JPH08501827A - 銅の電解メッキ方法及び装置 - Google Patents

銅の電解メッキ方法及び装置

Info

Publication number
JPH08501827A
JPH08501827A JP6503610A JP50361094A JPH08501827A JP H08501827 A JPH08501827 A JP H08501827A JP 6503610 A JP6503610 A JP 6503610A JP 50361094 A JP50361094 A JP 50361094A JP H08501827 A JPH08501827 A JP H08501827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
copper
plating solution
pyrophosphate
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6503610A
Other languages
English (en)
Inventor
エル. グラフェンハイン,カール
エイ. マーフィ,デイヴィッド
エヌ. ホワイト,チャールズ
俊次 蜂須賀
Original Assignee
エイティアール ワイアー アンド ケーブル カンパニー,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイティアール ワイアー アンド ケーブル カンパニー,インコーポレイテッド filed Critical エイティアール ワイアー アンド ケーブル カンパニー,インコーポレイテッド
Publication of JPH08501827A publication Critical patent/JPH08501827A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 鋼18などの卑金属に銅を電解メッキする方法において、ピロリン酸塩メッキ液14を準備する工程、銅源としての水酸化銅をメッキ液14に添加配合する工程、及び不溶性陽極16と被メッキ卑金属18との間でメッキ液に通電する工程からなるメッキ方法。メッキ装置10はメッキトレー12銅の可溶源を含むピロリン酸塩メッキ液14、不溶性陽極16及び電源20からなる。銅メッキ製品Pについても開示があり、特許請求の範囲にいれてある。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 銅の電解メッキ方法及び装置 技術分野 本発明はメッキ技術、特に、不溶電極及びメッキ液からの銅イオンを使用して 鋼等の卑金属に銅メッキする新規な方法及び装置に関する。 発明の背景 銅メッキ鋼は各種の分野で広く利用されている。例えば、銅メッキワイヤは鋼 製ラジアルタイヤのタイヤコード、高圧ホースやベルト等に使用されている。 従来からの電解銅メッキでは、通常はピロリン酸銅及び硫酸銅からなるメッキ 液を利用している。ピロリン酸銅溶液はpHが中性で、硫酸銅からなるpHが酸 性の溶液よりも好ましいことが多い。ところが、どの溶液を選択するかに関係無 く、従来装置及び方法では可溶性の銅陽極を使用している。 例えば、ピロリン酸銅メッキ液の場合には、可溶性陽極に通常無酸素銅金属を 使用している。この陽極はチタンあるいはステンレス鋼からなる十荷電の電極バ スケットに設置する。メッキ時、陽極は変形する。すなわち、陽極から銅が溶離 して、メッキ液の消費された銅がこれ によって置換され 鋼をメッキするものである。この変形は、被メッキ鋼(機能 的陰極)の電流密度が比較的大きく変化するので、好ましくない。また、この結 果、鋼へのメッキにむらがでる。従って、メッキ品質に悪影響がある。 また、可溶性陽極には別な問題が、すなわち、陽極の銅の消費に応じて定期的 に銅交換する必要がある。この作業は不便であり、比較的時間がかかり、そして 通常は厄介な作業である。メッキ作業の場合、多くはかなりのダウンタイムが必 要であり、これもまた生産性に悪影響を与える。 別なメッキ作業 特に連続メッキ作業の場合、陽極交換時に、“スパーキング ”が発生する。スパーキングは、陽極が電極バスケット(+荷電)と被メッキ鋼 (−荷電)に同時に接触することを原因とする。スパーキングが生じると、メッ キ製品の完成状態にとって好ましくない表面欠陥が生じる。 発明の要約 従って、本発明の主目的は、従来技術に伴う上記問題及び欠点を解決及び取り 除くように改良した銅メッキ方法及び装置を提供することにある。 本発明のより特定的な目的は、被メッキ全面をより均質にメッキできることを 始めとして、いっそう改善された特性をもつ新規な銅メッキ方法及び装置を提供 するこ とにある。 本発明の別な目的は、非連続メッキ作業における可溶性陽極交換を原因とする ダウンタイムや生産性低下を実質的に改善する鋼の銅メッキ方法及び装置を提供 することにある。 本発明のさらに別な目的は、従来から利用されている可溶性陽極を連続メッキ 作業時に交換するさいに通常生じるスパーキング問題を解決できるようにしたメ ッキ方法及び装置を提供することにある。これによれば、スパーキングを原因と する表面欠陥は実質的に排除できるため、品質が全体的に改善された製品が得ら れる。 本発明のさらに別な目的は、不溶性陽極を利用するとともに、必要に応じて、 別な銅源をメッキ液に配合して、高品質の、一定の均質なメッキ作業を可能にす る鋼の銅メッキ方法及び装置を提供することにある。これによれば、陽極の定期 交換が必要ないため、厄介な作業が必要なくなる。 本発明のさらに別な目的は、本発明方法によって得られた、品質の改善された 銅メッキ鋼製品を提供することにある。 上記以外の本発明の目的、利点その他の特徴は、以下に続く記載により説明す るが、以下の記載を読めば当業者にとっては明らかなはずであり、また本発明を 実施すれば理解できるはずである。本発明の目的及び利点は特許請求の範囲で特 定する手段やその組合わせによって実 現することができる。 上記目的、及びこれ以外の目的を実現するために、そして本発明の上記目的に よれば、銅をメッキすることができる任意の卑金属に銅を電解メッキする新規な 方法が提供される。本方法では、電源、メッキトレー及び不溶性陽極からなるメ ッキ装置を使用する。 すなわち、本方法では、メッキトレーにピロリン酸塩メッキ液を準備する。こ のピロリン酸塩メッキ液は水、200〜400g/lのピロリン酸四カリウム( K427)及び40〜60g/lのピロリン酸銅(Cu227)で構成する。 さらに、このメッキ液には、0〜3g/lのポリリン酸を追加配合してもよい。 この酸を添加すると、メッキ液の初期pHを調節することができる。すなわち、 初期pHを7〜10にすると、選択した銅源をメッキ液に可溶化することができ る。 また、本方法は銅源をメッキ液に添加配合する工程も含むものである。好適な 銅源は水酸化銅(Cu(OH)2)である。この水酸化銅の場合、ピロリン酸塩 メッキ液に十分溶解できるもので、メッキのための銅イオンを、そしてメッキ 中に発生する水素イオンと反応する水酸化物イオンを発生する作用をもつのが有 利である。従って、この水酸化銅は、中和反応生成物として水を発生しつつ、メ ッキ液のpHレベルをメッキ中比較的一定に維持するものである。また、メッキ 副生物である水が環境に安全な方法で簡単に取扱えるのも有利である。なお、長 期間 にわたって連続操業した後でも、沈降物や危険な中和生成物がメッキ液中に蓄積 することはない。 不溶性陽極と被メッキ卑金属、例えば、鋼との間でメッキ液に通電することに よってメッキを完了する。この通電により、メッキが有効に進行する。メッキ液 から銅イオンが鋼に付着するで、より多くの水酸化銅を添加することによって銅 イオンを補給する。具体的には、メッキ中、メッキ液の水酸化銅の濃度を21. 5〜33.8g/lに維持する。この水酸化銅濃度レベルは、メッキ液を7〜1 0のpH範囲に、すなわち、水酸化銅がピロリン酸塩メッキ液に溶解でき範囲に 維持するのに有利である。 メッキをより効率的にかつより効果的に行うためには、実質的に8ボルトで実 質的に50アンペアの電流を通電して、電流密度を実質的に8〜10amps/ dm2、より好ましくは9amps/dm2に維持する。さらに、メッキ液を45 〜55℃、より好ましくは実質的に50℃の温度に維持する。また、メッキ液の 銅濃度を14〜22g/l、より好ましくは実質的に20g/lに維持する。一 定の形状及び質量を維持する不溶性陽極を用いてメッキするので、電流密度に変 動がなく、従って、極めて均質で、しかも品質の高い銅メッキを鋼に与えること ができる。加えて、陽極交換の必要がなく、また連続メッキが可能なので、従来 からの問題であるスパーキングを効果的に抑制でき、従って、スパーキングを原 因とす る表面欠陥を抑制できる。さらに、高い生産性を保証することができる。本発明 の別な態様は、鋼などの卑金属に銅メッキする装置に関する。この装置はステン レス鋼等の非腐食性材質で構成したメッキトレーからなる。メッキ用銅源を含む 上記ピロリン酸メッキ液をこのメッキトレーに準備する。さらに、一つ以上の不 溶性陽極をメッキトレーに設け、メッキ液に浸漬する。陽極は二酸化イリジウム (IrO2)か、あるいは二酸化イリジウム/白金(Pt)の複合膜の いずれ かで被覆したチタン(Ti)で構成するのが好ましい。 さらに、本メッキ装置は整流器等の電源を含み、これによって陽極と鋼との間 でメッキ液に通電して、メッキ液から銅を鋼に均質にメッキする。 より好適な構成では、上記装置に、水酸化銅をピロリン酸塩メッキ液に溶解す ることを特に目的とする溶解タンクを別に設ける。溶解タンクとメッキトレーと の間を流体連絡する導管を設ける。ポンプを使用して、水酸化銅を含むメッキ液 を溶解タンクからメッキトレーに送って、必要に応じて、銅を補給する。 加えて、上記装置にはメッキトレーのメッキ液のpH及び溶解タンクのメッキ 液のpHをモニターするpHモニターを設ける。メッキトレー中のメッキ液のp Hが7〜10のpH範囲の下限に近付くと、比較的高レベルで水酸化銅を含み、 従ってpHの高いメッキ液が溶解タンクからメッキトレーに送られる。このよう にして、メッ キ工程を通じて、水酸化銅を所望のpH範囲及びレベルに維持できる。 さらに別な本発明の態様は、上記方法によって製造した銅メッキ鋼製品に関す る。この製品は、品質の高い、均質な銅メッキ仕上げに特徴がある。 さらに別な本発明の目的は、本発明の最良の実施態様の一例を例示のみを目的 として、図面に関連して説明する以下の記載から当業者にとっては明らかになる はずである。なお、本発明にはこれ以外にも実施態様が可能であり、幾つかの細 部については、本発明から逸脱することなく、各種の自明な方法で変更可能であ る。従って、添付図面及び記載は本質的に説明的なもので、制限的なものではな い。 図面の簡単な説明 本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明のいくつかの態様を図示するの もので、本発明の説明とともに、本発明の原理を説明するものである。 図1は本発明装置の概略図である。 以下、一つの実施例が図示されている添付図面について本発明の好ましい実施 態様を説明することにする。 発明の詳細な説明 銅メッキすることができる卑金属に銅メッキする本発明装置10を示す図1に ついて説明する。この装置10 及び本方法を鋼ワイヤ18のメッキについて説明する。なお、他の金属ももちろ んメッキでき、鋼への言及は一例である。 図示のように、装置10はピロリン酸塩液等のメッキ液14を充填したメッキ トレー12からなる。このピロリン酸塩メッキ液14の成分は水、200〜40 0g/lのピロリン酸四カリウム(K427)、40〜60g/lのピロリン 酸銅(Cu227)、及び0〜3g/lのポリリン酸である。より好ましいメ ッキ液14の成分は実質的に300g/lのピロリン酸四カリウム、56g/l のピロリン酸金味 及び1g/lのポリリン酸である。最良の結果は、メッキ液 のメッキ温度を45℃〜55℃、より好ましくは実質的に55℃に維持したとき に得られる。 一つかそれ以上の陽極16を、メッキ液14を充填したメッキトレー12の底 部近傍に設ける。各陽極16は不溶性タイプでり、好ましくは二酸化イリジウム (IrO2)か、あるいは二酸化イリジウム/白金(Pt)の複合膜のいずれか で被覆したチタン(Ti)で構成した陽極である。 図示のように、メッキ液14の液面下に公知方法で被メッキ鋼18を通す。例 えば、この鋼18の形状は直径が1.0〜2.0mmのワイヤ形状であればよい 。メッキのさい、鋼18は合計で40〜50秒間、より好ましくは45秒間メッ キ液14に保持する。鋼ワイヤ18が 連続している場合には、メッキトレーの長さ、目的とするメッキ深さや使用する 電流密度に応じて、少なくとも2.6m/分までの速度でメッキトレー12のメ ッキ液に通す。 メッキに必要な電力は整流器等の電源20によって供給する。この整流器20 は、正リード線22を陽極16に電気的に接続し、そして負リード線24を鋼1 8(機能的陰極)に電気的に接続して、実質的に8〜10amps/dm2、よ り好ましくは9amps/dm2の一定の電流密度を与えるようにする。また、 実質的に8ボルトにおいて実質的に50ampsのレベルでメッキ液に通電する のが好ましい。これによってメッキ液14の銅イオンが鋼18に付着し、鋼18 をメッキする。 メッキ液14の銅イオンが消費されるため、これを補給する必要がある。この 場合、陽極16が不溶性なので、別な銅源を準備する必要がある。即ち、銅源を メッキ液14に直接供給する。具体的には、この銅源はメッキ液14に可溶なも のが好ましい。ピロリン酸塩メッキ液は水素イオン(H+)を含んでいるので、 銅(Cu)や酸化銅(CuO)などの通常の銅源は不溶であり、従って、適正 に機能しない。 炭酸銅(CuCO3)はピロリン酸塩メッキ液に可溶であるが、これを使用し た場合には炭酸が直ちに発生するので、所望通りには銅源としては機能しない。 即ち、メッキによって生じるメッキ液14のpH変化をこの炭酸 銅によっては抑制できない。このため、pHは低下を続け、最終的にはメッキを 妨害し、かつ鋼18を腐蝕するレベルになる。化学薬品をメッキ液14に添加配 合して、pH低下を抑制することは可能であが、炭酸塩が蓄積することには変わ りはない。最終的には、これら炭酸塩は沈降する程高いレベルに達し、メッキト レーから除去する必要がある。これにはダウンタイムが必要であり、生産性が低 くなる。換言すれば、炭酸銅も適当な銅源ではないということである。 一方、水酸化銅(Cu(OH)2)については、これをピロリン酸塩メッキ液 14の銅源として使用することができる。具体的には、ピロリン酸塩液のpH を7〜10の範囲、より好ましくは8〜9の範囲に、最適には8.1〜8.4の 範囲にした場合には、この水酸化銅はメッキ液に可溶する。 メッキ過程では、メッキ液14のpHは低下する。具体的には、次の反応式に 従ってメッキにより水素イオンが発生する。 有利には、次式に示すように、水酸化銅が必要な水酸化物イオンを与えて、メッ キ時に発生する水素イオンを相殺するか、これとのバランスを取る。 次に、下記の中和反応が生じる。 2H++2OH-→2H2O すなわち、水酸化銅をピロリン酸塩メッキ液の銅源として使用した場合、ネット 反応は次の通りである。 (メッキ)なお、メッキ過程でメッキ液から消費された銅を補給するのに十分な 量でメッキ液14に水酸化銅を添加配合する限りは、このメッキ液のpHは一定 レベルに維持される。 このためには、銅源からの銅イオンをメッキ液14について14〜22g/l 、好ましくは実質的に20g/lの濃度で維持する。換言すれば、水酸化銅を銅 源として利用する場合には、21.5〜33.8g/l、好ましくは実質的に3 0.7g/lの濃度を維持する。 メッキ過程で、水酸化銅濃度の一時的な変動、水の蒸発や漏液を原因としてメ ッキ液14のpHが若干変動することはいうまでもない。従って、従来から知ら れている適当な形のpHモニター装置26を準備して、メッキトレー12中のメ ッキ液のpHをモニターする。pHレベルが所望範囲(pH7〜10)に下限に 近付いた場合には、メッキ液に水酸化銅を補給して、メッキを続行するのに必要 な作業パラメータを維持する。 好ましくは、溶解タンク30から延長する導管28を介してポンプ32によっ て水酸化銅を添加配合する。具体的には、45〜55℃(好ましくは50℃)の 温度に維持し、pHがメッキトレー12中のメッキ液に相当する7〜10である ピロリン酸銅液36に水酸化銅粉を添 加配合する。所望ならば、溶解を促進するために、(図示しない)攪拌器を設け てもよい。さらに、第2のpHモニター装置38を設けて、溶解タンク30のピ ロリン酸塩メッキ液36のpHをモニターする。なお、溶解タンク30から所望 濃度、pHで、必要に応じて、水酸化銅溶液をメッキトレー12に加えて、最高 品質のメッキを保証する最適状態を設定することが可能である。 さらに、メッキの全過程を通じてその形状を維持する不溶性陽極16を利用す るため、可溶性陽極を利用した場合にしばしば生じる電流密度の有意味な変動は 認められない。従って、一定の、厚みが均一なメッキも可能になる。付随して、 消費された可溶性陽極を交換する必要もなくなる。従って、スパーキングの発生 、これを原因とするメッキ欠陥を避けることができる。 簡略に要約すると、本発明による鋼の銅メッキ方法では、既述のピロリン酸塩 メッキ液をメッキ時にメッキトレーに供給するため、メッキ液のpHを7〜10 、より好ましくは8〜9、最適には8.1〜8.4に維持できる。このためには 、メッキ液に水酸化銅を添加配合すればよい。この水酸化銅の場合、メッキ液に メッキのための銅を与えるとともに、メッキ時に発生する水素イオンと反応する 水酸化物イオンを与えるので有利である。事実、水酸化物イオンと水素イオンの 比は1:1であるため、pHの安定したメッキ液を効果的に得ることができる。 最後に、メッキは、メッキ液に8ボルトで実質的に 50ampsの電流を通電して行うため、8〜10amps/dm2、好適には 9amps/dm2の電流密度を保証できる。そして、この方法によると、メッ キ厚みが均一な、高品質銅メッキ鋼製品Pを得ることができる。 本発明を、以下、実施例によって説明することにする。 実施例1 不溶性金属陽極(IrO2で被覆した、厚みが20g/m2のチタン陽極;日新 化成製のモデルNY)をFRPメッキトレーに設けた。次に、300g/lのK227、56g/lのCu227、20g/lのCu(OH)2及び1g/l のポリリン酸を含むメッキ液(ピロリン酸塩全量:175g/l)を2501の 量でメッキトレーに容れた。このトレーは長さが2,000mm、幅が300m m、そして深さが150mmであった。メッキ液の温度を50℃にし、メッキ過 程を通じてメッキ液をこの温度に保持した。メッキ開始時のpHは8.1で、メ ッキ全体を通じてできるだけこのpHを維持した。このために、堀場製作所製の デジタルpHメーターを使用して、メッキ液のpHをモニターした。pHが下が り始めた時点で、溶解タンクからメッキトレーのメッキ液に水酸化銅のピロリン 酸溶液をポンプによって補給した。溶解タンクは容積が8801で、粉末銅含量 が61%で、銅を100kg/日の量でメッキできるものであった。この場合、 水酸化銅の使用量は164kg/日、即ち、 6.8kg/時間であった。銅の最大溶解量は5.0g/lであった。 直径が1.68mmの鋼ワイヤをメッキ液中でメッキトレーの上部付近に設け た。2.6m/分の移動速度でワイヤをメッキトレーに通した。即ち、浸漬時間 は45秒であった。ワイヤ及び陽極を、実質的に5.0ボルトで9.5amps に設定した整流器(中央製作所製のモデルFBS−080−500)の正負リー ド線にそれぞれ接続した。これにより、9amps/dm2の一定電流密度が得 られた。メッキ重量は鋼1kgにつき銅2.1gであった。得られたメッキは一 定品質で、深さが均一であった。 要約すると、本発明の技術思想を実現すると、数多くの利益が得られる。本発 明方法及び装置によると、消費された可溶性銅電極をモニターし、かつ交換する 必要がないため、メッキ方法を簡単にできる。従って、潜在的なスパーキング問 題を排除できる。さらに、不溶性陽極を利用するので、電流密度を一定にできる 。換言すれば、被メッキ鋼全面に均質かつ均一にメッキをできる。 例示のみを目的として、本発明の好適な実施態様について説明してきた。なお 、本発明を開示内容に制限する意図はない。上記の記載に照らせば、自明な変更 などが可能である。本発明の原理及びその応用を最もよく説明でき、これによっ て当業者が本発明の各種実施態様を実施でき、また意図する特定用途に適合する ように変更を 加えることができるように、実施態様を選択し、説明してきた。これら変更など はいずれも、正しくかつ法的に、しかも公正に付与された範囲に従って解釈した 場合に、特許請求の範囲によって定まる本発明の範囲内にあるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーフィ,デイヴィッド エイ. アメリカ合衆国 ケンタッキー州 40330, ハロッズバーグ,デイジ ストリート 217 (72)発明者 ホワイト,チャールズ エヌ. アメリカ合衆国 ケンタッキー州 40484, スタンフォード,トーマス レーン 155 (72)発明者 蜂須賀 俊次 茨城県 新治郡 出島村 宍倉 5707 土 浦工場及び研究所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.電源、メッキトレー及び不溶性陽極からなるメッキ装置を使用して卑金属 に銅を電解メッキする方法であって 該メッキトレーにピロリン酸塩メッキ液を準備する工程、及び 該不溶性陽極と該卑金属との間で該メッキ液に通電する工程、 からなるメッキ方法において、 不溶性陽極を利用するとともに、銅源を該メッキ液に添加配合することによっ て、実質的に一定な電流密度を維持し、該メッキ液から銅を均質に該卑金属にメ ッキすることを特徴とするメッキ方法。 2.該ピロリン酸塩メッキ液を水、200〜400g/1のピロリン酸四カリ ウム(K427)及び40〜60g/lのピロリン酸銅(Cu227)で構成 した請求の範囲第1項に記載のメッキ方法。 3.該ピロリン酸塩メッキ液がさらに0〜3g/lのポリリン酸を含む請求の 範囲第2項に記載のメッキ方法。 4.該ピロリン酸塩メッキ液のpHを7〜10に維持することからなる請求の 範囲第1項に記載のメッキ方法。 5.該メッキ液に水酸化銅を添加して、メッキのための銅源を与えるとともに 、メッキ中に発生した水素イオンと反応する水酸化物イオン与えることによって 該pH を7〜10に維持する請求の範囲第4項に記載のメッキ方法。 6.該メッキ液の水酸化銅濃度を21.5〜33.8g/lに維持することか らなる請求の範囲第5項に記載のメッキ方法。 7.該メッキ液の温度を45〜55℃に維持することからなる請求の範囲第6 項に記載のメッキ方法。 8.実質的に8ボルトにおいて実質的に50ampsで該不溶性陽極と該被メ ッキ卑金属との間で該メッキ液に通電して、実質的に8〜10amps/dm2 の電流密度を与えることからなる請求の範囲第6項に記載のメッキ方広 9.該メッキ液中の該銅源からの銅濃度を14〜22g/lに維持することか らなる請求の範囲第1項に記載のメッキ方法。 10.該メッキ液中の該銅源からの銅濃度を実質的に20g/lに維持するこ とからなる請求の範囲第1項に記載のメッキ方法。 11.該ピロリン酸塩メッキ液のpHを7〜10に維持することからなる請求 の範囲第2項に記載のメッキ方法。 12.該メッキ液に水酸化銅を添加して、メッキのための銅源を与えるととも に、メッキ中に発生した水素イオンと反応する水酸化物イオン与えることによっ て該pHを7〜10に維持する請求の範囲第11項に記載のメ ッキ方法。 13.該メッキ液の水酸化銅濃度を30.7g/lに維持することからなる請 求の範囲第12項に記載のメッキ方法。 14.該メッキ液の温度を45〜55℃に維持することからなる請求の範囲第 13項に記載のメッキ方法。 15.実質的に8ボルトにおいて実質的に50ampsで該不溶性陽極と該被 メッキ卑金属との間で該メッキ液に通電して、実質的に8〜10amps/dm2 の電流密度を与えることからなる請求の範囲第14項に記載のメッキ方法。 16. メッキトレー、 メッキのための銅源を有する該メッキトレー内のピロリン酸塩メッキ液、 該メッキ液中の陽極、及び 該陽極と卑金属との間で該メッキ液に通電して、該メッキ液から銅を該卑金属 に均質にメッキする電源からなる銅を卑金属にメッキする装置において、 該陽極が不溶性であることを特徴とするメッキ装置。 17.該ピロリン酸塩メッキ液をピロリン酸四カリウムとピロリン酸銅とで構 成した請求の範囲第16項に記載の銅メッキ装置。 18.該ピロリン酸塩メッキ液が200〜400g/lのピロリン酸四カリウ ムと40〜60g/lのピロリン酸銅を含む請求の範囲第17項に記載の銅メッ キ装置。 19.該ピロリン酸塩メッキ液が実質的に300g/lのピロリン酸四カリウ ムと56g/lのピロリン酸銅を含む請求の範囲第17項に記載の銅メッキ装置 。 20.該銅源が水酸化銅である請求の範囲第16項に記載の銅メッキ装置。 21.該メッキ液が21.5〜33.8g/lの水酸化銅を含む請求の範囲第 20項に記載のメッキ装置。 22.該メッキ液のpHが7〜10である請求の範囲第20項に記載の銅メッ キ装置。 23.該銅源が水酸化銅である請求の範囲第18項に記載の銅メッキ装置。 24.該メッキ液が21.5〜33.8g/lの水酸化銅を含む請求の範囲第 23項に記載のメッキ装置。 25.該メッキ液のpHが7〜10である請求の範囲第23項に記載の銅メッ キ装置。 26.該電源が実質的に8ボルトにおいて実質的に50ampsを与える整流 器である請求の範囲第16項に記載の銅メッキ装置。 27.水酸化銅を該メッキ液に溶解する溶解タンクをさらに有する請求の範囲 第16項に記載の銅メッキ装置。 28.さらに、該溶解タンクと該メッキトレーとを流体連絡する導管、及び該 溶解タンクから該メッキトレーにメッキ液を補給するポンプを有する請求の範囲 第27項に記載の銅メッキ装置。 29.さらに、該メッキトレー中の該メッキ液のpH をモニターするpHモニターを有する請求の範囲第16項に記載の銅メッキ装置 。 30.請求の範囲第1項に記載の方法に従って製造した銅メッキ製品。
JP6503610A 1992-09-15 1992-09-15 銅の電解メッキ方法及び装置 Pending JPH08501827A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US1992/007808 WO1994006953A1 (en) 1992-09-15 1992-09-15 Method and apparatus for electrolytically plating copper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08501827A true JPH08501827A (ja) 1996-02-27

Family

ID=22231377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6503610A Pending JPH08501827A (ja) 1992-09-15 1992-09-15 銅の電解メッキ方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5516414A (ja)
EP (1) EP0667923B1 (ja)
JP (1) JPH08501827A (ja)
CA (1) CA2105724A1 (ja)
DE (1) DE69219484D1 (ja)
WO (1) WO1994006953A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100647A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3308844B2 (ja) * 1997-02-20 2002-07-29 新日本製鐵株式会社 コレクターリングレスコンダクターロール
US6017437A (en) 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
US6024856A (en) * 1997-10-10 2000-02-15 Enthone-Omi, Inc. Copper metallization of silicon wafers using insoluble anodes
US5997712A (en) * 1998-03-30 1999-12-07 Cutek Research, Inc. Copper replenishment technique for precision copper plating system
DK1080252T3 (da) * 1998-05-16 2003-01-06 Blasberg Oberflaechentech Fremgangsmåde til elektrolytisk kobberplettering af substrater
US6022465A (en) * 1998-06-01 2000-02-08 Cutek Research, Inc. Apparatus and method utilizing an electrode adapter for customized contact placement on a wafer
US6187152B1 (en) 1998-07-17 2001-02-13 Cutek Research, Inc. Multiple station processing chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
US6017820A (en) * 1998-07-17 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Integrated vacuum and plating cluster system
US6183611B1 (en) 1998-07-17 2001-02-06 Cutek Research, Inc. Method and apparatus for the disposal of processing fluid used to deposit and/or remove material on a substrate
US6241825B1 (en) 1999-04-16 2001-06-05 Cutek Research Inc. Compliant wafer chuck
US6454864B2 (en) * 1999-06-14 2002-09-24 Cutek Research, Inc. Two-piece chuck
US6913680B1 (en) 2000-05-02 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition
WO2001090446A2 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio
EP1470268A2 (en) * 2000-10-03 2004-10-27 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6527934B1 (en) 2000-10-31 2003-03-04 Galvan Industries, Inc. Method for electrolytic deposition of copper
EP1207219A1 (en) * 2000-11-20 2002-05-22 PIRELLI PNEUMATICI S.p.A. Equipment and method for covering a metallic element with a layer of copper
US6911136B2 (en) * 2002-04-29 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process
US20040026255A1 (en) * 2002-08-06 2004-02-12 Applied Materials, Inc Insoluble anode loop in copper electrodeposition cell for interconnect formation
US20040206628A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath
US20050082172A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Applied Materials, Inc. Copper replenishment for copper plating with insoluble anode
US20050274620A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Kovarsky Nicolay Y Copper replenishment system for interconnect applications
US20060175201A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Hooman Hafezi Immersion process for electroplating applications
US20080156652A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Chang Gung University Cyanide-free pre-treating solution for electroplating copper coating layer on zinc alloy surface and a pre-treating method thereof
US20080156653A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Chang Gung University Cyanide-free pre-treating solution for electroplating copper coating layer on magnesium alloy surface and a pre-treating method thereof
US20100221574A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Rochester Thomas H Zinc alloy mechanically deposited coatings and methods of making the same
CN101892500A (zh) * 2010-04-27 2010-11-24 东莞东运机械制造有限公司 氧化铜镀铜新工艺
KR101717907B1 (ko) * 2016-03-29 2017-04-04 부성폴리콤 주식회사 근적외선 흡수의 백색물질과 그 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2250556A (en) * 1940-11-26 1941-07-29 United Chromium Inc Electrodeposition of copper and bath therefor
DE1496916B1 (de) * 1964-09-22 1969-10-23 Monsanto Co Cyanidfreies,galvanisches Bad und Verfahren zum Abscheiden galvanischer UEberzuege
BE755122A (fr) * 1969-06-20 1971-02-01 Albright & Wilson Procede de depot electrolytique de cuivre
US3775268A (en) * 1971-12-30 1973-11-27 Us Navy Use of lead in a nonorganic-containing copper pyrophosphate bath
US3833486A (en) * 1973-03-26 1974-09-03 Lea Ronal Inc Cyanide-free electroplating
US4904354A (en) * 1987-04-08 1990-02-27 Learonal Inc. Akaline cyanide-free Cu-Zu strike baths and electrodepositing processes for the use thereof
JPH0452296A (ja) * 1990-06-20 1992-02-20 Permelec Electrode Ltd 銅めっき方法
US5100517A (en) * 1991-04-08 1992-03-31 The Goodyear Tire & Rubber Company Process for applying a copper layer to steel wire

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100647A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0667923A4 (en) 1995-05-02
EP0667923A1 (en) 1995-08-23
EP0667923B1 (en) 1997-05-02
CA2105724A1 (en) 1994-03-16
US5516414A (en) 1996-05-14
WO1994006953A1 (en) 1994-03-31
DE69219484D1 (de) 1997-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0667923B1 (en) Method and apparatus for electrolytically plating copper
JP4221064B2 (ja) 銅層の電解析出方法
US4045304A (en) High speed nickel plating method using insoluble anode
JPH10121297A (ja) 不溶性陽極を用いた電気銅めっき装置及びそれを使用する銅めっき方法
CN111041532A (zh) 一种使用不溶性阳极电镀的镀镍电镀液配方及制备工艺
JPH06158397A (ja) 金属の電気メッキ方法
JPH05302199A (ja) 不溶性陽極を用いた銅めっき法における銅めっき浴の組成制御方法
JPS585997B2 (ja) 電鋳装置
JP5688145B2 (ja) ニッケルのpHを調整する方法及び装置
JP2006514712A (ja) ニッケル−チタン合金製歯科器具の電解研磨方法
JPH06248499A (ja) 亜鉛系合金電気めっき浴への亜鉛イオン供給装置
US20050167276A1 (en) Process for electrolytic coating of a strand casting mould
JPS6141799A (ja) 電気錫メツキ浴への錫イオン補給法
JPH0892794A (ja) ニッケル系めっき液中へのニッケル原料の供給方法
JP2009084671A (ja) 電気めっき方法
JP5561201B2 (ja) 電気コバルト又は電気ニッケルの製造方法
JPH11100700A (ja) アルミニウム製部品の中空部内面の電解研磨方法
JPS5854200B2 (ja) 電気メツキ浴における金属イオンの供給方法
JPS585994B2 (ja) 写真用漂白一定着浴よりの電解的銀回収法
JPS60135593A (ja) Ni―W合金連続めつき方法およびその装置
JP4610810B2 (ja) めっき液への亜鉛イオンの供給方法
US20260022489A1 (en) Method for controlling the chromium feed in an electrolysis process for producing chromium layers, and an electrolysis cell for this purpose
KR800000028B1 (ko) 전기주석 도금방법
RU2503751C2 (ru) Способ нанесения гальванических железных покрытий в проточном электролите с крупными дисперсными частицами
JPH0674520B2 (ja) Ni−W合金連続めっき用電解浴補給液