JPH08512063A - モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ−α−オレフィンの製造方法 - Google Patents

モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ−α−オレフィンの製造方法

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JPH08512063A JP7502749A JP50274995A JPH08512063A JP H08512063 A JPH08512063 A JP H08512063A JP 7502749 A JP7502749 A JP 7502749A JP 50274995 A JP50274995 A JP 50274995A JP H08512063 A JPH08512063 A JP H08512063A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、第IVB族遷移金属成分及びアルモキサン成分を使用してα−オレフィン重合し、非晶質ポリ−α−オレフィンを製造する触媒プロセスである。

Description

【発明の詳細な説明】 モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ−α−オレフィン の製造方法 本願は米国特許出願第720,281号の一部継続出願であり、この米国特許出願第7 20,281号は1990年6月25日に公告された米国特許第5,026,798号の分割出願であ り、米国特許第5,026,798号は1990年6月4日に出願された米国特許出願第533,2 45号の一部継続出願であり、この米国特許出願第533,245号は1989年9月13日に 出願された米国特許出願第406,945号の一部継続出願である。上述の特許出願は 全て引用によって本明細書中に組み入れられている。発明の分野 本発明は、元素周期表第IVB族遷移金属の特定のモノシクロペンタジエニル金 属化合物をアルモキサンで活性化された触媒系において使用して非晶質で低結晶 性のポリ−α−オレフィン、特に、ポリプロピレンとプロピレンのα−オレフィ ンコポリマーを製造する、α−オレフィンの重合方法に関する。米国特許第5,02 6,798号においては、結晶性のポリ−α−オレフィンを製造するための方法の発 明が開示されクレームされている。モノシクロペンタジエニル金属化合物の成分 を慎重に選択することによって、同じ方法を使用してポリマー鎖中に立体規則性 領域を有する非晶質ポリ−α−オレフィンを簡単に製造できることが判明した。発明の背景 公知のように、オレフィン類の単独重合又は共重合用の種々の方法及び触媒が 存在する。幾つかの用途に対しては、ポリオレフィンが高い重量平均分子量を有 し、同時に比較的狭い分子量分布を有することが重要である。高い重量平均分子 量(Mw)が狭い分子量分布(MWD)をともなうとき、ポリオレフィンに高い 強度特性を与える。相溶化(compatibilization)及び接着のようなその他の用 途に対しては、比較的狭い分子量分布をともなう低乃至中程度の重量平均分子量 (Mw)が主に関係する。 従来のチーグラー−ナッタ触媒系、即ち、アルキルアルミニウムにより助触媒 作用を受ける遷移金属化合物、により、高分子量又は低分子量であるが広い分子 量分布を有するポリオレフィンを製造することができる。 より最近になって、遷移金属化合物が好ましくは2以上のシクロペンタジエニ ル環配位子を有する触媒系が開発されたが(そのような遷移金属化合物は「メタ ロセン」と称されている)、これはオレフィンモノマーのポリオレフィンへの製 造に触媒作用を及ぼす。従って、チタノセン及びジルコノセンがポリオレフィン 及びエチレン−α−オレフィンコポリマーの製造のための「メタロセン(metall ocene)」含有触媒系における遷移金属成分として用いられてきた。そのような メタロセンはアルキルアルミニウムにより助触媒作用を受けるとき、従来のチー グラー−ナッタ触媒系の場合と同様に、前記メタロセン触媒系の触媒活性は一般 に低く商業的に関心のあるものではない。 その後に、前記メタロセンが、アルキルアルミニウムではなく、アルモキサン により助触媒作用を受けて、ポリオレフィンの製造を触媒する高活性のメタロセ ン触媒系を与えることができることが知られてきた。 アルモキサンにより助触媒作用を受けたか又は活性化されたジルコノセンは、 それらのハフニウム又はチタン類似物よりも、エチレンを単独で又はα−オレフ ィンコモノマーとともに重合することに対して一般により活性である。非担持形 態、即ち、均一又は可溶性触媒系としで使用されるとき、満足のいく生産速度を 得るためには、たとえ最も活性なジルコノセン種を用いたとしても、アルミニウ ム原子の遷移金属原子に対する比率(Al:TM)が少なくとも1000:1より大、し ばしば5000:1より大、多くは10,000:1のオーダーになるのに十分な量のアル モキサン活性剤を使用する必要がある。アルモキサンのそのような量は、そのよ うな触媒系で製造されたポリマーに対して望ましくない量の触媒金属残渣、即ち 、望ましくない「灰分」含量(不揮発性金属の含有率)を与える。反応器圧力が 約500バールを越え、可溶性触媒系を使用する高圧重合方法においては、メタロ センのジルコニウム又はハフニウム種のみが使用できる。メタロセンのチタン種 は、そのような高圧下では、触媒担持体上に付着させないかぎり一般に不安定で ある。広範囲の第IVB族遷移金属化合物が、アルモキサンの助触媒作用を受け る触媒系用の可能性のある候補として挙げられてきている。ビス(シクロペンタ ジエニル)第IVB族遷移金属化合物が最も好ましく、ポリオレフィン製造用のア ルモキサンの助触媒作用を受ける触媒系における使用が重点的に研究されてきた が、モノ及びトリス(シクロペンタジエニル)遷移金属化合物も有用であること が示唆された。例えば、米国特許第4,522,982号、第4,530,914号、及び第4,701, 431号を参照されたい。アルモキサン活性化触媒系用の候補としてこれまで提案 されているモノ(シクロペンタジエニル)遷移金属化合物は、モノ(シクロペン タジエニル)遷移金属トリハリド及びトリアルキルである。 より最近になって、国際公開パンフレットWO 87/03887には、α−オレフィン の重合用のアルモキサン活性化触媒系において使用するための、遷移金属成分と して少なくとも1つのシクロペンタジエニルに配位した遷移金属と少なくとも1 種のヘテロ原子配位子を含む組成物の使用が記載されている。この組成物は遷移 金属、好ましくは周期表の第IVB族遷移金属として広く定義されており、これは 少なくとも1つのシクロペンタジエニル配位子と1〜3のヘテロ原子配位子に配 位し、遷移金属の配位要求の残りはシクロペンタジエニル又はヒドロカルビル配 位子で満たされている。この引用例に記載されている触媒系は、メタロセン、即 ち、ビス(シクロペンタジエニル)第IVB族遷移金属化合物である遷移金属化合 物に関してのみ説明されている。 より最近になって、1988年6月にカナダのトロントで開かれた、ザ・サード・ ケミカル・コングレス・オブ・ノース・アメリカ(The Third Chemical Congres s of North America)において、ジョン・バーコウ(John Bercaw)は、オレフ ィンの重合用の触媒系として、単一のシクロペンタジエニルヘテロ原子架橋配位 子に配位した第IIIB族遷移金属の化合物を使用するための研究に関して報告を 行った。使用された条件下である程度の触媒活性が観察されたが、活性の程度と 得られたポリマー生成物に見られる特性は、そのようなモノシクロペンタジエニ ル遷移金属化合物が商業的重合プロセスにおいて有用であるという信念をくじけ させるものであった。 望ましくは狭い分子量分布を有する高分子量又は低分子量のポリオレフィンの 選択的製造を可能にする触媒系を発見することに対する要望が依然として存在す る。α−オレフィンモノマー(1種又は複数種)の立体規則性の結晶性の低いポ リ−α−オレフィン即ち、非晶質形態のポリ−α−オレフィンへの重合を触媒す る触媒を発見するのがより望ましい。 少なくとも3つの異なる型の立体規則性ポリマーが存在する。α−オレフィン モノマーを含むポリマーは、ポリマー主鎖からペンダント状に伸びたヒドロカル ビル基を有する。ポリマー主鎖に対して、ペンダントヒドロカルビル基は、例え ばアタクチック、アイソタクチック、又はシンジオタクチックペンダント基配置 と称される異なる立体化学的配置(stereochemical configuration)に配列できる 。 ポリオレフィン分子のタクチシティーの程度と種類は、そのようなポリマーを 含む樹脂が示す物理的特性の重要な決定要素である。樹脂が示す特性のその他の 重要な決定要素は、モノマーとコモノマーの種類と相対濃度、樹脂の大部分を構 成するポリマー分子の重量平均分子量(Mw)、分子量分布(MWD)、及び樹 脂の組成分布である。 商業的見地から重要なことは、触媒系が、タクチシティー、重量平均分子量、 及び分子量分布に関して、所望の組み合わせの特性のポリ−α−オレフィンを製 造するときの速度又は生産性である。 ポリ−α−オレフィンの重量平均分子量(Mw)は、そのようなポリマーが適 用される実際的用途の重要な物理的特性決定要素である。高い強度と低いクリー プを要求する最終用途に対しては、そのような樹脂のMwは一般に100,000を越 えなければならない。Mwが100,000より低い場合、ポリマーは接着剤及び相溶 化剤のようなその他の用途において使用できる。また、高い強度の用途に対して は、ポリ−α−オレフィンは一般に高い結晶化度を有していなければならない。 低結晶性及び非晶質のポリ−α−オレフィンは接着剤組成物及び相溶化の用途に おいて添加剤その他として有用である。ポリ−α−オレフィン有することのでき る結晶化度は、ポリマー分子の主鎖に対してペンダント状である炭化水素基の立 体化学的規則性、即ち、ポリマーのタクチシティーによって、大部分が決定され る。 アタクチック、ノーマルアイソタクチック、アイソタクチックステレオブロッ ク、シンジオタクチック、及びヘミアイソタクチックの5種類のタクチシティー がポリ−α−オレフィンにおいて記載されている。これらのタクチシティー配置 の全てが主にポリプロピレンの場合について示されているが、理論上は各々がα −オレフィン、環式オレフィン、又は内部オレフィンのいずれからなるポリマー に対しても等しく可能である。 アタクチックポリ−α−オレフィンは、ポリマー分子主鎖に対してペンダント である炭化水素基が主鎖に対して空間的に規則的な順序を有していないものであ る。このランダムな、即ちアタクチックな構造は、交互に変化するメチレン炭素 とメチン炭素のポリマー主鎖によってよって表され、メチン炭素を置換するラン ダムに配向した枝をともなう。メチン炭素はランダムにR配置とS配置を有し、 類似の配置(「メソ」又は“m”ダイアド(dyad))か又は非類似の配置(「ラ セミ」又は“r”ダイアド)のいずれかの隣接対を形成する。アタクチック形態 のポリマーはほぼ等しい割合のメソ及びラセミダイアドを含む。アタクチックポ リ−α−オレフィン、特にアタクチックポリプロピレンは、脂肪族及び芳香族溶 媒に環境温度で可溶性である。アタクチックポリマーはポリマー鎖中において規 則的な順序又は繰り返し単位配置を示さないので、そのようなアタクチックポリ マーは非晶質物質である。非晶質物質は分子の格子構造を欠く傾向があり、はっ きりと定義された融点を持たない。従って、アタクチックポリ−α−オレフィン は非晶質なので、それらから成る樹脂は測定可能な融点を持たない。アタクチッ クポリマーは結晶性が有ったとしても極わずかなので、樹脂の重量平均分子量に かかわらず、高強度用途には一般的に適さない。 アイソタクチックポリ−α−オレフィンは、ペンダントの炭化水素基がポリマ ー主鎖の同じ側又は平面に対して空間的に順序だてて配置されているものである 。例としてアイソタクチックポリプロピレンを用いると、アイソタクチック構造 は典型的にはポリマーの炭素主鎖全体に渡る仮想的平面の同じ側の上の連続する モノマー単位の第4炭素原子に対して結合したペンダントメチル基を有するもの として説明され、例えば、メチル基は、以下に示すように、上か又は下に全て存 在する。 アイソタクチック規則性の程度はMNR法によって測定できる。アイソタクチッ クペンタド(pentad)に対するボベイ(Vovey)のNMR表示法は、...mmmm ...であり、各々のmはメソダイアド、即ち、平面の同じ側にある連続する メチル基を表す。 ポリ−α−オレフィンのノーマルアイソタクチック構造においては、モノマー 単位の全てが、ポリマーに沿って現れるランダムなエラーを除いて、同じ立体化 学的配置を有する。そのようなランダムなエラーは孤立した配置の逆転としてほ とんど常に現れ、これはまさに次のα−オレフィンモノマー挿入において修正さ れて、成長反応中のポリマー鎖の元のR又はS配置を回復する。単一の逆転配置 の挿入はrrトライアド(triad)を生成し、これはそのNMRにおいてこのアイ ソタクチック構造をアイソタクチックステレオブロック形態から区別する。 本技術分野で知られているように、鎖中の構造の規則性のいかなる逸脱又は逆 転もアイソタクチシティーの程度を低下させ、従って、そのポリマーの可能な結 晶化度を低下させる。メタロセン−アルモキサン触媒系を使用して調製されたア イソタクチックポリマーにおいて観察されたエラーであって、ポリマーの融点及 び/又はTgを下げる働きをするものがその他に2種類存在する。以下に示すよう に、モノマーが成長するポリマー鎖に1,3又は2,1型で付加されたとき、これらの エラーが生じる。 ポリ−α−オレフィンのアイソタクチックステレオブロック形態を生成する触 媒系が発見されるまでには長い時間がかかった。そのようなミクロ構造のポリマ ーの存在の可能性は認識されており、その形成のメカニズムは従来的チーグラー −ナッタメカニズムに基づいてランガー・エー・ダブリュー(Langer,A.W.)のLe ct.Bienn.Polym.Symp. 、第7、(1974);Ann.N.Y.Acad.Sci.、295、110〜1 26(1977)に提案されている。ポリプロピレンのこの形態の最初の例及びそれを純 粋な形態で製造する触媒が米国特許第4,522,982号に報告されている。ステレオ ブロックアイソタクチックポリマーの形成は、ノーマルなアイソタクチック構造 の形成とは、生長部位が鎖中の立体化学的エラーに対して反応する点で異なる。 上述したように、ノーマルなアイソタクチック鎖は、エラーに続いて、元の配置 に戻るが、これは立体化学的調節剤、即ち、触媒的に活性な金属種とその周りの 配位子が、モノマーの挿入中に同じ立体化学的優先性を命じるからである。ステ レオブロック生長においては、触媒的活性金属部位そのものが、R配置のモノマ ー挿入を命じるものからS配置のモノマー挿入を命じるものへ変化する。アイソ タクチックステレオブロック形態を以下に示す。 これは、金属及びその配位子が反対の立体化学的配置に変化するか、又は金属の キラリティーよりもむしろ最後に付加したモノマーが次ぎに付加されるモノマー の配置を制御するかのいずれかによって起こる。上述の系を含むチーグラー−ナ ッタ触媒においては、活性部位の正確な構造及び動的な特性は十分に理解されて おらず、アイソタクチックステレオブロックポリ−α−オレフィンの形成に関し て「部位キラリティー交換(site chirality exchange)」と「連鎖末端制御(chai n end control)」とを区別するのは実質的に不可能である。 ノーマルなアイソタクチックポリマーとは異なり、ステレオブロック構造中の 同じ配置の個々のブロックの長さは交換反応条件によって大きく変化する。連鎖 の誤った部分のみが樹脂生成物の結晶化度に影響を与えるので、一般に、ノーマ ルなアイソタクチックポリマーと長いブロック長さ(50のアイソタクチック配置 より大)を有するアイソタクチックステレオブロックポリマーは類似の特性を有 する。 高度にアイソタクチックなポリ−α−オレフィンはキシレンに不溶性であり、 高い結晶化度を示すことができ、そしていくらかはそれらの融点によって特徴づ けることができる。従って、アイソタクチックポリ−α−オレフィンは、約100, 000を越える重量平均分子量にも依存するが、高強度の最終用途によく適してい る。 シンジオタクチックポリ−α−オレフィンは、以下に示すように、ポリマー分 子主鎖に対してペンダント状に結合している炭化水素基がポリマー主鎖に対して 一方の側又は平面から反対の側又は平面に連続的に順序よく変化しているもので ある。 NMR表示では、このペンタドは ...rrrr ...として記載され、こ こで、rは「ラセミ」ダイアド、即ち、平面の互い違いの側にある連続するメチ ル基を表す。鎖中のrダイアドのパーセンテージはポリマーのシンジオタクチシ ティーの程度を決定する。 シンジオタクチック生長反応は25年以上研究されてきた。しかしながら、良好 なシンジオ特異的触媒は極わずかしか発見されておらず、それらは全てモノマー の嵩高さに対して極めて敏感である。その結果、十分にキャラクタライズされた シンジオタクチックポリマーはポリプロピレンのみに限定される。シンジオタク チックポリマーの分子鎖主鎖は、交互に変化する立体化学的配置を有するオレフ ィンのコポリマーと考えることができる。高度にシンジオタクチックなポリマー は一般に高い結晶化度を有し、それらのアイソタクチック同族体と類似の高い融 点を有することが多い。 アイソタクチックポリ−α−オレフィンと同様に、シンジオタクチックポリ− α−オレフィンは高度の結晶化度を示すことができ、従って、それらのMwが約10 0,000を越えていれば、高強度用途に適している。シンジオタクチックポリ−α −オレフィンはいくらかはそれらが融点を示すことによって特徴づけられる。 一般的にアタクチックであると見なされる非晶質ポリ−α−オレフィンは結晶 性ではなく、固体状態の特徴である分子の格子構造を欠き、従って、十分に定義 された融点を欠く傾向がある。そのような非晶質ポリ−α−オレフィンは特に接 着剤及び相溶化剤における用途を有する。 上述物質の全てについて、最終樹脂の特性及び特定の用途に対する適性はタク チシティー、(立体規則性)、融点、平均分子量、分子量分布、モノマーとコモ ノマーの種類と濃度、序列分布、及び先頭又は末端官能性の有無に依存する。従 って、そのような立体規則性のポリ−α−オレフィン樹脂が製造されなければな らない触媒系は、MW、MWD、タクチシティーの種類と水準、及びコモノマーの選 択に関して適応性の大きいものであるのが望ましい。また、触媒系は、オレフィ ン性不飽和のような先頭及び/又は末端基官能性をともなうか又はともなわない これらのポリマーを製造できなければならない。また、さらに、そのような触媒 系は、商業的に実施するうえでの制約として、そのような樹脂を許容可能な生産 速度で製造できなければならない。触媒系は、その生産速度において、所望の最 終用途における樹脂に対して許容可能な水準まで触媒残渣を除去するためのその 後の処理を必要としない樹脂生成物を製造できるものであるのが最も好ましい。 最後に、市販の触媒系の重要な特徴は様々なプロセスや条件に適合できると いうことである。 アイソタクチックポリマーの製造用の従来的なチタンに基づくチーグラー−ナ ッタ触媒は本技術分野においてよく知られている。これらの市販の触媒は高結晶 性、高分子量の物質の製造によく適している。しかしながら、この系は、分子量 、分子量分布、及びタクチシティー制御の点から制限されている。このような従 来的触媒が数種類の活性部位を含むという事実は、さらに、それらが共重合にお いて組成分布を制御する能力を制限する。 より最近になって、アルモキサンにより助触媒作用を受けた、即ち、活性化さ れたメタロセンからアイソタクチックポリマーを製造する新規な方法であって、 自然状態のメタロセンがメタロセンの遷移金属で中心に置かれたキラリテイーを 有するものが、イーウェン・ジェー・エー(Ewen,J.A.)の、J.Amer.Chem.Soc. 、v 106、6355頁(1984)、及びカミンスキー・ダブリュー(Kaminsky,W)らの、An gew.Chem.Int.Ed.Eng.24、507〜8(1985)に報告された。 アイソタクチックポリオレフィンを製造する触媒は米国特許第4,794,096号に も開示されている。この特許には、キラル(chiral)な、立体的に堅い(stereorig id)メタロセン触媒であって、アルモキサン助触媒で活性化されたものが開示さ れており、これはオレフィンをアイソタクチックポリオレフィン形態に重合する と報告されている。立体規則的に重合すると報告されている、アルモキサンの助 触媒を受けたメタロセンの構造は、エチレン架橋されたビス−インデニル及びビ ス−テトラヒドロインデニルチタン及びジルコニウム(IV)触媒である。そのよ うな触媒系は合成され、ワイルド(Wild)らのJ.Organomet.Chem.、232、233〜4 7(1982)において研究され、そしてその後に、上述のイーウェン及びカミンス キーらの文献において、α−オレフィンを立体規則的に重合することが報告され た。また、西独特許DE 3443087A1(1986)には、実験的な立証は与えていないが 、そのような立体的に堅いメタロセンの架橋の長さはC1からC4炭化水素まで変 化でき、メタロセン環は単環式でも二環式でもよいが非対称的でなければならな いと報告されている。 メタロセン−アルモキサン触媒は一般に商業的用途に対して十分に生産的であ るためには高含有率のアルモキサン助触媒を必要とする。従って、メタロセン− アルモキサンで製造されたアイソタクチックポリ−α−オレフィン樹脂は、望ま しい触媒残渣含有率よりも高い触媒残渣含有率を一般に有する。ハフノセン系は ジルコノセン同族体よりも高い平均Mwのポリマーを生成するが、高いアルモキサ ン濃度でも活性は非常に低い。 シンジオタクチックポリオレフィンはナッタらによって米国特許第3,258,455 号に初めて開示された。報告されているように、ナッタは三塩化チタンとジエチ ルアルミニウムモノクロリドから調製された触媒を使用することによってシンジ オタクチックポリプロピレンを得た。ナッタらのその後の特許である米国特許第 3,305,538号には、シンジオタクチックポリプロピレンを製造するために、有機 アルミニウム化合物と組み合わせてバナジウムトリアセチルアセトネート又はハ ロゲン化バナジウム化合物を使用することが開示されている。 より最近になって、高い立体規則性のシンジオタクチックポリプロピレンを製 造できると記載されているメタロセンに基づく触媒系が開示された。米国特許第 4,892,851号には、少なくとも2つの別々に置換されたシクロペンタジエニル環 配位子を有する架橋メタロセンから成る触媒系が開示されており、これはアルモ キサンの助触媒作用を受けたときシンジオタクチックポリプロピレンを製造でき ると記載されている。ここでも、このような触媒系を使用して十分な生産性水準 を得るための商業的製造においては、アルモキサンの含有率は望ましくないほど 高く、従って、このようにして得られた樹脂中の触媒残渣は望ましくないほど高 い。 全てのメチルアルモキサン/メタロセン触媒系において、ポリマーの特性(Mw 、MWD、タクチシティーの種類、コモノマーの組み入れ、その他)は、メタロセ ン先駆体の構造の変更によって、又は製造条件(温度、圧力、濃度)の調節によ って制御される。一般に、製造条件の調節は、タクチシティーの水準、Mw、及び コモノマー含有率の独立した制御を行うことができない。水素ガスのような連鎖 移動剤の反応器への添加はタクチシティーに影響を与えることなくより低い分子 量の生成物を与えるが、得られたポリマーはもはや不飽和末端基を有していない 。末端基の官能化は低分子量のポリマーの用途において重要な特徴であることが 多い。これらの制限があると、所望の物質の全範囲を入手するためには、広範囲 の 異なった置換メタロセンを調製しなければならない。 ポリ−α−オレフィンを製造できるアルモキサンで活性化されたメタロセン触 媒系を製造するために必要な架橋メタロセン錯体の合成の困難さ及び実用上の制 限の観点から、高分子量又は低分子量で比較的狭いMWDのポリ−α−オレフィ ンの非晶質又は低結晶性の形態を製造する新規な触媒プロセスを開発することが 望ましい。発明の概略 本発明の方法は1991年10月8日に公告された米国特許第5,055,438号(これは 引用によって本明細書中に組み入れられている)に既に開示されている触媒系を 使用する。これは、元素周期表[CRCハンドブック・オブ・ケミストリー・ア ンド・フィジックス(CRC Hand-book of Chemistry and Physics)、68版、1987− 1988]の第IVB族からの遷移金属成分、及びアルモキサン成分から成る。この触 媒系は溶液、スラリー、気相、又は塊状相重合方法において使用して、高いか又 は低い重量平均分子量と比較的狭い分子量分布のポリ−α−オレフィンを製造す ることができる。本発明は、高いか又は低い分子量と狭いMWDを有するアタク チック非晶質ポリ−α−オレフィンを製造するために、米国特許第5,055,438号 の触媒を使用することに関する。本明細書中においてアタクチック非晶質ポリ− α−オレフィンは、融点を欠いているか又ははっきりとしていない融点を有し、 結晶性を有していないか又は結晶性の低いポリ−α−オレフィンを意味する。 本発明の触媒系は第IVB族遷移金属成分とアルモキサンを含む。この触媒系の 「第IVB族の遷移金属成分」は、式: によって表され、式中、Mは、その最高の形式酸化状態(+4、d0 錯体)のZ r、Hf又はTiであり; (C54-xx)は、0乃至4個の置換基Rで対称的に置換されたシクロペン タジエニル環であり、xは置換の程度を意味する0、1、2、3、又は4であり 、各置換基Rは、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20 のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、 ホスフィド基、アルコキシ基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基 、メタロイドが元素周期表第IVA族から選ばれるC1〜C20ヒドロカルビル置換 メタロイド基;及びハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、アル キルボリド(alkyl borido)基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基 、から成る群から選択される基であり;或いは(C54-xx)は、少なくとも 2つの隣接したR基が一緒になってC4〜C20環を形成し、インデニル、テトラ ヒドロインデニルのような飽和又は不飽和の多環式シクロペンタジエニル配位子 を与えるシクロペンタジエニル環である。対称的な置換は、ほぼ等しい立体的嵩 高さの2つのR基が対称的な位置(即ち、2,5;3,4;その他)で置換したとき 存在する。C4〜C20の環は架橋基Tと対称的にバランスが取れていると考えら れる。 (JR′z-2)はヘテロ原子配位子であって、Jが元素周期表のVA族からの 3の配位数を有する元素又はVIA族からの2の配位数を有する元素、好ましくは 、窒素、燐、酸素又は硫黄であり、各R′は独立して、C1〜C20のヒドロカル ビル基、置換されたC1〜C20のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原 子がハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、又はルイス酸又は塩 基官能性を有するその他の基によって置換されているものから成る群から選ばれ る基であり、そしてzは元素Jの配位数であり; 各Qは、独立して、ハリド、ヒドリド、又は置換又は未置換のC1〜C20のヒ ドロカルビル、アルコキシド、アリールオキシド、アミド、アリールアミド、ホ スフィド、又はアリールホスフィドのような1価のアニオン性配位子でよいが、 ただし、いずれかのQがヒドロカルビルであるときはそのQは(C54-xx) とは異なるものであり、或いは両方のQがともにアルキリデン又は環状金属化ヒ ドロカルビル又はその他の2価のアニオン性キレート配位子でもよく; Tは第IVA族又はVA族の元素を含有する共有結合の架橋基であって、ジアル キル、アルキルアリール又はジアリール珪素又はゲルマニウム基、アルキル又は アリールホスフィン又はアミン基のようなものであるが、それらに限定されず、 又はメチレン、エチレン等のヒドロカルビル基であり; Lはジエチルエーテル、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラヒドロフ ラン、ジメチルアニリン、アニリン、トリメチルホスフィン、n−ブチルアミン 等のような中性ルイス塩基であり;wは0乃至3の数である。Lは、また、2つ の金属中心M及びM′がQ及びQ′によって架橋されているような同じタイプの 第二の遷移金属化合物であって、M′はMと同じ意味を有し、Q′はQと同じ意 味を有するようなものでもよい。そのような二量体化合物は式: で表わされる。 本発明の触媒のアルモキサン成分は式:(R3−Al−O)m、R4(R5−Al −O)m−AlR6 2、又はそれらの混合物であり、ここでR3〜R6は、独立して 、C1〜C5アルキル基又はハリド、そしてmは1乃至約50の範囲の整数であり、 約13乃至約25が好ましい。 本発明の触媒系は、「第IVB族遷移金属成分」及びアルモキサン成分の共通溶 液を、好ましくはα−オレフィンモノマーの液相重合用重合希釈剤として用いる のに適している通常液体のアルカン又は芳香族溶媒中に入れることによって製造 できる。 金属がチタニウムである第IVB族遷移金属成分の種が触媒系に対して有利な特 性を与えることが判明したが、このことは、アルモキサンにより助触媒作用を受 けるビス(シクロペンタジエニル)チタニウム化合物の特性について知られてい たことからは予想されなかった。溶液状のチタノセンがアルキルアルミニウムの 存在下で一般に不安定であるのに対し、本発明のモノシクロペンタジエニルチタ ニウム金属成分、特にヘテロ原子が窒素であるものはアルキルアルミニウムの存 在下に一般により大きな安定性とより高い触媒活性率を示す。 さらに、本発明の第IVB族遷移金属成分触媒のチタニウム種は、一般に、第IV B族遷移金属成分のジルコニウム又はハフニウム種を用いて調製された触媒系よ りも、高い触媒活性を示し、より分子量の大きいポリ−α−オレフィンを製造す る。 プロピレン又はエチレンの重合又は共重合用のような本発明の典型的な重合方 法は、プロピレン、エチレン、又はその他のC4〜C20のα−オレフィンを単独 で、又はC3〜C20α−オレフィン、C4〜C2Oジオレフィン、及び/又はアセチ レン性不飽和モノマーを含む他の不飽和モノマー単独又はその他のオレフィン及 び/又はその他の不飽和モノマーと組み合わせて、適当な重合希釈剤中において 、上述の第IVB族遷移金属成分とメチルアルモキサンとを、約1:1乃至約20,0 00:1又はそれ以上のアルミニウムの遷移金属に対するモル比を与える量で含む 触媒に接触させる工程;及びそのような触媒系の存在下で前記モノマーを約−10 0℃乃至約300℃の温度で約1秒間乃至約10時間反応させて約1,000以下から約2,0 00,000以上の重量平均分子量と約1.5乃至約15.0の分子量分布を有するポリ−α −オレフィンを製造する工程を含む。 以下でさらに説明するように、シクロペンタジエニル配位子に対するR置換体 のタイプとパターンをヘテロ原子配位子のR′置換体のタイプに関連して適切に 選択することによって、低結晶性ポリ−α−オレフィン又はタクチック非晶質ポ リ−α−オレフィンを製造するように、触媒系の遷移金属成分が触媒系において 機能するように調整できる。詳細な説明 触媒成分 触媒系の第IVB族遷移金属成分は、一般式: によって表され、式中、Mは、その最高の形式酸化状態(+4、d0錯体)のZ r、Hf又はTiであり; (C54-xx)は、0乃至4個の置換基Rで対称的に置換されたシクロペン タジエニル環であり、xは置換の程度を意味する0、1、2、3、又は4の数で あり、各置換基Rは、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1 〜C20のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド 基、ホスフィド基、及びアルコキシ基又はルイス酸又は塩基官能性を有するその 他の基、メタロイドが元素の周期表第IVA族から選ばれるC1〜C20ヒドロカル ビル置換メタロイド基;及びハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ 基、アルキルボリド基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、から 成る群から選択される基であり;或いは(C54-xx)は、少なくとも2つの 隣接したR基が一緒になってC4〜C20環を形成して飽和又は不飽和の多環式シ クロペンタジエニル配位子を与えるシクロペンタジエニル環である。対称的な置 換は、シクロペンタジエニル環がほぼ同じ立体的嵩高さを有するR基で置換され ていることを意味する。典型的にはこれらのR基の大きさはお互いに炭素2個分 の範囲内である。しかしながら、2つの隣接するR基が一緒になって環を形成す る場合、架橋Tが対称な1対のもう1方の部分として機能する可能性がある。同 様に、シクロペンタジエニル環が4つの全ての部位においてR基で置換されても よく、各々の対称をなす1対が同様な立体的嵩高さのものである限りは対称的で あると考えられる。従って、2位と5位がそれぞれメチル及びエチルで置換され 、3位と4位がそれぞれヘキシル及びオクチルで置換されたシクロペンタジエニ ルは対称的であると考える。 (JR′z-2)はヘテロ原子配位子であって、Jが元素周期表のVA族からの 3の配位数を有する元素又はVIA族からの2の配位数を有する元素、好ましくは 、窒素、燐、酸素、又は硫黄であり、窒素が好ましく、各R′は独立して、C1 〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20のヒドロカルビル基であって 、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、 又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基によって置換されているものか ら成る群から選ばれる基であり、そしてzは元素Jの配位数であり; 各Qは、独立して、ハリド、ヒドリド、又は置換又は未置換のC1〜C20のヒ ドロカルビル、アルコキシド、アリールオキシド、アミド、アリールアミド、ホ スフィド、又はアリールホスフィドのような1価のアニオン性配位子でよいが、 ただし、いずれかのQがヒドロカルビルであるときはそのQは(C54-xx) とは異なるものであり、或いは両方のQがともにアルキリデン又は環状金属化ヒ ドロカルビル又はその他の2価のアニオン性キレート化配位子でもよく; Tは第IVA族又はVA族の元素を含有する共有結合の架橋基であって、ジアル キル、アルキルアリール又はジアリール珪素又はゲルマニウム基、アルキル又は アリールホスフィン又はアミン基のようなものであるが、それらに限定されず、 又はメチレン、エチレン等のヒドロカルビル基であり;そして Lはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルアニリン、アニリン、 トリメチルホスフィン、n−ブチルアミン等のような中性ルイス塩基であり;w は0乃至3の数であり、Lは、また、2つの金属中心M及びM′がQ及びQ′に よって架橋されているような同じタイプの第二の遷移金属化合物であって、M′ はMと同じ意味を有し、Q′はQと同じ意味を有するようなものでもよい。その ような二量体化合物は式: で表わされる。 本発明の触媒系の第IVB族遷移金属成分の構成基として適するT基の例は第1 表の1欄の「T」の見出しの下に示されている。 本発明の触媒系において使用できる適する第IVB族遷移金属成分には、T基の 橋がジアルキル、ジアリール、又はアルキルアリールシラン、或いはメチレン又 はエチレンであるものであるが、これらに限定されるものではない。架橋した第 IVB族遷移金属化合物のより好ましい種の例は、ジメチルシリル、メチルフェニ ルシリル、ジエチルシリル、エチルフェニルシリル、ジフェニルシリル、エチレ ン又はメチレン架橋化合物である。最も好ましい架橋種は、ジメチルシリル、ジ エチルシリル、及びメチルフェニルシリル架橋化合物である。 Qのヒドロカルビル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ア ミル、イソアミル、ヘキシル、イソブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ ル、セチル、2−エチルヘキシル、フェニル等が挙げられ、メチルが好ましい。 Qのハロゲン原子の例としては、塩素、臭素、弗素、及び沃素が含まれ、塩素が 好ましい。Qのアルコキシドとアリールオキシドの例としては、メトキシド、フ ェノキシド、及び4-メチルフェノキシドのような置換フェノキシドがある。Qの アミドの例は、ジメチルアミド、ジエチルアミド、メチルエチルアミド、ジ-t- ブチルアミド、ジイソプロピルアミドなどである。アリールアミドの例はジフェ ニルアミド及びその他の置換フェニルアミドである。Qのホスフィドの例は、ジ フェニルホスフィド、ジシクロヘキシルホスフィド、ジエチルホスィド、ジメチ ルホスフィドなどである。両方のQが一緒にアルキリデン基である例としては、 メチリデン、エチリデン及びプロピリデンが挙げられる。触媒系の第IVB族遷移 金属成分の構成基又は元素として適するQ基の例は、第1表の4欄の「Q」の見 出しの下に示されている。 シクロペンタジエニル環の少なくとも1つの水素原子を置換してもよいR基と しての適するヒドロカルビル及び置換ヒドロカルビル基は、1乃至約20の炭素原 子を含有し、直鎖の又は分枝鎖アルキル基、環式炭化水素基、アルキル置換され た環式炭化水素基、芳香族基及びアルキル置換芳香族基、アミド置換炭化水素基 、ホスフィド置換炭化水素基、アルコキシ置換炭化水素基、及び1つ以上の融合 飽 和又は不飽和環を含むシクロペンタジエニル環を含む。シクロペンタジエニル環 の少なくとも1つの水素原子を置換してもよいR基としての適する有機金属基は 、トリメチルシリル、トリエチルシリル、エチルジメチルシリル、メチルジエチ ルシリル、トリフェニルゲルミル、トリメチルゲルミル等を含む。シクロペンタ ジエニル環中の1つ以上の水素原子を置換できるその他の適する基には、ハロゲ ン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、アルキルボリド基などが含まれ る。触媒系の第IVB族遷移金属成分の構成基として適するシクロペンタジエニル 環基(C54-xx)は第1表2欄の見出し(C54-xx)の下に示されている 。 ヘテロ原子J配位子基の少なくとも1つの水素原子を置換してもよいR′基と してのヒドロカルビル基及び置換ヒドロカルビル基は、1乃至約20の炭素原子を 含み、直鎖及び分枝鎖アルキル基、環式炭化水素基、アルキル置換環式炭化水素 基、芳香族基、アルキル置換芳香族基、ハロゲン基、アミド基、ホスフィド基な どを含む。触媒系の第IVB族遷移金属成分の構成基として適するヘテロ原子配位 子基(JR′z-2)の例は第1表3欄の見出し(JR′z-2)の下に示されている 。 第1表は、「第IVB族遷移金属成分」の代表的な構成部分を表わし、その表は 例示的な目的のためであり、限定するためのものではない。各々の構成部分のあ り得るすべての組み合わせにより多くの最終成分が生成され得る。化合物の例は 、ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(シクロヘキシルアミ ド)ジルコニウムジクロリド、及びジメチルシリル(3,4-ジメチルシクロペンタ ジエニル)(シクロヘキシルアミド)ハフニウムジクロリドである。 上述したように、一般に触媒系を生成することが判明している第IVB族遷移金 属成分のチタニウム種は、それらのジルコニウム又はハフニウム種と比較して、 活性が高い。そのような優れた特性を示すことができるチタン種の説明のための 例は、ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(t-ブチルアミド )チタニウムジクロリド、ジメチルシリル(3,4-ジ-t-ブチルシクロペンタジエ ニル)(シクロドデシルアミド)チタニウムジクロリド、ジメチルシリル(2,5- ジメチルシクロペンタジエニル)シクロドデアイルチタニウムジクロリドである が、これらに限定されない。 例示的な目的のため、上記化合物及び第1表からの置換されたものは、中性の ルイス塩基配位子(L)を含む。エーテルのような中性のルイス塩基配位子を含 んで錯体が形成するか又は二量体の化合物を生成する条件は、金属中心辺りの配 位子の立体的嵩高さにより決定される。例えば、Me2Si(Me45)(N− t−Bu)ZrCl2中のt-ブチル基は、Me2Si(Me45)(NPh)Zr Cl2・Et2O中のフェニル基よりも大きい立体的要件を有しており、前者の化 合物中におけるエーテル配位を禁じる。同様に、Me2Si(Me45)(N− t−Bu)ZrCl2中のテトラメチルシクロペンタジエニル基の立体的嵩高さ に比べて、[Me2Si(Me3SiC53)(N−t−Bu)ZrCl22中の トリメチルシリルシクロペンタジエニル基の低減した立体的嵩高さのために、後 者は二量体であるが前者はそうではない。 第IV族遷移金属化合物に含まれるものを示すために、第1表中の種のあらゆる 組み合わせを選択できる。架橋種の例はジメチルシリルシクロペンタジエニル( t-ブチルアミドジクロロ)ジルコニウムである。 第IVB族遷移金属化合物は、シクロペンタジエニルリチウム化合物をジハロ化 合物と反応させることによって製造でき、リチウムハリド塩が遊離され、そして モノハロ置換体がシクロペンタジエニル化合物に共有結合される。そのように置 換されたシクロペンタジエニル反応生成物を次にホスフィド、オキシド、スルフ ィド又はアミドのリチウム塩(例えば、リチウムアミド)と反応させると、前記 反応生成物のモノハロ置換基のハロ元素が反応し、リチウムハリド塩が遊離され 、リチウムアミド塩のアミン部分がシクロペンタジエニル反応生成物の置換基と 共有結合する。シクロペンタジエニル生成物の得られたアミン誘導体を次にアル キルリチウム反応体と反応させると、シクロペンタジエニル化合物の炭素原子に おいて及び、置換基に共有結合したアミン部分の窒素原子において、不安定な水 素原子がアルキルリチウム反応体のアルキルと反応し、アルカンを遊離させ、シ クロペンタジエニル化合物のジリチウム塩を生成する。その後に、シクロペンタ ジエニル化合物のジリチウム塩を第IVB族遷移金属、好ましくは第IVB族遷移金 属ハリドと反応させることにより第IVB族遷移金属化合物の架橋種を製造する。 ポリ−α−オレフィンを製造するプロセスにおいて使用するのに好ましい遷移 金属の群は、共有架橋基Tが珪素を含み、ヘテロ原子配位子のヘテロ原子Jが窒 素であるものである。従って、好ましい遷移金属成分の好ましい群は式: のものであり、ここで、Q、L、R′、R、x、及びwは前に定義した通りであ り、R1及びR2は各々、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換C1〜C20 ヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されて いるもの;R1及びR2はまた一緒になって珪素架橋を組み入れるC3〜C20環を 形成してもよい。アルモキサン成分 触媒系のアルモキサン成分はオリゴマー化合物であり、これは一般式(R3− Al−O)m(これは環式化合物)で表され、又はR4(R5−Al−O)m−Al R6 2(これは線状化合物)で表される。アルモキサンは一般に線状化合物と環式 化合物の両方の混合物である。アルモキサンの一般式中において、R3、R4、R5 、及びR6は、独立して、C1〜C5アルキル基であり、例えば、メチル、エチル 、プロピル、ブチル、又はペンチルであり、mは1乃至約50の整数である。R3 、R4、R5、及びR6の各々がメチルであり、mが少なくとも4であるのが最も 好ましい。アルキルアルミニウムハリドがアルモキサンの調製において使用され る場合、1つ以上のR3〜R6基がハリドでよい。 現在ではよく知られているように、アルモキサンは種々の方法で調製できる。 例えば、トリアルキルアルミニウムを湿り不活性有機溶媒の形態の水と反応させ て、又はトリアルキルアルミニウムを不活性有機溶媒中に懸濁された水和硫酸銅 のような水和塩と接触させて、アルモキサンを生成することができる。しかしな がら、一般的に、トリアルキルアルミニウムと限られた量の水との反応はアルモ キサンの線状種と環式種の両方を含む混合物を生じる。 本発明の触媒系において使用することのできる適するアルモキサンは、トリメ チルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ イソブチルアルミニウムのようなトリアルキルアルミニウム;ジメチルアルミニ ウムクロリド、ジイソブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロ リドなどの加水分解によって調製できるものである。使用するのに最も好ましい アルモキサンはメチルアルモキサン(MAO)である。約4乃至約25(m=4〜 25)の平均オリゴマー度、より好ましくは13乃至25の範囲、を有するメチルアル モキサンが最も好ましい。触媒系 本発明の方法において使用される触媒系は、第IVB族遷移金属成分とアルモキ サン成分の混合時に形成される錯体を含む。この触媒系は、必要な第IVB族遷移 金属成分とアルモキサン成分を不活性溶媒に添加することによって調製でき、こ の不活性溶媒はその中でオレフィンの重合を溶液、スラリー、又は塊状相重合法 によって行うことができるものである。 この触媒系は、選択した第IVB族遷移金属成分と選択したアルモキサン成分を 、任意の添加順序で、アルカン又は芳香族炭化水素溶媒、好ましくは重合希釈剤 としても適するもの、中に入れることによって簡便に調製することができる。使 用される炭化水素溶媒が重合希釈剤としての使用にも適する場合、触媒系を重合 反応器中の現場で調製することができる。或いは、この触媒系は濃縮された形態 で別個に調製して、反応器中の重合希釈剤に添加することができる。或いは、所 望により、触媒系の各成分を別個の溶液として調製して、連続式液相重合反応法 に適するような適当な割合で、反応器中の重合希釈剤に添加することができる。 触媒系の形成用の溶媒として適し、さらに重合希釈剤としても適するアルカン及 び芳香族炭化水素の例には、イソブタン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ ン、オクタンなどのような直鎖及び分枝鎖炭化水素、シクロヘキサン、シクロヘ プタン、メチルシクロヘキサン、メチルシクロヘプタンなどのような脂環式炭化 水素、及びベンゼン、トルエン、キシレンなどのような芳香族及びアルキル置換 芳香族化合物であるが、これらには限定されない。また、適する溶媒には、エチ レン、プロピレン、1-ブテン、1-ヘキセンなどを含むモノマー又はコモノマーと して作用できる液体オレフィンも含まれる。 本発明によれば、第IVB族遷移金属化合物が重合希釈剤中に希釈剤1リットル 当たり約0.0001乃至約1.0ミリモルの濃度で存在し、アルモキサン成分が、アル ミニウムの遷移金属に対するモル比が約1:1〜約20,000:1になるような量で 存在するとき、一般に最適な結果が得られる。反応中の触媒成分からの適切な伝 熱を与え、良好な混合を可能にするために十分な溶媒を使用するべきである。 触媒系の成分、即ち、第IVB族遷移金属、アルモキサン、及び重合希釈剤は反 応容器に速やかに又はゆっくりと添加することができる。触媒成分の接触中に維 持される温度は、例えば、−100乃至300℃のように非常に大きく変化できる。よ り高い温度及びより低い温度も使用できる。触媒系の形成中、反応は約25乃至10 0℃の温度内に維持されるのが好ましく、約25℃が最も好ましい。 個々の触媒系の成分並びに形成された触媒系は常に酸素と水分から保護されな ければならない。従って、触媒系を調製する反応は酸素と水分を含まない雰囲気 中で行われ、触媒系が別個に回収される場合、それは酸素と水分を含まない雰囲 気中で回収される。従って、反応は、例えば、ヘリウム又は窒素のような不活性 乾燥気体の存在下に行うのが好ましい。重合方法 本発明の方法の好ましい実施態様において、触媒系はα−オレフィンモノマー の液相(スラリー、溶液、懸濁、塊状相、又はそれらの組み合わせ)、高圧流体 相、又は気相重合中で使用される。これらの方法は単独に又は連続して使用する ことができる。液相プロセスは、α−オレフィンモノマーと触媒系を適当な重合 希釈剤中で接触させる工程、及び前記モノマーを前記触媒系の存在下に所望の非 晶質ポリ−α−オレフィンを製造するのに十分な温度で十分な時間反応させる工 程を含む。 そのようなプロセスのモノマーは、3〜20個の炭素原子を有するα−オレフィ ンを含む。プロピレンが好ましいモノマーである。エチレン、ブテン、スチレン のようなより高級なα−オレフィンのホモポリマー、及びそれらとエチレン、及 び/又はC4又はより高級なα−オレフィン、ジオレフィン、環式オレフィン、 及び内部オレフィンとのコポリマーも調製できる。α−オレフィンの単独重合及 び共重合に対して最も好ましい条件は、α−オレフィンが反応領域で約0.019psi 乃至約50,000 psiの圧力を受け、反応温度が約−100乃至約300℃に維持されるよ うな条件である。アルミニウムの遷移金属に対するモル比は約1:1乃至約20,0 00:1であるのが好ましい。より好ましい範囲は1:1乃至2000:1である。反 応時間は約10秒乃至約10時間が好ましい。コポリマーを製造するための本発明の 方法を実施するための手段の1つは以下の通りであるが、これはいかなる意味に おいても本発明の範囲を限定するものではない。攪拌されているタンク反応器に プロピレンのような液体α−オレフィンモノマーを導入する。触媒系をノズルを 通して蒸気相か又は液相に導入する。反応器は、実質的に液体のα−オレフィン モノマーから成る液相とモノマーの蒸気を含む蒸気相を含む。反応器温度と圧力 は、蒸気化α−オレフィンの還流(自己冷却)によって、並びに冷却コイル、ジ ャケット、その他によって調節できる。重合速度は、触媒の濃度によって調節で きる。 (1) 触媒系中で使用するための第IVB族遷移金属成分、(2) 使用されるアルモ キサンの種類と量、(3) 重合希釈剤の種類と体積、(4) 反応温度、及び(5) 反応 圧力を適切に選択することによって、生成物ポリマーを、分子量分布を約6以下 、好ましくは約4以下、の値に維持しながら、所望の重量平均分子量値に調節で きる。 本発明の方法を実施するのに好ましい重合希釈剤は、トルエンのような芳香族 希釈剤、又はヘキサンのようなアルカンである。所望により、α−オレフィンそ のものを溶媒として使用できる。 本発明に従って調製された樹脂は、フィルム及び繊維、接着剤、相溶化剤、そ の他を含む様々な製品を製造するのに使用できる。実施例 本発明の実施を説明する実施例において、以下に記載する分析技術を得られる ポリオレフィン生成物の分析に使用した。ポリオレフィン生成物の分子量測定は 以下の技術によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって 行った。分子量と分子量分布は、示差屈折率(DRI)検出器とクロマティック ス(Chromatix)KMX-6オンライン光散乱光度計を備えたウォーターズ(Waters)150 ゲルパーミエーションクロマトグラフを使用して測定した。この装置は135℃で1 ,2,4-トリクロロベンゼンを移動相として用いて使用した。ショーデックス(Shod ex)(昭和電工アメリカ・インク)ポリスチレンゲルカラム802、803、804、及び 805を使用した。この技術は、「ポリマー及び関連物質の液体クロマトグラフイ ー(Liquid Chromatography of Polymers and Related Materials)III」、ジェー ・ケイジス(J.Cazes)、編者、マーセル・デッカー(Marcel Dekker)、1981、207 ページに記載されている。これは引用によって明細書中に組み入れられている。 カラムの展開(spreading)に対する補正は行わなかった。しかしながら、例えば 、ナショナル・ブューロー・オブ・スタンダーズ・ポリエチレン(National Bure au of Standards Polyethylene)1484及びアニオン重合された水素添加ポリイソ プレン(交互エチレン−プロピレンコポリマー)のような一般的に認められてい る標準に関するデータは、Mw/Mn(=MWD)についてのそのような修正が 0.05単位未満であることを示した。Mw/Mnは溶出時間から計 算した。数値的分析は、HP 1000コンピューター上で動く、市販のベックマン(Be ckman)/CIS特注LALLSソフトウェアーを標準的ゲルパーミエーションパッケージ とともに使用して行った。 13CNMRによるポリマーのキャラクタライゼーションにおいて必要な計算は 、エフ・エー・ボベイ(F.A.Bovey)の研究、「ポリマー・コンホーメーション ・アンド・コンフイギュレーション(Polymer Conformation and Configuration) 」、アカデミック・プレス、ニューヨーク、1969年、に従う。 以下の実施例は本発明の特定の実施態様を説明するためのものであり、本発明 の範囲を限定するためのものではない。非晶質ポリ−α−オレフィンの製造例 全ての手順をヘリウム又は窒素の不活性雰囲気下において行った。溶媒の選択 は任意であることが多く、例えば、ほとんどの場合ペンタン又は30-60石油エー テルのいずれかを互換的に使用できた。テトラヒドロフラン(thf)とジエチ ルエーテル(エーテル)との間の選択はやや制限されているが、いくつかの反応 においてはいずれも使用できた。リチウム化アミドは対応するアミンとn-BuLi又 はMeLiとから調製した。LiHC5Me4を製造するための公開されている方法には、フ ェンドリック(Fendrick)らのOrganometallics 1984、3、819及びエフ・エイチ ・コーラー(F.H.Kohler)とケー・エイチ・ドール(K.H.Doll)、Naturfor sch 1982、376、144が含まれる。その他のリチウム化置換シクロペンタジエニル 化合物は一般に対応するシクロペンタジエニル配位子とn-BuLi又はMeLiとから、 又はMeLiと適当なフルベン(fulvene)との反応によって調製できる。TiCl4は一般 にエテラート(etherate)形態で使用した。このエテラートは、TiCl4をエーテル に添加し、固体生成物を濾別して真空乾燥することによって簡単に調製できる。 TiCl4、ZrCl4、HfCl4、アミン、シラン、置換及び未置換のシクロペンタジエニ ル化合物又はその先駆体、及びリチウム反応体ははアルドリッチ・ケミカル・カ ンパニー(Aldrich Chemical Company)、ペトラーチ・システムズ(Petrarch Syst ems)、又はセラック(Cerac)から購入した。メチルアルモキサンはシェアリング( Schering)又はエシル・コーポレーション(Ethyl Corp.)から供給された。 実施例A 化合物A:パート1.(10.0g、0.078モル)をMe2SiCl2(11.5ml、0.095モル 、225 mlのテトラヒドロフラン溶液中)にゆっくりと添加した。溶液を1時間攪 拌して反応を確実に終了させた。溶媒を真空中で除去した。ペンタンを添加して LiClを析出させ、これを濾過した。溶媒を濾液から除去すると、淡黄色液体、(C5 Me4H)SiMe2Cl (15.34g、0.071モル)が残った。 パート2.(C5Me4H)SiMe2Cl(10.0g、0.047モル)をLiHN-t-Buの懸濁液(3.68 g、0.047モル、約100mlのthf中)にゆっくりと添加した。混合物を1晩攪拌 した。thfを真空中で除去した。石油エーテル(約100ml)を添加してLiClを 析出させ、これを濾別した。溶媒を濾液から除去すると、淡黄色液体、Me2Si(C5 Me4H)(HN-t-Bu)(11.4g、0.044モル)が後に残った。 パート3.Me2Si(C5Me4H)(HN-t-Bu)(11.14g、0.044モル)を約100 mlのエー テルで希釈した。これに、MeLi(1.4M、64ml、0.090モル)をゆっくりと添加し た。MeLiの添加後、混合物を30分間攪拌した。エーテルを真空中で減少させ、そ の後、生成物を濾別した。生成物のLi2[Me2Si(C5Me4)(N-t-Bu)]を少量のエーテ ルで数回洗浄し、真空乾燥した。 パート4.Li2[Me2Si(C5Me4)(N-t-Bu)](3.0g、0.011モル)を約150mlのエー テル中に懸濁させた。ZrCl4(2.65g、0.011モル)をゆっくりと添加し、得られ た混合物を一晩攪拌した。エーテルを真空中で除去した。ペンタンを添加してLi Clを析出させ、これを濾別した。ペンタンの量を真空中で大幅に減少させ、淡黄 色の固体を濾過別し、溶媒で洗浄した。Me2Si(C5Me4)(N-t-Bu)ZrCl2(1.07g、0. 0026モル)が回収された。再結晶化手順を繰り返すことによって、追加のMe2Si( C5Me4)(N-t-Bu)ZrCl2が濾液から回収された。総収量は1.94g、0.0047モルであ った。 実施例B 化合物B:パート1.化合物Aの製造に関して実施例Aのパート1に記載した ようにして、(C5Me4H)SiMe2Clを製造した。 パート2.(C5Me4H)SiMe2Cl(8.0g、0.037モル)をLiHN C12H23(C12H23=シ クロドデシル、7.0g、0.037モル、約80mlのthf中)にゆっくりと添加した。 混合物を1晩攪拌した。thfを真空で引いて−196℃に保持されている低温ト ラップに除去した。石油エーテルとトルエンを添加してLiClを析出させた。混合 物をセライトを通して濾過した。溶媒を濾液から除去した。Me2Si(C5Me4H)(NHC1 2 H23)(11.8g、0.033モル)が淡黄色の液体として単離された。 パート3.Me2Si(C5Me4H)(NHC12H23)(11.9g、0.033モル)を約150mlのエーテ ルで希釈した。MeLi(1.4M、47ml、0.066モル)をゆっくりと添加した。MeLiの 添加後、混合物を2時間攪拌した。エーテルを真空中で減少させ、その後、生成 物を濾別した。生成物の[Me2Si(C5Me4H)(NC12H23)]Li2(3.0g、0.008モル)を少 量のエーテルで数回洗浄し、真空乾燥して、11.1g(0.030モル)の生成物を得た 。 パート4.[Me2Si(C5Me4H)(NC12H23)]Li2(3.0g、0.008モル)を冷エーテル 中に懸濁させた。TiCl4・2Et2O(2.7g、0.008モル)をゆっくりと添加し、得ら れた混合物を一晩攪拌した。エーテルを真空で引いて−196℃に保持されている 低温トラップに除去した。塩化メチレンを添加してLiClを析出させた。混合物を セライトを通して濾過した。溶媒の量を大幅に減少させ、石油エーテルを添加し て生成物を析出させた。析出を最大にするために、濾過の前に混合物を冷やした 。回収された固体を塩化メチレンから再結晶化させ、Me2Si(C5Me4)(NC12H23)TiC l2を単離した(1.0g、2.1ミリモル)。 重合の実施例I 既に説明したのと同じ反応器設計と一般的手順を使用して、100mlのトルエン 、400mlのプロピレン、7mlの1.0M MAO、及び6.9mgの予め活性化された化合 物A(9.5mlのトルエン中11.5mgの化合物Aと1M MAOの0.5mlの6ml)を反応 器に添加した。反応器を50℃で加熱した。重合反応は30分間に限った。反応は、 系を急速に冷却し排気することによって止めた。窒素の流れによって溶媒をポリ マーから蒸発させた。アタクチックポリプロピレンが回収された(2.9g、Mw =5100、MWD=1.86、r=0.452、rrrr=0.049、m=0.548、mmmm=0.086)。 重合の実施例II 既に説明したのと同じ反応器設計と一般的手順を使用して、500mlのプロピレ ン、1.0mlの1.0M MAO、及び1mgの化合物B(1.0mlの1.0M MAO中) を反応器に添加した。反応器を60℃で加熱し、反応を2時間行わせた後、系を急 速に冷却し、排気した。過剰のプロピレンを蒸発させた後、113gのポリプロピ レンが回収された(Mw=723,700、MWD=1.849、r=0.586、rrrr=0.074、m =0.432、mmmm=0.034)。このポリマーは129℃でかすかな融点を示した。 重合の実施例III 既に説明したのと同じ反応器設計と一般的手順を使用して、400mlのプロピレ ン、2.0mlの1.0M MAO、及び1mgの化合物B(1.0mlの1.0M MAO中)を反応 器に添加した。反応器を40℃で加熱し、反応を1時間行わせた後、系を急速に冷 却し、排気した。過剰のプロピレンを蒸発させた後、126gのポリプロピレンが 回収された(Mw=1,255,000、MWD=1.90、r=0.56、rrrr=−0.07、m=0.4 4、mmmm=0.04)。 第2表に、実施例I〜IIIに関する特性データを示す。データはこれらの生成 物が非晶質であることを示している。 本発明の全体に関して、(1) 触媒系中で使用するための第IVB族遷移金属成分 、(2) 使用されるアルモキサンの種類と量、(3) 重合希釈剤の種類と体積、及び (4) 反応温度を適切に選択することによって、生成物ポリマーを、分子量分布を 約6以下、好ましくは4以下、の値に維持しながら、所望の重量平均分子量値と 所望のタクチシティーに調節できる。 本発明に従って調製された樹脂は、フィルム、繊維、接着剤、相溶化剤、及び 成形物を含む様々な製品を製造するのに使用できる。 本発明を好ましい実施態様に関連して説明した。この開示を読めば、当業者は 、上述又は以下の請求の範囲の発明の範囲と精神から離れるものではない変更や 改良を思い付くだろう。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.非晶質ポリ−α−オレフィンの製造方法であって、 (i) 1種以上のα−オレフィンを、重合条件下に、 (A) 活性化剤、及び (B) 式: で表される遷移金属成分であって、式中、 Mは、その最高の形式酸化状態の第IVB族金属であり; (C54-xx)は、0乃至4個の置換基Rで対称的に置換されたシクロ ペンタジエニル環であり、xは置換の程度(x=0、2、又は4)を表し、各置 換基Rは、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20のヒ ドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホスフ ィド基、アルコキシ基又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、メタロ イドが元素の周期表第IVA族から選ばれるC1〜C20ヒドロカルビル置換メタロ イド基、及びハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、アルキルボ リド基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、から成る群から選択 される基であり;或いは (C54-xx)は、少なくとも2つの隣接したR基が一緒になってC4〜 C20の環を形成して飽和又は不飽和の多環式シクロペンタジエニル配位子を与え ; (JR′z-2)はヘテロ原子配位子であって、Jが元素周期表のVA族 からの3の配位数を有する元素又はVIA族からの2の配位数を有する元素であり 、各R′は独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20のヒ ドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホスフ ィド基、アルコキシ基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基によっ て置換されているものから成る群から選ばれる基であり、そしてzは元素Jの配 位数であり; 各Qは、独立して、ハリド、ヒドリド、又は置換又は未置換のC1〜C2 0 のヒドロカルビル、アルコキシド、アリールオキシド、アミド、アリールアミ ド、ホスフィド、又はアリールホスフィドから選択される1価のアニオン性配位 子であり、或いは両方のQがともにアルキリデン又は環状金属化ヒドロカルビル 又は2価のアニオン性キレート化配位子であり; Tは第IVA族又はVA族の元素を含有する共有結合の架橋基であり; Lは中性ルイス塩基であり、wは0乃至3の数である、遷移金属成分を 含む触媒系と接触させる工程、及び (ii) 非晶質ポリ−α−オレフィンを回収する工程、 を含む方法。 2.第IVB族遷移金属成分が式: のものであり、式中、R1及びR2は、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基 、又は置換されたC1〜C20のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素 原子がハロゲン原子で置換されているものであるか、或いはR1及びR2は一緒に なってC3〜C20の環を形成するものである、請求項1の方法。 3.活性化剤がアルモキサンである、請求項1又は2の方法。 4.Jが窒素である、請求項3の方法。 5.RがC1〜C20のヒドロカルビル基であり、R′がC6〜C20シクロヒドロカ ルビル基又は芳香族基である、請求項3の方法。 6.R′がアルキル基であるか又は環式基である、請求項1の方法。 7.Mがチタニウムである、請求項1又は2の方法。 8.Mがハフニウム又はジルコニウムである、請求項1又は2の方法。 9.200,000より大きい重量平均分子量を有する完全にアタクチックで非晶質の ポリ−α−オレフィン。 10.500,000より大きい重量平均分子量を有する実質的にアタクチックで非晶質 のポリ−α−オレフィン。 11.ポリ−α−オレフィンがポリプロピレンを含む、請求項9のポリ−α−オレ フィン。 12.(i) 1種以上のα−オレフィンを、重合条件下に、 (A) 活性化剤、及び (B) 式: 又は で表される遷移金属成分であって、式中、 Mはその最高の形式酸化状態の第IVB族金属であり;M′はMと同じ 意味を有し; (C54-xx)は、0乃至4個の置換基Rで対称的に置換されたシ クロペンタジエニル環であり、xは置換の程度(x=0、2、又は4)を表し、 各置換基Rは、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20 のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホ スフィド基、アルコキシ基又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、メ タロイドが元素の周期表第IVA族から選ばれるC1〜C20ヒドロカルビル置換メ タロイド基、及びハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、アルキ ルボリド基、又はルイス酸又は塩基官能性を有する基から成る群から選択される 基であり;或いは(C54-xx)は、少なくとも2つの隣接したR基が一緒に なってC4〜C20の環を形成して飽和又は不飽和の多環式シクロペンタジエニル 配位子を与え; (JR′z-2)はヘテロ原子配位子であって、Jが元素周期表のVA 族からの3の配位数を有する元素又はVIA族からの2の配位数を有する元素であ り、各R′は独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20の ヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホス フィド基、アルコキシ基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基によ って置換されているものから成る群から選ばれる基であり、そしてzは元素Jの 配位数であり; 各Qは置換又は未置換のシクロペンタジエニル環ではない1価のアニ オン性配位子であり、前記1価のアニオン性配位子は、独立して、ハリド、ヒド リド、又は置換又は未置換のC1〜C20のヒドロカルビル、アルコキシド、アリ ールオキシド、アミド、アリールアミド、ホスフィド、又はアリールホスフィド から選択され、或いは両方のQがともにアルキリデン又は環状金属化ヒドロカル ビル又は2価のアニオン性キレート化配位子であり;Q′はQと同じ意味を有し ; Tは第IVA族又はVA族の元素を含有する共有結合の架橋基であり; Lは中性ルイス塩基であり、wは0乃至3の数である、遷移金属成分 を含む触媒系と接触させる工程、及び (ii) 非晶質ポリ−α−オレフィンを回収する工程、 を含む方法によって製造された、200,000より大きい重量平均分子量を有する 非晶質のポリ−α−オレフィン。 13.遷移金属成分が式: で表される化合物である、請求項12の非晶質のポリ−α−オレフィン。 14.アタクチックである、請求項12の非晶質のポリ−α−オレフィン。 15.実質的にアタクチックなポリプロピレンである、請求項12の非晶質のポリ− α−オレフィン。 16.500,000より大きい重量平均分子量を有する、請求項15のポリ−α−オレフ ィン。 17.請求項16のポリ−α−オレフィンを含む、製品。 18.ポリ−α−オレフィンがプロピレン誘導ポリマーを含む、請求項9のポリ− α−オレフィン。 19.ポリ−α−オレフィンがプロピレン誘導ポリマーを含む、請求項10のポリ− α−オレフィン。 20.アタクチックである、請求項13のポリ−α−オレフィン。 21.実質的にアタクチックなポリプロピレンである、請求項13の非晶質のポリ− α−オレフィン。 22.500,000より大きい重量平均分子量を有する、請求項13のポリ−α−オレフ ィン。 23.請求項13のポリ−α−オレフィンを含む、製品。
JP7502749A 1993-06-24 1993-06-24 モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ−α−オレフィンの製造方法 Pending JPH08512063A (ja)

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