JPH085568Y2 - Photo sensor element - Google Patents
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、フォトセンサ素子に関するものであり、更
に詳しくは、非晶質シリコン系半導体を利用してなるフ
ォトセンサ素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a photosensor device, and more particularly to a photosensor device using an amorphous silicon semiconductor.
ガラス、硬質合成樹脂等でなる透光性絶縁基板上に透
明電極、半導体層、金属電極を積層し、前記半導体層の
発生する電流を利用して被検出物の検出を行うフォトセ
ンサ素子は従来より存在する。Conventionally, a photo sensor element for detecting an object to be detected by stacking a transparent electrode, a semiconductor layer, and a metal electrode on a translucent insulating substrate made of glass, hard synthetic resin, or the like, and utilizing the electric current generated by the semiconductor layer Exists more.
しかし、このようなフォトセンサ素子にあっては、半
導体層として、単結晶シリコン、多結晶シリコンその他
結晶系の半導体層を利用しているために、用途に応じた
任意の形状の素子を得ることは困難であり、コストも高
くなるという問題を内包していた。However, in such a photo sensor element, since a single crystal silicon, polycrystalline silicon or other crystalline semiconductor layer is used as a semiconductor layer, an element having an arbitrary shape according to the application can be obtained. It was difficult and costly.
例えば、被検出物の表面の状態を検出する場合には、
被検出物の表面にセルフォックレンズ等を用いて発光ダ
イオードの光を照射し、その反射光をフォトセンサ素子
によって受光する。For example, when detecting the surface condition of the object to be detected,
The surface of the object to be detected is irradiated with light from a light emitting diode using a SELFOC lens or the like, and the reflected light is received by a photo sensor element.
この時、被検出物表面の白い部分では光の反射は多
く、黒い部分では光が吸収されるので、白い部分に対応
するセンサ部では発生する電流が大きく、黒い部分に対
応するセンサ部では発生する電流が小さくなるため、こ
の電流を測定することによって、被検出物表面の状態を
知ることができるものである。At this time, the white part of the surface of the object to be detected reflects a large amount of light, and the black part absorbs the light.Therefore, the current generated in the sensor part corresponding to the white part is large and that in the sensor part corresponding to the black part is generated. Since the applied current becomes small, the state of the surface of the object to be detected can be known by measuring this current.
このようなフォトセンサ素子にあっては、センサ素子
の横方向斜めの位置から発光ダイオードを照射する必要
があるので、絶縁基板上に形成したフォトセンサ素子に
均一に光を照射することが困難であり、高い検出精度を
望むことができなかった。In such a photo sensor element, since it is necessary to irradiate the light emitting diode from a position oblique to the lateral direction of the sensor element, it is difficult to uniformly irradiate the photo sensor element formed on the insulating substrate with light. Yes, high detection accuracy could not be expected.
特に、フォトセンサ素子を分割して、複数個のセンサ
部を形成した時には、各センサ部が受光する光量にばら
つきが生じて、検出誤差が大きくなり、更に各センサ部
に対応して発光ダイオードを複数個用いる場合には、各
発光ダイオードの光量を一定にすることが困難であるた
め、精度のよい検出は望めなかった。In particular, when the photosensor element is divided to form a plurality of sensor parts, the amount of light received by each sensor part varies, resulting in a large detection error. When a plurality of light emitting diodes are used, it is difficult to keep the light amount of each light emitting diode constant, and therefore accurate detection cannot be expected.
本考案は、上記問題点に鑑みて、透光性絶縁基板上
に、該絶縁基板のみで他の不透明部材を積層していない
非積層部を透光窓とし、該透光窓の周囲に透明電極、非
晶質シリコン系半導体層、金属電極及び高分子材料でな
る保護膜を順次積層した複数個のセンサ部を形成したフ
ォトセンサ素子であって、 前記フォトセンサ素子が正方形状であり、かつ一辺が
当該フォトセンサ素子の一辺の長さの1/2以下の長さで
なる略正方形状の４個のセンサ部を、正方形状の被検出
パターンにおけるコード化領域に対応した位置関係で形
成するとともに、前記フォトセンサ素子の中央に位置し
て円形の透光窓を配設し、当該透光窓の形状を前記保護
膜によって構成したことを特徴とするフォトセンサ素子
を構成するものである。In view of the above problems, the present invention provides a transparent window on a transparent insulating substrate, which is a non-laminated portion where only the insulating substrate is not laminated with other opaque members and which is transparent around the transparent window. A photosensor element having a plurality of sensor portions in which an electrode, an amorphous silicon semiconductor layer, a metal electrode, and a protective film made of a polymer material are sequentially laminated, wherein the photosensor element has a square shape, and Four sensor portions each having a substantially square shape whose one side has a length equal to or less than half the length of one side of the photosensor element are formed in a positional relationship corresponding to a coded region in the square pattern to be detected. At the same time, a circular light-transmissive window is provided at the center of the photosensor element, and the shape of the light-transmissive window is formed by the protective film.
この時、透光窓の周囲に位置するセンサ部の透明電極
を共通にしたり、透光窓の周囲に位置するセンサ部の金
属電極を共通にしたりできる。At this time, the transparent electrodes of the sensor unit located around the transparent window can be shared, and the metal electrodes of the sensor unit located around the transparent window can be shared.
さらに、透光性絶縁基板上に、透明電極、非晶質シリ
コン系半導体層、金属電極及び高分子材料でなる保護膜
を順次積層した複数個のセンサ部を形成したフォトセン
サ素子であって、 前記フォトセンサ素子が正方形状に形成され、かつ一
辺が当該フォトセンサ素子の一辺の長さの1/2以下の長
さでなる略正方形状の４個のセンサ部を、正方形状の被
検出パターンにおけるコード化領域に対応した位置関係
で形成するとともに、前記フォトセンサ素子の中央に位
置して円形の透光窓を配設し、当該透光窓内に前記保護
膜によって構成された平面視十字形状の積層部を形成し
てなるフォトセンサ素子を構成するものである。Furthermore, a photosensor element in which a plurality of sensor parts in which a transparent electrode, an amorphous silicon semiconductor layer, a metal electrode and a protective film made of a polymer material are sequentially laminated on a transparent insulating substrate are formed, The photosensor element is formed in a square shape, and four substantially square-shaped sensor portions each having a length equal to or less than half the length of one side of the photosensor element are formed into a square detected pattern. And a circular light-transmitting window is provided at the center of the photo sensor element, and the cross-section is formed by the protective film in the light-transmitting window. The photosensor element is formed by forming a laminated portion having a shape.
本考案に係るフォトセンサ素子は、上述のような構成
でなり、当該フォトセンサ素子を被検出物に位置させ、
透光窓の裏面より発光ダイオード等の光を照射し、被検
出物からの反射光を受光したセンサ素子の発生する電流
を測定することによって、被検出物を検出するものであ
る。The photo sensor element according to the present invention is configured as described above, and the photo sensor element is positioned on an object to be detected,
The object to be detected is detected by irradiating light from a light emitting diode or the like from the back surface of the light-transmitting window and measuring the current generated by the sensor element that receives the reflected light from the object to be detected.
この時、透明電極と金属電極のどちらか一方が、共通
電極にされており、独立にされた他方の電極の電流を計
測して、被検出物を容易に検出することができるもので
ある。At this time, one of the transparent electrode and the metal electrode is used as a common electrode, and the current of the other electrode which is made independent can be measured to easily detect the object to be detected.
例えば、フォトセンサ素子を平面視正方形状に形成
し、一辺がフォトセンサ素子の一辺の長さの1/2以下の
長さでなる略正方形状のセンサ部を４個形成した場合に
は、この４つのセンサ部に対応する部分によって構成さ
れるコード情報を読み取る場合に利用されるものであ
る。For example, in the case where the photo sensor element is formed in a square shape in a plan view and four substantially square sensor portions each having a length equal to or less than half the length of one side of the photo sensor element are formed, This is used when reading code information composed of portions corresponding to the four sensor portions.
本考案の詳細を図示した実施例に基づいて説明する。 The details of the present invention will be described based on illustrated embodiments.
第１図〜第４図は本考案に係るフォトセンサ素子の第
１実施例の製作工程説明図、第５図は第４図におけるＡ
−Ａ断面図である。1 to 4 are explanatory views of the manufacturing process of the first embodiment of the photosensor element according to the present invention, and FIG. 5 is A in FIG.
FIG.
図中１は、ガラス、硬質合成樹脂等でなる透光性絶縁
基板である。In the figure, reference numeral 1 is a translucent insulating substrate made of glass, hard synthetic resin or the like.
２は、インジウム−スズ酸化物（以下これをITOと称
す）または二酸化スズ（以下これをSnO2と称す）等から
なる透明電極であり、300Å〜1000Åの厚さに形成され
てなるものである。Reference numeral 2 denotes a transparent electrode made of indium-tin oxide (hereinafter referred to as ITO) or tin dioxide (hereinafter referred to as SnO 2 ) or the like, which is formed to a thickness of 300Å to 1000Å. .
この透明電極２は、絶縁基板１上に形成されるべき単
または複数個のセンサ部に応じた形状に形成されるもの
で、図例のものは、中央に円形の非積層部である透光窓
３を形成するとともに、４個のセンサ部７に対応するよ
うに分割されており、各センサ部７に対応して電極取り
出し部６が形成されている。The transparent electrode 2 is formed in a shape corresponding to one or a plurality of sensor portions to be formed on the insulating substrate 1. In the illustrated example, the transparent electrode 2 is a circular non-laminated portion in the center. Along with forming the window 3, the window 3 is divided so as to correspond to the four sensor portions 7, and the electrode lead-out portion 6 is formed corresponding to each sensor portion 7.
４は、グロー放電分解法等で積層される非晶質シリコ
ン系半導体層であり、これは例えば、受光面側からｐ型
アモルファスシリコンカーバイド、ｉ型アモルファスシ
リコン、ｎ型アモルファスシリコンを積層したPINへテ
ロ接合型アモルファスシリコン系半導体層等が利用さ
れ、厚さは約１μｍ程度のものである。Reference numeral 4 denotes an amorphous silicon-based semiconductor layer that is laminated by glow discharge decomposition method or the like. A terror junction type amorphous silicon semiconductor layer or the like is used, and the thickness is about 1 μm.
非晶質シリコン系半導体層４は、この他にもpn接合型
アモルファスシリコン系半導体層を利用するのも可能
で、更にアモルファスシリコンゲルマニウムを含むも
の、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカー
バイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等のマイク
ロクリスタル化したものを含むもの等を包含するもので
ある。In addition to this, the pn junction type amorphous silicon type semiconductor layer can be used as the amorphous silicon type semiconductor layer 4. Further, amorphous silicon germanium, amorphous silicon, amorphous silicon carbide, amorphous silicon germanium It includes those including microcrystals.
５は金属電極であり、この金属電極５は、クロム、ニ
ッケル、チタン、アルミニウム等から選択した金属成分
をEB蒸着法等によって形成されるもので、1000Å以上の
厚さに形成されることが好ましいものである。Reference numeral 5 is a metal electrode, and this metal electrode 5 is formed by a metal component selected from chromium, nickel, titanium, aluminum or the like by an EB vapor deposition method or the like, and is preferably formed to a thickness of 1000 Å or more. It is a thing.
８は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の高分子材料
でなる保護膜であり、スクリーン印刷等によって形成さ
れるもので、厚さは10μｍ〜20μｍ程度のものである。Reference numeral 8 is a protective film made of a polymer material such as an epoxy resin or a phenol resin, which is formed by screen printing or the like and has a thickness of about 10 μm to 20 μm.
なお、フォトレジストを所定の形状に形成して、保護膜
８とすることも可能である。It is also possible to form the protective film 8 by forming a photoresist into a predetermined shape.
ここで保護膜８の端縁は透光窓３を形成するものであ
り、図例のものは、この透光窓３の周囲に位置して、４
個のセンサ部７を形成するものである。Here, the edge of the protective film 8 forms the translucent window 3, and in the example shown in FIG.
The individual sensor units 7 are formed.
このようにした本考案のフォトセンサ素子の実施例
は、第６図に説明用側面図を示すように、透光性絶縁基
板１を被検出物９に略密着させ、透光窓３に位置して裏
面より発生ダイオード10等の光を照射する。In the embodiment of the photosensor element of the present invention as described above, as shown in the side view for explanation in FIG. Then, the light of the diode 10 or the like is emitted from the back surface.
照射された光は、透光窓３を透過し、被検出物９表面
で反射して再び透光性絶縁基板１を透過し、センサ部７
に入射する。The radiated light passes through the transparent window 3, is reflected by the surface of the object 9 to be detected, passes through the transparent insulating substrate 1 again, and the sensor portion 7
Incident on.
この時、被検出物９の表面の白色部分では光の反射が
多く、黒色部分では光が吸収されるので、白色部分に位
置するセンサ部７では発生する電流が大きく、黒色部分
に位置するセンサ部７では発生する電流が小さい。At this time, a large amount of light is reflected in the white portion of the surface of the object 9 to be detected, and the light is absorbed in the black portion. Therefore, the current generated in the sensor portion 7 located in the white portion is large and the sensor located in the black portion is large. The current generated in the part 7 is small.
よって、金属電極５を共通電極として１つに結線し、
各センサ部７に対応する透明電極２の電極取り出し部６
の電流を測定すれば、被検出物９表面の状態が各センサ
部７に対応して検出できるものである。Therefore, the metal electrode 5 is connected to one as a common electrode,
Electrode take-out portion 6 of transparent electrode 2 corresponding to each sensor portion 7
By measuring the current of, the state of the surface of the object 9 to be detected can be detected corresponding to each sensor unit 7.
このような本考案に係る実施例で検出するものとし
て、情報をコード化したものが用いられ、例えば、第７
図に示すようなコード信号を検出することに用いること
が可能である。この第７図のものは田の字形の被検出パ
ターンであって、田の字の４つの区画領域、すなわちコ
ード化領域における白黒の塗り分けパターンの違いによ
って情報を表すものである。As the one to be detected in the embodiment according to the present invention, a coded one of information is used.
It can be used to detect a code signal as shown. The pattern shown in FIG. 7 is a detection pattern in the shape of a square, and the information is represented by the difference in the black and white coloring patterns in the four divided areas of the square, that is, the coded area.
即ち、このコード化領域の塗り分けパターンとして識
別できるコード信号は、正方形を４分割してできた４つ
のコード化領域を２進数に対応させたものであり、黒く
塗り潰された部分を検出することによって、コード化さ
れた情報を読み取ることができる。That is, the code signal that can be identified as the color-coded pattern of the coded area corresponds to the binary code of the four coded areas formed by dividing the square into four, and it is necessary to detect the black-painted portion. Allows the coded information to be read.
この被検出物９表面に記載されるコードの大きさに対
応して、フォトセンサ素子を構成し、当該フォトセンサ
素子の裏面から、透光窓３に位置して発光ダイオード10
の光を照射すれば、４つのセンサ部７のうち、コードの
黒く塗り潰された部分に位置するものは、発生する電流
が小さく、白い部分に位置するものは発生する電流が大
きいために、この電流を測定すれば、被検出物９の表面
に記載されているコードを簡単に検出することができる
ものである。A photosensor element is formed corresponding to the size of the code written on the surface of the object 9 to be detected, and the light emitting diode 10 is located from the rear surface of the photosensor element to the light transmitting window 3.
Of the four sensor parts 7 located in the black-painted part of the cord, the generated current is small, and those located in the white part generate a large current. If the current is measured, the code written on the surface of the object 9 to be detected can be easily detected.
この時、透光窓３が保護膜８の端縁によって形成され
ており、発光ダイオード10の光を透光窓３に均等に透過
することができるので、各センサ部７に対して均一の光
を照射でき、検出精度を向上させることが可能となる。At this time, since the light transmitting window 3 is formed by the edge of the protective film 8 and the light of the light emitting diode 10 can be evenly transmitted to the light transmitting window 3, a uniform light is transmitted to each sensor unit 7. Can be irradiated, and the detection accuracy can be improved.
また、当該フォトセンサ素子のセンサ部７裏面を保護
膜８で保護しているために、非晶質シリコン系半導体層
を利用したセンサ素子の劣化を防止することができ、耐
久性のあるフォトセンサ素子を提供することができる。Further, since the back surface of the sensor portion 7 of the photo sensor element is protected by the protective film 8, deterioration of the sensor element using the amorphous silicon semiconductor layer can be prevented, and the photo sensor having durability. An element can be provided.
光源としては、１つの発光ダイオード10を利用して、
４つのセンサ部７における検出を行うことができるの
で、それぞれのセンサ部７の受光する光量を一定に保つ
ことができ、S/N比を向上させることができる。As a light source, using one light emitting diode 10,
Since the four sensor units 7 can perform detection, the amount of light received by each of the sensor units 7 can be kept constant, and the S / N ratio can be improved.
また、センサ素子として、非晶質シリコン系半導体層
を利用しているために、任意の形状のセンサ部を形成す
ることができ、実施例のように中央に透光窓３を形成す
ることも容易である。Further, since the amorphous silicon semiconductor layer is used as the sensor element, a sensor portion having an arbitrary shape can be formed, and the transparent window 3 can be formed at the center as in the embodiment. It's easy.
更に、非晶質シリコン系半導体層を用いているため
に、結晶系の半導体層に比して、光に対する反応が良好
であり、特に可視光範囲において反応が良好であるため
に、検出精度の良いフォトセンサ素子を提供することが
可能となるものである。Further, since the amorphous silicon-based semiconductor layer is used, the response to light is better than that of the crystalline semiconductor layer, and particularly, the response is good in the visible light range, so that the detection accuracy is improved. It is possible to provide a good photo sensor element.
第８図〜第11図は、本考案に係るフォトセンサ素子の
第２実施例の製作工程説明用平面図である。8 to 11 are plan views for explaining the manufacturing process of the second embodiment of the photosensor element according to the present invention.
即ち、ガラス等でなる透光性絶縁基板１上に、ITOま
たはSnO2等でなる透明電極２、非晶質シリコン系半導体
層４、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム等でな
る金属電極５及びエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の高
分子材料でなる保護膜８を積層させて、４つのセンサ部
７を形成するとともに、中央に絶縁基板１のみで他の不
透明部材を積層していない非積層部を透光窓３として形
成している。That is, on the transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, ITO or a transparent electrode 2 made of SnO 2 or the like, an amorphous silicon-based semiconductor layer 4, chromium, nickel, titanium, metal electrodes 5 and epoxy made of aluminum or the like A protective film 8 made of a polymer material such as resin or phenol resin is laminated to form four sensor portions 7, and a non-laminated portion in which only the insulating substrate 1 is not laminated and other opaque members are laminated is formed in the center. It is formed as the light window 3.
第１実施例では金属電極５を共通電極としていたのに
対して、この第２実施例では透明電極２を共通電極とし
ており、透明電極２の隣合うセンサ部７の間に位置する
部分を電極取り出し部６とし、これを共通電極として１
つに結線するものである。While the metal electrode 5 is used as the common electrode in the first embodiment, the transparent electrode 2 is used as the common electrode in the second embodiment, and the portion located between the adjacent sensor portions 7 of the transparent electrode 2 is the electrode. The take-out portion 6 is used as the common electrode 1
It is what is connected to one.
また、金属電極５には、各センサ部７に対応して、電
極取り出し部11が形成されている。Further, an electrode lead-out portion 11 is formed on the metal electrode 5 corresponding to each sensor portion 7.
このようにした本考案に係るフォトセンサ素子の第２
実施例にあっては、透明電極２が共通にされているため
に、独立した金属電極５の電極取り出し部11の電流を測
定することによって、被検出物７表面の状態が各センサ
部６に対応して検出できるものである。The second embodiment of the photo sensor device according to the present invention as described above
In the embodiment, since the transparent electrode 2 is commonly used, the state of the surface of the detected object 7 is measured by measuring the current of the electrode lead-out portion 11 of the independent metal electrode 5 in each sensor portion 6. It can be detected correspondingly.
この第２実施例においても、第７図に示すようなコー
ド信号に対応させることが可能である。Also in the second embodiment, it is possible to correspond to the code signal as shown in FIG.
第12図は、本考案に係るフォトセンサ素子の第３実施
例の説明用平面図である。FIG. 12 is a plan view for explaining the third embodiment of the photo sensor element according to the present invention.
即ち、ガラス等でなる透光性絶縁基板１に、透明電極
２、非晶質シリコン系半導体層４、金属電極５及び高分
子材料等でなる保護膜８を順次積層して平面視正方形状
のフォトセンサ素子を形成し、一辺がフォトセンサ素子
の一辺の長さの1/2以下の長さである略正方形状のセン
サ部７を４個形成し、前記フォトセンサ素子の中央に位
置して、円形の透光窓３を形成するようにセンサ部７を
切欠するとともに、前記透光窓３内に平面視十字形状の
積層部12を保護膜８によって形成している。That is, a transparent electrode 2, an amorphous silicon semiconductor layer 4, a metal electrode 5 and a protective film 8 made of a polymer material or the like are sequentially laminated on a translucent insulating substrate 1 made of glass or the like to have a square shape in a plan view. A photosensor element is formed, and four sensor portions 7 each having a substantially square shape, one side of which is half the length of one side of the photosensor element or less, are formed, and the photosensor element is positioned at the center of the photosensor element. The sensor portion 7 is cut out so as to form the circular light-transmitting window 3, and a laminated portion 12 having a cross shape in plan view is formed in the light-transmitting window 3 by the protective film 8.
積層部12は、保護膜８を形成する際に同時に形成する
ことが可能であり、中央の円形部13と該円形部13から四
方に延設された仕切り部14とよりなるものである。The laminated portion 12 can be formed at the same time when the protective film 8 is formed, and is composed of a central circular portion 13 and partition portions 14 extending from the circular portion 13 in all directions.
尚、この積層部12は、図示した形状に限定されるもの
ではなく、透光窓３をセンサ部７に応じて等分するもの
であればよい。It should be noted that the laminated portion 12 is not limited to the illustrated shape, and may be any portion that divides the translucent window 3 into equal parts according to the sensor portion 7.
このようにした本考案の第３実施例では、透光窓３
が、保護膜８の積層部12によって、センサ部７に対応し
た形状に区切られており、センサ部７の境界近傍におけ
る透過光をカットすることによって、隣合うセンサ部７
同士の検出誤差を少なくすることが可能となるものであ
り、よってS/N比を向上することが可能となるものであ
る。従って、第７図に示すコード信号を精度良く検出す
ることができる。In the third embodiment of the present invention thus configured, the translucent window 3
Are separated into a shape corresponding to the sensor portion 7 by the laminated portion 12 of the protective film 8. By cutting the transmitted light in the vicinity of the boundary between the sensor portions 7, the adjacent sensor portions 7 are separated.
It is possible to reduce the detection error between them, and thus it is possible to improve the S / N ratio. Therefore, the code signal shown in FIG. 7 can be accurately detected.
また、発光ダイオードの中央部分における光量が強い
ために光のばらつきを生じるが、保護膜８の積層部12の
中央に位置して十字の交差部に相当する円形部13を形成
しているため、この発光ダイオードの中央部分の光をカ
ットし、透光窓３における照射光を均一にすることが可
能となるものである。In addition, since the light amount in the central portion of the light emitting diode is strong, the light varies, but since the circular portion 13 corresponding to the cross portion of the cross is formed at the center of the laminated portion 12 of the protective film 8, It is possible to cut the light in the central portion of the light emitting diode and make the irradiation light in the light transmitting window 3 uniform.
更に、当該フォトセンサ素子のセンサ部の裏面に、耐
蝕性のよい高分子材料でなる保護膜８を形成しているた
めに、非晶質シリコン系半導体層を利用してなるセンサ
素子の耐久性を高め、寿命の長いフォトセンサ素子を提
供できる。Further, since the protective film 8 made of a polymer material having good corrosion resistance is formed on the back surface of the sensor portion of the photo sensor element, the durability of the sensor element formed by using the amorphous silicon semiconductor layer is improved. It is possible to provide a photo sensor element having a long life and a long life.
本考案に係るフォトセンサ素子は、上述のような構成
でなり、非晶質シリコン系半導体層を用いてセンサ素子
を形成しているために、任意の形状のセンサ部を構成す
ることが可能となり、例えば、正方形状に形成したフォ
トセンサ素子を４分割してセンサ部を４つ形成するとと
もに、中央に位置して透光窓を形成して、裏面より発光
ダイオードの光を照射するようなセンサ素子を構成する
ことによって、この形状に対応するコード信号を検出す
ることを可能にするものである。The photosensor element according to the present invention has the above-described configuration, and since the sensor element is formed by using the amorphous silicon semiconductor layer, it is possible to configure the sensor section of any shape. For example, a sensor in which a photosensor element formed in a square shape is divided into four to form four sensor portions and a light-transmitting window is formed at the center so that light from a light-emitting diode is emitted from the back surface. By configuring the element, it is possible to detect the code signal corresponding to this shape.
また、各センサ部の裏面に設けられる高分子保護膜に
よって、透光窓が形成されているために、各センサ部に
応じて、均一に照射光を当てることが可能となり、セン
サ部の検出誤差を少なくして、S/N比を向上させること
が可能となるものである。In addition, since the translucent window is formed by the polymer protective film provided on the back surface of each sensor part, it is possible to apply the irradiation light uniformly according to each sensor part, and the detection error of the sensor part It is possible to improve the S / N ratio by reducing the amount.
保護膜としては、耐蝕性のよい高分子材料を利用して
いいるため、センサ素子の劣化を防止し、また、スクリ
ーン印刷で形成できるため、透光窓の形状を容易に作成
することが可能となるものである。As the protective film, a polymer material with good corrosion resistance is used, so deterioration of the sensor element can be prevented, and since it can be formed by screen printing, it is possible to easily create the shape of the translucent window. It will be.
また透光窓内に前記保護膜によって構成された平面視
十字形状の積層部を形成することにより、センサ部の境
界近傍における透過光がカットでき、隣合うセンサ部同
士の検出誤差が少なくなってS/N比を向上することが可
能となる。さらに十字の交差部に相当する部分によって
発光ダイオードの中央部分の光をカットするので、透光
窓における照射光を均一にすることが可能となる。従っ
て、高精度のフォトセンサ素子が実現できる。Further, by forming a laminated portion having a cross shape in plan view formed by the protective film in the light-transmitting window, the transmitted light in the vicinity of the boundary between the sensor portions can be cut, and the detection error between adjacent sensor portions is reduced. It is possible to improve the S / N ratio. Further, since the light corresponding to the crossing portion of the cross cuts off the light in the central portion of the light emitting diode, it is possible to make the irradiation light in the transparent window uniform. Therefore, a highly accurate photo sensor element can be realized.
第１図〜第４図は本考案に係るフォトセンサ素子の第１
実施例の製作工程説明用平面図、第５図は第４図のＡ−
Ａ断面図、第６図は第１実施例の説明用側面図、第７図
は本考案に係るフォトセンサ素子が検出するコード信号
の説明図、第８図〜第11図は本考案に係るフォトセンサ
素子の第２実施例の製作工程説明用平面図、第12図は本
考案に係るフォトセンサ素子の第３実施例の説明用平面
図である。 1:透光性絶縁基板、2:透明電極、3:透光窓、4:半導体
層、5:金属電極、6:電極取り出し部、7:センサ部、8:保
護膜、9:被検出物、10:発光ダイオード、11:電極取り出
し部、12積層部、13:円形部、14:仕切り部。1 to 4 show the first embodiment of the photo sensor device according to the present invention.
FIG. 5 is a plan view for explaining the manufacturing process of the embodiment, and FIG.
A sectional view, FIG. 6 is a side view for explaining the first embodiment, FIG. 7 is an explanatory view of a code signal detected by a photo sensor element according to the present invention, and FIGS. 8 to 11 are related to the present invention. FIG. 12 is a plan view for explaining the manufacturing process of the second embodiment of the photo sensor element, and FIG. 12 is a plan view for explaining the third embodiment of the photo sensor element according to the present invention. 1: translucent insulating substrate, 2: transparent electrode, 3: translucent window, 4: semiconductor layer, 5: metal electrode, 6: electrode extraction part, 7: sensor part, 8: protective film, 9: detected object , 10: light emitting diode, 11: electrode lead-out part, 12 laminated part, 13: circular part, 14: partition part.
Claims (4)
の不透明部材を積層していない非積層部を透光窓とし、
該透光窓の周囲に透明電極、非晶質シリコン系半導体
層、金属電極及び高分子材料でなる保護膜を順次積層し
た複数個のセンサ部を形成したフォトセンサ素子であっ
て、 前記フォトセンサ素子が正方形状であり、かつ一辺が当
該フォトセンサ素子の一辺の長さの1/2以下の長さでな
る略正方形状の４個のセンサ部を、正方形状の被検出パ
ターンにおけるコード化領域に対応した位置関係で形成
するとともに、前記フォトセンサ素子の中央に位置して
円形の透光窓を配設し、当該透光窓の形状を前記保護膜
によって構成したことを特徴とするフォトセンサ素子。1. A non-laminated portion, which is formed only on the transparent insulating substrate and on which no other opaque member is laminated, as a transparent window on the transparent insulating substrate.
A photosensor element having a plurality of sensor parts in which a transparent electrode, an amorphous silicon semiconductor layer, a metal electrode, and a protective film made of a polymer material are sequentially laminated around the transparent window. The four square sensor elements each having a square shape and one side having a length equal to or less than half the length of one side of the photosensor element are used as a coded area in a square detection pattern. And a circular light-transmitting window is provided at the center of the photosensor element, and the shape of the light-transmitting window is formed by the protective film. element.
極が共通にされてなる実用新案登録請求の範囲第１項記
載のフォトセンサ素子。2. A photosensor element according to claim 1, wherein the transparent electrodes of the sensor portion located around the transparent window are commonly used.
極が共通にされてなる実用新案登録請求の範囲第１項記
載のフォトセンサ素子。3. The photosensor element according to claim 1, wherein the metal electrodes of the sensor portion located around the light-transmitting window are commonly used.
リコン系半導体層、金属電極及び高分子材料でなる保護
膜を順次積層した複数個のセンサ部を形成したフォトセ
ンサ素子であって、 前記フォトセンサ素子が正方形状に形成され、かつ一辺
が当該フォトセンサ素子の一辺の長さの1/2以下の長さ
でなる略正方形状の４個のセンサ部を、正方形状の被検
出パターンにおけるコード化領域に対応した位置関係で
形成するとともに、前記フォトセンサ素子の中央に位置
して円形の透光窓を配設し、当該透光窓内に前記保護膜
によって構成された平面視十字形状の積層部を形成して
なるフォトセンサ素子。4. A photosensor element comprising a transparent insulating substrate, a transparent electrode, an amorphous silicon semiconductor layer, a metal electrode, and a protective film formed of a polymer material, and a plurality of sensor portions sequentially laminated on the transparent insulating substrate. The photosensor element is formed in a square shape, and four substantially square-shaped sensor portions each having a side not more than half the length of one side of the photosensor element are formed into a square shape. It is formed in a positional relationship corresponding to the coded region in the pattern to be detected, and a circular light-transmitting window is arranged at the center of the photosensor element, and the protective film is formed in the light-transmitting window. A photo sensor element formed by forming a laminated portion having a cross shape in plan view.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988090101U JPH085568Y2 (en) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Photo sensor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988090101U JPH085568Y2 (en) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Photo sensor element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211357U JPH0211357U (en) | 1990-01-24 |
| JPH085568Y2 true JPH085568Y2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=31314634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988090101U Expired - Lifetime JPH085568Y2 (en) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Photo sensor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085568Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138268A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-26 | Sakae Fujimoto | Overhead travelling crane |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217159U (en) * | 1985-07-13 | 1987-02-02 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP1988090101U patent/JPH085568Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0211357U (en) | 1990-01-24 |
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