JPS63200965A - ウエ−ハ研磨装置 - Google Patents
ウエ−ハ研磨装置Info
- Publication number
- JPS63200965A JPS63200965A JP62031079A JP3107987A JPS63200965A JP S63200965 A JPS63200965 A JP S63200965A JP 62031079 A JP62031079 A JP 62031079A JP 3107987 A JP3107987 A JP 3107987A JP S63200965 A JPS63200965 A JP S63200965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- surface plate
- polishing
- wafers
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
上部定盤及び下部定盤に噴出口を設け、この噴出口から
液を噴出し、その液圧によりウェーハを上部定盤及び下
部定盤から剥離するようにし、ウェーハが研磨剤により
エツチングされるのを防止するようにしたウェーハ研磨
装置。
液を噴出し、その液圧によりウェーハを上部定盤及び下
部定盤から剥離するようにし、ウェーハが研磨剤により
エツチングされるのを防止するようにしたウェーハ研磨
装置。
本発明は、ウェーハ研磨装置に係り、特に定盤の構造の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
ウェーハ研磨装置に使用する研磨剤と混合して用いられ
る液はアルカリ性でエツチング作用を有している。
る液はアルカリ性でエツチング作用を有している。
研磨加工終了後の下部定盤の上には多数のウェーハがあ
り、それを取り出すのに時間が必要である。
り、それを取り出すのに時間が必要である。
このため取り出し！噴序の早いものと遅いものの表面状
態が異なり、特に最後の方で取り出されるウェーハは研
磨剤によりエツチングされるために表面に凹凸が住じる
。
態が異なり、特に最後の方で取り出されるウェーハは研
磨剤によりエツチングされるために表面に凹凸が住じる
。
以上のような状況からウェーハが研磨加工終了後に研磨
剤によりエツチングされるのを防止することが可能なウ
ェーハ研磨装置が要望されている。
剤によりエツチングされるのを防止することが可能なウ
ェーハ研磨装置が要望されている。
従来のウェーハ研磨装置は第４図に示すように示すよう
に、ポリウレタンの研磨布２０を貼り付けた逆方向に回
転する二枚の定盤（２２，２３）の間にウェーハ７をキ
ャリア６の孔の中に入れて保持し、上部定盤２２から研
磨剤を供給しながら加圧してウェーハ７の両面を同時に
研磨加工している。
に、ポリウレタンの研磨布２０を貼り付けた逆方向に回
転する二枚の定盤（２２，２３）の間にウェーハ７をキ
ャリア６の孔の中に入れて保持し、上部定盤２２から研
磨剤を供給しながら加圧してウェーハ７の両面を同時に
研磨加工している。
このキャリア６は、金属或いはエポキシ樹脂で造られた
Ｉγさが４００μｍ以下の薄い円板で周囲が歯車になっ
ており、回転する太陽ギア２４とインターナルギア２５
により自転しな力（らインターナルギア２５と太陽ギア
２４の回転数の組み合わせによって公転をしている。
Ｉγさが４００μｍ以下の薄い円板で周囲が歯車になっ
ており、回転する太陽ギア２４とインターナルギア２５
により自転しな力（らインターナルギア２５と太陽ギア
２４の回転数の組み合わせによって公転をしている。
研磨加工が終了すると、上部定盤２２を上に上げ下部定
盤２３の上のウェーハ７を一枚づつ取り出して水洗する
。しかし枚数が多いため最後の方で取り出されるウェー
ハは研磨剤によってエツチングされるために第３図に示
す５０倍に拡大した表面状態を示す図のように表面に凹
凸が生じている。
盤２３の上のウェーハ７を一枚づつ取り出して水洗する
。しかし枚数が多いため最後の方で取り出されるウェー
ハは研磨剤によってエツチングされるために第３図に示
す５０倍に拡大した表面状態を示す図のように表面に凹
凸が生じている。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上説明の従来のウェーハ研磨装置で問題となるのは、
研磨加工終了後にウェーハを一枚づつ取り出してウェー
ハを水洗するのであるが、枚数が多いため最後の方で取
り出されるウェーハは研ｐ剤と混合して用いられる液が
アルカリ性でエツチング作用を有しているために、表面
がエツチングされるので凹凸が生じていることである。
研磨加工終了後にウェーハを一枚づつ取り出してウェー
ハを水洗するのであるが、枚数が多いため最後の方で取
り出されるウェーハは研ｐ剤と混合して用いられる液が
アルカリ性でエツチング作用を有しているために、表面
がエツチングされるので凹凸が生じていることである。
本発明は以上のような状況からウェーハが研磨加工後、
取り出されるまでの間に研磨剤によってエツチングされ
ないウェーハ研磨装置の提供を目的としたものである。
取り出されるまでの間に研磨剤によってエツチングされ
ないウェーハ研磨装置の提供を目的としたものである。
上記問題点は、上部定盤及び下部定盤に噴出口を設け、
この噴出口から液を噴出し、その液圧によりウェーハを
上部定盤及び下部定盤から剥離するようにした本発明に
よるウェーハ研磨装置によって解決される。
この噴出口から液を噴出し、その液圧によりウェーハを
上部定盤及び下部定盤から剥離するようにした本発明に
よるウェーハ研磨装置によって解決される。
即ち本発明においては、上部定盤及び下部定盤に設けた
噴出口から液を噴出し、その液正によりウェーハを上部
定盤及び下部定盤から剥離すると共にウェーハ表面に付
着したアルカリ性の研磨剤を洗い流してエツチング作用
をなくすので、ウェーハの表面のエツチングによる凹凸
の発生を防止することが可能となる。
噴出口から液を噴出し、その液正によりウェーハを上部
定盤及び下部定盤から剥離すると共にウェーハ表面に付
着したアルカリ性の研磨剤を洗い流してエツチング作用
をなくすので、ウェーハの表面のエツチングによる凹凸
の発生を防止することが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図に示すように本実施例では液としては水を用い、
上部定盤１及び下部定盤２に設けた導液路４を通して水
を流し、第２図に示すような位置に配置した噴出口５か
ら噴出させて研磨布３を通してウェーハ７と研磨布３の
接触面に水を供給すると、ウェーハ７は研磨布３から剥
離される。
上部定盤１及び下部定盤２に設けた導液路４を通して水
を流し、第２図に示すような位置に配置した噴出口５か
ら噴出させて研磨布３を通してウェーハ７と研磨布３の
接触面に水を供給すると、ウェーハ７は研磨布３から剥
離される。
更に供給を続けると、ウェーハ７の表面が水で洗浄され
、研磨剤と混合しているアルカリ性の液を洗い流す。
、研磨剤と混合しているアルカリ性の液を洗い流す。
このように水を噴出口５から研磨布３を通してウェーハ
７の表面に供給し、ウェーハ７の表面に付着している研
磨剤と混合しているアルカリ性の液を洗い流すことによ
り、研磨剤のアルカリ性を弱めエツチング作用をなくす
ので、ウェーハ７の表面の凹凸の発生を防止することが
可能となる。
７の表面に供給し、ウェーハ７の表面に付着している研
磨剤と混合しているアルカリ性の液を洗い流すことによ
り、研磨剤のアルカリ性を弱めエツチング作用をなくす
ので、ウェーハ７の表面の凹凸の発生を防止することが
可能となる。
以上説明したように本発明によれば定盤に噴出口を設け
て、液を噴出させることにより、ウェーハの取り出し順
序に関係なく、研に剤によりエツチングされない表面に
凹凸のない品質の良好な研磨ウェーハを得ることができ
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
て、液を噴出させることにより、ウェーハの取り出し順
序に関係なく、研に剤によりエツチングされない表面に
凹凸のない品質の良好な研磨ウェーハを得ることができ
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面間、第２図
は本発明による一実施例の噴出口の配置を示す図、 第３図は従来のウェーハ研磨装置で研磨したウェーハの
研磨面を示す図、 第４図は従来のウェーハ研磨装置の側断面図、ある。 図において、 １は上部定盤、 ２は下部定盤、 ３は研磨布、 ４は導液路、 ５は噴出口、 ６はキャリア、 ７はウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面国 策 １ 図 本発明による一実施例の噴出口の配置を示す国策 ２
図 従来のウェーハ研磨装置で研磨したウエーノ＼の研磨面
を示す国策３図 従来のウェーハ研磨装置の側断面図 第４図
は本発明による一実施例の噴出口の配置を示す図、 第３図は従来のウェーハ研磨装置で研磨したウェーハの
研磨面を示す図、 第４図は従来のウェーハ研磨装置の側断面図、ある。 図において、 １は上部定盤、 ２は下部定盤、 ３は研磨布、 ４は導液路、 ５は噴出口、 ６はキャリア、 ７はウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面国 策 １ 図 本発明による一実施例の噴出口の配置を示す国策 ２
図 従来のウェーハ研磨装置で研磨したウエーノ＼の研磨面
を示す国策３図 従来のウェーハ研磨装置の側断面図 第４図
Claims (1)
- 上部定盤（１）及び下部定盤（２）に噴出口（５）を設
け、前記噴出口（５）から液を噴出し、その液圧により
ウェーハ（７）を上部定盤（１）及び下部定盤（２）か
ら剥離するようにしたことを特徴とするウェーハ研磨装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031079A JPS63200965A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | ウエ−ハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031079A JPS63200965A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | ウエ−ハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200965A true JPS63200965A (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=12321420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62031079A Pending JPS63200965A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | ウエ−ハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200965A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706857A1 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-17 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing machine |
| EP0706855A3 (en) * | 1994-10-11 | 1996-07-31 | Ontrak Systems Inc | Polishing machine for semiconductor wafers |
| US5692947A (en) * | 1994-08-09 | 1997-12-02 | Ontrak Systems, Inc. | Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| US6425812B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-07-30 | Lam Research Corporation | Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology |
| US6666756B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
| US7025660B2 (en) | 2003-08-15 | 2006-04-11 | Lam Research Corporation | Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114855A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-23 | Toshiba Mach Co Ltd | ポリシング装置 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62031079A patent/JPS63200965A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114855A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-23 | Toshiba Mach Co Ltd | ポリシング装置 |
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| US5593344A (en) * | 1994-10-11 | 1997-01-14 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems |
| US6425812B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-07-30 | Lam Research Corporation | Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
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| US7025660B2 (en) | 2003-08-15 | 2006-04-11 | Lam Research Corporation | Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing |
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