JPH0845883A - 基板保持具、基板処理方法、及び基板自動洗浄装置 - Google Patents
基板保持具、基板処理方法、及び基板自動洗浄装置Info
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- JPH0845883A JPH0845883A JP6176599A JP17659994A JPH0845883A JP H0845883 A JPH0845883 A JP H0845883A JP 6176599 A JP6176599 A JP 6176599A JP 17659994 A JP17659994 A JP 17659994A JP H0845883 A JPH0845883 A JP H0845883A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄等、被処理基板を保持具ごと液体処理す
る場合に、簡明で容易な構成により液残りを防止でき、
これにより汚染の問題などを防止して信頼性高く処理を
行うことができる基板保持具、基板処理装置、及び基板
自動洗浄装置を提供する。 【構成】 基板を保持する保持部２１を有し、基板を保
持した状態で該基板に対して液体による処理を行う場
合、保持部２１の基板と接触する部分に液抜き穴３及び
該液抜き穴３に通じる溝４を、例えば保持部に斜め下方
向に向けて形成した基板保持具を用いる。
る場合に、簡明で容易な構成により液残りを防止でき、
これにより汚染の問題などを防止して信頼性高く処理を
行うことができる基板保持具、基板処理装置、及び基板
自動洗浄装置を提供する。 【構成】 基板を保持する保持部２１を有し、基板を保
持した状態で該基板に対して液体による処理を行う場
合、保持部２１の基板と接触する部分に液抜き穴３及び
該液抜き穴３に通じる溝４を、例えば保持部に斜め下方
向に向けて形成した基板保持具を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板保持具、基板処理
方法、及び基板自動洗浄装置に関する。本発明は、半導
体ウェーハ等の各種被処理基板を、薬液等の液体により
処理する場合に汎用することができ、例えば、ウェーハ
の洗浄、ウェットエッチング、その他の液体による処理
の場合に利用することができる。
方法、及び基板自動洗浄装置に関する。本発明は、半導
体ウェーハ等の各種被処理基板を、薬液等の液体により
処理する場合に汎用することができ、例えば、ウェーハ
の洗浄、ウェットエッチング、その他の液体による処理
の場合に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】例えば半導体装置の分野
では、例えばＭＯＳメモリーについてその微細化が急激
に進み、メモリー容量も６４ＭＤＲＡＭ、２５６ＭＤＲ
ＡＭそしてその次へと増加する一途を辿り、そのための
研究開発が活発に進んでいる。
では、例えばＭＯＳメモリーについてその微細化が急激
に進み、メモリー容量も６４ＭＤＲＡＭ、２５６ＭＤＲ
ＡＭそしてその次へと増加する一途を辿り、そのための
研究開発が活発に進んでいる。
【０００３】そのような状況の中、ウェーハ洗浄技術
は、今後デバイスの信頼性、製品歩留りを覚悟する上で
非常に重要な技術となっている。特に、最小パターン寸
法の１／１０程度のパーティクルまでが製品歩留りに影
響すると言われている環境にあって、洗浄装置への要求
は一段と厳しくなっている。
は、今後デバイスの信頼性、製品歩留りを覚悟する上で
非常に重要な技術となっている。特に、最小パターン寸
法の１／１０程度のパーティクルまでが製品歩留りに影
響すると言われている環境にあって、洗浄装置への要求
は一段と厳しくなっている。
【０００４】一般的な洗浄方法としては、ＲＣＡ洗浄が
あり、それを行う装置は、バッチタイプのウェット洗浄
が主流であった。（なお近年はこれがキャリアレスとな
っている）。これは各薬品での処理時間は比較的長い
が、ウェーハをキャリア毎処理できるため高いスループ
ットが得られる。
あり、それを行う装置は、バッチタイプのウェット洗浄
が主流であった。（なお近年はこれがキャリアレスとな
っている）。これは各薬品での処理時間は比較的長い
が、ウェーハをキャリア毎処理できるため高いスループ
ットが得られる。
【０００５】また、パーティクルに関してもオーバーフ
ロー槽、０．１μｍ循環フィルタレーション、メガソニ
ック洗浄の採用などにより付着数は低減し、メガビット
時代に充分対応できるようになっている。
ロー槽、０．１μｍ循環フィルタレーション、メガソニ
ック洗浄の採用などにより付着数は低減し、メガビット
時代に充分対応できるようになっている。
【０００６】最も一般的なＲＣＡ洗浄対応のウェットタ
イプのキャリアレス洗浄において、ＳＣ１洗浄、ＳＣ２
洗浄、及びライトエッチング（ＬＥ）という洗浄を行う
場合は、ＳＣ１洗浄槽に約１０分浸した後、純水をオー
バーフローまたは急激に抜くクイックダンプ等のリンス
槽でリンスした後、ＳＣ２洗浄、ライトエッチング（Ｌ
Ｅ）も同様の処理を行い、最終的にＩＰＡ（イソプロパ
ノール）蒸気で満たされたＩＰＡ乾燥機で乾燥される。
イプのキャリアレス洗浄において、ＳＣ１洗浄、ＳＣ２
洗浄、及びライトエッチング（ＬＥ）という洗浄を行う
場合は、ＳＣ１洗浄槽に約１０分浸した後、純水をオー
バーフローまたは急激に抜くクイックダンプ等のリンス
槽でリンスした後、ＳＣ２洗浄、ライトエッチング（Ｌ
Ｅ）も同様の処理を行い、最終的にＩＰＡ（イソプロパ
ノール）蒸気で満たされたＩＰＡ乾燥機で乾燥される。
【０００７】しかしながら、解決すべき問題として残っ
ているのは、特に、キャリアレス洗浄機において問題と
なるのは、純水によるリンスの過程でウェーハチャック
がウェーハと接触している部分でリンス不良が発生し、
これが例えば最終的にパーティクルとして現れてしまう
ことである。
ているのは、特に、キャリアレス洗浄機において問題と
なるのは、純水によるリンスの過程でウェーハチャック
がウェーハと接触している部分でリンス不良が発生し、
これが例えば最終的にパーティクルとして現れてしまう
ことである。
【０００８】これは、図５に示したように、保持具２
（ウェーハチャック）の保持部（チャック部分）で、純
水の流れが妨げられるためであり、結果的に薬液残り１
ａが発生し、これによりパーティクルが付着してしまう
ことになる。
（ウェーハチャック）の保持部（チャック部分）で、純
水の流れが妨げられるためであり、結果的に薬液残り１
ａが発生し、これによりパーティクルが付着してしまう
ことになる。
【０００９】この問題について更に詳述すると、次のと
おりである。従来のこの種のもの、例えば従来の半導体
基板の自動洗浄装置にあっては、図５に示すように、基
板保持具２（把持する形になるので、ウェーハチャック
と称されている）を用いて、その被処理基板保持部２１
に基板１（ウェーハ）を保持させ、保持した状態で薬液
槽に浸漬して洗浄処理を行うようにしている。
おりである。従来のこの種のもの、例えば従来の半導体
基板の自動洗浄装置にあっては、図５に示すように、基
板保持具２（把持する形になるので、ウェーハチャック
と称されている）を用いて、その被処理基板保持部２１
に基板１（ウェーハ）を保持させ、保持した状態で薬液
槽に浸漬して洗浄処理を行うようにしている。
【００１０】ところが従来の技術にあっては、薬液槽か
ら保持具２ごと基板１を取り出した時に、図５に符号１
ａで模式的に示すような液残りが生じることがある。こ
れは、例えば洗浄の最終工程である純水リンスの工程に
おいてかかる薬液（純水）の液残り１ａがあると、結果
的にリンス能力が低減するばかりでなく、基板へのパー
ティクル付着をもたらす。
ら保持具２ごと基板１を取り出した時に、図５に符号１
ａで模式的に示すような液残りが生じることがある。こ
れは、例えば洗浄の最終工程である純水リンスの工程に
おいてかかる薬液（純水）の液残り１ａがあると、結果
的にリンス能力が低減するばかりでなく、基板へのパー
ティクル付着をもたらす。
【００１１】洗浄時においては、図６に示すように、基
板１は保持部２１の下端付近のＶ溝状の把持部２２に載
置されるような形になるが、このＶ溝状の部分には処理
用液体（リンス用純水など）が滞溜して、液残りをもた
らし易くなっている。滞溜部分を符号１ｂで示す。
板１は保持部２１の下端付近のＶ溝状の把持部２２に載
置されるような形になるが、このＶ溝状の部分には処理
用液体（リンス用純水など）が滞溜して、液残りをもた
らし易くなっている。滞溜部分を符号１ｂで示す。
【００１２】かかる薬液残りは、洗浄のリンス工程に限
らず、各種の液体処理の場合に、問題になる。例えば、
被処理基板の液残りは、ホットリン酸でＳｉ基板上の窒
化膜をエッチングするような場合、ホットリン酸は比較
的粘度が高いので基板への付着・残存のおそれが大き
く、特に問題となる。
らず、各種の液体処理の場合に、問題になる。例えば、
被処理基板の液残りは、ホットリン酸でＳｉ基板上の窒
化膜をエッチングするような場合、ホットリン酸は比較
的粘度が高いので基板への付着・残存のおそれが大き
く、特に問題となる。
【００１３】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
して、被処理基板を保持具ごと液体処理する場合に、簡
明で容易な構成により液残りを防止でき、これにより汚
染の問題などを防止して信頼性高く処理を行うことがで
きる基板保持具、基板処理装置、及び基板自動洗浄装置
を提供することを目的とする。
して、被処理基板を保持具ごと液体処理する場合に、簡
明で容易な構成により液残りを防止でき、これにより汚
染の問題などを防止して信頼性高く処理を行うことがで
きる基板保持具、基板処理装置、及び基板自動洗浄装置
を提供することを目的とする。
【００１４】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、基板を保持する保持部を有し、基板を保持した状態
で該基板に対して液体による処理を行う場合に用いる基
板保持具であって、前記保持部の基板と接触する部分に
液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたことを特徴
とする基板保持具であって、これにより上記目的を達成
するものである。
は、基板を保持する保持部を有し、基板を保持した状態
で該基板に対して液体による処理を行う場合に用いる基
板保持具であって、前記保持部の基板と接触する部分に
液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたことを特徴
とする基板保持具であって、これにより上記目的を達成
するものである。
【００１５】本出願の請求項２の発明は、前記液抜き穴
は、保持部に斜め下方向に向けて形成したものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板保持具であって、
これにより上記目的を達成するものである。なお、本明
細書中、「下」とは、重力の加わる方向（落下方向）
を、下と称するものである。
は、保持部に斜め下方向に向けて形成したものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板保持具であって、
これにより上記目的を達成するものである。なお、本明
細書中、「下」とは、重力の加わる方向（落下方向）
を、下と称するものである。
【００１６】本出願の請求項３の発明は、前記溝は、保
持部に斜め下方向に向けて形成したものであることを特
徴とする請求項１または２に記載の基板保持具であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
持部に斜め下方向に向けて形成したものであることを特
徴とする請求項１または２に記載の基板保持具であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１７】本出願の請求項４の発明は、基板を保持す
る保持部を有する基板保持具に基板を保持した状態で該
基板に対して液体による処理を行う基板処理方法であっ
て、前記保持部の基板と接触する部分に液抜き穴及び該
液抜き穴に通じる溝を設け、これにより基板上に残るお
それのある処理液を排出することによって基板への液残
存を防止したことを特徴とする基板処理方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。
る保持部を有する基板保持具に基板を保持した状態で該
基板に対して液体による処理を行う基板処理方法であっ
て、前記保持部の基板と接触する部分に液抜き穴及び該
液抜き穴に通じる溝を設け、これにより基板上に残るお
それのある処理液を排出することによって基板への液残
存を防止したことを特徴とする基板処理方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。
【００１８】本出願の請求項５の発明は、処理液の液抜
き穴からの排出の際に、基板保持具を揺動させることに
より基板からの排出の液抜き穴を助長せしめる構成とし
たことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
き穴からの排出の際に、基板保持具を揺動させることに
より基板からの排出の液抜き穴を助長せしめる構成とし
たことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
【００１９】本出願の請求項６の発明は、基板を保持し
た状態で該基板に対して液体による洗浄処理を行う自動
洗浄装置であって、基板を保持する保持部を有する基板
保持具を用いるとともに、該保持部の基板と接触する部
分には液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたもの
である前記基板保持具を用いることを特徴とする基板自
動洗浄装置であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
た状態で該基板に対して液体による洗浄処理を行う自動
洗浄装置であって、基板を保持する保持部を有する基板
保持具を用いるとともに、該保持部の基板と接触する部
分には液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたもの
である前記基板保持具を用いることを特徴とする基板自
動洗浄装置であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
【００２０】
【作用】本発明によれば、保持部の基板と接触する部分
に液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたので、残
存する可能性のある液体は、この液抜き穴から排出され
る。このとき、液体は溝を伝って効率良く液抜きされ
る。
に液抜き穴及び該液抜き穴に通じる溝を設けたので、残
存する可能性のある液体は、この液抜き穴から排出され
る。このとき、液体は溝を伝って効率良く液抜きされ
る。
【００２１】液抜き穴及び／または溝を、保持部に斜め
下方向に向けて形成すると、排出は液体の自重によっ
て、より効率的に行われる。
下方向に向けて形成すると、排出は液体の自重によっ
て、より効率的に行われる。
【００２２】更に、処理液の液抜き穴からの排出の際
に、基板保持具を揺動させることにより基板を揺らす
と、ここからの液抜きを助長させて、より確実かつ速や
かな液抜きを達成できる。
に、基板保持具を揺動させることにより基板を揺らす
と、ここからの液抜きを助長させて、より確実かつ速や
かな液抜きを達成できる。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定を受けるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定を受けるものではない。
【００２４】実施例１ この実施例は、本発明を、半導体ウェーハの洗浄の場
合、特に、汚染を嫌う高精密Ｓｉ半導体装置を形成する
場合のＳｉウェーハの洗浄の場合に適用したものであ
る。
合、特に、汚染を嫌う高精密Ｓｉ半導体装置を形成する
場合のＳｉウェーハの洗浄の場合に適用したものであ
る。
【００２５】本実施例の基板保持は、図１ないし図３に
示すような、基板保持具によって行われる。これは、基
板を保持する保持部２１を有し、基板を保持した状態で
該基板に対して液体による処理を行う場合に用いる基板
保持具２であって、保持部２１の基板と接触する部分に
液抜き穴３及び該液抜き穴３に通じる溝４を設けたもの
である。
示すような、基板保持具によって行われる。これは、基
板を保持する保持部２１を有し、基板を保持した状態で
該基板に対して液体による処理を行う場合に用いる基板
保持具２であって、保持部２１の基板と接触する部分に
液抜き穴３及び該液抜き穴３に通じる溝４を設けたもの
である。
【００２６】本実施例の液抜き穴３は、保持部２１に斜
め下方向に向けて形成したものである。
め下方向に向けて形成したものである。
【００２７】液抜き穴３に通じる溝４は、本実施例で
は、保持部２１に斜め下方向に向けて形成したものであ
る。
は、保持部２１に斜め下方向に向けて形成したものであ
る。
【００２８】また、本実施例の基板処理（特にここでは
基板洗浄）は、基板を保持する保持部２１を有する基板
保持具２に基板を保持した状態で該基板に対して液体に
よる処理を行う場合に、保持部２１の基板と接触する部
分に液抜き穴３及び該液抜き穴３に通じる溝４を設け、
これにより基板上に残るおそれのある処理液を排出する
ことによって基板への液残存を防止して行うものであ
る。
基板洗浄）は、基板を保持する保持部２１を有する基板
保持具２に基板を保持した状態で該基板に対して液体に
よる処理を行う場合に、保持部２１の基板と接触する部
分に液抜き穴３及び該液抜き穴３に通じる溝４を設け、
これにより基板上に残るおそれのある処理液を排出する
ことによって基板への液残存を防止して行うものであ
る。
【００２９】本実施例では特に、処理液（洗浄液）の液
抜き穴３からの排出の際に、基板保持具を揺動させるこ
とにより基板からの排出の液抜きを助長せしめる構成と
した。
抜き穴３からの排出の際に、基板保持具を揺動させるこ
とにより基板からの排出の液抜きを助長せしめる構成と
した。
【００３０】また、本実施例では、基板を保持した状態
で該基板に対して液体による洗浄処理を行う自動洗浄装
置として構成したが、これは、基板を保持する保持部２
１を有する基板保持具２を用いるとともに、該保持部２
１の基板と接触する部分には液抜き穴３及び該液抜き穴
３に通じる溝４を設けたものである基板保持具を用いた
基板自動洗浄装置として構成した。
で該基板に対して液体による洗浄処理を行う自動洗浄装
置として構成したが、これは、基板を保持する保持部２
１を有する基板保持具２を用いるとともに、該保持部２
１の基板と接触する部分には液抜き穴３及び該液抜き穴
３に通じる溝４を設けたものである基板保持具を用いた
基板自動洗浄装置として構成した。
【００３１】本実施例は、特に、図４に洗浄工程の概要
を示したようなキャリアレス自動洗浄機として、この洗
浄装置を組んだ。以下装置説明、及び洗浄方法について
述べる。
を示したようなキャリアレス自動洗浄機として、この洗
浄装置を組んだ。以下装置説明、及び洗浄方法について
述べる。
【００３２】図４は、装置を正面から見た概略構成図で
ある。即ちこの実施例の洗浄システムは、アルカリの薬
液槽を１槽、酸の薬液槽を２槽、純水リンス槽を３槽、
及びＩＰＡ乾燥槽を１槽装備したシステムである。半導
体ウェーハについてのいわゆるＲＣＡ洗浄を行う場合へ
の適用である。
ある。即ちこの実施例の洗浄システムは、アルカリの薬
液槽を１槽、酸の薬液槽を２槽、純水リンス槽を３槽、
及びＩＰＡ乾燥槽を１槽装備したシステムである。半導
体ウェーハについてのいわゆるＲＣＡ洗浄を行う場合へ
の適用である。
【００３３】更に詳しくは、符号１１はＳＣ１洗浄槽、
１２は第１のクイックダンプ（ＱＤ）槽、１３はＳＣ２
洗浄槽、１４は第２のクイックダンプ（ＱＤ）槽、１５
はライトエッチング（ＬＥ）槽、１６は第３のクイック
ダンプ（ＱＤ）槽、１７はＩＰＡ（イソプロパノール）
乾燥槽である。
１２は第１のクイックダンプ（ＱＤ）槽、１３はＳＣ２
洗浄槽、１４は第２のクイックダンプ（ＱＤ）槽、１５
はライトエッチング（ＬＥ）槽、１６は第３のクイック
ダンプ（ＱＤ）槽、１７はＩＰＡ（イソプロパノール）
乾燥槽である。
【００３４】被洗浄基板であるウェーハの流れとして
は、基板保持具（ウェーハチャック）に保持された基板
（ウェーハ）は、まず、ＳＣ１の薬液槽１１に投入され
ここに約１０分間浸され、その後隣のクイックダンプ
（ＱＤ）槽１２に約１０分浸される。
は、基板保持具（ウェーハチャック）に保持された基板
（ウェーハ）は、まず、ＳＣ１の薬液槽１１に投入され
ここに約１０分間浸され、その後隣のクイックダンプ
（ＱＤ）槽１２に約１０分浸される。
【００３５】その後、ＳＣ２の薬液槽１２に１０分程度
浸され、隣のクイックダンプ（ＱＤ）槽１４で１０分程
度リンスを行う。
浸され、隣のクイックダンプ（ＱＤ）槽１４で１０分程
度リンスを行う。
【００３６】更に、ライトエッチング（ＬＥ）槽１５に
約１分間浸した後、隣のクイックダンプ（ＱＤ）槽１６
で１０分程度リンスを行う。最後にＩＰＡ乾燥槽に浸す
ことで乾燥を行い、１サイクルが終了する。
約１分間浸した後、隣のクイックダンプ（ＱＤ）槽１６
で１０分程度リンスを行う。最後にＩＰＡ乾燥槽に浸す
ことで乾燥を行い、１サイクルが終了する。
【００３７】本実施例は、図１ないし図４に示した保持
具２を用いることにより、上記のような洗浄サイクルに
ついて、液残りが防止され、とりわけリンス工程につい
て、そのリンス能力を向上させ、結果的にパーティクル
付着の低減を可能にした。
具２を用いることにより、上記のような洗浄サイクルに
ついて、液残りが防止され、とりわけリンス工程につい
て、そのリンス能力を向上させ、結果的にパーティクル
付着の低減を可能にした。
【００３８】即ち、薬液残りの原因となっている保持部
（ウェーハチャック）部分の純水の流れを良くするため
に、図１ないし図３に示すような微小な液抜き穴３及び
それに通じる溝４を設け、この結果、保持部２１と基板
（ウェーハ）が接触する部分においても処理液（純水）
の流れが良くなって、液抜きが効率良くなされ、薬液残
りが低減できた。
（ウェーハチャック）部分の純水の流れを良くするため
に、図１ないし図３に示すような微小な液抜き穴３及び
それに通じる溝４を設け、この結果、保持部２１と基板
（ウェーハ）が接触する部分においても処理液（純水）
の流れが良くなって、液抜きが効率良くなされ、薬液残
りが低減できた。
【００３９】また、本実施例ではウェーハチャックであ
る保持具２に揺動を加え、これにより被処理基板を揺動
させることで、更にリンス効果を向上させた。
る保持具２に揺動を加え、これにより被処理基板を揺動
させることで、更にリンス効果を向上させた。
【００４０】なお、上記洗浄システムはあくまで一例で
あり、その他の洗浄ないしは薬液処理に具体化してもよ
い。例えば、ＩＰＡ乾燥は、スピン乾燥としてもよい。
あり、その他の洗浄ないしは薬液処理に具体化してもよ
い。例えば、ＩＰＡ乾燥は、スピン乾燥としてもよい。
【００４１】本実施例によれば、次の如き具体的効果が
得られた。 本実施例によれば、基板（ウェーハ）表面への薬液残
りが低減でき、結果的にパーティクル付着も低減でき
る。 パーティクル及びヘーズはなくなり、それに起因した
堆積膜の異常成長、平坦性の劣化等はなくなる。 デバイス歩留りが向上する。
得られた。 本実施例によれば、基板（ウェーハ）表面への薬液残
りが低減でき、結果的にパーティクル付着も低減でき
る。 パーティクル及びヘーズはなくなり、それに起因した
堆積膜の異常成長、平坦性の劣化等はなくなる。 デバイス歩留りが向上する。
【００４２】実施例２ この実施例では、Ｓｉウェーハ上に形成したシリコン窒
化膜（下地ＳｉＯ2 に対するマスクなどとして用いられ
る）をエッチング除去する場合に、この発明を利用し
た。
化膜（下地ＳｉＯ2 に対するマスクなどとして用いられ
る）をエッチング除去する場合に、この発明を利用し
た。
【００４３】本実施例では、実施例１と同様の保持具を
用いて、ウェーハ上のシリコン窒化膜のホットリン酸に
よるエッチング除去を行った。本実施例によれば、比較
的粘度の高いホットリン酸についても、その基板への液
残りを防止でき、液残りに伴う不都合がもたらされない
良好なエッチングを達成できた。
用いて、ウェーハ上のシリコン窒化膜のホットリン酸に
よるエッチング除去を行った。本実施例によれば、比較
的粘度の高いホットリン酸についても、その基板への液
残りを防止でき、液残りに伴う不都合がもたらされない
良好なエッチングを達成できた。
【００４４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、被処
理基板を保持具ごと液体処理する場合に、簡明で容易な
構成により液残りを防止でき、これにより汚染の問題な
どを防止して信頼性高く処理を行うことができる基板保
持具、基板処理装置、及び基板自動洗浄装置を提供する
ことができた。
理基板を保持具ごと液体処理する場合に、簡明で容易な
構成により液残りを防止でき、これにより汚染の問題な
どを防止して信頼性高く処理を行うことができる基板保
持具、基板処理装置、及び基板自動洗浄装置を提供する
ことができた。
【図１】実施例１の基板保持具を示すものであり、特に
要部である保持部を示す図である。
要部である保持部を示す図である。
【図２】実施例１の基板保持具の斜視図である。
【図３】実施例１の基板保持具の要部説明図である。
【図４】実施例１の洗浄装置を説明する概略図である。
【図５】従来技術の問題点を示す図である。
１ 被処理基板（半導体ウェーハ） ２ 保持具（ウェーハチャック） ２１ 保持部 ３ 液抜き穴 ４ 溝
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の基板保持具を示すものであり、特に
要部である保持部を示す図である。
要部である保持部を示す図である。
【図２】実施例１の基板保持具の斜視図である。
【図３】実施例１の基板保持具の要部説明図である。
【図４】実施例１の洗浄装置を説明する概略図である。
【図５】従来技術の問題点を示す図である。
【図６】従来技術の問題点を示す図である。
【符号の説明】 １ 被処理基板（半導体ウェーハ） ２ 保持具（ウェーハチャック） ２１ 保持部 ３ 液抜き穴 ４ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 // Ｂ０８Ｂ 11/04
Claims (6)
- 【請求項１】基板を保持する保持部を有し、基板を保持
した状態で該基板に対して液体による処理を行う場合に
用いる基板保持具であって、 前記保持部の基板と接触する部分に液抜き穴及び該液抜
き穴に通じる溝を設けたことを特徴とする基板保持具。 - 【請求項２】前記液抜き穴は、保持部に斜め下方向に向
けて形成したものであることを特徴とする請求項１に記
載の基板保持具。 - 【請求項３】前記溝は、保持部に斜め下方向に向けて形
成したものであることを特徴とする請求項１または２に
記載の基板保持具。 - 【請求項４】基板を保持する保持部を有する基板保持具
に基板を保持した状態で該基板に対して液体による処理
を行う基板処理方法であって、 前記保持部の基板と接触する部分に液抜き穴及び該液抜
き穴に通じる溝を設け、これにより基板上に残るおそれ
のある処理液を排出することによって基板への液残存を
防止したことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項５】処理液の液抜き穴からの排出の際に、基板
保持具を揺動させることにより基板からの排出の液抜き
穴を助長せしめる構成としたことを特徴とする請求項４
に記載の基板処理方法。 - 【請求項６】基板を保持した状態で該基板に対して液体
による洗浄処理を行う自動洗浄装置であって、 基板を保持する保持部を有する基板保持具を用いるとと
もに、該保持部の基板と接触する部分には液抜き穴及び
該液抜き穴に通じる溝を設けたものである前記基板保持
具を用いることを特徴とする基板自動洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176599A JPH0845883A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 基板保持具、基板処理方法、及び基板自動洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176599A JPH0845883A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 基板保持具、基板処理方法、及び基板自動洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845883A true JPH0845883A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16016393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176599A Pending JPH0845883A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 基板保持具、基板処理方法、及び基板自動洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6164300A (en) * | 1996-09-28 | 2000-12-26 | Steag Microtech Gmbh | Substate-treating device |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP6176599A patent/JPH0845883A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6164300A (en) * | 1996-09-28 | 2000-12-26 | Steag Microtech Gmbh | Substate-treating device |
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