JPH0845976A - 電子素子パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

電子素子パッケージおよびその製造方法

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JPH0845976A
JPH0845976A JP7120011A JP12001195A JPH0845976A JP H0845976 A JPH0845976 A JP H0845976A JP 7120011 A JP7120011 A JP 7120011A JP 12001195 A JP12001195 A JP 12001195A JP H0845976 A JPH0845976 A JP H0845976A
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mold
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molding material
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JP7120011A
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Inventor
Hideharu Tanaka
英春 田中
Kazuhiro Taguchi
一宏 田口
Yoshiichi Maeda
芳一 前田
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄型の電子素子パッケージにおいても電子
素子がパッケージ内部で傾斜したりパッケージ外部に露
出したりすることがない信頼性の高い電子素子パッケー
ジおよびその製造方法を提供すること。 【構成】 本発明の電子素子パッケージの製造方法で
は、電子素子面に並向するモールド型の面と前記電子素
子と接合されたリード線との間にスペーサを設けてモー
ルド材をモールド型内に注入する。これにより、電子素
子がパッケージ外部に露出したりパッケージ内部で大き
く傾いたりすることがなく、信頼性の高い電子素子パッ
ケージを歩留まりよく製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、保護部材により電子素
子を保護した電子素子パッケージおよびその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】ICなどの電子素子は、電子回路基板に
直接実装される場合を除き、一般に保護部材により封止
されて独立した電子素子パッケージとして使用される場
合が多い。この電子素子パッケージは、たとえば、その
リード線を電子回路基板にはんだ付けしたり電子回路基
板にはんだ付けされたソケットに差し込んで用いる。こ
のような電子素子パッケージを製造する技術の一つとし
てTAB(Tape Automated Bonding)技術がある。
【0003】TAB技術では、たとえば以下に掲げるよ
うな各工程を実施して電子素子パッケージを製造する。
すなわち、(1)電子素子の外縁部に設けられた電極に
対応する位置から接続したい外部回路の接続部位(前記
電子素子を接続する電気回路基板等のパターンまたはソ
ケット)に対応する位置に達する厚さ数10μmの導電
パターンを、ポリイミドなどを素材とする基板テープ上
に形成し、フィルムキャリアを作製する、(2)前記フ
ィルムキャリアのうち前記電子素子の電極に対応する部
位とその近傍および前記導電パターンに密着していた部
分の基板テープの一部をエッチング等の方法によって除
去して(このようにして形成された孔は「デバイスホー
ル」と呼ばれる)、前記導電パターンが外側からデバイ
スホール内側方向に突出するようにし、リード線(この
リード線のデバイスホールに突出する側は「インナーリ
ード」、外部回路等と接続される側は「アウターリー
ド」と呼ばれる)を形成する、(3)インナーリードに
金や錫等のめっきを施す、(4)電子素子の電極に金な
どを材料とする導電バンプを設ける、(5)インナーリ
ードの先端に対応する電極が位置するように電子素子を
位置決めする、(6)ボンディングツールと呼ばれる金
属製の柱状治具で、導電バンプを介してインナーリード
の先端を半導体の電極に加熱しながら圧接し、これらを
機械的および電気的に接合する、(7)電子素子などを
包むように樹脂などで封止してパッケージ化する、
(8)パッケージの外側に延出したインナーリードまた
はアウターリードを外部回路(ソケット)に接続(挿
入)しやすい形に整形する、というものである。
【0004】このTAB技術の特長は、電子素子の各電
極とインナーリードを同時に接続することができるた
め、ワイヤーボンディングなどの方法に比べて生産性を
高めることができる点などである。特に、電子素子が多
数の電極をもつほど有利となる。したがって、最近の電
子素子の電極数の増大傾向は、TAB技術の優位性をま
すます際立たせている。
【0005】また、TAB技術のもう一つの特長は、電
子素子パッケージの厚みを薄くすることが容易である点
である。電卓などの携帯用電子機器の薄型化は、TAB
技術なしでは考えられないとされる。
【0006】また、このTAB技術の改良技術として転
写バンプTAB技術がある。この転写バンプTAB技術
では、上記(4)の工程で電子素子の電極側に導電バン
プを形成する代わりに、インナーリード側に別途形成し
た導電バンプを先に接合し、後で導電バンプ付きインナ
ーリードを電子素子の電極に接合するというものであ
る。この転写バンプTAB技術は、電子素子の電極に直
接導電バンプを形成する必要がないため、そのための特
別な設計や工程を持たない通常の電子素子に広く使用す
ることができる。このほかTAB技術にはさまざまなバ
リエーションがある。
【0007】また、上記(1)〜(6)の代わりにワイ
ヤーボンディングなどの方法によりリード線と電子素子
の電極を接合し、以下はTAB技術の上記工程(7)〜
(8)と同様に電子素子を封止してパッケージ化し、パ
ッケージから延出するリード線を整形して電子素子パッ
ケージを製造する技術もある。
【0008】上記(7)の工程で電子素子を封止する方
法としては、上下の金型などを合わせてつくるモールド
型の内部にインナーリードなどのリード線を接合した電
子素子を置き、このモールド型内に樹脂などのモールド
材を注入してモールドパッケージを製造することが広く
行なわれている。
【0009】このような電子素子パッケージの製造方法
の例として、特開平5−343477号公報に記載され
た電子素子パッケージの製造方法が知られている。
【0010】図5は、この電子素子パッケージの製造方
法で作製されるフィルムキャリア接合済み電子素子の平
面図である。電子素子27の四辺に配置された電極に、
フィルムキャリアの基板フィルム21に密着しエッチン
グなどにより形成されたインナーリード22が接合され
ている。このインナーリード22は同時にこれと一体的
に形成されたダムバー24により連絡されている。
【0011】図6は、図5のフィルムキャリア接合済み
電子素子をモールド型内に置いてパッケージ化する様子
を示す断面図である。フィルムキャリアのインナーリー
ド22が電極に接合された電子素子27が上金型28と
下金型29に挟まれ、これらの間に形成されるモールド
型の内部に置かれている。このモールド型の内部にゲー
ト30からモールド材31が注入され、電子素子27を
内包するようにモールド型内に充満する。このとき、ダ
ムバー24はパッケージ外周部における上金型28と下
金型29との隙間を埋め、モールド材31がこの隙間か
ら漏出しないようになっている。また、モールド材の注
入前には、電子素子27はモールド型に接触することが
ないように、インナーリード22に支えられてモールド
型内に浮いた状態で保持されている。
【0012】モールド材31が固化した後に上金型28
と下金型29を除去し、インナーリード22(またはア
ウターリード23)のパッケージから延出する部分を整
形して電子素子パッケージとするというものである。
【0013】本発明者らは、このような従来の電子素子
パッケージの製造方法では、薄型の電子素子パッケージ
を製造する際の歩留まりが低下したり、製造された電子
素子パッケージの信頼性が低下する場合があることを見
出した。すなわち、インナーリード22によってモール
ド型内に保持されている電子素子27がたまたまわずか
に傾いていたり、モールド材31の流れが不均等であっ
たりすると、モールド材31の流れによる力を受けてリ
ード線や電子素子27の一部がパッケージ外部に露出し
たり、パッケージ内部で大きく傾くことがあった。リー
ド線や電子素子27の一部がパッケージ外部に露出する
と電子素子27の信頼性が大きく損なわれる。また、電
子素子27の傾きが一定の範囲を越えるとインナーリー
ド22同士で接触するあるいはインナーリード22が断
線するなどの不良が発生するのである。この傾向はパッ
ケージが薄型であるほど強いため、パッケージが薄くな
るほど歩留まりが低下する。
【0014】また、パッケージ内部で電子素子が大きく
傾いている電子素子パッケージは、リード線などに不当
な応力がかかり電極との接合性が悪化するため信頼性が
低かった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の技術の問題点を解消しようとするものであり、薄
型の電子素子パッケージであっても、パッケージ内部で
の電子素子の傾きや電子素子のパッケージ外部への露出
を抑制することにより歩留まりよく電子素子パッケージ
を製造する方法およびパッケージ外部に電子素子が露出
せず、パッケージ内部で電子素子が傾いていない信頼性
の高い電子素子パッケージを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の電子素子パッケージは、電子素子と、前記電子素子
を内包する保護部材と、前記電子素子に接合され前記保
護部材の外部に露出するリード線と、前記保護部材の前
記電子素子面に並向する外縁面および前記リード線の間
に設けられたスペーサとを備えたことを特徴としてい
る。
【0017】また、本発明の電子素子パッケージの別の
態様は、リード線の一端を接合されてなる電子素子がモ
ールド型内に置かれ、前記モールド型内にモールド材を
注入され、前記モールド型を除去されてなる電子素子パ
ッケージであって、かつ、前記モールド型の前記電子素
子面に並向する面と前記リード線との間にスペーサを設
けられて前記モールド型内に前記モールド材を注入され
てなることを特徴としている。
【0018】また、本発明の電子素子パッケージの好ま
しい態様は、前記スペーサは、前記保護部材の外縁面側
に前記保護部材と同種の材質からなる被覆部材を備えて
なることを特徴としている。
【0019】また、本発明の電子素子パッケージの好ま
しい態様は、前記リード線は、導電バンプを介して前記
電子素子の電極に接合されてなることを特徴としてい
る。
【0020】また、本発明の電子素子パッケージの別の
態様は、電子素子と、前記電子素子の電極に一端を接合
されかつフィルムキャリアの基板フィルムの一部が密着
したインナーリードと、前記電子素子を内包しかつ前記
インナーリードの他端を外部に露出するようにモールド
成形された保護部材を有し、かつ、前記基板フィルム
が、前記保護部材の前記電子素子面に並向する外縁面に
並向して複数の前記インナーリードに密着されてなるこ
とを特徴としている。
【0021】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法は、リード線の一端を接合されてなる電子素子をモ
ールド型内に置き、該モールド型内にモールド材を注入
し、しかる後、前記モールド型を除去して電子素子パッ
ケージを製造するに際して、前記モールド型の前記電子
素子面に並向する面と前記リード線との間にスペーサを
設けて前記モールド型内に前記モールド材を注入するこ
とを特徴としている。また、本発明の電子素子パッケー
ジの製造方法の好ましい態様は、前記リード線は、導電
バンプを介して前記電子素子の電極に接合されているこ
とを特徴としている。
【0022】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の好ましい態様は、前記スペーサを、前記モールド
型の前記電子素子面と並向する面に向けて付勢しながら
前記モールド型内にモールド材を注入することを特徴と
している。
【0023】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の好ましい態様は、前記スペーサが前記モールド型
の前記電子素子に並向する面に対して付勢される向きに
前記モールド材を注入することを特徴としている。
【0024】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の好ましい態様は、前記スペーサを前記リード線の
弾性力により前記モールド型の前記電子素子面に並向す
る面に対して付勢しながら前記モールド型内にモールド
材を注入することを特徴としている。
【0025】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の好ましい態様は、前記スペーサとしては、前記モ
ールド型の側が前記モールド材と同種の材質により被覆
されたものを用いることを特徴としている。
【0026】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の好ましい態様は、前記スペーサとしては、複数の
リード線に密着されたものを用いることを特徴としてい
る。また、本発明の電子素子パッケージの製造方法の別
の態様は、フィルムキャリアのインナーリードに電子素
子を接合し、該電子素子をモールド型内に置き、該モー
ルド型内にモールド材を注入し、しかる後、前記モール
ド型を除去せしめて電子素子パッケージを製造するに際
して、前記インナーリードのうち前記モールド型内に置
かれる部位が、前記フィルムキャリアの基板フィルムの
一部と密着されてなるものを用いることを特徴としてい
る。
【0027】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法の別の態様は、前記基板フィルムの前記インナーリ
ードとの密着部は、前記モールド型の側が前記モールド
材と同種の材質により被覆されてなることを特徴として
いる。
【0028】
【作用】以下、本発明について図面等を用いて説明す
る。
【0029】本発明において電子素子としては、各種半
導体製のICやLSIや誘電体製の光回路素子などが好
ましく用いられる。
【0030】本発明において保護部材とは、電子素子に
水分や有害な光線あるいは熱が達することがないよう
に、電子素子を内包(電子素子が外部に露出することが
ないように包みこむこと)して保護する部材であり、か
かる目的を達成するものならばなんでもよい。たとえ
ば、はじめペースト状の無機あるいは有機の材料を加熱
や放射線の照射などの物理的刺激や時間経過により固化
したものが好ましく用いられる。たとえば、エポキシな
どの各種の熱硬化性樹脂などと硬化材やシリカなどのフ
ィラーの混合物を、電子素子を置いたモールド型内に注
入し、加熱するなどの方法により形成される。また、上
記の混合物の粉末をあらかじめタブレット状に形成して
おき、これをモールド型の入り口(ゲート)に供給し
て、加熱加圧することで溶融させペースト状にしてモー
ルド型内に供給する方法(トランスファーモールド法)
も好ましく行なわれる。
【0031】本発明においてリード線としては、電子素
子に接合されパッケージの外部に露出する部材であれば
何でもよい。たとえば、TAB技術のインナーリードや
アウターリードとよばれる導電性の箔を加工したもの
や、ワイヤーボンディング技術のボンディングワイヤや
これに接合する導電性のリード線などが好ましく用いら
れる。TAB技術におけるフィルムキャリアのインナー
リードやアウターリードは適当な剛性を持っているため
好ましい。また、リード線は導電性を有するものであっ
てもよく、そうでなくてもよい。またリード線は信号や
電力を電子素子に伝達するものであってもよいが、必ず
しもかかる機能を有するものである必要はない。またパ
ッケージの外側に露出しておればよく、延出している必
要はない。また、本発明において、ある面に「並向す
る」とは、その面に沿って概略平行な方向に一次元的ま
たは二次元的に延びることを指す。たとえば、保護部材
の電子素子面(電子素子を構成する面のうち最も面積の
大きい面またはこれに対向する面)に並向する外縁面と
は、保護部材の外縁面であって、電子素子面に概略平行
な向きの面を指す。同様にモールド型の電子素子面に並
向する面とは、モールド型の内面であって電子素子面に
概略平行な向きの面を指す。
【0032】本発明において、スペーサは電子素子をパ
ッケージ化する際にリード線が保護部材の外縁に触れる
(あるいは外部に露出する)ことがないように、リード
線を保護部材の外縁から一定以上の距離だけ離間するた
めに用いる。たとえば、リード線を接合された電子素子
をモールド型内に置き、モールド型内にモールド材を注
入する場合は、スペーサはモールド型とリード線の間に
あって、リード線とモールド型の間の距離をスペーサの
厚さ以上に保つ作用を有する。リード線は電子素子に接
合されているため、これにより電子素子とモールド型の
間の距離も一定以上に保つことができ、電子素子がパッ
ケージ外部に露出したりパッケージ内部で大きく傾くこ
とを防ぐことができる。また、スペーサを電子素子の2
以上の辺に接合されたリード線とモールド型の間に置く
ことにより、電子素子のパッケージ内部での傾きを効果
的に抑制することができる。これにより、リード線に不
当な応力などが加わることがなく、リード線の断線など
を防ぐことができる。また、複数の辺に沿う電極に接合
されたリード線とモールド型との間にスペーサを置くと
きは、そのリード線が設けられている全ての辺にスペー
サを設けるのが好ましく、スペーサの強度を確保するた
めには例えば図1に示すように隣り合うスペーサが結合
していることが好ましい。図1では4辺に沿う方向のす
べてのスペーサが結合しており、実質的に一体となって
いる。一方、スペーサは、一の辺に設けられた複数の電
極に接合されたリード線とモールド型との間において、
その辺に対応する一片として連続して設けられているも
のに限定されない。すなわち、図8に示すように、一の
辺に配置されたスペーサは、連続した一片ではなく、複
数の片からなるものでもよい。
【0033】なお、スペーサ自身はパッケージ外部に露
出しても露出しなくてもよい。ただし、スペーサの材質
とパッケージの保護部材の材質の組み合わせによって
は、パッケージの経時変化によりスペーサとパッケージ
の間に隙間ができ、この隙間より水分等がパッケージ内
に進入するおそれがある場合がある。このような場合
は、スペーサの表面を保護部材と親和性のよい材質で被
覆するのがよい。
【0034】また、スペーサを設けることにより、モー
ルド型にモールド材を注入する位置の設定の自由度を高
めることができる。これは、モールド材の流れの力が電
子素子やリード線に対してスペーサのある側に付勢され
る向きに加わることが、電子素子をパッケージ外部に露
出させることがないためである。むしろこのような向き
の力が加わることにより、電子素子のモールド型内の位
置を安定化するため好ましい。
【0035】また、スペーサはリード線と密着している
と、モールド材がモールド型内に注入されるときにスペ
ーサが移動することがなく好ましい。また、スペーサは
複数のリード線と密着してリード線同士を連絡すること
も好ましい。これにより、リード線の剛性を補い、モー
ルド材がモールド型内に注入されるときにリード線同士
が接触する可能性を低減することができる。一方、モー
ルド材の粘度が比較的高い場合、図7に示すように電子
素子の対向する2辺のみに沿う方向にスペーサを設けた
り、図8に示すように一の辺に配置されたスペーサが連
続した一片ではなく、複数の片からなるものとすること
により、モールド材の流れを良好に保ちながらモールド
型に充填できるので好ましく採用できる。
【0036】また、スペーサはリード線に対して電子素
子の側にあってもその反対側にあってもよい。モールド
材をモールド型に注入する際に、電子素子およびリード
線にスペーサがない側の向きにモールド材の流れの強い
力が加わらなければよい。また、スペーサをリード線の
電子素子側とその反対側の両方に設けてもよい。この場
合は、モールド材の流れの力がどのような向きに加わっ
ても電子素子が傾いたりパッケージ外部に露出したりす
ることがなく好ましい。
【0037】また、パッケージ形状やモールド型の形状
などの都合上、電子素子またはリード線にスペーサがな
い側の向きにモールド材の流れの力が加わる場合には、
たとえばリード線の弾性力などにより、スペーサが電子
素子面に並向するモールド型の面に対して付勢しながら
モールド型内にモールド材を注入するのが好ましい。ま
た、モールド材の流れの力が電子素子やリード線に対し
てスペーサがない側に加わらない場合でも、リード線な
どの弾性力を利用してかかる付勢を行なうのが好まし
い。また、スペーサがモールド型の電子素子面に並向す
る面に対して付勢される向きにモールド材の流れの力が
加わるようにモールド材を注入するのが、さらに好まし
い。
【0038】このように付勢することによりモールド材
の注入中の電子素子やリード線の位置が安定し、電子素
子やリード線がパッケージ外部に露出したり電子素子が
傾くことを防ぐことができる。
【0039】また、スペーサの保護部材の外縁面側には
被覆部材を備えているのが好ましい。また、被覆部材は
モールド材と同種の材質(モールド材と化学的に親和性
を有するもの)からなることが好ましい。これにより、
スペーサがパッケージの外縁に露出しにくく、スペーサ
とモールド材の間に隙間が発生しにくいため、水分がリ
ード線に伝わる可能性を低減することができる。被覆部
材の厚さは、20〜200μm程度が好ましい。
【0040】また、TAB技術では、フィルムキャリア
の基板フィルムの一部をインナーリードに残し、これを
スペーサとして用いることができる。これは、たとえ
ば、図1のように、フィルムキャリア1のインナーリー
ド2にスペーサ5が残るようにフィルムキャリア1の基
板フィルムをエッチングすればよい。フィルムキャリア
の製造工程において、インナーリード2などの導電パタ
ーンは、たとえば電解めっきなどにより形成するため、
インナーリード2とスペーサ5の密着性を一般に高くす
ることが容易である。また、複数のインナーリードと密
着したスペーサを形成することが容易である。このよう
な特性から、TAB技術で製造する電子素子パッケージ
は本発明の適用対象として好ましい。
【0041】また、本発明においてモールド型として
は、図3に示したような上金型と下金型を組み合わせ、
その間隙にパッケージの形状を有するモールド型が好ま
しく用いられる。また、モールド型の材質としては金属
やセラミックなどが用いられる。モールド材を注入する
位置は、モールド材の流れの力が電子素子やリード線に
スペーサのない側への強い付勢を行なうことのないよう
に決定するのが好ましい。たとえば、図3のようにスペ
ーサ5を上金型8と電子素子7の間に設けるときは、モ
ールド材の注入位置(ゲート10)は図3のように下金
型9側に設けるのが好ましい。このような位置からモー
ルド材を注入すれば、スペーサがモールド型の面に付勢
される方向の力が加わる場合が多いので、好ましい。ま
た、モールド材の注入位置を上金型8側と下金型9側の
両方に設け、下金型9側の注入量を上金型8の注入量よ
り多くするようにしてもよい。この場合は、モールド材
の流れの力が電子素子7などにスペーサのない側に付勢
される方向には加わらず、かつ、電子素子7の上金型8
側にも十分なモールド材を供給することができるので、
好ましい。
【0042】さらに積極的にモールド材の流れの力によ
りスペーサをモールド型の側に付勢しようとするとき
は、たとえば図3で下金型9の電子素子7に並向する面
にゲートを設けてもよい。
【0043】また、モールド材の流れの力によりスペー
サにモールド型の側に付勢するときは、スペーサがモー
ルド型にほぼ密着した状態でモールドすることができ
る。この場合は、電子素子パッケージの外縁面と電子素
子面がほぼ平行となり、パッケージ内での電子素子の傾
きを最小限とすることができるため、好ましい。また、
このような場合は、スペーサの厚さを、電子素子パッケ
ージの厚さからリード線の厚さを減じたものの半分程度
とすれば、電子素子をパッケージのほぼ中央に確実に配
置することができ、好ましい。
【0044】
【実施例】
実施例1 図1〜3に示す工程を経て本発明の電子素子パッケージ
を製造した。
【0045】まず、図1に示すようなフィルムキャリア
接合済み電子素子を製造した。フィルムキャリア1は、
(1)ポリイミドの基板フィルムに、電解めっき法によ
りインナーリード2やアウターリード3およびダムバー
4などの導電パターンを形成し、(2)つづいて基板フ
ィルムをエッチングしてスペーサ5を残してデバイスホ
ール6を形成する、ことにより作製した。このフィルム
キャリア1のインナーリード2をTAB技術で通常用い
られるインナーリードボンダーにより電子素子7の四辺
に配置された電極に接合した。
【0046】つづいて、図2のように、上金型8と下金
型9の間に形成されたモールド型の内部に上記のフィル
ムキャリア接合済みの電子素子7を置き、モールド材1
1を下金型9に設けたゲート10から注入し、加熱し
た。このとき、インナーリード2の面と上金型8の電子
素子7の面に並向する面の距離を、スペーサ5の厚みよ
りも短くした。これにより、スペーサ5をインナーリー
ド2の弾性力により面に並向する面に対して付勢した。
また、ゲート10を下金型9の側に設け、モールド材1
1の流れの力が電子素子7やインナーリード2に対しス
ペーサ5の側に若干加わるようにした。なお、モールド
材はエポキシ樹脂にフィラーと硬化材を混入したものを
用いた。
【0047】加熱後、図3のように上金型8と下金型9
を除去し、電子素子パッケージ13の製造を完了した。
【0048】この電子素子パッケージ13の厚みは0.
5mmと非常に薄いものであったが、電子素子7がパッ
ケージ外部に露出したり、パッケージ内部で大きく傾く
などの不良はほとんど発生しなかった。
【0049】実施例2 スペーサ表面に被覆部材を設けたほかは実施例1と同様
の電子素子パッケージを製造した。図4は、図2に対応
する工程を示す断面図である。スペーサ5の表面にモー
ルド材11と同種の材料で被覆部材12を設けた。被覆
部材12の厚さは40μmとした。被覆部材12は電子
素子7と接合する前のフィルムキャリア1のスペーサ5
に密着する部位のみに描画型の樹脂塗布装置により塗布
して形成した。
【0050】完成した電子素子パッケージは、パッケー
ジ外部にスペーサが露出することがなく、保護部材とス
ペーサとの間から水分が入り込む可能性がほとんどなく
なった。
【0051】実施例3 スペーサを電子素子の対向する2辺に沿う方向に延びる
もののみ設け、樹脂として粘度の高いものを用いたほか
は実施例1と同様の電子素子パッケージを製造した。図
7は、図1に対応する工程を示す平面図である。スペー
サ5は樹脂注入時の樹脂流動方向に対して平行になるよ
うな配置で設けた。これにより、粘度の高い樹脂を用い
た場合にも流動を良好に保ちながら樹脂をモールド型に
充填でき、電子素子パッケージを製造できた。
【0052】実施例4 複数の独立したスペーサを電子素子の4辺に沿う方向に
設けたほかは実施例1と同様の電子素子パッケージを製
造した。図8は、図1に対応する工程を示す平面図であ
る。スペーサ5は、図8に示すように複数の独立した片
とし、不連続な配置で設けた。これにより、電子素子の
上面における樹脂の流動の自由度が高くなり、粘度の高
い樹脂を用いた場合にも流動を良好に保ちながら樹脂を
モールド型に充填でき、電子素子パッケージを製造でき
た。
【0053】
【発明の効果】本発明の電子素子パッケージによれば、
パッケージ内部における電子素子の傾きを小さくするこ
とができる。これにより、薄型パッケージにおいてもリ
ード線に不当な応力が加わることがないため、パッケー
ジの信頼性が高い。
【0054】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法によれば、モールド型内において電子素子の傾きが
極端に増大することがなく、パッケージの外部に電子素
子が露出したり、パッケージ化の際にリード線同士が接
触したりリード線が断線するといった不良が発生しにく
く歩留まりを向上することができる。
【0055】また、本発明の電子素子パッケージの製造
方法によれば、モールド型内の電子素子の位置が安定
し、不良が発生しにくいため、歩留まりよく電子素子パ
ッケージを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子素子パッケージの製造方法に用い
られるフィルムキャリア接合済み電子素子の一実施例を
示す平面図である。
【図2】本発明の電子素子パッケージの製造方法の一実
施例の一工程を示す図である。
【図3】本発明の電子素子パッケージの製造方法の他の
一実施例の一工程を示す図である。
【図4】本発明の電子素子パッケージの一実施例を示す
図である。
【図5】従来の電子素子パッケージの製造方法に用いら
れるフィルムキャリア接合済み電子素子の例を示す平面
図である。
【図6】従来の電子素子パッケージの例を示す図であ
る。
【図7】本発明の電子素子パッケージの製造方法に用い
られるフィルムキャリア接合済み電子素子の他の一実施
例を示す平面図である。
【図8】本発明の電子素子パッケージの製造方法に用い
られるフィルムキャリア接合済み電子素子の他の一実施
例を示す平面図である。
【符号の説明】
1:フィルムキャリア 2:インナーリード 3:アウターリード 4:ダムバー 5:スペーサ 6:デバイスホール 7:電子素子 8:上金型 9:下金型 10:ゲート 11:モールド材 12:被覆部材 13:電子素子パッケージ 21:フィルムキャリア 22:インナーリード 23:アウターリード 24:ダムバー 26:デバイスホール 27:電子素子 28:上金型 29:下金型 30:ゲート 31:モールド材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 Y G

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子素子と、前記電子素子を内包する保護
    部材と、前記電子素子に接合され前記保護部材の外部に
    露出するリード線と、前記保護部材の前記電子素子面に
    並向する外縁面および前記リード線の間に設けられたス
    ペーサとを備えたことを特徴とする電子素子パッケー
    ジ。
  2. 【請求項2】リード線の一端を接合されてなる電子素子
    がモールド型内に置かれ、前記モールド型内にモールド
    材を注入され、前記モールド型を除去されてなる電子素
    子パッケージであって、かつ、前記モールド型の前記電
    子素子面に並向する面と前記リード線との間にスペーサ
    を設けられて前記モールド型内に前記モールド材を注入
    されてなることを特徴とする電子素子パッケージ。
  3. 【請求項3】前記スペーサは、前記保護部材の外縁面側
    に前記保護部材と同種の材質からなる被覆部材を備えて
    なることを特徴とする請求項1または2に記載の電子素
    子パッケージ。
  4. 【請求項4】前記リード線は、導電バンプを介して前記
    電子素子の電極に接合されてなることを特徴とする請求
    項1〜3のいずれかに記載の電子素子パッケージ。
  5. 【請求項5】電子素子と、前記電子素子の電極に一端を
    接合されかつフィルムキャリアの基板フィルムの一部が
    密着したインナーリードと、前記電子素子を内包しかつ
    前記インナーリードの他端を外部に露出するようにモー
    ルド成形された保護部材を有し、かつ、前記基板フィル
    ムが、前記保護部材の前記電子素子面に並向する外縁面
    に並向して複数の前記インナーリードに密着されてなる
    ことを特徴とする電子素子パッケージ。
  6. 【請求項6】リード線の一端を接合されてなる電子素子
    をモールド型内に置き、該モールド型内にモールド材を
    注入し、しかる後、前記モールド型を除去して電子素子
    パッケージを製造するに際して、前記モールド型の前記
    電子素子面に並向する面と前記リード線との間にスペー
    サを設けて前記モールド型内に前記モールド材を注入す
    ることを特徴とする電子素子パッケージの製造方法。
  7. 【請求項7】前記リード線は、導電バンプを介して前記
    電子素子の電極に接合されていることを特徴とする請求
    項6に記載の電子素子パッケージの製造方法。
  8. 【請求項8】前記スペーサを、前記モールド型の前記電
    子素子面と並向する面に向けて付勢しながら前記モール
    ド型内にモールド材を注入することを特徴とする請求項
    6または7に記載の電子素子パッケージの製造方法。
  9. 【請求項9】前記スペーサが前記モールド型の前記電子
    素子に並向する面に対して付勢される向きに前記モール
    ド材を注入することを特徴とする請求項8に記載の電子
    素子パッケージの製造方法。
  10. 【請求項10】前記スペーサを前記リード線の弾性力に
    より前記モールド型の前記電子素子面に並向する面に対
    して付勢しながら前記モールド型内にモールド材を注入
    することを特徴とする請求項8または9に記載の電子素
    子パッケージの製造方法。
  11. 【請求項11】前記スペーサとしては、前記モールド型
    の側が前記モールド材と同種の材質により被覆されたも
    のを用いることを特徴とする請求項6〜10のいずれか
    に記載の電子素子パッケージの製造方法。
  12. 【請求項12】前記スペーサとしては、複数のリード線
    に密着されたものを用いることを特徴とする請求項6〜
    11のいずれかに記載の電子素子パッケージの製造方
    法。
  13. 【請求項13】フィルムキャリアのインナーリードに電
    子素子を接合し、該電子素子をモールド型内に置き、該
    モールド型内にモールド材を注入し、しかる後、前記モ
    ールド型を除去せしめて電子素子パッケージを製造する
    に際して、前記インナーリードのうち前記モールド型内
    に置かれる部位が、前記フィルムキャリアの基板フィル
    ムの一部と密着されてなるものを用いることを特徴とす
    る電子素子パッケージの製造方法。
  14. 【請求項14】前記基板フィルムの前記インナーリード
    との密着部は、前記モールド型の側が前記モールド材と
    同種の材質により被覆されてなることを特徴とする請求
    項13に記載の電子素子パッケージの製造方法。
JP7120011A 1994-05-23 1995-05-18 電子素子パッケージおよびその製造方法 Pending JPH0845976A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE19921867A1 (de) * 1999-05-11 2000-11-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit mindestens einem verkapselten Chip auf einem Substrat

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19921867A1 (de) * 1999-05-11 2000-11-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit mindestens einem verkapselten Chip auf einem Substrat
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US6930042B1 (en) 1999-05-11 2005-08-16 Infineon Technologies Ag Method for producing a semiconductor component with at least one encapsulated chip on a substrate

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