JPH0855817A - 基体駆動装置及び薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 成膜可能な範囲より大径のリング体等の大型
の被薄膜形成基体にも成膜し得るようにする。 【構成】 取付板２に並列に取付けられた複数の回転軸
４，５，６と、各回転軸４，５，６のいずれか１つのみ
の先端部に着脱自在に取付けられ，被薄膜形成基体１７
を保持する保持部材１５とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、種々の薄膜形成の基体
を保持して回転する基体駆動装置及びこの駆動装置を用
いた薄膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種基体駆動装置は、モータ等
により回転する１本の回転軸を備え、この回転軸の先端
部の保持部材により被薄膜形成基体を保持して回転す
る。

【０００３】また、従来の薄膜形成装置は前記従来の基
体駆動装置を薄膜形成筐体である真空容器に設けて形成
される。そして、回転する被薄膜形成基体に、イオン照
射，真空蒸着，イオンビームスパッタ等の種々の手法で
薄膜が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記従来装置の場合、
基体駆動装置の回転軸は１つしかなく、この回転軸の先
端部に保持部材を介して被薄膜形成基体が取付けられて
おり、しかも、イオンビームの照射方向や蒸着方向が固
定されているため、被薄膜形成基体の均一な薄膜形成が
可能な範囲（成膜範囲）は、保持部材の取付け位置で定
まる一定範囲になる。

【０００５】そのため、被薄膜形成基体が例えば小径か
ら大径までの種々の大きさのリング体のときは、前記成
膜範囲が最大径のリング体をカバーする極めて広い範囲
になるように、イオンビームの照射範囲等を設定しなけ
ればならず、薄膜形成装置が大型，高価になる問題点が
ある。本発明は、薄膜形成可能な範囲より大径のリング
体等の大型の被薄膜形成基体の成膜も行えるようにする
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明の基体駆動装置は、取付板に並列に取付け
られた複数の回転軸と、これらの各回転軸のいずれか１
つのみの先端部に着脱自在に取付けられ，被薄膜形成基
体を保持する保持部材とを備える。

【０００７】また、本発明の薄膜形成装置は、被薄膜形
成基体を保持して回転させる基体駆動装置を有し、この
基体駆動装置が、取付板に並列に取付けられた複数の回
転軸と、これらの回転軸のいずれか１つのみの先端部に
着脱自在に取付けられ，被薄膜形成基体を保持する保持
部材とを備える。

【０００８】

【作用】前記のように構成された本発明の基体駆動装置
の場合、取付板の複数の回転軸のいずれか１つの先端部
に保持部材を介して被薄膜形成基体が取付けられるた
め、保持部材の位置を移動でき、被薄膜形成基体がその
外形等に応じた適正な成膜位置に移動される。

【０００９】そのため、本発明の薄膜形成装置の場合、
イオンビームの照射範囲等が大型の被薄膜形成基体をカ
バーし得ない一定範囲に固定されていても、被薄膜形成
基体の取付位置の移動により、前記照射範囲より広い範
囲の成膜が行え、小型の装置で大径のリング体等の薄膜
形成が行える。

【００１０】

【実施例】実施例について、図１ないし図３を参照して
説明する。 （１実施例）まず、１実施例について、図１及び図２を
参照して説明する。それらの図面において、１は真空容
器からなる薄膜形成筐体、２は筐体１の上部の開口３を
気密に閉塞したフランジ構成の取付板、４，５，６は上
端部が取付板２に間隔ａの等間隔に取付けられた３本の
回転軸であり、フランジ状の下端部が、筐体１が形成す
る成膜室７のほぼ同一の高さに位置する。

【００１１】８，９，１０は取付板２の上面に設けられ
た水導入部であり、取付板２を貫通した回転軸４，５，
６の上端が導入され、側壁に冷媒としての冷却水の導入
管１１，排出管１２が取付けられている。１３は中央の
水導入部９の上部に設置された回転用のモータであり、
回転軸５を回転する。

【００１２】１４は成膜室７内に設けられた回転伝達用
のチェーンであり、回転軸５の回転を両側の回転軸４，
６に伝達し、各回転軸４，５，６が回転する。１５は平
板状の保持部材であり、上面中央から突出した支柱１６
のフランジ状の上端部が、回転軸４，５，６のいずれか
１つのみの先端部に着脱自在に取付けられる。１７は保
持部材１５の下面に同軸状に取付けられたリング体等の
被薄膜形成基体である。

【００１３】１８は成膜室７の底面左側部に設けられた
イオン源であり、斜め上方へのビーム照射により左側の
回転軸４の中心より左側に保持部材１５上で均一ビーム
径２ａのイオンビーム１９を照射する。

【００１４】２０はほぼ保持部材１５のイオンビーム１
９の照射中心の直下に設けられた蒸発源、２１は蒸発源
２０の加熱用のヒータ、２２は蒸発源２０の上部近傍の
防着板であり、蒸発源２０からの蒸発粒子２３の飛行範
囲を、保持部材１５上でほぼイオンビーム１９の照射範
囲に重合する範囲に制限する。

【００１５】そして、回転軸４，５，６のいずれか１
つ，例えば回転軸５の先端部のみに保持部材１５が支柱
１６を介して取付けられた場合、使用されない残りの回
転軸４，６の先端部には蓋２４が取付けられる。

【００１６】さらに、保持部材１５が取付けられた回転
軸５の水導入部９の導入管１１，排出管１２が、図外の
冷水設備に接続され、導入管１１から水導入部９，回転
軸５を介して保持部材１５に冷却水が供給され、この保
持部材１５を冷却した後の水が回転軸５，水導入部９を
介して排出管１２から排出され、保持部材１５を通して
被薄膜形成基体１７が冷媒循環で強制冷却され、成膜に
よる被薄膜形成基体１７の加熱が防止される。

【００１７】つぎに、保持部材１５が取付けられる回転
軸の選択及び成膜について説明する。まず、保持部材１
５が取付けられる回転軸は、被薄膜形成基体１７の成膜
範囲の要求に応じて選択される。

【００１８】そして、この選択により左側の回転軸４が
選択され、この回転軸４の先端部に保持部材１５が取付
けられるときは、回転軸４の回転によりこの軸４の中心
から半径２ａの円内全域が成膜可能な範囲になり、保持
部材１５に保持された半径２ａの被薄膜形成基体１７の
全面に、イオンビーム１９の照射と蒸発粒子２３の真空
蒸着とによるＩＶＤ法の薄膜形成により、均一な成膜が
行える。

【００１９】つぎに、中央の回転軸５が選択されてこの
回転軸５の先端部に保持部材１５が取付けられるとき
は、回転軸５の回転によりこの回転軸５の中心から半径
３ａの円内において、外周部の幅２ａのリング状の部分
が成膜可能な範囲になり、保持部材１５に保持された半
径３ａの被薄膜形成基体１７は、その外周部の幅２ａの
部分に均一な成膜が行われる。

【００２０】さらに、右側の回転軸６が選択されてこの
回転軸６の先端部に保持部材１５が取付けられるとき
は、回転軸５が選択されたときと同様、保持部材１５に
保持された半径４ａの薄膜形成基体１７の外周部の幅２
ａの部分に均一な成膜が行われる。

【００２１】なお、回転軸５，６が選択されたときに、
これらの回転軸５，６の被薄膜形成基体１７の半径Ｒ
が、２ａ＜Ｒ＜３ａ，３ａ＜Ｒ＜４ａであれば、成膜範
囲（幅）が２ａより狭くなるのは勿論である。

【００２２】すなわち、イオンビーム１９の照射範囲及
び蒸発粒子２３の飛行範囲は、保持部材１５上で回転軸
４の左側の幅２ａの範囲に固定されるが、回転軸４，
５，６の選択により被薄膜形成基体１７の回転中心が移
動し、２ａより大きな半径をもつ外径８ａ（半径４ａ）
までの被薄膜形成基体１７につき、その半径に応じて回
転軸４，５，６を選択することにより、少なくともその
外周部の幅ａの部分に均一な成膜が行われる。なお、膜
質改善等を図る場合は、例えば保持部材１５の上部近傍
にランプヒータ等の強制加熱手段を設けることが好まし
い。

【００２３】（他の実施例）つぎに、他の実施例につい
て、図３を参照して説明する。同図において、図１及び
図２と同一符号は同一もしくは相当するものを示し、１
実施例と異なる点は、図１のイオン源１８，蒸発源２０
等を省き、イオン源２５，ターゲット２６を用いたイオ
ンビームスパッタリング方式の成膜手法により、ターゲ
ット２６からのスパッタ粒子２７を被薄膜形成基体１７
に飛着させて成膜するようにした点である。

【００２４】そして、この場合も保持部材１５を取付け
る回転軸４，５，６の選択により、１実施例と同様の効
果が得られる。ところで、前記両実施例では、等間隔の
回転軸を３本備えた場合について説明したが、回転軸の
本数及び取付け間隔等は実施例に限定されるものではな
い。

【００２５】また、回転軸の取付け方向や被薄膜形成基
体１７の形状等も実施例に限定されるものではなく、例
えば各回転軸を水平或いは斜めに取付けるようにしても
よい。そして、種々の薄膜形成に適用できるのは勿論で
ある。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、以下に記載する効果を奏する。まず、本発
明の基体駆動装置は、取付板２の複数の回転軸４，５，
６のいずれか１つの先端部に保持部材１５を介して被薄
膜形成基体１７が取付けられるため、この基体１７の取
付位置を、その大きさ等に応じた適正な成膜が行える位
置に移動することができる。

【００２７】したがって、この基体駆動装置を有する本
発明の薄膜形成装置の場合、イオンビームの照射範囲等
が大型の被薄膜形成基体１７をカバーし得ない一定範囲
に固定されていても、この基体１７の取付位置の移動に
より、前記照射範囲等より大径のリング体等の大型の被
薄膜形成基体についても成膜することができ、種々の形
状の被薄膜形成基体１７の成膜が行える小型，安価な薄
膜形成装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の切断正面図である。

【図２】図１の一部の拡大図である。

【図３】本発明の他の実施例の切断正面図である。

【符号の説明】

２ 取付板 ４，５，６ 回転軸 １５ 保持部材 １７ 被薄膜形成基体

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 取付板に並列に取付けられた複数の回転
   軸と、 該各回転軸のいずれか１つのみの先端部に着脱自在に取
   付けられ，被薄膜形成基体を保持する保持部材とを備え
   たことを特徴とする基体駆動装置。
2. 【請求項２】 被薄膜形成基体を保持して回転させる基
   体駆動装置を有し、 該基体駆動装置が、 取付板に並列に取付けられた複数の回転軸と、 該各回転軸のいずれか１つのみの先端部に着脱自在に取
   付けられ，前記被薄膜形成基体を保持する保持部材とを
   備えたことを特徴とする薄膜形成装置。