒は良好な湿潤
および乾燥特性を有する溶媒であり、これには、例え
ば、水、エタノール、イソプロパノール、およびメチル
エチルケトンが挙げられる。シランカップリング剤の水
性エマルジョンは、通常の分散剤および界面活性剤(非
イオン性分散剤を含む)を用いた通常の方法で形成され
得る。金属表面と、シランカップリング剤の水性エマル
ジョンとを接触させることが好都合であり得る。このよ
うな溶液またはエマルジョン中のシランカップリング剤
の濃度は、シランカップリング剤が約100重量%までで
あり得るが、好ましくは約0.1重量%〜約5重量%、さ
らに好ましくは約0.3重量%〜約1重量%の範囲であ
る。シランカップリング剤によるコーティングのプロセ
スは、所望ならば、数回、繰り返され得る。しかしなが
ら、1回のコーティング工程が一般に良好な結果を与え
る。
与は、典型的には約15℃〜約45℃、さらに好ましくは約
20℃〜約30℃の温度で行われる。シランカップリング剤
を付与した後、これは、表面の乾燥を促進するために、
約60℃〜約170℃、好ましくは約90℃〜150℃の温度に、
約0.1〜約5分間、さらに頻繁には約0.2〜約2分間加熱
され得る。シランカップリング剤層の乾燥フィルム厚は
一般に約4〜約200Åであり、さらに頻繁には約5〜40
Åである。
理層の上に少なくとも一つの接着促進層を含む本発明の
金属ホイルの実施態様が、図1〜4に例示されている。
図1は、金属ホイル11、金属ホイルの上にある蒸着層1
2、および蒸着層12の上にある接着促進層13を備えた、
本発明の金属ホイル10を例示している。
態様を例示しており、これは、金属ホイル21、金属ホイ
ル21の一方の面の上にある蒸着層22、蒸着層22の上にあ
る接着促進層24、および金属ホイル21の他方の面上の第
二の蒸着層23を備える。図2の金属ホイル21が、光沢面
および無光沢面を有する電着金属ホイルである場合、蒸
着層22は一般に金属ホイルの無光沢面の上にあり、そし
て蒸着層23は光沢面の上にある。
の実施態様を例示しており、ここで、このホイルは、ホ
イルの両面に蒸着層および接着促進層を有する。特に、
ホイル31は蒸着層32で一方の面がコーティングされ、蒸
着層33で他方の面がコーティングされている。接着促進
層34および35は、それぞれ、蒸着層33および32の上にあ
りかつ接着している。
の片面に付与されている、本発明の他の金属ホイル40を
例示している。特に、金属ホイル41を蒸着層43で片面を
コーティングし、次いで第二の蒸着層44を蒸着層43の上
に付与し、接着する。第三の蒸着材料層42をホイル41の
他方の面に付与する。最後に、接着促進層45および46
を、それぞれ、蒸着処理層44および42の上で接着させ
る。
は、ホイル両面の電着金属コーティング、無光沢面の電
着金属コーティング上の蒸着金属コーティング、および
蒸着層の上にありかつ接着している接着促進シラン層を
有する銅ホイルを備える。
ルを調製する方法を例示している。
標準プロファイル電着銅ホイルを、20%硫酸および1%
過酸化水素を含有する酸性水溶液中に65℃で約10秒間浸
漬することにより、清浄かつマイクロエッチングする。
次いでホイルを脱イオン水ですすぎ、そして乾燥する。
蒸着される金属のチップまたはホイルを、上記のよう
に、Edwards装置のタングステンまたはモリブデンボー
トの上にのせ、そして上記の清浄かつマイクロエッチン
グした銅ホイルをBellジャー(jar)の内側で蒸発源から
約5インチ上におき、蒸発を進行させる前に約10-4ミリ
バールまたはそれ以下に減圧を行う。約0.5〜約40分
間、一定の電流で金属を蒸発させる。蒸着プロセスが完
結した後、試料を評価するために装置から取り出す。
メトキシシランおよび0.25重量%のテトラエトキシシラ
ンを含有する水性溶液を調製し、そして蒸着層を有する
ホイルをこの溶液に30秒間浸漬することにより、ホイル
の両面をコーティングする。過剰の溶液を除去した後、
次いでシランコーティングしたホイルを約90℃で約1分
間オーブンで硬化する。いくつかの実施例では、ホイル
に金属を蒸着する前に、またはホイルに金属を蒸着した
後に、マイクロエッチングしたホイルを、酸化クロム(C
rO3)を含有する酸性水溶液中に浸漬し、クロムコーティ
ングを提供する。実施例A-Iの詳細を以下の表1にまと
める。
リーおよび双晶境界フリーであり、そして約10ミクロン
までの平均粒径を有する実質的に均一な無作為に配向し
たグレイン構造を有するコントロールされた低プロファ
イル電着銅ホイル(1オンス/フィート2)を未加工ホ
イルとすること以外は、実施例A〜Jの一般的方法を繰
り返す。さらに、以下の表2に示すように、蒸着層を、
3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(シラン−
1)、あるいは0.25重量%の3-グリシジルオキシプロピ
ルトリメトキシシランおよび0.25重量%のテトラエトキ
シシランの水中混合物(混合物−1)のいずれかでコー
ティングする。金属はホイルの無光沢面の上に蒸着され
ている。実施例J〜Sの詳細を以下の表2にまとめる。
れる方法は、金属を銅ホイルの光沢面に蒸着すること以
外は、実施例J〜Sの方法と同様である。実施例T〜W
の詳細を以下の表3にまとめる。
つ接着している少なくとも一つの蒸着処理層、および少
なくとも一つの処理層の上にありかつ接着している接着
促進材料層を有する本発明の金属ホイルは、その処理し
た銅ホイルを絶縁基板に結合することにより、積層体を
形成するのに特に有用である。このような積層体は、処
理した銅ホイルに寸法安定性および構造安定性を与え
る。ホイル上に蒸着処理層と接着促進層とを組み合わせ
ることによって、銅ホイルと絶縁基板との間の結合およ
び剥離強度が増強される。蒸着処理層および接着促進層
を有する本発明の金属ホイルの一つの利点は、蒸着処理
層を付与する前にホイル表面に追加のラフニングをする
ことなく、十分な結合および剥離強度が得られ得ること
である。金属ホイルが、標準プロファイル表面または低
プロファイル表面を有し得るか、あるいは極低プロファ
イル表面を有し得る場合でも、蒸着処理層および接着促
進層が存在することによって、所望の剥離強度が得られ
る。本発明のホイルに関して、無光沢面または光沢面の
いずれかが絶縁基板に有効に結合し得る。
常はエポキシ樹脂であり、例えば、2官能性、4官能性
および多官能性エポキシが挙げられる)に織物ガラス(w
ovenglass)強化材料を含浸することにより調製され得
る。他の有用な樹脂には、ホルムアルデヒドと尿素との
反応またはホルムアルデヒドとメラミンとの反応から生
成するアミノタイプ樹脂、ポリエステル、フェノール樹
脂、シリコーン、ポリアミド、ポリイミド、ジアリルフ
タレート、フェニルシラン、ポリベンズイミダゾール、
ジフェニルオキシド、ポリテトラフルオロエチレン、シ
アネートエステル、などが挙げられる。これらの絶縁基
板はときどきプリプレグと称される。
よび銅ホイルの両方が、ロールに巻き上げられた長いウ
ェブ材料の形態で提供されるのが有用である。一実施態
様では、これらのホイルおよびプリプレグの長いウェブ
は、連続的なプロセスにより積層される。このプロセス
では、積層条件下で、1つまたは複数の蒸着処理層およ
び1つまたは複数の接着促進層が接着した本発明のホイ
ルの連続したウェブを、プリプレグ材料の連続したウェ
ブと接触させ、このときホイルの接着層がプリプレグ材
料と接触することにより積層構造体が形成される。次い
で、この積層構造体を長方形のシートに切り出し、次い
でこれらの長方形のシートをそのままにしておくか、ま
たは多数のアセンブリ(assemblages)で組み立てる。
プリプレグ材料の長いウェブを長方形のシートに切り出
し、次いで積層する。このプロセスでは、本発明ホイル
の長方形シートおよびプリプレグ材料の長方形シートを
そのままにしておくか、または多数のアセンブリで組み
立てる。
の両面にあるホイルシートとを備え得、その各々につい
て、接着促進層が接着している銅ホイルシートの面(す
なわち、どちらか一方の面)がプリプレグと隣接するよ
うに配置される。このアセンブリを、積層プレスのプレ
ート間で従来の積層温度および圧力下に曝すことによ
り、プリプレグのシートが銅ホイルシートの間に挟まれ
たサンドイッチを包含する積層体を調製し得る。
含浸した織物ガラス強化繊維からなり得る。熱および圧
力をかける際には、銅ホイルをプリプレグに対してしっ
かりとプレスする。そしてアセンブリが受ける温度が樹
脂を活性化し、硬化、すなわち樹脂の架橋を引き起こ
し、従ってプリプレグ絶縁基板に対するホイルの強固な
結合が形成される。一般に、積層工程には、約200〜約7
50psi、さらに頻繁には200〜500psiの範囲の圧力、約70
℃〜400℃、さらに頻繁には約70℃〜約200℃の範囲の温
度、および約数分〜約2時間の積層サイクルが含まれ
る。次いで、仕上がった積層体をプリント回路板(PCB)
を作製するのに使用し得る。
板を作製するプロセスの一部として、銅のサブトラクテ
ィブエッチングプロセスに共し、導電性のラインまたは
導電性のパターンを形成する。次いで、上記の技法を用
いて、第二の接着促進層をエッチングパターンの上に付
与し、次いで第二のプリプレグをエッチングパターンと
接着する;第二の接着促進層は、エッチングパターンと
第二のプリプレグとの間に位置し、かつその両方と接着
している。多層回路板を作製する技法は当該分野におい
て周知である。同様に、エッチングプロセスも周知であ
り、その例が米国特許第5,017,271号に開示されてお
り、この文献は本明細書中に参考として援用されてい
る。
得られた積層体を、図5および6に例示する。図5の積
層体50は、金属ホイル51の一方の面の上にありかつ接着
している蒸着処理層52、および金属ホイル51の他方の面
の上にありかつ接着している第二の蒸着処理層53を有す
る金属ホイル51を備える。接着促進層54は蒸着処理層52
の上にあり、かつ接着しており、そして絶縁基板55が処
理層52の方と結合している。
がさらに接着促進層65を含むこと以外は、図5に例示さ
れる構造と同一である。従って、図6は、金属ホイル61
の一方の面上に蒸着処理層63、および他方の面上に蒸着
処理層62を有する金属ホイル61を備えた、本発明の金属
ホイル60を例示している。接着促進層64および65は、そ
れぞれ、蒸着処理層63および62の上にあり、かつ接着し
ている。絶縁基板66は接着促進層64の上にあり、かつ結
合している。
造方法が用いられる。さらに、PCBには無数の可能な最
終用途(これには、ラジオ、テレビ、コンピュータなど
が含まれる)がある。これらの方法および最終用途は当
該分野において公知である。
理層および1つまたは複数の接着促進層が接着を増強す
るだけでなく、特に、蒸着層が電着銅ホイルの光沢面の
上にある場合、処理ホイルの耐酸化特性も増強すること
である。この後者の特性は、産業の動向がより迅速かつ
高温のプロセスを行うという事実により、特に価値があ
る。他の利点は、蒸着処理層および接着促進層が処理ホ
イルの耐酸浸食性(acid undercutting resistance)を増
強することである。
ば、多官能性エポキシプリプレグおよび2官能性エポキ
シプリプレグ)との間の接着性が向上したことは、上記
実施例のいくつかの処理銅ホイルをプリプレグに積層
し、そして通常の剥離強度試験機IPC TM-650を用い、積
層体の初期剥離強度をポンド/インチで評価することに
より、実証される。比較のために、それぞれについて、
未反応の(未加工の)ホイルもまたプリプレグに積層
し、そして評価する。いくつかのこれらの試験の結果を
以下の表4にまとめる。
た例は、積層前にシラン接着促進層を蒸着層の上に付与
しなかったこと以外は、参照した実施例と対応してい
る。例えば、コントロール例Aは、ホイル層、蒸着アル
ミニウム層、およびアルミニウム層と結合しているそこ
に示されたプリプレグを備えた積層体である。実施例A
の積層体は、銅ホイル、アルミニウム層、アルミニウム
層の上のシラン層、およびシラン層の上のプリプレグを
備えている。
の上にありかつ接着している少なくとも一つの蒸着処理
層、および少なくとも一つの処理層の上にありかつ接着
している接着促進材料層を有する金属基体に関し、ただ
し、二つの処理層が該基体の一方の面上に付与され、か
つ第一の層が蒸着した亜鉛である場合、第二の層は蒸着
したシリカまたはアルミナではなく、該接着促進材料
は、該基体と他の基板との接着を増強するのに適してい
る。本発明はまた、金属ホイル、および該金属ホイルの
少なくとも一方の面の上にありかつ接着している少なく
とも一つの蒸着処理層;少なくとも一つの蒸着処理層の
上にありかつ接着している接着促進材料層;ならびに該
接着促進層の上にありかつ接着している非導電性材料層
を備えた積層体に関する。
明してきたが、それらの種々の変更が本明細書を読むこ
とにより当業者に明らかとなることが理解される。従っ
て、本明細書中に開示された発明は、特許請求の範囲の
範囲内にあるような変更を含むことを意図していること
が理解される。
つの蒸着層および1つの接着促進層を備えている。
る。
る。
る。
る。
る。
Claims (55)
- 【請求項1】 金属基体の少なくとも一方の面の上に設
けられかつ接着している少なくとも一つの蒸着処理層、
および少なくとも一つの処理層の上に設けられかつ接着
している接着促進材料層を有する金属基体であって、該
接着促進材料は、該基体と他の基板との接着を増強する
のに適しており、ただし、二つの処理層が該基体の一方
の面上に付与され、かつ第一の層が蒸着した亜鉛である
場合、第二の層は蒸着したシリカまたはアルミナを含ま
ない、金属基体。 - 【請求項2】 金属ホイルである、請求項1に記載の金
属基体。 - 【請求項3】 少なくとも一つの処理層が、少なくとも
一つの蒸着金属層を包含する、請求項1に記載の金属基
体。 - 【請求項4】 銅ホイルである、請求項1に記載の金属
基体。 - 【請求項5】 電着銅ホイルである、請求項2に記載の
金属ホイル。 - 【請求項6】 実質的に均一な無作為に配向したグレイ
ン構造を有するコントロールされた低プロファイル電着
銅ホイルであり、該グレイン構造が、本質的に柱状グレ
インフリーかつ双晶境界フリーであり、そして約10ミク
ロンまでの平均粒径を有する、請求項5に記載の銅ホイ
ル。 - 【請求項7】 好ましい配向ならびに変色および双晶境
界を包含する高密度結晶欠陥の柱状グレイン構造を有
し、かつ約20ミクロンまでの平均粒径を有する、標準プ
ロファイル電着銅ホイルである、請求項5に記載の銅ホ
イル。 - 【請求項8】 加工した銅ホイルである、請求項2に記
載の金属ホイル。 - 【請求項9】 メッキまたはアニーリングした電着銅ホ
イルである、請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項10】 ローリングまたはアニーリングした加
工銅ホイルである、請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項11】 少なくとも一つの処理層が、前記ホイ
ルの少なくとも一方の面上の少なくとも一つの蒸着金属
層を包含する、請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項12】 前記金属ホイルの両面上に設けられか
つ接着している少なくとも一つの蒸着金属層を有する、
請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項13】 前記金属ホイルの両面上に設けられか
つ接着している少なくとも一つの蒸着金属層、および該
金属ホイルの両面上の該金属層の上に設けられかつ接着
している接着促進材料層を有する、請求項2に記載の金
属ホイル。 - 【請求項14】 光沢面および無光沢面を有する電着銅
ホイルであり、そして少なくとも一つの蒸着金属層が、
該銅ホイルの無光沢面の上に設けられかつ接着してい
る、請求項11に記載の金属ホイル。 - 【請求項15】 前記金属層中の金属が、マグネシウ
ム、アルミニウム、チタン、クロム、銅、ビスマス、マ
ンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、インジウム、ス
ズ、モリブデン、銀、金、タングステン、ジルコニウ
ム、アンチモン、クロム−亜鉛合金、黄銅、青銅、およ
びこれらの金属の2種またはそれ以上の組み合わせから
なる群から選択される、請求項11に記載の金属ホイ
ル。 - 【請求項16】 前記無光沢面の上の金属層の金属が、
インジウム、スズ、コバルト、ニッケル、銅、マンガ
ン、クロム、チタン、ビスマス、亜鉛、および亜鉛−ク
ロム合金、ならびにこれらの金属の2種またはそれ以上
の組み合わせからなる群から選択される、請求項14に
記載の金属ホイル。 - 【請求項17】 蒸着金属層がさらに前記銅ホイルの光
沢面の上に設けられかつ接着しており、そして該金属層
の金属が、インジウム、マグネシウム、アルミニウム、
銅、亜鉛、クロム、スズ、ニッケル、コバルト、および
亜鉛−クロム合金、ならびにこれらの金属の2種または
それ以上の組み合わせを包含する群から選択される、請
求項14に記載の金属ホイル。 - 【請求項18】 前記接着促進層が蒸着により付与され
る、請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項19】 前記接着促進材料が有機材料である、
請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項20】 前記接着促進層が、熱硬化性または熱
可塑性ポリマーおよびコポリマー、ならびにそれらの組
み合わせを包含する、請求項2に記載の金属ホイル。 - 【請求項21】 前記接着促進材料が、エポキシ樹脂、
有機官能性シラン、ホルムアルデヒド樹脂、ポリエステ
ル樹脂、またはそれらの混合物を含有する、請求項2に
記載の金属ホイル。 - 【請求項22】 前記接着促進材料が少なくとも1種類
の有機金属化合物である、請求項2に記載の金属ホイ
ル。 - 【請求項23】 前記接着促進材料が、次式により表さ
れる少なくとも1種類の有機シラン化合物である、請求
項2に記載の金属ホイル: R4-nSiXn ここで、Rはアルキルまたはアリール基、あるいは次式
により表される官能基である: CxH2xY ここで、xは0から20であり、そしてYは、アミノ、アミ
ド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カル
ボキシ、アリール、ビニル、アリル、スチリル、エポキ
シ、イソシアナート、グリシドキシ、およびアクリルオ
キシ基からなる群から選択され;Xは加水分解可能な基
であり;そしてnは1、2、3または4である。 - 【請求項24】 nが1、2または3であり、そしてxが
1から5である、請求項23に記載の金属ホイル。 - 【請求項25】 各XがRO基であり、各Rが1から約5個
の炭素原子を含むアルキル基である、請求項23に記載
の金属ホイル。 - 【請求項26】 前記金属層の下にある前記ホイルのベ
ース表面が、いかなる追加の表面ラフニングもしていな
いことにより特徴づけられる、請求項11に記載の金属
ホイル。 - 【請求項27】 銅または酸化銅の少なくとも一つの粗
い層が、ホイルと、第一の前記少なくとも一つの蒸着処
理層との間に配置される、請求項2に記載の金属ホイ
ル。 - 【請求項28】 前記金属層の厚みが約10Åから約3000
Åである、請求項11に記載の金属ホイル。 - 【請求項29】 前記接着促進層が、次式により表され
る少なくとも1種のエポキシシランを含有する、請求項
2に記載の金属ホイル: 【化1】 ここで、R1、R2およびR3は独立して水素または炭化水素
基であり;R4およびR5は独立してアルキレンまたはアル
キリデン基であり;そしてR6、R7およびR8は独立して炭
化水素基である。 - 【請求項30】 前記少なくとも一つの蒸着金属層が、
前記接着促進層を付与する前に、80℃から800℃の高温
にさらされる、請求項11に記載の金属ホイル。 - 【請求項31】 前記ホイルの少なくとも一方の面が2
つの蒸着金属層を有し、各層の金属が異なる、請求項1
1に記載の金属ホイル。 - 【請求項32】 銅ホイルの少なくとも一方の面の上に
設けられかつ接着している少なくとも一つの蒸着金属
層、および少なくとも一つの金属層の上に設けられかつ
接着している有機接着促進材料層を有する、電着または
加工銅ホイルであって、該接着促進層は、該ホイルと他
の基板との接着を増強するのに適しており、そして該金
属層は、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロ
ム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ビスマス、亜
鉛、インジウム、スズ、モリブデン、アンチモン、ジル
コニウム、銀、金、クロム−亜鉛合金、黄銅、青銅、お
よびこれらの金属の2種またはそれ以上の組み合わせ、
ならびに金属酸化物からなる群から選択される金属、金
属酸化物、金属窒化物、またはそれらの組み合わせを含
み;ただし、該ホイルが一方の面上に二つの金属層を有
する場合、第一の層が亜鉛を含むときは、第二の層は蒸
着したアルミナまたはシリカを含まない、銅ホイル。 - 【請求項33】 電着ホイルである、請求項32に記載
の銅ホイル。 - 【請求項34】 無光沢面および光沢面を有し、そして
少なくとも一つの蒸着金属障壁層が、銅ホイルの少なく
とも該無光沢面の上に設けられかつ接着している、請求
項33に記載の銅ホイル。 - 【請求項35】 無光沢面および光沢面を有し、そして
前記蒸着金属層が前記銅ホイルの両面の上に設けられか
つ接着している、請求項33に記載の銅ホイル。 - 【請求項36】 接着促進層が、前記ホイルの両面上の
蒸着金属層の上に設けられかつ接着している、請求項3
5に記載の銅ホイル。 - 【請求項37】 前記無光沢面上の金属層の金属が、イ
ンジウム、亜鉛、スズ、コバルト、銅、ニッケル、マン
ガン、クロム、チタン、ビスマス、および亜鉛−クロム
合金、ならびにこれらの金属の2種またはそれ以上の組
み合わせからなる群から選択される、請求項34に記載
の銅ホイル。 - 【請求項38】 前記蒸着金属層の下にある銅ホイルの
ベース表面が、いかなる追加の表面ラフニングもしてい
ないことにより特徴づけられる、請求項29に記載の銅
ホイル。 - 【請求項39】 銅または酸化銅の粗い層が、前記銅ホ
イルの少なくとも一方の面と、前記蒸着金属層との間に
配置される、請求項33記載の銅ホイル。 - 【請求項40】 実質的に均一な無作為に配向したグレ
イン構造を有するコントロールされた低プロファイル電
着銅ホイルであり、該グレイン構造が、本質的に柱状グ
レインフリーかつ双晶境界フリーであり、そして約10ミ
クロンまでの平均粒径を有する、請求項32に記載の銅
ホイル。 - 【請求項41】 好ましい配向ならびに変色および双晶
境界を包含する高密度結晶欠陥の柱状グレイン構造を有
し、かつ約20ミクロンまでの平均粒径を有する、標準プ
ロファイル電着銅ホイルである、請求項32に記載の銅
ホイル。 - 【請求項42】 前記有機接着促進材料が、エポキシ樹
脂、ホルムアルデヒド樹脂、ポリエステル樹脂、または
それらの混合物を含有する、請求項32に記載の金属ホ
イル。 - 【請求項43】 前記接着促進層が、少なくとも1種の
有機金属化合物を含有する、請求項32に記載の金属ホ
イル。 - 【請求項44】 前記有機金属化合物が、次式により表
される少なくとも1種の有機シラン化合物を包含する、
請求項43に記載の金属ホイル: R4-nSiXn ここで、Rはアルキルまたはアリール基、あるいは次式
により表される官能基である: CxH2xY ここで、xは0から20であり、そしてYは、アミノ、アミ
ド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カル
ボキシ、アリール、ビニル、アリル、スチリル、エポキ
シ、イソシアナート、グリシドキシ、およびアクリルオ
キシ基からなる群から選択され;Xは加水分解可能な基
であり;そしてnは1、2、3または4である。 - 【請求項45】 前記接着促進層が蒸着により付与され
る、請求項32に記載の銅ホイル。 - 【請求項46】 化学的または物理的に処理することに
よりエッチングしたか、または電気化学的に金属コーテ
ィングを析出した少なくとも一方の面、エッチングした
かまたは電気化学的に析出した少なくとも一方のコーテ
ィングの上に設けられかつ接着している少なくとも一つ
の蒸着処理層、および少なくとも一つの蒸着処理層の上
に設けられかつ接着している接着促進材料層を有する金
属基体であって、該接着促進層の材料が、該基体と他の
基板との接着を増強するのに適している、金属基体。 - 【請求項47】 金属ホイルである、請求項46に記載
の金属基体。 - 【請求項48】 銅ホイルである、請求項46に記載の
金属基体。 - 【請求項49】 以下を備える積層体: (A)金属ホイル; (B)該金属ホイルの少なくとも一方の面の上に設けられ
かつ接着している少なくとも一つの蒸着処理層; (C)少なくとも一つの蒸着処理層の上に設けられかつ接
着している接着促進材料層;および (D)該接着促進層の上に設けられかつ接着している非導
電性材料層。 - 【請求項50】 前記処理層の少なくとも一つが、蒸着
金属層である、請求項49に記載の積層体。 - 【請求項51】 少なくとも一つの金属層が、前記金属
ホイルの各面の上に設けられかつ接着している、請求項
50に記載の積層体。 - 【請求項52】 少なくとも一つの金属層が、前記金属
ホイルの両面の上に設けられかつ接着しており、そして
接着促進層が、該両面上の金属層の上に設けられかつ接
着している、請求項50に記載の積層体。 - 【請求項53】 前記金属ホイルが銅ホイルである、請
求項49に記載の積層体。 - 【請求項54】 以下を備える、エッチングした積層
体: (A)一方の面がエッチングされた導電性金属ホイル; (B)該導電性金属ホイルの他方の面の上に設けられかつ
接着している少なくとも一つの蒸着処理層; (C)該少なくとも一つの処理層の上に設けられかつ接着
している接着促進材料層;および (D)該接着促進層の上に設けられかつ接着している非導
電性材料層。 - 【請求項55】 以下を備える、エッチングした多層積
層体: (A)対置した第一および第二の面を有する、エッチング
した導電性金属ホイル; (B)該金属ホイルの第一および第二の面の上に設けられ
かつ接着している蒸着金属層; (C)該二つの金属層の上に設けられかつ接着している接
着促進材料層;および (D)該二つの接着促進層の上に設けられかつ接着してい
る非導電性材料層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23282094A | 1994-04-22 | 1994-04-22 | |
| US08/232,820 | 1994-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0841625A true JPH0841625A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=22874747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7097326A Pending JPH0841625A (ja) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | 蒸着処理層および接着促進層を有する金属基体 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5709957A (ja) |
| EP (1) | EP0678596A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0841625A (ja) |
| KR (1) | KR100339001B1 (ja) |
| CN (1) | CN1088006C (ja) |
| AU (1) | AU1782695A (ja) |
| BR (1) | BR9501605A (ja) |
| CA (1) | CA2147334A1 (ja) |
| RU (1) | RU95106679A (ja) |
| TW (1) | TW289900B (ja) |
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- 1995-04-20 BR BR9501605A patent/BR9501605A/pt not_active Application Discontinuation
- 1995-04-21 CN CN95104712A patent/CN1088006C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-21 JP JP7097326A patent/JPH0841625A/ja active Pending
- 1995-04-21 RU RU95106679/02A patent/RU95106679A/ru unknown
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| BR9501605A (pt) | 1995-12-19 |
| TW289900B (ja) | 1996-11-01 |
| AU1782695A (en) | 1995-11-02 |
| EP0678596A1 (en) | 1995-10-25 |
| US6248401B1 (en) | 2001-06-19 |
| KR950032705A (ko) | 1995-12-22 |
| CN1112877A (zh) | 1995-12-06 |
| RU95106679A (ru) | 1996-12-27 |
| US5709957A (en) | 1998-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040630 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060323 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060323 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060424 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060428 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070518 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070709 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080215 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090602 |