JPH0846119A - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置Info
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- JPH0846119A JPH0846119A JP6201353A JP20135394A JPH0846119A JP H0846119 A JPH0846119 A JP H0846119A JP 6201353 A JP6201353 A JP 6201353A JP 20135394 A JP20135394 A JP 20135394A JP H0846119 A JPH0846119 A JP H0846119A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボイドの発生を防止できるリードフレームお
よびこれを用いた半導体装置を提供すること。 【構成】 本発明は、略平行な２本のフレーム部２の間
に吊りリード３１を介してダイパッド３が配置され、ダ
イパッド３の周辺から外方へリード４が延出しており、
半導体素子を実装したダイパッド３を金型のキャビティ
内に配置し、金型のゲートからエアベント側へ樹脂を流
し込み、半導体素子を樹脂にて封止するために使用する
リードフレーム１であって、ダイパッド３よりも金型の
エアベント側に樹脂の流れに対して抵抗となる抵抗パタ
ーン５を備えている。また、このようなリードフレーム
１を用いて製造した半導体装置でもある。
よびこれを用いた半導体装置を提供すること。 【構成】 本発明は、略平行な２本のフレーム部２の間
に吊りリード３１を介してダイパッド３が配置され、ダ
イパッド３の周辺から外方へリード４が延出しており、
半導体素子を実装したダイパッド３を金型のキャビティ
内に配置し、金型のゲートからエアベント側へ樹脂を流
し込み、半導体素子を樹脂にて封止するために使用する
リードフレーム１であって、ダイパッド３よりも金型の
エアベント側に樹脂の流れに対して抵抗となる抵抗パタ
ーン５を備えている。また、このようなリードフレーム
１を用いて製造した半導体装置でもある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子をダイパッ
ドに実装した状態で金型のキャビティ内にセットし、こ
のキャビティ内に樹脂を流し込んで半導体素子を封止す
るために使用するリードフレームおよびこれを用いた半
導体装置に関する。
ドに実装した状態で金型のキャビティ内にセットし、こ
のキャビティ内に樹脂を流し込んで半導体素子を封止す
るために使用するリードフレームおよびこれを用いた半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造で使用するリードフレ
ームは、４２アロイ（鉄−ニッケル４２％合金）等の長
尺状の金属板をプレス加工したりエッチング加工したり
することでダイパッドやリード部分が形成される。図８
は従来のリードフレームの一素子単位を示す平面図であ
る。すなわち、リードフレーム１は、主として略平行な
２本のフレーム部２と、フレーム部２の間に吊りリード
３１を介して配置されるダイパッド３と、ダイパッド３
の周囲から外方に向けて延出する複数本のリード４とか
ら構成されている。
ームは、４２アロイ（鉄−ニッケル４２％合金）等の長
尺状の金属板をプレス加工したりエッチング加工したり
することでダイパッドやリード部分が形成される。図８
は従来のリードフレームの一素子単位を示す平面図であ
る。すなわち、リードフレーム１は、主として略平行な
２本のフレーム部２と、フレーム部２の間に吊りリード
３１を介して配置されるダイパッド３と、ダイパッド３
の周囲から外方に向けて延出する複数本のリード４とか
ら構成されている。
【０００３】このリードフレーム１を用いて半導体装置
を製造するには、先ずダイパッド３上にチップ状の半導
体素子を実装し、半導体素子とリード４とをボンディン
グワイヤーにて配線する。次いで、この状態で金型のキ
ャビティ内に半導体素子が実装されたダイパッド３を配
置した後、キャビティ内に樹脂を流し込み、半導体素子
を樹脂にて封止した状態で硬化させて半導体装置のパッ
ケージを構成する。
を製造するには、先ずダイパッド３上にチップ状の半導
体素子を実装し、半導体素子とリード４とをボンディン
グワイヤーにて配線する。次いで、この状態で金型のキ
ャビティ内に半導体素子が実装されたダイパッド３を配
置した後、キャビティ内に樹脂を流し込み、半導体素子
を樹脂にて封止した状態で硬化させて半導体装置のパッ
ケージを構成する。
【０００４】図９はこの際の樹脂の流れを（ａ）〜
（ｃ）の順に説明する断面図である。図９（ａ）に示す
ように、樹脂６は上型２１と下型２２との間に設けられ
るゲート２４からキャビティ２３内に注入され、半導体
素子１０の上側とダイパッド３の下側とに流動してい
く。キャビティ２３に関してゲート２４の反対側となる
位置にはエアベント２５が設けられており、樹脂６がキ
ャビティ２３内に注入される際にキャビティ２３内の空
気を外部へ排出できるようになっている。
（ｃ）の順に説明する断面図である。図９（ａ）に示す
ように、樹脂６は上型２１と下型２２との間に設けられ
るゲート２４からキャビティ２３内に注入され、半導体
素子１０の上側とダイパッド３の下側とに流動してい
く。キャビティ２３に関してゲート２４の反対側となる
位置にはエアベント２５が設けられており、樹脂６がキ
ャビティ２３内に注入される際にキャビティ２３内の空
気を外部へ排出できるようになっている。
【０００５】樹脂６は、図９（ｂ）から図９（ｃ）に示
すように半導体素子１０の上側とダイパッド３の下側と
に流動していき、最終的に半導体素子１０およびダイパ
ッド３を封止する状態となる。
すように半導体素子１０の上側とダイパッド３の下側と
に流動していき、最終的に半導体素子１０およびダイパ
ッド３を封止する状態となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９
（ａ）に示すように、半導体素子１０の上側における樹
脂６の流速と、ダイパッド３の下側における樹脂６の流
速とが異なると、先にエアベント２５側へ達した一方側
の樹脂６が他方側へ回り込む際にエアベント２５をふさ
ぐ状態となる（図９（ｂ）参照）。これによって、他方
側の樹脂６が流れ込むキャビティ２３内の空気が逃げ場
を失い、ボイド６１として残ってしまうという不都合が
生じる（図９（ｃ）参照）。
（ａ）に示すように、半導体素子１０の上側における樹
脂６の流速と、ダイパッド３の下側における樹脂６の流
速とが異なると、先にエアベント２５側へ達した一方側
の樹脂６が他方側へ回り込む際にエアベント２５をふさ
ぐ状態となる（図９（ｂ）参照）。これによって、他方
側の樹脂６が流れ込むキャビティ２３内の空気が逃げ場
を失い、ボイド６１として残ってしまうという不都合が
生じる（図９（ｃ）参照）。
【０００７】通常、半導体素子１０の上側における樹脂
６の厚さとダイパッド３の下側における樹脂６の厚さと
を等しくして樹脂６の流速が等しくなるように設定する
が、ダイパッド３のディプレス量やチップ厚、ダイボン
ド材の厚さ、金型の堀り込み量等のばらつきによって必
ずしも等しくならない。このため、ボイド６１の発生を
防止するのが非常に困難となり、半導体装置におけるパ
ッケージ信頼性を向上する上での問題となっている。よ
って、本発明は半導体素子の上側とダイパッドの下側と
による樹脂の流速の違いを吸収してボイドの発生を防止
できるリードフレームおよびこれを用いた半導体装置を
提供することを目的とする。
６の厚さとダイパッド３の下側における樹脂６の厚さと
を等しくして樹脂６の流速が等しくなるように設定する
が、ダイパッド３のディプレス量やチップ厚、ダイボン
ド材の厚さ、金型の堀り込み量等のばらつきによって必
ずしも等しくならない。このため、ボイド６１の発生を
防止するのが非常に困難となり、半導体装置におけるパ
ッケージ信頼性を向上する上での問題となっている。よ
って、本発明は半導体素子の上側とダイパッドの下側と
による樹脂の流速の違いを吸収してボイドの発生を防止
できるリードフレームおよびこれを用いた半導体装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために成されたリードフレームおよびこれを用
いた半導体装置である。すなわち、本発明のリードフレ
ームは、略平行な２本のフレーム部の間に吊りリードを
介してダイパッドが配置され、ダイパッドの周辺から外
方へリードが延出しており、半導体素子を実装したダイ
パッドを金型のキャビティ内に配置し、金型のゲートか
らエアベント側へ樹脂を流し込み、半導体素子を樹脂に
て封止するために使用するものであって、ダイパッドよ
りも金型のエアベント側に樹脂の流れに対して抵抗とな
る抵抗パターンを設けている。また、本発明の半導体装
置はこのようなリードフレームを用いて製造したもので
ある。
達成するために成されたリードフレームおよびこれを用
いた半導体装置である。すなわち、本発明のリードフレ
ームは、略平行な２本のフレーム部の間に吊りリードを
介してダイパッドが配置され、ダイパッドの周辺から外
方へリードが延出しており、半導体素子を実装したダイ
パッドを金型のキャビティ内に配置し、金型のゲートか
らエアベント側へ樹脂を流し込み、半導体素子を樹脂に
て封止するために使用するものであって、ダイパッドよ
りも金型のエアベント側に樹脂の流れに対して抵抗とな
る抵抗パターンを設けている。また、本発明の半導体装
置はこのようなリードフレームを用いて製造したもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明では、ダイパッドよりも金型のエアベン
ト側に樹脂の流れに対して抵抗となる抵抗パターンを設
けているため、半導体素子の上側とダイパッドの下側と
の樹脂の流速が異なる場合であっても、先にエアベント
側まで達した樹脂がこの抵抗パターンにて妨げられるこ
とになる。このため、先にエアベント側まで達した樹脂
がエアベントをふさぐことがなくなり、キャビティ全体
に樹脂が行き渡るまでキャビティ内の空気を全て外部へ
排出することができるようになる。これによって、パッ
ケージにボイドの無い半導体装置を構成できる。
ト側に樹脂の流れに対して抵抗となる抵抗パターンを設
けているため、半導体素子の上側とダイパッドの下側と
の樹脂の流速が異なる場合であっても、先にエアベント
側まで達した樹脂がこの抵抗パターンにて妨げられるこ
とになる。このため、先にエアベント側まで達した樹脂
がエアベントをふさぐことがなくなり、キャビティ全体
に樹脂が行き渡るまでキャビティ内の空気を全て外部へ
排出することができるようになる。これによって、パッ
ケージにボイドの無い半導体装置を構成できる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明のリードフレームおよびこれ
を用いた半導体装置の実施例を図に基づいて説明する。
図１は本発明のリードフレームにおける第１実施例を示
す平面図、図２は第１実施例におけるリードフレームを
用いた場合の樹脂の流れを説明する断面図である。図１
に示すように、第１実施例におけるリードフレーム１
は、略平行な２本のフレーム２の間に吊りリード３１を
介して配置されるダイパッド３と、ダイパッド３の周囲
から外方へ向けて延出する複数本のリード４とを備えた
構成となっている。
を用いた半導体装置の実施例を図に基づいて説明する。
図１は本発明のリードフレームにおける第１実施例を示
す平面図、図２は第１実施例におけるリードフレームを
用いた場合の樹脂の流れを説明する断面図である。図１
に示すように、第１実施例におけるリードフレーム１
は、略平行な２本のフレーム２の間に吊りリード３１を
介して配置されるダイパッド３と、ダイパッド３の周囲
から外方へ向けて延出する複数本のリード４とを備えた
構成となっている。
【００１１】リードフレーム１は、ダイパッド３に半導
体素子１０（図２参照）を実装した状態で上型２１と下
型２２（図２参照）とから成る金型間にセットされる。
図１においては、図中下側が金型のゲート２４（図２参
照）側となり、上側が金型のエアベント２５（図２参
照）側となって樹脂６（図２参照）がキャビティ２３
（図２参照）内に注入されることになる。第１実施例に
おけるリードフレーム１では、ダイパッド３よりも金型
のエアベント側に樹脂６（図２参照）の流れに対する抵
抗となる抵抗パターン５が設けられている。
体素子１０（図２参照）を実装した状態で上型２１と下
型２２（図２参照）とから成る金型間にセットされる。
図１においては、図中下側が金型のゲート２４（図２参
照）側となり、上側が金型のエアベント２５（図２参
照）側となって樹脂６（図２参照）がキャビティ２３
（図２参照）内に注入されることになる。第１実施例に
おけるリードフレーム１では、ダイパッド３よりも金型
のエアベント側に樹脂６（図２参照）の流れに対する抵
抗となる抵抗パターン５が設けられている。
【００１２】このリードフレーム１においては、抵抗パ
ターン５がリード４に設けられており、ボンディングワ
イヤー１１（図２参照）によって半導体素子１０（図２
参照）と接続される。このため、抵抗パターン５はリー
ド４と一体的に形成されており、他のリード４と比べて
幅が広くなっている。すなわち、ダイパッド３よりもエ
アベント側ではフレームパターンの無い部分が非常に少
なくなっている。
ターン５がリード４に設けられており、ボンディングワ
イヤー１１（図２参照）によって半導体素子１０（図２
参照）と接続される。このため、抵抗パターン５はリー
ド４と一体的に形成されており、他のリード４と比べて
幅が広くなっている。すなわち、ダイパッド３よりもエ
アベント側ではフレームパターンの無い部分が非常に少
なくなっている。
【００１３】次に、第１実施例におけるリードフレーム
１を用いた場合の樹脂の流れを図２に基づいて説明す
る。樹脂６による封止を行うに先立ち、リードフレーム
１のダイパッド３上にチップ状の半導体素子１０を実装
し、さらに半導体素子１０とリード４（図１参照）およ
び抵抗パターン５とをボンディングワイヤー１１にて配
線しておく。この状態で、図２（ａ）に示すように、上
型２１と下型２２との間にリードフレーム１をセット
し、半導体素子１０が実装されたダイパッド３、ボンデ
ィングワイヤー１１およびリード４の先端部分（インナ
ーリード部）をキャビティ２３内に配置する。
１を用いた場合の樹脂の流れを図２に基づいて説明す
る。樹脂６による封止を行うに先立ち、リードフレーム
１のダイパッド３上にチップ状の半導体素子１０を実装
し、さらに半導体素子１０とリード４（図１参照）およ
び抵抗パターン５とをボンディングワイヤー１１にて配
線しておく。この状態で、図２（ａ）に示すように、上
型２１と下型２２との間にリードフレーム１をセット
し、半導体素子１０が実装されたダイパッド３、ボンデ
ィングワイヤー１１およびリード４の先端部分（インナ
ーリード部）をキャビティ２３内に配置する。
【００１４】次いで、上型２１と下型２２との間に設け
られるゲート２４から溶融した樹脂６をキャビティ２３
内に注入する。樹脂６は、ゲート２４からキャビティ２
３内に流れ込み、半導体素子１０の上側とダイパッド３
の下側とに分かれて流動する。この際、諸条件（ダイパ
ッド３のディプレス量やチップ厚、ダイボンド材の厚
さ、金型の堀り込み量等）のばらつきにより、半導体素
子１０の上側とダイパッド３の下側との樹脂６の流速に
差が生じることになる。
られるゲート２４から溶融した樹脂６をキャビティ２３
内に注入する。樹脂６は、ゲート２４からキャビティ２
３内に流れ込み、半導体素子１０の上側とダイパッド３
の下側とに分かれて流動する。この際、諸条件（ダイパ
ッド３のディプレス量やチップ厚、ダイボンド材の厚
さ、金型の堀り込み量等）のばらつきにより、半導体素
子１０の上側とダイパッド３の下側との樹脂６の流速に
差が生じることになる。
【００１５】例えば、半導体素子１０の上側における樹
脂６の流速の方がダイパッド３の下側における樹脂６の
流速よりも速い場合には、半導体素子１０の上側を流れ
る樹脂６が先にエアベント２５側まで達する。ところ
が、この位置には抵抗パターン５が配置されているた
め、半導体素子１０の上側から流れる樹脂６は容易にダ
イパッド３の下側へ回り込むことができなくなる。
脂６の流速の方がダイパッド３の下側における樹脂６の
流速よりも速い場合には、半導体素子１０の上側を流れ
る樹脂６が先にエアベント２５側まで達する。ところ
が、この位置には抵抗パターン５が配置されているた
め、半導体素子１０の上側から流れる樹脂６は容易にダ
イパッド３の下側へ回り込むことができなくなる。
【００１６】この間、半導体素子１０の上側から流れ込
む樹脂６がエアベント２５をふさぐことがなくなる。つ
まり、ダイパッド３の下側から流れ込む樹脂６がエアベ
ント２５側へ達するまで間エアベント２５が開いている
状態となり、キャビティ２３内の空気を外部へ排出でき
ることになる。これによって、半導体素子１０の上側お
よびダイパッド３の下側から流れ込む樹脂６を完全にキ
ャビティ２３内に充填させることができ、ボイド６１
（図９（ｃ）参照）を発生させることなく半導体素子１
０等を樹脂６にて封止できることになる。
む樹脂６がエアベント２５をふさぐことがなくなる。つ
まり、ダイパッド３の下側から流れ込む樹脂６がエアベ
ント２５側へ達するまで間エアベント２５が開いている
状態となり、キャビティ２３内の空気を外部へ排出でき
ることになる。これによって、半導体素子１０の上側お
よびダイパッド３の下側から流れ込む樹脂６を完全にキ
ャビティ２３内に充填させることができ、ボイド６１
（図９（ｃ）参照）を発生させることなく半導体素子１
０等を樹脂６にて封止できることになる。
【００１７】つまり、このようなリードフレーム１を用
いることでパッケージにボイドの無い半導体装置を製造
することが可能となる。また、第１実施例におけるリー
ドフレーム１では、先に説明したように抵抗パターン５
をリード４と一体的に形成しているため、他のリード４
よりも幅が広くなっている。このような、抵抗パターン
５を半導体素子１０の電源電位や接地電位として使用す
ることで、電気的特性の安定した半導体装置を提供でき
るというメリットもある。
いることでパッケージにボイドの無い半導体装置を製造
することが可能となる。また、第１実施例におけるリー
ドフレーム１では、先に説明したように抵抗パターン５
をリード４と一体的に形成しているため、他のリード４
よりも幅が広くなっている。このような、抵抗パターン
５を半導体素子１０の電源電位や接地電位として使用す
ることで、電気的特性の安定した半導体装置を提供でき
るというメリットもある。
【００１８】次に、本発明のリードフレームにおける第
２実施例を説明する。図３は第２実施例におけるリード
フレームを示す平面図、図４は第２実施例におけるリー
ドフレームを使用した場合の樹脂の流れを説明する断面
図である。なお、図３においても図１と同様に図中上側
が金型のエアベント側となり、下側がゲート側となって
いる。
２実施例を説明する。図３は第２実施例におけるリード
フレームを示す平面図、図４は第２実施例におけるリー
ドフレームを使用した場合の樹脂の流れを説明する断面
図である。なお、図３においても図１と同様に図中上側
が金型のエアベント側となり、下側がゲート側となって
いる。
【００１９】第２実施例におけるリードフレーム１で
は、金型のゲート２４（図４参照）からエアベント２５
（図４参照）側へ流動する樹脂６（図４参照）に対する
抵抗パターンとしてダミーリード５１が設けられてい
る。ダミーリード５１は、ダイパッド３よりもエアベン
ト側においてリード４と同様にダイパッド３の周辺から
細長く延出しており、最終的にリード４とつながってい
る。例えば、リード４の両脇に１本づつダミーリード５
１が設けられている。
は、金型のゲート２４（図４参照）からエアベント２５
（図４参照）側へ流動する樹脂６（図４参照）に対する
抵抗パターンとしてダミーリード５１が設けられてい
る。ダミーリード５１は、ダイパッド３よりもエアベン
ト側においてリード４と同様にダイパッド３の周辺から
細長く延出しており、最終的にリード４とつながってい
る。例えば、リード４の両脇に１本づつダミーリード５
１が設けられている。
【００２０】次に、このようなリードフレーム１を用い
た場合における樹脂の流れを図４に基づいて説明する。
樹脂６による封止に先立ち、ダイパッド３上には半導体
素子１０が実装され、さらに半導体素子１０とリード４
とがボンディングワイヤー１１にて配線されている。こ
の状態で、図４（ａ）に示すように、上型２１と下型２
２との間にリードフレーム１をセットし、半導体素子１
０が実装されたダイパッド３、ボンディングワイヤー１
１およびリード４の先端部分（インナーリード部）をキ
ャビティ２３内に配置する。
た場合における樹脂の流れを図４に基づいて説明する。
樹脂６による封止に先立ち、ダイパッド３上には半導体
素子１０が実装され、さらに半導体素子１０とリード４
とがボンディングワイヤー１１にて配線されている。こ
の状態で、図４（ａ）に示すように、上型２１と下型２
２との間にリードフレーム１をセットし、半導体素子１
０が実装されたダイパッド３、ボンディングワイヤー１
１およびリード４の先端部分（インナーリード部）をキ
ャビティ２３内に配置する。
【００２１】次いで、上型２１と下型２２との間に設け
られるゲート２４から溶融した樹脂６をキャビティ２３
内に注入する。これによって、樹脂６は半導体素子１０
の上側とダイパッド３の下側とに分かれて流動する。こ
の際、諸条件（ダイパッド３のディプレス量やチップ
厚、ダイボンド材の厚さ、金型の堀り込み量等）のばら
つきにより、半導体素子１０の上側における樹脂６の流
速とダイパッド３の下側における樹脂６の流速とに差が
生じる。
られるゲート２４から溶融した樹脂６をキャビティ２３
内に注入する。これによって、樹脂６は半導体素子１０
の上側とダイパッド３の下側とに分かれて流動する。こ
の際、諸条件（ダイパッド３のディプレス量やチップ
厚、ダイボンド材の厚さ、金型の堀り込み量等）のばら
つきにより、半導体素子１０の上側における樹脂６の流
速とダイパッド３の下側における樹脂６の流速とに差が
生じる。
【００２２】例えば、半導体素子１０の上側における樹
脂６の流速の方が速い場合には、この樹脂６の方が先に
エアベント２５側に達することになる。ところが、エア
ベント２５付近には抵抗パターンとなるダミーリード５
１が配置されているため、この樹脂６がダイパッド３の
下側のキャビティ２３内へ回り込もうとするのを防ぐこ
とになる。
脂６の流速の方が速い場合には、この樹脂６の方が先に
エアベント２５側に達することになる。ところが、エア
ベント２５付近には抵抗パターンとなるダミーリード５
１が配置されているため、この樹脂６がダイパッド３の
下側のキャビティ２３内へ回り込もうとするのを防ぐこ
とになる。
【００２３】この間、半導体素子１０の上側から流れ込
む樹脂６がエアベント２５をふさぐことがなくなり、ダ
イパッド３の下側から流れ込む樹脂６がエアベント２５
側へ達するまで間キャビティ２３内の空気を外部へ排出
できることになる。これによって、図４（ｂ）に示すよ
うに、半導体素子１０の上側およびダイパッド３の下側
から流れ込む樹脂６を完全にキャビティ２３内に充填さ
せることができ、ボイド６１（図９（ｃ）参照）を発生
させることなく半導体素子１０等を樹脂６にて封止でき
ることになる。
む樹脂６がエアベント２５をふさぐことがなくなり、ダ
イパッド３の下側から流れ込む樹脂６がエアベント２５
側へ達するまで間キャビティ２３内の空気を外部へ排出
できることになる。これによって、図４（ｂ）に示すよ
うに、半導体素子１０の上側およびダイパッド３の下側
から流れ込む樹脂６を完全にキャビティ２３内に充填さ
せることができ、ボイド６１（図９（ｃ）参照）を発生
させることなく半導体素子１０等を樹脂６にて封止でき
ることになる。
【００２４】第２実施例におけるリードフレーム１で
は、ダミーリード５１がリード４の脇に複数本設けられ
ている構造となっているため、ダミーリード５１とリー
ド４との隙間を調節することにより樹脂６の流れに対す
る抵抗を変化させることができる。つまり、ダミーリー
ド５１とリード４との隙間を広くすることで樹脂６の流
れに対する抵抗を小さくでき、反対に隙間を狭くするこ
とで樹脂６の流れに対する抵抗を大きくできる。
は、ダミーリード５１がリード４の脇に複数本設けられ
ている構造となっているため、ダミーリード５１とリー
ド４との隙間を調節することにより樹脂６の流れに対す
る抵抗を変化させることができる。つまり、ダミーリー
ド５１とリード４との隙間を広くすることで樹脂６の流
れに対する抵抗を小さくでき、反対に隙間を狭くするこ
とで樹脂６の流れに対する抵抗を大きくできる。
【００２５】また、ダイパッド３をディプレス加工する
際に同時にダミーリード５１をディプレス加工し、ダミ
ーリード５１とリード４との隙間を調節するようにして
もよい。これによって、同じダミーリード５１を備えた
リードフレーム１であっても半導体素子１０の厚さやダ
イパッド３のディプレス量等の諸条件に応じて樹脂６の
流れに対する抵抗を調節できることになる。
際に同時にダミーリード５１をディプレス加工し、ダミ
ーリード５１とリード４との隙間を調節するようにして
もよい。これによって、同じダミーリード５１を備えた
リードフレーム１であっても半導体素子１０の厚さやダ
イパッド３のディプレス量等の諸条件に応じて樹脂６の
流れに対する抵抗を調節できることになる。
【００２６】さらに、第２実施例におけるリードフレー
ム１では、ダミーリード５１が通常のリード４と同様な
形状となっているため、リードフレーム１をプレス加工
やエッチング加工して製造する際に通常のリードフレー
ムを製造する場合と同様な負荷にて成形することが可能
である。また、第１実施例と同様に、ダミーリード５１
とリード４へ電源電位や接地電位を複数本接続する（ボ
ンディングする）ことにより、電気的特性の安定した半
導体装置を提供できるというメリットもある。
ム１では、ダミーリード５１が通常のリード４と同様な
形状となっているため、リードフレーム１をプレス加工
やエッチング加工して製造する際に通常のリードフレー
ムを製造する場合と同様な負荷にて成形することが可能
である。また、第１実施例と同様に、ダミーリード５１
とリード４へ電源電位や接地電位を複数本接続する（ボ
ンディングする）ことにより、電気的特性の安定した半
導体装置を提供できるというメリットもある。
【００２７】次に、本発明におけるリードフレームの第
３実施例〜第５実施例を図５〜図７に基づき説明する。
図５は第３実施例におけるリードフレームを示す平面
図、図６は第４実施例におけるリードフレームを示す平
面図、図７は第５実施例におけるリードフレームを示す
平面図である。
３実施例〜第５実施例を図５〜図７に基づき説明する。
図５は第３実施例におけるリードフレームを示す平面
図、図６は第４実施例におけるリードフレームを示す平
面図、図７は第５実施例におけるリードフレームを示す
平面図である。
【００２８】図５に示すように、第３実施例におけるリ
ードフレーム１は、ダイパッド３よりもエアベント側の
吊りリード３１に樹脂の流れに対する抵抗パターンとな
るプレート５２を備えたものである。また、図６に示す
第４実施例におけるリードフレーム１は、ダイパッド３
よりもエアベント側の吊りリード３１に樹脂の流れに対
する抵抗パターンとなるバー５３を複数本備えたもので
ある。また、図７に示す第５実施例におけるリードフレ
ーム１は、第４実施例におけるバー５３をエアベント側
およびゲート側に備えたものである。
ードフレーム１は、ダイパッド３よりもエアベント側の
吊りリード３１に樹脂の流れに対する抵抗パターンとな
るプレート５２を備えたものである。また、図６に示す
第４実施例におけるリードフレーム１は、ダイパッド３
よりもエアベント側の吊りリード３１に樹脂の流れに対
する抵抗パターンとなるバー５３を複数本備えたもので
ある。また、図７に示す第５実施例におけるリードフレ
ーム１は、第４実施例におけるバー５３をエアベント側
およびゲート側に備えたものである。
【００２９】第３実施例におけるリードフレーム１で
は、プレート５２の大きさを調節することにより樹脂の
流れに対する抵抗を変化させることができる。また、第
４実施例および第５実施例におけるリードフレーム１で
は、隣合うバー５３の隙間を調節することで樹脂の流れ
に対する抵抗を変化させることができる。なお、第５実
施例におけるリードフレーム１においては、エアベント
側のバー５３による隙間で最終的な樹脂の流れに対する
抵抗を決めるようにする。
は、プレート５２の大きさを調節することにより樹脂の
流れに対する抵抗を変化させることができる。また、第
４実施例および第５実施例におけるリードフレーム１で
は、隣合うバー５３の隙間を調節することで樹脂の流れ
に対する抵抗を変化させることができる。なお、第５実
施例におけるリードフレーム１においては、エアベント
側のバー５３による隙間で最終的な樹脂の流れに対する
抵抗を決めるようにする。
【００３０】いずれのリードフレーム１であっても、第
１実施例および第２実施例におけるリードフレーム１と
同様に抵抗パターンであるプレート５２またはバー５３
によって先にエアベント側へ達した一方側の樹脂が他方
側への回り込むのを防止できるため、他方側の樹脂がエ
アベント側へ達するまでエアベントのふさがりを無くす
ことができる。つまり、図２、図４に示すようにキャビ
ティ２３全体に樹脂６が充填するまでエアベント２５か
ら空気を外部へ排出することができ、ボイド６１（図９
参照）を発生させることなく半導体素子１０を樹脂６に
て封止することができるようになる。
１実施例および第２実施例におけるリードフレーム１と
同様に抵抗パターンであるプレート５２またはバー５３
によって先にエアベント側へ達した一方側の樹脂が他方
側への回り込むのを防止できるため、他方側の樹脂がエ
アベント側へ達するまでエアベントのふさがりを無くす
ことができる。つまり、図２、図４に示すようにキャビ
ティ２３全体に樹脂６が充填するまでエアベント２５か
ら空気を外部へ排出することができ、ボイド６１（図９
参照）を発生させることなく半導体素子１０を樹脂６に
て封止することができるようになる。
【００３１】また、第５実施例におけるリードフレーム
１では、ダイパッド３を境にしてゲート側およびエアベ
ント側に各々バー５３が設けられる対称構造となってい
るため、リードフレーム１をプレス加工したりエッチン
グ加工したりする際のバランスが良くなるとともにリー
ドフレーム１の設計が容易となるメリットがある。な
お、本発明におけるリードフレーム１の抵抗パターンは
第１実施例〜第５実施例で示した形状に限定されること
はなく、樹脂の流れに対する抵抗となればどのような形
状であっても同様である。また、いずれの実施例におい
てもＳＯＰ型の半導体装置となるリードフレーム１の例
を示して説明したが、本発明はこれに限定されず例えば
ＱＦＰ型の半導体装置となるリードフレームであっても
同様である。
１では、ダイパッド３を境にしてゲート側およびエアベ
ント側に各々バー５３が設けられる対称構造となってい
るため、リードフレーム１をプレス加工したりエッチン
グ加工したりする際のバランスが良くなるとともにリー
ドフレーム１の設計が容易となるメリットがある。な
お、本発明におけるリードフレーム１の抵抗パターンは
第１実施例〜第５実施例で示した形状に限定されること
はなく、樹脂の流れに対する抵抗となればどのような形
状であっても同様である。また、いずれの実施例におい
てもＳＯＰ型の半導体装置となるリードフレーム１の例
を示して説明したが、本発明はこれに限定されず例えば
ＱＦＰ型の半導体装置となるリードフレームであっても
同様である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリードフ
レームおよびこれを用いた半導体装置によれば次のよう
な効果がある。すなわち、本発明のリードフレームでは
ダイパッドよりもエアベント側に樹脂の流れに対する抵
抗となる抵抗パターンが設けられているため、金型のキ
ャビティ内において半導体素子の上側とダイパッドの下
側とを流動する樹脂の流速に差が生じても、この抵抗パ
ターンによって先にエアベント側へ達した樹脂が妨げら
れてエアベントをふさぐのを防止できる。これによっ
て、樹脂がキャビティ全体に充填するまで空気を排出す
ることができ、ボイドを発生させることなく半導体素子
を樹脂にて封止することが可能となる。このようなリー
ドフレームを用いることで、樹脂封止型の半導体装置に
おけるパッケージ信頼性を向上させることが可能とな
る。
レームおよびこれを用いた半導体装置によれば次のよう
な効果がある。すなわち、本発明のリードフレームでは
ダイパッドよりもエアベント側に樹脂の流れに対する抵
抗となる抵抗パターンが設けられているため、金型のキ
ャビティ内において半導体素子の上側とダイパッドの下
側とを流動する樹脂の流速に差が生じても、この抵抗パ
ターンによって先にエアベント側へ達した樹脂が妨げら
れてエアベントをふさぐのを防止できる。これによっ
て、樹脂がキャビティ全体に充填するまで空気を排出す
ることができ、ボイドを発生させることなく半導体素子
を樹脂にて封止することが可能となる。このようなリー
ドフレームを用いることで、樹脂封止型の半導体装置に
おけるパッケージ信頼性を向上させることが可能とな
る。
【図１】本発明におけるリードフレームの第１実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】第１実施例におけるリードフレームを使用した
場合の樹脂の流れを（ａ）〜（ｂ）の順に説明する断面
図である。
場合の樹脂の流れを（ａ）〜（ｂ）の順に説明する断面
図である。
【図３】本発明におけるリードフレームの第２実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】第２実施例におけるリードフレームを使用した
場合の樹脂の流れを（ａ）〜（ｂ）の順に説明する断面
図である。
場合の樹脂の流れを（ａ）〜（ｂ）の順に説明する断面
図である。
【図５】本発明におけるリードフレームの第３実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】本発明におけるリードフレームの第４実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図７】本発明におけるリードフレームの第５実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図９】従来のリードフレームを使用した場合の樹脂の
流れを（ａ）〜（ｃ）の順に説明する断面図である。
流れを（ａ）〜（ｃ）の順に説明する断面図である。
１ リードフレーム ２ フレーム部 ３ ダイパッド ４ リード ５ 抵抗パターン ６ 樹脂 １０ 半導体素子 ２４ ゲート ２５ エアベント ５１ ダミーリード ５２ プレート ５３ バー
Claims (4)
- 【請求項１】 略平行な２本のフレーム部の間に吊りリ
ードを介して配置されるダイパッドと、該ダイパッドの
周辺から外方へ延出するリードとを備え、 半導体素子を実装した前記ダイパッドを金型のキャビテ
ィ内に配置し、該金型のゲートからエアベント側へ樹脂
を流し込み、該半導体素子を該樹脂にて封止するために
使用するリードフレームであって、 前記ダイパッドよりも前記金型のエアベント側には、前
記樹脂の流れに対して抵抗となる抵抗パターンが設けら
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記抵抗パターンは前記リードに設けら
れていることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
ム。 - 【請求項３】 前記抵抗パターンは前記吊りリードに設
けられていることを特徴とする請求項１記載のリードフ
レーム。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
項に記載のリードフレームを用いて製造したことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201353A JPH0846119A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201353A JPH0846119A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846119A true JPH0846119A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16439636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6201353A Pending JPH0846119A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846119A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754387A1 (fr) * | 1996-10-04 | 1998-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Boitier de dispositif a semi-conducteur |
| US6153923A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2002289758A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| KR100387171B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2003-06-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 그 구조 |
| US10403513B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-09-03 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
| JP2020123691A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体製品 |
| CN114823598A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 上海兴感半导体有限公司 | 引线框架、封装结构及封装方法 |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP6201353A patent/JPH0846119A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754387A1 (fr) * | 1996-10-04 | 1998-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Boitier de dispositif a semi-conducteur |
| KR100387171B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2003-06-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 그 구조 |
| US6153923A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2002289758A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| US10403513B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-09-03 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
| US10811281B2 (en) | 2017-03-21 | 2020-10-20 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
| JP2020123691A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体製品 |
| CN114823598A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 上海兴感半导体有限公司 | 引线框架、封装结构及封装方法 |
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