JPH0846406A

JPH0846406A - 誘電体フィルタ及びその誘電体フィルタにおける電波吸収構造

Info

Publication number: JPH0846406A
Application number: JP19378694A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Mitarai; 将伸御手洗; Terutaka Sugano; 照登菅野; Hideki Yamanaka; 英樹山中
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1994-07-27
Filing date: 1994-07-27
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】別体のＬＰＦ等の部品を用いることなく所望
の整数倍数波の影響を抑制することができる誘電体フィ
ルタを提供すること【構成】誘電体ブロック１０の長手方向に、所定の間
隔をおいて共振子穴１１が形成され、誘電体ブロックの
外表面のほぼ全面並びに各共振子穴の内面所定部位がメ
タライズによって導体膜１３が形成される。誘電体ブロ
ックの後面１０ｂ側に、電波吸収体２０を装着した。電
波吸収体は、後面と略同一の平面形状を有する偏平な帯
状板体から形成され、取付金具２１により所定位置に固
定される。すると電波吸収体により、基本周波数も若干
吸収されるものの誘電体フィルタから発生する高調波、
特に基本周波数の３倍波が大きく吸収され、減衰特性が
改善される。そして、電波吸収体は誘電体ブロックに直
接接触されているため、その吸収効率がよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体フィルタ及びそ
れに用いられる電波吸収構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】誘電体セラミックを用いた多段共振型の
誘電体フィルタは、自動車電話，携帯電話等の移動無
線，コードレス電話，衛生通信などの分野で広く使用さ
れている。そして係る従来の誘電体フィルタの一例とし
ては、図２０に示すようなものがあった。すなわち、誘
電体（セラミック）からなる矩形状の誘電体ブロック１
に共振子穴２が形成され、また、誘電体ブロック１の外
周囲は導体膜が塗布されアース３となる。そして、共振
子穴２の両外側には入出力端子穴５がそれと平行に配置
され、その入出力端子穴２内にリード４が挿入配置され
ている。

【０００３】ところで、係る構成の誘電体フィルタで
は、その構成上基本波の整数倍数波が発生し、特に３倍
波は基本波と略同一レベルで発生する。そこで、係る整
数倍数波を抑制（レベルを低下）させるために、一般に
入出力端子となるリード４に、ローパスフィルタ（ＬＰ
Ｆ）６を直列接続し、高調波成分を除去するようにした
ものがある。このＬＰＦ６は、基板７の上に導体膜コン
デンサ８とコイル９を配置することによりＬＣ共振器を
構成するようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の誘電体フィルタでは、回路に実装するために
は、誘電体フィルタに加え、上記所定のＬＰＦ６や必要
に応じてＢＰＦを組み合わせた外付けのフィルタが必要
なため、大型化してしまい、また部品数の増加にともな
う組立作業の煩雑化やコストアップをきたす。

【０００５】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、別体のＬＰＦ等の部品を用いることなく所望の整
数倍数波の影響を抑制することができ、高品質で信頼性
が高く、小型で組立作業（誘電体フィルタの製造・回路
基板への実装等の作業）が簡易で低コストとなる誘電体
フィルタを提供することにある。

【０００６】また、他の目的としては、仮に別体の部品
を設けたとしても、簡易な構成のものを用い、従来のも
のよりもその特性（所望の整数倍数波の影響を抑制する
ことができ、高品質で信頼性が高い）が格段に良好な誘
電体フィルタにおける電波吸収構造を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る誘電体フィルタでは、所定数の共振
子穴を備えた誘電体ブロックと、前記共振子穴の内面所
定部位と、前記誘電体ブロックの外表面の所定部位に形
成された導体膜とを備えた誘電体フィルタを前提とし、
前記誘電体ブロックの側面所定位置に、高調波成分除去
片を取り付けるようにした。

【０００８】そして、係る高調波成分除去片としては、
例えばフェライトや電波吸収体で構成することができ
る。また、その設置位置は、前記共振子穴のオープン面
にしたり、ショート面にしたり、さらにはその両方に設
置するなど任意の位置を取ることができる。さらに、オ
ープン面に形成する場合には、高調波成分除去片の少な
くとも所定の共振子穴（のオープン端）に対向する部分
を開口させるのが好ましい。また、複数に分割された前
記高調波成分除去片を、前記誘電体ブロックの同一平面
に所定の間隔をおいて配置させるようにしてもよい。

【０００９】さらに、前記誘電体ブロックに装着された
入出力端子となるリード線に、補助高調波成分除去部材
を装着するとなお良い。

【００１０】また、本発明に係る誘電体フィルタにおけ
る電波吸収構造では、上記したいずれかの誘電体フィル
タと、前記誘電体フィルタの入出力端子に接続されるス
トリップラインと、前記ストリップラインが形成される
基板に対し、そのストリップラインと重なる位置に装着
された補助高調波成分除去部材とから構成することで、
その前記補助高調波成分除去部材としては、電波吸収体
またはフェライトのいずれかから構成することができ
る。

【００１１】

【作用】誘電体フィルタから発生する整数倍数波は、主
として共振子穴の開口から発生される。そこで、電波吸
収体，フェライト等の高調波成分除去片を誘電体ブロッ
クの側面、特にショート面またはオープン面の少なくと
も一方の面に装着すると、その除去片により、基本周波
数も若干吸収されるものの特に基本周波数の３倍波（奇
数倍波）が大きく吸収される。すなわちインサーション
ロスはほとんど低下せず、減衰特性は大幅に改善され
る。そして、係る高調波成分除去片は誘電体ブロックに
直接接触されているため、その吸収効率がよく、また別
途形成した外付けのＬＰＦ等のフィルタも不要となる。

【００１２】また、共振子穴のオープン端の開口部分を
完全に覆うことなく、係る開口部分に対向する部位を切
除するようにした高調波成分除去片を形成し、誘電体ブ
ロックに対して位置合わせを行ないつつ装着した場合
（請求項７，８）には、共振周波数が変動することな
く、効率良く周波数特性が改善され、また設計が容易に
行える。

【００１３】さらに、請求項９〜１１のように、補助高
調波成分除去部材を装着すると、上記した高調波成分除
去片の作用と相乗的に作用し、高調波成分が確実に除去
されその帯域外減衰特性がより改善される。

【００１４】

【実施例】以下、本発明に係る誘電体フィルタ及びその
誘電体フィルタにおける電波吸収構造の好適な実施例を
添付図面を参照にして詳述する。図１は本発明に係る誘
電体フィルタの第１実施例を示している。本例では３段
構成のコムライン型の誘電体フィルタについて適用した
もので、この誘電体フィルタは、まず、チタン酸バリウ
ム等の高誘電率セラミック材料の焼結体からなる直方体
状の誘電体ブロック１０の長手方向に、所定の間隔をお
いて共振子穴１１が形成される。さらにその共振子穴１
１の両外側には、それぞれ入出力端子穴１２が形成され
ている。そして、各共振子穴１１及び入出力端子穴１２
の内面の所定部位並びに誘電体ブロック１０の外表面の
所定部位にメタライズによって導体膜１３を形成する。
これにより、外周面はアースパターン（導体膜１３）で
覆われるようになる。

【００１５】また、各共振子穴１１は、誘電体ブロック
１０の一側面（前面）１０ａから、その対面である後面
１０ｂに向けて貫通しており、共振子穴１１の内面に形
成された導体膜１３は、その片側で誘電体ブロックの外
表面に形成した導体膜１３と接続（ショート端になる）
し、反対側では接続されない（オープン端になる）よう
にしている。そして接続させないための構成としては、
図示のように前面１０ａの共振子穴１１の周囲の導体膜
１３を除去する。

【００１６】また、両端に位置する入出力端子穴１２
は、前面１０ａから後面１０ｂに向けて貫通しており、
その内面のほぼ全長にわたってメタライズされている。
しかし、上記共振子穴１１と相違して、両端が共に外表
面に形成されたアースパターンと非接続状態になる。す
なわち、上記した共振子穴１１の開放側と同様に前面１
０ａまたは後面１０ｂの入出力端子穴１２の周囲の導体
膜及びまたは入出力端子穴１２の端部内側面をその全周
にわたって導体膜を除去することにより対応できる。そ
して、この入出力端子穴１２内には、外部回路と結合す
るための入出力用のリード１５が挿入配置され、その内
周面に半田付けなどして接着一体化される。なお、この
リード１５の一端は、誘電体ブロック１０の前面１０ａ
より外側に突出配置される。

【００１７】ここで本発明では、誘電体ブロック１０の
後面１０ｂ、すなわち共振子穴１１のショート端が位置
するショート面側に、高調波成分除去片である電波吸収
体２０を装着している。電波吸収体２０は、後面１０ｂ
と略同一の平面形状を有する偏平な帯状板体から形成さ
れ、本例では図２に示すように、取付金具２１により所
定位置に固定している。

【００１８】この取付金具２１は、誘電体ブロック１０
の側面に略一致する金具本体２１ａの長手方向両端に突
片２１ｂが形成され、また、本体２１ａの長辺に、Ｕ字
状の切込部を有する取付端子板２１ｃを備えた形状から
なる。そして、突片２１ｂは所定方向に折り曲げられ、
取付端子板２１ｃはそれと反対側に折り曲げられて構成
される。

【００１９】そして、この両突片２１ｂの一方が図示す
るように電波吸収体２０の外側面に当接し、他方の突片
が誘電体ブロック１０の前面に当接し、取付金具２１、
より具体的には両突片２１ｂ間で発生する弾性力（バネ
性）により、電波吸収体２０を誘電体ブロック１０の後
面１０ｂ側に抑えつけて固定する。また、上記取付端子
板２１ｃに形成したＵ字状の切込部を用いて、この誘電
体フィルタを実装基板上の所定位置に固定するようにな
っている。なお、この電波吸収体２０の固定に際し、上
記取付金具２１に替えて接着剤を用いても良く、或いは
両者を併用してもよい。

【００２０】係る構成にすることにより、電波吸収体２
０により、基本周波数も若干吸収されるものの誘電体フ
ィルタから発生する高調波、特に基本周波数の３倍波
（奇数倍波）が大きく吸収され、帯域外減衰量が改善さ
れる。そして、電波吸収体２０が誘電体ブロック１０に
直接接触されているため、その吸収効率がよい。

【００２１】また、上記した第１実施例では、誘電体ブ
ロック１０の後面１０ｂ、すなわち、ショート面側に取
り付けた例を示したが、本発明はこれに限ることなく、
図３に示すように、誘電体ブロック１０の前面１０ａに
電波吸収体２０´を取り付けてもよく、さらには、図４
に示すように誘電体ブロック１０の前面１０ａ，後面１
０ｂの両方に電波吸収体２０´，２０を取り付けても良
く、その設置位置並びに個数は任意である。なお、図示
の例では、誘電体ブロック１０の前面１０ａに取り付け
た電波吸収体２０´は、前面１０ａの前面ではなくリー
ド１５，１５間の部分にしたが、これは、リード１５を
避けて配置しなければならないとともに、共振子穴（特
に開口部分（ショート，オープン共）の存在位置周辺
で、高調波が発生（外部に漏れる）することが多いた
め、係る部分に配置すれば効果的に高調波成分を除去で
きるからである。

【００２２】次に、上記実施例の効果を検証するため、
以下に示す実験を行なった。すなわち、図５に示すよう
に、誘電体ブロック全体の幅Ｗが１３ｍｍ，入出力端子
であるリード間の距離ｗが１０ｍｍ，奥行きＤが４．５
ｍｍの寸法形状で、３段の誘電体フィルタの所定面に、
特性の異なる電波吸収体〜を取付けた。なお、電波
吸収体の厚さは、が２．０ｍｍ，が１．７ｍｍ，
が１．５ｍｍである。そして、設置位置並びに使用電波
吸収体の種類を適宜変えて、それぞれの周波数に対する
インサーションロス（Ｉ．Ｌ．）及び帯域外減衰量
（Ａ．Ｔ．Ｔ．）の特性を調べた。また、比較例とし
て、同一の誘電体フィルタを用い、電波吸収体を装着し
ないものについても同様の実験を行なった。

【００２３】そして、その結果、図６以降に示すような
周波数特性が得られた。すなわち、電波吸収体を装着し
ない誘電体フィルタ（比較例）の特性（初期特性）は図
６に示すようになり、共振周波数ｆ0 の時にインサーシ
ョンロスが最小になり、そのＩ．Ｌ．ＴＯＰは１．１５
ｄＢであり、３倍波に相当する周波数（３×（ｆ0 ±５
０）の時のＡ．Ｔ．Ｔ．は５．９ｄＢであった。

【００２４】これに対し、第１実施例に示すように誘電
体ブロックの後面のみに電波吸収体を装着した場合（Ｎ
ｏ．１）の各結果（周波数特性）は、の電波吸収体を
用いた場合は図７に、の電波吸収体を用いた場合は図
８に、の電波吸収体を用いた場合は図９に示すように
なった。そして、３倍波の減衰量は、１６．４ｄＢ，
１３．３ｄＢ，１３．５ｄＢになり、初期特性のも
のに比べ大きく低減することができた。なお、いずれの
場合もＩ．Ｌ．ＴＯＰは初期特性のものに比べ若干低下
するものの製品としての性能上要求される仕様は満足し
ており、係る低下分は実質的に問題がない。

【００２５】さらに実験を進め、電波吸収体の取付位置
及び材質を替えつつ上記と同様の周波数特性を求めた。
そして、各実験結果のグラフの図示は省略するが、共振
周波数でのインサーションロスであるＩ．Ｌ．ＴＯＰと
３倍波の減衰量の関係は、下記表１に示すようになっ
た。

【００２６】

【表１】上記表から明らかなように、３倍波の減衰量は、初期特
性のものに比べ大きく低減することができた。またＩ．
Ｌ．ＴＯＰは初期特性に比べ若干低下するものの製品と
しての性能上要求される使用は満足しており、係る低下
分は実質的に問題がない。そして、この実験からいずれ
か片方に装着する場合にはショート面よりもオープン面
に装着した方が効果が高く、両方に取付けるとなおよい
ことがわかる。

【００２７】また、上記した実施例及びその変形例で
は、誘電体ブロックに装着する高調波成分除去片として
電波吸収体を用いた例について説明したが、本発明はこ
れに限ることなく、フェライトを用いてもよい。そし
て、その効果を検証するため、上記した第１実施例と同
様に所定形状のフェライト（ＮｉＺｎＦｅ）を誘電体ブ
ロック１０の後面に装着したものを製造し、その周波数
特性を求めた。なお、各部の寸法形状は上記した実験と
同様のものを用いた。その結果、図１０に示すように、
共振周波数ｆ0 の時のインサーションロス（Ｉ．Ｌ．Ｔ
ＯＰ）は１．８ｄＢであり、３倍波の時のＡ．Ｔ．Ｔ．
は１５ｄＢであった。そして、図示からも明らかなよう
に、上記した電波吸収体の場合と同様の傾向が認められ
た。また、装着面は、図示のように後ろ面のみならず、
前面でも良く、さらには両側に設置しても良い。

【００２８】なお、誘電体ブロックの前面（ショート面
側）に装着する高調波成分除去片は、上記した各例では
いずれもリード１５，１５間の領域に装着し、リード１
５よりも外側の面には装着しなかったが、たとえば図１
１に示すように構成することにより、対応することがで
きる。

【００２９】すなわち、誘電体ブロック１０の前面に、
その横幅が誘電体ブロック１０と等しい高調波成分除去
片（電波吸収体，フェライト等）２２を接着一体化す
る。この時、同図（Ｂ）に示すように、高調波成分除去
片２２のうち、リード１５に対向する部分を円形状に切
除した開口２２ａを形成しておく。これにより、リード
１５に当接することなく高調波成分除去片２２を誘電体
ブロック１０前面のほぼ全面にわたって位置させること
ができる。なお、この開口２２ａの径は、リード１５が
装着された穴の内径とほぼ同じか、若干広く設定してい
る。

【００３０】さらにまた、上記した各例では、いずれも
コムライン型の誘電体フィルタに適用した例について説
明したが、本発明はこれに限ることなく、インターディ
ジタル型の誘電体フィルタに適用することもできる。そ
して、インターディジタル型は、共振子穴の開放端が誘
電体ブロックの前面と後面の交互に存在する。その結
果、例えば図１２に示すように、高調波成分除去片２３
を分割し、２枚の除去片２３を誘電体ブロック１０´の
後面の両側に取付けることでも対応できる。これによ
り、中央の共振子穴１１のオープン面（オープン端の開
口部分及びその周囲の面）は露出することになる。

【００３１】また、上記した各例では、いずれもオープ
ン面に高調波成分除去片を装着する場合には、共振子穴
のオープン端の開口部分も完全に覆うようにしたが（た
とえ覆っても導体膜１３（外部アースパターン）の厚さ
分だけ誘電体ブロックの素地部分とは離れているため、
共振子穴が高調波成分除去片を介してアースや他の共振
子穴と短絡することはない。）、このように覆ってしま
うと、上記したように高調波成分の除去という効果は発
揮するものの共振周波数のシフト等の問題が生じる（設
計時に係るシフト分を考慮して行なうことにより対処で
きる）。

【００３２】そこで、例えばオープン面の共振子穴の開
口部分に対向する部位を切除するようにした高調波成分
除去片を形成し、誘電体ブロックに対して位置合わせを
行ないつつ装着することにより、対応するようにしても
良い。一例を示すと、図１３に示すように、誘電体ブロ
ック１０´の後面に、その横幅が誘電体ブロック１０´
と等しく、しかも同図（Ｂ）に示すように、中央の共振
子穴のオープン端に対向する部位に円形状の開口２４ａ
を形成した高調波成分除去片２４を装着することにより
対応できる。

【００３３】そして、この例では、インターディジタル
型であるため、後面の中央にしか共振子穴のオープン端
が存在しないが、コムライン型の場合には、係る開口２
４ａが複数形成されることになる。また、他の形式とし
ては、図１２に示す各高調波成分除去片２３の幅を大き
くし、共振子穴１１のオープン端の近傍まで配置するこ
とにより対応してもよい等、種々の方式をとることがで
きる。

【００３４】図１４は本発明に係る誘電体フィルタにお
ける電波吸収構造の一実施例を示している。同図に示す
ように、本例では、上記した各実施例のように誘電体ブ
ロック１０の所定位置（図示の例では後面）に電波吸収
体，フェライト等からなる高調波成分除去片２５を装着
したものを前提としている。そして、誘電体フィルタに
装着されたリード１５を基板（ＰＣ板）２９上に形成し
たストリップライン２６に接続するが、このストリップ
ライン２６の所定部位を覆うようにして補助高調波成分
除去部材２７を配置する。この補助高調波成分除去部材
２７も、電波吸収体，フェライト等から構成され、本例
では、中央部分（ストリップライン２６の直上）２６ａ
が弧状に湾曲した形状からなり、その両端をカシメ金具
２８により抑えることにより基板２９上に固定するよう
になっている。なお、この基板２９は、実際の面実装時
のマザーボードでもよく、或いは、比較的小さなＰＣ板
で構成し、その上面に上記誘電体フィルタが実装されて
一体化して、部品（チップ）化したものでも良い。

【００３５】また、補助高調波成分除去部材の形状とし
ては、図１５に示すように、平板状（符合３０）でもよ
く、さらに、各図に示した例では、ストリップライン２
６の上側（ストリップラインを形成した基板表面側）に
設置したが、基板の裏面側に形成してもよい。

【００３６】そして、補助高調波成分除去部材と、上記
高調波成分除去片を構成する材質は、共に同一材料を用
いて構成してもよく、或いは異なる材料を用いてもよく
その組み合わせは任意である。さらに、高調波成分除去
片の設置位置も、図示するように誘電体ブロック１０の
後面側のみならず、前面側のみ或いは両側でもよく、ま
た、設置する際の形状も一枚の帯状に限らず複数分割し
たり、所定位置が開口されているなど、種々のものに適
用することができる。

【００３７】そして、その効果を検証するため、上記し
た各実施例と同様に、図１５に示すように誘電体ブロッ
クの後面に高調波成分除去片を形成するとともに、スト
リップライン上に平板状の補助高調波除去部材を装着し
てなるものを製造し、その周波数特性を求めた。なお、
各部の寸法形状は上記した実験と同様のものを用いた。
その結果、共に電波吸収体を用いた場合には図１６に示
すような特性が得られ、その共振周波数ｆ0 の時のイン
サーションロス（Ｉ．Ｌ．ＴＯＰ）は２．５ｄＢであ
り、３倍波の時のＡ．Ｔ．Ｔ．は３０ｄＢであった。ま
た、共にフェライト（ＮｉＺｎＦｅ）を用いた場合には
図１７に示すような特性が得られ、その共振周波数ｆ0
の時のインサーションロス（Ｉ．Ｌ．ＴＯＰ）は２．５
ｄＢであり、３倍波の時のＡ．Ｔ．Ｔ．は２２ｄＢであ
った。そして、いずれの場合も、インサーションロスの
低下はほとんどなく、３倍波での減衰量は大きく低減す
ることができた。

【００３８】なお、上記した実施例では、ストリップラ
イン上に補助高調波成分除去部材を装着したが、本発明
はこれに限ることなく、例えば図１８に示すように、リ
ード１５に両端開口の円筒状の補助高調波成分除去部材
３１を装着してもよい。この場合には、補助高調波成分
除去部材３１の寸法形状も小型化できるとともに、一体
の部品（チップ）化する場合にも、図１４，図１５のよ
うにストリップライン上に装着する場合に比べ小型化で
きる。これにより、本発明に係る誘電体フィルタの第２
実施例が構成される。このように本発明では、補助高調
波成分除去部材の設置位置は任意とすることができ、要
は、誘電体ブロックの所定位置に高調波成分除去片を装
着し、さらに、その誘電体フィルタに対する入出力信号
の経路で誘電体フィルタに近い部分に補助高調波成分除
去部材を配置すれば良い。

【００３９】なおまた上記した各実施例では、いずれ
も、図１９（Ａ）に示すように、共振子穴１１の外側に
入出力端子穴１２を設け、係る穴内にリード棒１５を挿
入した構成のものを用いたが、本発明はこれに限ること
なく、同図（Ｂ）に示すように、入出力端子穴を設ける
ことなく、外側の共振子穴１１内に樹脂性の筒体１６を
挿入し、その筒体１６にリード棒１５を挿入させるタイ
プのものでもよい。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る誘電体フィ
ルタ及びその誘電体フィルタにおける電波吸収構造で
は、誘電体フィルタから発生する整数倍数波は、電波吸
収体，フェライト等の高調波成分除去片により吸収等さ
れ、特に基本周波数も若干吸収されるものの悪影響を最
も及ぼす基本周波数の３倍波（奇数倍波）が大きく吸収
される。よって、帯域外減衰特性も大幅に改善され、良
好な周波数特性を得ることができる。

【００４１】そして、単に誘電体フィルタの側面所定位
置に板材（高調波成分除去片を装着するだけでよいの
で、その厚さ分だけ誘電体フィルタが大きくなるだけで
済み、別体のＬＰＦ等を装着する場合に比し、小型化す
ることができる。よって高品質で信頼性が高く、組立作
業（誘電体フィルタの製造・回路基板への実装等の作
業）が簡易で低コストになる。

【００４２】また、共振子穴のオープン端の開口部分を
完全に覆うことなく、係る開口部分に対向する部位を切
除するようにした高調波成分除去片を形成し、誘電体ブ
ロックに対して位置合わせを行ないつつ装着した場合
（請求項７，８）には、共振周波数が変動することな
く、効率良く周波数特性が改善され、また設計が容易に
行える。

【００４３】さらに、補助高調波成分除去部材を装着し
た場合（請求項９〜１１）には、上記した高調波成分除
去片の作用と相乗的に作用し、高調波成分が確実に除去
されそのインサーションロスがより低減され、より高品
質で高特性となる。そして、装着する補助高調波成分除
去部材も、単一の板材，筒体などから構成することがで
き、従来のＬＰＦのように複数の部品を組み合わせる必
要がないので、仮に別体の部品を設けたとしても、簡易
な構成とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る誘電体フィルタの第１実施例を示
す斜視図である。

【図２】第１実施例の誘電体フィルタを後側から見た斜
視図である。

【図３】（Ａ）は変形例を示す平面図である。（Ｂ）は
その正面図である。

【図４】さらに他の変形例を示す平面図である。

【図５】実験に用いた誘電体フィルタ等を示す図であ
る。

【図６】従来の誘電体フィルタの周波数特性を示す図で
ある。

【図７】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図８】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図９】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図１０】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図１１】（Ａ）は第１実施例のさらに他の変形例を示
す平面図である。（Ｂ）はその正面図である。

【図１２】（Ａ）は第１実施例のさらに他の変形例を示
す平面図である。（Ｂ）はその正面図である。

【図１３】（Ａ）は第１実施例のさらに他の変形例を示
す平面図である。（Ｂ）はその正面図である。

【図１４】本発明に係る誘電体フィルタにおける電波吸
収構造の第１実施例を示す図である。

【図１５】本発明に係る誘電体フィルタにおける電波吸
収構造の第２実施例を示す図である。

【図１６】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図１７】本発明品の周波数特性を示す図である。

【図１８】本発明に係る誘電体フィルタの第２実施例を
示す図である。

【図１９】本発明に係る誘電体フィルタの入出力端子構
成を示す図である。

【図２０】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１０，１０´ 誘電体ブロック１０ａ前面（オープン面）１０ｂ後面（ショート面）１１共振子穴１３導体膜１５リード（リード線）２０，２０´ 電波吸収体（高調波成分除去片）２２，２３，２４，２５高調波成分除去片２４ａ開口２６ストリップライン２７，３０，３１補助高調波成分除去部材２９基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも所定数の共振子穴を備えた誘
電体ブロックと、前記共振子穴の内面所定部位と、前記
誘電体ブロックの外表面の所定部位に形成された導体膜
とを備えた誘電体フィルタにおいて、前記誘電体ブロックの側面所定位置に、高調波成分除去
片を取り付けたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】前記高調波成分除去片が、フェライトか
らなることを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィル
タ。
【請求項３】前記高調波成分除去片が、電波吸収体か
らなることを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィル
タ。
【請求項４】前記高調波成分除去片の設置位置が、前
記共振子穴のオープン面に対応する前記外表面であるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘
電体フィルタ。
【請求項５】前記高調波成分除去片の設置位置が、前
記共振子穴のショート面に対応する前記外表面であるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘
電体フィルタ。
【請求項６】前記高調波成分除去片の設置位置が、前
記共振子穴のオープン面と、ショート面の両側に対応す
る前記外表面であることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載の誘電体フィルタ。
【請求項７】前記高調波成分除去片を前記オープン面
側に設置するに際し、その高調波成分除去片の少なくと
も所定の共振子穴に対向する部分を開口させたことを特
徴とする請求項１〜４，６のいずれか１項に記載の誘電
体フィルタ。
【請求項８】複数に分割された前記高調波成分除去片
を、前記誘電体ブロックの同一平面に所定の間隔をおい
て配置させたことを特徴とする請求項１〜４，６，７の
いずれか１項に記載の誘電体フィルタ。
【請求項９】前記誘電体ブロックに装着された入出力
端子となるリード線に、補助高調波成分除去部材を装着
したことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記
載の誘電体フィルタ。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれか１項に記載の
誘電体フィルタと、前記誘電体フィルタの入出力端子に接続されるストリッ
プラインと、前記ストリップラインが形成される基板に対し、そのス
トリップラインと重なる位置に装着された補助高調波成
分除去部材とから構成されてなることを特徴とする誘電
体フィルタにおける電波吸収構造。
【請求項１１】前記補助高調波成分除去部材が、電波
吸収体またはフェライトのいずれかであることを特徴と
する請求項１０に記載の誘電体フィルタにおける電波吸
収構造。