JPH08509074A - エレクトロルミネッセンス式ランプ用の３端子インバータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 エレクトロルミネッセンス式ランプに給電するためのインバータは、直流電流電源端子（６１）、接地端子（６２）、及び唯１つの出力端子（６３）を有している。高周波ポンプ回路（７１，７２）は，電気エネルギを第１端子（８６）及び第２端子（８７）を有するインダクタ（８８）に蓄積する。スイッチング回路（７３，７４）は、インダクタの第１及び第２端子を低い周波数で出力端子に交互に接続する。インバータからの出力は、高電圧で低周波の交流電流となる。

Description

【発明の詳細な説明】 エレクトロルミネッセンス式ランプ用の３端子インバータ 発明の背景 本発明は、エレクトロルミネッセンス式ランプ用の３端子インバータに関し、 特に、一方の電極を接地させたＥＬランプに使用できるインバータに関するもの である。 ＥＬランプは、本質的には、コンデンサであって強電界と非常に低い電流の存 在下で発光する蛍光体粉末を含む誘電体層を有したものである。その誘電体層は 、２つの電極の間に保持されていて、その電極の一方が透明である。ＥＬランプ はコンデンサであるため、蛍光体を発光させるためには交流電流（ＡＣ）を印加 しなければならず、そうしないとコンデンサは印加された電圧に充電され、ＥＬ ランプを通る電流が停止する。 腕時計やその他の用途例えばポケットベルにおいて、ＥＬランプは、小形電池 からの直流電流を交流電流に変換するインバータによって駆動される。通常は１ 乃至３ボルトである電池電圧は、インバータがランプに印加できる電圧を制限し てしまう。ＥＬランプが十分に発光するには、１２０ボルトを越えるピークピー ク電圧が必要となる。３ボルトから１２０ボルトへの変換は、変圧器無しには困 難であり、しかも変圧器は、腕時計や他の多くの用途には嵩ばり過ぎかつ高価過 ぎる。 ＥＬランプの両端の電圧を増大させるため、従来技術は、ＥＬランプをブリッ ジ回路のＡＣ対角部の両端に接続し、かつインバータからの出力をそのブリッジ 回路のＤＣ対角部の両端に接続すること、を教示している。ブリッジ回路は、Ｅ Ｌランプとインバータの間の接続を電気的に反転して、これにより印加される電 圧の極性を反転する。この結果、ＥＬランプの両端の電圧とランプを通る交流電 流とがおよそ倍になる。 低電圧を高電圧に変換するための１つの技術は、エネルギをインダクタに蓄積 するポンプ回路を使用するものである。これでは通常、インダクタとスイッチト ランジスタが電池の両端間に直列に接続されている。このスイッチトランジスタ とインダクタとの接合点は、ブリッジ回路のＤＣ対角部の一方の端子に接続して いる。スイッチトランジスタがオフにされると、インダクタにおける崩壊電界に よって高圧パルスが発生する。一連のこのようなパルスによってランプが充電さ れて、ランプが発光する。それら印加パルスの極性はブリッジ回路によって反転 され、そしてランプは次に、極性は逆であるがほぼ同じ電圧に充電される。 ＥＬランプを通る交流電流の周波数によって、ＥＬランプの寿命が影響される が、１０００ヘルツ以下の周波数が好ましい。周波数が低すぎると、フリッカが 顕著となりまた輝度が低くなってしまう。従って、１００乃至１０００ヘルツの 周波数が好ましい。インダクタとランプとは直列共振回路を形成するため、低周 波数での共振には大きなインダクタが必要となる。この問題を克服するために、 高周波（１０乃至１００ＫＨｚ）パルス列を低周波パルス列と組み合わせて、ス イッチトランジスタのベースに印加する。高周波パルスのバーストを用いること により、インダクタを有意に小形にできる。もしブリッジ回路を用いる場合には 、その低周波パルスのみがブリッジ回路内のスイッチングデバイスの制御電極に 印加する。 ブリッジ回路に関する１つの問題は、ＥＬランプをブリッジ回路のＡＣ対角部 に接続できるようにするためにＥＬランプを電気的に分離しなければならないこ とである。例えば時計面等の多くの用途に対して、ランプはそのデバイス用のパ ッケージとほぼ同じ広さであり、分離を困難にしている。ランプの一方の電極を 接地できるので、ランプを含むデバイスの構造が簡単になる。より重要なことに は、一方の電極を接地できるため、多セグメント表示器の各々を直列トランジス タを通して個別に接地できることにより、唯１つのインバータから多セグメント 表示器を駆動することができる。米国特許第３,９０８,１５０号には、各セグメ ントが別々にトランジスタを通して接地された多セグメント表示器が開示されて いる。 ブリッジ回路に関する別の問題は、安定性であり、特に、トランジスタの代わ りにＳＣＲを用いたブリッジ回路にある。インバータからの高電圧パルスは、そ のデバイス内に固有の寄生容量によって、トランジスタ又はＳＣＲの制御電極に 結合されるため、乱調子のトリガを生じてしまう。時々、ＥＬランプは充電する はずの時に放電してしまったり、またその逆もある。安定性は、ブリッジ回路へ の入力電圧が増大するにつれ、より問題となる。 上記に鑑み、本発明の目的は、一方の電極を接地させたＥＬランプに使用でき るインバータを提供することにある。 本発明の別の目的は、ＥＬランプへの接続のための一つの高電圧端子を有する インバータを提供することにある。 本発明の更に別の目的は、ランプへの接続を反転するためのブリッジ回路を使 用せずに、ＥＬランプを駆動するのに十分な電圧を有するインバータを提供する ことにある。 本発明の別の目的は、ＥＬランプ用のインバータであって、その唯１つの高電 圧端子に交互に接続される２つの端子を有するインダクタを含むインバータを提 供することにある。 本発明の更に別の目的は、エネルギをその中で再循環することにより電力消費 を低減させたインバータを提供することにある。 発明の摘要 上記の諸目的は、エレクトロルミネッセンス式ランプに給電するためのインバ ータが電源端子、接地端子、及び高電圧端子を含む本発明において達成する。こ のインバータにおける高周波ポンプ回路は、電気エネルギを第１端子と第２端子 を有するインダクタに蓄積する。前記第１端子、前記第２端子、及び前記高電圧 端子に接続されたスイッチング回路は、前記インダクタの前記第１端子と第２端 子を高電圧端子に低い周波数で交互に接続する。前記高電圧端子と前記接地端子 との間に接続したＥＬランプは、高電圧で低周波の交流電流を受ける。 図面の簡単な説明 本発明のより完全な理解は、以下の詳細な説明を添付の図面と共に考察するこ とにより得ることができ、これらの図面において、 図１は、先行技術に従って構成されたポンプ回路の回路図であり、 図２は、本発明に従って構成したポンプ回路の回路図であり、 図３は、図２に示した回路の動作を示す波形のチャートであり、 図４は、ＳＣＲの代替構成を例示しており、 図５は、シリコン制御スイッチの代替構成を例示しており、 図６は、本発明の好ましい実施例に従って構成したインバータの回路図であり 、そして 図７は、図４に例示したた回路に使用する制御信号のチャートである。 発明の詳細な説明 ＥＬランプ用インバータは、通常、インダクタに蓄積されたエネルギがＥＬラ ンプに高電圧の小電流として供給される“フライバック”インバータとして知ら れているものである。図１において、インバータ１０は、一連の高周波パルスを ランプ１２に供給する。トランジスタ１４がオフになって、トランジスタ１４と 直列インダクタ１５との接合点の電圧が増大する毎に、１つのパルスが発生する 。トランジスタ１４は導通していたため、インダクタ１５を通る電流によってこ の電流とインダクタ１５のインダクタンスとに比例する電界を確立していた。ト ランジスタ１４がオフすると、その電界は、トランジスタ１４のターンオフ特性 によって決まる速度で崩壊し、よってインダクタ１５の両端の電圧はδｉ／δｔ に比例する。従って、低電圧／高電流は高電圧／低電流に変換される。トランジ スタ１４がオフになる毎に、同じ量のエネルギがランプ１２に印加され、従って ランプにかかる電圧は、インバータからの一連の電流パルスによってポンプされ る。ダイオード１６は、ランプ１２がトランジスタ１４を通して放電するのを阻 止する。インバータ１０は、ＥＬランプを３ボルト電源から給電するには不十分 である。この電圧を２倍にしかつランプの極性を周期的に反転して交流電流を生 成するには、ブリッジ回路を付加しなければならない。 図２は、本発明に従って構成したインバータの機能図である。インバータ２０ は、電源端子２１、接地端子２２、及び高電圧端子２３を有する３端子デバイス である。インバータ２０内では、第１スイッチング回路２５が電流パルスをイン ダクタ２６を通してポンプし、第２スイッチング回路２７がインダクタ２６から の電流パルスを高電圧端子２３を通してＥＬランプ１２に接続する。 スイッチング回路２５は、電源端子２１と接地端子２２との間にインダクタ２ ６と直列回路を形成するスイッチ３１及び３２を含んでいる。スイッチング回路 ２７は、インダクタ２６の各端部と高電圧端子２３との間に接続したスイッチ３ ３及び３４を含んでいる。より詳細に述べると、スイッチ３３は、インダクタ２ ６の端部３７と高電圧端子２３との間に接続している。スイッチ３４は、インダ クタ２６の端部３８と高電圧端子２３との間に接続している。 スイッチ３１と３４が閉じて（導通）、スイッチ３３が開（非導通）になると 、この回路は図１の回路と同様に作動する。より詳細に述べると、スイッチ３２ は、高い周波数で開閉して、一連の高電圧パルスを生成し、これらは、インダク タ２６の端子３８からスイッチ３４を通して高電圧端子２３に接続される。スイ ッチ３２が開になると、インダクタ２６の電界が崩壊し、電流をスイッチ３２が 開になる前と同じ方向に流れ続けさせようとする。残存している唯一の電流経路 は、スイッチ３４を通ってランプ１２に至る経路であり、これによりランプ１２ の上部電極が正に充電する。ダイオード３５は、スイッチ３２が閉になるとラン プ１２から接地への電流を阻止する。 このサイクルの第２半部の期間中、スイッチ３２は閉になってその状態を保持 し、またスイッチ３４は開になってその状態を保持し、またスイッチ３３は閉に なってその状態を保持する。スイッチ３１は高い周波数速度で開閉し、インダク タ２６を通して一連の電流パルスを生成する。サイクルのこの半部の期間中、イ ンダクタ３６の端子３７はスイッチ３３を通してランプ１２に接続している。ス イッチ３１が開になると、インダクタ２６における崩壊電界は、電流をスイッチ ３１が開になる前と同じ方向に流れ続けさせようとする。端子３７はランプ１２ に接続されているため、この電流はランプ１２から引き出され、従ってランプ１ ２の上部電極を放電させ、最終的にこの電極を負に充電する。ダイオード３６は 、スイッチ３１が閉になると、ランプ１２から電源端子２１への電流を阻止する 。所与の数の高周波パルスの後、ランプ１２の上部電極はピーク電圧になり、そ してこのサイクルは終了する。 図３の波形は、スイッチ３１乃至３４の動作、並びにランプ１２の両端にその 結果として現れる電圧を示している。波形４１は、スイッチ３２の動作を示して おり、このスイッチは初期には閉となっており、そして低周波波形４３の第１半 サイクルの期間中、高い周波数で間欠的に開となる。波形４２は、スイッチ３１ の動作を示しており、波形４３の第１半サイクルの期間中は閉となっており、そ して第２半サイクルの期間中は間欠的に開となる。波形４３は、低い周波数で開 閉するスイッチ３３の動作を示している。波形４４は、スイッチ３３と逆に開閉 するスイッチ３４の動作を示している。波形４５は、波形４３のサイクルの第１ 半部の期間中増大するエレクトロルミネッセンス式ランプ１２にかかる電圧を示 している。サイクルの第１半部の終りにおいて、ランプ１２は放電し、次に第２ 半サイクルの期間中、ピーク電圧へと負に充電される。第２半サイクルの終りに おいて、ランプ１２は放電し、次に上記のように正に充電され、これにより、ブ リッジ回路なしにしかもランプの両電極を分離することなくランプを通して交流 電流を生成する。 個別のＳＣＲは通常、通常のスイッチング用途におけるＳＣＲの自動トリガを 軽減するために最小寄生容量となるように設計されている。自動トリガは、パル スがＳＣＲのゲートとアノード又はゲートとカソードとの間の寄生容量によって ＳＣＲのゲートに結合される時に生じる。ブリッジ回路において、自動トリガは 、不安定を引き起こす。 ＳＣＲ構成で接続したコンプリメンタリ対のトランジスタは、個別ＳＣＲより 大きな寄生容量を有している。図４に示すように、ＳＣＲ５１は、これの代わり として、ＳＣＲ構成で接続した１対のコンプリメンタリ・トランジスタ５２及び ５３で実現することができる。特に、ＮＰＮトランジスタ５２は、そのベースを ＰＮＰトランジスタ５３のコレクタに、そしてそのコレクタをトランジスタ５３ のベースに接続させている。ＮＰＮトランジスタのベースは、ＳＣＲのゲートと なる。図５において、シリコン制御スイッチ（ＳＣＳ）５５は、ＰＮＰトランジ スタのベースがスイッチのゲート電極として使用することを除いて、図４に示し たのと同じコンプリメンタリ対のトランジスタで実現している。 図６は、時計及びその他の小面積表示器に給電するのに好適なインバータを示 している。インバータ６０は、電源端子６１、接地端子６２、及び高電圧端子６ ３を含んでいる。ランプ１２の一方の電極は高電圧端子６３に接続しており、ラ 又はＹの符号を付してあり、図４に示した対応の符号を付した信号を受ける。ト ランジスタ７１は電源端子６１とインダクタ８８の間に接続しており、トランジ スタ７２はインダクタ８８と接地との間に接続している。ＳＣＲ７３は、高電圧 端子６３とインダクタ８８の端部８６との間に接続している。ＳＣＳ７４は、高 電圧端子６３とインダクタ８８の端部８７との間に接続している。ＳＣＲ７３と ＳＣＳ７４は、インダクタ８８の両端部と端子６３との間に、単極双投スイッチ を形成している。 スイッチ７２のベースに接続した駆動回路によって、抵抗性結合のみを用いた 場合よりもより迅速なスイッチ７２のスイッチングを確保する。より詳細に述べ ると、トランジスタ８１は、トランジスタ７２のエミッタ−ベース容量を排出さ せ、これによりトランジスタ７２はより迅速にオフにする。トランジスタ８２は 、ベース電流をトランジスタ７２に供給し、トランジスタ７２がより迅速にオン になって飽和するように確保する。同様にして、トランジスタ８３はトランジス タ７１をオフにし、トランジスタ８４はトランジスタ７１をオンにする。 図７において、信号Ａは、５０％のデューティ・サイクルを有する１００乃至 １０００ヘルツの信号である。信号Ｂは、１０−５０％のデューティ・サイクル む。信号Ｘは、論理的ＮＡＮＤ（ＡＮＤ＋インバータ）回路で信号Ａ及びＢを合 なる。 動作について、インダクタ８８の端部８６及び８７は、スイッチ７３及び７４ によって高電圧端子６３に交互に接続される。信号Ｘがハイになると、トランジ スタ８４はオンになって、トランジスタ７１をオンにする。トランジスタ７１は 、電源端子６１からインダクタ８８に電流を導く。信号Ａがローにある間、信号 Ｙは、トランジスタ７２を高い周波数で間欠的にオン／オフにする。トランジス タ７２がオフになると、インダクタ８８の回りの電界は高速度で崩壊し、これに より高電圧の正のパルスを発生し、このパルスは、インダクタ８８からダイオー ド９６及びＳＣＲ７４を通してランプ１２に導かれる。トランジスタ７２がオン になると、インダクタ８８を通る電流によって、次のパルスの発生に備えて電界 に エネルギを蓄積する。 ９２は非導通状態になる。トランジスタ９２は非導通状態になると、ＳＣＳ７４ は付勢され、パルスを高電圧端子６３に導く。これら正のパルスは、その電極間 寄生容量によってＳＣＳ７４のゲート電極に容量的に結合され、これによりＳＣ Ｓ７４を自動トリガする。 ランジスタ７２は、オンになり、そしてＹがローの間はオンの状態を保つ。この 半サイクルの期間中、信号Ｘは高い周波数でパルス化され、トランジスタ７１を 高い周波数でオン／オフにする。トランジスタ７１が導通状態になると、インダ クタ８８の回りの電界が充電され、トランジスタ７１がオフになると、電界が崩 壊し、これにより負の高電圧パルスが生成され、このパルスはダイオード９５及 びＳＣＲ７３を通ってランプ１２に導かれる。 かつトランジスタ９２がオンになってＳＣＳ７４を消勢する。インダクタ８８の 端部８６からの負のパルスは、ＳＣＲ７３のゲートに結合されて、ＳＣＲをオン にする。ダイオード９５は、ＳＣＲ７３よりも迅速に逆バイアス下でオフになり 、またダイオード９６はＳＣＳ７４よりも迅速に逆バイアス下でオフになり、こ れにより回路のスイッチング特性を改善している。ダイオード１０１は、トラン ジスタ９１のベース−コレクタ電流がＳＣＲ７３をトリガするのを阻止し、ダイ オード１０２は、トランジスタ９２のベース−コレクタ電流がＳＣＳ７４をトリ ガするのを阻止し、これにより回路の安定性を改善している。先行技術のブリッ ジ回路と異なり、ＳＣＲ７３とＳＣＳ７４のゲートのバイアスが、ＳＣＲ又はＳ ＣＳが間違った時間においてトリガしないように信頼性良く防止するには十分で あるため、自動トリガによって不安定性がもたらされることはない。 信号Ａの各サイクルの期間中、始めは正でそして次に負のパルスがランプ１２ に印加され、ランプ１２の容量が始めは正にそして次に負に充電される。矢印に よって示すように、インダクタ８８を通る電流は一方向、即ち、パルス状直流電 流となる。しかしながら、ランプ１２を通る電流は、信号Ａの周期と等しい周期 を有する交流電流となる。 以下は、図６の実施例に用いた部品のリストである。この列挙した特定の部品 は、例示のためのみであることを了解されるべきである。 全てのＰＮＰトランジスタ：ＭＰＳＡ−０５ 全てのＮＰＮトランジスタ：ＭＰＳＡ−５６ ＳＣＲ７３及びＳＣＳ７４：図４及び図５に示したように接続したコンプリメ ンタリ・トランジスタ 全てのダイオード：１Ｎ９１４ 全てのコンデンサ：１０００ｐｆ ベース抵抗器、トランジスタ７１及び７２：２ｋΩ その他の全ての抵抗器：１０ｋΩ これまで述べてきたように、図６の回路は低電圧用途、例えば時計やポケット ベルに好適である。図３において、ランプ１２は、波形４３の各半サイクルの始 めにおいて電池に放電する。例えば、ランプ１２の上部電極が正に充電された後 、スイッチ３４は開になり、スイッチ３３は閉になる。ランプ１２は、スイッチ ３３、ダイオード３６、及びスイッチ３１を通して端子２１に接続した電源に放 電する。本発明の１代替実施例においては、ランプ１２が各半サイクルの始めに おいて電源に放電するのを阻止するために、ダイオード１０５及び１０６を付加 する。ダイオード１０５は、ＳＣＲ７３が導通するときの正のパルスを阻止し、 ダイオード１０６は、ＳＣＳ７４が導通するときの負のパルスを阻止する。 ダイオード１０５及び１０６により、図６の回路は、わずかに異なった形式で 動作する。各半サイクルの始めにおいて電源を通って放電される代わりに、ラン プ１２は、インダクタ８８を通って放電し、これによりエネルギをインダクタに 蓄積する。このエネルギは、この半サイクルにおける次の高周波パルスによって ランプに再循環され、これにより、波形１１０における１１１に示されるように 各半サイクルにより高い初期電圧が生成され、インバータの電力消費が低減する 。この実施例は、３ボルトより大きな電圧のＤＣ電源に対して好ましいが、その 理由は、低電圧回路における順方向電圧降下によって、インダクタ８８の両端の 電圧降下を、３ボルトより低い電圧のＤＣ電源を用いた時よりも比較的低くする こ とができるからである。 上記の低電圧経路は、トランジスタ７１、ダイオード１０５、インダクタ８８ 、ダイオード１０６、及びトランジスタ７２を含んでいる。シリコンデバイスに 対して、飽和（完全導通状態の）トランジスタの順方向電圧降下は約０．２ボル トであり、ダイオードの順方向電圧降下は約０．６ボルトである。３ボルト電池 を用いた場合、インダクタの両端の最大電圧はたった１．４ボルトである。ダイ オード１０５及び１０６がないと、インダクタ８８の両端の最大電圧は２．６ボ ルトである。これより電圧が高くなると、これに比例して、インバータからラン プへのパルス毎に転送されるべき同じ量のエネルギに対してインダクタ８８を通 らなければならない電流の量が、減少する。電流が低下すると、電池の寿命が増 し、これにより、寿命は長いが大電流を発生できないリチウム電池を使用するこ とができる。 従って、本発明は、接地された電極を有するＥＬランプに使用できるインバー タを提供している。このインバータは、ＥＬランプへの接続のためただ１つの高 電圧端子しか有しておらず、ランプへの接続を反転するためのブリッジ回路の使 用を必要としていない。本インバータは、ポケットベルや時計用途においては低 電圧電池によって給電することができる。より高い電源電圧を用いる用途の場合 、本インバータは、ダイオード１０５及び１０６の付加によってある程度さらに 効率良くすることができる。 以上、本発明について説明してきたが、本発明の範囲内で種々の変更が可能で あることが当業者には明白であろう。例えば、特定の型のバイポーラトランジス タを使用しているとして説明しているが、これらのトランジスタの極性を反転で きること、即ち、ＮＰＮトランジスタをＰＮＰトランジスタに代替することある いはその逆ができることは、理解されるべきである。同様に、バイポーラトラン ジスタを用いた好ましい実施例で開示したが、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ） を代わりに使用できることも理解されるべきである。図７の制御信号は、当該分 野自体において周知の論理回路を用いて容易に得ることができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． エレクトロルミネッセンス式ランプに給電するためのインバータであっ て、電源端子、接地端子、高電圧端子、並びに第１端子及び第２端子を有するイ ンダクタ、を含むインバータにおいて、 前記電源端子と前記インダクタに接続した第１スイッチング回路であって、電 気エネルギを前記電源端子から前記インダクタにポンプする第１スイッチング回 路、 前記第１端子及び前記第２端子にかつ前記高電圧端子に接続した第２スイッチ ング回路であって、前記第１端子と前記第２端子を前記高電圧端子に交互に接続 する第２スイッチング回路、 を含むこと、を特徴とするインバータ。 ２． 前記第１スイッチング回路は、 前記第１端子と前記電源端子との間に接続した第１トランジスタ、及び 前記第２端子と前記接地端子との間に接続した第２トランジスタ、 を含むこと、を特徴とする請求項１に記載のインバータ。 ３． 前記第１スイッチング回路が、 前記第１トランジスタと前記第１端子との間に接続した第１ダイオード、及び 前記第２端子と前記第２トランジスタとの間に接続した第２ダイオード、 を更に含むこと、を特徴とする請求項２に記載のインバータ。 ４． 前記第２スイッチング回路が、 前記第１端子と前記高電圧端子との間に接続した第１半導体スイッチ、及び 前記第２端子と前記高電圧端子との間に接続した第２半導体スイッチ、 を含むこと、を特徴とする請求項１に記載のインバータ。 ５． 前記第１半導体スイッチ及び前記第２半導体スイッチは各々、シリコン 制御スイッチを含むこと、を特徴とする請求項４に記載のインバータ。 ６． 前記第１半導体スイッチ及び前記第２半導体スイッチは各々、ＳＣＲ構 成で接続したコンプリメンタリ対のトランジスタを含むこと、を特徴とする請求 項４に記載のインバータ。 ７． 前記第２スイッチング回路が、 前記第１半導体スイッチに直列の第１ダイオード、及び 前記第２半導体スイッチに直列の第２ダイオード、 を更に含むこと、を特徴とする請求項４に記載のインバータ。 ８． 表示器であって、 第１電極及び第２電極を有するエレクトロルミネッセンス式ランプ、及び 該エレクトロルミネッセンス式ランプに給電するためのインバータであって、 イ） 電源端子、 ロ） 前記第１電極に接続した出力端子、 ハ） 前記第２電極に接続した接地端子、 ニ） 第１端子及び第２端子を有するインダクタ、 ホ） 前記電源端子と前記インダクタに接続した第１スイッチング回路であっ て、電気エネルギを前記電源端子から前記インダクタにポンプする第１スイッチ ング回路、及び ヘ） 前記第１端子及び前記第２端子にかつ前記出力端子に接続した第２スイ ッチング回路であって、前記第１端子及び前記第２端子を前記出力端子に交互に 接続する第２スイッチング回路、 を含む前記のインバータ、 を含む表示器。 ９． 前記エレクトロルミネッセンス式ランプが３つ以上の電極を含むこと、 を特徴とする請求項８に記載の表示器。 １０． エレクトロルミネッセンス式ランプに給電するためのインバータであ って、 第１端子及び第２端子を有するインダクタ、 該インダクタに接続した第１スイッチング回路であって、高周波電気パルスを 前記インダクタを通して導くための第１スイッチング回路、 出力端子、 前記インダクタに接続した第２スイッチング回路であって、前記第１端子と前 記第２端子を低い周波数で前記出力端子に交互に接続するための第２スイッチン グ回路、 を含むインバータ。 １１． 前記第１スイッチング回路が、前記低い周波数の各半サイクルの始め においてエネルギを前記ランプから前記ランプへと再循環するための１対のダイ オードを含むこと、を特徴とする請求項１０に記載のインバータ。 １２． 第１電極及び第２電極を有するエレクトロルミネッセンス式ランプに 給電するための方法であって、前記第１電極が回路接地に接続した、前記の方法 において、 イ） 前記第１端子のみを前記ランプの前記第２電極に接続している間に、第 １端子及び第２端子を有するインダクタを通して直流電流を間欠的に通過させる 段階、 ロ） 前記第２端子のみを前記ランプの前記第２電極に接続している間に、直 流電流を前記インダクタを通して間欠的に通過させる段階、及び ハ） 前記ランプを通して交流電流を生成するために前記段階イ及びロを反復 する段階、 を含むこと、を特徴とする方法。 １３． 前記第１及び第２端子を低い周波数で前記第２電極に交互に接続して 、低周波交流電流を前記ランプを通して発生すること、を特徴とする請求項１２ に記載の方法。 １４． 前記直流電流が高い周波数で間欠であること、を特徴とする請求項１ ３に記載の方法。 １５． 前記直流電流が高い周波数で間欠であること、を特徴とする請求項１ ２に記載の方法。