JPH0852652A - リニアポリシャ及び半導体ウエハ平滑化方法 - Google Patents

リニアポリシャ及び半導体ウエハ平滑化方法

Info

Publication number
JPH0852652A
JPH0852652A JP20303895A JP20303895A JPH0852652A JP H0852652 A JPH0852652 A JP H0852652A JP 20303895 A JP20303895 A JP 20303895A JP 20303895 A JP20303895 A JP 20303895A JP H0852652 A JPH0852652 A JP H0852652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
surface finishing
surfacing
finishing
belt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20303895A
Other languages
English (en)
Inventor
Homayoun Talieh
タリー ホマヨーン
David Edwin Weldon
エドンウィン ウェルドン ディヴィッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ontrak Systems Inc
Original Assignee
Ontrak Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ontrak Systems Inc filed Critical Ontrak Systems Inc
Publication of JPH0852652A publication Critical patent/JPH0852652A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B35/00—Machines or devices designed for superfinishing surfaces on work, i.e. by means of abrading blocks reciprocating with high frequency
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの表面を均一に表面仕上げする
装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハポリシャ１２及びウエハの
化学的機械的平滑化方法。ポリシャ１２は、半導体ウエ
ハ８を支持するためのウエハホルダ１６と、ウエハの表
面と係合するように位置決めされる表面仕上げ部材１４
を備えたリニア表面仕上げ組立体とを有している。ウエ
ハの表面を均一に表面仕上げするため、表面仕上げ部材
１４はウエハ表面に対して直線方向にに移動できる。ポ
リシャ１２の作動中に、ウエハの表面及び表面仕上げ部
材を平行に並んだ状態に保持して、ウエハホルダ及び表
面仕上げ部材の一方を、ウエハホルダ及び研摩部材の他
方に対して回動可能に支持するのに回動整列装置を使用
できる。表面仕上げ部材１４をコンディショニングする
コンディショニングステーション６６をポリシャ１２に
設けることは任意である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハの化
学的機械的な表面仕上げ装置に関し、より詳しくは、半
導体ウエハの化学的機械的な平滑化(chemical mechanic
al planarization) を行なうリニアポリシャに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハの化学的機械的な
平滑化を行なうための入手可能な装置は、ウエハを支持
する回転ウエハホルダと、ウエハ表面に対して回転され
る表面仕上げパッドとを使用している。ウエハホルダ
は、平滑化処理時に表面仕上げパッドに対してウエハ表
面を押しつけ且つ表面仕上げパッドに対してウエハを第
１軸線を中心にして回転させる。表面仕上げパッドは、
ウエハホルダの回転軸線とは異なる第２軸線を中心にし
て回転される表面仕上げホイール又はプラテンにより支
持されている。表面仕上げパッドには表面仕上げ剤すな
わちスラリを供給してウエハを表面仕上げする。ウエハ
ホルダ及び表面仕上げホイールの各々がそれぞれの中心
軸線の回りで回転されるとき、アームがウエハホルダを
表面仕上げホイールの表面に対して平行な方向に移動さ
せる。
【０００３】ウエハ表面に適用される表面仕上げ速度は
表面仕上げパッドの相対速度に比例するため、ウエハ表
面上の所定の位置における表面仕上げ速度は、回転軸線
からの当該所定の位置の距離に基づいて定まる。従っ
て、表面仕上げパッドの回転軸線に近いウエハの縁部に
適用される表面仕上げ速度は、ウエハの反対側の縁部に
適用される表面仕上げ速度より小さい。平滑化処理の間
中ウエハを回転させるとウエハ表面の全体に適用される
表面仕上げ速度が平均化され、これにより、均一な平均
表面仕上げ速度がウエハ表面に適用される。平均表面仕
上げ速度は均一であっても、ウエハ表面は、平滑化処理
中に変化する表面仕上げ速度に連続的に曝される。一般
に、表面仕上げ速度は表面仕上げパッドの相対速度に比
例するけれども、例えば平滑化処理中に生じる化学反応
に及ぼす流体力学的及び熱力学的効果等の他のファクタ
が、任意の所与の瞬間における実際の表面仕上げ速度に
影響を及ぼす。これらの効果は、平滑化処理中、ウエハ
表面の全体に亘って均一ではない。また、ウエハと表面
仕上げパッドとの相対回転は、効果を「平均化」するこ
とよりも、むしろ反応の流体力学及び熱力学に寄与す
る。
【０００４】一定時間後、表面仕上げパッドは、効力を
失ったスラリ、離脱粒子等で飽和される。パッドは、こ
れらの粒子をパッドの表面仕上げ面から除去すべく頻繁
に粗面化しなければならない。例えば、一般に、表面仕
上げパッドと接触するように掻取り工具が取り付けられ
ていて、パッド面から離脱スラリを掻き取る。ウエハ処
理技術及び半導体部品構造の進歩により、ウエハ表面上
のフィルムを均一に表面仕上げすなわち平滑化すること
の重要性が増大している。例えば、マイクロプロセッ
サ、コントローラ及び他の高性能電子論理装置等の集積
回路は、複雑化すると同時に該デバイスのサイズは大幅
に小形化されている。複雑なデバイスには多数の配線層
が用いられており、信号伝達に遅延をもたらす重要な箇
所は多層間の相互接続部にある。配線の小形幾何学的形
状及び相互接続金属としての銅又は他の材料の使用等の
相互接続抵抗に付随する遅延を低減させるため、幾つか
の多レベル相互接続処理法が開発されている。しかしな
がら、一般に、半導体ウエハの表面は粗面である。各配
線層はウエハ表面から突出する付加的回路部品を構成
し、デバイスの表面にリップル（小波）効果を及ぼす。
ウエハ上に幾つかの層が形成されると、デバイスの不均
一な凹凸(topography)が一層強調される。第１層が完全
に平坦であっても、これに続く層の回路部品がリップル
効果を生じさせ、これは平滑化しなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は半導体ウエハ
の表面を均一に表面仕上げする装置を提供する。本発明
の装置は、半導体ウエハ表面上のフィルムを均一に表面
仕上げするため、平滑化処理の間中、ウエハ表面全体に
均一表面仕上げ速度を適用するリニアポリシャを有す
る。ポリシャは簡単な構造からなり、このため、機械の
サイズを減少でき且つ大径ウエハにも適したポリシャに
することができる。例えば、リニアポリシャは、利用で
きる機械の約１／５のサイズである。機械の小形化され
たサイズ及び簡単な構造は、ポリシャの製造コストを大
幅に低減させる。ポリシャのために殆どスペースが必要
でないので、作動コストもまた大幅に低減される。全体
的サイズを変えることができるけれども、リニアポリシ
ャはウエハより僅かに大きいに過ぎない。本発明のポリ
シャには、平滑化処理を通じて、均一な表面仕上げ速度
がウエハ表面に確実に適用されるようにするため、表面
仕上げサイクル中に表面仕上げ部材を粗面化すなわちコ
ンディショニングするための１つ以上のコンディショニ
ングステーションを設けることができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】要約すれば、本発明は、
半導体ウエハの化学的機械的な平滑化装置を提供するこ
とにある。本発明の装置は、リニアポリシャと、半導体
ウエハを保持するウエハ支持組立体とを備えたウエハ表
面仕上げ機を有する。リニアポリシャは、ウエハ表面と
係合するように位置決めされた表面仕上げパッドを有す
る。表面仕上げパッドは、ウエハ表面を均一に平滑化す
べく、ウエハに対して直線方向に移動される。また、ウ
エハ表面仕上げ機には、表面仕上げ機の作動中、ウエハ
表面及び表面仕上げパッドが平行に並んだ状態に維持さ
れるように、ウエハホルダ又は表面仕上げパッドを回動
可能に支持するように配置された回動整列装置を設ける
ことができる。
【０００７】本発明の一実施例では、表面仕上げパッド
は連続した経路で移動でき、この間に表面仕上げパッド
がウエハ表面を横切って通過する。ウエハ表面仕上げ機
は、更に、表面仕上げ機の作動中、パッドをコンディシ
ョニングするための、表面仕上げパッドの経路内に配置
されたコンディショニングステーションを有している。
また、本発明の装置は、半導体ウエハの表面を均一に表
面仕上げする方法を提供する。この方法は、ウエハ表面
が表面仕上げパッドと係合する状態でウエハを支持する
工程と、ウエハ表面の全体に均一な表面仕上げ力を加え
るべく、表面仕上げパッドをウエハに対して直線方向に
移動させる工程とを有する。本発明の他の目的及び特徴
は、添付図面に関連して述べる以下の詳細な説明及び請
求の範囲の記載から容易に明らかになるであろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】添付図面を参照して、本発明の好
ましい実施例を以下に詳細に説明する。全図面を通じ、
同じ構成部品は同じ参照番号で示されている。先ず、図
１〜図３を参照されたい。図１ないし図３は、半導体ウ
エハ８の表面を均一に平滑化するためのウエハ表面仕上
げ機１０を示す。表面仕上げ機１０は、概略的に、半導
体ウエハ８の表面９を表面仕上げする表面仕上げ部材す
なわち表面仕上げパッド１４と、表面仕上げ作業中、半
導体ウエハを支持する支持組立体１６とを有するリニア
ポリシャ１２を備える。表面仕上げ部材１４には、ウエ
ハ表面を表面仕上げするコロイドシリカ又は燻蒸シリカ
スラリ等の表面仕上げ剤すなわちスラリ（図示せず）が
デポジットされている。変形例として、研磨剤を含浸さ
せたパッドを設けてもよい。リニアポリシャ１２は、表
面仕上げパッド１４を半導体ウエハに対して直線方向に
移動させ、ウエハの全表面に亘って均一な表面仕上げ力
を連続的に付与する。或る用途では、特定の可変速度の
プロフィールを用いてウエハ表面を表面仕上げするのが
望ましいこともあるが、表面仕上げ部材１４は一定速度
で移動される。表面仕上げ部材１４の定速の直線移動
は、ウエハ表面全体に亘って優れた表面仕上げの均一性
を与える。
【０００９】図１ないし図３に示すリニアポリシャ１２
の具体例では、表面仕上げ部材すなわちパッド１４が無
端ベルト１８の外側面に取り付けられている。ベルト１
８は支持板２０を横切って延び且つ１対のローラ２２、
２４に取り付けられている。ローラ２２、２４に連結さ
れたモータ組立体２６は、ベルト１８を矢印Ａで示す方
向に一定速度で移動するようにローラを駆動する。ロー
ラ２２、２４によりベルト１８が動かされると、ベルト
１８は支持面２０を横切って移動する。支持面２０は、
表面仕上げ部材１４がウエハの全表面に亘って均一な表
面仕上げ力を加えることができるように、支持組立体１
６とは反対側でベルト１８をしっかりと支持する。ウエ
ハ表面の最適な平滑化を行なうには、ベルト移動速度は
約５０〜１５０フィート／分(1524 ないし4572 cm/分)
が好ましい。しかしながら、使用する薬品に基づいて理
解すべきであり、速度は、３００フィート／分(9144cm/
分) まで又はこれ以上のかなり速い速度であってもよ
い。ベルト１８の内側面と支持板２０との間の流体層
（全体を参照番号２８で示す）は、リニアポリシャ１２
の作動中、摩擦損失を低減させ且つ熱放散を最小にす
る。また、流体層２８は、ベルト１８が支持板２０を通
るときの支持板２０に対するベルト１８の撓みを最小に
して、ウエハ表面９と表面仕上げ部材１４との平行な整
列を容易にすることができる。
【００１０】表面仕上げ部材１４は、無端ベルト１８の
全周に亘って延び且つウエハ８の直径より大きい幅を有
するのが好ましい。しかしながら、表面仕上げ部材１４
のサイズを所望なように変えてもよい。表面仕上げパッ
ド１４は、任意の適当な固定手段を用いてベルト１８に
取り付けられる。表面仕上げ部材が元々矩形の形状を有
する場合には、ウエハ８が表面仕上げ部材の最上方縁部
を下に位置する縁部に押しつける傾向をもつように、表
面仕上げ部材１４のオーバーラップ縁部がテーパ状にな
っている。この実施例では表面仕上げ部材１４が堅いポ
リウレタン材料からなるパッドであるが、他の適当な材
料を使用してもよい。また、無端ベルトは、ステンレス
鋼等の金属、ポリエチレンテレフタレート樹脂等の高強
度ポリマ、又はウエハ８によりベルトに加えられる荷重
に耐える充分な強度を有する他の適当な可撓性材料で作
ることができる。図１〜図３に示す実施例では、無端ベ
ルト１８は２つのローラ２２、２４により支持されてい
る。しかしながら、ローラの個数は所望に応じて増大で
きる。ローラ２２、２４は、表面仕上げ部材１４がウエ
ハ表面を均一に表面仕上げできる充分な剛性をもつよう
に、ベルト１８を張力付与状態に保持する。ベルトの張
力は、ローラ２２に対するローラ２４の位置を調節する
ことにより、必要に応じて増減できる。
【００１１】支持組立体１６は、表面仕上げ作業中、ウ
エハ８を所定位置に保持する。図１ないし図３に示す実
施例では、支持組立体１６は、また、ウエハ表面９と表
面仕上げ部材１４との間の平行な整列性を最高にし且つ
表面仕上げ部材１４に対してウエハ表面９を押しつける
下向きの力を加え、表面仕上げ部材１４がウエハ表面の
全体に必要な表面仕上げ力を加えるようにする。特に図
２に示すように、支持組立体１６は、ウエハ８を支持し
且つウエハ表面９を表面仕上げ部材１４に正確に整列さ
せるためのウエハホルダ３４を有している。ウエハホル
ダ３４は下板３６を有し、下板３６には、ウエハ表面９
が下板３６から僅かに突出するようにウエハ８を受け入
れるように形成されたディスク状凹部が形成されてい
る。ウエハ８は、バッキングフィルム、ワキシング（ロ
ウ引き）又は他の適当な技術により所定位置に保持され
る。下板３６は、ベアリング４２内に支持された球状ジ
ャーナル４０に取り付けられる。この実施例では、ジャ
ーナル４０とベアリング４２と間隙には、水、その他の
スラリ相容性液体又は適当なガス等の潤滑剤が充填され
ている。潤滑剤充填キャビティは、加圧された潤滑剤源
を収容するリザーバ（図示せず）に連結され、ベアリン
グ４２からジャーナル４０を常時完全に隔絶する静圧ベ
アリングを形成している。
【００１２】ジャーナル４０及びベアリング４２の球状
湾曲形状は、表面仕上げ処理時にウエハ表面に加えられ
る剪断力の如何に係わらずウエハ表面９を表面仕上げ部
材１４の表面に対して平行な方向に保持する、ウエハ８
の回動支持体を形成する。この実施例では、ジャーナル
４０は、図１及び図２に示すように、ウエハ表面９上に
位置するピボット点４６に中心をもつ球形のスラブすな
わち球形の一部の形状に形成されている。換言すれば、
ジャーナル４０の形状は、球を２つの半球に切断し、次
に一方の半球の平らな面からウエハと同じ厚さをもつス
ライスを除去することにより得られる。これにより、ピ
ボット点４６がウエハ表面に位置することが確保され
る。図１及び図２に示すように、ジャーナル４０の高さ
を減少させるため、半球の両端部から一部を除去するこ
とも任意である。
【００１３】ジャーナル４０はベアリング４２内で回動
し、全表面仕上げ作業を通じて、ウエハ表面９及び表面
仕上げパッド１４に実質的に平行な状態を与える。ジャ
ーナル４０は、テーパ状の厚さを有するウエハ表面が表
面仕上げ部材１４に対して平行になるように、ピボット
点４６を中心に回動する。また、ジャーナル４０はベル
ト１８及び表面仕上げ部材１４の厚さの変化に順応し、
これによりウエハ表面９と表面仕上げ部材１４との間の
平行性が維持される。移動する表面仕上げベルト１４に
対してウエハ表面が位置決めされると、ウエハ表面の全
体に亘って剪断摩擦力が加えられる。ウエハに加えられ
る摩擦力はピボット点４６を通るので、この摩擦力はジ
ャーナル４０をべアリング４２に対し回動させることは
ない。それどころか、ジャーナル４０は、ウエハ表面９
が表面仕上げ部材１４に対して平行な状態で、ウエハを
位置決めし続ける。かくして、ジャーナル４０のピボッ
ト点をウエハ表面９に位置させることにより、本発明の
ウエハホルダ３４は、ウエハ表面９と表面仕上げ部材１
４との間の平行性を維持し、ウエハ表面９の全体を均一
に表面仕上げする。
【００１４】ウエハが表面仕上げされてウエハの厚さが
減少すると、ピボット点４６はウエハ表面９から変位さ
れる。場合によっては、ウエハの厚さ変化が非常に小さ
く、ウエハ表面９と表面仕上げ部材１４との平行整列性
が大きな影響を受けないこともある。しかしながら、よ
り高い精度を必要とする場合には、ジャーナル４０にク
サビ状部分（図示せず）を形成することもできる。ウエ
ハの厚さが小さくなると、クサビ状部分がジャーナルの
残余部分に対して摺動し、ウエハ表面９を球体の中心す
なわちピボット点４６に維持する。ジャーナル４０とベ
アリング４２との間には実質的な摩擦が存在しないの
で、表面仕上げ機１０の振動作用に基づいて閉ループ制
御装置（図示せず）を設け、減衰力を与えるのが望まし
い。ウエハホルダ３４は、リニアポリシャ１２の支持板
２０の上方に配置された水平方向に延びる上側プラット
フォーム４８に取り付けられている。上側プラットフォ
ーム４８は、垂直方向に延びる背板５０により支持され
ている。背板５０は、横方向に延びるピボットバー５２
によりリニア表面仕上げ組立体１２に回動可能に取付け
られている。支持組立体１６は、この組立体１６をバー
５２を中心にして回動させることにより、表面仕上げ部
材１４、無端ベルト１８及び支持板２０から離れる方向
に容易に移動して、ウエハの挿入及び取外し又は支持組
立体又はリニアポリシャのメインテナンスを行なうこと
ができる。
【００１５】支持組立体１６の上側プラットフォーム４
８は、空気圧シリンダ５４によりリニアポリシャ１２に
連結されている。空気圧シリンダ５４が作動されると、
このシリンダ５４はプラットホーム４８を支持板２０に
向けて付勢し、リニアポリシャの表面仕上げ部材１４に
対してウエハ８を押し付ける。図４及び図５は、それぞ
れ、上昇位置及び下降位置にある支持組立体１６を示
す。上側プラットフォーム４８を下方に移動させること
により、ウエハ表面９の平滑化に必要な表面仕上げ力が
ウエハ表面に加えられる。ウエハ表面９に加えられる表
面仕上げ力の大きさは、空気圧シリンダ５４の作動を制
御することにより正確に制御される。本発明の他の実施
例では、空気圧シリンダ５４の代わりに油圧シリンダ又
は他の装置を使用して上側プラットフォーム４８を支持
板２０に向けて移動させることができる。
【００１６】支持組立体１６は、表面仕上げ部材１４が
直線方向に移動されるとき、表面仕上げ部材１４に対し
てウエハ８をゆっくり回転させるのが好ましい。表面仕
上げ部材１４がウエハ８に係合すると、表面仕上げ経路
がミクロ構造レベルで形成される。ウエハをゆっくり回
転させると、表面仕上げによる幾何学的構造を決定し且
つ表面仕上げ表面での一定引っ掻き傷（スクラッチ）の
形成を防止するた表面仕上げのための重要なファクタ
を、任意の入射角（すなわち、任意の方向）で生じさせ
ることができる。殆どの表面形状では、一般に、表面仕
上げ経路に任意のトラジェクトリを与えることが望まれ
る。また、ウエハをゆっくり回転させると、その進み側
縁の位置を変化させ、ウエハの縁部に沿った均一な表面
仕上げを得ることができる。この実施例では、ウエハホ
ルダ３４は、モータ（図示せず）により低速度で表面仕
上げ部材１４に対しゆっくりと回転される。ウエハホル
ダ３４の回転速度は、ベルト１８の速度の１／１０より
低い速度であり且つ均一な表面仕上げを達成するため、
表面仕上げ作業中にウエハが数多く完全回転されるよう
に選択される。ウエハは、少なくとも、表面仕上げ処理
中に完全に一回転される。ウエハが完全に一回転されな
いと、ウエハ表面には不均一な輪郭が形成される。
【００１７】表面仕上げ部材１４の直線移動によりウエ
ハ表面全体に付与される均一な表面仕上げ速度及びウエ
ハ表面９と表面仕上げ部材１４との間に達成される平行
性により、高精度の均一表面仕上げが可能になる。これ
は、２ミクロンの厚さのフィルムから１ミクロンを除去
することを望む半導体ウエハの処理において特に有効で
ある。本発明の他の実施例によるウエハ表面仕上げ機１
０ａを図６及び図７に概略的に示す。特に図６を参照す
ると、表面仕上げ機１０ａは、概略的に、複数のローラ
６５により支持された無端ベルト１８ａに取り付けられ
る表面仕上げ部材１４ａを備えたリニアポリシャ１２ａ
を有している。半導体ウエハは、該ウエハの表面が表面
仕上げ部材１４ａと係合するように位置決めされて、支
持組立体１６ａにより保持される。ベルト１８ａは、ウ
エハの表面を均一に表面仕上げすべく、ウエハに対して
直線方向に表面仕上げ部材１４ａを移動させる。
【００１８】表面仕上げ部材１４ａがウエハ表面９を表
面仕上げするとき、使用済のスラリが表面仕上げ材料１
４ａの細孔の中に集合し、表面仕上げ部材１４ａの粗さ
を低下させる。効力を失ったスラリを除去し且つ表面仕
上げ部材１４ａを粗面化し、これによりウエハ表面の均
一な平滑化における表面仕上げ部材１４ａの作用を最大
にするために、表面仕上げ部材１４ａは周期的にコンデ
ィショニングしなければならない。図６及び図７に示す
実施例では、リニアポリシャ１２ａは、表面仕上げサイ
クル中、表面仕上げ部材１４ａをコンディショニングす
るためのコンディショニングステーション６６を有す
る。表面仕上げ部材１４ａの所与の部分がウエハ表面を
横切って通過した後、表面仕上げ部材１４ａはステーシ
ョン６６を通って移動し、表面仕上げ部材１４ａがウエ
ハ表面９に戻る前に、ステーション６６でコンディショ
ニングされる。コンディショニングステーション６６を
使用すると、ウエハ表面は、表面仕上げ部材１４ａの新
たにコンディショニングされた部分に連続的に露出され
る。半導体ウエハを表面仕上げする連続的にコンディシ
ョニングされるパッドの使用により、平滑化処理を一層
厳格に制御でき且つ均一な表面仕上げ力をウエハ表面に
連続的に加えることができる。
【００１９】図６に示す実施例では、コンディショニン
グステーション６６は、表面仕上げ部材１４ａがウエハ
から離れた後、表面仕上げ部材１４ａの表面と係合する
ように位置決めされたコンデショニング用ダイヤモンド
ブロック等の掻取り部材７０を有している。掻取り部材
７０は、表面仕上げ部材１４ａからの離れたスラリ及び
他の粒子を除去して、表面仕上げ部材の表面を粗面化す
る。次に、表面仕上げ部材１４ａは、酸洗い槽７２、す
すぎ槽７４及びスラリ槽７６を通り、更なるコンディシ
ョニングが行われる。酸洗い槽７２は、効力を失った残
余のスラリを表面仕上げ部材１４ａから除去するため
の、稀釈されたフッ化水素酸溶液のような酸性溶液を収
容している。すすぎ槽７４には、表面仕上げ部材１４ａ
から酸性溶液のあらゆる痕跡を除去するための蒸留水の
ようなすすぎ溶液が満たされている。スラリ槽７６で
は、表面仕上げ部材１４ａにコロイドシリカ分散液のよ
うな新鮮なスラリが加えられる。ベルト１８ａは掻取り
部材７０を通って移動し且つ酸洗い槽７２に入る。ベル
ト１８ａは、酸洗い槽７２から、第１シール７８を通過
してすすぎ槽７４の中に入り、更に第２シール８０を通
ってスラリ槽７６の中に入る。両シール７８、８０は、
隣接する槽７２、７４、７６間で、その内容物の混合を
実質的に防止する。ベルト１８ａがスラリ槽７６を出る
と、新たにコンディショニングされた表面仕上げ部材１
４ａはウエハを横切って通過し、ウエハ表面を表面仕上
げする。
【００２０】掻取り部材７０及び一連の槽７２、７４、
７６は、ウエハ表面仕上げ機１０ａの作動中、表面仕上
げ部材１４ａをコンディショニングするのに特に適した
コンディショニングステーションの一つの形態を例示し
ている。しかしながら、本発明の他の実施例ではかなり
の変更を施すことができることを理解されたい。例え
ば、酸洗い槽７２と、すすぎ槽７４と、スラリ槽７６と
を分離するシール７８、８０の代わりに、ベルトを個々
の槽の中に差し向ける別のローラを設けることもでき
る。コンディショニングステーションに設けられる槽の
個数は、所望に応じて増減できる。槽の代わりに、洗浄
剤、すすぎ剤及び／又はスラリを表面仕上げ部材１４ａ
に噴霧するための図７に示すようなノズル８２を用いて
もよい。また、コンディショニング装置は、槽とスプレ
ー噴射ノズルとを組合せて構成してもよい。
【００２１】図８及び図９は、本発明の他の実施例のリ
ニアポリシャ１２ｂを示す。表面仕上げ機１０ｂは、無
端ベルト１８ｂにより支持された表面仕上げ部材１４ｂ
を備えたリニアポリシャ１２ｂと、半導体ウエハを支持
するための支持組立体１６ｂ（図９）とを有している。
図９に示すように、支持組立体１６ｂに取り付けられた
ウエハホルダ８６は、表面仕上げ処理中、半導体ウエハ
をしっかりと保持する。ベルト１８ｂの下に配置された
ジンバル形支持体８８は、ベルト１８ｂを支持し且つウ
エハ表面の表面仕上げのために、ベルト１８ｂに上向き
の力を加えて表面仕上げ部材１４ｂをウエハに押し付け
る。また、ジンバル形支持体８８は、表面仕上げ部材１
４ｂを備えたベルト１８ｂをウエハ表面と平行に並べ、
ウエハの全表面に亘って均一な表面仕上げ力が加えられ
るようにする。
【００２２】図８及び図９に示す実施例では、ジンバル
形支持体８８の構造は、図１〜図３に示すウエハ支持体
３４と実質的に同じである。ジンバル形支持体８８は、
静圧ベアリング９２の中に支持される球状ジャーナル９
０を有する。ジャーナル９０とベアリング９２との間の
間隙空間には水、他のスラリ相容性液体又は適当なガス
のような潤滑剤が充満されている。潤滑剤を加圧状態で
収容するリザーバ（図示せず）は、間隙空間に潤滑剤を
供給して、ジャーナルをベアリングの内部から常時分離
するのを確実にする。ジャーナル９０は、ベルトの下面
と係合して表面仕上げ部材１４ｂをウエハ表面に押し付
ける平らな支持面を有する。図９に示すように、ジャー
ナル９０は、表面仕上げ部材１４ｂの外面に配置される
ピボット点９６に中心をもつ球体の一部の形状に形成さ
れている。ジャーナル９０は、ベアリング９２の中でピ
ボット点９６を中心に回動し、ウエハ表面９と表面仕上
げ部材１４ｂとの間でその平行性を維持する。表面仕上
げ部材１４ｂがウエハ表面を表面仕上げするとき、表面
仕上げ部材１４ｂには剪断摩擦力がウエハ表面により加
えられる。摩擦力は本質的にピボット点９６を通るの
で、この摩擦力によってジャーナル９０がウエハ表面に
対して回動されない。かくして、ウエハ表面が表面仕上
げされる間、ウエハ表面と表面仕上げ部材１４ｂとの間
の平行性が連続的に維持される。
【００２３】前に説明した実施例の無端ベルトの代わり
に、他の装置を使用して表面仕上げ部材を直線方向に移
動させてもよい。図１０は、支持板２０ｃに配置された
複数の平行な往復運動バー１０６を備えたリニアポリシ
ャ１２ｃを示している。半導体ウエハ８の表面を表面仕
上げする表面仕上げ部材１４ｃが、各往復運動バー１０
６に取り付けられている。図示しないが、表面仕上げ部
材１４ｃに充分なスラリを加えるのを確実にするため
に、バー１０６をスラリ槽に設けてもよい。変形例とし
て、バー１０６を反転してウエハの上方に吊下げ、スラ
リをウエハ表面に適用することもできる。ピン１１０に
より往復運動バー１０６に連結された空気圧シリンダ１
０８のような作動装置は、支持板２０ｃを横切って直線
方向にバー１０６を移動させる。図示しないけれども、
バー１０６を、直線動スライド又は直線動モータにより
支持してもよい。バー１０６を２つの群に分け、これら
を空気圧シリンダ１０８により逆方向に同時に移動させ
るのが好ましい。図１０に示すように、リニアポリシャ
１２ｃが４つの往復運動バーを有し、各バー１０６は隣
接するバーとは逆方向に移動する。しかしながら、往復
運動バーの個数は所望に応じて増減でき且つ数多くの他
の構成を使用できることを理解されたい。また、別の空
気圧シリンダを使用して往復運動バー１０６を個々に移
動させてもよい。
【００２４】空気圧シリンダ１０８は、半導体ウエハに
対して往復運動バー１０６を前後に移動させる。バー１
０６のストロークは、ウエハの直径に往復運動バー１０
６の長さの２倍を加えたものにほぼ等しくし、各ストロ
ークによりバーがウエハ表面を超えて移動するのが好ま
しい。変形例として、往復運動バー１０６はウエハ表面
と連続的に接触するように振動してもよい。往復運動バ
ー１０６は、前に説明した実施例の無端ベルトよりも大
きな剛性を有し、より安定したシステムを提供する。往
復運動バー１０６の速度は、空気圧シリンダ１０８に連
結された制御装置１１２により制御される。制御装置１
１２は、シリンダ１０８を作動させ且つ一定速度で往復
運動バー１０６を駆動するように構成するのが好まし
い。表面仕上げ部材１４ｃの定速直線運動により、ウエ
ハ表面が均一に表面仕上げされる。しかしながら、表面
形状によっては、表面仕上げ部材１４ｃを非均一な速度
プロフィールで移動させることが望ましいかも知れな
い。この実施例では、制御装置は、特定の速度プロフィ
ールに従って空気圧シリンダ１０８を作動させ、均一表
面仕上げのために、表面仕上げ部材１４ｃを要求非均一
速度で移動させてもよい。この実施例では空気圧シリン
ダ１０８を用いたが、液圧シリンダ、カム、ボールねじ
等を用いたステップモータ、サーボモータ、リニアモー
タ等の他の装置を用いて往復運動バー１０６を移動させ
てもよい。
【００２５】ウエハホルダ３４でのウエハの回動がウエ
ハ表面９を表面仕上げ部材１４ｃの表面に対して平行に
位置決めする状態で、図１〜図３に示す支持組立体１６
によりウエハ８を支持するのが好ましい。図１〜図３に
関して前述したように、ウエハホルダ３４は、ウエハ表
面の局部領域を均一に平滑化すべく、表面仕上げ部材１
４ｃに対してウエハ８を回転させることができる。変形
例として、表面形状によっては、ウエハを回転させない
で均一な平面度を得ることができる。図示しないけれど
も、表面仕上げ部材１４ｃの表面を横方向に横切ってウ
エハ８を移動させるべく、往復運動バーに対して横方向
に移動可能に支持組立体１６を取り付けてもよい。図１
１に示すリニアポリシャ１２ｄは、クランク組立体１１
８により支持板２０ｄを横切って動かされる複数の往復
運動バー１０６ｄを有する。往復運動バー１０６ｄに
は、ウエハ表面を表面仕上げするための表面仕上げ部材
１４ｄが取り付けられる。クランク組立体１１８は複数
のクランクアーム１２０を有し、各クランクアーム１２
０は、クランク軸１２２及び１つの往復運動バー１０６
ｄに連結されている。モータ（図示せず）はクランク軸
１２２を回転させ、これによりクランクアーム１２０が
往復運動バー１０６ｄを直線方向に移動させる。図１１
に示すように、クランクアーム１２０は、隣接する往復
運動アームを逆方向に移動させる。しかしながら、他の
変更態様では、２つ以上の隣接するバーを同方向に移動
させてもよい。リニアポリシャ１２ｄは、ウエハを支持
し且つ表面仕上げ部材１４ｄに対してウエハ表面を平行
に位置決めする図１〜図３に示す支持組立体１６と共に
使用できる。
【００２６】図１１の実施例では、往復運動バー１０６
ｄの速度は一定ではない。それどころか、クランク組立
体１１８は、往復運動バー１０６ｄを正弦速度で移動さ
せる。半導体ウエハは、表面仕上げ部材１４ｄの速度の
正弦変化により規定される可変速度で回転されるのが好
ましい。クランク組立体１１８では、ウエハ表面を所望
の表面仕上げにするため、往復運動バー１０６ｄを特定
の可変速度プロフィールで移動させてもよい。上記の点
を除き、図４ないし図１１の実施例は図１〜図３の実施
例と似ており、「ａ〜ｄ」の添字を付した同じ参照番号
を使用して対応する部品を示した。上記説明及び特許請
求の範囲の記載において、用語「ウエハ表面」及び「ウ
エハの表面」は、処理前のウエハの表面及びウエハ上に
形成されるあらゆる層（酸化金属、酸化物、スパンガラ
ス(spun-on glass) 、セラミック等を含む）の表面を含
むけれども、これらに限定されるものではない。
【００２７】以上、本発明を幾つかの特定実施例につい
て説明したが、説明は本発明の例示であり、本発明を制
限するものと解釈すべきではない。特許請求の範囲に記
載された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、
当業者には種々の変更が可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるウエハ表面仕上げ機を示す正面図
である。
【図２】図１のウエハ表面仕上げ機の一部を破断した側
面図である。
【図３】図１のウエハ表面仕上げ機を示す平面図であ
る。
【図４】支持組立体が上昇位置にあるところを示す概略
側面図である。
【図５】支持組立体が下降位置にあるところを示す概略
側面図である。
【図６】本発明の他の実施例によるウエハ表面仕上げ機
を示す概略図である。
【図７】本発明の他の実施例によるウエハ表面仕上げ機
を示す概略図である。
【図８】本発明の他の実施例によるウエハ表面仕上げ機
のリニアポリシャを示す斜視図である。
【図９】図８のウエハ表面仕上げ機を示す概略図であ
る。
【図１０】本発明の更に別の実施例によるリニアポリシ
ャを示す斜視図である。
【図１１】本発明の他の実施例によるリニアポリシャの
図１０と同様な斜視図である。
【符号の説明】
８ 半導体ウエハ ９ ウエハ表面 １０ 表面仕上げ機 １２ リニアポリシャ １４ 表面仕上げ部材（表面仕上げパッド） １６ 支持組立体 １８ 無端ベルト ２２ ローラ ２４ ローラ ２６ モータ組立体 ２８ 流体層 ３４ ウエハホルダ ４６ ピボット点 ６６ コンディショニングステーション ７０ 掻取り部材 ７２ 酸洗い槽 ７４ すすぎ槽 ７６ スラリ槽 ９０ 球状ジャーナル ９６ ピボット点 １０６ 往復運動バー １０８ 空気圧シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディヴィッド エドンウィン ウェルドン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95030 ロス ガトス スカイヴィュー テラス 23613

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 研磨剤を用いて半導体ウエハの表面の化
    学的機械的な平滑化を行なうウエハ表面仕上げ機であっ
    て、 ウエハホルダを備えたウエハ支持組立体を有し、前記ウ
    エハホルダは、前記ウエハを受け入れて前記ウエハ表面
    を前記ウエハホルダから突出させた状態で前記ウエハを
    支持する形状を有し、 前記ウエハ表面と係合するように配置された表面仕上げ
    部材を備えた直線動表面仕上げ組立体を更に有し、前記
    表面仕上げ部材は、前記ウエハ表面を均一に表面仕上げ
    すべく、ウエハ表面仕上げ機の作動中、均一な表面仕上
    げ力を前記ウエハ表面の全体に連続的に加えるために、
    前記ウエハに対して直線方向に移動可能である、ことか
    らなるウエハ表面仕上げ機。
  2. 【請求項２】 前記表面仕上げ部材が、ベルトと、該ベ
    ルトに取り付けられた表面仕上げ材料とからなる、請求
    項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  3. 【請求項３】 前記ベルトが連続した経路で移動可能で
    あり、また、ウエハ表面仕上げ機の作動中に前記表面仕
    上げ材料をコンディショニングするための、前記ベルト
    の前記経路に設けられたコンディショニングステーショ
    ンを更に有する、請求項２に記載のウエハ表面仕上げ
    機。
  4. 【請求項４】 前記表面仕上げ部材が複数の往復運動バ
    ーを備え、該バーには表面仕上げ材料が取り付けられ、
    前記バーは前記ウエハに対して直線方向に移動可能であ
    る、請求項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  5. 【請求項５】 前記表面仕上げ組立体が、前記ウエハに
    対して前記バーを直線方向に移動させるための、前記バ
    ーに連結された少なくとも１つの作動装置を備えてい
    る、請求項４に記載のウエハ表面仕上げ機。
  6. 【請求項６】 前記表面仕上げ組立体が、前記作動装置
    に連結された制御装置を備え、該制御装置は、所定の速
    度プロフィールに従って前記バーを移動させるように構
    成されている、請求項５に記載のウエハ表面仕上げ機。
  7. 【請求項７】 前記表面仕上げ部材が、均一な表面仕上
    げ力を前記ウエハ表面の全体に連続的に加えるために、
    前記ウエハに対して定速の直線動の速度で移動可能であ
    る、、請求項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  8. 【請求項８】 前記ウエハホルダが、前記表面仕上げ部
    材の速度の多くて約１／１０の速度で前記表面仕上げ部
    材に対して回転可能であり、前記表面仕上げ部材は、前
    記ウエハホルダが回転すると、前記表面仕上げ部材に対
    する前記ウエハの角速度が前記ウエハ表面の全体に均一
    になるように、前記ウエハに対して前記直線方向に移動
    される、請求項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  9. 【請求項９】 前記表面仕上げ部材には前記研磨剤が含
    浸されている、請求項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  10. 【請求項１０】 前記支持組立体及び前記表面仕上げ組
    立体の一方が、ウエハ表面仕上げ機の作動中、前記ウエ
    ハ表面及び前記表面仕上げ部材を平行に並んだ状態に保
    持して、前記ウエハホルダ及び前記表面仕上げ部材の一
    方を前記ウエハホルダ及び前記表面仕上げ部材の他方に
    対して回動可能に支持するように配置された回動整列装
    置を有する、請求項１に記載のウエハ表面仕上げ機。
  11. 【請求項１１】 前記整列装置が前記ウエハホルダに連
    結され、前記整列装置は前記ウエハホルダを支持し且つ
    ウエハ表面仕上げ機の作動中、前記ウエハ表面を前記表
    面仕上げ部材に対して平行に位置決めするために前記ウ
    エハホルダの向きを定める、請求項１０に記載のウエハ
    表面仕上げ機。
  12. 【請求項１２】 前記整列装置が前記表面仕上げ部材を
    支持し且つ前記ウエハ表面仕上げ機の作動中、前記表面
    仕上げ部材を前記ウエハ表面に対して平行な向きにす
    る、請求項１０に記載のウエハ表面仕上げ機。
  13. 【請求項１３】 前記整列装置が、ベアリングに支持さ
    れたジャーナルを備え、前記ジャーナルは前記ウエハ表
    面上に位置するピボット点を中心にして前記ベアリング
    に対して回動される、請求項１０に記載のウエハ表面仕
    上げ機。
  14. 【請求項１４】 前記ジャーナルが球体の一部の形状に
    形成され、また、前記ピボット点が前記球体の中心に配
    置される、請求項１３に記載のウエハ表面仕上げ機。
  15. 【請求項１５】 前記ジャーナル及び前記ベアリングが
    潤滑剤により分離されている、請求項１３に記載のウエ
    ハ表面仕上げ機。
  16. 【請求項１６】 移動可能な表面仕上げ部材を備えたポ
    リシャを用いて半導体ウエハの表面を均一に平滑化する
    方法であって、 前記ウエハ表面が前記表面仕上げ部材と係合した状態で
    前記ウエハを支持する工程と、 前記表面仕上げ部材を前記ウエハに対して直線方向に移
    動させて、前記ウエハ表面を均一に平滑化するために前
    記ウエハの前記表面の全体に亘って均一な表面仕上げ力
    を加える工程とを有することを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】 前記移動工程は、前記表面仕上げ部材
    を５０〜１５０フィート／分の範囲内の一定速度で移動
    させることからなる、請求項１６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記移動工程は、前記ウエハの前記表
    面全体に亘って均一な表面仕上げ力を加えるように選択
    される速度プロフィールに従って前記表面仕上げ部材を
    移動させることからなる、請求項１６に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記表面仕上げ部材に対して前記ウエ
    ハを回転させる工程を更に有する、請求項１６に記載の
    方法。
  20. 【請求項２０】 前記ウエハを回転させる工程が、前記
    表面仕上げ部材に対する前記ウエハの角速度が前記ウエ
    ハ表面の全体に均一である状態で、前記表面仕上げ部材
    の速度の多くとも約１／１０の速度で前記ウエハを回転
    させることからなる、請求項１９に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記移動工程は、前記表面仕上げ部材
    が前記ウエハ表面を横切って通る連続した経路で前記表
    面仕上げ部材を移動させることからなり、また、前記表
    面仕上げ部材が前記連続した経路を移動するときに前記
    表面仕上げ部材をコンディショニングする工程を更に有
    する、請求項１６に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記ウエハ及び前記表面仕上げ部材の
    一方を、前記ウエハ表面及び前記表面仕上げ部材が実質
    的に平行になるまで、前記ウエハ及び前記表面仕上げ部
    材の他方に対して回動させる工程を更に有する、請求項
    １６に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 半導体ウエハの表面を平滑化するため
    のウエハ表面仕上げ機であって、 前記ウエハを受け入れて前記ウエハ表面を前記ウエハホ
    ルダから突出させた状態で前記ウエハを支持するように
    形作られたウエハホルダと、 該ウエハホルダと関連し、連続した経路で移動可能な表
    面仕上げ部材を有する表面仕上げ組立体と、 前記表面仕上げ部材は、前記連続した経路で、前記ウエ
    ハ表面と係合してこれを横切って前記ウエハに関して直
    線方向に移動し、 また、前記支持組立体から下流側で前記表面仕上げ部材
    の前記経路に配置され、表面仕上げ機の作動中、前記表
    面仕上げ部材をコンディショニングするためのコンディ
    ショニングステーションとを有するウエハ表面仕上げ
    機。
  24. 【請求項２４】 前記表面仕上げ部材が、無端ベルト
    と、該無端ベルトに取り付けられた表面仕上げパッドと
    からなる、請求項２３に記載のウエハ表面仕上げ機。
  25. 【請求項２５】 前記コンディショニングステーション
    が、前記ウエハホルダの下流側で前記表面仕上げ部材と
    係合するように配置された掻取り部材を有する、請求項
    ２３に記載のウエハ表面仕上げ機。
  26. 【請求項２６】 前記コンディショニングステーション
    が、酸性溶液、すすぎ溶液及び表面仕上げ剤溶液の１つ
    の中に前記表面仕上げ部材を浸漬させる少なくとも１つ
    の槽を有する、請求項２３に記載のウエハ表面仕上げ
    機。
  27. 【請求項２７】 前記コンディショニングステーション
    が、前記表面仕上げ部材の前記経路に配置された少なく
    とも１つの酸性槽と、少なくとも１つのすすぎ槽と、少
    なくとも１つの表面仕上げ剤槽とを有する、請求項２３
    に記載のウエハ表面仕上げ機。
  28. 【請求項２８】 前記コンディショニングステーション
    が、酸性溶液、すすぎ溶液及び表面仕上げ剤溶液の１つ
    を前記表面仕上げ部材に噴霧するための少なくとも１つ
    のノズルを有する、請求項２３に記載のウエハ表面仕上
    げ機。
  29. 【請求項２９】 前記ウエハホルダ及び前記表面仕上げ
    組立体の一方に関連した回動整列装置を更に有し、該整
    列装置は、ウエハ表面仕上げ機の作動中、前記ウエハ表
    面及び前記表面仕上げ部材を平行に並んだ状態に保っ
    て、前記ウエハホルダ及び前記表面仕上げ部材の一方を
    回動可能に支持するように配置されている、請求項２３
    に記載のウエハ表面仕上げ機。
  30. 【請求項３０】 半導体ウエハの表面を表面仕上げすべ
    くウエハを支持するウエハ支持組立体であって、 前記ウエハを支持するための平らな支持面を備えたジャ
    ーナル部材を有し、該ジャーナル部材は球体の一部の形
    状に形成され、前記平らな支持面は、前記ウエハの前記
    厚さにほぼ等しい距離だけ前記球体の中心から離れてお
    り、前記ジャーナル部材が前記ウエハを支持すると、前
    記球体の中心が前記ウエハ表面に位置され、 前記ジャーナル部材を受け入れるように形作られた凹状
    領域を備えた支持プラットホームに取付られたベアリン
    グを更に有し、前記ジャーナルは、前記凹状領域内で前
    記ベアリングに対して前記球体の前記中心の回りに回動
    される、ことからなるウエハ支持組立体。
  31. 【請求項３１】 前記ジャーナル及び前記ベアリング
    が、潤滑剤により分離されている、請求項３０に記載の
    ウエハ支持組立体。
  32. 【請求項３２】 半導体ウエハを表面仕上げするための
    表面仕上げパッド組立体であって、 閉ループを形成するベルトと、 該ベルトに取付けられた少なくとも１つの表面仕上げパ
    ッドとを有する表面仕上げパッド組立体。
  33. 【請求項３３】 前記ベルトが金属で作られている、請
    求項３２に記載の表面仕上げパッド組立体。
  34. 【請求項３４】 半導体ウエハを表面仕上げするための
    表面仕上げパッド組立体であって、 第１ローラと、 少なくとも１つの追加のローラと、 前記第１ローラ及び前記少なくとも１つの追加のローラ
    に取付けられ、閉ループを形成するベルトと、 前記ベルトに取付けられた少なくとも１つの表面仕上げ
    パッドと、 前記第１ローラを回転させ且つ前記ベルト及び前記表面
    仕上げパッドを一経路内で移動させるべく、少なくとも
    １つの前記第１ローラに連結された駆動装置とを有する
    表面仕上げパッド組立体。
  35. 【請求項３５】 前記ベルトが、金属で作られている、
    請求項３４に記載の表面仕上げパッド組立体。
JP20303895A 1994-08-09 1995-08-09 リニアポリシャ及び半導体ウエハ平滑化方法 Pending JPH0852652A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28765894A 1994-08-09 1994-08-09
US08/287658 1994-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0852652A true JPH0852652A (ja) 1996-02-27

Family

ID=23103828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20303895A Pending JPH0852652A (ja) 1994-08-09 1995-08-09 リニアポリシャ及び半導体ウエハ平滑化方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5692947A (ja)
EP (1) EP0696495B1 (ja)
JP (1) JPH0852652A (ja)
AT (1) ATE186001T1 (ja)
DE (1) DE69512971T2 (ja)
ES (1) ES2137459T3 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003500864A (ja) * 1999-05-28 2003-01-07 ラム リサーチ コーポレーション 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム
JP2003508904A (ja) * 1999-08-31 2003-03-04 マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド 化学的−機械的平坦化に使用される調整およびモニターのための装置および方法
WO2005095053A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Japan Science And Technology Agency 直進型研磨方法及び装置
KR100521538B1 (ko) * 1997-11-12 2006-03-23 램 리서치 코포레이션 반도체 웨이퍼를 폴리싱 처리하기 위한 장치
JP2010080766A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toyo Advanced Technologies Co Ltd ダイシング方法、ワイヤソー及びダイシング装置

Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US5961372A (en) * 1995-12-05 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Substrate belt polisher
US5645682A (en) * 1996-05-28 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5868857A (en) * 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
US5871390A (en) * 1997-02-06 1999-02-16 Lam Research Corporation Method and apparatus for aligning and tensioning a pad/belt used in linear planarization for chemical mechanical polishing
US6328642B1 (en) 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
US6059643A (en) * 1997-02-21 2000-05-09 Aplex, Inc. Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad
KR20010005993A (ko) 1997-04-04 2001-01-15 오브시디안 인코포레이티드 향상된 폴리싱을 위한 폴리싱 미디어 매거진
US6425812B1 (en) * 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US5990010A (en) 1997-04-08 1999-11-23 Lsi Logic Corporation Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US5987554A (en) * 1997-05-13 1999-11-16 Micron Electronics, Inc. Method of controlling the transfer of information across an interface between two buses
US6108091A (en) 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6736714B2 (en) * 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
US5980368A (en) * 1997-11-05 1999-11-09 Aplex Group Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad
US6149512A (en) * 1997-11-06 2000-11-21 Aplex, Inc. Linear pad conditioning apparatus
US6117778A (en) * 1998-02-11 2000-09-12 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
US7718102B2 (en) 1998-06-02 2010-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Froth and method of producing froth
US6514301B1 (en) 1998-06-02 2003-02-04 Peripheral Products Inc. Foam semiconductor polishing belts and pads
US6113465A (en) * 1998-06-16 2000-09-05 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for improving die planarity and global uniformity of semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing context
US6000997A (en) * 1998-07-10 1999-12-14 Aplex, Inc. Temperature regulation in a CMP process
TW396084B (en) * 1998-08-12 2000-07-01 Worldwild Semiconductor Mfg Co Chemical mechanic polishing machine
TWI235115B (en) 1998-10-26 2005-07-01 Scapa Group Plc Seamless, composite belts
US6036589A (en) * 1998-10-27 2000-03-14 Reilly; Cliff Cleaner for a belt sander
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6186865B1 (en) 1998-10-29 2001-02-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6086460A (en) 1998-11-09 2000-07-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization
US6468139B1 (en) * 1998-12-01 2002-10-22 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing
US7425250B2 (en) 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US7204917B2 (en) * 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Workpiece surface influencing device designs for electrochemical mechanical processing and method of using the same
US6328872B1 (en) 1999-04-03 2001-12-11 Nutool, Inc. Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate
US6589105B2 (en) 1998-12-01 2003-07-08 Nutool, Inc. Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher
US6902659B2 (en) * 1998-12-01 2005-06-07 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US6409904B1 (en) * 1998-12-01 2002-06-25 Nutool, Inc. Method and apparatus for depositing and controlling the texture of a thin film
US7427337B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-23 Novellus Systems, Inc. System for electropolishing and electrochemical mechanical polishing
US6103628A (en) * 1998-12-01 2000-08-15 Nutool, Inc. Reverse linear polisher with loadable housing
US7578923B2 (en) * 1998-12-01 2009-08-25 Novellus Systems, Inc. Electropolishing system and process
US6413388B1 (en) * 2000-02-23 2002-07-02 Nutool Inc. Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus
US7204924B2 (en) * 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus to deposit layers with uniform properties
WO2000037217A1 (en) * 1998-12-21 2000-06-29 Lam Research Corporation Method for cleaning an abrasive surface
US6244935B1 (en) 1999-02-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet
US6475070B1 (en) * 1999-02-04 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
US6241583B1 (en) 1999-02-04 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a plurality of polishing sheets
US6179709B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6491570B1 (en) 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
US6387188B1 (en) * 1999-03-03 2002-05-14 Speedfam-Ipec Corporation Pad conditioning for copper-based semiconductor wafers
US6224461B1 (en) 1999-03-29 2001-05-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for stabilizing the process temperature during chemical mechanical polishing
US6135859A (en) * 1999-04-30 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet
EP1052059A3 (en) * 1999-05-03 2001-01-24 Applied Materials, Inc. Method for chemical mechanical planarization
US6296717B1 (en) * 1999-06-11 2001-10-02 International Business Machines Corporation Regeneration of chemical mechanical polishing pads in-situ
US6196899B1 (en) 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
US6241585B1 (en) 1999-06-25 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical polishing
US6261163B1 (en) 1999-08-30 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies
US6406363B1 (en) 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
US6244944B1 (en) * 1999-08-31 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting and cleaning a polishing pad for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6520843B1 (en) * 1999-10-27 2003-02-18 Strasbaugh High planarity chemical mechanical planarization
US6626744B1 (en) 1999-12-17 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Planarization system with multiple polishing pads
US6306019B1 (en) 1999-12-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US6630059B1 (en) * 2000-01-14 2003-10-07 Nutool, Inc. Workpeice proximity plating apparatus
US20090020437A1 (en) * 2000-02-23 2009-01-22 Basol Bulent M Method and system for controlled material removal by electrochemical polishing
JP3606152B2 (ja) 2000-03-09 2005-01-05 株式会社村田製作所 情報カード
US6517414B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6582579B1 (en) 2000-03-24 2003-06-24 Nutool, Inc. Methods for repairing defects on a semiconductor substrate
US6428394B1 (en) 2000-03-31 2002-08-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for chemical mechanical planarization and polishing of semiconductor wafers using a continuous polishing member feed
US6616801B1 (en) 2000-03-31 2003-09-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed-abrasive substrate manufacturing and wafer polishing in a single process path
US6402591B1 (en) 2000-03-31 2002-06-11 Lam Research Corporation Planarization system for chemical-mechanical polishing
US6261959B1 (en) 2000-03-31 2001-07-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for chemically-mechanically polishing semiconductor wafers
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6626743B1 (en) 2000-03-31 2003-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US20060118425A1 (en) * 2000-04-19 2006-06-08 Basol Bulent M Process to minimize and/or eliminate conductive material coating over the top surface of a patterned substrate
AU2001247428A1 (en) * 2000-04-19 2001-11-07 Nutool, Inc. Process to minimize and/or eliminate conductive material coating over the top surface of a patterned substrate and layer structure made thereby
US6478936B1 (en) * 2000-05-11 2002-11-12 Nutool Inc. Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer
US7048607B1 (en) 2000-05-31 2006-05-23 Applied Materials System and method for chemical mechanical planarization
US6447380B1 (en) 2000-06-30 2002-09-10 Lam Research Corporation Polishing apparatus and substrate retainer ring providing continuous slurry distribution
US6645046B1 (en) 2000-06-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Conditioning mechanism in a chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor wafers
US6495464B1 (en) 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
US6500056B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Lam Research Corporation Linear reciprocating disposable belt polishing method and apparatus
US6435952B1 (en) 2000-06-30 2002-08-20 Lam Research Corporation Apparatus and method for qualifying a chemical mechanical planarization process
US6361414B1 (en) 2000-06-30 2002-03-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for conditioning a fixed abrasive polishing pad in a chemical mechanical planarization process
US6520833B1 (en) * 2000-06-30 2003-02-18 Lam Research Corporation Oscillating fixed abrasive CMP system and methods for implementing the same
US6419559B1 (en) 2000-07-10 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Using a purge gas in a chemical mechanical polishing apparatus with an incrementally advanceable polishing sheet
US6520841B2 (en) 2000-07-10 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet
US6666751B1 (en) * 2000-07-17 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Deformable pad for chemical mechanical polishing
US6921551B2 (en) 2000-08-10 2005-07-26 Asm Nutool, Inc. Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece
US7754061B2 (en) 2000-08-10 2010-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer
US7220322B1 (en) * 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US6561884B1 (en) * 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
US6439978B1 (en) 2000-09-07 2002-08-27 Oliver Design, Inc. Substrate polishing system using roll-to-roll fixed abrasive
US6805613B1 (en) 2000-10-17 2004-10-19 Speedfam-Ipec Corporation Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool
US6923711B2 (en) 2000-10-17 2005-08-02 Speedfam-Ipec Corporation Multizone carrier with process monitoring system for chemical-mechanical planarization tool
US6482072B1 (en) 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
US6793565B1 (en) 2000-11-03 2004-09-21 Speedfam-Ipec Corporation Orbiting indexable belt polishing station for chemical mechanical polishing
US6722950B1 (en) 2000-11-07 2004-04-20 Planar Labs Corporation Method and apparatus for electrodialytic chemical mechanical polishing and deposition
US6773337B1 (en) 2000-11-07 2004-08-10 Planar Labs Corporation Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad
US6905526B1 (en) 2000-11-07 2005-06-14 Planar Labs Corporation Fabrication of an ion exchange polish pad
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
US20040170753A1 (en) * 2000-12-18 2004-09-02 Basol Bulent M. Electrochemical mechanical processing using low temperature process environment
US6561889B1 (en) 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US6572463B1 (en) 2000-12-27 2003-06-03 Lam Research Corp. Methods for making reinforced wafer polishing pads utilizing direct casting and apparatuses implementing the same
US6875091B2 (en) 2001-01-04 2005-04-05 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US6554688B2 (en) 2001-01-04 2003-04-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
US6609961B2 (en) 2001-01-09 2003-08-26 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization belt assembly and method of assembly
US6752698B1 (en) 2001-03-19 2004-06-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning fixed-abrasive polishing pads
US6729945B2 (en) 2001-03-30 2004-05-04 Lam Research Corporation Apparatus for controlling leading edge and trailing edge polishing
US6462409B1 (en) * 2001-06-06 2002-10-08 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer polishing apparatus
US6767427B2 (en) * 2001-06-07 2004-07-27 Lam Research Corporation Apparatus and method for conditioning polishing pad in a chemical mechanical planarization process
US6712679B2 (en) 2001-08-08 2004-03-30 Lam Research Corporation Platen assembly having a topographically altered platen surface
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US6821794B2 (en) 2001-10-04 2004-11-23 Novellus Systems, Inc. Flexible snapshot in endpoint detection
US6645052B2 (en) 2001-10-26 2003-11-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling CMP pad surface finish
US6827822B2 (en) * 2001-11-09 2004-12-07 Temple University Of The Commonwealth System Of Higher Education Method and apparatus for increasing and modulating the yield shear stress of electrorheological fluids
US6939212B1 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
US6572731B1 (en) 2002-01-18 2003-06-03 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Self-siphoning CMP tool design for applications such as copper CMP and low-k dielectric CMP
US6855031B2 (en) * 2002-02-08 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Slurry flow rate monitoring in chemical-mechanical polisher using pressure transducer
US6790128B1 (en) 2002-03-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fluid conserving platen for optimizing edge polishing
US6726545B2 (en) 2002-04-26 2004-04-27 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Linear polishing for improving substrate uniformity
US20030224678A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Applied Materials, Inc. Web pad design for chemical mechanical polishing
US6769970B1 (en) 2002-06-28 2004-08-03 Lam Research Corporation Fluid venting platen for optimizing wafer polishing
DE10239191A1 (de) * 2002-08-21 2004-03-11 Heesemann, Jürgen, Dipl.-Ing. Schleifmaschine und Verfahren zum Schleifen eines Werkstücks
US6864181B2 (en) * 2003-03-27 2005-03-08 Lam Research Corporation Method and apparatus to form a planarized Cu interconnect layer using electroless membrane deposition
US7018273B1 (en) 2003-06-27 2006-03-28 Lam Research Corporation Platen with diaphragm and method for optimizing wafer polishing
US7406549B2 (en) * 2003-08-01 2008-07-29 Intel Corporation Support for non-standard device containing operating system data
US7025660B2 (en) * 2003-08-15 2006-04-11 Lam Research Corporation Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing
US6843709B1 (en) * 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux
US7648622B2 (en) 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
US7153182B1 (en) 2004-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing
US7179159B2 (en) * 2005-05-02 2007-02-20 Applied Materials, Inc. Materials for chemical mechanical polishing
WO2007027486A2 (en) * 2005-08-29 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Method for conditioning a polishing pad
US8500985B2 (en) 2006-07-21 2013-08-06 Novellus Systems, Inc. Photoresist-free metal deposition
US20100112919A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
KR101279681B1 (ko) * 2010-09-29 2013-06-27 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 절단장치
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN105364672A (zh) * 2015-09-22 2016-03-02 南漳富元鼎航空器材配件有限公司 一种自动打磨机的改进工装
CN106180895A (zh) * 2016-07-07 2016-12-07 重庆明友钢具制造有限公司 手把锯片锯齿加工工艺
DE102016117991A1 (de) * 2016-09-23 2018-03-29 Karl Heesemann Maschinenfabrik Gmbh & Co Kg Schleifmaschine
DE102016117994A1 (de) * 2016-09-23 2018-03-29 Karl Heesemann Maschinenfabrik Gmbh & Co. Kg Schleifmaschine
DE102016117992A1 (de) * 2016-09-23 2018-03-29 Karl Heesemann Maschinenfabrik Gmbh & Co Kg Schleifmaschine
CN106404230A (zh) * 2016-10-12 2017-02-15 江苏汉生成科技有限公司 一种压力感测补偿系统
CN109079645B (zh) * 2018-09-29 2024-03-05 大连绿云科技有限公司 一种打磨抛光设备及方法
US12394651B2 (en) 2020-04-16 2025-08-19 Applied Materials, Inc. High throughput polishing modules and modular polishing systems
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems
US12198944B2 (en) 2020-11-11 2025-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
US12224186B2 (en) 2023-04-03 2025-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of brush cleaning using periodic chemical treatments

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US619399A (en) * 1899-02-14 Glass grinding and polishing machine
US2187743A (en) * 1938-04-28 1940-01-23 Carborundum Co Granular coated article
US3427765A (en) * 1966-02-11 1969-02-18 Carborundum Co Abrasive belts and method of making same
US3447306A (en) * 1966-09-16 1969-06-03 Barnes Drill Co Abrading machine
DE1907060A1 (de) * 1969-02-12 1970-09-03 Metabowerke Kg Bandschleifmaschine
US3753269A (en) * 1971-05-21 1973-08-21 R Budman Abrasive cloth cleaner
US3906678A (en) * 1972-09-14 1975-09-23 Buehler Ltd Automatic specimen polishing machine and method
US4016857A (en) * 1974-10-10 1977-04-12 Hall George H Epoxy bond diamond saw
SE419193B (sv) * 1979-04-25 1981-07-20 Bertil Jonasson Anordning vid en bladslipmaskin som omfattar minst ett slipaggregat vid vilket er anordnade slipdjupet paverkande anslagsorgan och minst ett tryckbord for anpressning av arbetstycket mot slipaggregatet och ...
US4347689A (en) * 1980-10-20 1982-09-07 Verbatim Corporation Method for burnishing
DE3411120A1 (de) * 1983-03-26 1984-11-08 TOTO Ltd., Kitakyushyu, Fukuoka Laeppvorrichtung
JPS59232768A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Kanebo Ltd 平面研磨装置
US4593495A (en) * 1983-11-25 1986-06-10 Toshiba Machine Co., Ltd. Polishing machine
DE3401462A1 (de) * 1984-01-17 1985-08-01 Johannsen, Hans-Peter, Dipl.-Ing., 3559 Battenberg Vorrichtung zum abstuetzen des umlaufenden schleifbandes einer breitbandschleifmaschine gegen ein werkstueck
US4651474A (en) * 1984-08-24 1987-03-24 Timesavers, Inc. Wide belt sanding machine with platen oscillating means
CA1260717A (en) * 1984-08-29 1989-09-26 Clarence I. Steinback Abrasive surfacing machine
US4642943A (en) * 1985-11-21 1987-02-17 Taylor Jr Joseph R Belt abrading apparatus and method
JPS62162466A (ja) * 1986-01-09 1987-07-18 Rohm Co Ltd ウエハ用ラツピング装置
JPS63200965A (ja) * 1987-02-12 1988-08-19 Fujitsu Ltd ウエ−ハ研磨装置
US4811522A (en) * 1987-03-23 1989-03-14 Gill Jr Gerald L Counterbalanced polishing apparatus
JPS63251166A (ja) * 1987-04-07 1988-10-18 Hitachi Ltd ウエハチヤツク
JPS63267155A (ja) * 1987-04-24 1988-11-04 Babcock Hitachi Kk 研磨装置
US4934102A (en) * 1988-10-04 1990-06-19 International Business Machines Corporation System for mechanical planarization
JPH079896B2 (ja) * 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
US4941293A (en) * 1989-02-07 1990-07-17 Ekhoff Donald L Flexible rocking mount with forward pivot for polishing pad
JPH0811356B2 (ja) * 1989-04-06 1996-02-07 ロデール・ニッタ株式会社 ポリッシング方法およびポリッシング装置
JP2525892B2 (ja) * 1989-04-06 1996-08-21 ロデール・ニッタ 株式会社 ポリッシング方法およびポリッシング装置
DE69114820T2 (de) * 1990-06-09 1996-08-01 Bando Kiko Co Flachschleifmaschine für glasplatten.
JP2516480B2 (ja) * 1990-12-28 1996-07-24 アミテック株式会社 ワイドベルトサンダ―機の踏圧装置
US5341609A (en) * 1992-01-28 1994-08-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive belts and their manufacture
RU2007784C1 (ru) * 1991-04-16 1994-02-15 Рогов Владимир Викторович Способ полирования полупроводниковых пластин
FR2677291B1 (fr) * 1991-06-06 1995-12-15 Commissariat Energie Atomique Machine de polissage a controle de pression.
FR2677276B1 (fr) * 1991-06-06 1995-12-01 Commissariat Energie Atomique Machine de polissage a table porte-echantillon perfectionnee.
EP0517594B1 (fr) * 1991-06-06 1995-12-13 Commissariat A L'energie Atomique Machine de polissage à bande microabrasive tendue et à tête support de plaquette perfectionnée
JP3334139B2 (ja) * 1991-07-01 2002-10-15 ソニー株式会社 研磨装置
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5287663A (en) * 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
IT226758Z2 (it) * 1992-07-09 1997-07-01 Norton Utensile abrasivo quale disco striscia e simili per una macchina per la carteggiatura e la levigatura
US5274964A (en) * 1992-08-19 1994-01-04 Abrasive Cleaning Systems, Inc. Dry abrasive belt cleaner
US5232875A (en) * 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5487697A (en) * 1993-02-09 1996-01-30 Rodel, Inc. Polishing apparatus and method using a rotary work holder travelling down a rail for polishing a workpiece with linear pads
US5329734A (en) * 1993-04-30 1994-07-19 Motorola, Inc. Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate
US5399125A (en) * 1993-06-11 1995-03-21 Dozier; Robert L. Belt grinder
JPH07111256A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Toshiba Corp 半導体製造装置
US5454844A (en) * 1993-10-29 1995-10-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article, a process of making same, and a method of using same to finish a workpiece surface
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5782679A (en) * 1996-09-23 1998-07-21 Hunter; David T. Metal abrasive belt and method of making same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521538B1 (ko) * 1997-11-12 2006-03-23 램 리서치 코포레이션 반도체 웨이퍼를 폴리싱 처리하기 위한 장치
JP2003500864A (ja) * 1999-05-28 2003-01-07 ラム リサーチ コーポレーション 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム
JP2003508904A (ja) * 1999-08-31 2003-03-04 マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド 化学的−機械的平坦化に使用される調整およびモニターのための装置および方法
WO2005095053A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Japan Science And Technology Agency 直進型研磨方法及び装置
EP1745888A4 (en) * 2004-03-31 2008-01-02 Japan Science & Tech Agency METHOD AND DEVICE FOR LINEAR ADVANCED POLISHING
KR100806949B1 (ko) * 2004-03-31 2008-02-22 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 직진형 연마방법 및 장치
JP2010080766A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toyo Advanced Technologies Co Ltd ダイシング方法、ワイヤソー及びダイシング装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69512971T2 (de) 2000-05-18
US5692947A (en) 1997-12-02
ES2137459T3 (es) 1999-12-16
EP0696495B1 (en) 1999-10-27
DE69512971D1 (de) 1999-12-02
US6231427B1 (en) 2001-05-15
EP0696495A1 (en) 1996-02-14
ATE186001T1 (de) 1999-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0852652A (ja) リニアポリシャ及び半導体ウエハ平滑化方法
US6902466B2 (en) Oscillating chemical mechanical planarization apparatus
KR100456803B1 (ko) 폴리싱장치
US6280297B1 (en) Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
US5487697A (en) Polishing apparatus and method using a rotary work holder travelling down a rail for polishing a workpiece with linear pads
US6159080A (en) Chemical mechanical polishing with a small polishing pad
WO2006054732A2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP3026780B2 (ja) 平坦化装置及びその使用方法
US6585572B1 (en) Subaperture chemical mechanical polishing system
TWI670764B (zh) 化學機械研磨設備及方法
US6736710B2 (en) Polisher for polishing end surface of semiconductor wafer
US7156721B2 (en) Polishing pad with flow modifying groove network
KR20180120280A (ko) 국부 영역 속도 제어 및 진동 모드를 갖는 연마 시스템
US6156659A (en) Linear CMP tool design with closed loop slurry distribution
JP4996924B2 (ja) スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法
US7270595B2 (en) Polishing pad with oscillating path groove network
US20040132388A1 (en) System for chemical mechanical polishing comprising an improved pad conditioner
JP2000108022A (ja) 表面処理方法および装置
CN117295585A (zh) 具有基于管芯的修改的化学机械抛光
JP3326442B2 (ja) 研磨方法及びその装置
CN120395683A (zh) 研磨液分配装置及化学机械研磨装置
KR100576413B1 (ko) 화학적 기계적 연마방법
KR20070032020A (ko) 유동 조절 홈 그물구조를 갖는 연마 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050304

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050620