JPH0843279A - 薄片試料作製方法 - Google Patents
薄片試料作製方法Info
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- JPH0843279A JPH0843279A JP19480794A JP19480794A JPH0843279A JP H0843279 A JPH0843279 A JP H0843279A JP 19480794 A JP19480794 A JP 19480794A JP 19480794 A JP19480794 A JP 19480794A JP H0843279 A JPH0843279 A JP H0843279A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製するに
際し、ダイシングソーでの切削時の欠けをなくし、特定
箇所を欠落することなく試料の薄片化を可能にする。 【構成】 固体試料１表面に、この固体試料１よりも低
硬度の導電物質で被膜５を形成する。次いで、ダイシン
グソーを用いて切削し、薄片部２を作製する。この方法
により、切削時の固体試料の欠けをなくし、特定箇所４
を欠落することなく、薄片化試料を得る。
際し、ダイシングソーでの切削時の欠けをなくし、特定
箇所を欠落することなく試料の薄片化を可能にする。 【構成】 固体試料１表面に、この固体試料１よりも低
硬度の導電物質で被膜５を形成する。次いで、ダイシン
グソーを用いて切削し、薄片部２を作製する。この方法
により、切削時の固体試料の欠けをなくし、特定箇所４
を欠落することなく、薄片化試料を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体試料の薄片試料作
製方法に関し、特に透過型電子顕微鏡観察に供するため
の薄片試料の作製方法に関する。
製方法に関し、特に透過型電子顕微鏡観察に供するため
の薄片試料の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透過型電子顕微鏡用の試料作製に
は化学エッチング法、イオンミリング法等の方法があ
る。なかでも、特定微細箇所を正確に短時間で試料作製
できる集束イオンビーム加工方法は実用的に有効な手法
である。集束イオンビーム加工を行う前には、予め試料
をダイシングソーで薄片化しておく必要がある。図２は
従来技術で薄片化した場合の加工形状を示したものであ
る。図２において、固体試料１１はダイシングソーでス
トライプ状に切削したものである。薄片部１２の両側が
切削面１３で、その薄片部の中央部付近が観察しようと
する特定箇所１４である。図に示すように、ダイシング
ソーによる切削時の衝撃によって切削面１３には部分的
に欠けが発生する。ここで、条件によってはダイシング
ソーのブレードの種類、試料移動速度等を調節して、切
削面１３の欠けをある程度まで抑えることができる。し
かし、ＧａＡｓのようなへき開しやすい結晶や、ガラス
のような硬質の材料の切削面１３には欠けが多く発生す
る。このため試料を厚め（２０〜１００μｍ）に加工せ
ざるをえなかった。
は化学エッチング法、イオンミリング法等の方法があ
る。なかでも、特定微細箇所を正確に短時間で試料作製
できる集束イオンビーム加工方法は実用的に有効な手法
である。集束イオンビーム加工を行う前には、予め試料
をダイシングソーで薄片化しておく必要がある。図２は
従来技術で薄片化した場合の加工形状を示したものであ
る。図２において、固体試料１１はダイシングソーでス
トライプ状に切削したものである。薄片部１２の両側が
切削面１３で、その薄片部の中央部付近が観察しようと
する特定箇所１４である。図に示すように、ダイシング
ソーによる切削時の衝撃によって切削面１３には部分的
に欠けが発生する。ここで、条件によってはダイシング
ソーのブレードの種類、試料移動速度等を調節して、切
削面１３の欠けをある程度まで抑えることができる。し
かし、ＧａＡｓのようなへき開しやすい結晶や、ガラス
のような硬質の材料の切削面１３には欠けが多く発生す
る。このため試料を厚め（２０〜１００μｍ）に加工せ
ざるをえなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術による固体試
料を薄片化する方法では、ダイシングソーの切削時の欠
けによって特定箇所が欠落するという問題点があった。
また、それを回避しようとすると、試料を厚めに残さな
ければならず、その後の工程でイオンビームスパッタに
より薄片化しなければならないため、無駄な時間を費や
すという欠点があった。そこで、本発明の目的は、切削
時の欠けを生じさせずに、いかなる試料であってもダイ
シングソーで薄片化することができる薄片試料作製方法
を提供することにある。
料を薄片化する方法では、ダイシングソーの切削時の欠
けによって特定箇所が欠落するという問題点があった。
また、それを回避しようとすると、試料を厚めに残さな
ければならず、その後の工程でイオンビームスパッタに
より薄片化しなければならないため、無駄な時間を費や
すという欠点があった。そこで、本発明の目的は、切削
時の欠けを生じさせずに、いかなる試料であってもダイ
シングソーで薄片化することができる薄片試料作製方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイシングソ
ーで固体試料の特定箇所の周辺部を切削し、ストライプ
状に薄片化した後、薄膜化することよりなる透過型電子
顕微鏡用の薄片試料作製方法において、予め固体試料表
面に該固体試料よりも低硬度の導電物質で被膜を形成
し、次いでダイシングソーで切削して固体試料を薄片化
することを特徴とする薄片試料作製方法である。本発明
の方法において、薄片部は巾２０μｍ以下であり、好ま
しくは５〜１０μｍである。
ーで固体試料の特定箇所の周辺部を切削し、ストライプ
状に薄片化した後、薄膜化することよりなる透過型電子
顕微鏡用の薄片試料作製方法において、予め固体試料表
面に該固体試料よりも低硬度の導電物質で被膜を形成
し、次いでダイシングソーで切削して固体試料を薄片化
することを特徴とする薄片試料作製方法である。本発明
の方法において、薄片部は巾２０μｍ以下であり、好ま
しくは５〜１０μｍである。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の方法を説明するための試料
の斜視図である。まず、図１（ａ）に示すように、固体
試料１の表面にスパッタで厚さ約１μｍのアルミニウム
被膜５を形成する。その後、ダイシングソーで切削し、
図１（ｂ）に示すような約５〜１０μｍの薄片部２を作
製する。本発明の切削面３は、表面に形成されているア
ルミニウム被膜５のために欠けがほとんどなくなり、特
定箇所４を中心に従来の１／４〜１／１０の巾である約
５〜１０μｍの薄片部２が得られる。なお、本発明はＧ
ａＡｓ，ガラス等の硬質材料に特に有効であり、被膜に
用いる材料もアルミニウムのみでなく、金，白金パラジ
ウム，カーボンブラック等、低硬度の導電物質が使用可
能である。また、被膜に導電物質を用いることにより、
集束イオンビーム加工時の試料の帯電防止、およびイオ
ンビームからの試料表面の保護にも利用できる。
て説明する。図１は本発明の方法を説明するための試料
の斜視図である。まず、図１（ａ）に示すように、固体
試料１の表面にスパッタで厚さ約１μｍのアルミニウム
被膜５を形成する。その後、ダイシングソーで切削し、
図１（ｂ）に示すような約５〜１０μｍの薄片部２を作
製する。本発明の切削面３は、表面に形成されているア
ルミニウム被膜５のために欠けがほとんどなくなり、特
定箇所４を中心に従来の１／４〜１／１０の巾である約
５〜１０μｍの薄片部２が得られる。なお、本発明はＧ
ａＡｓ，ガラス等の硬質材料に特に有効であり、被膜に
用いる材料もアルミニウムのみでなく、金，白金パラジ
ウム，カーボンブラック等、低硬度の導電物質が使用可
能である。また、被膜に導電物質を用いることにより、
集束イオンビーム加工時の試料の帯電防止、およびイオ
ンビームからの試料表面の保護にも利用できる。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、固体試
料の表面にこの固体試料よりも低硬度の導電物質で被膜
を形成することにより、ダイシングソー切削面の欠けを
ほとんどなくし、特定箇所を欠落することなく、巾の小
さな薄片試料を作製できるという効果を有する。
料の表面にこの固体試料よりも低硬度の導電物質で被膜
を形成することにより、ダイシングソー切削面の欠けを
ほとんどなくし、特定箇所を欠落することなく、巾の小
さな薄片試料を作製できるという効果を有する。
【図１】本発明による薄片試料作製方法を工程順に説明
するための試料斜視図である。
するための試料斜視図である。
【図２】従来技術で薄片化した場合の試料の加工形状を
示す試料斜視図である。
示す試料斜視図である。
１，１１ 固体試料 ２，１２ 薄片部 ３，１３ 切削面 ４，１４ 特定箇所 ５ アルミニウム被膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイシングソーで固体試料の特定箇所の
周辺部を切削し、ストライプ状に薄片化した後、薄膜化
することよりなる透過型電子顕微鏡用の薄片試料作製方
法において、予め固体試料表面に該固体試料よりも低硬
度の導電物質で被膜を形成し、次いでダイシングソーで
切削して固体試料を薄片化することを特徴とする薄片試
料作製方法。 - 【請求項２】 薄片が巾２０μｍ以下である請求項１記
載の薄片試料作製方法。 - 【請求項３】 薄片が巾５〜１０μｍである請求項２記
載の薄片試料作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19480794A JPH0843279A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 薄片試料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19480794A JPH0843279A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 薄片試料作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0843279A true JPH0843279A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16330589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19480794A Pending JPH0843279A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 薄片試料作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0843279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106338420A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-18 | 上海华力微电子有限公司 | 透射电子显微镜样品结染色的方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161845A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子顕微鏡用試料の処理方法 |
| JPS61169738A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 溶射皮膜の切断・研磨方法 |
| JPS6315137A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 断面透過電子顕微鏡用試料作成法 |
| JPS6353491A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | 三菱原子燃料株式会社 | 核燃料集合体の支持格子 |
| JPH03289534A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Toshiba Corp | 電子顕微鏡用サンプルのモールド方法 |
| JPH04335130A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Kyocera Corp | イオンミーリング法を用いた絶縁物分析方式 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP19480794A patent/JPH0843279A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161845A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子顕微鏡用試料の処理方法 |
| JPS61169738A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 溶射皮膜の切断・研磨方法 |
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| JPS6353491A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | 三菱原子燃料株式会社 | 核燃料集合体の支持格子 |
| JPH03289534A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Toshiba Corp | 電子顕微鏡用サンプルのモールド方法 |
| JPH04335130A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Kyocera Corp | イオンミーリング法を用いた絶縁物分析方式 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106338420A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-18 | 上海华力微电子有限公司 | 透射电子显微镜样品结染色的方法 |
| CN106338420B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-09-17 | 上海华力微电子有限公司 | 透射电子显微镜样品结染色的方法 |
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