JPH0848370A - 透明ガスバリア材 - Google Patents
透明ガスバリア材Info
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- JPH0848370A JPH0848370A JP6179950A JP17995094A JPH0848370A JP H0848370 A JPH0848370 A JP H0848370A JP 6179950 A JP6179950 A JP 6179950A JP 17995094 A JP17995094 A JP 17995094A JP H0848370 A JPH0848370 A JP H0848370A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＰＥＴフィルム基材の片面にＴＭＤＳＯ、Ｏ
2 、およびＨｅの混合ガスを原料としてＰＥＣＶＤによ
ってＳｉＯ2 を形成し、真空蒸着法によってＭｇＯを蒸
着することにより、厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムから
なる基材１上に２０ｎｍの酸化珪素膜２と５０ｎｍの酸
化マグネシウム膜３からなる透明ガスバリア材となっ
た。 【効果】酸化珪素層を設けたため、基材との密着性の劣
化、およびそれによるガスバリア性の低下が抑えられ、
長期の保存にも耐えられるものとなった。
2 、およびＨｅの混合ガスを原料としてＰＥＣＶＤによ
ってＳｉＯ2 を形成し、真空蒸着法によってＭｇＯを蒸
着することにより、厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムから
なる基材１上に２０ｎｍの酸化珪素膜２と５０ｎｍの酸
化マグネシウム膜３からなる透明ガスバリア材となっ
た。 【効果】酸化珪素層を設けたため、基材との密着性の劣
化、およびそれによるガスバリア性の低下が抑えられ、
長期の保存にも耐えられるものとなった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は食品、医薬品、精密電子
部品等の包装分野に用いられる透明性を有するガスバリ
ア材に関するものである。
部品等の包装分野に用いられる透明性を有するガスバリ
ア材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、食品、医薬品、精密電子部品等の
包装分野に用いられる包装材料は、内容物の変質、特に
食品においては蛋白質や油脂等の酸化、変質を抑制して
味や鮮度を保持するために、また医薬品においては有効
成分の変質を抑制して効能を維持するために、さらに精
密電子部品においては金属部分の腐食を抑制して絶縁不
良等を防ぐために、包装材料を透過する酸素、水蒸気、
その他内容物を変質させる気体による影響を防止する必
要があり、これら気体（ガス）を遮断するガスバリア性
を備えることが求められている。
包装分野に用いられる包装材料は、内容物の変質、特に
食品においては蛋白質や油脂等の酸化、変質を抑制して
味や鮮度を保持するために、また医薬品においては有効
成分の変質を抑制して効能を維持するために、さらに精
密電子部品においては金属部分の腐食を抑制して絶縁不
良等を防ぐために、包装材料を透過する酸素、水蒸気、
その他内容物を変質させる気体による影響を防止する必
要があり、これら気体（ガス）を遮断するガスバリア性
を備えることが求められている。
【０００３】そのために、従来から塩化ビニリデン樹脂
をコートしたポリプロピレン（ＫＯＰ）やポリエチレン
テレフタレート（ＫＰＥＴ）或いはエチレンビニルアル
コール共重合体（ＥＶＯＨ）など一般にガスバリア性が
比較的高いと言われる高分子フィルムをガスバリア材と
して用いた包装フィルム、あるいはＡｌ箔などの金属
箔、または適当な高分子フィルム（単独では高いガスバ
リア性を有していない樹脂であっても）上にＡｌなどの
金属を蒸着した金属蒸着フィルムをガスバリア材として
用いた包装フィルムが一般的に使用されてきた。
をコートしたポリプロピレン（ＫＯＰ）やポリエチレン
テレフタレート（ＫＰＥＴ）或いはエチレンビニルアル
コール共重合体（ＥＶＯＨ）など一般にガスバリア性が
比較的高いと言われる高分子フィルムをガスバリア材と
して用いた包装フィルム、あるいはＡｌ箔などの金属
箔、または適当な高分子フィルム（単独では高いガスバ
リア性を有していない樹脂であっても）上にＡｌなどの
金属を蒸着した金属蒸着フィルムをガスバリア材として
用いた包装フィルムが一般的に使用されてきた。
【０００４】ところが、上述のＫＯＰやＫＰＥＴ、ＥＶ
ＯＨを用いた包装フィルムは、金属箔や金属蒸着フィル
ムと比べてガスバリア性に劣るばかりでなく、温度や湿
度の影響を受け易く、その変化によっては更にガスバリ
ア性が劣化することがある。さらにＫＯＰやＫＰＥＴ等
の塩化ビニリデン樹脂を用いた包装フィルムは、使用後
の廃棄において焼却処理すると塩素ガスを発生するた
め、これが酸性雨の原因の一つになると言われ、最近で
は敬遠される傾向がある。
ＯＨを用いた包装フィルムは、金属箔や金属蒸着フィル
ムと比べてガスバリア性に劣るばかりでなく、温度や湿
度の影響を受け易く、その変化によっては更にガスバリ
ア性が劣化することがある。さらにＫＯＰやＫＰＥＴ等
の塩化ビニリデン樹脂を用いた包装フィルムは、使用後
の廃棄において焼却処理すると塩素ガスを発生するた
め、これが酸性雨の原因の一つになると言われ、最近で
は敬遠される傾向がある。
【０００５】一方、金属箔や金属蒸着フィルムを用いた
包装フィルムは、温度や湿度の影響を受けることは少な
くガスバリア性には優れるが、不透明なため内容物を透
視して確認できない、あるいはマイクロ波を通さないた
め電子レンジによる加熱包材としては使えない、さらに
金属探知機による内容物検査も出来ないという欠点を有
していた。
包装フィルムは、温度や湿度の影響を受けることは少な
くガスバリア性には優れるが、不透明なため内容物を透
視して確認できない、あるいはマイクロ波を通さないた
め電子レンジによる加熱包材としては使えない、さらに
金属探知機による内容物検査も出来ないという欠点を有
していた。
【０００６】そこでこれらの欠点を克服した包装フィル
ムとして、最近では一酸化珪素（ＳｉＯ）などの珪素酸
化物薄膜や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜などを透明
高分子からなる基材上に真空蒸着などの手段によって設
けた蒸着フィルムが開発されており、一部は上市されて
いる。
ムとして、最近では一酸化珪素（ＳｉＯ）などの珪素酸
化物薄膜や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜などを透明
高分子からなる基材上に真空蒸着などの手段によって設
けた蒸着フィルムが開発されており、一部は上市されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳｉＯ
蒸着薄膜はガスバリア性が上述のＡｌ箔やＡｌ蒸着と比
較して劣ること、さらにＳｉＯ蒸着膜自体が薄黄色に着
色しているため、これを食品などの包装フィルムに用い
た場合には、内容物が変質していると思われることがあ
るといった問題がある。
蒸着薄膜はガスバリア性が上述のＡｌ箔やＡｌ蒸着と比
較して劣ること、さらにＳｉＯ蒸着膜自体が薄黄色に着
色しているため、これを食品などの包装フィルムに用い
た場合には、内容物が変質していると思われることがあ
るといった問題がある。
【０００８】またＭｇＯ蒸着薄膜は、無色透明で優れた
光透過性を有しており、ガスバリア性も上記ＳｉＯ蒸着
薄膜より若干優れるが、このＭｇＯ蒸着フィルムを包装
材として用いる場合、ＭｇＯ層が空気中の水分および二
酸化炭素と反応して、密度が低い上、高分子基材との密
着性の悪いヒドロオキシ炭酸マグネシウム（３ＭｇＣＯ
3 ・Ｍｇ（ＯＨ）2 ・３Ｈ2 Ｏ）に変化するため、膜が
割れてガスバリア性が低下してしまったり、基材となる
高分子フィルムから剥離してしまうという大きな問題点
があった。
光透過性を有しており、ガスバリア性も上記ＳｉＯ蒸着
薄膜より若干優れるが、このＭｇＯ蒸着フィルムを包装
材として用いる場合、ＭｇＯ層が空気中の水分および二
酸化炭素と反応して、密度が低い上、高分子基材との密
着性の悪いヒドロオキシ炭酸マグネシウム（３ＭｇＣＯ
3 ・Ｍｇ（ＯＨ）2 ・３Ｈ2 Ｏ）に変化するため、膜が
割れてガスバリア性が低下してしまったり、基材となる
高分子フィルムから剥離してしまうという大きな問題点
があった。
【０００９】これを解決する手段として、各種の樹脂を
アンカー層として用い基材と蒸着層との密着性を高める
ことが考えられる。しかし、アンカー層として樹脂を用
いると、適当な樹脂組成物を見つけるのが困難であった
り、樹脂に含まれる添加剤がＭｇＯ薄膜を形成すべき表
面にブリードして表面が粗面化されてしまい、高いガス
バリア性を有するＭｇＯ薄膜の形成が困難になるという
欠点があった。
アンカー層として用い基材と蒸着層との密着性を高める
ことが考えられる。しかし、アンカー層として樹脂を用
いると、適当な樹脂組成物を見つけるのが困難であった
り、樹脂に含まれる添加剤がＭｇＯ薄膜を形成すべき表
面にブリードして表面が粗面化されてしまい、高いガス
バリア性を有するＭｇＯ薄膜の形成が困難になるという
欠点があった。
【００１０】本発明は上記従来の欠点を解決するもので
あり、十分なガスバリア性を有し、且つ基材フィルムか
らのＭｇＯ層の剥離が起こらない実用性の高い透明ガス
バリア材を提供するものである。
あり、十分なガスバリア性を有し、且つ基材フィルムか
らのＭｇＯ層の剥離が起こらない実用性の高い透明ガス
バリア材を提供するものである。
【００１１】
【発明を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機
化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリ
ア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素と酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）を順次形成した積層構成であること
を特徴とする透明ガスバリア材である。
は、透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機
化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリ
ア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素と酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）を順次形成した積層構成であること
を特徴とする透明ガスバリア材である。
【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明に基づき、酸化珪素が、有機珪素化合物ガスまた
はシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガス
として、プラズマ活性化化学反応蒸着（以下、ＰＥＣＶ
Ｄと略す）によって形成された二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
であることを特徴とする透明ガスバリア材である。
の発明に基づき、酸化珪素が、有機珪素化合物ガスまた
はシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガス
として、プラズマ活性化化学反応蒸着（以下、ＰＥＣＶ
Ｄと略す）によって形成された二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
であることを特徴とする透明ガスバリア材である。
【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明に基づき、有機珪素化合物が、テトラメチレンジ
シロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチレンジシロキサ
ン（ＨＭＤＳＯ）のうちの一つ、または両者の混合物か
らなることを特徴とする透明ガスバリア材である。
の発明に基づき、有機珪素化合物が、テトラメチレンジ
シロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチレンジシロキサ
ン（ＨＭＤＳＯ）のうちの一つ、または両者の混合物か
らなることを特徴とする透明ガスバリア材である。
【００１４】本発明でいう透明高分子からなる基材と
は、通常の包装材料として用いられるポリオレフィン
（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリスチレン、
ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、
ポリアミド（ナイロンー６、ナイロンー６６等）、ポリ
カーボネイト、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン等）、ポリイ
ミド等、あるいはこれらの高分子の共重合体である。
は、通常の包装材料として用いられるポリオレフィン
（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリスチレン、
ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、
ポリアミド（ナイロンー６、ナイロンー６６等）、ポリ
カーボネイト、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン等）、ポリイ
ミド等、あるいはこれらの高分子の共重合体である。
【００１５】また、これらの高分子に既知の添加剤、例
えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑材、着色
剤、酸化防止剤、防曇剤等を含んだものであっても良
い。
えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑材、着色
剤、酸化防止剤、防曇剤等を含んだものであっても良
い。
【００１６】さらに、必要に応じてこれらの高分子基材
の表面に、コロナ処理、低温プラズマ処理、薬品処理、
溶剤処理等を施したものであってもかまわない。
の表面に、コロナ処理、低温プラズマ処理、薬品処理、
溶剤処理等を施したものであってもかまわない。
【００１７】上記基材上に最初に設ける酸化珪素層と
は、酸素と珪素との種々の化合物（ＳｉＯ、Ｓｉ2 Ｏ
3 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 等）のいずれか１つ、あるい
は２つ以上からなるものである。
は、酸素と珪素との種々の化合物（ＳｉＯ、Ｓｉ2 Ｏ
3 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 等）のいずれか１つ、あるい
は２つ以上からなるものである。
【００１８】酸化珪素はＭｇＯと比較すると高分子基材
との密着性が良く、また空気中の二酸化炭素や水分と反
応して炭酸化物や水酸化物に変化することもない。
との密着性が良く、また空気中の二酸化炭素や水分と反
応して炭酸化物や水酸化物に変化することもない。
【００１９】またこの酸化珪素層を透明高分子基材上に
設ける手段としては、通常の真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等のＰＶＤ法やプラズマ活性
化反応蒸着法（以下、ＰＥＣＶＤと略す）が用いられ
る。
設ける手段としては、通常の真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等のＰＶＤ法やプラズマ活性
化反応蒸着法（以下、ＰＥＣＶＤと略す）が用いられ
る。
【００２０】ここで上記酸化珪素が、有機珪素化合物ガ
スまたはシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原
料ガスとして、ＰＥＣＶＤによって形成された二酸化珪
素（ＳｉＯ2 ）である場合、酸化珪素層が透明高分子基
材表面と化学的に結合するため特に良好な密着が得られ
る。
スまたはシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原
料ガスとして、ＰＥＣＶＤによって形成された二酸化珪
素（ＳｉＯ2 ）である場合、酸化珪素層が透明高分子基
材表面と化学的に結合するため特に良好な密着が得られ
る。
【００２１】ここで上記有機珪素化合物ガスとはテトラ
メチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチレン
ジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等のことであるが、これら
に限定されるものではない。
メチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチレン
ジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等のことであるが、これら
に限定されるものではない。
【００２２】なお、この珪素酸化物層の最適な厚さは材
料の種類によって異なるが、一般には５〜１００ｎｍで
ある。５ｎｍ以下の厚さであると一般には膜にはならず
島状の構造になる。
料の種類によって異なるが、一般には５〜１００ｎｍで
ある。５ｎｍ以下の厚さであると一般には膜にはならず
島状の構造になる。
【００２３】逆に１００ｎｍ以上の厚さであった場合、
ＭｇＯのアンカー層としての密着性は満足するが、可撓
性、経済性の点で問題があるので、実用性の点から５〜
１００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
ＭｇＯのアンカー層としての密着性は満足するが、可撓
性、経済性の点で問題があるので、実用性の点から５〜
１００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００２４】次に、上記酸化珪素層の上に形成するＭｇ
Ｏ層の厚さは、３０〜２００ｎｍの範囲にあることが好
ましい。この層の厚さが３０ｎｍ以下であるとガスバリ
ア性が不十分であり、逆に２００ｎｍ以上であると可撓
性が悪くなるためである。
Ｏ層の厚さは、３０〜２００ｎｍの範囲にあることが好
ましい。この層の厚さが３０ｎｍ以下であるとガスバリ
ア性が不十分であり、逆に２００ｎｍ以上であると可撓
性が悪くなるためである。
【００２５】このＭｇＯ層を形成する手段としては、Ｐ
ＶＤ法、なかでも真空蒸着法が生産性の点から優れてお
り、電子線加熱方式により形成する。なお膜の密着性お
よび緻密性を向上させるため、プラズマアシスト法やイ
オンビームアシスト法を同時に用いてもかまわない。
ＶＤ法、なかでも真空蒸着法が生産性の点から優れてお
り、電子線加熱方式により形成する。なお膜の密着性お
よび緻密性を向上させるため、プラズマアシスト法やイ
オンビームアシスト法を同時に用いてもかまわない。
【００２６】さらに本発明の透明ガスバリア材上には、
必要に応じてヒートシール可能な熱可塑性樹脂や印刷層
をＭｇＯ層上または透明高分子基材上に積層することが
でき、また複数の樹脂を接着層を介して積層することも
可能である。
必要に応じてヒートシール可能な熱可塑性樹脂や印刷層
をＭｇＯ層上または透明高分子基材上に積層することが
でき、また複数の樹脂を接着層を介して積層することも
可能である。
【００２７】
【作用】以上述べたように透明高分子からなる基材上
に、それ自体のガスバリア性は十分なものではないが、
基材との密着性に優れ、その上空気中の二酸化炭素や水
分との反応性がなく基材との初期の密着性を保つことが
できる酸化珪素層とガスバリア性に優れるＭｇＯ層を順
次形成した。
に、それ自体のガスバリア性は十分なものではないが、
基材との密着性に優れ、その上空気中の二酸化炭素や水
分との反応性がなく基材との初期の密着性を保つことが
できる酸化珪素層とガスバリア性に優れるＭｇＯ層を順
次形成した。
【００２８】特に酸化珪素が有機珪素化合物ガスまたは
シラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガスと
して、ＰＥＣＶＤによって形成された二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）である場合、基材との間で化学的な結合を持つた
め良好な密着性が得られた。
シラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガスと
して、ＰＥＣＶＤによって形成された二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）である場合、基材との間で化学的な結合を持つた
め良好な密着性が得られた。
【００２９】また、酸化珪素へのＭｇＯ層の接着性が、
透明高分子基材への接着性よりも優れるため、ＭｇＯが
ヒドロオキシ炭酸マグネシウム等に変質しても、基材と
の密着性が十分に保持でき、ガスバリア性も保たれる、
実用性の高い包装材を得ることができた。
透明高分子基材への接着性よりも優れるため、ＭｇＯが
ヒドロオキシ炭酸マグネシウム等に変質しても、基材と
の密着性が十分に保持でき、ガスバリア性も保たれる、
実用性の高い包装材を得ることができた。
【００３０】
〔具体例１〕次に本発明の透明ガスバリア材を具体的な
実施例を挙げて図面を用いて詳細に説明する。
実施例を挙げて図面を用いて詳細に説明する。
【００３１】基材の透明高分子として、厚さ１２μｍの
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを使用
し、まずその片面にＴＭＤＳＯ、Ｏ2 、およびＨｅの混
合ガスを原料として誘導結合式のＲＦプラズマによるＰ
ＥＣＶＤによって約２０ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。次
いでその上に電子線加熱方式による真空蒸着法によって
ＭｇＯを約５０ｎｍの厚さに蒸着し、透明ガスバリア材
を得た。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを使用
し、まずその片面にＴＭＤＳＯ、Ｏ2 、およびＨｅの混
合ガスを原料として誘導結合式のＲＦプラズマによるＰ
ＥＣＶＤによって約２０ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。次
いでその上に電子線加熱方式による真空蒸着法によって
ＭｇＯを約５０ｎｍの厚さに蒸着し、透明ガスバリア材
を得た。
【００３２】得られた透明ガスバリア材の構造は、図１
の様に厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムからなる基材１上
に２０ｎｍの酸化珪素膜２と、５０ｎｍの酸化マグネシ
ウム膜３からなる層状構造となった。
の様に厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムからなる基材１上
に２０ｎｍの酸化珪素膜２と、５０ｎｍの酸化マグネシ
ウム膜３からなる層状構造となった。
【００３３】得られた透明ガスバリア材を４０℃ー９０
％ＲＨの恒温恒湿下で４週間保存し、その前後のガスバ
リア性を酸素透過率および水蒸気透過率の測定により評
価した。
％ＲＨの恒温恒湿下で４週間保存し、その前後のガスバ
リア性を酸素透過率および水蒸気透過率の測定により評
価した。
【００３４】また基材との密着性は、上記透明ガスバリ
ア材最外層のＭｇＯ層上に、約２ｇ／ｍ2 のポリエステ
ル系ウレタン接着剤を介して、厚さ６０μｍの無延伸ポ
リプロピレン（ＣＰＰ）をドライラミネートし十分にエ
ージングした後、引張り試験機を用いてラミネート強度
を測定することで評価した。
ア材最外層のＭｇＯ層上に、約２ｇ／ｍ2 のポリエステ
ル系ウレタン接着剤を介して、厚さ６０μｍの無延伸ポ
リプロピレン（ＣＰＰ）をドライラミネートし十分にエ
ージングした後、引張り試験機を用いてラミネート強度
を測定することで評価した。
【００３５】酸素バリア性は２５℃−１００％ＲＨの雰
囲気下で酸素透過率測定装置（モダンコントロール社製
ＭＯＣＯＮ ＯＸＴＲＡＮ １０／５０Ａ）を用いて
測定し、水蒸気バリア性は４０℃−９０％ＲＨ雰囲気下
で水蒸気透過度測定装置（モダンコントロール社製 Ｐ
ＥＲＭＡＴＲＡＮ Ｗ６）を用いて測定した。またラミ
ネート強度は引張り試験機（東洋ボールドウィン ＳＳ
−２０７−ＥＰ）を用い、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ、引張り角度１８０度の条件において測定した。
囲気下で酸素透過率測定装置（モダンコントロール社製
ＭＯＣＯＮ ＯＸＴＲＡＮ １０／５０Ａ）を用いて
測定し、水蒸気バリア性は４０℃−９０％ＲＨ雰囲気下
で水蒸気透過度測定装置（モダンコントロール社製 Ｐ
ＥＲＭＡＴＲＡＮ Ｗ６）を用いて測定した。またラミ
ネート強度は引張り試験機（東洋ボールドウィン ＳＳ
−２０７−ＥＰ）を用い、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ、引張り角度１８０度の条件において測定した。
【００３６】〔具体例２〕第一層としての酸化珪素をＨ
ＭＤＳＯ、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料として誘
導結合式のＲＦプラズマによるＰＥＣＶＤによって形成
した約２０ｎｍのＳｉＯ2 としたこと以外は具体例１と
全く同様にして作製し、評価した。
ＭＤＳＯ、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料として誘
導結合式のＲＦプラズマによるＰＥＣＶＤによって形成
した約２０ｎｍのＳｉＯ2 としたこと以外は具体例１と
全く同様にして作製し、評価した。
【００３７】〔具体例３〕第一層としての酸化珪素をＳ
ｉＨ4 、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料としてマイ
クロ波プラズマによるＰＥＣＶＤによって形成した約２
０ｎｍのＳｉＯ2としたこと以外は具体例１と全く同様
にして作製し、評価した。
ｉＨ4 、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料としてマイ
クロ波プラズマによるＰＥＣＶＤによって形成した約２
０ｎｍのＳｉＯ2としたこと以外は具体例１と全く同様
にして作製し、評価した。
【００３８】〔具体例４〕第一層としての酸化珪素を、
ＳｉＯを原料とし抵抗加熱方式の真空蒸着によって形成
した約２０ｎｍのＳｉＯとしたこと以外は具体例１と全
く同様にして作製し、評価した。
ＳｉＯを原料とし抵抗加熱方式の真空蒸着によって形成
した約２０ｎｍのＳｉＯとしたこと以外は具体例１と全
く同様にして作製し、評価した。
【００３９】〔比較例１〕第一層としての酸化珪素層を
設けずに、透明高分子基材上に直接約５０ｎｍのＭｇＯ
層を設け、具体例と同様に評価した。
設けずに、透明高分子基材上に直接約５０ｎｍのＭｇＯ
層を設け、具体例と同様に評価した。
【００４０】得られた透明ガスバリア材の構造は、図２
の様に厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムからなる基材１上
に５０ｎｍの酸化マグネシウム膜３からなる層状構造と
なった。
の様に厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムからなる基材１上
に５０ｎｍの酸化マグネシウム膜３からなる層状構造と
なった。
【００４１】〔比較例２〕ＰＥＴ基材の片面にＴＭＤＳ
Ｏ、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料として誘導結合
式のＲＦプラズマによるＰＥＣＶＤによって約２０ｎｍ
のＳｉＯ2 を形成しただけのものを比較例２とし、具体
例と同様に評価した。
Ｏ、Ｏ2 、およびＨｅの混合ガスを原料として誘導結合
式のＲＦプラズマによるＰＥＣＶＤによって約２０ｎｍ
のＳｉＯ2 を形成しただけのものを比較例２とし、具体
例と同様に評価した。
【００４２】上記具体例２〜４、および比較例１、２の
評価結果を具体例１の結果と同時に表１に示した。
評価結果を具体例１の結果と同時に表１に示した。
【００４３】
【表１】
【００４４】これらから基材上に酸化珪素層を設け、そ
の上にＭｇＯ層を形成したもの（具体例１〜４）は、直
接基材上にＭｇＯ層を設けたもの（比較例１）に対し、
保存後の酸素バリア性、水蒸気バリア性、および密着性
に優れることが認められた。また比較例２のＭｇＯ層を
設けないものは、密着性には優れるものの、バリア性が
劣っていた。また具体例の中ではＰＥＣＶＤによるもの
（具体例１〜３）の方が、通常の真空蒸着によるもの
（具体例４）よりも密着性が良かった。
の上にＭｇＯ層を形成したもの（具体例１〜４）は、直
接基材上にＭｇＯ層を設けたもの（比較例１）に対し、
保存後の酸素バリア性、水蒸気バリア性、および密着性
に優れることが認められた。また比較例２のＭｇＯ層を
設けないものは、密着性には優れるものの、バリア性が
劣っていた。また具体例の中ではＰＥＣＶＤによるもの
（具体例１〜３）の方が、通常の真空蒸着によるもの
（具体例４）よりも密着性が良かった。
【００４５】
【発明の効果】本発明における透明ガスバリア材は、透
明高分子基材とＭｇＯ層との間に酸化珪素層を設けた構
成のため、ＭｇＯ層が保存中に経時で変質することが原
因である基材との密着性の劣化、およびその密着性劣化
によるガスバリア性の低下が抑えられ、長期の保存にも
耐えられる実用性の高い透明ガスバリア材とすることが
可能となった。
明高分子基材とＭｇＯ層との間に酸化珪素層を設けた構
成のため、ＭｇＯ層が保存中に経時で変質することが原
因である基材との密着性の劣化、およびその密着性劣化
によるガスバリア性の低下が抑えられ、長期の保存にも
耐えられる実用性の高い透明ガスバリア材とすることが
可能となった。
【００４６】
【図１】本願発明の１実施例の概略部分断面図である。
【図２】従来例の概略部分断面図である。
１ 基材 ２ 酸化珪素膜 ３ 酸化マグネシウム膜
Claims (3)
- 【請求項１】透明高分子からなる基材の少なくとも片面
に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明
ガスバリア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素と
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を順次形成した積層構成で
あることを特徴とする透明ガスバリア材。 - 【請求項２】前記酸化珪素が、有機珪素化合物ガスまた
はシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガス
として、プラズマ活性化化学反応蒸着（以下、ＰＥＣＶ
Ｄと略す）によって形成された二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
であることを特徴とする請求項１に記載の透明ガスバリ
ア材。 - 【請求項３】前記有機珪素化合物が、テトラメチレンジ
シロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチレンジシロキサ
ン（ＨＭＤＳＯ）のうちの一つ、または両者の混合物か
らなることを特徴とする請求項２に記載の透明ガスバリ
ア材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6179950A JPH0848370A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 透明ガスバリア材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6179950A JPH0848370A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 透明ガスバリア材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0848370A true JPH0848370A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16074792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6179950A Pending JPH0848370A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 透明ガスバリア材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0848370A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000003928A1 (fr) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Daikin Industries, Ltd. | Materiau d'emballage pour matiere a mouler et element pour l'elaboration de semiconducteurs, procede d'emballage correspondant, et matiere a mouler et element pour l'elaboration de semiconducteurs emballes |
| WO2003031278A1 (en) * | 2001-10-02 | 2003-04-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Packaging materials and pacaking containers using the same |
| JP2011020334A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び装置 |
| WO2025249177A1 (ja) * | 2024-05-28 | 2025-12-04 | Dic株式会社 | ガスバリア性フィルム及び包装体 |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP6179950A patent/JPH0848370A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000003928A1 (fr) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Daikin Industries, Ltd. | Materiau d'emballage pour matiere a mouler et element pour l'elaboration de semiconducteurs, procede d'emballage correspondant, et matiere a mouler et element pour l'elaboration de semiconducteurs emballes |
| US6663924B1 (en) | 1998-07-17 | 2003-12-16 | Daiken Industries, Ltd. | Packaging material for molding material and parts for semiconductor production apparatuses, method for packaging by using same and packaged molding material and parts for semiconductor production apparatuses |
| WO2003031278A1 (en) * | 2001-10-02 | 2003-04-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Packaging materials and pacaking containers using the same |
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| JP2011020334A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び装置 |
| WO2025249177A1 (ja) * | 2024-05-28 | 2025-12-04 | Dic株式会社 | ガスバリア性フィルム及び包装体 |
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