JPH0851061A

JPH0851061A - 塗布膜形成方法及びその装置

Info

Publication number: JPH0851061A
Application number: JP6204196A
Authority: JP
Inventors: Kiyohisa Tateyama; 清久立山; Kimio Motoda; 公男元田; Kenji Sekiguchi; 賢治関口; Tsutae Omori; 伝大森
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1994-08-08
Filing date: 1994-08-08
Publication date: 1996-02-20
Anticipated expiration: 2016-04-25
Also published as: JP3160832B2

Abstract

(57)【要約】【目的】塗布液の少量化を図ると共に、塗布膜の均一
化を図る。【構成】開口部１２ａが蓋体１６によって閉止される
回転カップ１２４内に収容されるスピンチャック１０に
て基板Ｇを回転可能に支持する。基板Ｇの上方にスキャ
ン機構７０によって移動する噴頭６０に、溶剤供給ノズ
ル４０とレジスト液供給ノズル５０とを取付ける。これ
により、基板Ｇの上方に噴頭６０を移動して、回転して
いる基板Ｇの一面上に溶剤供給ノズル４０から溶剤Ａを
供給して溶剤Ａを基板Ｇの一面全体に拡散した後、レジ
スト液供給ノズル５０から基板Ｇの中心部上に、基板Ｇ
を所定の回転数で回転させながらレジスト液Ｂを供給し
て、基板Ｇの一面全体に渡って拡散させ、次いで、回転
カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６にて閉止した後、
再び基板Ｇを所定の回転数で回転させて、基板Ｇの一面
全体にレジスト膜を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばレジスト膜の
ような溶剤による液状塗布膜を、ＬＣＤ基板のような塗
布体上やこの上に形成された層の上に形成するための塗
布膜形成方法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体技術の分野では、
ＬＣＤ基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極
層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に、
半導体ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングと
して層の表面にレジスト膜を形成することが行われてい
る。

【０００３】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のＬＣＤ基板（以下に基板という）を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て渦巻状に拡散させて塗布する方法が知られている。

【０００４】この方法においては、レジスト液が基板の
中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程におい
て、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散す
る方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部と
では形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、基板
は、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するの
で、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界が
あった。

【０００５】このため、例えば、レジスト液の温度調
整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用
されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶
剤の蒸発を抑制する方法や、レジスト液塗布前にレジ
スト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法が考えられ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成
雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を
充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法で
は、レジスト液の使用量が多く、例えば、レジスト液の
塗布量の、数％しか実際のレジスト膜の形成に寄与して
いない。しかも、レジスト液の量が多いため、基板角部
裏面への廻り込みが生じ、基板角部裏面に付着したレジ
スト液が乾燥し、パーティクルの発生原因となるという
問題もあった。また、後者すなわちレジスト液塗布前
にレジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、
基板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、レジスト液等の塗布液の使用量が少なくて済み、か
つ均一な厚さの塗布膜を形成することの可能な塗布膜形
成方法及びその装置を提供することを目的とするもので
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、この発明の塗布膜形成方法は、処理容器内に収容さ
れる基板を、処理容器と共に回転させると共に、基板一
面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法におい
て、上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、上記基
板に、所定量の塗布液を供給し、第１の回転数で回転さ
せて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記
処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入す
る工程と、上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を第
２の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程と
を有することを特徴とするものである（請求項１）。

【０００９】この発明の塗布膜形成方法において、塗布
液の量は、基板の第１の回転数に応じて設定される（請
求項２）。

【００１０】また、塗布液の量と、基板の回転数とは、
塗布膜の膜厚変動が平均膜厚の±２％程度以下になるよ
うに設定されている（請求項３）。

【００１１】また、溶剤の塗布を基板の回転にて行うこ
とができる（請求項４）。この場合、基板の回転にて行
う溶剤塗布の回転数と、第１の回転数と第２の回転数と
は異なる回転数に設定されている（請求項５）。

【００１２】また、上記溶剤として塗布液の溶剤を塗布
する方が好ましい（請求項６）。

【００１３】また、塗布液の基板上への供給は任意の位
置であってもよいが、好ましくは基板のほぼ中心部上に
塗布液を供給する方がよい（請求項７）。

【００１４】また、この発明の塗布膜形成装置は、基板
の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直
な軸を中心として基板を回転させる手段と、上記基板を
包囲するカップ状をなし、基板を回転させる手段と共に
回転する処理容器と、上記処理容器の開口部を閉止する
蓋体と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手
段と、上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを
具備することを特徴とするものである（請求項８）。

【００１５】この発明の塗布膜形成装置において、塗布
液供給手段と塗布液を収容する塗布液供給源とを供給管
を介して連通し、上記供給管に、塗布液の供給量の調整
可能なポンプ手段を介設する方が好ましい（請求項
９）。この場合、上記ポンプ手段として、例えばベロー
ズポンプと、このベローズポンプにより塗布液が供給さ
れるようにこのベローズポンプを伸縮するステッピング
モータとを有するものを使用することができるし、ダイ
ヤフラムポンプ使用できる。勿論ポンプを使用せず圧送
にて吐出することもできる。

【００１６】また、上記溶剤供給手段と塗布液供給手段
の少なくとも１つに、温度調整手段を設ける方が好まし
い（請求項１０）。

【００１７】また、上記処理容器の開口部を閉止する蓋
体を、処理容器の閉止位置と処理容器から外れた待機位
置との間、移動可能に支持する蓋体移動手段を具備する
ことができる（請求項１１）。

【００１８】また、上記溶剤供給手段と塗布液供給手段
との少なくとも一方を支持し、支持した溶剤供給手段、
塗布液供給手段を、基板上方の供給位置と、供給位置か
ら外れた待機位置との間、移動可能に支持する手段を具
備することができる（請求項１２）。

【００１９】

【作用】上記技術的手段によるこの発明によれば、基板
の一面上に塗布液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板
のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を供給し、第１の回
転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させ、
そして、処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内
に封入した後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を第
２の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える。これ
により、溶剤に対する適正な配合割合の塗布液を供給す
ることができ、塗布液の使用量が少なくすることがで
き、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止すること
ができる。また、溶剤と塗布液との接触による塗布液の
粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成することが
できる。

【００２０】

【実施例】以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。ここでは、この発明の塗布膜成形方法
及び塗布膜形成装置をＬＣＤ（液晶表示）基板（ガラス
基板）のレジスト膜の形成方法及び形成装置に適用した
場合について説明する。

【００２１】この発明の塗布膜形成装置は、図１に示す
ように、被塗布体である角形状の基板、例えばＬＣＤ基
板Ｇ（以下に基板という）を水平状態に真空によって吸
着保持する回転体例えばスピンチャック１０と、このス
ピンチャック１０の上部及び外周部を包囲する処理室１
１を有する上方部が開口したカップ状の処理容器１２
（以下に回転カップという）と、回転カップ１２の開口
部１２ａに閉止可能に被着（着脱）される蓋体１６と、
この蓋体１６を閉止位置と待機位置に移動する蓋体移動
手段であるロボットアーム２０と、回転カップ１２の外
周側を取囲むように配置される中空リング状のドレンカ
ップ１４と、スピンチャック１０と回転カップ１２を回
転する手段である駆動モータ２１と、上記スピンチャッ
ク１０の上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤
（溶媒）Ａの供給ノズル４０（溶剤供給手段）と塗布液
例えばレジスト液Ｂの供給ノズル５０（塗布液供給手
段）とを近接させて一体に取り付けた噴頭６０と、この
噴頭６０を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移
動させる移動手段であるスキャン機構７０とを有する。
ノズル４０，５０からの溶剤供給路及びレジスト液供給
路のそれぞれには、中を流れる溶剤Ａ及びレジスト液Ｂ
を予め設定された温度（例えば２３℃）に設定するため
の温度調整液Ｃを循環供給する温度調整機構６１が設け
られている。

【００２２】上記スピンチャック１０は、予め設定され
たプログラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆
動モータ２１の駆動によって回転される回転軸２２を介
して水平方向に回転（自転）可能になっており、また回
転軸２２に連結される昇降シリンダ２３の駆動によって
上下方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸２２は、固定カラー２４の内周面にベアリング２５
ａを介して回転可能に装着される回転内筒２６ａの内周
面に嵌着されるスプライン軸受２７に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受２７には従動プーリ２８ａが
装着されており、従動プーリ２８ａには駆動モータ２１
の駆動軸２１ａに装着された駆動プーリ２１ｂとの間に
ベルト２９ａが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ２１の駆動によってベルト２９ａを介して回転軸２
２が回転してスピンチャック１０が回転される。また、
回転軸２２の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸２２はバキュームシール部３
０を介して昇降シリンダ２３に連結され、昇降シリンダ
２３の駆動によって回転軸２２が上下方向に移動し得る
ようになっている。

【００２３】上記回転カップ１２は、上記固定カラー２
４の外周面にベアリング２５ｂを介して装着される回転
外筒２６ｂの上端部に固定される連結筒３１を介して取
付けられており、回転カップ１２の底部１２ｂとスピン
チャック１０の下面との間にはシール機能を有するベア
リング３２が介在されてスピンチャック１０と相対的に
回転可能になっている。そして、回転外筒２６ｂに装着
される従動プーリ２８ｂと上記駆動モータ２１に装着さ
れる駆動プーリ２１ｂに掛け渡されるベルト２９ｂによ
って駆動モータ２１からの駆動が回転カップ１２に伝達
されて回転カップ１２が回転される。この場合、従動プ
ーリ２８ｂの直径は上記回転軸２２に装着された従動プ
ーリ２８ａの直径と同一に形成され、同一の駆動モータ
２１にベルト２９ａ，２９ｂが掛け渡されているので、
回転カップ１２とスピンチャック１０は同一回転する。
なお、固定カラー２４と回転内筒２６ａ及び回転外筒２
６ｂとの対向面にはラビリンスシール部３３が形成され
て回転処理時に下部の駆動系から回転カップ１２内にご
みが進入するのを防止している（図３参照）。

【００２４】また、回転カップ１２は、側壁１２ｃが上
側に向って縮径されたテーパ面１２ｅを形成してなり、
この側壁１２ｃの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ１２ｄが形成されている。そして、回転カップ１２の
上部周辺部すなわち内向きフランジ１２ｄには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔３４が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁１２ｃの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔３５が穿設されている。このように給気孔３４と排気
孔３５を設けることにより、回転カップ１２が回転する
際に、給気孔３４から処理室１１内に流れる空気が排気
孔３５から外部に流れるので、回転カップ１２の回転時
に処理室１１内が負圧になるのを防止することができ、
処理後に回転カップ１２から蓋体１６を開放する際に大
きな力を要することなく，蓋体１６を容易に開放するこ
とができる。

【００２５】一方、上記ドレンカップ１４の内部には環
状通路１４ａが設けられており、この環状通路１４ａの
外周壁の適宜箇所（例えば周方向の４箇所）には図示し
ない排気装置に接続する排気口３６が設けられると共
に、ドレンカップ１４の内周側上方部に排気口３６と連
通する放射状の排気通路３７が形成されている（図１参
照）。このようにドレンカップ１４の外周部に排気口３
６を設けると共に、ドレンカップ１４の内周側上方部に
排気口３６と連通する排気通路３７を形成することによ
り、回転処理時に処理室１１内で遠心力により飛散し排
気孔３４を通ってドレンカップ１４内に流れ込んだミス
トが回転カップ１２の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口３６から外部に排出することができる。

【００２６】上記環状通路１４ａは、ドレンカップ１４
の底部から起立する外側壁１４ｂとドレンカップ１４の
天井部から垂下する内側壁１４ｃとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁１４
ｂと内側壁１４ｃとの間に位置する底部１４ｄには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔１４ｅが設けられてい
る。

【００２７】また、ドレンカップ１４の内周面には、上
記回転カップ１２のテーパ面１２ｅに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面１４ｆが形成されて、回転カ
ップ１２のテーパ面１２ｅとドレンカップ１４のテーパ
面１４ｆとの間に微少隙間が形成されている。このよう
に下方に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成する
ことによって、回転カップ１２の回転時に回転カップ１
２とドレンカップ１４との間の上記微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ１２の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ１４内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ１２外へ飛散するのを防
止することができる。

【００２８】また、微少隙間を通って上方に向い回転カ
ップ１２外へ飛散しおうとするミストがあっても、排気
通路３７により吸引されてドレンカップ１４内に向い排
気口３６から排出される。

【００２９】上記実施例では、ドレンカップ１４が回転
カップ１２の外周側を取囲むように配置される場合につ
いて説明したが、ドレンカップ１４は必ずしも回転カッ
プ１２の外周側に配置される必要はなく、回転カップ１
２の下部側に配置してもよい。

【００３０】上記蓋体１６は回転処理時には回転カップ
１２の開口部１２ａに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図４に示すように、回転カップ１２の
上部に突出する固定ピン１７ａと、この固定ピン１７ａ
に嵌合する嵌合凹所１７ｂとを互いに嵌合させて蓋体１
６を回転カップ１２に固定している。この場合、固定ピ
ン１７ａの頂部を球面状に形成することにより、嵌合凹
所１７ｂとの接触によって発生するごみを少なくしてい
る。なお、固定ピン１７ａは必ずしも回転カップ側に突
出する必要はなく、蓋体側に固定ピン１７ａを突出さ
せ、回転カップ側に嵌合凹所１７ｂを設けてもよい。ま
た、嵌合凹所１７ｂ内を図示しない吸引手段に接続させ
て固定ピン１７ａと嵌合凹所１７ｂとの接触によって発
生するごみを外部に排出させるようにしてもよい。

【００３１】上記蓋体１６を開閉する場合には、図１に
想像線で示すように、蓋体１６の上面に突設された膨隆
頭部１８の下にロボットアーム２０を挿入し、膨隆頭部
１８に設けられた係止溝１８ａにロボットアーム２０か
ら突出する係止ピン２０ａを係合させた後、ロボットア
ーム２０を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体１６を開放するときの膨隆頭部１８の係
止溝１８ａとロボットアーム２０の係止ピン２０ａとの
位置合せ、及び蓋体１６を閉じるときの固定ピン１７ａ
と嵌合凹所１７ｂの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ２１の回転角を制御することによっ
て行うことができる。

【００３２】上記実施例では、蓋体１６と回転カップ１
２との固定を固定ピン１７ａと嵌合凹所１７ｂの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体１６
を回転カップ１２に固定すれば、蓋体１６の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体１６のガタツキ等を防止す
ることができる。

【００３３】なお、上記蓋体１６と基板Ｇとの中間位置
に、中心部分で蓋体１６に取着された基板Ｇ以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板（図示せず）を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時に更に確実に処理室１１
内の乱流の発生を防止することができる。

【００３４】一方、上記溶剤供給ノズル４０は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ４１と開閉バルブ４２を介し
て溶剤タンク４３に接続されており、溶剤タンク４３内
に供給される窒素（Ｎ₂ ）ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク４３内の溶剤Ａが基板Ｇ上に所定時間
中所定量の溶剤Ａの供給が可能となっている。

【００３５】レジスト液供給ノズル５０は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ５１を介してレジ
スト液Ｂを収容するレジスト液タンク５２（塗布液供給
源）に連通されている。このチューブ５１には、サック
バックバルブ５３、エアーオペレーションバルブ５４、
レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構５５、フィルタ５６及びベローズポンプ５７が順次設
けられている。このベローズポンプ５７は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Ｂをレジスト液供給ノズル５０を介して基板Ｇ
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Ｂの供給量より少量のレジスト液Ｂの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたネジと、このネジに螺合される
ナットとからなるボールネジ５８と、このナットを回転
させることによりネジを直線動させるステッピングモー
タ５９とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
５０の口径は、具体的には、５００×６００ｍｍの基板
用の場合には、内径がφ０．５〜φ５ｍｍ、好ましくは
φ３ｍｍに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Ｂをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。

【００３６】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ５７
のステッピングモータ５９の駆動時間によって制御（制
御精度：±２ｍｓｅｃ）されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ５７の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ５４の
開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ５７の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ５４のＯＮ−ＯＦＦ
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。

【００３７】レジスト液Ｂの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル５０に設けた可変オリフィス（図示せず）
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ５７を用いずにレジスト液タンク５２へのＮ
₂ ガスの加圧によってレジスト液Ｂの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Ｂの吐出時間制御は
Ｎ₂ ガスの加圧量の調整によって行うことができる。

【００３８】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ５３は、レジスト液供給ノズル５０からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル５０先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Ｂをレジ
スト液供給ノズル５０内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Ｂを吐出す
るレジスト液供給ノズル５０において、通常通りサック
バックバルブ５３の負圧作用によってレジスト液Ｂをレ
ジスト液供給ノズル５０内に引き戻すと、ノズル５０先
端付近の空気も一緒にノズル５０内に巻き込まれてしま
い、ノズル５０先端に付着したレジスト液Ｂの残滓がノ
ズル５０内に入り、ノズル５０の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Ｇが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。

【００３９】この問題を解決するために、図５（ａ）に
示すように、レジスト液供給ノズル５０のノズル孔５０
ａに比較して、開口部近くの部分の肉厚５０ｂを厚くし
ている。すなわち、このノズル５０は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図５（ｂ）に示すように、レジスト液供
給ノズル５０の筒状の先端部又は開口部に外フランジ５
０ｃを設けることにより、サックバックの際にノズル５
０先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図５（ｃ）に示すように、レジスト液供給ノズル
５０の垂直に延びた円筒状の先端に横Ｓ字状に延びた細
径の屈曲部５０ｄを形成し、この屈曲部５０ｄの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。

【００４０】上記温度調整機構６１（温度調整手段）
は、図６に示すように、溶剤供給チューブ４１及びレジ
スト供給チューブ５１の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路６２と、この温度調整液供
給路６２の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路６３と、循環路６３のそれぞれに設けられた循環ポン
プ６４と、循環路６３の途中に接続された温度調整液Ｃ
（例えば恒温水）を一定温度に維持するサーモモジュー
ル６５とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構６１により、溶剤供給チューブ４１内を流
れる溶剤Ａとレジスト供給チューブ５１内を流れるレジ
スト液Ｂを所定温度（例えば、約２３℃）に維持するこ
とができる。

【００４１】図６上では、溶剤供給ノズル４０と溶剤供
給チューブ４１とが、また、レジスト液供給ノズル５０
とレジスト液供給チューブ５１とが、それぞれ一体に形
成されているが、図７を参照して以下に詳述するよう
に、別体として形成することも好ましい。

【００４２】上記噴頭６０は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭６０の上面には迂回通路６０ｂの一部をなすＵ字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭６０の下
面まで延出した垂直貫通孔６０ｃが形成されている。各
貫通孔６０ｃは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部６０ｄと、大径の下部６０ｅとを有し、この下部６
０ｅの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭６０に、ノズル４０，５０を装着する場合に
は、貫通孔６０ｃ中に、円筒状のノズル４０，５０をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
４０，５０が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材６６を傾斜中部６０ｄに
詰め、ノズル４０，５０が貫通可能な垂直貫通孔を有す
る取付けねじ部材６７をねじ付け下部５ｃ中に捩入する
ことにより、シール部材６６を中部６０ｄの傾斜内周面
に押圧させている。このようにして、ノズル４０，５０
は噴頭６０に液密に装着されている。この場合、中間部
５ｂの上面とシール部材６６との上面との間に図示のよ
うにＯリング６８を介在させることにより、迂回通路１
５とノズル４０，５０との間の水密維持を更に確実にす
ることができる。

【００４３】上記噴頭６０の一側の上面には保持ピン６
０ａが突設されており、この保持ピン６０ａを把持する
スキャンアーム７１がスキャン機構７０によってＸ，Ｙ
（水平）及びＺ（垂直）方向に移動することにより、噴
頭６０すなわち溶剤供給ノズル４０及びレジスト液供給
ノズル５０が基板Ｇの中心部上方の作動位置とノズル待
機部７２上方の待機位置との間に選択的に移動されるよ
うになっている。

【００４４】なおこの場合、レジスト液の種類に応じて
４種類の噴頭６０が配設されている（図２参照）。すな
わち、ノズル待機部７２には、４つの噴頭６０が準備さ
れており、これらの噴頭６０のレジスト液供給ノズル５
０は、それぞれ粘性等の異なる別のレジスト液が入った
タンクに連通されている。この場合、各噴頭６０にはレ
ジスト液供給ノズル５０のみを設けておき、溶剤供給ノ
ズル４０はスキャンアーム７１の先端に予め取着してお
いて全ての噴頭６０に対して共通に使用できるようにし
てもよい。また、この場合には、溶剤供給ノズル４０を
複数個、例えば直線状に配管して、基板の径方向に沿っ
て一度に複数箇所から溶剤を供給するようにしてもよ
い。この場合、異なる吐出径のノズルを備え、吐出流量
の大小や吐出流量の変化に対応させて、各ノズルからの
吐出を任意に制御するようにしてもよい。

【００４５】なお、ノズル待機部７２と対向する側には
リンス液供給ノズル４５の待機部４６が設けられている
（図２参照）。また、上記回転カップ１２の下部側の回
転せず固定された連結筒３１内に洗浄ノズル４７を配設
することにより、回転カップ１２及び蓋体１６の内面を
洗浄することができる。すなわち、回転軸２２に取付け
られたブラケット４８にて洗浄ノズル４７を保持し、洗
浄ノズル４７に接続する洗浄液供給管４９を固定カラー
２４内に設けた通路（図示せず）を介して外部の図示し
ない洗浄液供給源に接続することによって、図３に想像
線で示すように、スピンチャック１０を上昇させてスピ
ンチャック１０と回転カップ１２の底部との間から洗浄
ノズル４７を臨ませて洗浄液を回転する回転カップ１２
及び蓋体１６の内面に噴射することができる。

【００４６】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図８のフローチャ
ートを参照して説明する。

【００４７】まず、回転カップ１２の蓋体１６を開放
し、そして、基板Ｇを、図示しない搬送アームによって
静止したスピンチャック１０上に移動させ、基板Ｇを真
空吸着によってスピンチャック１０が保持し基板Ｇを支
持する。次に、スピンチャック１０の回転駆動により基
板Ｇを処理時の定常回転より低速に回転（回転数：例え
ば１００〜６００ｒｐｍ，加速度：３００〜５００ｒｐ
ｍ／ｓｅｃ）させると共に、回転カップ１２を同じ速度
で回転させる。この回転中に、スキャン機構７０によっ
てスキャンアーム７１に把持されて基板Ｇの中心部上方
に移動させられた噴頭６０の溶剤供給ノズル４０から基
板表面に塗布液の溶剤Ａとして例えばエチルセロソルブ
アセテート（ＥＣＡ）を例えば２０秒（ｓｅｃ）間で例
えば２６．７ｃｃ供給例えば滴下する（ステップ）。
この供給手段はスプレーでもよい。また、基板Ｇを回転
させずに静止した状態で溶剤Ａを滴下し、その後回転し
てもよい。このようにして溶剤Ａを２０ｓｅｃ間供給し
た後、スピンチャック１０及び回転カップ１２の回転数
を上記低速回転数による回転状態で溶剤Ａの供給を停止
する（ステツプ）。

【００４８】次に、スピンチャック１０を、高速回転
（第１の回転数：６００から１０００ｒｐｍ程度の範囲
例えば１０００ｒｐｍ，加速度：３００〜６００ｒｐｍ
／ｓｅｃ）させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部にレジスト液供給ノズル５０ａから塗布液例えばレ
ジスト液Ｂを例えば５ｓｅｃ間供給例えば１０ｃｃ滴下
する（ステップ）。このときの溶剤Ａが乾燥する時期
は、予め実験により求めることができる。例えば、基板
Ｇの表面を目視し、光の干渉縞が見えている間は乾燥し
ておらず、乾燥したら干渉縞が見えなくなるので、その
時期を知ることができる。この場合５ｓｅｃ間の供給時
期には、上記したベローズポンプ５７の駆動時間を制御
でき、レジスト液の供給量を正確にかつ微妙に制御でき
るように構成されている。このようにしてレジスト液Ｂ
を５ｓｅｃ供給（滴下）した後、レジスト液Ｂの供給を
停止すると同時に、スピンチャック１０及び回転カップ
１２の回転を停止する（ステップ）。

【００４９】レジスト液供給を停止し、レジスト液供給
ノズル５０を待機位置に移動した後、ロボットアーム２
０によって蓋体１６を回転カップ１２の上方開口部１２
ａに閉止して回転カップ１２内に基板Ｇを封入する（ス
テップ）。

【００５０】このようにして回転カップ１２の開口部１
２ａを蓋体１６で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク１０及び回転カップ１２を例えば１５ｓｅｃ間、回転
（第２の回転数：例えば１３５０ｒｐｍ，加速度：５０
０ｒｐｍ／ｓｅｃ）させてレジスト膜の膜厚を整える
（ステップ）。塗布処理が終了した後、スピンチャッ
ク１０及び回転カップ１２の回転を停止した後、ロボッ
トアーム２０によって蓋体１６を待機位置に移動させ
て、図示しない搬送アームによって基板Ｇを取出して、
塗布作業を完了する。

【００５１】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はＬＣＤ基板Ｇのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するＬＣＤ基板Ｇのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。

【００５２】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図９に示すように、基板Ｇを搬入・搬出するローダ部９
０と、基板Ｇの第１処理部９１と、中継部９３を介して
第１処理部９１に連設される第２処理部９２とで主に構
成されている。なお、第２処理部９２には受渡し部９４
を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するた
めの露光装置９５が連設可能になっている。

【００５３】上記ローダ部９０は、未処理の基板Ｇを収
容するカセット９６と、処理済みの基板Ｇを収容するカ
セット９７を載置するカセット載置台９８と、このカセ
ット載置台９８上のカセット９６，９７との間で基板Ｇ
の搬出入を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方
向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９
９とで構成されている。

【００５４】上記第１処理部９１は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム８０の搬送路１０２
の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
１２０と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置１３０と、基板Ｇの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置１０５と、基板Ｇを所定温度に冷
却する冷却処理装置１０６とを配置し、搬送路１０２の
他方の側に、この発明の塗布膜形成装置である塗布処理
装置１０７及び塗布膜除去装置１０８を配置してなる。

【００５５】一方、上記第２処理部９２は、第１処理部
９１と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム８０ａを有し、このメインアーム８０ａの
搬送路１０２ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置１０９を配置し、搬送路１０２ａの他方の側
に、現像装置１１０を配置している。

【００５６】また、上記中継部９３は、基板Ｇを支持す
る支持ピン９３ａを立設する受渡し台９３ｂを有する箱
体９３ｃの底面にキャスタ９３ｄを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部９３を第１処理部
９１及び第２処理部９２から引出して、第１処理部９１
又は第２処理部９２内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。

【００５７】なお、上記受渡し部９４には、基板Ｇを一
時待機させるためのカセット１１１と、このカセット１
１１との間で基板Ｇの出入れを行う搬送用ピンセット１
１２と、基板Ｇの受渡し台１１３が設けられている。

【００５８】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット９６内に収容された未処理の
基板Ｇはローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって
取出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１２０内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１２０内にてブラシ洗浄された
基板Ｇは引続いてジェット水洗浄装置１３０内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アド
ヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置１０６にて冷却された後、この発明に係る塗
布膜形成装置１０７にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置１０８によって基板Ｇの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。したがって、この後、基板Ｇを搬出す
る際には縁部のレジスト膜は除去されているので、メイ
ンアーム８０にレジストが付着することもない。そし
て、このフォトレジストが加熱処理装置１０９にて加熱
されてベーキング処理が施された後、露光装置９５にて
所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Ｇ
は現像装置１１０内へ搬送され、現像液により現像され
た後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完
了する。

【００５９】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部９０のカセット９７内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。

【００６０】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル４０を噴頭６０にレジスト液供給ノズル５０と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、図１０に示す実施例のように示すよう
に、リンス液供給ノズル４５を有する噴頭４６と一体的
に設けて溶剤を供給してもよい。

【００６１】この例では、溶剤の供給路とレジスト液の
供給路とに、共通の温度調節機構６１が配設されている
（図１１参照）。噴頭６０とスキャン機構７０のスキャ
ンアーム７１とは一体に形成され、噴頭６０とスキャン
アーム７１に温度調整液供給路６２を形成し、この供給
路６２内に溶剤供給チューブ４１とレジスト液供給チュ
ーブ５１とを配管して、同一の温度調整液Ｃによって溶
剤Ａとレジスト液Ｂとの温度調節を行えるようにしてい
る。このように構成することにより、温度調節機構６１
の構造を簡略化することができると共に、溶剤Ａとレジ
スト液Ｂとを同一の温度に維持することができる。

【００６２】噴頭６０とノズル４０，５０との配列並び
に構成は上記例に限定されるものではなく、例えば図１
２ないし図１５に示すようにしてもよい。図１２に示す
例は、レジスト液供給ノズル５０の外周にこれと同軸的
に溶剤供給ノズル４０を配置した場合である。このため
に、レジスト液供給ノズル５０と溶剤供給ノズル４０と
を二重管構造にし、かつ溶剤供給ノズル４０の先端をレ
ジスト液供給ノズル５０の先端よりも下方に突出させて
いる。勿論、溶剤供給ノズル４０の先端をレジスト液供
給ノズル５０の先端とが同一レベルになるように、もし
くは前者の方が短くなるように構成してもよい。代わっ
て、溶剤供給ノズル４０の外側にレジスト液供給ノズル
５０を配設するようにしてもよい。また、図１３に示す
ように、レジスト液供給ノズル５０と溶剤供給ノズル４
０とが併設され、これらの吐出口６９が共通となってい
る機構を採用してもよい。

【００６３】図１４に示すように、噴頭６０内に形成さ
れ中央に吐出口６９を有する環状の溶剤貯留タンク６０
ｆ内の溶剤中に溶剤供給ノズル４０の先端を挿入すると
共に、レジスト液供給ノズル５０の先端をタンク６０ｆ
内の上部に位置させて、気化した溶剤の雰囲気にノズル
５０の先端を晒すようにしてもよい。このように、レジ
スト液供給ノズル５０の先端外周に溶剤供給ノズル４０
の先端を配置することにより、レジスト液供給ノズル５
０に付着するレジストを溶剤によって洗浄することがで
きると共に、レジスト液の乾燥を防止することができ、
レジスト液の乾燥によるパーティクルの発生を防止する
ことができる。

【００６４】また、図１５に示すように、レジスト液供
給ノズル５０の外周に沿って平行に溶剤供給ノズル４０
を配置すると共に、このノズル４０の先端を複数、この
例では４つ分岐させるようにしてもよい。この結果、溶
剤は一度に４箇所に供給される。好ましくは、これら分
岐ノズル部４０ａは、基板Ｇと相似形をなす矩形の４つ
の角にそれぞれ対応するように配設され、基板Ｇの中心
に対して対角線上の対称位置に同時に溶剤が供給され
る。このようにすれば、矩形の基板において溶剤の拡散
をある程度均一にすることができる。

【００６５】次に、この発明のレジスト膜形成方法の例
を、実験に基いて説明する。 ★実験１溶剤Ａとして、例えば、ＥＣＡを使用し、この溶剤Ａを
一定量（例えば２５ｃｃ）、上述したステップの条件
すなわち回転数：５００ｒｐｍ、時間：２０ｓｅｃの下
で供給した後、レジスト液供給ノズル５０から基板Ｇ上
にレジスト液Ｂを供給（滴下）させる場合について、以
下の条件の下で実験を行った。

【００６６】条件レジスト液吐出（供給）時間：２ｓｅｃ、５ｓｅｃ回転数：３００，５００，６００，８００，１０００ｒ
ｐｍ基板Ｇの寸法：５００×６００ｍｍ上記実験１の結果、回転数：６００ｒｐｍ（厳密には、
５００〜８００ｒｐｍ未満の吐出回転数），時間：５ｓ
ｅｃで、レジスト液Ｂを８ｃｃ／枚供給したときが基板
Ｇの全面に塗れるのに必要なレジスト量を最小にするこ
とができ（図１６参照）、また、膜厚プロファイルは図
１７に示すような傾向となり、しかも、塗布膜の膜厚変
動（レンジ）が５９７オングストローム（Å）となり、
平均膜厚の±２％程度の約６００オングストローム
（Å）の均一な膜厚を形成できることが判明した。な
お、回転数を８００ｒｐｍ，１０００ｒｐｍに変えて５
ｓｅｃ間レジスト液Ｂを供給する場合には、それぞれ塗
布膜の膜厚変動（レンジ）が４１２，２４０オングスト
ローム（Å）と小さくすることができるが、レジスト量
が１０ｃｃ／枚と若干多くなることが判明した。

【００６７】★実験２溶剤Ａとしてエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）を
使用し、この溶剤Ａを以下の条件の下で供給した後、レ
ジスト液供給ノズル５０から基板Ｇ上にレジスト液Ｂを
供給（滴下）させる場合の実験を行った。

【００６８】条件レジスト：ＴＳＭＲ−８９００粘度：１５ｃｐ回転数：３００，５００，８００，１０００ｒｐｍ溶剤流量：８０，１００，１２０，１５０ｃｃ／ｍｉｎ基板Ｇの寸法：５００×６００ｍｍ上記条件の下で実験したところ、表１に示すような結果
が得られた。

【００６９】

【表１】

【００７０】上記実験２の結果、図１８に示すように、
回転数が高い程、また、単位時間当りの溶剤の流量が多
い程、吐出（供給）時間が短くて済むことが判り、ま
た、見方を変えて流量×時間＝実使用量の値で見ると、
図１９に示すように、回転数が高い程溶剤の使用量が少
なくて済むことが判った。

【００７１】上記実験２に基いて、塗布膜の膜厚プロフ
ァイルを測定したところ、表２に示すような結果が得ら
れた。

【００７２】

【表２】

【００７３】上記実験２の結果、回転数：８００ｒｐ
ｍ，溶剤流量：１５０ｃｃ／ｍｉｎ，溶剤吐出時間：９
ｓｅｃ，溶剤量：２２．５ｃｃのとき、膜厚変動（レン
ジ）が３６４オングストローム（Å）であり、また、回
転数：１０００ｒｐｍ，溶剤流量：１５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ，溶剤吐出時間：８ｓｅｃ，溶剤量：２０ｃｃのと
き、膜厚変動（レンジ）が５８２オングストローム
（Å）であり、共に膜厚の均一を図ることができた。

【００７４】上記塗布液としては、レジスト（フェノー
ルノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステル），
ＡＲＣ（反射防止膜；ＡｎｔｉＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
Ｃｏａｔｉｎｇ）が使用され得る。上記溶剤として
は、メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＴ，沸
点：１４５℃，粘度：１．１ｃｐｓ）の他、乳酸エチル
（ＥＬ，沸点：１５４℃，粘度：２．６ｃｐｓ）、エチ
ル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ，沸点：１７
０℃，粘度：１．３ｃｐｓ），ピルビン酸エチル（Ｅ
Ｐ，沸点：１４４℃，粘度：１．２ｃｐｓ）、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥ
Ａ，沸点：１４６℃，粘度：１．３ｃｐｓ）、２−ヘプ
タノン（沸点：１５２℃，粘度：１．１ｃｐｓ）、シク
ロヘキサノン（ＡＲＣの溶剤）等この分野で知られてい
るものが使用され得る。

【００７５】なお、上記実施例では、回転カップ１２の
蓋体１６をロボットアーム２０で移動させて開放し、溶
剤Ａの供給ノズル４０，レジスト液Ｂの供給ノズル５０
などを、スキャン機構７０で基板Ｇの中心部上方に移動
して、溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下する構成について説
明したが、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で
閉止した状態で滴下するように構成してもよい。

【００７６】例えば、図２０に示すように、蓋体１６の
膨隆頭部１８部分を中空状に形成し、また、この上端部
を蓋１８Ａで閉止可能に構成する。そして、蓋１８Ａを
開け、スキャン機構７０により上記ノズルを膨隆頭部１
８の中空上方すなわち基板Ｇの中心部上方に移動させ、
溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下する。

【００７７】また、図２１に示すように、膨隆頭部１８
の内側にノズル取付部材１８Ｂをベアリング１８Ｃなど
により、蓋体１６が回転可能に取付ける。そして、回転
カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉止した状態
で、ノズル取付部材１８Ｂに取着したノズル４０，５０
から溶剤Ａ，レジスト液Ｂを基板Ｇの中心部に滴下す
る。

【００７８】上記したように、蓋体１６で開口部１２ａ
を閉止した状態で溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下すること
により、スキャン機構７０による移動式に比べて処理ス
ループットの短縮化、密閉状態下での溶剤Ａの滴下から
塗布処理終了までの処理プロセスを実現することが可能
となる。例えば、溶剤Ａの供給後、レジスト液Ｂを供給
しながら回転カップ１２を回転し、次にレジスト液Ｂの
供給を停止して、回転カップ１２を回転するというよう
なプロセスも実現できる。

【００７９】上記実施例では、この発明に係る塗布膜形
成装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明したが、ＬＣＤ基板以外の半導体ウエハや
ＣＤ等の被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジ
スト以外のポリイミド系塗布液（ＰＩＱ）やガラス剤を
含有する塗布液（ＳＯＧ）等にも適用できることは勿論
である。

【００８０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板の一面上に溶剤を塗布した後、基板上に、所定
量の塗布液を供給し、第１の回転数で回転させて、基板
の一面全体に渡って拡散させ、処理容器に蓋体を閉止し
て基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処
理容器及び基板を第２の回転数で回転させて、塗布膜の
膜厚を整えるので、溶剤に対する適正な配合割合の塗布
液を供給することができ、塗布液の使用量が少なくする
ことができ、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止
することができる。また、溶剤と塗布液との接触による
塗布液の粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法
を実施するための塗布膜形成装置の概略図である。

【図２】図１に示す塗布膜形成装置の概略平面図であ
る。

【図３】塗布膜形成装置の要部拡大断面図である。

【図４】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。

【図５】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。

【図６】塗布膜形成装置に使用されている噴頭を拡大し
て示す斜視図である。

【図７】噴頭の断面図である。

【図８】塗布膜形成装置を使用してレジスト膜を形成す
る方法を説明するためのフローチャトである。

【図９】塗布膜形成装置が適用されたレジスト塗布・現
像システムの全体を概略的に示す斜視図である。

【図１０】噴頭の変形例を示す斜視図である。

【図１１】噴頭の変形例を示す断面図である。

【図１２】噴頭のノズル集合体の別の変形例を示す断面
図である。

【図１３】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。

【図１４】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。

【図１５】ノズル集合体の変形例と、塗布膜形成体であ
るＬＣＤ基板とを示す斜視図である。

【図１６】基板の回転数と基板全面に塗れるのに必要な
レジスト量との関係を示すグラフである。

【図１７】基板の回転数の関係からレジスト膜の膜厚変
動範囲を示すグラフである。

【図１８】レジスト液の吐出時間と基板の回転数との関
係を示すグラフである。

【図１９】溶剤の使用量と基板の回転数との関係を示す
グラフである。

【図２０】液滴下方法の他の一例を示す説明図である。

【図２１】液滴下方法の更に他の一例を示す構成図であ
る。

【符号の説明】

１０スピンチャック１２回転カップ（処理容器）１６蓋体２０ロボットアーム（蓋体移動手段）２１駆動モータ４０溶剤供給ノズル（溶剤供給手段）５０レジスト液供給ノズル（塗布液供給手段）５２レジスト液タンク（塗布液供給源）５７ベローズポンプ５９ステッピングモータ７０スキャン機構（溶剤・塗布液供給手段の移動手
段）ＧＬＣＤ基板（基板）Ａ溶剤Ｂレジスト液（塗布液）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者関口賢治熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者大森伝東京都新宿区西新宿２丁目３番１号東京エレクトロン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器内に収容される基板を、処理容
器と共に回転させると共に、基板一面上に塗布液を供給
して、塗布膜を形成する方法において、上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第１の回転数で
回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程
と、上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を第２の回転数
で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを有するこ
とを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】請求項１記載の塗布膜形成方法におい
て、塗布液の量は、基板の第１の回転数に応じて設定されて
いることを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項３】請求項２記載の塗布膜形成方法におい
て、塗布液の量と、基板の回転数とは、塗布膜の膜厚変動が
平均膜厚の±２％程度以下になるように設定されている
ことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項４】請求項１記載の塗布膜形成方法におい
て、溶剤の塗布を基板の回転にて行うことを特徴とする塗布
膜形成方法。
【請求項５】請求項４記載の塗布膜形成方法におい
て、基板の回転にて行う溶剤塗布の回転数と、第１の回転数
と第２の回転数とは異なることを特徴とする塗布膜形成
方法。
【請求項６】請求項１記載の塗布膜形成方法におい
て、溶剤として塗布液の溶剤を塗布することを特徴とする塗
布膜形成方法。
【請求項７】請求項１記載の塗布膜形成方法におい
て、基板のほぼ中心部上に塗布液を供給することを特徴とす
る塗布膜形成方法。
【請求項８】基板の一面を上に向けて支持すると共
に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させ
る手段と、上記基板を包囲するカップ状をなし、基板を回転させる
手段と共に回転する処理容器と、上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを具備す
ることを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項９】請求項８記載の塗布膜形成装置におい
て、塗布液供給手段と塗布液を収容する塗布液供給源とを供
給管を介して連通し、上記供給管に、塗布液の供給量の調整可能なポンプ手段
を介設することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項１０】請求項８記載の塗布膜形成装置におい
て、溶剤供給手段と塗布液供給手段の少なくとも１つに、温
度調整手段を設けたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項１１】請求項８記載の塗布膜形成装置におい
て、開口部を閉止する蓋体を、処理容器の閉止位置と処理容
器から外れた待機位置との間、移動可能に支持する蓋体
移動手段を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項１２】請求項８記載の塗布膜形成装置におい
て、溶剤供給手段と塗布液供給手段との少なくとも一方を支
持し、支持した溶剤供給手段、塗布液供給手段を、基板
上方の供給位置と、供給位置から外れた待機位置との
間、移動可能に支持する手段を具備することを特徴とす
る塗布膜形成装置。