JPH0855895A - ウェーハ運搬台 - Google Patents
ウェーハ運搬台Info
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- JPH0855895A JPH0855895A JP7195729A JP19572995A JPH0855895A JP H0855895 A JPH0855895 A JP H0855895A JP 7195729 A JP7195729 A JP 7195729A JP 19572995 A JP19572995 A JP 19572995A JP H0855895 A JPH0855895 A JP H0855895A
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- Japan
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- wafer
- carrier
- end portion
- wafer carrier
- circular
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3402—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7602—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade or gripped by a gripper for conveyance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ運搬台を提供する。
【解決手段】 半導体製造工程で使用されるウェーハ運
搬装置において、ウェーハがローディングされる平板部
および前記平板部と連結されウェーハとの衝突時ウェー
ハに加えられる力を分散させるように円形の側面を有す
る端部とを具備する。これにより、ウェーハと運搬台と
の衝突時ウェーハに加えられる衝撃を分散させてウェー
ハエッジのチッピングを減らすことができる。
搬装置において、ウェーハがローディングされる平板部
および前記平板部と連結されウェーハとの衝突時ウェー
ハに加えられる力を分散させるように円形の側面を有す
る端部とを具備する。これにより、ウェーハと運搬台と
の衝突時ウェーハに加えられる衝撃を分散させてウェー
ハエッジのチッピングを減らすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に使
用されるウェーハ運搬台に係り、特に半導体製造工程中
発生されるウェーハエッジチッピング（edge chipping)
を減らすことができるウェーハ運搬台に関する。
用されるウェーハ運搬台に係り、特に半導体製造工程中
発生されるウェーハエッジチッピング（edge chipping)
を減らすことができるウェーハ運搬台に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程中ウェーハにはエッジチ
ッピング現象が発生され得る。エッジチッピングはウェ
ーハが、例えば直径８インチ以上に大口径化するにつ
れ、その発生率が高くなる。
ッピング現象が発生され得る。エッジチッピングはウェ
ーハが、例えば直径８インチ以上に大口径化するにつ
れ、その発生率が高くなる。
【０００３】今までエッジチッピングの正確な原因は突
き止められなかったが、特定工程や特定製造装置でのみ
発生しないという点からストレス成長論が不良モデルと
して説明されてきた。ストレス成長論は、ウェーハの初
期クリーニング段階から工程が進行されるにつれ、ウェ
ーハに加えられるストレスが徐々に加重され、最も脆弱
なウェーハのエッジ部位に決定的な臨界ストレスが加え
られるとエッジチッピングが発生するという理論であ
る。
き止められなかったが、特定工程や特定製造装置でのみ
発生しないという点からストレス成長論が不良モデルと
して説明されてきた。ストレス成長論は、ウェーハの初
期クリーニング段階から工程が進行されるにつれ、ウェ
ーハに加えられるストレスが徐々に加重され、最も脆弱
なウェーハのエッジ部位に決定的な臨界ストレスが加え
られるとエッジチッピングが発生するという理論であ
る。
【０００４】本出願人は前記ウェーハのエッジチッピン
グの他の原因を調べるために実験を行った。即ち、例え
ばウェーハ運搬台とウェーハとの衝突による機械的な衝
撃とウェーハのエッジチッピッングとの関係をさらに正
確に糾明するために前記の実験を施した。前記衝突実験
はウェーハと従来の曲がった運搬台を比較的摩擦係数が
少ない滑らかな面に載置し、運搬台をスライディングさ
せて衝突させた。
グの他の原因を調べるために実験を行った。即ち、例え
ばウェーハ運搬台とウェーハとの衝突による機械的な衝
撃とウェーハのエッジチッピッングとの関係をさらに正
確に糾明するために前記の実験を施した。前記衝突実験
はウェーハと従来の曲がった運搬台を比較的摩擦係数が
少ない滑らかな面に載置し、運搬台をスライディングさ
せて衝突させた。
【０００５】図１Ａ及び図１Ｂは製造工程中発生したエ
ッジチッピングと衝突実験で発生したエッジチッピング
とを比較した写真である。
ッジチッピングと衝突実験で発生したエッジチッピング
とを比較した写真である。
【０００６】ここで、エッジチッピングが発生した不良
部位を調べると両方とも略同一な形態よりなっているこ
とが分る。
部位を調べると両方とも略同一な形態よりなっているこ
とが分る。
【０００７】したがって、前記衝突実験を通じてウェー
ハに加えられる機械的な衝撃、即ち、ウェーハ運搬時運
搬台により加えられる衝撃が前記ウェーハのエッジチッ
ピング不良の原因であることを予測することができた。
ハに加えられる機械的な衝撃、即ち、ウェーハ運搬時運
搬台により加えられる衝撃が前記ウェーハのエッジチッ
ピング不良の原因であることを予測することができた。
【０００８】一方、ウェーハが大口径化するほどエッジ
チッピングの発生率が高くなる現象も前記運搬台により
ウェーハに加えられる機械的な衝撃により説明しうる。
ウェーハの直径の増加はウェーハの厚さ及び質量の増加
を伴う。これはウェーハをローディシングするために運
搬台を調整する運搬装置の動作において、運搬台は長く
なるべくさらに強くなるべきである。さらに長くなった
運搬台はアライメントエラーを増やし、さらに強くなっ
た運搬台はウェーハとの衝突時衝撃量を増やすのでエッ
ジチッピングの不良を加重させうる。
チッピングの発生率が高くなる現象も前記運搬台により
ウェーハに加えられる機械的な衝撃により説明しうる。
ウェーハの直径の増加はウェーハの厚さ及び質量の増加
を伴う。これはウェーハをローディシングするために運
搬台を調整する運搬装置の動作において、運搬台は長く
なるべくさらに強くなるべきである。さらに長くなった
運搬台はアライメントエラーを増やし、さらに強くなっ
た運搬台はウェーハとの衝突時衝撃量を増やすのでエッ
ジチッピングの不良を加重させうる。
【０００９】図２はキャリア、ウェーハ及び運搬台の断
面を概略的に示した断面図であって、キャリア１０、ロ
ーディシングされたウェーハ１２、製造装置によりアラ
インされキャリア１０内にあるウェーハ１２をローディ
ングするためにウェーハとウェーハとの間に挿入されて
いる運搬台１４を示す。
面を概略的に示した断面図であって、キャリア１０、ロ
ーディシングされたウェーハ１２、製造装置によりアラ
インされキャリア１０内にあるウェーハ１２をローディ
ングするためにウェーハとウェーハとの間に挿入されて
いる運搬台１４を示す。
【００１０】この際、ウェーハの大口径化によるウェー
ハ厚さの増加はウェーハとウェーハ間の間隔を縮め、運
搬台のアライメント異常を加重させる。結果的にウェー
ハと運搬台との衝突可能性が高くなる。
ハ厚さの増加はウェーハとウェーハ間の間隔を縮め、運
搬台のアライメント異常を加重させる。結果的にウェー
ハと運搬台との衝突可能性が高くなる。
【００１１】図３Ａ及び図３Ｂは従来の運搬台の側面構
造により発生される不良現象を説明するためのウェーハ
及び運搬台の側面図であって、運搬台２２とウェーハと
の接触前（図３Ａ）および接触後（図３Ｂ）を示した。
製造装置のアライメントの異常により運搬台２２とウェ
ーハ２０とが接触した地点でウェーハのエッジチッピン
グが発生する。
造により発生される不良現象を説明するためのウェーハ
及び運搬台の側面図であって、運搬台２２とウェーハと
の接触前（図３Ａ）および接触後（図３Ｂ）を示した。
製造装置のアライメントの異常により運搬台２２とウェ
ーハ２０とが接触した地点でウェーハのエッジチッピン
グが発生する。
【００１２】図４Ａないし図４Ｃは従来に使用された運
搬台の例を示した側面図である。従来のウェーハ運搬台
は製造装置会社に従って多様な形態を有しており、全て
が曲がった形態よりなっている。例えば、運搬台の上面
が傾斜した場合（図４Ａ）、運搬台の下面が傾斜した場
合（図４Ｂ）、運搬台の上面と下面両方とも垂直である
場合（図４Ｃ）が示されている。
搬台の例を示した側面図である。従来のウェーハ運搬台
は製造装置会社に従って多様な形態を有しており、全て
が曲がった形態よりなっている。例えば、運搬台の上面
が傾斜した場合（図４Ａ）、運搬台の下面が傾斜した場
合（図４Ｂ）、運搬台の上面と下面両方とも垂直である
場合（図４Ｃ）が示されている。
【００１３】このように従来の運搬台はウェーハと最初
に接触する側面が全部曲がった構造よりなっており、こ
れはウェーハと運搬台とが衝突する場合ウェーハのエッ
ジに強い衝撃を加えるようになってエッジチッピングを
誘発する。
に接触する側面が全部曲がった構造よりなっており、こ
れはウェーハと運搬台とが衝突する場合ウェーハのエッ
ジに強い衝撃を加えるようになってエッジチッピングを
誘発する。
【００１４】一方、前記エッジチッピングは運搬台の曲
がった側面構造のみならず、図５Ａないし図５Ｃに示さ
れた従来の運搬台の曲がった平面構造によりさらに加重
され得る。
がった側面構造のみならず、図５Ａないし図５Ｃに示さ
れた従来の運搬台の曲がった平面構造によりさらに加重
され得る。
【００１５】図６Ａ及び図６Ｂは従来の図５Ａに示され
た運搬台の平面構造により発生される不良現象を説明す
るためのウェーハＷ及び運搬台Ｂの平面図（top view)
である。ウェーハＷの位置が正常である場合（図６Ａ）
とウェーハＷの位置が非正常である場合（図６Ｂ）とを
比較した。ウェーハＷのチャンファと運搬台Ｂが接する
場合（図６Ａ）、ウェーハＷと接する地点が運搬台Ｂの
鋭利なエッジである場合ウェーハエッジのチッピングを
誘発することもある（図６Ｂ）。
た運搬台の平面構造により発生される不良現象を説明す
るためのウェーハＷ及び運搬台Ｂの平面図（top view)
である。ウェーハＷの位置が正常である場合（図６Ａ）
とウェーハＷの位置が非正常である場合（図６Ｂ）とを
比較した。ウェーハＷのチャンファと運搬台Ｂが接する
場合（図６Ａ）、ウェーハＷと接する地点が運搬台Ｂの
鋭利なエッジである場合ウェーハエッジのチッピングを
誘発することもある（図６Ｂ）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前述し
たウェーハのエッジチッピングを最小化しうる運搬台を
提供することである。
たウェーハのエッジチッピングを最小化しうる運搬台を
提供することである。
【００１７】
【課題を解決すめためめ手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は、半導体製造工程で使用されるウェーハ運
搬装置において、ウェーハがローディシングされる平板
部と、前記平板部と連結されウェーハとの衝突時ウェー
ハに加えられる力を分散させるように円形の側面を有す
る端部とを具備することを特徴とするウェーハ運搬台を
提供する。
めに本発明は、半導体製造工程で使用されるウェーハ運
搬装置において、ウェーハがローディシングされる平板
部と、前記平板部と連結されウェーハとの衝突時ウェー
ハに加えられる力を分散させるように円形の側面を有す
る端部とを具備することを特徴とするウェーハ運搬台を
提供する。
【００１８】この際、前記円形の端部はウェーハとの衝
突時摩擦力を減らすように研磨させて形成されたことが
望ましい。
突時摩擦力を減らすように研磨させて形成されたことが
望ましい。
【００１９】一方、端部の側面が運搬台の厚さＴに対し
て半径がＴ／２である円の半円形であることが望まし
い。また、端部の始まり部分の曲率をＲとし、端部の先
端部分の曲率をｒとする時、Ｒがｒより大きかったり、
逆に小さくてもよい。
て半径がＴ／２である円の半円形であることが望まし
い。また、端部の始まり部分の曲率をＲとし、端部の先
端部分の曲率をｒとする時、Ｒがｒより大きかったり、
逆に小さくてもよい。
【００２０】本発明の他の実施例によれば、前記端部の
上面および下面が先端側に向かって対称的に傾斜し、前
記上面と下面とが接する部分は円形であることが望まし
い。前記端部の上面は運搬台の先端側に向かって傾斜し
その下面は平坦であり、前記上面と下面とが接する部分
は円形であることが望ましい。
上面および下面が先端側に向かって対称的に傾斜し、前
記上面と下面とが接する部分は円形であることが望まし
い。前記端部の上面は運搬台の先端側に向かって傾斜し
その下面は平坦であり、前記上面と下面とが接する部分
は円形であることが望ましい。
【００２１】ここで、前記傾斜した上面または下面は少
なくとも一回の曲がりを有することも可能である。
なくとも一回の曲がりを有することも可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００２３】図７Ａないし図９Ｄは本発明による運搬台
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【００２４】まず、半導体製造工程で使用される運搬台
をウェーハがローディングされる平板部と前記運搬台の
先端部に位置する端部Ｂとに区分した。
をウェーハがローディングされる平板部と前記運搬台の
先端部に位置する端部Ｂとに区分した。
【００２５】図７Ａは本発明による運搬台の側面図を示
す。ここで、前記端部の側面が従来の曲がった形態とは
異なり、ウェーハとの衝突時ウェーハに加えられる力を
分散させるように円形を有する。
す。ここで、前記端部の側面が従来の曲がった形態とは
異なり、ウェーハとの衝突時ウェーハに加えられる力を
分散させるように円形を有する。
【００２６】図７Ｂは本発明による運搬台の平面図を示
す。運搬台の端部の平面が側面のように円形を有する。
す。運搬台の端部の平面が側面のように円形を有する。
【００２７】即ち、従来の運搬台の側面及び平面エッジ
が曲がった形態とは異なり、運搬台端部の側面及び平面
を円くすることにより、運搬台とウェーハとの衝突時ウ
ェーハに加えられる衝撃を分散させることができてエッ
ジのチッピングを減少させうる。
が曲がった形態とは異なり、運搬台端部の側面及び平面
を円くすることにより、運搬台とウェーハとの衝突時ウ
ェーハに加えられる衝撃を分散させることができてエッ
ジのチッピングを減少させうる。
【００２８】一方、前記運搬台の製造時運搬台を研磨さ
せることにより運搬台端部の側面および平面の表面を滑
らかにしてウェーハとの衝突時摩擦力を減らしてエッジ
のチッピング現象をさらに減少させる。
せることにより運搬台端部の側面および平面の表面を滑
らかにしてウェーハとの衝突時摩擦力を減らしてエッジ
のチッピング現象をさらに減少させる。
【００２９】図８Ａないし図９Ｈは本発明によるその端
部の側面が円形である運搬台の実施例を示したものであ
る。
部の側面が円形である運搬台の実施例を示したものであ
る。
【００３０】図８Ａを参照すれば、運搬台の厚さをＴと
仮定する場合、端部の側面が運搬台の厚さＴに対して半
径がＴ／２である円の半円形を有する運搬台を示す。
仮定する場合、端部の側面が運搬台の厚さＴに対して半
径がＴ／２である円の半円形を有する運搬台を示す。
【００３１】図８Ｂを参照すれば、端部の始まり部分の
曲率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、前
記端部の側面がＲがｒより大きい形態の運搬台を示す。
曲率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、前
記端部の側面がＲがｒより大きい形態の運搬台を示す。
【００３２】図８Ｃを参照すれば、端部の始まり部分の
曲率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、前
記端部の側面がＲがｒより小さい形態の運搬台を示す。
曲率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、前
記端部の側面がＲがｒより小さい形態の運搬台を示す。
【００３３】図８Ｄを参照すれば、前記端部の上面及び
下面が端部の先端側に向かって対称的に傾斜し、前記上
面と下面が接する部分は円形を有する運搬台を示す。
下面が端部の先端側に向かって対称的に傾斜し、前記上
面と下面が接する部分は円形を有する運搬台を示す。
【００３４】図９Ｅを参照すれば、前記端部の上面は先
端側に向かって傾斜し、その下面は平坦であり、前記上
面と下面とが接する部分は円形を有する運搬台を示す。
端側に向かって傾斜し、その下面は平坦であり、前記上
面と下面とが接する部分は円形を有する運搬台を示す。
【００３５】図９Ｆを参照すれば、図９Ｅに示された実
施例において前記端部の上面が一回の曲がりを有する運
搬台を示す。
施例において前記端部の上面が一回の曲がりを有する運
搬台を示す。
【００３６】図９Ｇを参照すれば、前記端部の上面は平
坦であり、その下面は端部の先端側に向かって傾斜し前
記上面と下面とが接する部分は円形を有する運搬台を示
す。図９Ｈを参照すれば、図９Ｇに示された実施例にお
いて前記端部の下面が一回の曲がりを有する運搬台を示
す。
坦であり、その下面は端部の先端側に向かって傾斜し前
記上面と下面とが接する部分は円形を有する運搬台を示
す。図９Ｈを参照すれば、図９Ｇに示された実施例にお
いて前記端部の下面が一回の曲がりを有する運搬台を示
す。
【００３７】
【発明の効果】以上、前述したように本発明によれば、
半導体製造工程に使用されるウェーハ運搬装置におい
て、運搬台の端部が側面及び平面的に円形を有するよう
に製造する。したがって、製造装置の誤動作によりウェ
ーハの位置が捩じられたり、ウェーハローディシング時
運搬装置のミスアライメント異常により運搬台がウェー
ハと衝突する場合、ウェーハに加えられる力を分散させ
てエッジのチッピングを減らすことができる。また、運
搬台の端部を研磨させることにより運搬台端部の表面を
滑らかにしてウェーハとの衝突時摩擦力を減らしてエッ
ジのチッピングを減らす。
半導体製造工程に使用されるウェーハ運搬装置におい
て、運搬台の端部が側面及び平面的に円形を有するよう
に製造する。したがって、製造装置の誤動作によりウェ
ーハの位置が捩じられたり、ウェーハローディシング時
運搬装置のミスアライメント異常により運搬台がウェー
ハと衝突する場合、ウェーハに加えられる力を分散させ
てエッジのチッピングを減らすことができる。また、運
搬台の端部を研磨させることにより運搬台端部の表面を
滑らかにしてウェーハとの衝突時摩擦力を減らしてエッ
ジのチッピングを減らす。
【００３８】前記のようなエッジチッピングの減少は製
造環境の汚染を防止して半導体装置の収率及び信頼性を
高め、大口径化する次世代の高値のウェーハ（直径８イ
ンチ以上）を工程に投入して生産生を向上させることが
できる。
造環境の汚染を防止して半導体装置の収率及び信頼性を
高め、大口径化する次世代の高値のウェーハ（直径８イ
ンチ以上）を工程に投入して生産生を向上させることが
できる。
【００３９】本発明による運搬台として様々な形態の運
搬台を例えて説明したが、本発明の技術的な思想はこれ
に限定されず、その端部の側面が円形を有する全ての運
搬台に適用されうる。
搬台を例えて説明したが、本発明の技術的な思想はこれ
に限定されず、その端部の側面が円形を有する全ての運
搬台に適用されうる。
【００４０】本発明は前記の実施例にのみ限定されず、
多くの変形が本発明の属した技術的思想内で当分野にお
ける通常の知識を持つ者により可能なことは明白であ
る。
多くの変形が本発明の属した技術的思想内で当分野にお
ける通常の知識を持つ者により可能なことは明白であ
る。
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は製造工程中発生したウェ
ーハエッジのチッピング現象と衝突実験で発生したウェ
ーハエッジのチッピングを比較した写真である。
ーハエッジのチッピング現象と衝突実験で発生したウェ
ーハエッジのチッピングを比較した写真である。
【図２】ウェーハローディシング時発生される不良を説
明するためのキャリア、ウェーハ及び運搬台の断面を概
略的に示した断面図である。
明するためのキャリア、ウェーハ及び運搬台の断面を概
略的に示した断面図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の運搬台の側面構造に
より発生される不良現象を説明するためのウェーハ及び
運搬台の側面図である。
より発生される不良現象を説明するためのウェーハ及び
運搬台の側面図である。
【図４】（Ａ）ないし（Ｃ）は従来に使用された運搬台
の例を示した側面図である。
の例を示した側面図である。
【図５】（Ａ）ないし（Ｃ）は従来に使用された運搬台
の例を示した平面図である。
の例を示した平面図である。
【図６】（Ａ）および（Ｂ）は従来の運搬台の平面構造
により発生される不良現象を示す平面図である。
により発生される不良現象を示す平面図である。
【図７】（Ａ）および（Ｂ）は本発明による運搬台を説
明するための側面図である。
明するための側面図である。
【図８】（Ａ）ないし（Ｄ）は本発明による運搬台の実
施例を示した側面図である。
施例を示した側面図である。
【図９】（Ｅ）ないし（Ｆ）は本発明による運搬台の実
施例を示した側面図である。
施例を示した側面図である。
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体製造工程で使用されるウェーハ運
搬装置において、 ウェーハがローディングされる平板部と、 前記平板部と連結されウェーハとの衝突時ウェーハに加
えられる力を分散させるように円形の側面を有する端部
とを具備することを特徴とするウェーハ運搬台。 - 【請求項２】 前記端部の平面（top surface)が円形で
あることを特徴とする請求項１記載のウェーハ運搬台。 - 【請求項３】 前記端部の側面が運搬台の厚さＴに対し
て半径がＴ／２である円の半円形であることを特徴とす
る請求項１記載のウェーハ運搬台。 - 【請求項４】 前記端部の側面が端部の始まり部分の曲
率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、Ｒが
ｒより大きいことを特徴とする請求項１記載のウェーハ
運搬台。 - 【請求項５】 前記端部の側面が端部の始まり部分の曲
率をＲとし、端部の先端部分の曲率をｒとする時、Ｒが
ｒより小さいことを特徴とする請求項１記載のウェーハ
運搬台。 - 【請求項６】 前記端部の上面及び下面が端部の先端側
に向かって対称的に傾斜し、前記上面と下面とが接する
部分は円いことを特徴とする請求項１記載のウェーハ運
搬台。 - 【請求項７】 前記端部の上面は先端部に向かって傾斜
しその下面は平坦であり、前記上面と下面とが接する部
分は円いことを特徴とする請求項１記載のウェーハ運搬
台。 - 【請求項８】 前記端部の上面が少なくとも一回の曲が
りを有することを特徴とする請求項７記載のウェーハ運
搬台。 - 【請求項９】 前記端部の上面は平坦であり、その下面
は端部の先端側に向かって傾斜し、前記上面と下面が接
する部分は円いことを特徴とする請求項１記載のウェー
ハ運搬台。 - 【請求項１０】 前記端部の下面が少なくとも一回の曲
がりを有することを特徴とする請求項９記載のウェーハ
運搬台。 - 【請求項１１】 前記円形の端部はウェーハとの衝突時
摩擦力を減らすように研磨させて形成されたことを特徴
とする請求項１記載のウェーハ運搬台。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR94P16647 | 1994-07-11 | ||
| KR1019940016647A KR0135802B1 (ko) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 웨이퍼 운반장치 및 운반장치 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855895A true JPH0855895A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=19387742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7195729A Pending JPH0855895A (ja) | 1994-07-11 | 1995-07-10 | ウェーハ運搬台 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5755469A (ja) |
| JP (1) | JPH0855895A (ja) |
| KR (1) | KR0135802B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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