JPH085435A - ガスメータ - Google Patents
ガスメータInfo
- Publication number
- JPH085435A JPH085435A JP13338694A JP13338694A JPH085435A JP H085435 A JPH085435 A JP H085435A JP 13338694 A JP13338694 A JP 13338694A JP 13338694 A JP13338694 A JP 13338694A JP H085435 A JPH085435 A JP H085435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sensor
- gas pressure
- pressure sensor
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス圧センサの取付け構造が簡単で小型にな
るガスメータを提供する。 【構成】 ガスメータ50の入口51からガスが供給さ
れると、遮断弁52から通路60を通ってガスメータ本
体53にガスが流れてガス流量の計量が行われる。計量
を終えたガスは通路61を通って出口54からガス消費
機器に分配される。ガス圧センサ1および感震器110
を収納したセンサ素子70は回路基板55に搭載され、
通路60とセンサ素子70とはシリコーンゴムなどから
成る可撓性の管17で接続され、通路60のガス圧力が
センサ素子70に導入される。
るガスメータを提供する。 【構成】 ガスメータ50の入口51からガスが供給さ
れると、遮断弁52から通路60を通ってガスメータ本
体53にガスが流れてガス流量の計量が行われる。計量
を終えたガスは通路61を通って出口54からガス消費
機器に分配される。ガス圧センサ1および感震器110
を収納したセンサ素子70は回路基板55に搭載され、
通路60とセンサ素子70とはシリコーンゴムなどから
成る可撓性の管17で接続され、通路60のガス圧力が
センサ素子70に導入される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス流量およびガス供
給圧力を測定するためのガスメータに関する。
給圧力を測定するためのガスメータに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のガスメータでは、ガス入口から供
給されたガスをガス出口まで導くためのガス管路の途中
にガス計量機構が設けられ、さらにガス管路の一部に比
較的大きな穴を穿設し、そこに比較的大型のガス圧セン
サを設置することによって、ガス供給圧力を計測してい
る。
給されたガスをガス出口まで導くためのガス管路の途中
にガス計量機構が設けられ、さらにガス管路の一部に比
較的大きな穴を穿設し、そこに比較的大型のガス圧セン
サを設置することによって、ガス供給圧力を計測してい
る。
【0003】図18は、従来のガスメータにおけるガス
圧センサの取付け構造を示す概略図である。ガス管路2
01を形成する管壁202に開口205を形設し、開口
205に面してガス圧センサ200を配置するととも
に、パッキン203を介在させねじ204を螺着するこ
とによって、ガス圧センサ200を気密的に固定してい
る。ガス圧センサ200で検出された信号は、信号ケー
ブル207およびコネクタ206を介して回路基板21
0に入力される。
圧センサの取付け構造を示す概略図である。ガス管路2
01を形成する管壁202に開口205を形設し、開口
205に面してガス圧センサ200を配置するととも
に、パッキン203を介在させねじ204を螺着するこ
とによって、ガス圧センサ200を気密的に固定してい
る。ガス圧センサ200で検出された信号は、信号ケー
ブル207およびコネクタ206を介して回路基板21
0に入力される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の取
付け構造では、ガス圧センサにガス圧力を導くための開
口が大きくなって管壁の強度低下を招くとともに、ガス
圧センサおよびその取付け構造が大型になる。また、パ
ッキンとねじを用いた取付け作業が大変煩雑である。
付け構造では、ガス圧センサにガス圧力を導くための開
口が大きくなって管壁の強度低下を招くとともに、ガス
圧センサおよびその取付け構造が大型になる。また、パ
ッキンとねじを用いた取付け作業が大変煩雑である。
【0005】本発明の目的は、ガス圧センサの取付け構
造が簡単で小型になるガスメータを提供することであ
る。
造が簡単で小型になるガスメータを提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガス入口から
供給されたガスをガス出口まで導くためのガス通路と、
該ガス通路のガス流量を計量するためのガス計量手段と
を備えるガスメータにおいて、ガス供給圧力を検出する
ためのガス圧センサが回路基板上に搭載され、かつ前記
ガス通路と前記ガス圧センサとが管で接続されているこ
とを特徴とするガスメータである。
供給されたガスをガス出口まで導くためのガス通路と、
該ガス通路のガス流量を計量するためのガス計量手段と
を備えるガスメータにおいて、ガス供給圧力を検出する
ためのガス圧センサが回路基板上に搭載され、かつ前記
ガス通路と前記ガス圧センサとが管で接続されているこ
とを特徴とするガスメータである。
【0007】また本発明は、前記ガス圧センサは、ガス
圧に応じて弾性変形する導電性のダイアフラムと、該ダ
イアフラムと隔てて設けられる対向電極とを備え、ダイ
アフラムと対向電極との間の静電容量を検出してアナロ
グ信号に変換することを特徴とする。
圧に応じて弾性変形する導電性のダイアフラムと、該ダ
イアフラムと隔てて設けられる対向電極とを備え、ダイ
アフラムと対向電極との間の静電容量を検出してアナロ
グ信号に変換することを特徴とする。
【0008】また本発明は、前記ダイアフラムは、導電
性単結晶シリコンから成ることを特徴とする。
性単結晶シリコンから成ることを特徴とする。
【0009】また本発明は、前記ガス圧センサは、地震
を検出するための感震器とともにセンサ容器に収納され
ていることを特徴とする。
を検出するための感震器とともにセンサ容器に収納され
ていることを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明に従えば、ガス供給圧力を検出するため
のガス圧センサが回路基板上に搭載され、かつガス通路
とガス圧センサとがゴムチューブなどの管で接続される
ことによって、ガス圧センサの設置場所の自由度が高く
なり、しかもガス圧センサを確実に搭載できる。また、
ガス通路からのガス導入機構が簡単で小型化され、取付
け作業も簡素化され、しかもガス通路の細工が小さくて
済み、強度低下が殆ど生じない。
のガス圧センサが回路基板上に搭載され、かつガス通路
とガス圧センサとがゴムチューブなどの管で接続される
ことによって、ガス圧センサの設置場所の自由度が高く
なり、しかもガス圧センサを確実に搭載できる。また、
ガス通路からのガス導入機構が簡単で小型化され、取付
け作業も簡素化され、しかもガス通路の細工が小さくて
済み、強度低下が殆ど生じない。
【0011】また、ガス圧センサは、ガス圧に応じて弾
性変形する導電性のダイアフラムと、該ダイアフラムと
隔てて設けられる対向電極とを備え、ダイアフラムと対
向電極との間の静電容量を検出してアナログ信号に変換
することによって、ガス圧と出力信号との関係が良好な
直線性を示し、ガス圧を連続したアナログ量として測定
することが可能になる。したがって、ガス供給圧力を僅
かな変化でも精度良く検出することができる。
性変形する導電性のダイアフラムと、該ダイアフラムと
隔てて設けられる対向電極とを備え、ダイアフラムと対
向電極との間の静電容量を検出してアナログ信号に変換
することによって、ガス圧と出力信号との関係が良好な
直線性を示し、ガス圧を連続したアナログ量として測定
することが可能になる。したがって、ガス供給圧力を僅
かな変化でも精度良く検出することができる。
【0012】また、ダイアフラムは導電性単結晶シリコ
ンで形成されることによって、ヒステリシス、脆性、ク
リープ等が無い完全弾性体として機能するため、測定精
度が向上する。また、シリコンウエハに関する製造技術
を利用することによって、数mmオーダのセンサを高品
質で大量に製造することができる。
ンで形成されることによって、ヒステリシス、脆性、ク
リープ等が無い完全弾性体として機能するため、測定精
度が向上する。また、シリコンウエハに関する製造技術
を利用することによって、数mmオーダのセンサを高品
質で大量に製造することができる。
【0013】また、ガス圧センサは、地震を検出するた
めの感震器とともにセンサ容器に収納されていることに
よって、ガス供給圧力検出と地震検出の両方の機能を持
つセンサ素子が小型で実現するため、より高機能で小型
のガスメータが得られる。
めの感震器とともにセンサ容器に収納されていることに
よって、ガス供給圧力検出と地震検出の両方の機能を持
つセンサ素子が小型で実現するため、より高機能で小型
のガスメータが得られる。
【0014】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるガスメータ5
0の一部切欠斜視図であり、図2はガスメータ50のガ
ス流路および電気ブロックを示す系統図である。ガスメ
ータ50の入口51からガスが供給されると、遮断弁5
2から通路60を通って膜式ガスメータなどのガスメー
タ本体53にガスが流れてガス流量の計量が行われる。
計量を終えたガスは通路61を通って出口54からガス
消費機器に分配される。
0の一部切欠斜視図であり、図2はガスメータ50のガ
ス流路および電気ブロックを示す系統図である。ガスメ
ータ50の入口51からガスが供給されると、遮断弁5
2から通路60を通って膜式ガスメータなどのガスメー
タ本体53にガスが流れてガス流量の計量が行われる。
計量を終えたガスは通路61を通って出口54からガス
消費機器に分配される。
【0015】ガスメータ50には回路基板55が搭載さ
れ、この電源としてたとえばリチウム電池など長期間使
用可能な電池56が使用される。センサ素子70は回路
基板55に搭載され、通路60とセンサ素子70とはシ
リコーンゴムなどから成る可撓性の管17で接続されて
おり、通路60のガス圧力がセンサ素子70に導入され
る。
れ、この電源としてたとえばリチウム電池など長期間使
用可能な電池56が使用される。センサ素子70は回路
基板55に搭載され、通路60とセンサ素子70とはシ
リコーンゴムなどから成る可撓性の管17で接続されて
おり、通路60のガス圧力がセンサ素子70に導入され
る。
【0016】通路60のガス供給圧力が適正圧力範囲を
外れたことが検出されると、表示ランプ62を点灯して
使用者に警告するとともに、ガス消費機器の不完全燃焼
や立消えを防止するために遮断弁52を動作させて、ガ
ス供給を停止する。遮断弁52は復帰ボタンを操作する
と元に復帰し、ガス供給が再開する。
外れたことが検出されると、表示ランプ62を点灯して
使用者に警告するとともに、ガス消費機器の不完全燃焼
や立消えを防止するために遮断弁52を動作させて、ガ
ス供給を停止する。遮断弁52は復帰ボタンを操作する
と元に復帰し、ガス供給が再開する。
【0017】一方、ガスメータ本体53において検出さ
れたガス量は、流量センサ57によって電気信号に変換
され、回路基板55に搭載されたマイクロコンピュータ
等の処理回路58に入力される。また、ガス消費機器の
近辺に設置されたガス漏洩警報器や不完全燃焼警報器な
どから外部信号59を回路基板55を介して処理回路5
8に入力することが可能であり、外部信号59に基づい
て表示ランプ62や遮断弁52を動作させてもよい。
れたガス量は、流量センサ57によって電気信号に変換
され、回路基板55に搭載されたマイクロコンピュータ
等の処理回路58に入力される。また、ガス消費機器の
近辺に設置されたガス漏洩警報器や不完全燃焼警報器な
どから外部信号59を回路基板55を介して処理回路5
8に入力することが可能であり、外部信号59に基づい
て表示ランプ62や遮断弁52を動作させてもよい。
【0018】図3はセンサ素子70の外観を示す正面図
である。センサ素子70は、プラスチックや金属などか
ら成る円形の基台71およびドーム状のケース72とか
ら成るパッケージを有し、基台71には複数の端子74
が延出して装着される。また、ケース72の頂上付近に
は測定対象となるガス圧を導入するためのガラスや金属
などから成る管73が装着され、管73には管17が装
着され、図2に示す通路60と接続される。また、ケー
ス72の側面には大気とを連通するための連通孔75が
形成され、外部からの塵埃進入を防止するため、多孔質
の焼結金属などから成るダストフィルタが装着されてい
る。
である。センサ素子70は、プラスチックや金属などか
ら成る円形の基台71およびドーム状のケース72とか
ら成るパッケージを有し、基台71には複数の端子74
が延出して装着される。また、ケース72の頂上付近に
は測定対象となるガス圧を導入するためのガラスや金属
などから成る管73が装着され、管73には管17が装
着され、図2に示す通路60と接続される。また、ケー
ス72の側面には大気とを連通するための連通孔75が
形成され、外部からの塵埃進入を防止するため、多孔質
の焼結金属などから成るダストフィルタが装着されてい
る。
【0019】図4はセンサ素子70のケース72を外し
た状態の平面図であり、図5はセンサ素子70の中央縦
断面図である。図4において、基台71の上にはセラミ
ックなどから成る電気絶縁性の基板76が乗載され、そ
の周囲に複数の端子74が電気絶縁性のスペーサ74a
を介して基台71に装着される。また、基板76上に
は、管17、73で導入されるガス圧を計測するための
ガス圧センサ1と、地震の有無および大きさを計測する
ための感震器110と、ガス圧センサ1や感震器110
からの信号を処理する、たとえばASIC(Applicatio
n SpecificIntegrated Circuit)などで実現される集積
回路77などが搭載される。また、図5において、管7
3の下端部はガス圧センサ1の上面に気密的に接着さ
れ、管17で導入されたガス圧はそのままガス圧センサ
1に導入される。また、管73以外の内部空間は図3の
連通孔75によって大気と連通している。
た状態の平面図であり、図5はセンサ素子70の中央縦
断面図である。図4において、基台71の上にはセラミ
ックなどから成る電気絶縁性の基板76が乗載され、そ
の周囲に複数の端子74が電気絶縁性のスペーサ74a
を介して基台71に装着される。また、基板76上に
は、管17、73で導入されるガス圧を計測するための
ガス圧センサ1と、地震の有無および大きさを計測する
ための感震器110と、ガス圧センサ1や感震器110
からの信号を処理する、たとえばASIC(Applicatio
n SpecificIntegrated Circuit)などで実現される集積
回路77などが搭載される。また、図5において、管7
3の下端部はガス圧センサ1の上面に気密的に接着さ
れ、管17で導入されたガス圧はそのままガス圧センサ
1に導入される。また、管73以外の内部空間は図3の
連通孔75によって大気と連通している。
【0020】図6は、図2の通路60と管17との接続
構造を示す部分断面図である。通路60を形成する通路
壁60aには直径1mm程度の小孔60cが穿設され、
そこに突起管60bが固定される。この突起管60bの
外径と密着するように管17が装着される。
構造を示す部分断面図である。通路60を形成する通路
壁60aには直径1mm程度の小孔60cが穿設され、
そこに突起管60bが固定される。この突起管60bの
外径と密着するように管17が装着される。
【0021】このようにガス圧センサ1がセンサ素子7
0に収納されて回路基板55に搭載され、かつガスメー
タ50の通路60とガス圧センサ1とが可撓性の管で接
続されることによって、ガス圧センサの設置場所の自由
度が高くなり、構造全体の小型化や簡素化が可能にな
る。
0に収納されて回路基板55に搭載され、かつガスメー
タ50の通路60とガス圧センサ1とが可撓性の管で接
続されることによって、ガス圧センサの設置場所の自由
度が高くなり、構造全体の小型化や簡素化が可能にな
る。
【0022】図7は、本発明に係るガス圧センサ1を示
す断面図である。ガス圧センサ1は、導電性単結晶シリ
コンなどで形成されたダイアフラム12と、ガラス基板
7上のほぼ全面にアルミニウム蒸着等によって形成され
た対向電極8と、ダイアフラム12と対向電極8との間
隙を一定に保つガラス板等から成るスペーサ10とを備
える。ダイアフラム12は、図8に示すように、一定の
厚さを持つ矩形状基板の中央部分に極めて薄い変形膜1
2aがエッチング等によって形成されたものである。ダ
イアフラム12の上にガラス板13およびシリコン板1
4が接着されて測定空間15が形成され、この測定空間
15と連通する貫通孔15aが形設される。シリコン板
14の上にはガラスや金属などから成る管73が接着剤
によって気密性を保って固定され、測定対象となる流体
圧力を測定空間15へ導入している。
す断面図である。ガス圧センサ1は、導電性単結晶シリ
コンなどで形成されたダイアフラム12と、ガラス基板
7上のほぼ全面にアルミニウム蒸着等によって形成され
た対向電極8と、ダイアフラム12と対向電極8との間
隙を一定に保つガラス板等から成るスペーサ10とを備
える。ダイアフラム12は、図8に示すように、一定の
厚さを持つ矩形状基板の中央部分に極めて薄い変形膜1
2aがエッチング等によって形成されたものである。ダ
イアフラム12の上にガラス板13およびシリコン板1
4が接着されて測定空間15が形成され、この測定空間
15と連通する貫通孔15aが形設される。シリコン板
14の上にはガラスや金属などから成る管73が接着剤
によって気密性を保って固定され、測定対象となる流体
圧力を測定空間15へ導入している。
【0023】一方、対向電極8が形成されたガラス基板
7は、セラミック等から成る電気絶縁性の基板76上に
接着される。ガラス基板7の表面およびスペーサ10の
端面には、ダイアフラム12の接続電極9が対向電極8
と短絡しないように形成されている。また、基板2上に
はアルミニウム等から成る配線電極3、5が形成されて
おり、対向電極8と配線電極3とがハンダ4によって接
続され、接続電極9と配線電極5がハンダ6によって接
続されている。なお、上述したシリコンとガラスとは熱
融着等によって接着され、ガス圧センサ1の外形はたと
えば4mm×4.5mm×3mm程度に小型化されてい
る。
7は、セラミック等から成る電気絶縁性の基板76上に
接着される。ガラス基板7の表面およびスペーサ10の
端面には、ダイアフラム12の接続電極9が対向電極8
と短絡しないように形成されている。また、基板2上に
はアルミニウム等から成る配線電極3、5が形成されて
おり、対向電極8と配線電極3とがハンダ4によって接
続され、接続電極9と配線電極5がハンダ6によって接
続されている。なお、上述したシリコンとガラスとは熱
融着等によって接着され、ガス圧センサ1の外形はたと
えば4mm×4.5mm×3mm程度に小型化されてい
る。
【0024】次に動作を説明する。管73から測定対象
であるガスが導入されて測定空間15の内部圧力が高く
なると、ダイアフラム12の変形膜12aが外側(図7
の下方)に膨らむように弾性変形する。なお、変形膜1
2aの動きを妨げないように、スペーサ10で囲まれた
空間11は連通孔(図示せず)を介して、図5に示すセ
ンサ素子70の内部空間と連通している。変形膜12a
が外側に膨らむと、対向電極8との距離が近くなるた
め、ダイアフラム12と対向電極8との間の静電容量が
増加する。この静電容量の変化は配線電極3、5間の静
電容量の変化として検出される。したがって、ガス圧力
が増加するにつれて静電容量が増加するとともに、変形
膜12aの変形量が小さい範囲では両者の関係は直線的
に比例する。
であるガスが導入されて測定空間15の内部圧力が高く
なると、ダイアフラム12の変形膜12aが外側(図7
の下方)に膨らむように弾性変形する。なお、変形膜1
2aの動きを妨げないように、スペーサ10で囲まれた
空間11は連通孔(図示せず)を介して、図5に示すセ
ンサ素子70の内部空間と連通している。変形膜12a
が外側に膨らむと、対向電極8との距離が近くなるた
め、ダイアフラム12と対向電極8との間の静電容量が
増加する。この静電容量の変化は配線電極3、5間の静
電容量の変化として検出される。したがって、ガス圧力
が増加するにつれて静電容量が増加するとともに、変形
膜12aの変形量が小さい範囲では両者の関係は直線的
に比例する。
【0025】逆に、測定空間15の内部圧力が低くなる
と、ダイアフラム12の変形膜12aが内側(図7の上
方)に凹むように弾性変形する。すると、対向電極8と
の距離が遠くなるため、ダイアフラム12と対向電極8
との間の静電容量が減少することになる。
と、ダイアフラム12の変形膜12aが内側(図7の上
方)に凹むように弾性変形する。すると、対向電極8と
の距離が遠くなるため、ダイアフラム12と対向電極8
との間の静電容量が減少することになる。
【0026】このようにダイアフラム12は導電性単結
晶シリコンで形成されているため、ヒステリシス、脆
性、クリープ等が無い完全弾性体として機能し、測定精
度が向上する。また、シリコンウエハに関する半導体製
造技術を利用することによって高品質の大量生産が可能
である。
晶シリコンで形成されているため、ヒステリシス、脆
性、クリープ等が無い完全弾性体として機能し、測定精
度が向上する。また、シリコンウエハに関する半導体製
造技術を利用することによって高品質の大量生産が可能
である。
【0027】図9は、本発明に係るガス圧センサ1の電
気回路を示すブロック図である。ガス圧センサ1の配線
電極3、5は、両者間の静電容量を電圧信号に変換する
変換回路20に接続され、増幅器21によって所定増幅
率で増幅される。なお、オフセット回路23は変換回路
20のオフセット電圧を解消するものであり、温度補償
回路22は、変換回路20に基準電圧を供給するととも
に、変換回路20およびオフセット回路23の温度変動
に対する補償を行う。
気回路を示すブロック図である。ガス圧センサ1の配線
電極3、5は、両者間の静電容量を電圧信号に変換する
変換回路20に接続され、増幅器21によって所定増幅
率で増幅される。なお、オフセット回路23は変換回路
20のオフセット電圧を解消するものであり、温度補償
回路22は、変換回路20に基準電圧を供給するととも
に、変換回路20およびオフセット回路23の温度変動
に対する補償を行う。
【0028】図10はガス圧センサ1に導入されたガス
圧力と増幅器21の出力電圧VOUTとの関係を示すグ
ラフである。図10において、ガス圧力と出力電圧VO
UTとは直線的な比例関係を示していることが判る。
圧力と増幅器21の出力電圧VOUTとの関係を示すグ
ラフである。図10において、ガス圧力と出力電圧VO
UTとは直線的な比例関係を示していることが判る。
【0029】図9に戻って、増幅器21の出力信号は制
御出力回路26に入力され、図2の遮断弁52や表示ラ
ンプ62を駆動する。
御出力回路26に入力され、図2の遮断弁52や表示ラ
ンプ62を駆動する。
【0030】図11は本発明に係る感震器110を示す
斜視図である。感震器110は、直方体や立方体などの
ブロック体111と、ブロック体111の相互に直交す
る3つの取付面112、113、114にそれぞれ固定
される感震用のセンサS1、S2、S3とを備える。ブ
ロック体111は、鉄やアルミニウムなどの金属製や合
成樹脂製などの剛体である。センサS1、S2、S3は
同一の構成を有し、参照符Sで総称することがある。
斜視図である。感震器110は、直方体や立方体などの
ブロック体111と、ブロック体111の相互に直交す
る3つの取付面112、113、114にそれぞれ固定
される感震用のセンサS1、S2、S3とを備える。ブ
ロック体111は、鉄やアルミニウムなどの金属製や合
成樹脂製などの剛体である。センサS1、S2、S3は
同一の構成を有し、参照符Sで総称することがある。
【0031】図12(1)はセンサS1の断面図であ
り、図12(2)はセンサS1を切り欠いて示す斜視図
である。センサS1は、片持ち支持される振り子115
と、振り子115の往復運動する方向(図12(1)の
上下方向)に振り子115の両側で配置される一対の電
極116、117とを有する。振り子115は、振り子
本体118と、片持ち支持部分119とから成り、片持
ち支持部分119は取付け部120に連なる。振り子1
15と取付け部120とは、導電性単結晶シリコンから
成る。振り子本体118に対向してスペーサ121が配
置される。電極116、117は扁平なガラス板12
2、123に形成されており、これらの電極116、1
17はアルミニウム製薄膜であり、たとえば蒸着などの
手法で形成される。ガラス板122、123は、導電性
単結晶シリコンから成る基板124、125にそれぞれ
固定されており、電極116、117はガラス板12
2、123に形成された連結孔126、127を介して
基板124、125に電気的に接続される。こうしてセ
ンサS1は、図12(1)の対称面128に関して対称
に構成される。片持ち支持部分119は、完全弾性体で
あるため、ヒステリシス、脆性およびクリープが生じな
い。取付け部120とガラス板122、123と基板1
24、125は、二酸化シリコンを介して完全に融合
し、またスペーサ121も同様であり、こうして内部空
間129は気密状態であり、真空となっている。振り子
本体118と電極116、117との間の間隔d1、d
2は、自然状態、すなわち加速度が作用していない状態
では、2〜5μm程度であり、この実施例ではd1=d
2である。スペーサ121は、振り子115および取付
け部120と同一材料から成る。こうしてセンサS1
は、たとえば縦4×横4.5×厚さ3mmであって、微
小な形状に構成される。振り子115の厚さ方向(図1
2(1)の上下方向)をx方向とするとき、センサS1
は図11のブロック体111の取付面112にx方向が
一致するように接着剤などによって固定される。残余の
センサS2、S3もまた同様に構成される。
り、図12(2)はセンサS1を切り欠いて示す斜視図
である。センサS1は、片持ち支持される振り子115
と、振り子115の往復運動する方向(図12(1)の
上下方向)に振り子115の両側で配置される一対の電
極116、117とを有する。振り子115は、振り子
本体118と、片持ち支持部分119とから成り、片持
ち支持部分119は取付け部120に連なる。振り子1
15と取付け部120とは、導電性単結晶シリコンから
成る。振り子本体118に対向してスペーサ121が配
置される。電極116、117は扁平なガラス板12
2、123に形成されており、これらの電極116、1
17はアルミニウム製薄膜であり、たとえば蒸着などの
手法で形成される。ガラス板122、123は、導電性
単結晶シリコンから成る基板124、125にそれぞれ
固定されており、電極116、117はガラス板12
2、123に形成された連結孔126、127を介して
基板124、125に電気的に接続される。こうしてセ
ンサS1は、図12(1)の対称面128に関して対称
に構成される。片持ち支持部分119は、完全弾性体で
あるため、ヒステリシス、脆性およびクリープが生じな
い。取付け部120とガラス板122、123と基板1
24、125は、二酸化シリコンを介して完全に融合
し、またスペーサ121も同様であり、こうして内部空
間129は気密状態であり、真空となっている。振り子
本体118と電極116、117との間の間隔d1、d
2は、自然状態、すなわち加速度が作用していない状態
では、2〜5μm程度であり、この実施例ではd1=d
2である。スペーサ121は、振り子115および取付
け部120と同一材料から成る。こうしてセンサS1
は、たとえば縦4×横4.5×厚さ3mmであって、微
小な形状に構成される。振り子115の厚さ方向(図1
2(1)の上下方向)をx方向とするとき、センサS1
は図11のブロック体111の取付面112にx方向が
一致するように接着剤などによって固定される。残余の
センサS2、S3もまた同様に構成される。
【0032】このようなセンサS1は、長期間にわたっ
て特性が安定しており、また−40〜+125℃の広い
温度範囲で高精度で加速度を検出することができる。セ
ンサS1は、面28に関して対称であり、したがって熱
膨張によっても、全体が均一に膨張するので、振り子本
体118と各電極116、117との容量の合成値は変
わらない。またセンサS1は、たとえば4000g(g
は重力加速度)程度の過衝撃、すなわち過加速度による
振り子本体118の振れを、サンドイッチ状の電極11
6、117、すなわちガラス板122、123で制限す
るので、振り子本体118を支持する片持ち支持部分1
19に過度のたわみ力が作用せず、したがって片持ち支
持部分119の破損を防止できる。さらに本実施例の構
成によれば、感度方向の選択性に優れている。すなわち
振り子115を含めてセンサS1が図12(1)の上下
方向に積層構造を形成しているので、図12(1)の上
下方向には感度が優れており、図12(1)の紙面垂直
方向の感度は極めて低くなる。
て特性が安定しており、また−40〜+125℃の広い
温度範囲で高精度で加速度を検出することができる。セ
ンサS1は、面28に関して対称であり、したがって熱
膨張によっても、全体が均一に膨張するので、振り子本
体118と各電極116、117との容量の合成値は変
わらない。またセンサS1は、たとえば4000g(g
は重力加速度)程度の過衝撃、すなわち過加速度による
振り子本体118の振れを、サンドイッチ状の電極11
6、117、すなわちガラス板122、123で制限す
るので、振り子本体118を支持する片持ち支持部分1
19に過度のたわみ力が作用せず、したがって片持ち支
持部分119の破損を防止できる。さらに本実施例の構
成によれば、感度方向の選択性に優れている。すなわち
振り子115を含めてセンサS1が図12(1)の上下
方向に積層構造を形成しているので、図12(1)の上
下方向には感度が優れており、図12(1)の紙面垂直
方向の感度は極めて低くなる。
【0033】さらに、振り子115および取付け部12
0は、半導体エッチング技術によって微細な加工が容易
であり、センサS1の自動化による大幅な製造工数の削
減によって、品質を安定化し、量産効果による低価格化
を実現できる。またシリコンウエハ技術でセンサS1を
製造することができ、また温度係数が非常に低いので、
室温で調整して出荷することができ、これによって製造
工数を大幅に削減できる。またマイクロエッチング技術
を採用することができ、小型化が可能である。残余のセ
ンサS2、S3もまたセンサS1と同様な構成を有す
る。
0は、半導体エッチング技術によって微細な加工が容易
であり、センサS1の自動化による大幅な製造工数の削
減によって、品質を安定化し、量産効果による低価格化
を実現できる。またシリコンウエハ技術でセンサS1を
製造することができ、また温度係数が非常に低いので、
室温で調整して出荷することができ、これによって製造
工数を大幅に削減できる。またマイクロエッチング技術
を採用することができ、小型化が可能である。残余のセ
ンサS2、S3もまたセンサS1と同様な構成を有す
る。
【0034】図13は、本発明に係る感震器110の電
気回路を示すブロック図である。3つのセンサS1、S
2、S3の振り子115および各電極116、117
は、取付け部120および基板124、125を介して
ライン131、132、133にそれぞれ接続される。
振り子115と各電極116、117との間の容量をC
1、C2とするとき、加速度が存在しない自然状態で
は、C1=C2であり、加速度が発生すると、慣性の法
則によって、間隔d1、d2(図12(1)参照)が相
互に異なり、これによってC1<C2またはC1>C2
となる。変換回路134は、ライン131、132、1
33に接続され、ライン135、136に、1つのセン
サS1の容量C1、C2に対応する電圧V1、V2をそ
れぞれ出力する。
気回路を示すブロック図である。3つのセンサS1、S
2、S3の振り子115および各電極116、117
は、取付け部120および基板124、125を介して
ライン131、132、133にそれぞれ接続される。
振り子115と各電極116、117との間の容量をC
1、C2とするとき、加速度が存在しない自然状態で
は、C1=C2であり、加速度が発生すると、慣性の法
則によって、間隔d1、d2(図12(1)参照)が相
互に異なり、これによってC1<C2またはC1>C2
となる。変換回路134は、ライン131、132、1
33に接続され、ライン135、136に、1つのセン
サS1の容量C1、C2に対応する電圧V1、V2をそ
れぞれ出力する。
【0035】
【数1】
【0036】ここでV0は、温度補償回路137が変換
回路134にライン138を介して与える電圧であっ
て、回路139とともに、オフセット調整を行う。差動
増幅回路140は、ライン135、136の出力にそれ
ぞれ応答し、ライン141に両電圧V1、V2の差の出
力V3を導出する。
回路134にライン138を介して与える電圧であっ
て、回路139とともに、オフセット調整を行う。差動
増幅回路140は、ライン135、136の出力にそれ
ぞれ応答し、ライン141に両電圧V1、V2の差の出
力V3を導出する。
【0037】
【数2】
【0038】ここで合成値(C1−C2)/(C1+C
2)は、センサS1のx方向の加速度に比例する。
2)は、センサS1のx方向の加速度に比例する。
【0039】上述の説明は、主としてセンサS1にのみ
に関して行われたが、センサS1の振り子115は、残
余のセンサS2、S3の振り子とともに共通にライン1
31に接続され、また各電極116、117は残余のセ
ンサS2、S3の対応する各電極とともにライン13
2、133に接続される。したがって前述の式1〜式3
に示されるC1、C2は、これらの各センサのS1、S
2、S3の並列容量と考えることができる。
に関して行われたが、センサS1の振り子115は、残
余のセンサS2、S3の振り子とともに共通にライン1
31に接続され、また各電極116、117は残余のセ
ンサS2、S3の対応する各電極とともにライン13
2、133に接続される。したがって前述の式1〜式3
に示されるC1、C2は、これらの各センサのS1、S
2、S3の並列容量と考えることができる。
【0040】増幅回路140からライン141に導出さ
れる信号はローパスフィルタ142に与えられる。
れる信号はローパスフィルタ142に与えられる。
【0041】図14は、ローパスフィルタ142の具体
的な構成を示す電気回路図である。ローパスフィルタ1
42は、地震波である中心周波数成分が2〜5Hz付近
の信号を濾波して選択的に導出し、たとえば約10Hz
付近の衝撃波を遮断する特性を有し、すなわち図15に
示される地震波のみを選択的に導出し、衝撃波を遮断す
るように、その遮断周波数f0が定められる。ローパス
フィルタ142は演算増幅器143と、抵抗R1と、抵
抗R2と、コンデンサC10とを有し、遮断周波数f0
は式4に示される。
的な構成を示す電気回路図である。ローパスフィルタ1
42は、地震波である中心周波数成分が2〜5Hz付近
の信号を濾波して選択的に導出し、たとえば約10Hz
付近の衝撃波を遮断する特性を有し、すなわち図15に
示される地震波のみを選択的に導出し、衝撃波を遮断す
るように、その遮断周波数f0が定められる。ローパス
フィルタ142は演算増幅器143と、抵抗R1と、抵
抗R2と、コンデンサC10とを有し、遮断周波数f0
は式4に示される。
【0042】
【数3】
【0043】図16は、ローパスフィルタ142の特性
を示す図である。理想的には図16に示されるように、
ローパスフィルタ142は遮断周波数f0未満の周波数
帯域では信号を通過させ、その遮断周波数f0以上の周
波数帯域では信号を遮断する働きをする。
を示す図である。理想的には図16に示されるように、
ローパスフィルタ142は遮断周波数f0未満の周波数
帯域では信号を通過させ、その遮断周波数f0以上の周
波数帯域では信号を遮断する働きをする。
【0044】再び図13を参照して、ローパスフィルタ
142の出力は、比較回路144に与えられレベル弁別
を行う。比較回路144は、入力信号が所定の弁別レベ
ルを超えた場合、たとえばハイレベルの信号を次の制御
出力回路146へ出力し、図2の遮断弁52および表示
ランプ62を駆動して、ガス漏洩を防止して警報を発す
る。
142の出力は、比較回路144に与えられレベル弁別
を行う。比較回路144は、入力信号が所定の弁別レベ
ルを超えた場合、たとえばハイレベルの信号を次の制御
出力回路146へ出力し、図2の遮断弁52および表示
ランプ62を駆動して、ガス漏洩を防止して警報を発す
る。
【0045】図17は本件発明者の実験結果を示すグラ
フである。センサS1を対称面128が水平となる姿勢
で、その対称面128に垂直方向に加振器によって振動
周波数10Hzの出力電圧を測定し、このときの振動の
大きさは0.2g(peak)であって一定としたと
き、特性ライン47が得られた。またセンサS1を対称
面128が鉛直となる姿勢として、その対称面128に
垂直方向に振動を上述と同様に与えたとき、特性ライン
48が得られた。
フである。センサS1を対称面128が水平となる姿勢
で、その対称面128に垂直方向に加振器によって振動
周波数10Hzの出力電圧を測定し、このときの振動の
大きさは0.2g(peak)であって一定としたと
き、特性ライン47が得られた。またセンサS1を対称
面128が鉛直となる姿勢として、その対称面128に
垂直方向に振動を上述と同様に与えたとき、特性ライン
48が得られた。
【0046】このようにしてセンサS1の取付け姿勢が
変化しても、センサS1に対応する増幅回路140から
ライン141に導出される信号の弁別レベルは、ほぼ同
一であり、したがって検出される加速度は、センサS1
の取付け姿勢に殆ど依存しないことが確認された。この
ことによって、センサS1の取付けが容易となることが
判る。
変化しても、センサS1に対応する増幅回路140から
ライン141に導出される信号の弁別レベルは、ほぼ同
一であり、したがって検出される加速度は、センサS1
の取付け姿勢に殆ど依存しないことが確認された。この
ことによって、センサS1の取付けが容易となることが
判る。
【0047】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、ガ
ス圧センサの設置場所の自由度が高くなり、しかもガス
圧センサを確実に搭載できる。また、ガス通路からのガ
ス導入機構が簡単で小型化され、取付け作業も簡素化さ
れ、しかもガス通路の細工が小さくて済み、強度低下が
殆ど生じない。したがって、小型で信頼性の高いガスメ
ータを実現できる。
ス圧センサの設置場所の自由度が高くなり、しかもガス
圧センサを確実に搭載できる。また、ガス通路からのガ
ス導入機構が簡単で小型化され、取付け作業も簡素化さ
れ、しかもガス通路の細工が小さくて済み、強度低下が
殆ど生じない。したがって、小型で信頼性の高いガスメ
ータを実現できる。
【0048】また、ガス圧センサはガス圧と出力信号と
の関係が良好な直線性を示し、ガス圧を連続したアナロ
グ量として測定することが可能になるため、ガス供給圧
力を僅かな変化でも精度良く検出することができる。
の関係が良好な直線性を示し、ガス圧を連続したアナロ
グ量として測定することが可能になるため、ガス供給圧
力を僅かな変化でも精度良く検出することができる。
【0049】また、ダイアフラムは導電性単結晶シリコ
ンで形成されることによって、測定精度向上および大量
生産が実現し、小型、高品質かつ低価格のガス圧センサ
を提供できる。
ンで形成されることによって、測定精度向上および大量
生産が実現し、小型、高品質かつ低価格のガス圧センサ
を提供できる。
【0050】また、ガス圧センサは地震を検出するため
の感震器とともにセンサ容器に収納されていることによ
って、ガス供給圧力検出と地震検出の両方の機能を持つ
センサ素子が小型で実現するため、より高機能で小型の
ガスメータが得られる。
の感震器とともにセンサ容器に収納されていることによ
って、ガス供給圧力検出と地震検出の両方の機能を持つ
センサ素子が小型で実現するため、より高機能で小型の
ガスメータが得られる。
【図1】本発明の一実施例であるガスメータ50の一部
切欠斜視図である。
切欠斜視図である。
【図2】ガスメータ50のガス流路および電気ブロック
を示す系統図である。
を示す系統図である。
【図3】センサ素子70の外観を示す正面図である。
【図4】センサ素子70のケース72を外した状態の平
面図である。
面図である。
【図5】センサ素子70の中央縦断面図である。
【図6】図2の通路60と管17との接続構造を示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図7】本発明に係るガス圧センサ1を示す断面図であ
る。
る。
【図8】図7のダイアフラム12およびガラス板13の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図9】本発明に係るガス圧センサ1の電気回路を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図10】ガス圧センサ1に導入されたガス圧力と増幅
器21の出力電圧VOUTとの関係を示すグラフであ
る。
器21の出力電圧VOUTとの関係を示すグラフであ
る。
【図11】本発明に係る感震器110を示す斜視図であ
る。
る。
【図12】図12(1)はセンサS1の断面図であり、
図12(2)はセンサS1を切り欠いて示す斜視図であ
る。
図12(2)はセンサS1を切り欠いて示す斜視図であ
る。
【図13】本発明に係る感震器110の電気回路を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図14】ローパスフィルタ142の具体的な構成を示
す電気回路図である。
す電気回路図である。
【図15】地震波と衝撃波の周波数成分を示すグラフで
ある。
ある。
【図16】ローパスフィルタ142の特性を示す図であ
る。
る。
【図17】本件発明者の実験結果を示すグラフである。
【図18】従来のガスメータにおけるガス圧センサの取
付け構造を示す概略図である。
付け構造を示す概略図である。
1 ガス圧センサ 3,5 配線電極 8 対向電極 10 スペーサ 12 ダイアフラム 15 測定空間 17,73 管 20 変換回路 50 ガスメータ 52 遮断弁 55 回路基板 60,61 通路 62 表示ランプ 70 センサ素子 77 集積回路 110 感震器 115 振り子 116,117 電極 119 片持ち支持部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤沢 正造 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 ガス入口から供給されたガスをガス出口
まで導くためのガス通路と、 該ガス通路のガス流量を計量するためのガス計量手段と
を備えるガスメータにおいて、 ガス供給圧力を検出するためのガス圧センサが回路基板
上に搭載され、かつ前記ガス通路と前記ガス圧センサと
が管で接続されていることを特徴とするガスメータ。 - 【請求項2】 前記ガス圧センサは、ガス圧に応じて弾
性変形する導電性のダイアフラムと、該ダイアフラムと
隔てて設けられる対向電極とを備え、 ダイアフラムと対向電極との間の静電容量を検出してア
ナログ信号に変換することを特徴とする請求項1記載の
ガスメータ。 - 【請求項3】 前記ダイアフラムは、導電性単結晶シリ
コンから成ることを特徴とする請求項2記載のガスメー
タ。 - 【請求項4】 前記ガス圧センサは、地震を検出するた
めの感震器とともにセンサ容器に収納されていることを
特徴とする請求項1記載のガスメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13338694A JPH085435A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | ガスメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13338694A JPH085435A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | ガスメータ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26639296A Division JPH09119858A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | ガスメータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085435A true JPH085435A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15103532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13338694A Pending JPH085435A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | ガスメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085435A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1164054A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 安全機能付き流量計測装置 |
| JPH1194602A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感震機能付き流路開度調整装置 |
| JP2003050147A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Osaka Gas Co Ltd | 膜式ガスメータ |
| JP2018081025A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社堀場エステック | 圧力式流量計 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190242A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
| JPS60113119A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 運動測定装置 |
| JPS63118667A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | 三次元加速度センサ |
| JPS63208718A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス遮断装置 |
| JPH04326033A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-11-16 | Robert Bosch Gmbh | 圧力または加速度センサ |
| JPH05340960A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 多次元加速度センサ |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP13338694A patent/JPH085435A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190242A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
| JPS60113119A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 運動測定装置 |
| JPS63118667A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | 三次元加速度センサ |
| JPS63208718A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス遮断装置 |
| JPH04326033A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-11-16 | Robert Bosch Gmbh | 圧力または加速度センサ |
| JPH05340960A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 多次元加速度センサ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1164054A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 安全機能付き流量計測装置 |
| JPH1194602A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感震機能付き流路開度調整装置 |
| JP2003050147A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Osaka Gas Co Ltd | 膜式ガスメータ |
| JP2018081025A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社堀場エステック | 圧力式流量計 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102207406B1 (ko) | 풍속계를 위한 시스템 및 방법 | |
| EP1407464B1 (en) | Micro-electromechanical sensor | |
| US5757608A (en) | Compensated pressure transducer | |
| CN100401032C (zh) | 气压传感器 | |
| US6295875B1 (en) | Process pressure measurement devices with improved error compensation | |
| US4301492A (en) | Pressure-sensing transducer | |
| US5396803A (en) | Dual balanced capacitance manometers for suppressing vibration effects | |
| CA2169823A1 (en) | Screened capacitive sensor | |
| JPH02264838A (ja) | 容量型圧力センサ及び寄生容量を測定値から除去する方法 | |
| JPS614934A (ja) | 差圧センサー組立て体 | |
| JP2920868B2 (ja) | 地震レベル判定方法およびガスメータ | |
| KR20010032103A (ko) | 마이크로-기계적 차압 감응 장치 | |
| US7360429B1 (en) | High sensitivity pressure actuated switch based on MEMS-fabricated silicon diaphragm and having electrically adjustable switch point | |
| CN104204755B (zh) | 微机械的压力传感器 | |
| US5969257A (en) | Pressure measuring membrane with resonant element vibrating orthogonal to membrane movement | |
| JPH085435A (ja) | ガスメータ | |
| JPWO2013051199A1 (ja) | 隔膜型圧力計 | |
| JP3229706B2 (ja) | 感震器 | |
| JPH09119858A (ja) | ガスメータ | |
| US7584665B2 (en) | Combustion transducer apparatus employing pressure restriction means | |
| JP3247762B2 (ja) | 地震検出装置 | |
| JPH0278926A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPH10170375A (ja) | 圧力・振動検知装置 | |
| JPH10142093A (ja) | 静電容量式センサの診断装置および方法 | |
| JPH0886711A (ja) | 圧力センサ装置とこの圧力センサ装置を使用したガスメータ |