JPH084209B2 - 高周波減衰回路及び高周波減衰回路より成る高周波切換回路 - Google Patents
高周波減衰回路及び高周波減衰回路より成る高周波切換回路Info
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- JPH084209B2 JPH084209B2 JP61081907A JP8190786A JPH084209B2 JP H084209 B2 JPH084209 B2 JP H084209B2 JP 61081907 A JP61081907 A JP 61081907A JP 8190786 A JP8190786 A JP 8190786A JP H084209 B2 JPH084209 B2 JP H084209B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、短波乃至マイクロ波領域における通信機又
は放送機等の高周波信号の減衰に好適な高周波減衰回路
及び上記波長領域における高周波回路の切換に好適な高
周波切換回路に関するものである。
は放送機等の高周波信号の減衰に好適な高周波減衰回路
及び上記波長領域における高周波回路の切換に好適な高
周波切換回路に関するものである。
従来の技術 第９図は、従来の高周波減衰回路の一例を示す結線図
で、D1はピンダイオード、C1及びC2は直流阻止コンデン
サ、L1は高周波阻止コイル、T1及びT2は入出力端子、L2
は高周波阻止コイルで、高周波バイパスコンデンサC3と
共に高周波阻止回路を形成する。R1は電流制限抵抗、T3
はバイアス電圧印加端子である。
で、D1はピンダイオード、C1及びC2は直流阻止コンデン
サ、L1は高周波阻止コイル、T1及びT2は入出力端子、L2
は高周波阻止コイルで、高周波バイパスコンデンサC3と
共に高周波阻止回路を形成する。R1は電流制限抵抗、T3
はバイアス電圧印加端子である。
端子T3に正バイアス電圧を加え、その大きさを変えて
ピンダイオードD1に流れる順方向バイアス電流を変化せ
しめると、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が変化
し、この変化に応じて端子T1に加えられる高周波信号を
減衰せしめる。
ピンダイオードD1に流れる順方向バイアス電流を変化せ
しめると、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が変化
し、この変化に応じて端子T1に加えられる高周波信号を
減衰せしめる。
第10図は、第９図に示した従来の高周波減衰回路を２
回路、共通端子に並列接続して形成した従来の切換スイ
ッチング回路の一例を示す結線図で、D11及びD21はピン
ダイオード、C12及びC22は直流阻止コンデンサ、L12及
びL22は高周波阻止コイル、C13及びC23は高周波バイパ
スコンデンサ、R11及びR21は電流制限抵抗、T13及びT23
はバイアス電圧印加端子、T12及びT22は入出力端子、TC
は共通入出力端子、CCは共通高周波結合コンデンサ、LC
は共通高周波阻止コイルで、これらの構成は第９図と同
様である。
回路、共通端子に並列接続して形成した従来の切換スイ
ッチング回路の一例を示す結線図で、D11及びD21はピン
ダイオード、C12及びC22は直流阻止コンデンサ、L12及
びL22は高周波阻止コイル、C13及びC23は高周波バイパ
スコンデンサ、R11及びR21は電流制限抵抗、T13及びT23
はバイアス電圧印加端子、T12及びT22は入出力端子、TC
は共通入出力端子、CCは共通高周波結合コンデンサ、LC
は共通高周波阻止コイルで、これらの構成は第９図と同
様である。
バイアス電圧印加端子T13及びT23の中、例えば端子T
13に正バイアス電圧を加え、端子T23に零電圧を加える
と、ピンダイオードD11の内部高周波抵抗が低下し、ピ
ンダイオードD21の内部高周波抵抗は高抵抗に保たれ、
逆に、端子T13に零電圧を加え、端子T23に正バイアス電
圧を加えると、ピンダイオードD11の内部高周波抵抗が
高抵抗に保たれ、ピンダイオードD21の内部高周波抵抗
が低下するから、例えば共通入出力端子TCに加えられた
高周波信号は入出力端子T12又はT22から選択的に取り出
される。
13に正バイアス電圧を加え、端子T23に零電圧を加える
と、ピンダイオードD11の内部高周波抵抗が低下し、ピ
ンダイオードD21の内部高周波抵抗は高抵抗に保たれ、
逆に、端子T13に零電圧を加え、端子T23に正バイアス電
圧を加えると、ピンダイオードD11の内部高周波抵抗が
高抵抗に保たれ、ピンダイオードD21の内部高周波抵抗
が低下するから、例えば共通入出力端子TCに加えられた
高周波信号は入出力端子T12又はT22から選択的に取り出
される。
第11図も亦従来の高周波減衰回路の一例を示す結線図
で、この回路においては入出力端子T1及びT2間にピンダ
イオードD11及びD12を互いに直列に挿入すると共に、ピ
ンダイオードD11及びD12間を接続する線路の長さを電気
長でλ/4（λは伝送波長）に選んで位相回路を形成して
ある。他の符号を付した素子は第９図における同符号の
素子と同様の素子である。
で、この回路においては入出力端子T1及びT2間にピンダ
イオードD11及びD12を互いに直列に挿入すると共に、ピ
ンダイオードD11及びD12間を接続する線路の長さを電気
長でλ/4（λは伝送波長）に選んで位相回路を形成して
ある。他の符号を付した素子は第９図における同符号の
素子と同様の素子である。
端子T3に正バイアス電圧を加えてピンダイオードD12
及びD11に順方向バイアス電流を流すと、この電流の大
きさに応じてピンダイオードD12及びD11の内部高周波抵
抗が変化し、例えば端子T1に加えられる高周波信号を減
衰せしめるが、この回路は高周波減衰回路を２段縦続接
続した回路と等価となり、第９図に示した回路に比し減
衰特性を向上せしめることが出来る。
及びD11に順方向バイアス電流を流すと、この電流の大
きさに応じてピンダイオードD12及びD11の内部高周波抵
抗が変化し、例えば端子T1に加えられる高周波信号を減
衰せしめるが、この回路は高周波減衰回路を２段縦続接
続した回路と等価となり、第９図に示した回路に比し減
衰特性を向上せしめることが出来る。
第12図は、第11図に示した高周波減衰回路を２回路、
共通端子に並列接続して形成した従来の切換スイッチン
グ回路の一例を示す結線図で、D111及びD112、D211及び
D212はピンダイオードで、それぞれλ/4線路を介して互
いに直列に接続してある。他の符号は第10図及び第11図
と同様である。
共通端子に並列接続して形成した従来の切換スイッチン
グ回路の一例を示す結線図で、D111及びD112、D211及び
D212はピンダイオードで、それぞれλ/4線路を介して互
いに直列に接続してある。他の符号は第10図及び第11図
と同様である。
端子T13（又はT23）は正バイアス電圧を加えると共
に、端子T23（又はT13）に零電圧を加えると、ピンダイ
オードD111及びD112（又はD211及びD212）の内部高周波
抵抗が低下し、ピンダイオードD211及びD212（又はD111
及びD112）の内部高周波抵抗が高抵抗に保たれ、共通端
子TCに加えられた高周波信号が端子T12（又はT22）から
選択的に取り出される。
に、端子T23（又はT13）に零電圧を加えると、ピンダイ
オードD111及びD112（又はD211及びD212）の内部高周波
抵抗が低下し、ピンダイオードD211及びD212（又はD111
及びD112）の内部高周波抵抗が高抵抗に保たれ、共通端
子TCに加えられた高周波信号が端子T12（又はT22）から
選択的に取り出される。
発明が解決しようとする問題点 第９図及び第10図に示した従来の回路においては、ピ
ンダイオードの内部高周波抵抗を高抵抗となした場合に
おいても減衰量が小なる欠点を有し、第11図及び第12図
に示した従来の回路においては、ピンダイオードの内部
高周波抵抗を高抵抗となした場合、ピンダイオード間に
介在せしめたλ/4線路より成る位相回路のλに一致する
波長の信号に対する減衰量は大であるが、この位相回路
の有する大なる周波数特性のために広帯域に亙って減衰
量を大ならしめ得ない欠点を有する。
ンダイオードの内部高周波抵抗を高抵抗となした場合に
おいても減衰量が小なる欠点を有し、第11図及び第12図
に示した従来の回路においては、ピンダイオードの内部
高周波抵抗を高抵抗となした場合、ピンダイオード間に
介在せしめたλ/4線路より成る位相回路のλに一致する
波長の信号に対する減衰量は大であるが、この位相回路
の有する大なる周波数特性のために広帯域に亙って減衰
量を大ならしめ得ない欠点を有する。
第９図に示した回路のピンダイオードD1に順方向バイ
アス電流を流した場合におけるD1の内部高周波抵抗は、
一般にほぼ１Ωであり、順方向バイアス電流を流さない
場合におけるピンダイオードD1の内部高周波抵抗は、ほ
ぼ5000Ωであるから、端子T1及びT2に接続される線路の
特性インピーダンスを50Ωに選ぶと、ピンダイオードD1
に順方向バイアス電流を流した場合におけるD1の内部高
周波抵抗１Ωを線路の特性インピーダンス50Ωで正規化
した値は0.02となるから、このときにおける第９図の回
路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Liは、 順方向バイアス電流を流さない場合におけるピンダイ
オードD1の抵抗5000Ωを線路の特性インピーダンス50Ω
で正規化した値は100であるから、この場合における第
９図の回路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Ｌ∞iは、 第11図に示した回路においてピンダイオードD11及びD
12の内部高周波抵抗を最低ならしめた場合における回路
の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Liは、 ピンダイオードD11及びD12の内部高周波抵抗を最高に
した場合における回路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Ｌ∞iは、 問題点を解決するための手段、実施例 第１図は、本発明の一実施例を示す結線図で、T1は入
力（又は出力）端子、T2は出力（又は入力）端子、T3は
バイアス電圧引加端子、C1は第１の直流阻止コンデン
サ、C2は第２の直流阻止コンデンサ、D1は第１のピンダ
イオード（pin-diode）、D2は第２のピンダイオード、L
1は第１の高周波阻止コイル、L2は第２の高周波阻止コ
イル、R1は第１の電流制限抵抗、R2は第２の電流制限抵
抗、R3は第３の電流制限抵抗、R4は第４の電流制限抵抗
で、この中、第２の電流制限抵抗R2は可変抵抗より成
る。C3は第１のバイパスコンデンサ、C4は第２のバイパ
スコンデンサ、C5は第３のバイパスコンデンサである。
アス電流を流した場合におけるD1の内部高周波抵抗は、
一般にほぼ１Ωであり、順方向バイアス電流を流さない
場合におけるピンダイオードD1の内部高周波抵抗は、ほ
ぼ5000Ωであるから、端子T1及びT2に接続される線路の
特性インピーダンスを50Ωに選ぶと、ピンダイオードD1
に順方向バイアス電流を流した場合におけるD1の内部高
周波抵抗１Ωを線路の特性インピーダンス50Ωで正規化
した値は0.02となるから、このときにおける第９図の回
路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Liは、 順方向バイアス電流を流さない場合におけるピンダイ
オードD1の抵抗5000Ωを線路の特性インピーダンス50Ω
で正規化した値は100であるから、この場合における第
９図の回路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Ｌ∞iは、 第11図に示した回路においてピンダイオードD11及びD
12の内部高周波抵抗を最低ならしめた場合における回路
の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Liは、 ピンダイオードD11及びD12の内部高周波抵抗を最高に
した場合における回路の基本マトリクスは、 この場合における回路の減衰量Ｌ∞iは、 問題点を解決するための手段、実施例 第１図は、本発明の一実施例を示す結線図で、T1は入
力（又は出力）端子、T2は出力（又は入力）端子、T3は
バイアス電圧引加端子、C1は第１の直流阻止コンデン
サ、C2は第２の直流阻止コンデンサ、D1は第１のピンダ
イオード（pin-diode）、D2は第２のピンダイオード、L
1は第１の高周波阻止コイル、L2は第２の高周波阻止コ
イル、R1は第１の電流制限抵抗、R2は第２の電流制限抵
抗、R3は第３の電流制限抵抗、R4は第４の電流制限抵抗
で、この中、第２の電流制限抵抗R2は可変抵抗より成
る。C3は第１のバイパスコンデンサ、C4は第２のバイパ
スコンデンサ、C5は第３のバイパスコンデンサである。
第２図は、第１図の中、直流成分に関係する回路部分
の等価回路図で、SDCはバイアス電圧印加用直流電源
で、他の符号は第１図と同様である。
の等価回路図で、SDCはバイアス電圧印加用直流電源
で、他の符号は第１図と同様である。
第３図は、第１図の中、ピンダイオードD1及びD2にの
み着目した基本等価回路図で、RHSはピンダイオードD1
の等価内部高周波抵抗、RHPはピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗で、他の符号は第１図と同様である。
み着目した基本等価回路図で、RHSはピンダイオードD1
の等価内部高周波抵抗、RHPはピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗で、他の符号は第１図と同様である。
第２図における電流制限抵抗R1乃至R4の各抵抗値の間
に、 R1＜R3 …（10） （R2はピンダイオードD1の内部直流抵抗を含むものとす
る。） なる関係が成立するように形成すると、ブリッジ回路の
対角端子Ｂ及びＣの電位が同一レベルとなり、ピンダイ
オードD1には電流が流れるが、ピンダイオードD2には電
流が流れない。
に、 R1＜R3 …（10） （R2はピンダイオードD1の内部直流抵抗を含むものとす
る。） なる関係が成立するように形成すると、ブリッジ回路の
対角端子Ｂ及びＣの電位が同一レベルとなり、ピンダイ
オードD1には電流が流れるが、ピンダイオードD2には電
流が流れない。
即ち、第３図におけるピンダイオードD1の等価内部高
周波抵抗RHSは低抵抗（ほぼ１Ω）となり、ピンダイオ
ードD2の等価内部高周波抵抗RHPは高抵抗（ほぼ5000
Ω）となる。
周波抵抗RHSは低抵抗（ほぼ１Ω）となり、ピンダイオ
ードD2の等価内部高周波抵抗RHPは高抵抗（ほぼ5000
Ω）となる。
したがって、第３図における端子T1及びT2間は、高周
波信号に対して低減衰領域となる。
波信号に対して低減衰領域となる。
次に、第２図における電流制限抵抗R3及びR4の抵抗値
の大きさをR3＝R4ならしめると共に、電流制限抵抗R2の
抵抗値を変化せしめてR1＜R2ならしめると、ピンダイオ
ードD1を流れる電流が小となり、対角端子Ｂの電位がＣ
の電位より高くなるからピンダイオードD2にも電流が流
れることとなる。
の大きさをR3＝R4ならしめると共に、電流制限抵抗R2の
抵抗値を変化せしめてR1＜R2ならしめると、ピンダイオ
ードD1を流れる電流が小となり、対角端子Ｂの電位がＣ
の電位より高くなるからピンダイオードD2にも電流が流
れることとなる。
即ち、第３図におけるピンダイオードD1の等価内部高
周波抵抗RHSが高抵抗となり、ピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗RHPが低抵抗となり、端子T1及びT2間
は、高周波信号に対して減衰領域となる。
周波抵抗RHSが高抵抗となり、ピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗RHPが低抵抗となり、端子T1及びT2間
は、高周波信号に対して減衰領域となる。
第２図における電流制限抵抗R2の抵抗値を最高値にま
で変化せしめると、ピンダイオードD1には電流が流れな
くなり、ピンダイオードD2に流れる電流が最大となるか
ら、第３図におけるピンダイオードD1の等価内部高周波
抵抗RHSは高抵抗領域となり、ピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗RHPは低抵抗領域となるから、端子T1及
びT2間は高周波信号に対して高減衰領域となる。
で変化せしめると、ピンダイオードD1には電流が流れな
くなり、ピンダイオードD2に流れる電流が最大となるか
ら、第３図におけるピンダイオードD1の等価内部高周波
抵抗RHSは高抵抗領域となり、ピンダイオードD2の等価
内部高周波抵抗RHPは低抵抗領域となるから、端子T1及
びT2間は高周波信号に対して高減衰領域となる。
電流制限抵抗R2を可変抵抗を以て形成する代りに第４
図に示すように構成することにより、ピンダイオードD1
の等価内部高周波抵抗RHSを最低値から最高値へ、又は
最高値から最低値へ急速に変化せしめると同時にピンダ
イオードD2の等価内部高周波抵抗RHPを最高値から最低
値へ、又は最低値から最高値へ急速に変化せしめること
が出来る。
図に示すように構成することにより、ピンダイオードD1
の等価内部高周波抵抗RHSを最低値から最高値へ、又は
最高値から最低値へ急速に変化せしめると同時にピンダ
イオードD2の等価内部高周波抵抗RHPを最高値から最低
値へ、又は最低値から最高値へ急速に変化せしめること
が出来る。
第４図において、Ｒ′2は固定抵抗より成る電流制限
抵抗で、ピンダイオードD1の内部直流抵抗の大きさを含
むＲ′2の抵抗値と電流制限抵抗R1、R3及びR4の各抵抗
値との間に、 なる関係をもたせてある。SWは開閉スイッチで、他の符
号は第２図と同様である。
抵抗で、ピンダイオードD1の内部直流抵抗の大きさを含
むＲ′2の抵抗値と電流制限抵抗R1、R3及びR4の各抵抗
値との間に、 なる関係をもたせてある。SWは開閉スイッチで、他の符
号は第２図と同様である。
開閉スイッチSWを閉成すると、ピンダイオードD1の等
価内部高周波抵抗RHSが最低値となると共にピンダイオ
ードD2の等価内部高周波抵抗RHPが最高値となり、開閉
スイッチSWを開放すると、ピンダイオードD1の等価内部
高周波抵抗RHSが最高値となると共にピンダイオードD2
の等価内部高周波抵抗RHPが最低値となる。
価内部高周波抵抗RHSが最低値となると共にピンダイオ
ードD2の等価内部高周波抵抗RHPが最高値となり、開閉
スイッチSWを開放すると、ピンダイオードD1の等価内部
高周波抵抗RHSが最高値となると共にピンダイオードD2
の等価内部高周波抵抗RHPが最低値となる。
第１図に戻って、端子T3に正バイアス電圧を加えた場
合に、ピンダイオードD1に所要の順方向バイアス電流が
流れてD1の内部高周波抵抗が所要最低値となるように、
予め正バイアス電圧の大きさ及び電流制限抵抗R1乃至R4
の各抵抗値を定めると共に、電流制限抵抗R1乃至R4の各
抵抗値の間に、 R1＜R3＝R4 なる関係をもたせておくと、ピンダイオードD1の内部高
周波抵抗が最低値となり、ピンダイオードD2の内部高周
波抵抗が最高値となるから、端子T1及びT2間は高周波信
号に対して低減衰領域となる。
合に、ピンダイオードD1に所要の順方向バイアス電流が
流れてD1の内部高周波抵抗が所要最低値となるように、
予め正バイアス電圧の大きさ及び電流制限抵抗R1乃至R4
の各抵抗値を定めると共に、電流制限抵抗R1乃至R4の各
抵抗値の間に、 R1＜R3＝R4 なる関係をもたせておくと、ピンダイオードD1の内部高
周波抵抗が最低値となり、ピンダイオードD2の内部高周
波抵抗が最高値となるから、端子T1及びT2間は高周波信
号に対して低減衰領域となる。
次に電流制限抵抗R2の抵抗値を変化せしめて適宜高抵
抗とすると、ピンダイオードD1に流れる順方向バイアス
電流が減少してD1の内部高周波抵抗が高くなり、逆にピ
ンダイオードD2の内部高周波抵抗が低くなるから、端子
T1に加えられた高周波信号はピンダイオードD1により適
宜減衰せしめられ、ピンダイオードD2側に分流した高周
波信号はバイパスコンデンサC5によりバイパスされる。
抗とすると、ピンダイオードD1に流れる順方向バイアス
電流が減少してD1の内部高周波抵抗が高くなり、逆にピ
ンダイオードD2の内部高周波抵抗が低くなるから、端子
T1に加えられた高周波信号はピンダイオードD1により適
宜減衰せしめられ、ピンダイオードD2側に分流した高周
波信号はバイパスコンデンサC5によりバイパスされる。
電流制限抵抗R2の抵抗値を最高値にまで変化せしめる
と、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が最高値とな
り、ピンダイオードD2の内部高周波抵抗は最低値となる
から、端子T1に加えられた高周波信号はピンダイオード
D1により阻止され、ピンダイオードD2側においてバイパ
スコンデンサC5によりバイパスされることとなる。
と、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が最高値とな
り、ピンダイオードD2の内部高周波抵抗は最低値となる
から、端子T1に加えられた高周波信号はピンダイオード
D1により阻止され、ピンダイオードD2側においてバイパ
スコンデンサC5によりバイパスされることとなる。
電流制限抵抗R2を可変抵抗を以て形成する代りに、第
４図について説明したように、固定抵抗と直列に機械的
開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点スイッチ
より成る開閉スイッチを接続し、この直列回路をピンダ
イオードD1のカソード回路に接続しても本発明を実施す
ることが出来る。
４図について説明したように、固定抵抗と直列に機械的
開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点スイッチ
より成る開閉スイッチを接続し、この直列回路をピンダ
イオードD1のカソード回路に接続しても本発明を実施す
ることが出来る。
尚、第１図における直流阻止コンデンサC1及びC2によ
って、伝送高周波信号に重畳する直流分が阻止され、高
周波バイパスコンデンサC3及びC4によって、バイアス電
圧に重畳する交流分が除かれ、高周波阻止コイルL1及び
L2によって、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が低い
場合に、高周波信号が高周波バイパスコンデンサC3及び
C4を介して地気に分流するのが防がれる。
って、伝送高周波信号に重畳する直流分が阻止され、高
周波バイパスコンデンサC3及びC4によって、バイアス電
圧に重畳する交流分が除かれ、高周波阻止コイルL1及び
L2によって、ピンダイオードD1の内部高周波抵抗が低い
場合に、高周波信号が高周波バイパスコンデンサC3及び
C4を介して地気に分流するのが防がれる。
直流阻止コンデンサC1及びC2、高周波バイパスコンデ
ンサC3及びC4、高周波阻止コイルL1及びL2は、本発明回
路の減衰又は伝送動作をより確実ならしめるためには必
要であるが、必ずしも本発明回路の構成に欠くことの出
来ない素子ではない。
ンサC3及びC4、高周波阻止コイルL1及びL2は、本発明回
路の減衰又は伝送動作をより確実ならしめるためには必
要であるが、必ずしも本発明回路の構成に欠くことの出
来ない素子ではない。
第５図は、第１図乃至第４図について説明した本発明
高周波減衰回路を２回路、共通の入力（又は出力）端子
TCに並列接続して形成した２回路切換回路の一例を示す
結線図で、T11、C11、C12、D11、D12、L11、L12、R11、
R12、R13、R14、SW1、C13、C14及びC15は、第１の高周
波減衰回路を構成する素子で、T11は出力（又は入力）
端子、C11は第１の直流阻止コンデンサ、C12は第２の直
流阻止コンデンサ、D11は第１のピンダイオード、D12は
第２のピンダイオード、L11は第１の高周波阻止コイ
ル、L12は第２の高周波阻止コイル、R11は第１の電流制
限抵抗、R13は第３の電流制限抵抗、R14は第４の電流制
限抵抗、C13は第１の高周波バイパスコンデンサ、C14は
第２の高周波バイパスコンデンサ、C15は第３の高周波
バイパスコンデンサで、これらの素子は、第１図に示し
た出力（又は入力）端子T1、第１及び第２の直流阻止コ
ンデンサC1及びC2、第１及び第２のピンダイオードD1及
びD2、第１及び第２の高周波阻止コイルL1及びL2、第１
の電流制限抵抗R1、第３及び第４の電流制限抵抗R3及び
R4、第１乃至第３の高周波バイパスコンデンサC3乃至C5
と同様構成の素子で、R12は第２の電流制限抵抗、SW1は
機械的開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点ス
イッチ等より成る開閉スイッチで、これらは第４図に示
した第２の電流制限抵抗R2及び開閉スイッチSWと同様構
成の素子である。
高周波減衰回路を２回路、共通の入力（又は出力）端子
TCに並列接続して形成した２回路切換回路の一例を示す
結線図で、T11、C11、C12、D11、D12、L11、L12、R11、
R12、R13、R14、SW1、C13、C14及びC15は、第１の高周
波減衰回路を構成する素子で、T11は出力（又は入力）
端子、C11は第１の直流阻止コンデンサ、C12は第２の直
流阻止コンデンサ、D11は第１のピンダイオード、D12は
第２のピンダイオード、L11は第１の高周波阻止コイ
ル、L12は第２の高周波阻止コイル、R11は第１の電流制
限抵抗、R13は第３の電流制限抵抗、R14は第４の電流制
限抵抗、C13は第１の高周波バイパスコンデンサ、C14は
第２の高周波バイパスコンデンサ、C15は第３の高周波
バイパスコンデンサで、これらの素子は、第１図に示し
た出力（又は入力）端子T1、第１及び第２の直流阻止コ
ンデンサC1及びC2、第１及び第２のピンダイオードD1及
びD2、第１及び第２の高周波阻止コイルL1及びL2、第１
の電流制限抵抗R1、第３及び第４の電流制限抵抗R3及び
R4、第１乃至第３の高周波バイパスコンデンサC3乃至C5
と同様構成の素子で、R12は第２の電流制限抵抗、SW1は
機械的開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点ス
イッチ等より成る開閉スイッチで、これらは第４図に示
した第２の電流制限抵抗R2及び開閉スイッチSWと同様構
成の素子である。
T21、C21、C22、D21、D22、L21、L22、R21、R22、
R23、R24、SW2、C23、C24及びC25は、第２の高周波減衰
回路を構成する素子で、T21は出力（又は入力）端子、C
21は第１の直流阻止コンデンサ、C22は第２の直流阻止
コンデンサ、D21は第１のピンダイオード、D22は第２の
ピンダイオード、L21は第１の高周波阻止コイル、L22は
第２の高周波阻止コイル、R21は第１の電流制限抵抗、R
23は第３の電流制限抵抗、R24は第４の電流制限抵抗、C
23は第１の高周波バイパスコンデンサ、C24は第２の高
周波バイパスコンデンサ、C25は第３の高周波バイパス
コンデンサで、これらの素子は、第１図に示した出力
（又は入力）端子T1、第１及び第２の直流阻止コンデン
サC1及びC2、第１及び第２のピンダイオードD1及びD2、
第１及び第２の高周波阻止コイルL1及びL2、第１の電流
制限抵抗R1、第３及び第４の電流制限抵抗R3及びR4、第
１乃至第３の高周波バイパスコンデンサC3乃至C5と同様
構成の素子で、R22は第２の電流制限抵抗、SW2は機械的
開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点スイッチ
等より成る開閉スイッチで、これらは第４図に示した第
２の電流制限抵抗R2及び開閉スイッチSWと同様構成の素
子である。
R23、R24、SW2、C23、C24及びC25は、第２の高周波減衰
回路を構成する素子で、T21は出力（又は入力）端子、C
21は第１の直流阻止コンデンサ、C22は第２の直流阻止
コンデンサ、D21は第１のピンダイオード、D22は第２の
ピンダイオード、L21は第１の高周波阻止コイル、L22は
第２の高周波阻止コイル、R21は第１の電流制限抵抗、R
23は第３の電流制限抵抗、R24は第４の電流制限抵抗、C
23は第１の高周波バイパスコンデンサ、C24は第２の高
周波バイパスコンデンサ、C25は第３の高周波バイパス
コンデンサで、これらの素子は、第１図に示した出力
（又は入力）端子T1、第１及び第２の直流阻止コンデン
サC1及びC2、第１及び第２のピンダイオードD1及びD2、
第１及び第２の高周波阻止コイルL1及びL2、第１の電流
制限抵抗R1、第３及び第４の電流制限抵抗R3及びR4、第
１乃至第３の高周波バイパスコンデンサC3乃至C5と同様
構成の素子で、R22は第２の電流制限抵抗、SW2は機械的
開閉スイッチ又はトランジスタのような無接点スイッチ
等より成る開閉スイッチで、これらは第４図に示した第
２の電流制限抵抗R2及び開閉スイッチSWと同様構成の素
子である。
T3は共通のバイアス電圧引加端子である。
尚、上記記載においては、例えばC11及びC21は、何れ
も第１の直流阻止コンデンサと記載したが、C11はその
添え字11によって第１の高周波減衰回路における第１の
直流阻止コンデンサであることを表わし、C21はその添
え字21によって第２の高周波減衰回路における第１の直
流阻止コンデンサであることを表わす。
も第１の直流阻止コンデンサと記載したが、C11はその
添え字11によって第１の高周波減衰回路における第１の
直流阻止コンデンサであることを表わし、C21はその添
え字21によって第２の高周波減衰回路における第１の直
流阻止コンデンサであることを表わす。
他の素子についても同様である。
第５図における共通のバイアス電圧引加端子T3に加え
る正バイアス電圧の大きさ、電流制限抵抗R11乃至R14及
びR21乃至R24の各抵抗値間の関係を第１図乃至第４図に
ついて説明したと同様ならしめ、開閉スイッチSW1を開
放すると共に開閉スイッチSW2を閉成すると、ピンダイ
オードD11及びD22の各内部高周波抵抗が最高値となると
共に、ピンダイオードD12及びD21の各内部高周波抵抗は
最低値となるから、共通入出力端子TCに加えられる高周
波信号は入出力端子T21側にのみ伝送される。
る正バイアス電圧の大きさ、電流制限抵抗R11乃至R14及
びR21乃至R24の各抵抗値間の関係を第１図乃至第４図に
ついて説明したと同様ならしめ、開閉スイッチSW1を開
放すると共に開閉スイッチSW2を閉成すると、ピンダイ
オードD11及びD22の各内部高周波抵抗が最高値となると
共に、ピンダイオードD12及びD21の各内部高周波抵抗は
最低値となるから、共通入出力端子TCに加えられる高周
波信号は入出力端子T21側にのみ伝送される。
逆に、開閉スイッチSW1を閉成すると共に、開閉スイ
ッチSW2を開放すると、共通入出力端子TCに加えられる
高周波信号は入出力端子T11側にのみ伝送されることと
なる。
ッチSW2を開放すると、共通入出力端子TCに加えられる
高周波信号は入出力端子T11側にのみ伝送されることと
なる。
したがって、例えば無線通信設備又は放送機器等にお
ける高周波信号を共通入出力端子TCに加えると共に、開
閉スイッチSW1及びSW2の開閉を適当な制御機器、例えば
計算機を利用した制御機等により制御するように構成す
ることにより、直流回路の開閉によって高周波回路の切
換を行うことが出来る。
ける高周波信号を共通入出力端子TCに加えると共に、開
閉スイッチSW1及びSW2の開閉を適当な制御機器、例えば
計算機を利用した制御機等により制御するように構成す
ることにより、直流回路の開閉によって高周波回路の切
換を行うことが出来る。
第６図は、第１図乃至第４図につき説明した本発明高
周波減衰回路をｎ回路（ｎは任意の正の整数）、共通の
入力（又は出力）端子TCに並列接続して構成したｎ回路
切換回路の一例を示す図で、Tn1は、第ｎの高周波減衰
回路（以下、第ｎ回路と略記する）を形成する出力（又
は入力）端子、Cn1及びCn2は第ｎ回路を形成する第１及
び第２の直流阻止コンデンサ、Dn1及びDn2は第ｎ回路を
形成する第１及び第２のピンダイオード、Ln1及びLn2は
第ｎ回路を形成する第１及び第２の高周波阻止コイル、
Rn1、Rn2、Rn3及びRn4は第ｎ回路を形成する第１、第
２、第３及び第４の電流制限抵抗、SWnは第ｎ回路を形
成する開閉スイッチ、Cn3、Cn4及びCn5は第ｎ回路を形
成する第１、第２及び第３の高周波バイパスコンデンサ
で、他の符号は第５図と同様である。
周波減衰回路をｎ回路（ｎは任意の正の整数）、共通の
入力（又は出力）端子TCに並列接続して構成したｎ回路
切換回路の一例を示す図で、Tn1は、第ｎの高周波減衰
回路（以下、第ｎ回路と略記する）を形成する出力（又
は入力）端子、Cn1及びCn2は第ｎ回路を形成する第１及
び第２の直流阻止コンデンサ、Dn1及びDn2は第ｎ回路を
形成する第１及び第２のピンダイオード、Ln1及びLn2は
第ｎ回路を形成する第１及び第２の高周波阻止コイル、
Rn1、Rn2、Rn3及びRn4は第ｎ回路を形成する第１、第
２、第３及び第４の電流制限抵抗、SWnは第ｎ回路を形
成する開閉スイッチ、Cn3、Cn4及びCn5は第ｎ回路を形
成する第１、第２及び第３の高周波バイパスコンデンサ
で、他の符号は第５図と同様である。
この実施例においても、端子T3に加えるバイアス電圧
の大きさ、電流制限抵抗R11乃至R14、−−−−−Rn1乃
至Rn4の各抵抗値間の関係を第１図乃至第４図について
説明したと同様ならしめてある。
の大きさ、電流制限抵抗R11乃至R14、−−−−−Rn1乃
至Rn4の各抵抗値間の関係を第１図乃至第４図について
説明したと同様ならしめてある。
第６図に示すように、開閉スイッチSW1を閉成すると
共に開閉スイッチSW2乃至SWnを開放すると、共通の端子
TCに加えられる高周波信号は端子T11側にのみ伝送され
る。同様にして他の任意所要の開閉スイッチを閉成する
と共に、他の開閉スイッチを開放することにより、閉成
せしめた開閉スイッチに対応する端子側にのみ高周波信
号を伝送せしめることが出来る。
共に開閉スイッチSW2乃至SWnを開放すると、共通の端子
TCに加えられる高周波信号は端子T11側にのみ伝送され
る。同様にして他の任意所要の開閉スイッチを閉成する
と共に、他の開閉スイッチを開放することにより、閉成
せしめた開閉スイッチに対応する端子側にのみ高周波信
号を伝送せしめることが出来る。
第７図は、第５図における電流制限抵抗R12及び開閉
スイッチSW1を可変抵抗RV12を以て置換えると共に、電
流制限抵抗R22及び開閉スイッチSW2を可変抵抗RV22を以
て置換えたもので、他の構成及び符号等は第５図と同様
である。
スイッチSW1を可変抵抗RV12を以て置換えると共に、電
流制限抵抗R22及び開閉スイッチSW2を可変抵抗RV22を以
て置換えたもので、他の構成及び符号等は第５図と同様
である。
この実施例においては、可変抵抗RV12の抵抗値を電流
制限抵抗R11の抵抗値と等しくすると共に、可変抵抗R
V22の抵抗値を最高ならしめると、共通の端子TCと端子T
11間が導通し、TCとT21間が遮断状態となる。逆に、可
変抵抗RV11の抵抗値を最高にすると共に、可変抵抗RV21
の抵抗値を電流制限抵抗R21の抵抗値と等しくすると、
端子TCとT11間が遮断状態となり、端子TCとT21間が導通
する。
制限抵抗R11の抵抗値と等しくすると共に、可変抵抗R
V22の抵抗値を最高ならしめると、共通の端子TCと端子T
11間が導通し、TCとT21間が遮断状態となる。逆に、可
変抵抗RV11の抵抗値を最高にすると共に、可変抵抗RV21
の抵抗値を電流制限抵抗R21の抵抗値と等しくすると、
端子TCとT11間が遮断状態となり、端子TCとT21間が導通
する。
可変抵抗RV12及びRV22の抵抗値を手動によって調整して
もよいが、RV12及びRV22を連動して一方の抵抗値を高く
すると同時に他方の抵抗値を低くするように自動的に制
御せしめることにより、端子TCとT11間又はTCとT21間を
遮断状態を経ることなく回路の切換を可能ならしめ、チ
エンジオーバスイッチとして作動せしめることが出来る
から、ディジタル信号を用いた通信回線の切換等に好適
である。
もよいが、RV12及びRV22を連動して一方の抵抗値を高く
すると同時に他方の抵抗値を低くするように自動的に制
御せしめることにより、端子TCとT11間又はTCとT21間を
遮断状態を経ることなく回路の切換を可能ならしめ、チ
エンジオーバスイッチとして作動せしめることが出来る
から、ディジタル信号を用いた通信回線の切換等に好適
である。
第７図は２回路の切換を行うように構成した場合であ
るが、ｎ回路の切換を行い得るように構成し得ること勿
論である。
るが、ｎ回路の切換を行い得るように構成し得ること勿
論である。
以上何れの実施例においても、各ピンダイオードの極
性を反転せしめると共に、パイアス電圧の極性を反転せ
しめた場合にも本発明を実施することが出来る。
性を反転せしめると共に、パイアス電圧の極性を反転せ
しめた場合にも本発明を実施することが出来る。
発明の効果 第３図に示した基本等価回路の基本マトリクス、即
ち、第１図に示した本発明高周波減衰回路の基本マトリ
クスは、 但し、 RHS0＝RHS／Z0 RHP0＝RHP／Z0 Z0：回路の特性インピーダンス 回路の減衰量LdBは、（11）式における４定数Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤから次式で求めることが出来る。
ち、第１図に示した本発明高周波減衰回路の基本マトリ
クスは、 但し、 RHS0＝RHS／Z0 RHP0＝RHP／Z0 Z0：回路の特性インピーダンス 回路の減衰量LdBは、（11）式における４定数Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤから次式で求めることが出来る。
次に、数値計算例を示すと、 低減衰領域においては、 RHS ＝１Ω RHP ＝5000Ω 回路の特性インピーダンスを、Z0＝50Ωとすると、 RHS0＝1/50＝0.02 RHP0＝5000/50＝100 回路の減衰量LMINdBは、 中程度の減衰領域における一例においては、 RHS ＝100Ω RHP ＝100Ω RHS0＝100/50＝２ RHP0＝100/50＝２ 回路の減衰量LMEDdBは、 高減衰領域においては、 RHS ＝5000Ω RHP ＝１Ω RHS0＝5000/50＝100 RHP0＝1/50＝0.02 回路の減衰量LMAXdBは、 以上の数値を従来の回路の減衰量、即ち、（２）式及
び（４）式の値と比較すると、低減衰領域においては、
本発明回路は第９図に示した従来の回路よりも僅かに劣
るが、高減衰領域においては、本発明回路の方が減衰量
が遥かに大である。
び（４）式の値と比較すると、低減衰領域においては、
本発明回路は第９図に示した従来の回路よりも僅かに劣
るが、高減衰領域においては、本発明回路の方が減衰量
が遥かに大である。
又、第11図に示した従来の回路と比較すると、低減衰
領域においては本発明回路が優れ、高減衰領域において
は本発明回路は従来の回路に比し、ほぼ6dB近く劣って
いるが、第11図に示した従来の回路においては、λ/4線
路より成る位相回路を用いており、この位相回路は一般
に帯域が狭いため、位相回路の作用が及ばない周波数に
おいては減衰量が40dB程度となり、本発明回路より遥か
に劣ることとなる。
領域においては本発明回路が優れ、高減衰領域において
は本発明回路は従来の回路に比し、ほぼ6dB近く劣って
いるが、第11図に示した従来の回路においては、λ/4線
路より成る位相回路を用いており、この位相回路は一般
に帯域が狭いため、位相回路の作用が及ばない周波数に
おいては減衰量が40dB程度となり、本発明回路より遥か
に劣ることとなる。
これに対して本発明回路においては、従来の回路のよ
うに位相回路等の周波数特性を有する素子を全く含まな
いから高周波減衰回路又は高周波切換回路として広帯域
に亙って良好な減衰特性を呈する。
うに位相回路等の周波数特性を有する素子を全く含まな
いから高周波減衰回路又は高周波切換回路として広帯域
に亙って良好な減衰特性を呈する。
第８図は、第１図及び第７図に示した本発明回路の減
衰特性の一例を示す曲線図で、横軸は電流制限抵抗R2と
R1との比R2／R1又は電流制限抵抗R12とR11との比R12／R
11、縦軸は減衰量LdBで、図から明らかなように、電流
制限抵抗R2とR1との比又はR12とR11との比を大ならしめ
ると、ほぼこれに比例して減衰量が大となるが、従来の
回路においては広帯域に亙ってこのような減衰量を得る
ことが不可能なこと前述のとおりである。
衰特性の一例を示す曲線図で、横軸は電流制限抵抗R2と
R1との比R2／R1又は電流制限抵抗R12とR11との比R12／R
11、縦軸は減衰量LdBで、図から明らかなように、電流
制限抵抗R2とR1との比又はR12とR11との比を大ならしめ
ると、ほぼこれに比例して減衰量が大となるが、従来の
回路においては広帯域に亙ってこのような減衰量を得る
ことが不可能なこと前述のとおりである。
又、特に本発明回路を以て切換回路を構成した場合に
は、各構成単位回路毎にバイアス電圧印加端子を設ける
必要なく共通の端子を介して各構成単位回路に所要のバ
イアス電圧を加え得るからそれだけ回路構成を簡潔なら
しめ得る。
は、各構成単位回路毎にバイアス電圧印加端子を設ける
必要なく共通の端子を介して各構成単位回路に所要のバ
イアス電圧を加え得るからそれだけ回路構成を簡潔なら
しめ得る。
第１図及び第５図乃至第７図は、本発明の一実施例を示
す結線図、第２図乃至第４図は本発明回路の作動説明の
ための等価回路図、第８図は本発明回路の減衰特性の一
例を示す曲線図、第９図乃至第12図は、従来の回路を示
す結線図で、D1、D2、D11、D12、D21、D22、Dn1、Dn2、
D111、D112、D211及びD212：ピンダイオード、C1、C2、
C11、C12、C21、C22、Cn1及びCn2：直流阻止コンデン
サ、L1、L2、L11、L12、L21、L22、Ln1及びLn2：高周波
阻止コイル、C3乃至C5、C13乃至C15、C23乃至C25、Cn3
乃至Cn5：高周波バイパスコンデンサ、R1乃至R4、R11乃
至R14、R21乃至R24、Rn1乃至Rn4：電流制限抵抗、T1、T
2、T11、T21、Tn1、T12及びT22：入出力端子、T3、
T13、T23：バイアス電圧印加端子、TC：共通入出力端
子、CC：共通高周波結合コンデンサ、LC：共通高周波阻
止コイル、SDC：直流電源、SW、SW1、SW2及びSWn：開閉
スイッチ、RV12及びRV22：可変抵抗である。
す結線図、第２図乃至第４図は本発明回路の作動説明の
ための等価回路図、第８図は本発明回路の減衰特性の一
例を示す曲線図、第９図乃至第12図は、従来の回路を示
す結線図で、D1、D2、D11、D12、D21、D22、Dn1、Dn2、
D111、D112、D211及びD212：ピンダイオード、C1、C2、
C11、C12、C21、C22、Cn1及びCn2：直流阻止コンデン
サ、L1、L2、L11、L12、L21、L22、Ln1及びLn2：高周波
阻止コイル、C3乃至C5、C13乃至C15、C23乃至C25、Cn3
乃至Cn5：高周波バイパスコンデンサ、R1乃至R4、R11乃
至R14、R21乃至R24、Rn1乃至Rn4：電流制限抵抗、T1、T
2、T11、T21、Tn1、T12及びT22：入出力端子、T3、
T13、T23：バイアス電圧印加端子、TC：共通入出力端
子、CC：共通高周波結合コンデンサ、LC：共通高周波阻
止コイル、SDC：直流電源、SW、SW1、SW2及びSWn：開閉
スイッチ、RV12及びRV22：可変抵抗である。
Claims (8)
- 【請求項１】第１のピンダイオードのカソード回路に一
端が接続される第１の電流制限抵抗と、 前記第１のピンダイオードのアノード回路に一端が接続
される第２の電流制限抵抗と、 前記第１の電流制限抵抗の他端に一端が接続される第３
の電流制限抵抗と、 前記第２の電流制限抵抗の他端と前記第３の電流制限抵
抗の他端との間に挿入接続されて、前記第１のピンダイ
オード及び前記第１乃至第３の電流制限抵抗と共にブリ
ッジ回路を形成する第４の電流制限抵抗と、 前記第１のピンダイオードのカソードにカソードが接続
され、前記第３及び第４の電流制限抵抗の接続点にアノ
ードが接続される第２のピンダイオードと、 前記第１及び第３の電流制限抵抗の接続点側を正側とし
て、この接続点と、前記第２及び第４の電流制限抵抗の
接続点との間に正バイアス電圧を加える回路と、 前記第２のピンダイオードのアノードに接続される高周
波バイパスコンデンサと、 前記第１のピンダイオードのカソード回路に接続される
入力（又は出力）端子と、 前記第１のピンダイオードのアノード回路に接続される
出力（又は入力）端子とを備えたことを特徴とする高周
波減衰回路。 - 【請求項２】第１及び第２のピンダイオードの各極性を
反転せしめると共に、バイアス電圧の極性を反転せしめ
て成る特許請求の範囲第１項記載の高周波減衰回路。 - 【請求項３】第２の電流制限抵抗が可変抵抗より成る特
許請求の範囲第１項記載の高周波減衰回路。 - 【請求項４】第２の電流制限抵抗が固定抵抗と開閉スイ
ッチの直列回路で置き換えられて成る特許請求の範囲第
１項記載の高周波減衰回路。 - 【請求項５】第１のピンダイオードのカソード回路に一
端が接続される第１の電流制限抵抗と、 前記第１のピンダイオードのアノード回路に一端が接続
される第２の電流制限抵抗と、 前記第１の電流制限抵抗の他端に一端が接続される第３
の電流制限抵抗と、 前記第２の電流制限抵抗の他端と前記第３の電流制限抵
抗の他端との間に挿入接続されて、前記第１のピンダイ
オード及び前記第１乃至第３の電流制限抵抗と共にブリ
ッジ回路を形成する第４の電流制限抵抗と、 前記第１のピンダイオードのカソードにカソードが接続
され、前記第３及び第４の電流制限抵抗の接続点にアノ
ードが接続される第２のピンダイオードと、 前記第２のピンダイオードのアノード回路に接続される
高周波バイパスコンデンサと、 前記第１のピンダイオードのアノードを出力（又は入
力）端子に接続する回路とを備えた任意複数個の高周波
減衰回路と、 前記任意複数個の高周波減衰回路のそれぞれを形成する
前記第１及び第３の電流制限抵抗の接続点側を正側とし
て、この接続点と、前記第２及び第４の電流制限抵抗の
接続点との間に共通の正バイアス電圧を加える回路と、 前記任意複数個の高周波減衰回路のそれぞれを形成する
前記第１のピンダイオードのカソードを共通の入力（又
は出力）端子に接続する回路とを備えたことを特徴とす
る高周波減衰回路より成る高周波切換回路。 - 【請求項６】任意複数個の高周波減衰回路のそれぞれを
形成する第１及び第２のピンダイオードの各極性を反転
せしめると共に、共通のバイアス電圧の極性を反転せし
めて成る特許請求の範囲第５項記載の高周波減衰回路よ
り成る高周波切換回路。 - 【請求項７】任意複数個の高周波減衰回路のそれぞれを
形成する第２の電流制限抵抗が可変抵抗より成る特許請
求の範囲第５項記載の高周波減衰回路より成る高周波切
換回路。 - 【請求項８】任意複数個の高周波減衰回路のそれぞれを
形成する第２の電流制限抵抗が固定抵抗と開閉スイッチ
の直列回路で置き換えられて成る特許請求の範囲第５項
記載の高周波減衰回路より成る高周波切換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61081907A JPH084209B2 (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 高周波減衰回路及び高周波減衰回路より成る高周波切換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61081907A JPH084209B2 (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 高周波減衰回路及び高周波減衰回路より成る高周波切換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237807A JPS62237807A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH084209B2 true JPH084209B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=13759514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61081907A Expired - Lifetime JPH084209B2 (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 高周波減衰回路及び高周波減衰回路より成る高周波切換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084209B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103873158B (zh) * | 2012-12-10 | 2017-08-25 | 北京普源精电科技有限公司 | 一种具有可变衰减器的射频测量装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53100757A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Super-high frequency semiconductor device |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP61081907A patent/JPH084209B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62237807A (ja) | 1987-10-17 |
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