JPH0855310A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH0855310A JPH0855310A JP21218394A JP21218394A JPH0855310A JP H0855310 A JPH0855310 A JP H0855310A JP 21218394 A JP21218394 A JP 21218394A JP 21218394 A JP21218394 A JP 21218394A JP H0855310 A JPH0855310 A JP H0855310A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ヘッドにおける電極と磁気シ
ールド層との短絡の問題を解消して、磁気ギャップを狭
くできる構成の提供。 【構成】 磁気シールド層７，８として、絶縁層３ａ，
３ｂとシールド用の金属磁性層７ｂ，８ｂとの間に非導
電性磁性フェライト層７ａ，８ａを成膜して、非導電性
磁性フェライト層７ａ，８ａと金属磁性層７ｂ，８ｂの
２層の複合層構成とすることにより、電極５と金属磁気
シールド層（金属磁性層７ｂ，８ｂ）の短絡防止に役立
つとともに、非導電性磁性フェライト層７ａ，８ａが金
属磁性層７ｂ，８ｂとともに磁気シールドの役割も果た
すため、実効的な磁気ギャップも狭く設定でき、高記録
密度用の磁気抵抗効果型ヘッドとして最適である。
ールド層との短絡の問題を解消して、磁気ギャップを狭
くできる構成の提供。 【構成】 磁気シールド層７，８として、絶縁層３ａ，
３ｂとシールド用の金属磁性層７ｂ，８ｂとの間に非導
電性磁性フェライト層７ａ，８ａを成膜して、非導電性
磁性フェライト層７ａ，８ａと金属磁性層７ｂ，８ｂの
２層の複合層構成とすることにより、電極５と金属磁気
シールド層（金属磁性層７ｂ，８ｂ）の短絡防止に役立
つとともに、非導電性磁性フェライト層７ａ，８ａが金
属磁性層７ｂ，８ｂとともに磁気シールドの役割も果た
すため、実効的な磁気ギャップも狭く設定でき、高記録
密度用の磁気抵抗効果型ヘッドとして最適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度記録媒体の読
出し（再生）に利用される磁気抵抗効果素子を用いた薄
膜磁気ヘッドの改良に係り、磁気シールド層を非導電性
磁性フェライト層と金属磁性層の２層の複合層から構成
して、特に段差部がある電極と金属磁気シールド層との
短絡を防止し、実効的な狭磁気ギャップを達成した磁気
抵抗効果型ヘッドに関する。
出し（再生）に利用される磁気抵抗効果素子を用いた薄
膜磁気ヘッドの改良に係り、磁気シールド層を非導電性
磁性フェライト層と金属磁性層の２層の複合層から構成
して、特に段差部がある電極と金属磁気シールド層との
短絡を防止し、実効的な狭磁気ギャップを達成した磁気
抵抗効果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度記録媒体として活用される磁気デ
ィスク装置において、その記録容量の向上や小型化、信
号伝送速度の高速化が極めて高いレベルで要求される今
日では、読出し磁気ヘッドには磁気抵抗効果素子を用い
た薄膜磁気ヘッドが採用されている。
ィスク装置において、その記録容量の向上や小型化、信
号伝送速度の高速化が極めて高いレベルで要求される今
日では、読出し磁気ヘッドには磁気抵抗効果素子を用い
た薄膜磁気ヘッドが採用されている。
【０００３】かかる磁気抵抗効果型ヘッドの構成を、図
２の従来の磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面方向からみた
断面図にて説明すると、例えば、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板
１上にＮｉＦｅ合金からなる磁気シールド層２ａを設
け、下ギャップ層となるＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層３ａの
上に、磁気抵抗効果膜と磁気分離膜とバイアス膜とが積
層されてなる３層構造のＭＲ３層膜４を成膜形成し、そ
の上に電極５を形成してあり、さらに上ギャップ層とな
るＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層３ｂを成膜し、ＮｉＦｅ合金
からなる磁気シールド層２ｂを形成し、保護膜６を成膜
してヘッドを完成させる構成からなる。
２の従来の磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面方向からみた
断面図にて説明すると、例えば、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板
１上にＮｉＦｅ合金からなる磁気シールド層２ａを設
け、下ギャップ層となるＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層３ａの
上に、磁気抵抗効果膜と磁気分離膜とバイアス膜とが積
層されてなる３層構造のＭＲ３層膜４を成膜形成し、そ
の上に電極５を形成してあり、さらに上ギャップ層とな
るＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層３ｂを成膜し、ＮｉＦｅ合金
からなる磁気シールド層２ｂを形成し、保護膜６を成膜
してヘッドを完成させる構成からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成からなる磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、前述の高密度化を達成する
ためには、上下磁気シールド層間を狭くしてトータルの
ギャップを小さくする必要がある。しかし、該ギャップ
を小さくすると、特に段差部がある電極と磁気シールド
層が短絡する場合が多く、ウエーハ歩溜りの大きな低下
を招いていた。電極と磁気シールド層の短絡防止を目的
に、電極形状として広幅、薄膜のものが採用されるが、
この方法でも電極厚とギャップ厚はほぼ同等であり、短
絡するという欠点は解消されていない。
抵抗効果型ヘッドにおいて、前述の高密度化を達成する
ためには、上下磁気シールド層間を狭くしてトータルの
ギャップを小さくする必要がある。しかし、該ギャップ
を小さくすると、特に段差部がある電極と磁気シールド
層が短絡する場合が多く、ウエーハ歩溜りの大きな低下
を招いていた。電極と磁気シールド層の短絡防止を目的
に、電極形状として広幅、薄膜のものが採用されるが、
この方法でも電極厚とギャップ厚はほぼ同等であり、短
絡するという欠点は解消されていない。
【０００５】この発明は、従来の磁気抵抗効果型ヘッド
における電極と磁気シールド層との短絡の問題を解消し
て、磁気ギャップを狭くできる構成からなる磁気抵抗効
果型ヘッドの提供を目的としている。
における電極と磁気シールド層との短絡の問題を解消し
て、磁気ギャップを狭くできる構成からなる磁気抵抗効
果型ヘッドの提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者は、磁気抵抗効果
型ヘッドにおける電極と磁気シールド層との短絡の問題
を解消して、磁気ギャップを狭くできる構成を目的に、
磁気シールド層について種々検討した結果、金属磁気シ
ールド層と絶縁層の間に非導電性フェライトを成膜する
ことにより、電極と金属磁気シールド層の短絡防止に役
立つとともに、金属磁気シールド層とともに磁気シール
ドの役割も果たすため、磁気ギャップ間隔は広がらない
ことを知見し、この発明を完成した。
型ヘッドにおける電極と磁気シールド層との短絡の問題
を解消して、磁気ギャップを狭くできる構成を目的に、
磁気シールド層について種々検討した結果、金属磁気シ
ールド層と絶縁層の間に非導電性フェライトを成膜する
ことにより、電極と金属磁気シールド層の短絡防止に役
立つとともに、金属磁気シールド層とともに磁気シール
ドの役割も果たすため、磁気ギャップ間隔は広がらない
ことを知見し、この発明を完成した。
【０００７】すなわち、この発明は、３層構造磁気抵抗
効果素子を挟むように絶縁層を介して磁気シールド層を
有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気シールド層
の一方又は両方が、絶縁層側から非導電性磁性フェライ
ト層と金属磁性層の２層の複合層からなることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッドである。
効果素子を挟むように絶縁層を介して磁気シールド層を
有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気シールド層
の一方又は両方が、絶縁層側から非導電性磁性フェライ
ト層と金属磁性層の２層の複合層からなることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッドである。
【０００８】また、この発明は、上記の磁気抵抗効果型
ヘッドの構成において、非導電性磁性フェライト層が比
抵抗 １０5Ωｃｍ以上の材料であること、非導電性磁
性フェライト層厚が０．０３μｍ〜０．４μｍであるこ
と、を特徴とする。
ヘッドの構成において、非導電性磁性フェライト層が比
抵抗 １０5Ωｃｍ以上の材料であること、非導電性磁
性フェライト層厚が０．０３μｍ〜０．４μｍであるこ
と、を特徴とする。
【０００９】この発明において、磁気シールド層を構成
する非導電性磁性フェライト層としては、ＮｉＺｎ系フ
ェライトのような比抵抗として１０5Ωｃｍ以上のもの
がよく、成膜厚としては０．０３μｍ以上で十分である
が、一般にフェライトは透磁率が金属磁性体より低く、
飽和磁束密度が小さいため０．４μｍ超える膜厚では磁
気ヘッドの実効ギャップ長が長くなるので好ましくな
い。また、金属磁性層としては、フェライトより透磁率
の高いＮｉＦｅ系、ＣｏＺｒ系アモルファスなどを使用
できる。
する非導電性磁性フェライト層としては、ＮｉＺｎ系フ
ェライトのような比抵抗として１０5Ωｃｍ以上のもの
がよく、成膜厚としては０．０３μｍ以上で十分である
が、一般にフェライトは透磁率が金属磁性体より低く、
飽和磁束密度が小さいため０．４μｍ超える膜厚では磁
気ヘッドの実効ギャップ長が長くなるので好ましくな
い。また、金属磁性層としては、フェライトより透磁率
の高いＮｉＦｅ系、ＣｏＺｒ系アモルファスなどを使用
できる。
【００１０】
【作用】この発明による磁気抵抗効果型ヘッドの作用を
図面に基づいて詳述する。図１は磁気抵抗効果型ヘッド
の浮上面方向からみた断面図である。図１のＡに示す例
は、基板１上に例えばＮｉＦｅ合金からなる磁気シール
ド層２ａを設け、下ギャップ層となるＡｌ2Ｏ3などから
なる絶縁層３ａの上に、磁気抵抗効果膜と磁気分離膜と
バイアス膜とが積層されてなる３層構造のＭＲ３層膜４
を成膜形成し、その上に電極５を形成し、さらに上ギャ
ップ層となるＡｌ2Ｏ3などからなる絶縁層３ｂを成膜し
てある。この絶縁層３ｂ上に、ＮｉＺｎ系フェライトか
らなる非導電性磁性フェライト層７ａを成膜してからＮ
ｉＦｅ合金からなる金属磁性層７ｂを設けて２層の複合
層からなる磁気シールド層７を形成し、さらに保護膜６
を積層成膜してある。
図面に基づいて詳述する。図１は磁気抵抗効果型ヘッド
の浮上面方向からみた断面図である。図１のＡに示す例
は、基板１上に例えばＮｉＦｅ合金からなる磁気シール
ド層２ａを設け、下ギャップ層となるＡｌ2Ｏ3などから
なる絶縁層３ａの上に、磁気抵抗効果膜と磁気分離膜と
バイアス膜とが積層されてなる３層構造のＭＲ３層膜４
を成膜形成し、その上に電極５を形成し、さらに上ギャ
ップ層となるＡｌ2Ｏ3などからなる絶縁層３ｂを成膜し
てある。この絶縁層３ｂ上に、ＮｉＺｎ系フェライトか
らなる非導電性磁性フェライト層７ａを成膜してからＮ
ｉＦｅ合金からなる金属磁性層７ｂを設けて２層の複合
層からなる磁気シールド層７を形成し、さらに保護膜６
を積層成膜してある。
【００１１】金属磁性層７ｂと絶縁層３ｂの間に非導電
性磁性フェライト層７ａを成膜することにより、電極５
と磁気シールド層である金属磁性層７ｂの短絡防止に役
立つとともに、金属磁性層７ｂとともに磁気シールドの
役割も果たすため、実効的な磁気ギャップも狭く設定で
きる。一方、図１のＣに示すごとく、上述の構成におい
て電極が形成されていないＭＲ３層膜４の下側の磁気シ
ールド層をこの発明の２層の複合層からなる磁気シール
ド層８とすることができる。すなわち、基板１上にＮｉ
Ｆｅ合金からなる金属磁性層８ｂを成膜し、さらに非導
電性磁性フェライト層８ａを成膜してから絶縁層３ａを
設けてある。
性磁性フェライト層７ａを成膜することにより、電極５
と磁気シールド層である金属磁性層７ｂの短絡防止に役
立つとともに、金属磁性層７ｂとともに磁気シールドの
役割も果たすため、実効的な磁気ギャップも狭く設定で
きる。一方、図１のＣに示すごとく、上述の構成におい
て電極が形成されていないＭＲ３層膜４の下側の磁気シ
ールド層をこの発明の２層の複合層からなる磁気シール
ド層８とすることができる。すなわち、基板１上にＮｉ
Ｆｅ合金からなる金属磁性層８ｂを成膜し、さらに非導
電性磁性フェライト層８ａを成膜してから絶縁層３ａを
設けてある。
【００１２】図１のＡに示す例は、電極５がＭＲ３層膜
４の上側にのみ形成される構成であるが、電極がＭＲ３
層膜４の両面に配置される場合は、図１のＢに示すごと
く、基板１上に金属磁性層８ｂを成膜し、非導電性磁性
層フェライト８ａを成膜して複合層からなる磁気シール
ド層８を設けてから絶縁層３ａを成膜し、電極５ａをパ
ターニングしてからＭＲ３層膜４を成膜形成し、さらに
電極５ｂを設けてから絶縁層３ｂを成膜し、この上に非
導電性磁性フェライト層７ａを成膜し、金属磁性層７ｂ
を積層して複合層からなる磁気シールド層７を設け、電
極５ａ，５ｂと金属磁性層７ｂ，８ｂとの短絡を非導電
性磁性フェライト層７ａ，８ａにて防止することができ
る。
４の上側にのみ形成される構成であるが、電極がＭＲ３
層膜４の両面に配置される場合は、図１のＢに示すごと
く、基板１上に金属磁性層８ｂを成膜し、非導電性磁性
層フェライト８ａを成膜して複合層からなる磁気シール
ド層８を設けてから絶縁層３ａを成膜し、電極５ａをパ
ターニングしてからＭＲ３層膜４を成膜形成し、さらに
電極５ｂを設けてから絶縁層３ｂを成膜し、この上に非
導電性磁性フェライト層７ａを成膜し、金属磁性層７ｂ
を積層して複合層からなる磁気シールド層７を設け、電
極５ａ，５ｂと金属磁性層７ｂ，８ｂとの短絡を非導電
性磁性フェライト層７ａ，８ａにて防止することができ
る。
【００１３】
実施例１ Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板上にめっきによりＮｉＦｅを２μ
ｍ形成して下磁気シールド層を設け、この上にＡｌ2Ｏ3
を０．１５μｍ成膜して下絶縁層とした。下絶縁層上
に、ＣｏＺｒＭｏ膜をソフト膜とし、Ｔｉを磁気分離
膜、ＮｉＦｅ膜を磁気抵抗効果膜とする３層ＭＲ素子を
形成した。３層ＭＲ素子形状は厚み０．０５μｍであ
り、長さは６０μｍ、幅は５μｍである。さらにこの上
にトラック幅が６μｍとなるようにＣｕ電極を０．２μ
ｍの厚みで形成した。上絶縁層としてＡｌ2Ｏ3を０．１
８μｍ厚みで成膜後、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フェライト
を０．０１μｍ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１
μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μ
ｍの各厚みで成膜した８種類の構成のものを作製し、さ
らにＮｉＦｅ膜をめっきにより２μｍ形成して金属磁性
層を積層し、その後、端子部を形成し、Ａｌ2Ｏ3膜の保
護層を３０μｍ成膜してウエハプロセスを完了した。端
子出し加工後、金パッドを形成し、切断、研磨、組立て
を経て、磁気ヘッドを作製した。また、比較のため、上
記構成でＮｉ−Ｚｎの非導電性フェライトを設けること
なく、ＮｉＦｅ膜をめっきにより２μｍ形成して磁気シ
ールド層を積層した従来の構成のものを作製して同様方
法で磁気ヘッドとなした。
ｍ形成して下磁気シールド層を設け、この上にＡｌ2Ｏ3
を０．１５μｍ成膜して下絶縁層とした。下絶縁層上
に、ＣｏＺｒＭｏ膜をソフト膜とし、Ｔｉを磁気分離
膜、ＮｉＦｅ膜を磁気抵抗効果膜とする３層ＭＲ素子を
形成した。３層ＭＲ素子形状は厚み０．０５μｍであ
り、長さは６０μｍ、幅は５μｍである。さらにこの上
にトラック幅が６μｍとなるようにＣｕ電極を０．２μ
ｍの厚みで形成した。上絶縁層としてＡｌ2Ｏ3を０．１
８μｍ厚みで成膜後、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フェライト
を０．０１μｍ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１
μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μ
ｍの各厚みで成膜した８種類の構成のものを作製し、さ
らにＮｉＦｅ膜をめっきにより２μｍ形成して金属磁性
層を積層し、その後、端子部を形成し、Ａｌ2Ｏ3膜の保
護層を３０μｍ成膜してウエハプロセスを完了した。端
子出し加工後、金パッドを形成し、切断、研磨、組立て
を経て、磁気ヘッドを作製した。また、比較のため、上
記構成でＮｉ−Ｚｎの非導電性フェライトを設けること
なく、ＮｉＦｅ膜をめっきにより２μｍ形成して磁気シ
ールド層を積層した従来の構成のものを作製して同様方
法で磁気ヘッドとなした。
【００１４】表１にウエーハ段階での電気特性と完成し
た磁気ヘッドの読み込み信号特性とＮｉ−Ｚｎの非導電
性フェライト層の厚みとの関係を示しているが、Ｎｉ−
Ｚｎの非導電性フェライト層が０．０３μｍで電極と金
属磁性層間の短絡が大きく減少し、０．０５μｍ以上で
はほとんど短絡がなく、安定していた。また、Ｎｉ−Ｚ
ｎの非導電性フェライト層が０．４μｍ以下であれば読
み込み信号から得られた実効ギャップ長に相当する信号
の半値幅は０．３８μｍであり、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性
フェライト層がないものと同等であるが、Ｎｉ−Ｚｎの
非導電性フェライト層が０．５μｍになると実効ギャッ
プ長は０．４０μｍと大きくなるので、非導電性フェラ
イト層の厚みとしては０．０５μｍから０．４μｍが望
ましいことがわかる。
た磁気ヘッドの読み込み信号特性とＮｉ−Ｚｎの非導電
性フェライト層の厚みとの関係を示しているが、Ｎｉ−
Ｚｎの非導電性フェライト層が０．０３μｍで電極と金
属磁性層間の短絡が大きく減少し、０．０５μｍ以上で
はほとんど短絡がなく、安定していた。また、Ｎｉ−Ｚ
ｎの非導電性フェライト層が０．４μｍ以下であれば読
み込み信号から得られた実効ギャップ長に相当する信号
の半値幅は０．３８μｍであり、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性
フェライト層がないものと同等であるが、Ｎｉ−Ｚｎの
非導電性フェライト層が０．５μｍになると実効ギャッ
プ長は０．４０μｍと大きくなるので、非導電性フェラ
イト層の厚みとしては０．０５μｍから０．４μｍが望
ましいことがわかる。
【００１５】実施例２ Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板上にスパッタでＣｏＺｒ系アモル
ファス金属を１．８μｍ厚みで成膜して金属磁性層とな
し、Ｎｉ−Ｚｎ非導電性フェライトをイオンビームスパ
ッタで０．０１μｍ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、
０．１μｍ、０．２μｍ、０．４μｍ、０．５μｍの７
種類の膜厚みで成膜して下磁性シールド層とした。この
上にＡｌ2Ｏ3を０．１０μｍ厚みで成膜して下絶縁層と
した。さらにＣｏＺｒＭｏ膜をソフト膜とし、Ｔｉを磁
気分離膜、ＮｉＦｅ膜を磁気抵抗効果膜とする３層ＭＲ
素子を形成した。３層ＭＲ素子形状は厚み０．０５μｍ
であり、長さは１００μｍ、幅は４μｍである。さらに
トラック幅が５μｍとなるようにＣｕ電極を０．１０μ
ｍの厚みで形成した。上絶縁層として、Ａｌ2Ｏ3を０．
０８μｍ厚みで成膜後、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フェライ
トを下磁気シールド層の場合と同じ厚みで成膜し、さら
に金属磁性層としてＣｏＺｒ系アモルファス金属を１．
８μｍ厚みで成膜して上磁気シールド層を形成した。こ
の後、端子部を形成し、Ａｌ2Ｏ3膜の保護層を３０μｍ
成膜してウエーハプロセスを完了した。端子出し加工
後、金パッドを形成し、切断、研磨、組立てを経て、磁
気ヘッドを作製した。
ファス金属を１．８μｍ厚みで成膜して金属磁性層とな
し、Ｎｉ−Ｚｎ非導電性フェライトをイオンビームスパ
ッタで０．０１μｍ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、
０．１μｍ、０．２μｍ、０．４μｍ、０．５μｍの７
種類の膜厚みで成膜して下磁性シールド層とした。この
上にＡｌ2Ｏ3を０．１０μｍ厚みで成膜して下絶縁層と
した。さらにＣｏＺｒＭｏ膜をソフト膜とし、Ｔｉを磁
気分離膜、ＮｉＦｅ膜を磁気抵抗効果膜とする３層ＭＲ
素子を形成した。３層ＭＲ素子形状は厚み０．０５μｍ
であり、長さは１００μｍ、幅は４μｍである。さらに
トラック幅が５μｍとなるようにＣｕ電極を０．１０μ
ｍの厚みで形成した。上絶縁層として、Ａｌ2Ｏ3を０．
０８μｍ厚みで成膜後、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フェライ
トを下磁気シールド層の場合と同じ厚みで成膜し、さら
に金属磁性層としてＣｏＺｒ系アモルファス金属を１．
８μｍ厚みで成膜して上磁気シールド層を形成した。こ
の後、端子部を形成し、Ａｌ2Ｏ3膜の保護層を３０μｍ
成膜してウエーハプロセスを完了した。端子出し加工
後、金パッドを形成し、切断、研磨、組立てを経て、磁
気ヘッドを作製した。
【００１６】表２にウエハ段階での電気特性と完成した
磁気ヘッドの読み込み信号特性とＮｉ−Ｚｎの非導電性
フェライト層の厚みとの関係を示しているが、Ｎｉ−Ｚ
ｎの非導電性フェライト層が０．０３μｍで電極と金属
磁性層間の短絡が大きく減少し、０．０５μｍ以上では
ほとんど短絡がなく、安定していた。また、Ｎｉ−Ｚｎ
の非導電性フェライト層が０．４μｍ以下であれば読み
込み信号から得られた実効ギャップ長に相当する信号の
半値幅は０．２４μｍであり、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フ
ェライト層がないものと同等であるが、Ｎｉ−Ｚｎの非
導電性フェライト層が０．５μｍになると実効ギャップ
長は０．２８μｍと大きくなるので、非導電性フェライ
ト層の厚みとしては０．０５μｍから０．４μｍが望ま
しいことが確認された。
磁気ヘッドの読み込み信号特性とＮｉ−Ｚｎの非導電性
フェライト層の厚みとの関係を示しているが、Ｎｉ−Ｚ
ｎの非導電性フェライト層が０．０３μｍで電極と金属
磁性層間の短絡が大きく減少し、０．０５μｍ以上では
ほとんど短絡がなく、安定していた。また、Ｎｉ−Ｚｎ
の非導電性フェライト層が０．４μｍ以下であれば読み
込み信号から得られた実効ギャップ長に相当する信号の
半値幅は０．２４μｍであり、Ｎｉ−Ｚｎの非導電性フ
ェライト層がないものと同等であるが、Ｎｉ−Ｚｎの非
導電性フェライト層が０．５μｍになると実効ギャップ
長は０．２８μｍと大きくなるので、非導電性フェライ
ト層の厚みとしては０．０５μｍから０．４μｍが望ま
しいことが確認された。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】この発明は、磁気シールド層として、絶
縁層とシールド用の金属磁性層との間に非導電性フェラ
イトを成膜して、非導電性磁性フェライト層と金属磁性
層の２層の複合層構成とすることにより、電極と金属磁
気シールド層（金属磁性層）の短絡防止に役立つととも
に、非導電性磁性フェライト層が金属磁性層とともに磁
気シールドの役割も果たすため、実効的な磁気ギャップ
も狭く設定でき、高記録密度用の磁気抵抗効果型ヘッド
として最適である。
縁層とシールド用の金属磁性層との間に非導電性フェラ
イトを成膜して、非導電性磁性フェライト層と金属磁性
層の２層の複合層構成とすることにより、電極と金属磁
気シールド層（金属磁性層）の短絡防止に役立つととも
に、非導電性磁性フェライト層が金属磁性層とともに磁
気シールドの役割も果たすため、実効的な磁気ギャップ
も狭く設定でき、高記録密度用の磁気抵抗効果型ヘッド
として最適である。
【図１】Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ本発明による磁気抵抗効
果型ヘッドの構成を示す浮上面方向からみた断面説明図
である。
果型ヘッドの構成を示す浮上面方向からみた断面説明図
である。
【図２】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの構成を示す浮上
面方向からみた断面説明図である。
面方向からみた断面説明図である。
１ 基板 ２ａ，２ｂ 磁気シールド層 ３ａ，３ｂ 絶縁層 ４ ＭＲ３層膜 ５，５ａ，５ｂ 電極 ６ 保護膜 ７，８ 磁気シールド層 ７ａ，８ａ 非導電性磁性フェライト層 ７ｂ，８ｂ 金属磁性層
Claims (1)
- 【請求項１】 ３層構造磁気抵抗効果素子を挟むように
絶縁層を介して磁気シールド層を有する磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、磁気シールド層の一方又は両方が、絶
縁層側から非導電性磁性フェライト層と金属磁性層の２
層の複合層からなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21218394A JPH0855310A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21218394A JPH0855310A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855310A true JPH0855310A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16618300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21218394A Pending JPH0855310A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855310A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978183A (en) * | 1997-12-11 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | High resolution lead to shield short-resistant read head |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP21218394A patent/JPH0855310A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978183A (en) * | 1997-12-11 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | High resolution lead to shield short-resistant read head |
| US6162582A (en) * | 1997-12-11 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Method of making a high resolution lead to shield short-resistant read head |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7085109B1 (en) | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
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