JPH0846242A - 線状光源 - Google Patents
線状光源Info
- Publication number
- JPH0846242A JPH0846242A JP17690394A JP17690394A JPH0846242A JP H0846242 A JPH0846242 A JP H0846242A JP 17690394 A JP17690394 A JP 17690394A JP 17690394 A JP17690394 A JP 17690394A JP H0846242 A JPH0846242 A JP H0846242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- coating
- substrate
- coating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 照度のばらつきの少ない、かつ原稿面の幅方
向に於ける照度特性の優れた、かつコストの安い線状光
源を提供する。 【構成】 各々離れて位置する電極が形成された長尺な
基板と、略直線上に整列して電極上に載置された複数の
発光ダイオードと、基板上に配置され、発光ダイオード
およびその近傍が開放される様に発光ダイオードを略中
心とする複数の略円柱に形成された光反射被膜と、発光
ダイオードおよびその近傍を覆いかつその外周が光反射
被膜の各円柱の外周と略一致する様に、光反射被膜上に
略ドーム状に設けられ、露出したコーティング樹脂と、
コーティング樹脂の外側に位置し、基板の長尺な端縁の
上方に形成された光吸収被膜とを設ける。
向に於ける照度特性の優れた、かつコストの安い線状光
源を提供する。 【構成】 各々離れて位置する電極が形成された長尺な
基板と、略直線上に整列して電極上に載置された複数の
発光ダイオードと、基板上に配置され、発光ダイオード
およびその近傍が開放される様に発光ダイオードを略中
心とする複数の略円柱に形成された光反射被膜と、発光
ダイオードおよびその近傍を覆いかつその外周が光反射
被膜の各円柱の外周と略一致する様に、光反射被膜上に
略ドーム状に設けられ、露出したコーティング樹脂と、
コーティング樹脂の外側に位置し、基板の長尺な端縁の
上方に形成された光吸収被膜とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードを用いた
線状光源に関する。
線状光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、線状光源が例えば特開平２−３７
７８４号公報により図５の様に示されている。この図に
於て、発光ダイオード２１が基板２２上の電極（図示せ
ず）上に載置され配線されている。反射枠２３は断面が
三角形状の反射部２４を有し、基板２２に固定され、レ
ンズ２５は反射枠２３に固定されている。発光ダイオー
ド２１を覆う様にシリコン樹脂２６が形成され、照度の
向上がなされている。
７８４号公報により図５の様に示されている。この図に
於て、発光ダイオード２１が基板２２上の電極（図示せ
ず）上に載置され配線されている。反射枠２３は断面が
三角形状の反射部２４を有し、基板２２に固定され、レ
ンズ２５は反射枠２３に固定されている。発光ダイオー
ド２１を覆う様にシリコン樹脂２６が形成され、照度の
向上がなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述の線状光源
では、各発光ダイオード２１の真上に於て、照度のばら
つきが大きいという第１の欠点がある。本発明者がその
原因を究明したところ、基板２２とシリコン樹脂２６が
接触する範囲Ｃがばらつき、シリコン樹脂２６の形状が
一定とならないためである。そのため、シリコン樹脂２
６の先端のドームの曲率半径が一定とならないので、こ
のシリコン樹脂２６により集められる光量がばらつくた
めである事がわかった。
では、各発光ダイオード２１の真上に於て、照度のばら
つきが大きいという第１の欠点がある。本発明者がその
原因を究明したところ、基板２２とシリコン樹脂２６が
接触する範囲Ｃがばらつき、シリコン樹脂２６の形状が
一定とならないためである。そのため、シリコン樹脂２
６の先端のドームの曲率半径が一定とならないので、こ
のシリコン樹脂２６により集められる光量がばらつくた
めである事がわかった。
【０００４】またこの線状光源では、上方のみに集光さ
せるために、高価なレンズ２５と反射枠２３を設けてい
るので、コストが高くなる第２の欠点がある。そこで本
発明者はコストを低減するために、図６の断面図に示す
様に、反射枠２３とレンズ２５をなくし、直接に原稿２
７を照光する線状光源を検討した。すなわち、反射被膜
２８が基板２２上の電極２９上に載置された発光ダイオ
ード２１の周辺に形成され、シリコン樹脂２６が形成さ
れて、線状光源３０が構成されている。そして例えばフ
ァクシミリ装置の読取部として、線状光源３０からの光
が原稿２７で反射され、反射光が受光センサ３１に入射
し、原稿２７での文字の有無による異なる反射光の強度
が受光センサ３１により電気信号に変換されている。
せるために、高価なレンズ２５と反射枠２３を設けてい
るので、コストが高くなる第２の欠点がある。そこで本
発明者はコストを低減するために、図６の断面図に示す
様に、反射枠２３とレンズ２５をなくし、直接に原稿２
７を照光する線状光源を検討した。すなわち、反射被膜
２８が基板２２上の電極２９上に載置された発光ダイオ
ード２１の周辺に形成され、シリコン樹脂２６が形成さ
れて、線状光源３０が構成されている。そして例えばフ
ァクシミリ装置の読取部として、線状光源３０からの光
が原稿２７で反射され、反射光が受光センサ３１に入射
し、原稿２７での文字の有無による異なる反射光の強度
が受光センサ３１により電気信号に変換されている。
【０００５】しかし図７の様に、原稿２７の幅方向
（Ｄ）に於ける照度特性が破線に示す様に悪い。２点鎖
線で示したのが理想的な特性であり、原稿２７の所定幅
の範囲の照度が高く、それ以外の範囲で照度が低い事が
望ましい。ところが破線の特性は所定幅以外の領域の照
度が高いので、ファクシミリ装置の読取部として所定位
置外の原稿面を照射し、この照射光が不所望の反射光と
なり、受光センサ３１に入射し、所定幅内に記載された
文字の有無の情報が電気信号に正確に伝わらない、第３
の欠点がある。本発明者がその原因を究明したところ、
発光ダイオード２１から放出され、コーティング樹脂２
６の粗表面で乱反射され下方に進行する光は反射被膜２
８で反射された光（フレア光）３２となり、このフレア
光３２が原稿２７に於て、所定幅以外の範囲を照射する
からである。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮し
て、照度のばらつきの少ない、かつ原稿の幅方向での照
度特性の優れた、かつコストの安い線状光源を提供する
ものである。
（Ｄ）に於ける照度特性が破線に示す様に悪い。２点鎖
線で示したのが理想的な特性であり、原稿２７の所定幅
の範囲の照度が高く、それ以外の範囲で照度が低い事が
望ましい。ところが破線の特性は所定幅以外の領域の照
度が高いので、ファクシミリ装置の読取部として所定位
置外の原稿面を照射し、この照射光が不所望の反射光と
なり、受光センサ３１に入射し、所定幅内に記載された
文字の有無の情報が電気信号に正確に伝わらない、第３
の欠点がある。本発明者がその原因を究明したところ、
発光ダイオード２１から放出され、コーティング樹脂２
６の粗表面で乱反射され下方に進行する光は反射被膜２
８で反射された光（フレア光）３２となり、このフレア
光３２が原稿２７に於て、所定幅以外の範囲を照射する
からである。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮し
て、照度のばらつきの少ない、かつ原稿の幅方向での照
度特性の優れた、かつコストの安い線状光源を提供する
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに第１の本発明は、各々離れて位置する電極が形成さ
れた長尺な基板と、略直線上に整列して電極上に載置さ
れた複数の発光ダイオードと、基板上に配置され、発光
ダイオードおよびその近傍が開放される様に発光ダイオ
ードを略中心とする複数の略円柱に形成された光反射被
膜と、発光ダイオードおよびその近傍を覆いその外周が
光反射被膜の各円柱の外周と略一致する様に、光反射被
膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコーティング樹
脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、基板の長尺な
端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設けるものであ
る。
めに第１の本発明は、各々離れて位置する電極が形成さ
れた長尺な基板と、略直線上に整列して電極上に載置さ
れた複数の発光ダイオードと、基板上に配置され、発光
ダイオードおよびその近傍が開放される様に発光ダイオ
ードを略中心とする複数の略円柱に形成された光反射被
膜と、発光ダイオードおよびその近傍を覆いその外周が
光反射被膜の各円柱の外周と略一致する様に、光反射被
膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコーティング樹
脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、基板の長尺な
端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設けるものであ
る。
【０００７】そして第２の本発明は、各々離れて位置す
る電極が形成された長尺な基板と、略直線上に整列して
電極上に載置された複数の発光ダイオードと、基板上に
配置され、発光ダイオードおよびその近傍が開放される
様に発光ダイオードを略中心とする複数の略円筒に形成
された光反射被膜と、発光ダイオードおよびその近傍を
覆い光反射被膜の各円筒の内壁に囲まれる様に、光反射
被膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコーティング
樹脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、前記基板の
長尺な端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設けるも
のである。
る電極が形成された長尺な基板と、略直線上に整列して
電極上に載置された複数の発光ダイオードと、基板上に
配置され、発光ダイオードおよびその近傍が開放される
様に発光ダイオードを略中心とする複数の略円筒に形成
された光反射被膜と、発光ダイオードおよびその近傍を
覆い光反射被膜の各円筒の内壁に囲まれる様に、光反射
被膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコーティング
樹脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、前記基板の
長尺な端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設けるも
のである。
【０００８】
【作用】上述の様に第１の本発明では、発光ダイオード
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを略中心
として略円柱状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを
覆い光反射被膜の外周と略一致する様に、コーティング
樹脂を設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周
が光反射被膜の外周により規制されるので、コーティン
グ樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定となり、コー
ティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを略中心
として略円柱状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを
覆い光反射被膜の外周と略一致する様に、コーティング
樹脂を設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周
が光反射被膜の外周により規制されるので、コーティン
グ樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定となり、コー
ティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
【０００９】そして第２の本発明では、発光ダイオード
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを中心と
して略円筒状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを覆
い光反射被膜の内壁に囲まれる様にコーティング樹脂を
設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周が光反
射被膜の内壁により規制されるので、コーティング樹脂
の形状のばらつきが少なくなる。
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを中心と
して略円筒状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを覆
い光反射被膜の内壁に囲まれる様にコーティング樹脂を
設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周が光反
射被膜の内壁により規制されるので、コーティング樹脂
の形状のばらつきが少なくなる。
【００１０】更に第１および第２の本発明では、発光ダ
イオードから放出され、コーティング樹脂の粗表面で乱
反射され下方に進行する光は、コーティング樹脂の周辺
に設けられた光吸収被膜により殆ど吸収される。この様
に、吸収されずに光吸収被膜で反射された光（フレア
光）は微弱となり、このフレア光が放出される事による
原稿面での所定範囲外の照度は著しく減少する。
イオードから放出され、コーティング樹脂の粗表面で乱
反射され下方に進行する光は、コーティング樹脂の周辺
に設けられた光吸収被膜により殆ど吸収される。この様
に、吸収されずに光吸収被膜で反射された光（フレア
光）は微弱となり、このフレア光が放出される事による
原稿面での所定範囲外の照度は著しく減少する。
【００１１】また第１および第２の本発明では、光吸収
被膜により上述のフレア光が制限されるので、露出した
コーティング樹脂からの光が殆ど上方に進行するから、
従来の様に高価なレンズや反射枠が不要となり、コスト
が安くなる。
被膜により上述のフレア光が制限されるので、露出した
コーティング樹脂からの光が殆ど上方に進行するから、
従来の様に高価なレンズや反射枠が不要となり、コスト
が安くなる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例に係る線状光源の平面図、
図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図に於て、基
板１は例えば幅１１ｍｍ、長さ２４０ｍｍの長尺なもの
であり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、その表面上に
各々離れて位置し、銅箔等の上にニッケルと金をメッキ
したものからなる電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが形成さ
れている。
い説明する。図１は本実施例に係る線状光源の平面図、
図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図に於て、基
板１は例えば幅１１ｍｍ、長さ２４０ｍｍの長尺なもの
であり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、その表面上に
各々離れて位置し、銅箔等の上にニッケルと金をメッキ
したものからなる電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが形成さ
れている。
【００１３】各発光ダイオード３は略直線上に整列する
様に、各々の電極２ａ〜２ｄ等に導電性接着剤を介して
載置固着され、その整列ピッチは例えば約１０ｍｍであ
る。発光ダイオード３は例えば、１辺が０．２〜０．４
ｍｍの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素からなり、各々金属細線にて他の電極２ｂ〜２ｄに配
線されている。
様に、各々の電極２ａ〜２ｄ等に導電性接着剤を介して
載置固着され、その整列ピッチは例えば約１０ｍｍであ
る。発光ダイオード３は例えば、１辺が０．２〜０．４
ｍｍの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素からなり、各々金属細線にて他の電極２ｂ〜２ｄに配
線されている。
【００１４】光反射被膜４は例えば白色系塗料又はエポ
キシ樹脂等の白色系レジストの様な光反射性の材質から
なり、厚膜層５と薄膜層６により構成されている。厚膜
層５は各発光ダイオード３およびその近傍からなる領域
７を開放して、すなわちその領域７を除いて、各発光ダ
イオード３を略中心とする略円柱に形成され、各電極２
ａ〜２ｄ上と基板１上に設けられたものである。具体的
には厚膜層５は例えば直径が約２〜６ｍｍ、各電極２ａ
〜２ｄからの高さが約３０〜６０μｍである。
キシ樹脂等の白色系レジストの様な光反射性の材質から
なり、厚膜層５と薄膜層６により構成されている。厚膜
層５は各発光ダイオード３およびその近傍からなる領域
７を開放して、すなわちその領域７を除いて、各発光ダ
イオード３を略中心とする略円柱に形成され、各電極２
ａ〜２ｄ上と基板１上に設けられたものである。具体的
には厚膜層５は例えば直径が約２〜６ｍｍ、各電極２ａ
〜２ｄからの高さが約３０〜６０μｍである。
【００１５】薄膜層６は厚膜層５を含まない領域に於
て、各電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に形成され、厚さは
約１５〜２０μｍである。具体的には上述の領域７を除
き、電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に、厚さが約１５〜２
０μｍの白色系レジストを印刷し、マスクパターンによ
りその白色系レジスト上の所定の円形部分に白色系レジ
ストを２回目印刷をする事により、上述の厚膜層５が形
成される。また厚膜層５は厚い程が望ましいが、厚すぎ
ると不均一な膜になるので、上述の様に厚さが約３０〜
６０μｍが望ましい。
て、各電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に形成され、厚さは
約１５〜２０μｍである。具体的には上述の領域７を除
き、電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に、厚さが約１５〜２
０μｍの白色系レジストを印刷し、マスクパターンによ
りその白色系レジスト上の所定の円形部分に白色系レジ
ストを２回目印刷をする事により、上述の厚膜層５が形
成される。また厚膜層５は厚い程が望ましいが、厚すぎ
ると不均一な膜になるので、上述の様に厚さが約３０〜
６０μｍが望ましい。
【００１６】コーティング樹脂８は例えばエポキシ樹脂
等からなり、発光ダイオード３およびその近傍を覆い、
かつその外周が厚膜層５の外周９と略一致する様に、厚
膜層５上に略ドーム状に上方を露出して形成されてい
る。この様にコーティング樹脂８は略円柱状の厚膜層５
上に設けられているので、厚膜層５の外周９に於て特に
表面張力が大きいから、コーティング樹脂８は拡がる事
なく、その外周が厚膜層５の外周９に一致する。故にコ
ーティング樹脂８と厚膜層５が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂８の形状のばらつきが少なくな
る。その結果、コーティング樹脂８の先端のドームの曲
率半径が略一定となり、集める光量が略一定となるの
で、各発光ダイオード３の真上に於て照度のばらつきが
少なくなる。
等からなり、発光ダイオード３およびその近傍を覆い、
かつその外周が厚膜層５の外周９と略一致する様に、厚
膜層５上に略ドーム状に上方を露出して形成されてい
る。この様にコーティング樹脂８は略円柱状の厚膜層５
上に設けられているので、厚膜層５の外周９に於て特に
表面張力が大きいから、コーティング樹脂８は拡がる事
なく、その外周が厚膜層５の外周９に一致する。故にコ
ーティング樹脂８と厚膜層５が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂８の形状のばらつきが少なくな
る。その結果、コーティング樹脂８の先端のドームの曲
率半径が略一定となり、集める光量が略一定となるの
で、各発光ダイオード３の真上に於て照度のばらつきが
少なくなる。
【００１７】この様なコーティング樹脂８を設けるに
は、自動ポッティング装置が用いられるが、この装置は
注射器状の容器の１端に注射針が取付けられ、他端にチ
ューブを介して本体が取付けられたものである。この容
器の中に上述の透明なエポキシ樹脂等が封入され、チュ
ーブには本体から加圧された空気が供給されている。
は、自動ポッティング装置が用いられるが、この装置は
注射器状の容器の１端に注射針が取付けられ、他端にチ
ューブを介して本体が取付けられたものである。この容
器の中に上述の透明なエポキシ樹脂等が封入され、チュ
ーブには本体から加圧された空気が供給されている。
【００１８】本体に取付けられたスイッチを入れると、
発光ダイオード３の位置検出を行った後に、所定時間に
空気が供給される様に制御されている。その結果、所定
量（約０．００２ｃｃ）のエポキシ樹脂が滴下され、発
光ダイオード３を中心として覆う様に設けられている。
次に、この基板１を所定量だけ移動させ、隣の発光ダイ
オード３の位置検出を行い、同様の作業を行う。
発光ダイオード３の位置検出を行った後に、所定時間に
空気が供給される様に制御されている。その結果、所定
量（約０．００２ｃｃ）のエポキシ樹脂が滴下され、発
光ダイオード３を中心として覆う様に設けられている。
次に、この基板１を所定量だけ移動させ、隣の発光ダイ
オード３の位置検出を行い、同様の作業を行う。
【００１９】この様にして得られたコーティング樹脂８
の直径は、厚膜層５と同じく約２〜６ｍｍであり、厚膜
層５の表面からの高さは約１〜３ｍｍである。各厚膜層
５の外側に位置する様に、基板１の長尺な端縁１０、１
１上に薄膜層６を介して、光吸収被膜１２、１３が設け
られている。光吸収被膜１２、１３は例えばエポキシ樹
脂等の黒色系レジストからなり、光をよく吸収する材質
からなる。
の直径は、厚膜層５と同じく約２〜６ｍｍであり、厚膜
層５の表面からの高さは約１〜３ｍｍである。各厚膜層
５の外側に位置する様に、基板１の長尺な端縁１０、１
１上に薄膜層６を介して、光吸収被膜１２、１３が設け
られている。光吸収被膜１２、１３は例えばエポキシ樹
脂等の黒色系レジストからなり、光をよく吸収する材質
からなる。
【００２０】そして例えばファクシミリ装置の読取部に
於て、この線状光源１４から５〜１５ｍｍ離れた上方
に、線状光源１４に例えば４５°傾けて原稿１５が配置
されている。受光センサ１６は例えば原稿１５と４５°
傾けて、それに近接して配置されている。受光センサ１
６は例えばシリコンからなる半導体基板の表面近傍にボ
ロン等のＮ型不純物が選択拡散され整列した複数の受光
領域と、それに各々オーミック接触された個別電極と、
各々の受光領域に蓄積した電荷を時系列的に取出す走査
回路と、その回路からの出力信号を増幅してデータ信号
を出力する増幅器（いずれも図示せず）から構成されて
いる。
於て、この線状光源１４から５〜１５ｍｍ離れた上方
に、線状光源１４に例えば４５°傾けて原稿１５が配置
されている。受光センサ１６は例えば原稿１５と４５°
傾けて、それに近接して配置されている。受光センサ１
６は例えばシリコンからなる半導体基板の表面近傍にボ
ロン等のＮ型不純物が選択拡散され整列した複数の受光
領域と、それに各々オーミック接触された個別電極と、
各々の受光領域に蓄積した電荷を時系列的に取出す走査
回路と、その回路からの出力信号を増幅してデータ信号
を出力する増幅器（いずれも図示せず）から構成されて
いる。
【００２１】この読取装置に於て、線状光源１４に設け
られた発光ダイオード３からの光は原稿１５で反射さ
れ、原稿１５での文字の有無により異なる強度を持つ反
射光が受光センサ１６により電気信号に変換され、それ
がデータ信号に変換される。
られた発光ダイオード３からの光は原稿１５で反射さ
れ、原稿１５での文字の有無により異なる強度を持つ反
射光が受光センサ１６により電気信号に変換され、それ
がデータ信号に変換される。
【００２２】そして、発光ダイオード３から放出され、
コーティング樹脂８の粗表面で乱反射され下方に進行す
る光は、コーティング樹脂８の周辺に設けられた光吸収
被膜１２、１３により殆ど吸収される。そして吸収され
ずに光吸収被膜１２、１３で反射された光１７（フレア
光）は微弱となり、このフレア光１７が放出される事に
よる、原稿１５面での所定範囲外の照度は著しく減少す
る。その結果、原稿１５に於ける文字の有無の情報が受
光センサ１６に於て電気信号として正確に出力される。
コーティング樹脂８の粗表面で乱反射され下方に進行す
る光は、コーティング樹脂８の周辺に設けられた光吸収
被膜１２、１３により殆ど吸収される。そして吸収され
ずに光吸収被膜１２、１３で反射された光１７（フレア
光）は微弱となり、このフレア光１７が放出される事に
よる、原稿１５面での所定範囲外の照度は著しく減少す
る。その結果、原稿１５に於ける文字の有無の情報が受
光センサ１６に於て電気信号として正確に出力される。
【００２３】図７に於て、本実施例の線状光源１４の照
度特性を実線で示す。この特性図により、原稿１５の所
定幅（例えば１〜１０ｍｍ）外の領域に於て、照度が著
しく低下している事がわかる。これは、上述のフレア光
１７が微弱となったためである。また所定幅の領域に於
て、照度が従来より高い事がわかる。これはコーティン
グ樹脂８の外周が光反射膜４の外周により規制されてい
るので、コーティング樹脂８を比較的多量に設ける事が
でき、曲率半径を従来より小さくしてドーム状に形成で
きるから、上方に集まる光量が増加するためである。
度特性を実線で示す。この特性図により、原稿１５の所
定幅（例えば１〜１０ｍｍ）外の領域に於て、照度が著
しく低下している事がわかる。これは、上述のフレア光
１７が微弱となったためである。また所定幅の領域に於
て、照度が従来より高い事がわかる。これはコーティン
グ樹脂８の外周が光反射膜４の外周により規制されてい
るので、コーティング樹脂８を比較的多量に設ける事が
でき、曲率半径を従来より小さくしてドーム状に形成で
きるから、上方に集まる光量が増加するためである。
【００２４】更に、上述の第１実施例よりも、照度のば
らつきの少ない第２実施例を図３と図４に従い説明す
る。図３は本実施例に係る線状光源の平面図、図４は図
３のＢＢ断面図である。これらの図に於て、光反射被膜
４ａは白色系レジスト等の光反射性の材質からなり、厚
膜層５ａと薄膜層６ａより構成されている。
らつきの少ない第２実施例を図３と図４に従い説明す
る。図３は本実施例に係る線状光源の平面図、図４は図
３のＢＢ断面図である。これらの図に於て、光反射被膜
４ａは白色系レジスト等の光反射性の材質からなり、厚
膜層５ａと薄膜層６ａより構成されている。
【００２５】厚膜層５ａは各発光ダイオードおよびその
近傍からなる領域７を開放して、各発光ダイオード３を
略中心とする略円筒状に形成され、各電極２ａ〜２ｄ上
と基板１上に設けられたものである。具体的には厚膜層
５ａは例えば、内径が約２〜６ｍｍで、幅が約０．５ｍ
ｍで、各電極２ａ〜２ｄからの高さが約３０〜６０μｍ
である。薄膜層６ａは厚膜層５ａを含まない領域に於
て、各電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に形成され、厚さは
約１５〜２０μｍである。
近傍からなる領域７を開放して、各発光ダイオード３を
略中心とする略円筒状に形成され、各電極２ａ〜２ｄ上
と基板１上に設けられたものである。具体的には厚膜層
５ａは例えば、内径が約２〜６ｍｍで、幅が約０．５ｍ
ｍで、各電極２ａ〜２ｄからの高さが約３０〜６０μｍ
である。薄膜層６ａは厚膜層５ａを含まない領域に於
て、各電極２ａ〜２ｄ上と基板１上に形成され、厚さは
約１５〜２０μｍである。
【００２６】コーティング樹脂８ａは例えばエポキシ樹
脂等からなり、発光ダイオード３およびその近傍を覆
い、かつ厚膜層５ａの内壁に囲まれる様に、各電極２ａ
〜２ｄ上と基板１上に設けられている。この様にして、
コーティング樹脂８ａの外周が厚膜層５ａの内壁により
規制されるので、コーティング樹脂８ａの形状のばらつ
きは少ない。すなわち、コーティング樹脂８ａの先端の
ドームの曲率半径が略一定となる。
脂等からなり、発光ダイオード３およびその近傍を覆
い、かつ厚膜層５ａの内壁に囲まれる様に、各電極２ａ
〜２ｄ上と基板１上に設けられている。この様にして、
コーティング樹脂８ａの外周が厚膜層５ａの内壁により
規制されるので、コーティング樹脂８ａの形状のばらつ
きは少ない。すなわち、コーティング樹脂８ａの先端の
ドームの曲率半径が略一定となる。
【００２７】基板１の長尺な端縁上に薄膜層６ａを介し
て、例えば黒色系レジストからなる光吸収被膜１２、１
３が設けられている。これらの部材により、本実施例の
線状光源１８が構成されている。
て、例えば黒色系レジストからなる光吸収被膜１２、１
３が設けられている。これらの部材により、本実施例の
線状光源１８が構成されている。
【００２８】そして例えばファクシミリ装置の読取装置
に於て、発光ダイオード３から放出され、ドーム状のコ
ーティング樹脂８ａの界面で乱反射された光（線状光源
の横に拡がる光）は、光吸収被膜１２ａにより吸収され
る。故に、光吸収被膜１２ａで反射されたフレア光１９
は極めて微弱となり、原稿１５の所定幅外の領域を照射
する光量（照度）は、実用上問題ない程度に小さくな
る。その結果、原稿１５に於ける文字の有無の情報が受
光センサ１６に於て電気信号として正確に出力される。
また、この線状光源１８の照度特性は、図７の実線で示
したものと、殆ど同一である。
に於て、発光ダイオード３から放出され、ドーム状のコ
ーティング樹脂８ａの界面で乱反射された光（線状光源
の横に拡がる光）は、光吸収被膜１２ａにより吸収され
る。故に、光吸収被膜１２ａで反射されたフレア光１９
は極めて微弱となり、原稿１５の所定幅外の領域を照射
する光量（照度）は、実用上問題ない程度に小さくな
る。その結果、原稿１５に於ける文字の有無の情報が受
光センサ１６に於て電気信号として正確に出力される。
また、この線状光源１８の照度特性は、図７の実線で示
したものと、殆ど同一である。
【００２９】また上述の第１および第２実施例に於て、
コーティング樹脂８、８ａとしてエポキシ樹脂を例示し
た。これは、これらの線状光源は従来の反射枠とレンズ
がないため、製造中に作業者の手が触れる恐れがあるの
で、従来の様に硬度の低いシリコン樹脂の代わりに、硬
度の高いエポキシ樹脂を用いるものである。また、エポ
キシ樹脂の代わりに、硬度の高い他の樹脂を用いてもよ
い。
コーティング樹脂８、８ａとしてエポキシ樹脂を例示し
た。これは、これらの線状光源は従来の反射枠とレンズ
がないため、製造中に作業者の手が触れる恐れがあるの
で、従来の様に硬度の低いシリコン樹脂の代わりに、硬
度の高いエポキシ樹脂を用いるものである。また、エポ
キシ樹脂の代わりに、硬度の高い他の樹脂を用いてもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】上述の様に第１の本発明では、発光ダイ
オードおよびその近傍を開放する様に発光ダイオードを
略中心として略円柱状の光反射被膜を設け、発光ダイオ
ードを覆い光反射被膜の外周と略一致する様に、コーテ
ィング樹脂を設ける。この様にして、コーティング樹脂
の外周が光反射被膜の外周により規制されるので、コー
ティング樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
故に、照度のばらつきが少なくなる。
オードおよびその近傍を開放する様に発光ダイオードを
略中心として略円柱状の光反射被膜を設け、発光ダイオ
ードを覆い光反射被膜の外周と略一致する様に、コーテ
ィング樹脂を設ける。この様にして、コーティング樹脂
の外周が光反射被膜の外周により規制されるので、コー
ティング樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
故に、照度のばらつきが少なくなる。
【００３１】そして第２の本発明では、発光ダイオード
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを中心と
して略円筒状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを覆
い光反射被膜の内壁に囲まれる様にコーティング樹脂を
設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周が光反
射被膜の内壁により規制されるので、コーティング樹脂
の形状のばらつきが少なくなる。故に、照度のばらつき
が少なくなる。
およびその近傍を開放する様に発光ダイオードを中心と
して略円筒状の光反射被膜を設け、発光ダイオードを覆
い光反射被膜の内壁に囲まれる様にコーティング樹脂を
設ける。この様にして、コーティング樹脂の外周が光反
射被膜の内壁により規制されるので、コーティング樹脂
の形状のばらつきが少なくなる。故に、照度のばらつき
が少なくなる。
【００３２】更に第１および第２の本発明では、発光ダ
イオードから放出され、コーティング樹脂の粗表面で乱
反射され下方に進行する光は、コーティング樹脂の周辺
に設けられた光吸収被膜により殆ど吸収される。そして
吸収されずに光吸収被膜で反射された光（フレア光）は
微弱となり、このフレア光が放出される事による、原稿
面での所定範囲外の照度は著しく減少する。
イオードから放出され、コーティング樹脂の粗表面で乱
反射され下方に進行する光は、コーティング樹脂の周辺
に設けられた光吸収被膜により殆ど吸収される。そして
吸収されずに光吸収被膜で反射された光（フレア光）は
微弱となり、このフレア光が放出される事による、原稿
面での所定範囲外の照度は著しく減少する。
【００３３】また第１および第２の本発明では、光吸収
被膜により横に拡がる光が制限されるので、露出したコ
ーティング樹脂からの光が殆ど上方に進行するから、従
来の様に高価なレンズや反射枠が不要となり、コストが
安くなる。
被膜により横に拡がる光が制限されるので、露出したコ
ーティング樹脂からの光が殆ど上方に進行するから、従
来の様に高価なレンズや反射枠が不要となり、コストが
安くなる。
【図１】本発明の第１実施例に係る線状光源の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る線状光源の平面図で
ある。
ある。
【図４】図３のＢＢ断面図である。
【図５】従来の線状光源の断面図である。
【図６】従来の線状光源を改良した線状光源の断面図で
ある。
ある。
【図７】原稿の幅方向に於ける照度特性である。
１ 基板 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 電極 ３ 発光ダイオード ４、４ａ 光反射被膜 ５、５ａ 厚膜層 ８、８ａ コーティング樹脂 １２、１３ 光吸収被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 27/00 (72)発明者 本池 達也 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 各々離れて位置する電極が形成された長
尺な基板と、略直線上に整列して前記電極上に載置され
た複数の発光ダイオードと、前記基板上に配置され、前
記発光ダイオードおよびその近傍が開放される様に前記
発光ダイオードを略中心とする複数の略円柱に形成され
た光反射被膜と、前記発光ダイオードおよびその近傍を
覆いかつその外周が前記光反射被膜の各円柱の外周と略
一致する様に、前記光反射被膜上に略ドーム状に設けら
れ、露出したコーティング樹脂と、コーティング樹脂の
外側に位置し、前記基板の長尺な端縁の上方に設けられ
た光吸収被膜とを具備した事を特徴とする線状光源。 - 【請求項２】 各々離れて位置する電極が形成された長
尺な基板と、略直線上に整列して前記電極上に載置され
た複数の発光ダイオードと、前記基板上に配置され、前
記発光ダイオードおよびその近傍が開放される様に前記
発光ダイオードを略中心とする複数の略円筒に形成され
た光反射被膜と、前記発光ダイオードおよびその近傍を
覆いかつ前記光反射被膜の各円筒の内壁に囲まれる様
に、前記光反射被膜上に略ドーム状に設けられ、露出し
たコーティング樹脂と、コーティング樹脂の外側に位置
し、前記基板の長尺な端縁の上方に設けられた光吸収被
膜とを具備した事を特徴とする線状光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17690394A JP3819448B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 線状光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17690394A JP3819448B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 線状光源 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003072973A Division JP2003234510A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光 源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846242A true JPH0846242A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3819448B2 JP3819448B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=16021774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17690394A Expired - Fee Related JP3819448B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 線状光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3819448B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136379A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2007201171A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Sony Corp | 光源装置、表示装置 |
| JP2007243225A (ja) * | 2007-06-20 | 2007-09-20 | Sony Corp | 光源装置、表示装置 |
| KR20150049669A (ko) * | 2013-10-30 | 2015-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
| JPWO2014013665A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-06-30 | シャープ株式会社 | 列発光装置およびその製造方法 |
| JP2018133522A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | ローム株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17690394A patent/JP3819448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136379A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2007201171A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Sony Corp | 光源装置、表示装置 |
| JP2007243225A (ja) * | 2007-06-20 | 2007-09-20 | Sony Corp | 光源装置、表示装置 |
| JPWO2014013665A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-06-30 | シャープ株式会社 | 列発光装置およびその製造方法 |
| US9557020B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Columnar light emitting device and manufacturing method of the same |
| KR20150049669A (ko) * | 2013-10-30 | 2015-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2018133522A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | ローム株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3819448B2 (ja) | 2006-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0509389B1 (en) | Encapsulated light emitting diode | |
| JP3780785B2 (ja) | 凹凸パターン検出装置 | |
| CN1248148C (zh) | 具有光导向装置的接触式图象传感器 | |
| EP0760577A2 (en) | Linear illumination device | |
| JPH11506381A (ja) | 指紋センサ装置 | |
| JP3472750B2 (ja) | 表面検査装置 | |
| TW200427303A (en) | Image reading device | |
| US6563609B1 (en) | Linear illuminator | |
| US4925300A (en) | Optical fingerprint imaging device | |
| JPH0846242A (ja) | 線状光源 | |
| JP2003234510A (ja) | 光 源 | |
| US6081351A (en) | Image reading apparatus | |
| JPH0875605A (ja) | Ｌｅｄチップ光学特性計測センサ | |
| US5229596A (en) | Image sensor having specific detector structure | |
| CN211787149U (zh) | 指纹识别装置 | |
| CN1258055A (zh) | 补偿物体的不均匀照明的光学系统 | |
| JPH07240815A (ja) | イメージスキャナー | |
| JP3021120B2 (ja) | イメージセンサ | |
| KR20060125503A (ko) | 조명 유닛 및 이를 가지는 광학 판독기 | |
| US20030112481A1 (en) | Apparatus having a light source for a transparent sheet of a scanner | |
| JP2808856B2 (ja) | 基板の観察装置 | |
| JPH096942A (ja) | 刻印読取り装置 | |
| JP3116734B2 (ja) | 完全密着型イメージセンサユニット | |
| JP2000349971A (ja) | 画像読み取り装置およびこれに用いる導光部材 | |
| JPH10240859A (ja) | 透明体の凹凸マーク読み取り装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060615 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |