JPH0850161A - 半導体デバイスの測定方法 - Google Patents
半導体デバイスの測定方法Info
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- JPH0850161A JPH0850161A JP6184434A JP18443494A JPH0850161A JP H0850161 A JPH0850161 A JP H0850161A JP 6184434 A JP6184434 A JP 6184434A JP 18443494 A JP18443494 A JP 18443494A JP H0850161 A JPH0850161 A JP H0850161A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
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- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定精度を保ちながら測定点数を減らし、測
定時間を短縮できるカットオフ周波数の測定方法を提供
する。 【構成】 利得を所定の値ｙADJに一致させるための測
定周波数範囲の最小、最大の２点の周波数ｘL，ｘHにお
けるそれぞれの利得ｙL，ｙHを測定する（図（ａ））。
この値を用いて、直線近似から利得を所定の値ｙADJに
一致させるための周波数の近似値ｘ’ADJを演算で求め
る。直線近似によって求められた周波数の近似値ｘ’
ADJが実際の周波数値であるｘADJと大きく異なっていた
場合、周波数特性を折れ線と仮定して近似する（図
（ｂ））。つまり、ｘL，ｘH間に任意の周波数ｘ1，ｘ2
をとり、それぞれの周波数での利得ｙL，ｙ1，ｙ2，ｙH
を測定する。次にｙADJがどの利得の間にあるか確認す
る。（ｂ）の場合、ｙADJがｙL，ｙ1間にあるため、直
線近似でｙADJでの近似値ｘ’ADJを演算で求める。
定時間を短縮できるカットオフ周波数の測定方法を提供
する。 【構成】 利得を所定の値ｙADJに一致させるための測
定周波数範囲の最小、最大の２点の周波数ｘL，ｘHにお
けるそれぞれの利得ｙL，ｙHを測定する（図（ａ））。
この値を用いて、直線近似から利得を所定の値ｙADJに
一致させるための周波数の近似値ｘ’ADJを演算で求め
る。直線近似によって求められた周波数の近似値ｘ’
ADJが実際の周波数値であるｘADJと大きく異なっていた
場合、周波数特性を折れ線と仮定して近似する（図
（ｂ））。つまり、ｘL，ｘH間に任意の周波数ｘ1，ｘ2
をとり、それぞれの周波数での利得ｙL，ｙ1，ｙ2，ｙH
を測定する。次にｙADJがどの利得の間にあるか確認す
る。（ｂ）の場合、ｙADJがｙL，ｙ1間にあるため、直
線近似でｙADJでの近似値ｘ’ADJを演算で求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は周波数特性および非直
線特性を有する半導体デバイスの測定方法に関するもの
である。
線特性を有する半導体デバイスの測定方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの出力信号における周波
数特性であるカットオフ周波数の測定をする場合、折れ
点である−３ｄＢ点に一致する周波数を見つけ出さなけ
ればならない。
数特性であるカットオフ周波数の測定をする場合、折れ
点である−３ｄＢ点に一致する周波数を見つけ出さなけ
ればならない。
【０００３】従来の方法としては、図３に示すように、
まず周波数の測定範囲を等間隔にｎ分割（図３ではｎ＝
１０とした）し、それぞれの周波数に対する利得を測定
し、所定の値ｙ0を間に含む利得ｙ4，ｙ5を与える周波
数ｘ4，ｘ5を求める。これにより、周波数の測定範囲の
１／ｎ（図３ではｎ＝１０）の分解能で、所定の利得を
与える周波数を求めることができる。
まず周波数の測定範囲を等間隔にｎ分割（図３ではｎ＝
１０とした）し、それぞれの周波数に対する利得を測定
し、所定の値ｙ0を間に含む利得ｙ4，ｙ5を与える周波
数ｘ4，ｘ5を求める。これにより、周波数の測定範囲の
１／ｎ（図３ではｎ＝１０）の分解能で、所定の利得を
与える周波数を求めることができる。
【０００４】さらに、周波数ｘ4，ｘ5間をｎ分割し、上
述と同様のことを行うことにより、周波数の測定範囲の
１／ｎ2の分解能で所定の利得を与える周波数を求める
ことができる。
述と同様のことを行うことにより、周波数の測定範囲の
１／ｎ2の分解能で所定の利得を与える周波数を求める
ことができる。
【０００５】このように、ｍ回同様のことを繰り返す
と、周波数の測定範囲の１／ｎmの分解能となる。要求
される測定精度に応じてｎおよびｍの値を選択すればよ
い。通常は、ｎ＝１０の場合、ｍの値は２〜３で十分で
ある。
と、周波数の測定範囲の１／ｎmの分解能となる。要求
される測定精度に応じてｎおよびｍの値を選択すればよ
い。通常は、ｎ＝１０の場合、ｍの値は２〜３で十分で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の方法
では、利得を所定の値ｙ0に一致させる場合、それに必
要とする時間は、測定点数×１回の測定時間で表すこと
ができ、測定点数が２０〜３０となるため、測定が完了
するまでに時間がかかるという問題があった。
では、利得を所定の値ｙ0に一致させる場合、それに必
要とする時間は、測定点数×１回の測定時間で表すこと
ができ、測定点数が２０〜３０となるため、測定が完了
するまでに時間がかかるという問題があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、測定精度を保ちながら測定点数を減らし、測定時間
を短縮できる半導体デバイスの測定方法を提供すること
を目的とする。
で、測定精度を保ちながら測定点数を減らし、測定時間
を短縮できる半導体デバイスの測定方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために半導体デバイスの出力信号における周波数特
性であるカットオフ周波数の測定において、出力信号の
周波数と利得の関係を折れ線近似することで、演算によ
り近似的にカットオフ周波数を求める。
するために半導体デバイスの出力信号における周波数特
性であるカットオフ周波数の測定において、出力信号の
周波数と利得の関係を折れ線近似することで、演算によ
り近似的にカットオフ周波数を求める。
【０００９】
【作用】この発明の構成によれば、出力信号の周波数と
利得の関係を折れ線近似することによって、近似による
測定精度を上げ、かつ測定点数を大幅に減らすことがで
きるため測定時間の大幅な短縮が可能となる。
利得の関係を折れ線近似することによって、近似による
測定精度を上げ、かつ測定点数を大幅に減らすことがで
きるため測定時間の大幅な短縮が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明における半導体デバイスの試
験回路図である。図１において、信号発生器１は半導体
デバイス２の入力端子４に接続され、半導体デバイス２
の入力信号を発生する。ＡＣレベルメーター３は半導体
デバイス２の出力端子５に接続され、半導体デバイス２
の出力信号を測定する。
験回路図である。図１において、信号発生器１は半導体
デバイス２の入力端子４に接続され、半導体デバイス２
の入力信号を発生する。ＡＣレベルメーター３は半導体
デバイス２の出力端子５に接続され、半導体デバイス２
の出力信号を測定する。
【００１２】図２は、図１に示す回路において測定され
る周波数特性を表し、周波数と利得との関係を示す図で
ある。
る周波数特性を表し、周波数と利得との関係を示す図で
ある。
【００１３】図２（ａ）に示すように、まず利得を所定
の値ｙADJに一致させるための測定周波数範囲の最小お
よび最大の２点の周波数ｘLおよびｘHにおけるそれぞれ
の利得ｙLおよびｙHを測定する。この測定値を用いて周
波数ｘと利得ｙとの関係を直線（一次関数）と仮定する
と利得ｘは、 ｙ＝ｙH＋（ｘ−ｘH）（ｙH−ｙL）／（ｘH−ｘL） ……（１） で表され、ｙADJ時の周波数の近似値ｘ’ADJは ｘ’ADJ＝ｘH＋（ｙADJ−ｙH）（ｘH−ｘL）／（ｙH−ｙL） ……（２） で表される。これにより、直線近似から利得を所定の値
ｙADJに一致させるための周波数の近似値ｘ’ADJを演算
で求めることができる。しかし、図２（ａ）に示すよう
に、直線近似によって求められた周波数の近似値ｘ’
ADJが、実際の周波数値であるｘADJと大きく異なってい
た場合、この近似は精度に欠けることになる。
の値ｙADJに一致させるための測定周波数範囲の最小お
よび最大の２点の周波数ｘLおよびｘHにおけるそれぞれ
の利得ｙLおよびｙHを測定する。この測定値を用いて周
波数ｘと利得ｙとの関係を直線（一次関数）と仮定する
と利得ｘは、 ｙ＝ｙH＋（ｘ−ｘH）（ｙH−ｙL）／（ｘH−ｘL） ……（１） で表され、ｙADJ時の周波数の近似値ｘ’ADJは ｘ’ADJ＝ｘH＋（ｙADJ−ｙH）（ｘH−ｘL）／（ｙH−ｙL） ……（２） で表される。これにより、直線近似から利得を所定の値
ｙADJに一致させるための周波数の近似値ｘ’ADJを演算
で求めることができる。しかし、図２（ａ）に示すよう
に、直線近似によって求められた周波数の近似値ｘ’
ADJが、実際の周波数値であるｘADJと大きく異なってい
た場合、この近似は精度に欠けることになる。
【００１４】そこで図２（ｂ）について説明する。図２
（ｂ）は周波数ｘL，ｘH間に任意の周波数ｘ1，ｘ2をと
り、それぞれの周波数ｘL，ｘ1，ｘ2，ｘHの利得ｙL，
ｙ1，ｙ2，ｙHを測定する。次にｙADJがどの利得の間に
存在しているか確認する。図２（ｂ）の場合はｙADJが
ｙL，ｙ1間に存在しているため、周波数ｘL，ｘ1におい
て上述と同様に周波数ｘと利得ｙとの関係を直線と仮定
することで、ｙADJ時の周波数の近似値ｘ’ADJを演算に
より求めることができる。
（ｂ）は周波数ｘL，ｘH間に任意の周波数ｘ1，ｘ2をと
り、それぞれの周波数ｘL，ｘ1，ｘ2，ｘHの利得ｙL，
ｙ1，ｙ2，ｙHを測定する。次にｙADJがどの利得の間に
存在しているか確認する。図２（ｂ）の場合はｙADJが
ｙL，ｙ1間に存在しているため、周波数ｘL，ｘ1におい
て上述と同様に周波数ｘと利得ｙとの関係を直線と仮定
することで、ｙADJ時の周波数の近似値ｘ’ADJを演算に
より求めることができる。
【００１５】つまり周波数特性を折れ線と仮定して近似
することにより、直線近似の場合に比べて、精度のよい
測定値が得られる。
することにより、直線近似の場合に比べて、精度のよい
測定値が得られる。
【００１６】図２（ｂ）は周波数を３分割した場合につ
いて示しているが、さらに分割数を多くすれば、折れ線
近似の精度がよくなる。
いて示しているが、さらに分割数を多くすれば、折れ線
近似の精度がよくなる。
【００１７】なお、実施例では周波数特性であるカット
オフ周波数の折れ線近似による測定方法について説明し
たが、周波数測定以外の非直線特性においても同様な折
れ線近似による測定を行える。
オフ周波数の折れ線近似による測定方法について説明し
たが、周波数測定以外の非直線特性においても同様な折
れ線近似による測定を行える。
【００１８】
【発明の効果】この発明の半導体デバイスの測定方法
は、近似による測定精度を上げ、かつ測定点数を大幅に
減らすことができるため測定時間の大幅な短縮が可能と
なる。
は、近似による測定精度を上げ、かつ測定点数を大幅に
減らすことができるため測定時間の大幅な短縮が可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における半導体デバイスの試
験回路図
験回路図
【図２】（ａ），（ｂ）は図１に示す回路において測定
される周波数特性を示す図
される周波数特性を示す図
【図３】従来例の測定方法を説明するための図
１ 信号発生器 ２ 半導体デバイス ３ ＡＣレベルメーター
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体デバイスの出力信号の周波数特性
を測定する方法において、上記出力信号の所定周波数の
間隔で利得を折れ線近似して、演算によりカットオフ周
波数を求めることを特徴とする半導体デバイスの測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184434A JPH0850161A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体デバイスの測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184434A JPH0850161A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体デバイスの測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850161A true JPH0850161A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16153092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6184434A Pending JPH0850161A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体デバイスの測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0850161A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6910947B2 (en) | 2001-06-19 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Control of chemical mechanical polishing pad conditioner directional velocity to improve pad life |
| US6913938B2 (en) | 2001-06-19 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of plasma-enhanced chemical vapor deposition processes |
| US6961626B1 (en) | 2004-05-28 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc | Dynamic offset and feedback threshold |
| US6984198B2 (en) | 2001-08-14 | 2006-01-10 | Applied Materials, Inc. | Experiment management system, method and medium |
| US6999836B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Method, system, and medium for handling misrepresentative metrology data within an advanced process control system |
| US7047099B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-05-16 | Applied Materials Inc. | Integrating tool, module, and fab level control |
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| US7356377B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | System, method, and medium for monitoring performance of an advanced process control system |
| US7354332B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP6184434A patent/JPH0850161A/ja active Pending
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