JPH0846281A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0846281A JPH0846281A JP17577894A JP17577894A JPH0846281A JP H0846281 A JPH0846281 A JP H0846281A JP 17577894 A JP17577894 A JP 17577894A JP 17577894 A JP17577894 A JP 17577894A JP H0846281 A JPH0846281 A JP H0846281A
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- doped
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- plane
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 横モードが安定で無効電流が少なく、動作電
圧が低い、内部ストライプ構造を有する半導体レーザ素
子を提供する。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に少なく
とも（１１１）面を有するストライプ状溝２が形成さ
れ、この状態の基板上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ
1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）層が積層されている。
更に、その上にII-VI族化合物半導体からなるｐ型クラ
ッド層５、活性層７およびｎ型クラッド層９が形成され
ている。
圧が低い、内部ストライプ構造を有する半導体レーザ素
子を提供する。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面に少なく
とも（１１１）面を有するストライプ状溝２が形成さ
れ、この状態の基板上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ
1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）層が積層されている。
更に、その上にII-VI族化合物半導体からなるｐ型クラ
ッド層５、活性層７およびｎ型クラッド層９が形成され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓ基板上にII-V
I族化合物半導体により構成される青色〜青緑色の半導
体レーザ素子に関し、特に内部ストライプ構造を有する
半導体レーザ素子に関する。
I族化合物半導体により構成される青色〜青緑色の半導
体レーザ素子に関し、特に内部ストライプ構造を有する
半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、II-VI族化合物半導体により構成
される青色〜青緑色半導体レーザ素子においては、電流
注入によるレーザ発振を行うものが多数報告されている
（例えばＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ２
９ （９），７６６（’９３））。これらの報告の中で
用いられている半導体レーザ素子のいずれの構造も、所
謂電極ストライプ構造である。
される青色〜青緑色半導体レーザ素子においては、電流
注入によるレーザ発振を行うものが多数報告されている
（例えばＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ２
９ （９），７６６（’９３））。これらの報告の中で
用いられている半導体レーザ素子のいずれの構造も、所
謂電極ストライプ構造である。
【０００３】図６に従来の電極ストライプ構造をした半
導体レーザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子
は、（１００）面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１０１の上
に形成され、基板１０１の上にはｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳz
Ｓｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．１）クラッド層１０
２、ｎ型ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）ガイド層１０
３、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層１０４、ｐ
型ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）ガイド層１０５、ｐ
型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．１）
クラッド層１０６、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１０７お
よびストライプ部１０９を有する、例えばＳｉＮ膜等か
らなる誘電体絶縁膜１０８が、基板１０１側からこの順
に積層されている。更に、この積層体を挟んで誘電体絶
縁膜１０８側に、例えばＡｕ等からなるｐ型電極１１０
が、基板１０１側に同様の材料からなるｎ型電極１１１
が形成されている。ここで、導電型は正孔を多数キャリ
アとするものをｐ型、電子を多数キャリアとするものを
ｎ型と称する。
導体レーザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子
は、（１００）面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１０１の上
に形成され、基板１０１の上にはｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳz
Ｓｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．１）クラッド層１０
２、ｎ型ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）ガイド層１０
３、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層１０４、ｐ
型ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）ガイド層１０５、ｐ
型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．１）
クラッド層１０６、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１０７お
よびストライプ部１０９を有する、例えばＳｉＮ膜等か
らなる誘電体絶縁膜１０８が、基板１０１側からこの順
に積層されている。更に、この積層体を挟んで誘電体絶
縁膜１０８側に、例えばＡｕ等からなるｐ型電極１１０
が、基板１０１側に同様の材料からなるｎ型電極１１１
が形成されている。ここで、導電型は正孔を多数キャリ
アとするものをｐ型、電子を多数キャリアとするものを
ｎ型と称する。
【０００４】この半導体レーザ素子は、電極１１０およ
び１１１間に電圧を印加することにより、ストライプ部
１０９のみに電流を流してｎ型クラッド層１０２および
ｎ型ガイド層１０３から活性層１０４に電子を注入し、
ｐ型ガイド層１０５およびｐ型クラッド層１０６から正
孔を注入する。活性層１０４に注入された電子と正孔と
は再結合して光を輻射するが、注入される電流レベルが
大きくなると誘導放出が始まってレーザ発振に至る。レ
ーザ光は、活性層１０４のうちストライプ部１０９の直
下でのみ光利得が大きいという利得導波モードにより導
波される。
び１１１間に電圧を印加することにより、ストライプ部
１０９のみに電流を流してｎ型クラッド層１０２および
ｎ型ガイド層１０３から活性層１０４に電子を注入し、
ｐ型ガイド層１０５およびｐ型クラッド層１０６から正
孔を注入する。活性層１０４に注入された電子と正孔と
は再結合して光を輻射するが、注入される電流レベルが
大きくなると誘導放出が始まってレーザ発振に至る。レ
ーザ光は、活性層１０４のうちストライプ部１０９の直
下でのみ光利得が大きいという利得導波モードにより導
波される。
【０００５】ところで、ＮをドープしたＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、かつ、０≦ｚ≦１）において
は、エピタキシャル成長に用いられるＧａＡｓ基板の面
方位によってドーピング効率が変化する。例えば、（３
１１）、（５１１）、（７１１）等の高次の面上へ成長
させた場合は、（１００）面上へ成長させた場合に比べ
てドーピング効率が向上する。このドーピング効率の向
上により、ｐ型のキャリア濃度が高くなる。また、（１
１１）面上に成長させた場合には、逆にドーピング効率
が低下する。このドーピング効率の低下により、高抵抗
を示すようになることが知られている。これらの特性
は、Ａ面およびＢ面のいずれにおいても観測される。こ
れらの特性のうち高次の面上への成長によるキャリア濃
度の増大を利用し、レーザ特性を向上させた例として、
（３１１）Ａ面を有するＧａＡｓ基板上にII-VI族化合
物半導体によって構成された、上述のような電極ストラ
イプ構造を有する青色〜青緑色の半導体レーザ素子が知
られている（１９９３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＬＣ−
１１，ｐｐ．９７６−９７７）。
zＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、かつ、０≦ｚ≦１）において
は、エピタキシャル成長に用いられるＧａＡｓ基板の面
方位によってドーピング効率が変化する。例えば、（３
１１）、（５１１）、（７１１）等の高次の面上へ成長
させた場合は、（１００）面上へ成長させた場合に比べ
てドーピング効率が向上する。このドーピング効率の向
上により、ｐ型のキャリア濃度が高くなる。また、（１
１１）面上に成長させた場合には、逆にドーピング効率
が低下する。このドーピング効率の低下により、高抵抗
を示すようになることが知られている。これらの特性
は、Ａ面およびＢ面のいずれにおいても観測される。こ
れらの特性のうち高次の面上への成長によるキャリア濃
度の増大を利用し、レーザ特性を向上させた例として、
（３１１）Ａ面を有するＧａＡｓ基板上にII-VI族化合
物半導体によって構成された、上述のような電極ストラ
イプ構造を有する青色〜青緑色の半導体レーザ素子が知
られている（１９９３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＬＣ−
１１，ｐｐ．９７６−９７７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】さて、前述した図６に
示した半導体レーザ素子には、以下のような問題があ
る。まず、駆動電流を大きくすると、活性層１０４に注
入されたキャリアが次第にストライプ部１０９の直下か
ら両側に広がっていくので、高利得領域が広がって横モ
ードが広がる。また、ストライプ部１０９の直下領域に
キャリアが注入されるので、この領域での屈折率はキャ
リアが注入されない領域での屈折率に比べて小さくな
る。このため、光を実屈折率差で閉じ込めて導波させる
ことができなくなり、横モードの広がりや高次の横モー
ド発振が招来されて横モードが不安定となる。このよう
に横モードが不安定であると、電流−光出力特性にキン
クが生じる。また、この半導体レーザ素子を光磁気ディ
スクに用いる場合には、レーザ光をうまく集光すること
ができないので、ディスクへのデータ書き込みやディス
クからのデータ読み出しが行えなくなるという問題があ
る。
示した半導体レーザ素子には、以下のような問題があ
る。まず、駆動電流を大きくすると、活性層１０４に注
入されたキャリアが次第にストライプ部１０９の直下か
ら両側に広がっていくので、高利得領域が広がって横モ
ードが広がる。また、ストライプ部１０９の直下領域に
キャリアが注入されるので、この領域での屈折率はキャ
リアが注入されない領域での屈折率に比べて小さくな
る。このため、光を実屈折率差で閉じ込めて導波させる
ことができなくなり、横モードの広がりや高次の横モー
ド発振が招来されて横モードが不安定となる。このよう
に横モードが不安定であると、電流−光出力特性にキン
クが生じる。また、この半導体レーザ素子を光磁気ディ
スクに用いる場合には、レーザ光をうまく集光すること
ができないので、ディスクへのデータ書き込みやディス
クからのデータ読み出しが行えなくなるという問題があ
る。
【０００７】また、ストライプ部１０９から注入された
電流の一部がガイド層１０５、クラッド層１０６および
コンタクト層１０７で横方向に広がる。このため、スト
ライプ部１０９の直下部分から注入されて横へ広がった
電流がレーザ光の利得に寄与できず、無効電流となって
動作電流の増加を招くという問題がある。
電流の一部がガイド層１０５、クラッド層１０６および
コンタクト層１０７で横方向に広がる。このため、スト
ライプ部１０９の直下部分から注入されて横へ広がった
電流がレーザ光の利得に寄与できず、無効電流となって
動作電流の増加を招くという問題がある。
【０００８】更に、II-VI族化合物半導体においては、
一般的に、その導電型がｐ型であるときには多数キャリ
アである正孔のキャリア濃度を高くすることができな
い。例えば、基板の（１００）面上に成長させた場合、
キャリア濃度は高々１×１０18ｃｍ-3程度にしか上がら
ない。このため、半導体レーザ素子の電気抵抗が高くな
って動作電圧の増加を招き、大量のジュール熱が発生す
るので素子特性の劣化を引き起こすという問題がある。
一般的に、その導電型がｐ型であるときには多数キャリ
アである正孔のキャリア濃度を高くすることができな
い。例えば、基板の（１００）面上に成長させた場合、
キャリア濃度は高々１×１０18ｃｍ-3程度にしか上がら
ない。このため、半導体レーザ素子の電気抵抗が高くな
って動作電圧の増加を招き、大量のジュール熱が発生す
るので素子特性の劣化を引き起こすという問題がある。
【０００９】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、横モードが安定で無効電
流が少なく、動作電圧を低くすることができる半導体レ
ーザ素子を提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、横モードが安定で無効電
流が少なく、動作電圧を低くすることができる半導体レ
ーザ素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、（１００）面を表面に有するｐ型ＧａＡｓ基板の
該表面側に少なくとも（１１１）面を有するストライプ
状溝が形成され、この状態の基板上にＮドープＺｎyＭ
ｇ1-yＳzＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）層が積層
され、更に該ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層の上に
II-VI族化合物半導体からなるｐ型クラッド層、活性層
およびｎ型クラッド層が形成されており、そのことによ
り上記目的が達成される。
子は、（１００）面を表面に有するｐ型ＧａＡｓ基板の
該表面側に少なくとも（１１１）面を有するストライプ
状溝が形成され、この状態の基板上にＮドープＺｎyＭ
ｇ1-yＳzＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）層が積層
され、更に該ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層の上に
II-VI族化合物半導体からなるｐ型クラッド層、活性層
およびｎ型クラッド層が形成されており、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００１１】また、本発明の他の半導体レーザ素子は、
（１１１）面を表面に有する第１導電型ＧａＡｓ基板の
該表面側に、少なくとも１つの面として（ｍ１１）面
（但し、ｍは３以上の整数）または（１００）面を有す
るストライプ状溝が形成され、この状態の基板上にII-V
I族化合物半導体からなる第１導電型クラッド層、活性
層および第２導電型クラッド層が形成され、更に該第１
導電型クラッド層および第２導電型クラッド層のうちｐ
型クラッド層がＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦１）からなり、かつ、該ｐ型クラッド
層の少なくとも一部が該溝の（ｍ１１）面（但し、ｍは
３以上の整数）上または（１００）面上に形成されてお
り、そのことにより上記目的が達成される。
（１１１）面を表面に有する第１導電型ＧａＡｓ基板の
該表面側に、少なくとも１つの面として（ｍ１１）面
（但し、ｍは３以上の整数）または（１００）面を有す
るストライプ状溝が形成され、この状態の基板上にII-V
I族化合物半導体からなる第１導電型クラッド層、活性
層および第２導電型クラッド層が形成され、更に該第１
導電型クラッド層および第２導電型クラッド層のうちｐ
型クラッド層がＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦１）からなり、かつ、該ｐ型クラッド
層の少なくとも一部が該溝の（ｍ１１）面（但し、ｍは
３以上の整数）上または（１００）面上に形成されてお
り、そのことにより上記目的が達成される。
【００１２】
【作用】前述したように、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳ
ｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）は、エピタキシャル
成長に用いられるＧａＡｓ基板の面方位によってドーピ
ング効率が変化する。（３１１）、（５１１）、（７１
１）等の高次の面上の成長では、（１００）面上の成長
に比べてドーピング効率が向上して、ｐ型のキャリア濃
度が高くなる。また、（１１１）面上に成長した場合に
は、逆にドーピング効率が低下して高抵抗を示す。これ
らの特性は、Ａ面およびＢ面のいずれにおいても観測さ
れる。
ｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）は、エピタキシャル
成長に用いられるＧａＡｓ基板の面方位によってドーピ
ング効率が変化する。（３１１）、（５１１）、（７１
１）等の高次の面上の成長では、（１００）面上の成長
に比べてドーピング効率が向上して、ｐ型のキャリア濃
度が高くなる。また、（１１１）面上に成長した場合に
は、逆にドーピング効率が低下して高抵抗を示す。これ
らの特性は、Ａ面およびＢ面のいずれにおいても観測さ
れる。
【００１３】本発明の半導体レーザ素子においては、ｐ
型ＧａＡｓ基板の（１００）面側に少なくとも（１１
１）面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の
基板上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層が積層され
ている。ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層は（１１
１）面上に成長した部分は高抵抗となり、（１００）面
上に成長した部分はｐ型となるので、電流狭窄を行うこ
とができ、無効電流の低減を図ることができる。
型ＧａＡｓ基板の（１００）面側に少なくとも（１１
１）面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の
基板上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層が積層され
ている。ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層は（１１
１）面上に成長した部分は高抵抗となり、（１００）面
上に成長した部分はｐ型となるので、電流狭窄を行うこ
とができ、無効電流の低減を図ることができる。
【００１４】本発明の他の半導体レーザ素子において
は、第１導電型の基板の（１１１）面側に少なくとも
（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）または（１０
０）面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の
基板上に形成された第１導電型クラッド層および第２導
電型クラッド層のうちＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z
（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層の
少なくとも一部は、溝の（ｍ１１）面（但し、ｍは３以
上の整数）上または（１００）面上に形成されている。
ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層は、（１１１）面上
に成長した部分は高抵抗となり、（１００）面上に成長
した部分はｐ型となるので、電流狭窄を行うことがで
き、無効電流の低減を図ることができる。さらに、高次
の面である（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）上
に成長したＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zはｐ型のキ
ャリア濃度が高くなる。また、（１００）面上に成長し
た場合には、成長が進むにつれて（ｍ１１）面（但し、
ｍは２以上の整数）が現れ、特にｍが３以上の場合には
ｐ型のキャリア濃度が高くなる。このｐ型キャリア濃度
が高い部分を電流経路とすることにより素子の電気抵抗
を低減することができ、動作電圧を下げることができ
る。一方、（１１１）面上に成長したＮドープＺｎyＭ
ｇ1 -yＳzＳｅ1-z層は高抵抗となるので、電流狭窄を行
うことができ、無効電流の低減を図ることができる。
は、第１導電型の基板の（１１１）面側に少なくとも
（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）または（１０
０）面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の
基板上に形成された第１導電型クラッド層および第２導
電型クラッド層のうちＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z
（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層の
少なくとも一部は、溝の（ｍ１１）面（但し、ｍは３以
上の整数）上または（１００）面上に形成されている。
ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層は、（１１１）面上
に成長した部分は高抵抗となり、（１００）面上に成長
した部分はｐ型となるので、電流狭窄を行うことがで
き、無効電流の低減を図ることができる。さらに、高次
の面である（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）上
に成長したＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zはｐ型のキ
ャリア濃度が高くなる。また、（１００）面上に成長し
た場合には、成長が進むにつれて（ｍ１１）面（但し、
ｍは２以上の整数）が現れ、特にｍが３以上の場合には
ｐ型のキャリア濃度が高くなる。このｐ型キャリア濃度
が高い部分を電流経路とすることにより素子の電気抵抗
を低減することができ、動作電圧を下げることができ
る。一方、（１１１）面上に成長したＮドープＺｎyＭ
ｇ1 -yＳzＳｅ1-z層は高抵抗となるので、電流狭窄を行
うことができ、無効電流の低減を図ることができる。
【００１５】本発明の半導体レーザ素子および他の半導
体レーザ素子においては、基板上に形成された溝のため
に活性層が屈曲しており、その溝の直上のみに電流が流
れて活性領域となる。ＧａＡｓ基板のエネルギーギャッ
プは活性層のエネルギーギャップよりも小さいので、活
性領域で発生して横方向に広がった光はストライプ状溝
の両外側のＧａＡｓ基板で吸収されることになる。よっ
て、光の横方向の広がりが抑えられて安定した横モード
でレーザ発振が得られる。
体レーザ素子においては、基板上に形成された溝のため
に活性層が屈曲しており、その溝の直上のみに電流が流
れて活性領域となる。ＧａＡｓ基板のエネルギーギャッ
プは活性層のエネルギーギャップよりも小さいので、活
性領域で発生して横方向に広がった光はストライプ状溝
の両外側のＧａＡｓ基板で吸収されることになる。よっ
て、光の横方向の広がりが抑えられて安定した横モード
でレーザ発振が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１７】（実施例１）図１に実施例１の半導体レー
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子はｐ型Ｇ
ａＡｓ基板１を有し、この基板１の上層部には、（１１
１）Ａ面である側面２ｃと（１００）面である底面２ｂ
とを有するストライプ状溝２が形成されている。基板１
のストライプ状溝２を除く上表面２ａは（１００）面と
なっている。この基板１の上には、全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-zバッファ層４は、（１１１）Ａ面である側面２
ｃの上に成長した部分３（斜線部）は高抵抗であり、
（１００）面である上表面２ａと底面２ｂとの上に成長
した部分はｐ型の導電性を示す。
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子はｐ型Ｇ
ａＡｓ基板１を有し、この基板１の上層部には、（１１
１）Ａ面である側面２ｃと（１００）面である底面２ｂ
とを有するストライプ状溝２が形成されている。基板１
のストライプ状溝２を除く上表面２ａは（１００）面と
なっている。この基板１の上には、全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-zバッファ層４は、（１１１）Ａ面である側面２
ｃの上に成長した部分３（斜線部）は高抵抗であり、
（１００）面である上表面２ａと底面２ｂとの上に成長
した部分はｐ型の導電性を示す。
【００１８】バッファ層４の上には、II-VI族化合物半
導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝
０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５、ＮドープＺｎyＭ
ｇ1-yＳ zＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層７、Ｃｌド
ープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０
６）ガイド層８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ
1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層９およびＣ
ｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層１０が基板側からこ
の順に積層形成されている。上記クラッド層５およびガ
イド層６は共に、（１１１）Ａ面である側面２ｃの上に
成長した部分は高抵抗であり、（１００）面である上表
面２ａと底面２ｂとの上に成長した部分はｐ型の導電性
を示す。
導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝
０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５、ＮドープＺｎyＭ
ｇ1-yＳ zＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層７、Ｃｌド
ープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０
６）ガイド層８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ
1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層９およびＣ
ｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層１０が基板側からこ
の順に積層形成されている。上記クラッド層５およびガ
イド層６は共に、（１１１）Ａ面である側面２ｃの上に
成長した部分は高抵抗であり、（１００）面である上表
面２ａと底面２ｂとの上に成長した部分はｐ型の導電性
を示す。
【００１９】さらに、その上にＳｉＯ2からなる誘電体
膜１１が形成され、誘電体膜１１側にはｎ型電極１２
が、基板１側にはｐ型電極１３が各々形成されている。
膜１１が形成され、誘電体膜１１側にはｎ型電極１２
が、基板１側にはｐ型電極１３が各々形成されている。
【００２０】このように構成された半導体レーザ素子
は、以下のようにして作製される。
は、以下のようにして作製される。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、ｐ型Ｇａ
Ａｓ基板１の上表面の（１００）面に対し通常のフォト
リソグラフィーとエッチングとを行ってストライプ状溝
２を形成する。この際、１００℃以上の高温でプリベー
クしたレジストまたは通常のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積
した誘電体膜（例えばＳｉＯ2膜）をエッチングマスク
として、ストライプ方向をＧａＡｓ基板１の
Ａｓ基板１の上表面の（１００）面に対し通常のフォト
リソグラフィーとエッチングとを行ってストライプ状溝
２を形成する。この際、１００℃以上の高温でプリベー
クしたレジストまたは通常のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積
した誘電体膜（例えばＳｉＯ2膜）をエッチングマスク
として、ストライプ方向をＧａＡｓ基板１の
【００２２】
【数１】
【００２３】方向と一致させ、硫酸と過酸化水素水と水
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上表層に（１１１）Ａ
面である側面を有するストライプ状の溝を形成すること
ができる。また、このとき、広いストライプ幅で浅くエ
ッチングすることにより、（１１１）Ａ面である側面２
ｃと（１００）面である底面２ｂとを有するストライプ
状溝２を作製することができる。本実施例では、ストラ
イプ幅を４．４μｍ、溝２の深さを１．０μｍとして、
溝２の底面に幅３μｍのストライプ状の（１００）面を
形成した。なお、エッチャントとしては、上記のものに
代えて、アンモニアと過酸化水素水と水との混合液を用
いても同様な形状の溝を形成することができる。
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上表層に（１１１）Ａ
面である側面を有するストライプ状の溝を形成すること
ができる。また、このとき、広いストライプ幅で浅くエ
ッチングすることにより、（１１１）Ａ面である側面２
ｃと（１００）面である底面２ｂとを有するストライプ
状溝２を作製することができる。本実施例では、ストラ
イプ幅を４．４μｍ、溝２の深さを１．０μｍとして、
溝２の底面に幅３μｍのストライプ状の（１００）面を
形成した。なお、エッチャントとしては、上記のものに
代えて、アンモニアと過酸化水素水と水との混合液を用
いても同様な形状の溝を形成することができる。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すようにエッチング
マスクを除去し、ＧａＡｓ基板１の全面にわたって、Ｍ
ＢＥ成長法によりＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝１、ｚ＝０）バッファ層４をエピタキシャル成長させ
る。この時、ストライプ状溝２の側面２ｃの（１１１）
Ａ面上に成長したバッファ層４の部分３は高抵抗とな
り、ＧａＡｓ基板１表面の（１００）面である上表面２
ａと底面２ｂとの上に成長したバッファ層部分はｐ型と
なる。
マスクを除去し、ＧａＡｓ基板１の全面にわたって、Ｍ
ＢＥ成長法によりＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝１、ｚ＝０）バッファ層４をエピタキシャル成長させ
る。この時、ストライプ状溝２の側面２ｃの（１１１）
Ａ面上に成長したバッファ層４の部分３は高抵抗とな
り、ＧａＡｓ基板１表面の（１００）面である上表面２
ａと底面２ｂとの上に成長したバッファ層部分はｐ型と
なる。
【００２５】続いて、図２（ｃ）に示すように、ＭＢＥ
成長法によりII-VI族化合物半導体からなるＮドープＺ
ｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラ
ッド層５、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、
ｚ＝０．０６）ガイド層６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝
０．８）活性層７、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳ
ｅ1 -z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層８、Ｃｌドー
プｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1 -z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．
２）クラッド層９およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１０を順次エピタキシャル成長する。この時、上
記ＮドープＺｎyＭｇ1 -yＳzＳｅ1-zクラッド層５および
ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層６は共に、
（１１１）Ａ面である側面２ｃ上に成長した部分は高抵
抗となり、（１００）面である上表面２ａと底面２ｂと
の上に成長した部分はｐ型となる。
成長法によりII-VI族化合物半導体からなるＮドープＺ
ｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラ
ッド層５、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、
ｚ＝０．０６）ガイド層６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝
０．８）活性層７、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳ
ｅ1 -z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層８、Ｃｌドー
プｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1 -z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．
２）クラッド層９およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１０を順次エピタキシャル成長する。この時、上
記ＮドープＺｎyＭｇ1 -yＳzＳｅ1-zクラッド層５および
ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層６は共に、
（１１１）Ａ面である側面２ｃ上に成長した部分は高抵
抗となり、（１００）面である上表面２ａと底面２ｂと
の上に成長した部分はｐ型となる。
【００２６】次に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2からなる誘
電体膜１１を形成し、溝２の上のみをストライプ状に開
口させる。
電体膜１１を形成し、溝２の上のみをストライプ状に開
口させる。
【００２７】最後に、誘電体膜１１側にはｎ型電極１２
を、基板１側にはｐ型電極１３を形成して半導体レーザ
素子とする。
を、基板１側にはｐ型電極１３を形成して半導体レーザ
素子とする。
【００２８】本実施例では、溝２の深さと幅、および各
半導体層の厚みは以下のように形成した。
半導体層の厚みは以下のように形成した。
【００２９】 溝２ ：深さ１．０μｍ、幅３．０μ
ｍ Ｎドープバッファ層４ ：厚み０．０８μｍ Ｎドープクラッド層５ ：厚み１．２μｍ Ｎドープガイド層６ ：厚み０．１μｍ 活性層７ ：厚み０．００８μｍ ｎ型ガイド層８ ：厚み０．１μｍ ｎ型クラッド層９ ：厚み１．２μｍ ｎ型コンタクト層１０ ：厚み０．２μｍ この半導体レーザ素子においては、ストライプ状溝２の
側面２ｃの（１１１）Ａ面上に成長したＮドープバッフ
ァ層部分３、Ｎドープクラッド層５およびＮドープガイ
ド層６の各部分は高抵抗である。つまり、従来技術とは
異なり、II-VI族化合物半導体からなる上記３層の高抵
抗部分でより高い効率にて電流狭窄を行えるようにな
る。また、溝２の底面２ｂおよび溝２以外のＧａＡｓ基
板の上表面２ａの（１００）面上に成長したＮドープバ
ッファ層４、Ｎドープクラッド層５およびＮドープガイ
ド層６の各部分はｐ型である。さらに、ＳｉＯ2からな
る誘電体膜１１がストライプ状の開口を有して形成され
ていることも併せて、電流は溝２の底面２ｂの（１０
０）面上に成長した部分のみに流れる。よって、電流の
内部狭窄構造が形成され、無効電流の低減を図ることが
できる。また、バッファ層４からコンタクト層１０まで
のすべての層を連続して１回のエピタキシャル成長によ
り内部電流狭窄構造を作製することができるので、作製
コストの低減や歩留りの向上を図ることができる。さら
に、ＧａＡｓ基板１のエネルギーギャップを活性層７の
エネルギーギャップよりも小さくできるので、活性層７
の溝２の直上部に位置する活性領域で発生した光がスト
ライプ状溝２の両外側のＧａＡｓ基板１で吸収される。
よって、光の横方向の広がりを抑えて安定した横モード
でのレーザ発振が得られる。
ｍ Ｎドープバッファ層４ ：厚み０．０８μｍ Ｎドープクラッド層５ ：厚み１．２μｍ Ｎドープガイド層６ ：厚み０．１μｍ 活性層７ ：厚み０．００８μｍ ｎ型ガイド層８ ：厚み０．１μｍ ｎ型クラッド層９ ：厚み１．２μｍ ｎ型コンタクト層１０ ：厚み０．２μｍ この半導体レーザ素子においては、ストライプ状溝２の
側面２ｃの（１１１）Ａ面上に成長したＮドープバッフ
ァ層部分３、Ｎドープクラッド層５およびＮドープガイ
ド層６の各部分は高抵抗である。つまり、従来技術とは
異なり、II-VI族化合物半導体からなる上記３層の高抵
抗部分でより高い効率にて電流狭窄を行えるようにな
る。また、溝２の底面２ｂおよび溝２以外のＧａＡｓ基
板の上表面２ａの（１００）面上に成長したＮドープバ
ッファ層４、Ｎドープクラッド層５およびＮドープガイ
ド層６の各部分はｐ型である。さらに、ＳｉＯ2からな
る誘電体膜１１がストライプ状の開口を有して形成され
ていることも併せて、電流は溝２の底面２ｂの（１０
０）面上に成長した部分のみに流れる。よって、電流の
内部狭窄構造が形成され、無効電流の低減を図ることが
できる。また、バッファ層４からコンタクト層１０まで
のすべての層を連続して１回のエピタキシャル成長によ
り内部電流狭窄構造を作製することができるので、作製
コストの低減や歩留りの向上を図ることができる。さら
に、ＧａＡｓ基板１のエネルギーギャップを活性層７の
エネルギーギャップよりも小さくできるので、活性層７
の溝２の直上部に位置する活性領域で発生した光がスト
ライプ状溝２の両外側のＧａＡｓ基板１で吸収される。
よって、光の横方向の広がりを抑えて安定した横モード
でのレーザ発振が得られる。
【００３０】以上のようにして作製された半導体レーザ
素子は、発振閾値電流４０ｍＡ、発振波長＝５００ｎ
ｍ、微分効率０．７Ｗ／Ａ、動作電圧５．０Ｖであり、
横モードは安定した基本モードが得られた。また、高い
光出力時にも同様な特性であった。
素子は、発振閾値電流４０ｍＡ、発振波長＝５００ｎ
ｍ、微分効率０．７Ｗ／Ａ、動作電圧５．０Ｖであり、
横モードは安定した基本モードが得られた。また、高い
光出力時にも同様な特性であった。
【００３１】（実施例２）図３に実施例２の半導体レー
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子は、ｐ型
ＧａＡｓ基板２１を有し、この基板２１の上層部には、
（１００）面である底面２２ｂおよび（１１１）Ａ面で
ある側面２２ｃを有するストライプ状溝２２と、（１１
１）Ａ面である側面２３ａのみを有するストライプ状溝
２３が形成されている。この基板２１の上表面には、
（１００）面としてはストライプ状溝２３の底面２２ｂ
のみが存在する。この基板２１上の全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層２４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-zバッファ層２４は、（１１１）Ａ面である側
面２２ｃおよび２３ａの上に成長した部分（斜線部）は
高抵抗であり、（１００）面である底面２２ｂの上に成
長した部分２５はｐ型の導電性を示す。バッファ層２４
の上には、II-VI族化合物半導体からなるＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1- z（ｙ＝０．８、ｚ＝０．４）クラッ
ド層２６、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1- z（ｙ＝０．
９、ｚ＝０．２）ガイド層２７、ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝
０．０６）活性層２８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）ガイド層２９、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．８、ｚ
＝０．４）クラッド層３０およびＣｌドープｎ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層３１が基板側からこの順に積層形成され
ている。
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子は、ｐ型
ＧａＡｓ基板２１を有し、この基板２１の上層部には、
（１００）面である底面２２ｂおよび（１１１）Ａ面で
ある側面２２ｃを有するストライプ状溝２２と、（１１
１）Ａ面である側面２３ａのみを有するストライプ状溝
２３が形成されている。この基板２１の上表面には、
（１００）面としてはストライプ状溝２３の底面２２ｂ
のみが存在する。この基板２１上の全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層２４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-zバッファ層２４は、（１１１）Ａ面である側
面２２ｃおよび２３ａの上に成長した部分（斜線部）は
高抵抗であり、（１００）面である底面２２ｂの上に成
長した部分２５はｐ型の導電性を示す。バッファ層２４
の上には、II-VI族化合物半導体からなるＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1- z（ｙ＝０．８、ｚ＝０．４）クラッ
ド層２６、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1- z（ｙ＝０．
９、ｚ＝０．２）ガイド層２７、ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝
０．０６）活性層２８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）ガイド層２９、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．８、ｚ
＝０．４）クラッド層３０およびＣｌドープｎ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層３１が基板側からこの順に積層形成され
ている。
【００３２】上記ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラ
ッド層２６およびＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層２７は共に、（１１１）Ａ面である側面２２ｃおよ
び２３ａの上に成長した部分は高抵抗であり、（１０
０）面である底面２ｂの上に成長した部分はｐ型の導電
性を示す。さらにコンタクト層３１側にはｎ型電極３２
が、基板２１側にはｐ型電極３３が各々形成されてい
る。
ッド層２６およびＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層２７は共に、（１１１）Ａ面である側面２２ｃおよ
び２３ａの上に成長した部分は高抵抗であり、（１０
０）面である底面２ｂの上に成長した部分はｐ型の導電
性を示す。さらにコンタクト層３１側にはｎ型電極３２
が、基板２１側にはｐ型電極３３が各々形成されてい
る。
【００３３】この半導体レーザ素子は、以下のようにし
て作製される。
て作製される。
【００３４】まず、図４に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基
板２１の上表面の（１００）面に対し通常のフォトリソ
グラフィーとエッチングとを行ってストライプ状溝２
２、２３を形成する。この際、１００℃以上の高温でプ
リベークしたレジストまたは通常のＣＶＤ法により堆積
した誘電体膜（例えばＳｉＯ2膜）をエッチングマスク
として、ストライプ方向をＧａＡｓ基板２１の
板２１の上表面の（１００）面に対し通常のフォトリソ
グラフィーとエッチングとを行ってストライプ状溝２
２、２３を形成する。この際、１００℃以上の高温でプ
リベークしたレジストまたは通常のＣＶＤ法により堆積
した誘電体膜（例えばＳｉＯ2膜）をエッチングマスク
として、ストライプ方向をＧａＡｓ基板２１の
【００３５】
【数２】
【００３６】方向と一致させ、硫酸と過酸化水素水と水
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上層部に（１１１）Ａ
面である側面を有するストライプ状の溝を形成すること
ができる。このとき、エッチングマスクの間隔を変える
ことにより、底面２２ｂに（１００）面が形成された溝
２２と底面の形成されていない溝２３とを同時に作製す
ることができる。本実施例では、エッチングマスクの幅
を０．４μｍ、溝２２を形成するためのエッチングマス
クの間隔を４．０μｍ、溝２３を形成するためのエッチ
ングマスクの間隔を１．０μｍ、溝２２、２３の深さを
１．０μｍとした。これにより、溝２２の底面２２ｂに
幅３μｍのストライプ状の（１００）面が形成され、溝
２３には（１００）面である底面が形成されなかった。
なお、エッチャントとしては、上述のものに代えて、ア
ンモニアと過酸化水素水と水との混合液を用いても同様
な形状の溝を形成することができる。
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上層部に（１１１）Ａ
面である側面を有するストライプ状の溝を形成すること
ができる。このとき、エッチングマスクの間隔を変える
ことにより、底面２２ｂに（１００）面が形成された溝
２２と底面の形成されていない溝２３とを同時に作製す
ることができる。本実施例では、エッチングマスクの幅
を０．４μｍ、溝２２を形成するためのエッチングマス
クの間隔を４．０μｍ、溝２３を形成するためのエッチ
ングマスクの間隔を１．０μｍ、溝２２、２３の深さを
１．０μｍとした。これにより、溝２２の底面２２ｂに
幅３μｍのストライプ状の（１００）面が形成され、溝
２３には（１００）面である底面が形成されなかった。
なお、エッチャントとしては、上述のものに代えて、ア
ンモニアと過酸化水素水と水との混合液を用いても同様
な形状の溝を形成することができる。
【００３７】次に、エッチングマスクを除去し、ＧａＡ
ｓ基板２１の全面にわたって、ＭＢＥ成長法によりＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層２４をエピタキシャル成長させる。この時、ストラ
イプ状溝２２および２３の側面２２ｃ、２３ａの（１１
１）Ａ面上に成長したバッファ層２４部分は高抵抗とな
り、溝２２の底面２２ｂの（１００）面上に成長した部
分２５はｐ型となる。
ｓ基板２１の全面にわたって、ＭＢＥ成長法によりＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層２４をエピタキシャル成長させる。この時、ストラ
イプ状溝２２および２３の側面２２ｃ、２３ａの（１１
１）Ａ面上に成長したバッファ層２４部分は高抵抗とな
り、溝２２の底面２２ｂの（１００）面上に成長した部
分２５はｐ型となる。
【００３８】続いて、ＭＢＥ成長法によりII-VI族化合
物半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝０．８、ｚ＝０．４）クラッド層２６、ＮドープＺｎ
yＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）ガイド
層２７、ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）活性層２８、
Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、
ｚ＝０．２）ガイド層２９、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ
1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．８、ｚ＝０．４）クラッド層
３０およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層３１を
順次エピタキシャル成長する。この時、ＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1-zクラッド層２６およびＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層２７は共に、（１１１）Ａ
面である側面２２ｃ、２３ａの上に成長した部分は高抵
抗となり、（１００）面である底面２２ｂの上に成長し
た部分はｐ型となる。
物半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝０．８、ｚ＝０．４）クラッド層２６、ＮドープＺｎ
yＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）ガイド
層２７、ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０．０６）活性層２８、
Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、
ｚ＝０．２）ガイド層２９、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ
1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．８、ｚ＝０．４）クラッド層
３０およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層３１を
順次エピタキシャル成長する。この時、ＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1-zクラッド層２６およびＮドープＺｎy
Ｍｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層２７は共に、（１１１）Ａ
面である側面２２ｃ、２３ａの上に成長した部分は高抵
抗となり、（１００）面である底面２２ｂの上に成長し
た部分はｐ型となる。
【００３９】最後に、コンタクト層３１側にはｎ型電極
３２を、基板２１側にはｐ型電極３３を形成して半導体
レーザ素子とする。
３２を、基板２１側にはｐ型電極３３を形成して半導体
レーザ素子とする。
【００４０】本実施例では、各半導体層の厚みは以下の
ように形成した。
ように形成した。
【００４１】 Ｎドープバッファ層２４ ：厚み０．０８μｍ Ｎドープクラッド層２６ ：厚み１．２μｍ Ｎドープガイド層２７ ：厚み０．１μｍ 活性層２８ ：厚み０．００８μｍ ｎ型ガイド層２９ ：厚み０．１μｍ ｎ型クラッド層３０ ：厚み１．２μｍ ｎ型コンタクト層３１ ：厚み０．２μｍ この半導体レーザ素子においては、ストライプ状溝２２
および２３の側面２２ｃ、２３ａの（１１１）Ａ面上に
成長したＮドープバッファ層２４、Ｎドープクラッド層
２６およびＮドープガイド層２７の各部分は高抵抗であ
る。つまり、従来技術とは異なり、II-VI族化合物半導
体からなる上記３層の高抵抗部分でより高い効率にて電
流狭窄を行えるようになる。また、溝２２の底面２２ｂ
の（１００）面上に成長したＮドープバッファ層２５、
Ｎドープクラッド層２６およびＮドープガイド層２７の
各部分はｐ型である。このため、電流は溝２２の底面２
２ｂの（１００）面上に成長した部分のみに流れるとい
う、電流の内部狭窄構造が形成され、無効電流の低減を
図ることができる。この半導体レーザ素子においても、
実施例１と同様に作製コストの低減や歩留りの向上を図
ることができ、低動作電流で横モードは安定した基本モ
ードが得られた。また、本実施例の半導体レーザ素子
は、電流狭窄のために実施例１に用いられている誘電体
膜１１に相当する膜を必要としないので、電極３２とコ
ンタクト層３１との接触面積を大きく取ることができ
る。このため、コンタクト抵抗を低減してさらに低い動
作電圧とすることができた。
および２３の側面２２ｃ、２３ａの（１１１）Ａ面上に
成長したＮドープバッファ層２４、Ｎドープクラッド層
２６およびＮドープガイド層２７の各部分は高抵抗であ
る。つまり、従来技術とは異なり、II-VI族化合物半導
体からなる上記３層の高抵抗部分でより高い効率にて電
流狭窄を行えるようになる。また、溝２２の底面２２ｂ
の（１００）面上に成長したＮドープバッファ層２５、
Ｎドープクラッド層２６およびＮドープガイド層２７の
各部分はｐ型である。このため、電流は溝２２の底面２
２ｂの（１００）面上に成長した部分のみに流れるとい
う、電流の内部狭窄構造が形成され、無効電流の低減を
図ることができる。この半導体レーザ素子においても、
実施例１と同様に作製コストの低減や歩留りの向上を図
ることができ、低動作電流で横モードは安定した基本モ
ードが得られた。また、本実施例の半導体レーザ素子
は、電流狭窄のために実施例１に用いられている誘電体
膜１１に相当する膜を必要としないので、電極３２とコ
ンタクト層３１との接触面積を大きく取ることができ
る。このため、コンタクト抵抗を低減してさらに低い動
作電圧とすることができた。
【００４２】（実施例３）図５に実施例３の半導体レー
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子は、ｐ型
ＧａＡｓ基板５１を有し、この基板５１の上層部には、
（１００）面および（０１１）面である側面を有するス
トライプ状溝５２が形成されている。この基板５１の上
表面は、ストライプ状溝５２を除く部分が（１１１）Ａ
面となっている。この基板５１上の全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層５４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1 -zバッファ層５４は、（１１１）Ａ面上に成長
した部分（斜線部）は高抵抗であり、（１００）面上に
成長した部分５３はｐ型の導電性を示す。
ザ素子の断面図を示す。この半導体レーザ素子は、ｐ型
ＧａＡｓ基板５１を有し、この基板５１の上層部には、
（１００）面および（０１１）面である側面を有するス
トライプ状溝５２が形成されている。この基板５１の上
表面は、ストライプ状溝５２を除く部分が（１１１）Ａ
面となっている。この基板５１上の全面にわたってＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層５４が積層されている。このＮドープＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1 -zバッファ層５４は、（１１１）Ａ面上に成長
した部分（斜線部）は高抵抗であり、（１００）面上に
成長した部分５３はｐ型の導電性を示す。
【００４３】バッファ層５４の上には、II-VI族化合物
半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1- yＳzＳｅ1-z（ｙ＝
０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５５、ＮドープＺｎy
Ｍｇ1- yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
５６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層５７、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝
０．０６）ガイド層５８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５９
およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層６０が基板
側からこの順に積層形成されている。
半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1- yＳzＳｅ1-z（ｙ＝
０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５５、ＮドープＺｎy
Ｍｇ1- yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
５６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層５７、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝
０．０６）ガイド層５８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５９
およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層６０が基板
側からこの順に積層形成されている。
【００４４】上記ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラ
ッド層５５およびＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層５６は共に、基板５１の（１１１）Ａ面上に成長し
た部分（斜線部）は高抵抗であり、基板５１の（１０
０）面上に成長した部分はｐ型の導電性を示す。さら
に、コンタクト層６０側にはｎ型電極６１が、基板側５
１にはｐ型電極６２が各々形成されている。
ッド層５５およびＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層５６は共に、基板５１の（１１１）Ａ面上に成長し
た部分（斜線部）は高抵抗であり、基板５１の（１０
０）面上に成長した部分はｐ型の導電性を示す。さら
に、コンタクト層６０側にはｎ型電極６１が、基板側５
１にはｐ型電極６２が各々形成されている。
【００４５】この半導体レーザ素子は、以下のようにし
て作製される。
て作製される。
【００４６】まず、ｐ型ＧａＡｓ基板５１の上表面の
（１１１）Ａ面に対し通常のフォトリソグラフィーとエ
ッチングとを行ってストライプ状溝５２を形成する。こ
の際、１００℃以上の高温でプリベークしたレジストま
たは通常のＣＶＤ法により堆積した誘電体膜（例えばＳ
ｉＯ2膜）をエッチングマスクとして、ストライプ方向
をＧａＡｓ基板５１の
（１１１）Ａ面に対し通常のフォトリソグラフィーとエ
ッチングとを行ってストライプ状溝５２を形成する。こ
の際、１００℃以上の高温でプリベークしたレジストま
たは通常のＣＶＤ法により堆積した誘電体膜（例えばＳ
ｉＯ2膜）をエッチングマスクとして、ストライプ方向
をＧａＡｓ基板５１の
【００４７】
【数３】
【００４８】方向と一致させ、硫酸と過酸化水素水と水
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上層部に（１００）面
と（０１１）面とを側面に有するストライプ状溝５２を
形成することができる。本実施例では、ストライプ幅を
４．０μｍ、溝５２の深さを２．０μｍとした。なお、
エッチャントとしては、上記のものに代えて、アンモニ
アと過酸化水素水と水との混合液を用いても同様な形状
の溝を形成することができる。
との混合液をエッチャントとして用いたウェットエッチ
ングを行うと、ＧａＡｓ基板１の上層部に（１００）面
と（０１１）面とを側面に有するストライプ状溝５２を
形成することができる。本実施例では、ストライプ幅を
４．０μｍ、溝５２の深さを２．０μｍとした。なお、
エッチャントとしては、上記のものに代えて、アンモニ
アと過酸化水素水と水との混合液を用いても同様な形状
の溝を形成することができる。
【００４９】次に、エッチングマスクを除去し、ＧａＡ
ｓ基板５１の全面にわたって、ＭＢＥ成長法によりＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層５４をエピタキシャル成長させる。この時、ストラ
イプ状溝５２の側面の（１００）面上に成長した部分５
３はｐ型となり、溝５２以外のＧａＡｓ基板表面の（１
１１）Ａ面上に成長した部分は高抵抗となる。
ｓ基板５１の全面にわたって、ＭＢＥ成長法によりＮド
ープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０）バッフ
ァ層５４をエピタキシャル成長させる。この時、ストラ
イプ状溝５２の側面の（１００）面上に成長した部分５
３はｐ型となり、溝５２以外のＧａＡｓ基板表面の（１
１１）Ａ面上に成長した部分は高抵抗となる。
【００５０】続いて、ＭＢＥ成長法によりII-VI族化合
物半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５５、ＮドープＺｎ
yＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
５６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層５７、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝
０．０６）ガイド層５８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５９
およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層６０を順次
エピタキシャル成長する。
物半導体からなるＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ
＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５５、ＮドープＺｎ
yＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝０．０６）ガイド層
５６、ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（ｘ＝０．８）活性層５７、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（ｙ＝１、ｚ＝
０．０６）ガイド層５８、Ｃｌドープｎ型ＺｎyＭｇ1-y
ＳzＳｅ1-z（ｙ＝０．９、ｚ＝０．２）クラッド層５９
およびＣｌドープｎ型ＺｎＳｅコンタクト層６０を順次
エピタキシャル成長する。
【００５１】上記ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラ
ッド層５およびＮドープＺｎyＭｇ1 -yＳzＳｅ1-zガイド
層６は共に、基板５１の（１１１）Ａ面上に成長した部
分は高抵抗となり、基板５１の（１００）面上に成長し
た部分はｐ型となる。また、成長が進むにつれて、溝５
２の側面の（１００）面上には（ｍ１１）Ａ面（但し、
ｍは２以上の整数）が現れ、３≦ｍになるとキャリア濃
度の高いｐ型となる。また、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳz
Ｓｅ1-zガイド層５６と活性層５７との界面で面方位が
（ｍ１１）Ａ面（但し、ｍは３以上の整数）となるよう
にすると、この界面でガイド層５６が高抵抗となるのを
防ぐことができる。
ッド層５およびＮドープＺｎyＭｇ1 -yＳzＳｅ1-zガイド
層６は共に、基板５１の（１１１）Ａ面上に成長した部
分は高抵抗となり、基板５１の（１００）面上に成長し
た部分はｐ型となる。また、成長が進むにつれて、溝５
２の側面の（１００）面上には（ｍ１１）Ａ面（但し、
ｍは２以上の整数）が現れ、３≦ｍになるとキャリア濃
度の高いｐ型となる。また、ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳz
Ｓｅ1-zガイド層５６と活性層５７との界面で面方位が
（ｍ１１）Ａ面（但し、ｍは３以上の整数）となるよう
にすると、この界面でガイド層５６が高抵抗となるのを
防ぐことができる。
【００５２】最後に、コンタクト層６０側にはｎ型電極
６１を、基板５１側にはｐ型電極６２を形成して半導体
レーザ素子とする。
６１を、基板５１側にはｐ型電極６２を形成して半導体
レーザ素子とする。
【００５３】本実施例では、溝５２の深さと幅、および
各半導体層の厚みは以下のように形成した。
各半導体層の厚みは以下のように形成した。
【００５４】 溝５２ ：深さ２．０μｍ、幅４．０
μｍ Ｎドープバッファ層５４ ：厚み０．０８μｍ Ｎドープクラッド層５５ ：厚み１．２μｍ Ｎドープガイド層５６ ：厚み０．１μｍ 活性層５７ ：厚み０．００８μｍ ｎ型ガイド層５８ ：厚み０．１μｍ ｎ型クラッド層５９ ：厚み１．２μｍ ｎ型コンタクト層６０ ：厚み０．２μｍ この半導体レーザ素子においては、基板５１の（１１
１）Ａ面上に成長したＮドープバッファ層５４、Ｎドー
プクラッド層５５およびＮドープガイド層５６の各部分
（斜線部）は高抵抗である。つまり、従来技術とは異な
り、II-VI族化合物半導体からなる上記３層の高抵抗部
分でより高い効率にて電流狭窄を行えるようになる。ま
た、溝５２の側面の（１００）面上に成長したＮドープ
バッファ層５３、Ｎドープクラッド層５５およびＮドー
プガイド層５６の各部分はｐ型である。このため、電流
は溝５２の側面の（１００）面上に成長した部分のみに
流れるという、電流の内部狭窄構造が形成され、無効電
流の低減を図ることができる。また、本実施例の半導体
レーザ素子においては、活性層近傍のＮドープクラッド
層５５およびＮドープガイド層５６を（ｍ１１）Ａ面
（但し、ｍは３以上の整数）上に成長させることができ
る。よって、正孔のキャリア濃度を高くして電流経路の
抵抗値を低減し、動作電圧を低くすることができる。こ
の半導体レーザ素子においても、実施例１や実施例２と
同様に低動作電流で横モードは安定した基本モードが得
られ、さらに動作電圧を低くすることができた。また、
本実施例の半導体レーザ素子においては、電流狭窄のた
めに実施例１に用いられているような誘電体１１や、実
施例２に用いられている多数のストライプ状溝２３に相
当するものを必要とせず、一本のストライプ状溝を形成
するだけで簡単に内部電流狭窄構造を作製することがで
きる。
μｍ Ｎドープバッファ層５４ ：厚み０．０８μｍ Ｎドープクラッド層５５ ：厚み１．２μｍ Ｎドープガイド層５６ ：厚み０．１μｍ 活性層５７ ：厚み０．００８μｍ ｎ型ガイド層５８ ：厚み０．１μｍ ｎ型クラッド層５９ ：厚み１．２μｍ ｎ型コンタクト層６０ ：厚み０．２μｍ この半導体レーザ素子においては、基板５１の（１１
１）Ａ面上に成長したＮドープバッファ層５４、Ｎドー
プクラッド層５５およびＮドープガイド層５６の各部分
（斜線部）は高抵抗である。つまり、従来技術とは異な
り、II-VI族化合物半導体からなる上記３層の高抵抗部
分でより高い効率にて電流狭窄を行えるようになる。ま
た、溝５２の側面の（１００）面上に成長したＮドープ
バッファ層５３、Ｎドープクラッド層５５およびＮドー
プガイド層５６の各部分はｐ型である。このため、電流
は溝５２の側面の（１００）面上に成長した部分のみに
流れるという、電流の内部狭窄構造が形成され、無効電
流の低減を図ることができる。また、本実施例の半導体
レーザ素子においては、活性層近傍のＮドープクラッド
層５５およびＮドープガイド層５６を（ｍ１１）Ａ面
（但し、ｍは３以上の整数）上に成長させることができ
る。よって、正孔のキャリア濃度を高くして電流経路の
抵抗値を低減し、動作電圧を低くすることができる。こ
の半導体レーザ素子においても、実施例１や実施例２と
同様に低動作電流で横モードは安定した基本モードが得
られ、さらに動作電圧を低くすることができた。また、
本実施例の半導体レーザ素子においては、電流狭窄のた
めに実施例１に用いられているような誘電体１１や、実
施例２に用いられている多数のストライプ状溝２３に相
当するものを必要とせず、一本のストライプ状溝を形成
するだけで簡単に内部電流狭窄構造を作製することがで
きる。
【００５５】上記実施例１〜３において、ＺｎＭｇＳＳ
ｅの混晶比は適宜変更してもよい。また、ＧａＡｓ基板
上に構成されるII-VI族化合物半導体としては、ＺｎＭ
ｇＳＳｅ系、ＺｎＣｄＳＳｅ系、その他、ＺｎＭｎＳＳ
ｅ、ＺｎＳＳｅＴｅ等、青色〜青緑色の半導体レーザ素
子を構成する種々の材料系を用いることができ、化合物
の組成比も適宜変更することができる。また、（１１
１）Ａ面および（ｍ１１）Ａ面（但し、ｍは３以上の整
数）を用いたが、Ｂ面を用いても同様の特性が得られ
る。
ｅの混晶比は適宜変更してもよい。また、ＧａＡｓ基板
上に構成されるII-VI族化合物半導体としては、ＺｎＭ
ｇＳＳｅ系、ＺｎＣｄＳＳｅ系、その他、ＺｎＭｎＳＳ
ｅ、ＺｎＳＳｅＴｅ等、青色〜青緑色の半導体レーザ素
子を構成する種々の材料系を用いることができ、化合物
の組成比も適宜変更することができる。また、（１１
１）Ａ面および（ｍ１１）Ａ面（但し、ｍは３以上の整
数）を用いたが、Ｂ面を用いても同様の特性が得られ
る。
【００５６】上記実施例１〜３においてはガイド層は膜
厚方向において均一な組成を有しているが、これに限ら
ず、膜厚方向にガイド層の組成が変化しているＧＲＩＮ
−ＳＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ − Ｓｅｐａｒ
ａｔｅ ＣｏｎｆｉｍｅｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ）構造としてもよい。
厚方向において均一な組成を有しているが、これに限ら
ず、膜厚方向にガイド層の組成が変化しているＧＲＩＮ
−ＳＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ − Ｓｅｐａｒ
ａｔｅ ＣｏｎｆｉｍｅｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ）構造としてもよい。
【００５７】また、上記実施例３においては基板の導電
型をｐ型としたが、ｎ型ＧａＡｓ基板を用い、活性層の
上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層、Ｎドー
プＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラッド層およびＮドープＺ
ｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zコンタクト層をエピタキシャル成
長させても同様に本発明の半導体レーザ素子とすること
ができる。また、ストライプ状溝として（１００）面を
有する溝を形成したが、（ｍ１１）面（但し、ｍは３以
上の整数）を有する溝を形成してもよい。
型をｐ型としたが、ｎ型ＧａＡｓ基板を用い、活性層の
上にＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイド層、Ｎドー
プＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラッド層およびＮドープＺ
ｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zコンタクト層をエピタキシャル成
長させても同様に本発明の半導体レーザ素子とすること
ができる。また、ストライプ状溝として（１００）面を
有する溝を形成したが、（ｍ１１）面（但し、ｍは３以
上の整数）を有する溝を形成してもよい。
【００５８】
【発明の効果】上記の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板の面方位によるＮのドーピング効率の違
いを利用して、基板の（１１１）面上に成長させたII-V
I族化合物半導体からなる各層部分を高抵抗にしている
ので、より高い効率にて電流狭窄することができ、無効
電流の低減により動作電流を低減することができる。ま
た、（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）上の成長
部分ではｐ型のキャリア濃度が増大されるので、この部
分を電流経路とすることにより動作電圧を低減すること
ができる。また、活性層の活性領域で発生した光は、エ
ネルギーギャップが小さいＧａＡｓ基板で吸収されるの
で、安定した横モードでレーザ発振が得られる。さら
に、ＭＢＥ法を用いて１回のエピタキシャル成長により
内部電流狭窄構造を形成することができるので、半導体
レーザ素子を、歩留りよく、低コストで製造することが
できる。
によれば、基板の面方位によるＮのドーピング効率の違
いを利用して、基板の（１１１）面上に成長させたII-V
I族化合物半導体からなる各層部分を高抵抗にしている
ので、より高い効率にて電流狭窄することができ、無効
電流の低減により動作電流を低減することができる。ま
た、（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）上の成長
部分ではｐ型のキャリア濃度が増大されるので、この部
分を電流経路とすることにより動作電圧を低減すること
ができる。また、活性層の活性領域で発生した光は、エ
ネルギーギャップが小さいＧａＡｓ基板で吸収されるの
で、安定した横モードでレーザ発振が得られる。さら
に、ＭＢＥ法を用いて１回のエピタキシャル成長により
内部電流狭窄構造を形成することができるので、半導体
レーザ素子を、歩留りよく、低コストで製造することが
できる。
【図１】実施例１の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体レーザ素
子の製造工程を示す断面図である。
子の製造工程を示す断面図である。
【図３】実施例２の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図４】実施例２の半導体レーザ素子の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】実施例３の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の電極ストライプ構造の半導体レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１、２１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２、２２、２３、５２ ストライプ状溝 ３、２５、５３ 部分 ４、２４、５４ ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zバッ
ファ層 ５、２６、５５ ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラ
ッド層 ６、２７、５６ ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層 ７、２８、５７ 活性層 ８、２９、５８ ｎ型ガイド層 ９、３０、５９ ｎ型クラッド層 １０、３１、６０ ｎ型コンタクト層 １１ 誘電体膜 １２、３２、６１ ｎ型電極 １３、３３、６２ ｐ型電極
ファ層 ５、２６、５５ ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zクラ
ッド層 ６、２７、５６ ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-zガイ
ド層 ７、２８、５７ 活性層 ８、２９、５８ ｎ型ガイド層 ９、３０、５９ ｎ型クラッド層 １０、３１、６０ ｎ型コンタクト層 １１ 誘電体膜 １２、３２、６１ ｎ型電極 １３、３３、６２ ｐ型電極
Claims (2)
- 【請求項１】 （１００）面を表面に有するｐ型ＧａＡ
ｓ基板の該表面側に少なくとも（１１１）面を有するス
トライプ状溝が形成され、この状態の基板上にＮドープ
ＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）層
が積層され、更に該ＮドープＺｎyＭｇ1-yＳzＳｅ1-z層
の上にII-VI族化合物半導体からなるｐ型クラッド層、
活性層およびｎ型クラッド層が形成されている半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項２】 （１１１）面を表面に有する第１導電型
ＧａＡｓ基板の該表面側に、少なくとも１つの面として
（ｍ１１）面（但し、ｍは３以上の整数）または（１０
０）面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の
基板上にII-VI族化合物半導体からなる第１導電型クラ
ッド層、活性層および第２導電型クラッド層が形成さ
れ、更に該第１導電型クラッド層および第２導電型クラ
ッド層のうちｐ型クラッド層がＮドープＺｎyＭｇ1-yＳ
zＳｅ1-z（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）からなり、かつ、
該ｐ型クラッド層の少なくとも一部が該溝の（ｍ１１）
面（但し、ｍは３以上の整数）上または（１００）面上
に形成されている半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17577894A JPH0846281A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17577894A JPH0846281A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846281A true JPH0846281A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16002105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17577894A Withdrawn JPH0846281A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846281A (ja) |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17577894A patent/JPH0846281A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |