JPH0843330A - Ion beam analyzer - Google Patents

Ion beam analyzer

Info

Publication number
JPH0843330A
JPH0843330A JP6174142A JP17414294A JPH0843330A JP H0843330 A JPH0843330 A JP H0843330A JP 6174142 A JP6174142 A JP 6174142A JP 17414294 A JP17414294 A JP 17414294A JP H0843330 A JPH0843330 A JP H0843330A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
sample
specific gas
specific
analysis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6174142A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Konishi
郁夫 小西
Hiroyuki Fujita
広之 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP6174142A priority Critical patent/JPH0843330A/en
Publication of JPH0843330A publication Critical patent/JPH0843330A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 試料に照射されたイオンビームの照射量を正
確に測定できるイオンビーム分析装置の提供する。 【構成】 試料TPに含まれる元素の分析に影響を与え
ない特定ガス、例えばネオン(Ne)ガスIを特定ガス
供給手段6からフード2内に供給した状態で、イオンビ
ーム発生装置1から試料TPにイオンビームを照射し、
X線検出器3で検出されたX線の信号を演算手段4で信
号処理することにより、エネルギー分布データを得る。
そして、ファラデーカップ等を用いて予め求められた、
この特定ガスについての特性X線強度とイオンビーム照
射量との対応関係から、分析時におけるイオンビーム照
射量が算出される。
(57) [Summary] [Objective] To provide an ion beam analyzer capable of accurately measuring the dose of an ion beam applied to a sample. [Configuration] A specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample TP, for example, a neon (Ne) gas I, is supplied from the specific gas supply means 6 into the hood 2, and then the sample TP is supplied from the ion beam generator 1. Irradiate with an ion beam,
Energy distribution data is obtained by processing the signal of the X-ray detected by the X-ray detector 3 by the calculation means 4.
Then, it is obtained in advance using a Faraday cup,
The ion beam irradiation amount at the time of analysis is calculated from the correspondence relationship between the characteristic X-ray intensity and the ion beam irradiation amount for this specific gas.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高エネルギーに加速さ
れたプロトン(H)やヘリウム(He)等のイオンを試
料に照射し、発生した試料固有の電磁波から試料の定性
・定量等の分析を行うイオンビーム分析装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention irradiates a sample with ions such as protons (H) and helium (He) accelerated to high energy, and analyzes the qualitative and quantitative properties of the sample from the electromagnetic waves specific to the sample. The present invention relates to an ion beam analyzer for performing.

【0002】[0002]

【従来技術】一般にイオンはX線等に比べてエネルギ
ー、電流等に対する制御性が優れているうえ、物質との
相互作用(散乱、反跳、原子励起、核反応等)が大きい
という特徴がある。このため、分析に際し、非常に有効
な励起源かつ検出量となり、イオンを用いることは、分
析評価の技術において必要不可欠なものの一つとなって
いる。
2. Description of the Related Art In general, ions are superior in controllability to energy, current, etc. as compared with X-rays and the like, and have a large interaction (scattering, recoil, atomic excitation, nuclear reaction, etc.) with substances. . Therefore, in analysis, it becomes a very effective excitation source and detection amount, and the use of ions is one of the indispensable in the technique of analysis and evaluation.

【0003】そして、高エネルギーに加速されたイオン
を試料に照射し、発生した試料固有の電磁波(光、X
線、γ線等)から試料の定性・定量等の分析を行う代表
的な分析法として、粒子線励起X線分析法(以下「PI
XE(Particle Induced X-rayEmission) 分析法」)が
ある。図16はPIXE分析を行うイオンビーム分析装
置の概略図であり、イオンビーム発生装置11から発生
したイオンビームは、薄膜15を通して試料TPに照射
され、試料TPから発生したX線がX線検出器13で検
出される。そして、演算手段14でそのエネルギー分析
等の処理がされ、元素固有の特性X線を解析することに
よって試料TPの定性・定量分析等が行われる。通常、
大気中のアルゴン(Ar)からのX線等が分析の妨げと
ならないように、試料TPはフード12で覆われ、内部
にHe等のガスを流して、分析結果への悪影響の防止が
図られている。
Then, the sample is irradiated with ions accelerated to high energy, and the generated electromagnetic wave (light, X
As a typical analysis method for qualitative / quantitative analysis of a sample from X-rays, γ-rays, etc., a particle beam excitation X-ray analysis method (hereinafter referred to as “PI
XE (Particle Induced X-ray Emission) analysis method "). FIG. 16 is a schematic diagram of an ion beam analyzer for performing PIXE analysis. The ion beam generated by the ion beam generator 11 is applied to the sample TP through the thin film 15, and the X-ray generated from the sample TP is detected by the X-ray detector. Detected at 13. Then, the calculation means 14 performs the energy analysis and the like, and analyzes the characteristic X-rays peculiar to the element to perform the qualitative / quantitative analysis of the sample TP. Normal,
The sample TP is covered with a hood 12 and a gas such as He is allowed to flow inside to prevent adverse effects on the analysis result so that X-rays from argon (Ar) in the atmosphere do not interfere with the analysis. ing.

【0004】ここで、試料TP中に含まれる元素の絶対
濃度を測定するためには、試料TPに照射されたイオン
ビームの照射量を測定することが不可欠となるため、従
来では、試料TPを絶縁状態に保持し、これに電流計1
6を接続して、試料TPから流れる電流を測定すること
によってイオンビームの照射量を求めていた。
Here, in order to measure the absolute concentration of the element contained in the sample TP, it is indispensable to measure the irradiation dose of the ion beam with which the sample TP is irradiated. Keep it insulated and attach an ammeter 1
The irradiation amount of the ion beam was obtained by connecting 6 and measuring the current flowing from the sample TP.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに試料TPに電流計16を直接接続した構成では、イ
オンビームの照射によって生じる2次電子や、プラズマ
により電流が外部に流れ出す等の影響のため、イオンビ
ームの照射量を正確に測定できず、結果的に試料TPに
含まれる元素の絶対濃度を正確に測定できなという問題
があった。
However, in such a configuration in which the ammeter 16 is directly connected to the sample TP in this manner, secondary electrons generated by the irradiation of the ion beam, and the effect that the current flows to the outside due to the plasma, etc. However, there is a problem that the dose of the ion beam cannot be accurately measured, and as a result, the absolute concentration of the element contained in the sample TP cannot be accurately measured.

【0006】そこで、本発明は、これらの問題点を解消
するために創案されたものであって、試料に照射された
イオンビームの照射量を正確に測定できるイオンビーム
分析装置の提供を目的とする。
Therefore, the present invention was devised in order to solve these problems, and an object thereof is to provide an ion beam analyzer capable of accurately measuring the dose of the ion beam with which the sample is irradiated. To do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願第1の発明は、イオ
ンビームを試料に照射し、前記イオンビームの照射によ
り発生した試料を構成する元素固有の電磁波を分析する
ことにより試料の定性・定量等の分析を行うイオンビー
ム分析装置において、前記試料に含まれる元素の分析に
影響を与えない特定ガスを前記試料周辺に供給する特定
ガス供給手段と、前記イオンビームとの相互作用により
発生する前記特定ガス固有の電磁波を検出する電磁波検
出手段と、予め測定された前記特定ガス固有の電磁波の
強度とイオンビーム照射量との関係を用いて、前記電磁
波検出手段で検出された特定ガス固有の電磁波の強度か
らイオンビーム照射量を算出する演算手段と、を備えた
ことを特徴とする。
The first invention of the present application qualitatively / quantitatively quantifies a sample by irradiating the sample with an ion beam and analyzing the electromagnetic waves specific to the elements constituting the sample generated by the irradiation of the ion beam. In an ion beam analyzer for performing analysis such as the above, a specific gas supply means for supplying a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample to the periphery of the sample, and the specific gas supply means generated by the interaction with the ion beam. An electromagnetic wave specific to the specific gas detected by the electromagnetic wave detection means, using an electromagnetic wave detection means for detecting an electromagnetic wave specific to the specific gas, and the relationship between the intensity of the electromagnetic wave specific to the specific gas and the ion beam irradiation amount measured in advance. Calculating means for calculating the ion beam irradiation amount from the intensity of the.

【0008】また、本願第2の発明は、イオンビームを
試料に照射し、前記イオンビームの照射により発生した
試料を構成する元素固有の電磁波を分析することにより
試料の定性・定量等の分析を行うイオンビーム分析装置
において、前記試料に含まれる元素の分析に影響を与え
ない特定ガスを前記試料周辺に供給する特定ガス供給手
段と、前記イオンビームとの相互作用により発生する特
定元素又はその化合物を検出する元素・化合物検出手段
と、予め測定された前記特定元素又はその化合物の検出
信号値とイオンビーム照射量との関係を用いて、前記元
素・化合物検出手段で検出された特定元素又はその化合
物の検出信号からイオンビーム照射量を算出する演算手
段と、を備えたことを特徴とする。
The second invention of the present application irradiates a sample with an ion beam and analyzes the electromagnetic waves peculiar to the elements constituting the sample generated by the irradiation of the ion beam to analyze the sample qualitatively and quantitatively. In an ion beam analyzer for performing, a specific gas supply means for supplying a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample to the periphery of the sample, and a specific element generated by the interaction with the ion beam or a compound thereof By using the relationship between the detection signal value of the element / compound detection means for detecting the specific element or its compound measured in advance and the ion beam irradiation amount, or the specific element detected by the element / compound detection means or And a calculation unit that calculates the ion beam irradiation dose from the detection signal of the compound.

【0009】[0009]

【作用】本願第1の発明の作用を図1に基づいて説明す
る。試料TPに含まれる元素の分析に影響を与えない特
定ガス、例えばネオン(Ne)ガスIを特定ガス供給手
段6からフード2内に供給した状態で、イオンビーム発
生装置1から試料TPにイオンビームを照射し、X線検
出器3(電磁波検出手段)で検出されたX線の信号を演
算手段4で信号処理することにより、図7に示されるス
ペクトルデータを得る。そして、図3に示すファラデー
カップ7a等を用いて予め求められた、図5に示される
特定ガスIについての特性X線強度とイオンビーム照射
量との対応関係から、分析時におけるイオンビーム照射
量が算出される。
The operation of the first invention of the present application will be described with reference to FIG. An ion beam from the ion beam generator 1 to the sample TP in a state where a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample TP, for example, a neon (Ne) gas I is supplied from the specific gas supply means 6 into the hood 2. Is irradiated, and the signal of the X-ray detected by the X-ray detector 3 (electromagnetic wave detecting means) is processed by the calculating means 4 to obtain the spectrum data shown in FIG. Then, from the correspondence relationship between the characteristic X-ray intensity and the ion beam irradiation amount for the specific gas I shown in FIG. 5, which is obtained in advance using the Faraday cup 7a shown in FIG. 3, the ion beam irradiation amount at the time of analysis is obtained. Is calculated.

【0010】次に、本願第2の発明の作用を図8に基づ
いて説明する。試料TPに含まれる元素の分析に影響を
与えない特定ガス、例えば二酸化炭素(CO2 )等の特
定ガスIを特定ガス供給手段6’からフード2内に供給
した状態で、イオンビーム発生装置1から試料TPにイ
オンビームを照射し、元素・化合物検出器3’で検出さ
れた特定元素又はその化合物の検出信号から、演算手段
4’で、図3に示すファラデーカップ7a等を用いて予
め求められた、図10に示される特定元素又はその化合
物の検出量とイオンビーム照射量との対応関係を用い
て、分析時におけるイオンビーム照射量が算出される。
Next, the operation of the second invention of the present application will be described with reference to FIG. From the ion beam generator 1 in the state where the specific gas I which does not affect the analysis of the elements contained in the sample TP, for example, the specific gas I such as carbon dioxide (CO2) is supplied into the hood 2 from the specific gas supply means 6 '. The sample TP is irradiated with an ion beam, and is calculated in advance by the calculation means 4 ′ using the Faraday cup 7a shown in FIG. 3 from the detection signal of the specific element or its compound detected by the element / compound detector 3 ′. Further, the ion beam irradiation amount at the time of analysis is calculated using the correspondence relationship between the detected amount of the specific element or its compound and the ion beam irradiation amount shown in FIG.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本願第1の発明の一実施例を図1〜図
7に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the first invention of the present application will be described below with reference to FIGS.

【0012】図1は本願第1の発明にかかるイオンビー
ム分析装置の全体概略図で、1はイオンビームを試料T
Pに照射するイオンビーム発生装置である。2はフード
で、大気によるX線の検出誤差を除去するためHeガス
が内部に供給されている。3はX線検出器で、イオンビ
ームの照射を受けた試料TPから発生するX線を検出す
る。4は演算手段で、X線検出器3により検出されたX
線のエネルギー分布等を求め、特性X線の解析等を行う
ことにより試料TPの定性・定量分析を行う。5は薄膜
で、フード2側とイオンビーム発生装置1側とを遮断
し、イオンビーム通過路1aを真空に保つ。
FIG. 1 is an overall schematic view of an ion beam analyzer according to the first invention of the present application.
It is an ion beam generator that irradiates P. Reference numeral 2 denotes a hood, to which He gas is supplied in order to remove an X-ray detection error due to the atmosphere. An X-ray detector 3 detects X-rays generated from the sample TP irradiated with the ion beam. Reference numeral 4 denotes a calculation means, which is the X detected by the X-ray detector 3.
The qualitative / quantitative analysis of the sample TP is performed by obtaining the energy distribution of the rays and analyzing the characteristic X-rays. Reference numeral 5 denotes a thin film, which shields the hood 2 side and the ion beam generator 1 side and keeps the ion beam passage 1a in vacuum.

【0013】6は特定ガス供給手段で、試料TPに含ま
れる元素の分析に影響を与えない特定ガスをフード2内
に供給する。この特定ガスは試料TPの種類によって選
別する必要があるが、基本的にガス化可能であって、試
料TPを構成する元素と特性X線が重ならない元素ガス
であればよく、例えば、ネオン(Ne),硫黄(S),
塩素(Cl),セレン(Se),臭素(Br),クリプ
トン(Kr),キセノン(Xe),ラドン(Rn)等が
考えられる。
Reference numeral 6 is a specific gas supply means for supplying a specific gas which does not affect the analysis of elements contained in the sample TP into the hood 2. This specific gas needs to be selected according to the type of the sample TP, but basically any gas that can be gasified and has no characteristic X-ray overlapping with the elements constituting the sample TP, such as neon ( Ne), sulfur (S),
Chlorine (Cl), selenium (Se), bromine (Br), krypton (Kr), xenon (Xe), radon (Rn), etc. are considered.

【0014】次に、かかる特定ガスにイオンビームを照
射することにより得られる特性X線の強度とイオンビー
ム照射量との対応関係を示す対応関数を求める手順を演
算手段4の動作を示す図2のフローチャートに基づいて
説明する。
Next, the operation of the calculating means 4 will be described with reference to the procedure for obtaining the correspondence function showing the correspondence between the intensity of the characteristic X-ray obtained by irradiating the specific gas with the ion beam and the ion beam irradiation amount. A description will be given based on the flowchart.

【0015】まず、対応関数の算出に先立って、図1で
示した試料TPを図3に示されるファラデーカップ7a
と電流計7bに置き換える。ここで、ファラデーカップ
7aに照射されたイオンビームは電流としてアースに流
れるが、その途中に配設された電流計7bによってイオ
ンビームの照射量が電流値として測定される。そして、
特定ガス供給手段6から所定量の特定ガスIをフード2
内に供給した状態で、イオンビームの照射量を異ならせ
てファラデーカップ7aに順次照射し、複数の異なる照
射量のイオンビームのそれぞれについて、特定ガスIの
特性X線の強度X1,X2,・・・を測定する(S1)。こ
こで、特性X線の強度は、特定ガスIから発生するX線
をX線検出器3を介して検出し、図4に示される特性X
線のピーク値を測定することにより求めることが出来
る。
First, prior to the calculation of the correspondence function, the sample TP shown in FIG. 1 is replaced with the Faraday cup 7a shown in FIG.
And ammeter 7b. Here, the ion beam with which the Faraday cup 7a is irradiated flows as a current to the ground, and the irradiation amount of the ion beam is measured as a current value by the ammeter 7b disposed in the middle thereof. And
A specific amount of the specific gas I is supplied from the specific gas supply means 6 to the hood 2.
In this state, the Faraday cup 7a is sequentially irradiated with different irradiation doses of the ion beam, and the characteristic X-ray intensities X1, X2 ,. .. is measured (S1). Here, the intensity of the characteristic X-ray is obtained by detecting the X-ray generated from the specific gas I via the X-ray detector 3, and measuring the characteristic X-ray shown in FIG.
It can be determined by measuring the peak value of the line.

【0016】次に、それぞれのイオンビームの照射量毎
に電流計7bで測定しておいた電流値y1,y2,・・・を
入力する(S2)。
Next, the current values y1, y2, ... Measured by the ammeter 7b are input for each ion beam irradiation amount (S2).

【0017】そして、異なる照射量のイオンビーム毎に
測定した特性X線の強度X1,X2,・・・とイオンビーム
の照射量を示す電流値y1,y2,・・・から、例えば、最
小2乗法を用いて次式の係数aj (j=0〜n)を算出
することにより、図5に示される特性X線の強度とイオ
ンビームの照射量との関係を示す対応関数を求める(S
3)。
Then, from the characteristic X-ray intensities X1, X2, ... Measured for ion beams of different irradiation doses and the current values y1, y2 ,. By calculating the coefficient aj (j = 0 to n) of the following equation using the multiplication method, the corresponding function showing the relationship between the characteristic X-ray intensity and the ion beam irradiation dose shown in FIG. 5 is obtained (S
3).

【0018】[0018]

【数1】 なお、数式1で、通常nの値は1でよいが、イオンビー
ムの照射量の測定精度を上げたい場合は、nの次数を増
やせばよい。
[Equation 1] In Equation 1, the value of n may normally be 1. However, if it is desired to increase the measurement accuracy of the dose of the ion beam, the order of n may be increased.

【0019】次に、かかる対応関数を用いて、PIXE
分析を行う場合の作用を本発明にかかる演算手段4の動
作を示す図6のフロチャートに基づいて説明する。
Next, using the corresponding function, PIXE
The operation in the case of analysis will be described based on the flowchart of FIG. 6 showing the operation of the calculating means 4 according to the present invention.

【0020】まず、図1に示されるように、分析対象と
なる試料TPをフード2内に設置し、特定ガス供給手段
6から対応関数を求めた際と同量・同種の特定ガスIを
フード2内に供給した状態で、イオンビーム発生手段1
からイオンビームを試料TPに対して照射する。そし
て、X線検出器3で検出されたX線の信号を入力し(S
11)、その信号を処理することによって、図7に示さ
れるように、検出されたX線のエネルギー分布を求める
(S12)。
First, as shown in FIG. 1, the sample TP to be analyzed is placed in the hood 2, and the same amount and same kind of the specific gas I as when the corresponding function is obtained from the specific gas supply means 6 is hooded. The ion beam generating means 1 in the state of being supplied to the inside 2
Irradiates the sample TP with the ion beam. Then, the X-ray signal detected by the X-ray detector 3 is input (S
11) By processing the signal, the energy distribution of the detected X-ray is obtained as shown in FIG. 7 (S12).

【0021】次に、求めたエネルギー分布から特定ガス
Iの特性X線のピーク値Xを求め(S13)、このピー
ク値Xから、予め求めた図5に示される対応関数を用い
て、イオンビームの照射量を示す電流値yを算出する
(S14)。
Next, the peak value X of the characteristic X-ray of the specific gas I is calculated from the calculated energy distribution (S13), and the ion beam is calculated from the peak value X using the corresponding function shown in FIG. The current value y indicating the irradiation amount of is calculated (S14).

【0022】そして、分析対象となる元素、例えば、図
7において、測定元素Cのピーク値XC から、測定元素
Cの絶対濃度Sを以下の式より算出する(S15)。
Then, the absolute concentration S of the element to be analyzed, for example, the peak value XC of the element C to be measured in FIG. 7 is calculated by the following formula (S15).

【0023】[0023]

【数2】 このように、本願第1の発明によれば、従来のように、
試料から流れ出す電流を直接測定するのではなく、対象
となる元素の分析に影響を与えない特定ガスの特性X線
の値からイオンビームの照射量を算出するよう構成した
ため、イオンビームの照射によって生じる2次電子や、
プラズマによる影響を受けず、イオンビーム照射量の正
確な測定が可能となり、結果的に分析対象となる元素の
絶対濃度の正確な測定ができる。
[Equation 2] Thus, according to the first invention of the present application, as in the conventional case,
It is generated by ion beam irradiation because it is configured not to directly measure the current flowing out of the sample but to calculate the ion beam irradiation amount from the value of the characteristic X-ray of the specific gas that does not affect the analysis of the target element. Secondary electrons,
The ion beam irradiation dose can be accurately measured without being affected by plasma, and as a result, the absolute concentration of the element to be analyzed can be accurately measured.

【0024】次に、本願第2の発明の実施例を図8〜図
11に基づいて説明する。図8は本願第2の発明にかか
るイオンビーム分析装置の全体概略図で、図1に示した
本願第1の発明との相違は、X線検出器3に加えて元素
・化合物検出器3’を用いたこと、フード2内に供給す
べき特定ガスの種類が異なること、及び演算手段4の機
能が異なることであるため、その他の構成要素について
の説明はここでは省略する。
Next, an embodiment of the second invention of the present application will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is an overall schematic view of the ion beam analyzer according to the second invention of the present application. The difference from the first invention of the present application shown in FIG. 1 is that in addition to the X-ray detector 3, an element / compound detector 3 ′ is provided. Is used, the type of the specific gas to be supplied into the hood 2 is different, and the function of the calculation unit 4 is different, so that the description of the other components will be omitted here.

【0025】3’は元素・化合物検出器で、フード2内
に発生した特定元素又はその化合物の量を検出する。
4’は演算手段で、元素・化合物検出器3’における特
定元素又はその化合物の検出信号からイオンビーム照射
量を算出し、分析対象となる元素の絶対濃度を求める。
6’は特定ガス供給手段で、ここで供給される特定ガス
は、イオンビームとの相互作用により発生する新たな元
素が試料TPに含まれる元素の分析に影響を与えないガ
スである。
3'is an element / compound detector for detecting the amount of a specific element or its compound generated in the hood 2.
Reference numeral 4'is a calculating means, which calculates the ion beam irradiation dose from the detection signal of the specific element or its compound in the element / compound detector 3 ', and obtains the absolute concentration of the element to be analyzed.
Reference numeral 6'denotes a specific gas supply means. The specific gas supplied here is a gas in which a new element generated by the interaction with the ion beam does not affect the analysis of the element contained in the sample TP.

【0026】かかる特定ガスにイオンビームを照射する
ことにより得られる特定元素又はその化合物の量とイオ
ンビーム照射量との対応関係を示す対応関数を求める手
順を演算手段4’の動作を示す図9のフローチャートに
基づいて説明する。
FIG. 9 showing the operation of the calculating means 4'for the procedure for obtaining the correspondence function showing the correspondence between the amount of the specific element or its compound obtained by irradiating the specific gas with the ion beam and the irradiation amount of the ion beam. A description will be given based on the flowchart.

【0027】まず、対応関数の算出に先立って、本願第
1の発明の場合と同様、図8で示した試料TPを図3の
ファラデーカップ7aと電流計7bに置き換える。そし
て、特定ガス供給手段6’から所定量の特定ガスI、例
えば、二酸化炭素(CO2 )をフード2内に供給した状
態で、異なる照射量のイオンビーム、例えば、H+ ビー
ムをファラデーカップ7aに順次照射し、それぞれの照
射量について、下記の化学式、 に示すように二酸化炭素(CO2 )との相互作用により
得られる化合物である一酸化炭素(CO)の化合物量M
1,M2,・・・と(S21)、電流量y1,y2,・・・を測
定する。
First, prior to the calculation of the correspondence function, the sample TP shown in FIG. 8 is replaced with the Faraday cup 7a and the ammeter 7b shown in FIG. 3, as in the case of the first invention of the present application. Then, a predetermined amount of the specific gas I, for example, carbon dioxide (CO2), is supplied from the specific gas supply means 6'to the Faraday cup 7a while the ion beam, for example, the H + beam, having a different irradiation amount is supplied to the hood 2. Irradiate sequentially, for each dose, the following chemical formula, As shown in, the compound amount M of carbon monoxide (CO), which is a compound obtained by the interaction with carbon dioxide (CO2),
1, M2, ... And (S21), the current amounts y1, y2 ,.

【0028】次に、それぞれのイオンビームの照射量毎
に電流計7bで測定した電流値y1,y2,・・・を入力す
る(S22)。
Next, the current values y1, y2, ... Measured by the ammeter 7b are input for each ion beam irradiation amount (S22).

【0029】そして、異なる照射量のイオンビーム毎に
測定した一酸化炭素(CO)の化合物量M1,M2,・・・
とイオンビームの照射量を示す電流値y1,y2,・・・か
ら、第1の発明の場合と同様に、最小2乗法を用いて上
述した数式1の係数aj (j=0〜n)を算出すること
により、図10に示される化合物の検出量とイオンビー
ムの照射量との関係を示す対応関数を求める(S2
3)。
The amount of carbon monoxide (CO) compound M1, M2, ...
From the current values y1, y2, ... Indicating the irradiation dose of the ion beam, the coefficient aj (j = 0 to n) of the above-mentioned formula 1 is calculated by using the least squares method as in the case of the first invention. By calculating, a corresponding function showing the relationship between the detected amount of the compound shown in FIG. 10 and the irradiation amount of the ion beam is obtained (S2
3).

【0030】次に、かかる対応関数を用いて、PIXE
分析を行う場合の作用を本願第2の発明にかかる演算手
段4’の動作を示す図11のフロチャートにより説明す
る。
Next, using the corresponding function, PIXE
The operation in the case of performing the analysis will be described with reference to the flowchart of FIG. 11 showing the operation of the calculating means 4'according to the second invention of the present application.

【0031】まず、図8に示されるように、分析対象と
なる試料TPをフード2内に設置し、特定ガス供給手段
6’から対応関数を求めた場合と同量・同種の二酸化炭
素CO2 をフード2内に供給した状態で、イオンビーム
発生手段1からイオンビームを試料TPに照射する。そ
して、X線検出器3で検出されたX線の信号を入力し
(S31)、その信号を処理することによって、図7と
同様に、検出されたX線のエネルギー分布を求める(S
32)。
First, as shown in FIG. 8, the sample TP to be analyzed is installed in the hood 2 and the same amount and same kind of carbon dioxide CO2 as those obtained when the corresponding function is obtained from the specific gas supply means 6'is obtained. The sample TP is irradiated with the ion beam from the ion beam generating means 1 while being supplied into the hood 2. Then, the signal of the X-ray detected by the X-ray detector 3 is input (S31), and the signal is processed to obtain the energy distribution of the detected X-ray as in the case of FIG. 7 (S).
32).

【0032】次に、元素・化合物検出器3’から一酸化
炭素(CO)の検出信号を入力し(S33)、その検出
信号から、予め求めた図10に示す対応関数を用いて、
イオンビームの照射量を示す電流値yを算出する(S3
4)。
Next, a detection signal of carbon monoxide (CO) is input from the element / compound detector 3 '(S33), and a corresponding function shown in FIG.
A current value y indicating the irradiation amount of the ion beam is calculated (S3
4).

【0033】そして、本願第1の発明と同様に、分析対
象となる元素、例えば、図7において、測定元素Cのピ
ーク値XC から、測定元素Cの絶対濃度Sを上記の数式
1より算出する(S35)。
Then, as in the first aspect of the present invention, the absolute concentration S of the element to be measured is calculated from the above equation 1 from the peak value Xc of the element to be analyzed, eg, the element C to be measured in FIG. (S35).

【0034】このように、本願第2の発明によれば、本
願第1の発明と同様に、試料から流れ出す電流を直接測
定するのではなく、分析対象となる元素分析に影響を与
えない特定ガスの特性X線の値からイオンビームの照射
量を算出するよう構成したため、イオンビームの照射に
よって生じる2次電子や、プラズマによる影響を受け
ず、イオンビーム照射量の正確な測定が可能となり、結
果的に分析対象となる元素の絶対濃度の正確な測定が可
能となる。
As described above, according to the second invention of the present application, as in the first invention of the present application, the specific gas which does not affect the elemental analysis to be analyzed is not directly measured, but the current flowing out from the sample is directly measured. Since the dose of the ion beam is calculated from the value of the characteristic X-ray of, the ion beam dose can be accurately measured without being affected by the secondary electrons generated by the ion beam irradiation and plasma. Therefore, it is possible to accurately measure the absolute concentration of the element to be analyzed.

【0035】上述した実施例では、特定ガスから発生す
る特性X線或いは特定ガスが化学反応することにより生
じる特定元素又はその化合物を検出することにより、イ
オンビーム照射量を算出したが、以下に示す変形実施例
も考えられる。
In the above-mentioned embodiment, the ion beam irradiation dose was calculated by detecting the characteristic X-rays generated from the specific gas or the specific element or its compound generated by the chemical reaction of the specific gas. Modifications are also possible.

【0036】<第1の変形実施例>第1の変形実施例で
は、イオンビームを試料に照射し、試料を構成する元素
固有の電磁波を分析することにより試料の定性・定量等
の分析を行うイオンビーム分析装置において、前記試料
に含まれる元素の分析に影響を与えない特定ガスを前記
試料周辺に供給する特定ガス供給手段と、イオンビーム
と特定ガスとの核反応により発生するγ線を検出するγ
線検出手段と、予め測定された核反応により発生するγ
線の強度とイオンビーム照射量との関係を用いて、前記
γ線検出手段で検出されたγ線の強度からイオンビーム
照射量を算出する演算手段と、を備えたことを特徴とす
る。そして、上述した本願第1及び第2の発明と略同様
の手順を踏むことによりイオンビーム照射量が算出され
る。
<First Modification> In the first modification, the sample is irradiated with an ion beam, and electromagnetic waves peculiar to the elements constituting the sample are analyzed to perform qualitative / quantitative analysis of the sample. In the ion beam analysis device, a specific gas supply unit that supplies a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample to the periphery of the sample, and detects γ-rays generated by a nuclear reaction between the ion beam and the specific gas Gamma
Γ generated by the radiation detection means and the previously measured nuclear reaction
Arithmetic means for calculating the ion beam irradiation amount from the intensity of the γ-ray detected by the γ-ray detecting means by using the relationship between the intensity of the rays and the irradiation amount of the ion beam. Then, the ion beam irradiation dose is calculated by following the procedure substantially similar to the above-described first and second inventions of the present application.

【0037】なお、ここで用いるイオンビームは、例え
ば1.25MeV程度のプロトン(H+ )ビームが考え
られ、特定ガスとして、19Fを供給すれば、以下の核反
応式により、γ線が発生する。
The ion beam used here is, for example, a proton (H + ) beam of about 1.25 MeV. If 19 F is supplied as the specific gas, γ-rays are generated by the following nuclear reaction formula. To do.

【0038】H+19F→α+16O+γ <第2の変形実施例>第2の変形実施例では、イオンビ
ームを試料に照射し、試料を構成する元素固有の電磁波
を分析することにより試料の定性・定量等の分析を行う
イオンビーム分析装置において、イオンビーム発生装置
側のイオンビームの通過路と試料側を隔離する図1等に
示された薄膜5のイオンビームを照射による光学的透過
率の変化を測定し、この透過率の変化量から、予め求め
た光学的透過率の変化量とイオンビームの照射量を示す
対応関数を用いて、分析時におけるイオンビーム照射量
を算出することを特徴とする。
H + 19 F → α + 16 O + γ <Second Modification> In the second modification, the sample is irradiated with an ion beam and electromagnetic waves peculiar to the elements constituting the sample are analyzed to determine the qualitative property of the sample. In an ion beam analyzer that performs quantitative analysis, etc., the optical transmittance of the thin film 5 shown in FIG. 1 etc. that separates the ion beam passage on the ion beam generator side from the sample side The feature is that the change is measured, and the amount of ion beam irradiation at the time of analysis is calculated from the amount of change in transmittance, using a corresponding function that shows the amount of change in optical transmittance and the amount of ion beam irradiation that was obtained in advance. And

【0039】即ち、第2の変形実施例は、図1等で示さ
れる薄膜5がイオンビームの照射量に応じて、その光学
的透過率が変化する性質を利用するものであり、例え
ば、イオンビームの照射前と照射後では、薄膜5の透過
率は光の波長に応じて図12に示される変化を示す。こ
のため、図3のファラデーカップ等を用いて、イオンビ
ームの照射量を変えながら、薄膜5の特定波長λでの光
学的透過率の変化量Δσを測定すれば、本願第1の発明
で示したように、最小2乗法等を用いることで、図13
に示される透過率の変化量Δσとイオンビームの照射量
yとの対応関数を求めることが出来る。
That is, the second modified example utilizes the property that the optical transmittance of the thin film 5 shown in FIG. 1 and the like changes according to the irradiation amount of the ion beam. Before and after irradiation with the beam, the transmittance of the thin film 5 changes as shown in FIG. 12 according to the wavelength of light. Therefore, if the amount of change in optical transmittance at a specific wavelength λ of the thin film 5 is measured using the Faraday cup or the like in FIG. 3 while changing the irradiation amount of the ion beam, it is shown in the first invention of the present application. As described above, by using the method of least squares,
It is possible to obtain the correspondence function between the variation Δσ in transmittance and the ion beam irradiation amount y shown in FIG.

【0040】そして、実際の試料TPの元素分析に際し
ては、分析前と分析後の薄膜5の光学的透過率を測定す
ることによって、図13に示される対応関数を用いて、
試料TPに照射されたイオンビームの照射量が算出でき
る。
In the actual elemental analysis of the sample TP, the optical transmittance of the thin film 5 before and after the analysis is measured, and the corresponding function shown in FIG.
The irradiation amount of the ion beam with which the sample TP is irradiated can be calculated.

【0041】<第3の変形実施例>第3の変形実施例で
は、イオンビームを試料に照射し、試料を構成する元素
固有の電磁波を分析することにより試料の定性・定量等
の分析を行うイオンビーム分析装置において、イオンビ
ーム発生装置側のイオンビームの通過路と試料TP側を
隔離する薄膜5の表面に蛍光体を形成し、イオンビーム
の照射によりこの蛍光体から発生する光量を光検出セン
サで検出し、検出された光量から、演算手段で、予め求
められた光量とイオンビーム照射量との対応関数を用い
て分析時におけるイオンビーム照射量を算出するよう構
成したことを特徴とする。
<Third Modification> In the third modification, the sample is irradiated with an ion beam and electromagnetic waves peculiar to the elements constituting the sample are analyzed to analyze the sample qualitatively and quantitatively. In the ion beam analyzer, a phosphor is formed on the surface of the thin film 5 that separates the ion beam passage on the side of the ion beam generator from the sample TP side, and the amount of light generated from this phosphor is detected by irradiation of the ion beam. It is characterized in that the calculation unit calculates the ion beam irradiation amount at the time of analysis from the detected light amount detected by the sensor, using a correspondence function between the light amount and the ion beam irradiation amount which are obtained in advance. .

【0042】図14は第3の変形実施例の特徴的部分の
概略図であり、薄膜5には蛍光体5aを塗布されてお
り、薄膜5を透過したイオンビームによって発光した蛍
光体5aからの光量を光検出センサ3”で検出し、不図
示の演算手段で処理される。光検出センサ3”は、フィ
ルタ3”aとフォトダイオード3”bによって構成され
ている。そして、図3のファラデーカップ等を用いて、
イオンビームの照射量を変えながら、蛍光体5aの発光
量とイオンビーム照射量を測定すれば、本願第1の発明
と同様の手順で、図15に示される蛍光体5aの発光量
とイオンビーム照射量との対応関数を求めることが出来
る。
FIG. 14 is a schematic view of a characteristic portion of the third modification, in which the thin film 5 is coated with a fluorescent substance 5a, and the fluorescent substance 5a emitted by the ion beam transmitted through the thin film 5 is emitted. The amount of light is detected by the light detection sensor 3 ″ and processed by a calculation unit (not shown). The light detection sensor 3 ″ is composed of a filter 3 ″ a and a photodiode 3 ″ b. Then, using the Faraday cup etc. of FIG.
If the light emission amount of the phosphor 5a and the ion beam irradiation amount are measured while changing the ion beam irradiation amount, the light emission amount of the phosphor 5a and the ion beam shown in FIG. 15 can be obtained by the same procedure as the first invention of the present application. It is possible to obtain the correspondence function with the irradiation dose.

【0043】そして、実際の試料TPの元素分析に際し
ては、試料TPから発生するX線をX線検出器によって
検出すると同時に、光検出センサ3”によって蛍光体5
aが発する光量を測定し、予め求めた図15に示される
対応関数からイオンビーム照射量が算出される。
In the actual elemental analysis of the sample TP, the X-rays generated from the sample TP are detected by the X-ray detector, and at the same time, the phosphor 5 is detected by the light detection sensor 3 ".
The amount of light emitted by a is measured, and the ion beam irradiation dose is calculated from the correspondence function shown in FIG.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明にかかるイオンビーム分析装置に
よれば、試料から流れ出す電流を直接測定するのではな
く、分析対象となる元素分析に影響を与えない特定ガス
の特性X線の値等からイオンビームの照射量を算出する
よう構成したため、イオンビームの照射によって生じる
2次電子や、プラズマによる影響を受けず、イオンビー
ム照射量の正確な測定が可能となり、結果的に分析対象
となる元素の絶対濃度の正確な測定が可能となる。
According to the ion beam analyzer of the present invention, the current flowing out from the sample is not directly measured, but the characteristic X-ray value of the specific gas which does not affect the elemental analysis to be analyzed is used. Since it is configured to calculate the dose of the ion beam, it is possible to measure the dose of the ion beam accurately without being affected by secondary electrons or plasma generated by the irradiation of the ion beam, and as a result, the element to be analyzed. Accurate measurement of the absolute concentration of

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本願第1の発明にかかるイオンビーム分析装置
の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of an ion beam analyzer according to the first invention of the present application.

【図2】本願第1の発明にかかる演算手段によってX線
強度とイオンビーム照射量との対応関数を求める動作を
示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flow chart showing an operation for obtaining a correspondence function between X-ray intensity and ion beam irradiation dose by the calculating means according to the first invention of the present application.

【図3】ファラデーカップを用いてイオンビーム照射量
を測定する場合を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a case where an ion beam irradiation amount is measured using a Faraday cup.

【図4】対応関数算出時に検出されるX線のエネルギー
分布を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an energy distribution of X-rays detected when calculating a correspondence function.

【図5】特定X線の強度とイオンビーム照射量との対応
関数を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a correspondence function between a specific X-ray intensity and an ion beam irradiation dose.

【図6】本願第1の発明の分析時における演算手段の動
作を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the calculating means during analysis of the first invention of the present application.

【図7】分析時に時に検出されるX線のエネルギー分布
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an X-ray energy distribution detected at the time of analysis.

【図8】本願第2の発明にかかるイオンビーム分析装置
の概略図である。
FIG. 8 is a schematic view of an ion beam analyzer according to the second invention of the present application.

【図9】本願第2の発明にかかる演算手段によってX線
強度とイオンビーム照射量との対応関数を求める動作を
示すフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing an operation for obtaining a correspondence function between X-ray intensity and ion beam irradiation dose by the calculating means according to the second invention of the present application.

【図10】特定元素又はその化合物の検出量とイオンビ
ーム照射量との対応関数を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a correspondence function between a detected amount of a specific element or a compound thereof and an ion beam irradiation amount.

【図11】本願第2の発明の分析時における演算手段の
動作を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flow chart showing the operation of the calculation means at the time of analysis of the second invention of the present application.

【図12】イオンビームの照射前後における薄膜の光透
過率の変化を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a change in light transmittance of a thin film before and after irradiation with an ion beam.

【図13】薄膜の光学的透過率の変化量とイオンビーム
照射量との対応関数を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a correspondence function between a change amount of optical transmittance of a thin film and an ion beam irradiation amount.

【図14】薄膜表面に形成した蛍光体の発光量を検出す
る場合の構成を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a configuration for detecting the light emission amount of a phosphor formed on the surface of a thin film.

【図15】薄膜表面に形成した蛍光体の発光量とイオン
ビーム照射量との対応関数を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a correspondence function between a light emission amount of a phosphor formed on a thin film surface and an ion beam irradiation amount.

【図16】従来のイオンビーム分析装置の概略図であ
る。
FIG. 16 is a schematic view of a conventional ion beam analyzer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

TP・・・試料 1・・・・イオンビーム発生装置 2・・・・フード 3・・・・X線検出器 4・・・・演算手段 5・・・・薄膜 6・・・・特定ガス供給手段 TP ... sample 1 ... ion beam generator 2 ... hood 3 ... X-ray detector 4 ... calculation means 5 ... thin film 6 ... specific gas supply means

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 イオンビームを試料に照射し、前記イオ
ンビームの照射により発生した試料を構成する元素固有
の電磁波を分析することにより試料の定性・定量等の分
析を行うイオンビーム分析装置において、 前記試料に含まれる元素の分析に影響を与えない特定ガ
スを前記試料周辺に供給する特定ガス供給手段と、 前記イオンビームとの相互作用により発生する前記特定
ガス固有の電磁波を検出する電磁波検出手段と、 予め測定された前記特定ガス固有の電磁波の強度とイオ
ンビーム照射量との関係を用いて、前記電磁波検出手段
で検出された特定ガス固有の電磁波の強度からイオンビ
ーム照射量を算出する演算手段と、を備えたことを特徴
とするイオンビーム分析装置。
1. An ion beam analyzer for performing qualitative / quantitative analysis of a sample by irradiating the sample with an ion beam and analyzing electromagnetic waves specific to the elements constituting the sample generated by the irradiation of the ion beam, A specific gas supply unit that supplies a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample to the periphery of the sample, and an electromagnetic wave detection unit that detects an electromagnetic wave specific to the specific gas generated by the interaction with the ion beam. And an operation for calculating the ion beam irradiation amount from the intensity of the electromagnetic wave peculiar to the specific gas detected by the electromagnetic wave detection means, using the relationship between the intensity of the electromagnetic wave peculiar to the specific gas and the ion beam irradiation amount which is measured in advance. An ion beam analysis apparatus comprising:
【請求項2】 イオンビームを試料に照射し、前記イオ
ンビームの照射により発生した試料を構成する元素固有
の電磁波を分析することにより試料の定性・定量等の分
析を行うイオンビーム分析装置において、 前記試料に含まれる元素の分析に影響を与えない特定ガ
スを前記試料周辺に供給する特定ガス供給手段と、 前記イオンビームとの相互作用により発生する特定元素
又はその化合物を検出する元素・化合物検出手段と、 予め測定された前記特定元素又はその化合物の検出信号
値とイオンビーム照射量との関係を用いて、前記元素・
化合物検出手段で検出された特定元素又はその化合物の
検出信号からイオンビーム照射量を算出する演算手段
と、を備えたことを特徴とするイオンビーム分析装置。
2. An ion beam analyzer for performing qualitative / quantitative analysis of a sample by irradiating the sample with an ion beam and analyzing electromagnetic waves specific to the elements constituting the sample generated by the irradiation of the ion beam, A specific gas supply unit that supplies a specific gas that does not affect the analysis of elements contained in the sample to the periphery of the sample, and an element / compound detection that detects a specific element or a compound thereof generated by the interaction with the ion beam. Means and the relationship between the ion beam irradiation dose and the detection signal value of the specific element or its compound measured in advance,
An ion beam analysis apparatus comprising: an arithmetic unit that calculates an ion beam irradiation amount from a detection signal of a specific element or its compound detected by the compound detection unit.
JP6174142A 1994-07-26 1994-07-26 Ion beam analyzer Pending JPH0843330A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6174142A JPH0843330A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Ion beam analyzer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6174142A JPH0843330A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Ion beam analyzer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0843330A true JPH0843330A (en) 1996-02-16

Family

ID=15973408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6174142A Pending JPH0843330A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Ion beam analyzer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0843330A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010203805A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 Wakasawan Energ Kenkyu Center Ion beam analyzer excellent in beam quantity measuring function
CN102706914A (en) * 2012-06-29 2012-10-03 北京卫星环境工程研究所 Measurement system and measurement method of secondary electron emission yield of dielectric material

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010203805A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 Wakasawan Energ Kenkyu Center Ion beam analyzer excellent in beam quantity measuring function
CN102706914A (en) * 2012-06-29 2012-10-03 北京卫星环境工程研究所 Measurement system and measurement method of secondary electron emission yield of dielectric material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11408838B2 (en) Method and device for multielement analysis on the basis of neutron activation, and use
JP4015022B2 (en) X-ray fluorescence analyzer
JP3965191B2 (en) X-ray fluorescence analyzer and program used therefor
US6173037B1 (en) Method of and apparatus for X-ray fluorescent analysis of thin layers
JP3965173B2 (en) X-ray fluorescence analyzer and program used therefor
JP2928688B2 (en) Pollution element analysis method and device
JP2001091481A (en) Background correction method for X-ray fluorescence analyzer
KR20100033754A (en) Radiography image acuqisition techinique for boiler tube weldments
EP4614137A1 (en) Fluorescent x-ray analysis method, analysis program, and fluorescent x-ray analysis device
KR20240128978A (en) Method for processing X-ray or gamma-ray spectra
JP3069305B2 (en) X-ray fluorescence analysis method and apparatus
JPH05119000A (en) X-ray fluorescence analyzer
USH922H (en) Method for analyzing materials using x-ray fluorescence
Tolkiehn et al. A method for the quantitative determination of synchrotron radiation X-ray spectra for absolute XRF trace element detection
JPH02242140A (en) Breakdown spectroscopy method and device
JP3399861B2 (en) X-ray analyzer
Fleres et al. Design of a reliable numerical model of a plastic scintillation detector for beta spectrometry
JP2949133B2 (en) Fluorescent glass dosimeter reader
JP2599360B2 (en) Non-destructive measuring method of object under X-ray
JP2947404B2 (en) X-ray fluorescence analysis method
JP2685722B2 (en) X-ray analysis method
Mcelroy Jr et al. A Self-Irradiation Correction for the Hybrid K-Edge Densitometer
RO138547A0 (en) Method for assessment of the activity of hot spots with unknown position in gamma spectrometry
JPH0295247A (en) X-ray spectrochemical analysis by electron beam excitation
Toepfer et al. Pinhole imaging techniques for hard X-rays