JPH0855927A - 中空パッケージ - Google Patents
中空パッケージInfo
- Publication number
- JPH0855927A JPH0855927A JP6190302A JP19030294A JPH0855927A JP H0855927 A JPH0855927 A JP H0855927A JP 6190302 A JP6190302 A JP 6190302A JP 19030294 A JP19030294 A JP 19030294A JP H0855927 A JPH0855927 A JP H0855927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- lead frame
- box
- hollow package
- intermediate portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 インナーリード部３ａが凹部５に延出され、
アウターリード部３ｂが箱型パッケージ１の外部へ延出
された状態で、中間部分１１が箱型パッケージ１に埋め
込まれることにより、リードフレーム３が箱型パッケー
ジ１と一体にされている。リードフレーム３の中間部分
１１の少なくとも一面は粗面に形成されており、したが
って、リードフレーム３の中間部分１１と箱型パッケー
ジ１とが強固に接着されている。 【効果】 耐湿性に優れた中空パッケージを得る。
アウターリード部３ｂが箱型パッケージ１の外部へ延出
された状態で、中間部分１１が箱型パッケージ１に埋め
込まれることにより、リードフレーム３が箱型パッケー
ジ１と一体にされている。リードフレーム３の中間部分
１１の少なくとも一面は粗面に形成されており、したが
って、リードフレーム３の中間部分１１と箱型パッケー
ジ１とが強固に接着されている。 【効果】 耐湿性に優れた中空パッケージを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＣＣＤ（固体撮
像素子）等の半導体素子を収納する中空パッケージに関
するもので、より詳しくは、耐湿性にすぐれた中空パッ
ケージに関する。
像素子）等の半導体素子を収納する中空パッケージに関
するもので、より詳しくは、耐湿性にすぐれた中空パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の一部を構成する中空パッケ
ージは、樹脂製の箱型成形品にリードフレームがインサ
ート成形されてなり、この成形品内底部に半導体素子が
接着され、さらに成形品上部開口部が、リッドとよばれ
る透明ないし不透明の蓋でふさがれることにより半導体
装置として使用されている。半導体装置は、ビデオカメ
ラ等のエレクトロニクス製品に組み込まれて使用される
ことから、内部に収納された半導体素子が常に正常に作
動するために、厳しい耐湿性が要求されている。そのた
めに、半導体装置の容器に相当する中空パッケージは、
プレッシャークッカーテストという過酷なテストに耐え
得る優れた耐湿性を長期に亙って保持し得る耐久性が望
まれている。
ージは、樹脂製の箱型成形品にリードフレームがインサ
ート成形されてなり、この成形品内底部に半導体素子が
接着され、さらに成形品上部開口部が、リッドとよばれ
る透明ないし不透明の蓋でふさがれることにより半導体
装置として使用されている。半導体装置は、ビデオカメ
ラ等のエレクトロニクス製品に組み込まれて使用される
ことから、内部に収納された半導体素子が常に正常に作
動するために、厳しい耐湿性が要求されている。そのた
めに、半導体装置の容器に相当する中空パッケージは、
プレッシャークッカーテストという過酷なテストに耐え
得る優れた耐湿性を長期に亙って保持し得る耐久性が望
まれている。
【０００３】これまで、中空パッケージの耐湿性を高め
るために、パッケージを構成する樹脂組成物の改良がな
されてきた。例えば、エポキシ樹脂の化学構造を、ノボ
ラック型やビスフェノールＡ型等の基本構造から、種々
の改良構造へと変えることが試みられてきたが、必ずし
も満足し得る程には耐湿性は向上しなかったし、また組
成物を構成する他の配合物、例えば、金型との離型性を
よくするための離型剤、あるいは、熱膨張率や熱伝導率
を調整するために加えられてきた各種のフィラーは、そ
の種類や配合量を調整しても中空パッケージの耐湿性を
充分に向上させることはできなかった。
るために、パッケージを構成する樹脂組成物の改良がな
されてきた。例えば、エポキシ樹脂の化学構造を、ノボ
ラック型やビスフェノールＡ型等の基本構造から、種々
の改良構造へと変えることが試みられてきたが、必ずし
も満足し得る程には耐湿性は向上しなかったし、また組
成物を構成する他の配合物、例えば、金型との離型性を
よくするための離型剤、あるいは、熱膨張率や熱伝導率
を調整するために加えられてきた各種のフィラーは、そ
の種類や配合量を調整しても中空パッケージの耐湿性を
充分に向上させることはできなかった。
【０００４】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、半導体装置の
素材の点からの改良ではなく、構造的な観点から半導体
装置に改良を加え、耐湿性に優れた中空パッケージを提
供することにある。
素材の点からの改良ではなく、構造的な観点から半導体
装置に改良を加え、耐湿性に優れた中空パッケージを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、中空パッケ
ージの耐湿性を高めるために種々検討した結果、中空パ
ッケージの耐湿性を左右する要因は、主に、リードフレ
ームと樹脂層との界面状態にあることを見いだした。す
なわち、リードフレームと樹脂層との密着性が強固なほ
ど、長時間の使用に耐える耐湿性が得られることが明ら
かとなった。本発明は、上記知見に基づいてなされたも
のであり、下記の点に特徴を有するものである。すなわ
ち、本発明によれば、半導体素子を収納するための凹部
を有する樹脂製のパッケージ本体と、一端部が凹部内に
延出されると共に他端部が前記パッケージ本体外部へ延
出された状態で中間部が前記パッケージ本体に埋め込ま
れ前記一端部を介して前記半導体素子と電気的に接続さ
れるリードフレームとを備えた中空パッケージにおい
て、前記リードフレームの中間部を粗面に形成したこと
を特徴とする中空パッケージが提供される。
ージの耐湿性を高めるために種々検討した結果、中空パ
ッケージの耐湿性を左右する要因は、主に、リードフレ
ームと樹脂層との界面状態にあることを見いだした。す
なわち、リードフレームと樹脂層との密着性が強固なほ
ど、長時間の使用に耐える耐湿性が得られることが明ら
かとなった。本発明は、上記知見に基づいてなされたも
のであり、下記の点に特徴を有するものである。すなわ
ち、本発明によれば、半導体素子を収納するための凹部
を有する樹脂製のパッケージ本体と、一端部が凹部内に
延出されると共に他端部が前記パッケージ本体外部へ延
出された状態で中間部が前記パッケージ本体に埋め込ま
れ前記一端部を介して前記半導体素子と電気的に接続さ
れるリードフレームとを備えた中空パッケージにおい
て、前記リードフレームの中間部を粗面に形成したこと
を特徴とする中空パッケージが提供される。
【０００６】
【発明の具体的説明】図１は本発明に係る中空パッケー
ジを用いた半導体装置の断面図である。半導体装置９
は、樹脂製の箱型パッケージ１、半導体素子２、リード
フレーム３、及びリッド４とから構成されている。箱型
パッケージ１の中央には、半導体素子２を収納するため
の凹部５が設けられており、この凹部５に半導体素子２
が接着剤６によって固定され、さらに、半導体素子２と
リードフレーム３とは、ボンディングワイヤー７によっ
て電気的に接続されている。また、箱型パッケージ１の
上端面１ａには、リッド４が接着剤８によって接着固定
されており、これにより、箱型パッケージ１の上部開口
部１ｂが閉止されている。
ジを用いた半導体装置の断面図である。半導体装置９
は、樹脂製の箱型パッケージ１、半導体素子２、リード
フレーム３、及びリッド４とから構成されている。箱型
パッケージ１の中央には、半導体素子２を収納するため
の凹部５が設けられており、この凹部５に半導体素子２
が接着剤６によって固定され、さらに、半導体素子２と
リードフレーム３とは、ボンディングワイヤー７によっ
て電気的に接続されている。また、箱型パッケージ１の
上端面１ａには、リッド４が接着剤８によって接着固定
されており、これにより、箱型パッケージ１の上部開口
部１ｂが閉止されている。
【０００７】本発明では、リードフレーム３が箱型パッ
ケージ１と一体になっている成形体を中空パッケージと
呼んでいる。それ故に、中空パッケージは次のようにし
て製造される。すなわち、箱型パッケージ１は、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等を用いてトランスファー成
形、あるいは、射出成形によって製造されるが、成形に
先立ち、予め金型中にリードフレーム３が挿入され、そ
の後樹脂が注入され硬化ないしは固化される。
ケージ１と一体になっている成形体を中空パッケージと
呼んでいる。それ故に、中空パッケージは次のようにし
て製造される。すなわち、箱型パッケージ１は、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等を用いてトランスファー成
形、あるいは、射出成形によって製造されるが、成形に
先立ち、予め金型中にリードフレーム３が挿入され、そ
の後樹脂が注入され硬化ないしは固化される。
【０００８】図２は、箱型パッケージ１を上部開口部１
ｂ側から見た平面図である。箱型パッケージ１には、リ
ードフレーム３が埋め込まれており、半導体素子２と接
続されるインナーリード部３ａ、及び外部と接続される
アウターリード部３ｂが露出されている。このインナー
リード部３ａとアウターリード部３ｂとの中間部分１１
が箱型パッケージ１を構成する樹脂１０に埋め込まれて
いる。したがって、リードフレーム３の中間部分１１は
樹脂層中に固定され、これによりリードフレーム３が位
置決めされた状態で固定される。
ｂ側から見た平面図である。箱型パッケージ１には、リ
ードフレーム３が埋め込まれており、半導体素子２と接
続されるインナーリード部３ａ、及び外部と接続される
アウターリード部３ｂが露出されている。このインナー
リード部３ａとアウターリード部３ｂとの中間部分１１
が箱型パッケージ１を構成する樹脂１０に埋め込まれて
いる。したがって、リードフレーム３の中間部分１１は
樹脂層中に固定され、これによりリードフレーム３が位
置決めされた状態で固定される。
【０００９】図３は、リードフレーム３の平面図を示し
ており、その中間部分１１が粗面化されている。粗面
は、前記リードフレームの中間部分の少なくとも一面に
施されていることが必要であり、両面に施されていれ
ば、耐湿性の効果は一層優れたものになる。なお、イン
ナーリード部３ａ及びアウターリード部３ｂには粗面化
は施されていない。ここで使用されるリードフレーム３
は、前述したように樹脂層中に埋め込まれ固定される部
分（中間部分１１）、すなわち、樹脂層と密着する部分
が粗面化されている。この粗面には、深さ０．５ないし
１．０μｍ、直径５ないし２０μｍ程度の凹部が連続し
て形成されている。リードフレーム３における中間部分
１１以外、すなわち、半導体素子２とワイヤーボンディ
ングされるインナーリード部３ａや、また外部とボンデ
ィングされるアウターリード部３ｂは、粗面化されてい
ると、成形時に発生したバリが強固にこびりつき、後工
程での洗浄操作でも樹脂を完全に除去することが困難に
なるために、金属線その他の配線とのボンディング力が
弱くなるので、リードフレーム３の中間部分１１のみ
を、粗面化している。
ており、その中間部分１１が粗面化されている。粗面
は、前記リードフレームの中間部分の少なくとも一面に
施されていることが必要であり、両面に施されていれ
ば、耐湿性の効果は一層優れたものになる。なお、イン
ナーリード部３ａ及びアウターリード部３ｂには粗面化
は施されていない。ここで使用されるリードフレーム３
は、前述したように樹脂層中に埋め込まれ固定される部
分（中間部分１１）、すなわち、樹脂層と密着する部分
が粗面化されている。この粗面には、深さ０．５ないし
１．０μｍ、直径５ないし２０μｍ程度の凹部が連続し
て形成されている。リードフレーム３における中間部分
１１以外、すなわち、半導体素子２とワイヤーボンディ
ングされるインナーリード部３ａや、また外部とボンデ
ィングされるアウターリード部３ｂは、粗面化されてい
ると、成形時に発生したバリが強固にこびりつき、後工
程での洗浄操作でも樹脂を完全に除去することが困難に
なるために、金属線その他の配線とのボンディング力が
弱くなるので、リードフレーム３の中間部分１１のみ
を、粗面化している。
【００１０】前述した程度の粗面化をリードフレーム３
に施す方法として、機械的な方法や熱的な方法を例示で
きる。機械的な方法としては、乾式または湿式のサンド
ブラスト法、ウオタージェット法、サンドペーパもしく
はやすりを用いた砥粒法、あるいは、プレス法が挙げら
れる。熱的な方法としては、レーザ照射、放電加工、オ
ーブンやファーネスを用いる方法がある。これらの方法
を採用する際に、粗面化を行わない部分（インナーリー
ド部３ａ、アウターリード部３ｂ）には、あらかじめマ
スキングを施しておけば、必要箇所のみを容易に粗面化
することができる。
に施す方法として、機械的な方法や熱的な方法を例示で
きる。機械的な方法としては、乾式または湿式のサンド
ブラスト法、ウオタージェット法、サンドペーパもしく
はやすりを用いた砥粒法、あるいは、プレス法が挙げら
れる。熱的な方法としては、レーザ照射、放電加工、オ
ーブンやファーネスを用いる方法がある。これらの方法
を採用する際に、粗面化を行わない部分（インナーリー
ド部３ａ、アウターリード部３ｂ）には、あらかじめマ
スキングを施しておけば、必要箇所のみを容易に粗面化
することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明では、上記の如くリードフレーム
の樹脂層と接触する部分が粗面化されていることから、
中空パッケージの成形時にリードフレームとパッケージ
とが強固に接着する。その結果、厳しいプレッシャーク
ッカーテストにおいても、耐久時間を延ばすことがで
き、耐湿性に優れた中空パッケージとなる。
の樹脂層と接触する部分が粗面化されていることから、
中空パッケージの成形時にリードフレームとパッケージ
とが強固に接着する。その結果、厳しいプレッシャーク
ッカーテストにおいても、耐久時間を延ばすことがで
き、耐湿性に優れた中空パッケージとなる。
【００１２】
【実施例】予め次の方法で予備試験を行い、粗面化の効
果を調べた。まず、図４に示す如く、矩形状の基部１４
ａの一端部から幅細の延出片１４ｂが延出されてなり、
厚さが０．２５ｍｍの４−２アロイ製の金属板１４を用
い、表面処理方法を変えることで、３種類の金属板を準
備した。表面処理は、以下に示す方法によって、延出片
１４ｂの両面に施した。 表面処理Ａ法・・・・平均粒径１４μｍのアルミナ粉体を直
径３．０ｍｍのノズルから空気圧２．５Ｋｇ／ｃｍ2
Ｇ、送り速度１８ｍｍ／ｓｅｃの条件でエアブラストす
る。 表面処理Ｂ法・・・・１００Ｗのレーザ照射機によって、パ
ルス幅１．８ｍｓ、繰り返し周波数４５ＰＰＳの条件で
照射する。 表面処理Ｃ法・・・・何もせず。
果を調べた。まず、図４に示す如く、矩形状の基部１４
ａの一端部から幅細の延出片１４ｂが延出されてなり、
厚さが０．２５ｍｍの４−２アロイ製の金属板１４を用
い、表面処理方法を変えることで、３種類の金属板を準
備した。表面処理は、以下に示す方法によって、延出片
１４ｂの両面に施した。 表面処理Ａ法・・・・平均粒径１４μｍのアルミナ粉体を直
径３．０ｍｍのノズルから空気圧２．５Ｋｇ／ｃｍ2
Ｇ、送り速度１８ｍｍ／ｓｅｃの条件でエアブラストす
る。 表面処理Ｂ法・・・・１００Ｗのレーザ照射機によって、パ
ルス幅１．８ｍｓ、繰り返し周波数４５ＰＰＳの条件で
照射する。 表面処理Ｃ法・・・・何もせず。
【００１３】次に、図５に実線で示すパッケージ形状の
金型１２に、金属板１４の延出片１４ｂの先端部をイン
サートし、トランスファー成形機を用いて、エポキシ樹
脂を１６５℃、１２０Ｋｇ／ｃｍ2 、２分の条件で成形
し、これを試験片とした。引張試験機（テンシロンＵＣ
Ｔ−５Ｔ）によって、金属板とエポキシ樹脂層との引抜
接着力（Ｋｇ／ｍｍ2 ）の測定を、引張速度５ｍｍ／ｍ
ｉｎの条件で行った。その結果を表１に示した。
金型１２に、金属板１４の延出片１４ｂの先端部をイン
サートし、トランスファー成形機を用いて、エポキシ樹
脂を１６５℃、１２０Ｋｇ／ｃｍ2 、２分の条件で成形
し、これを試験片とした。引張試験機（テンシロンＵＣ
Ｔ−５Ｔ）によって、金属板とエポキシ樹脂層との引抜
接着力（Ｋｇ／ｍｍ2 ）の測定を、引張速度５ｍｍ／ｍ
ｉｎの条件で行った。その結果を表１に示した。
【００１４】
【００１５】次いで、図３に示したリードフレームが１
２個連続したリードフレーム板を用意し、インナーリー
ド部とアウターリード部とを治具またはシールテープを
用いてマスキングした。そして、前記した表面処理を施
し、トランスファー成形機を用いて図２に示すようなエ
ポキシ樹脂製の中空パッケージを得た。この中空パッケ
ージにガラスリッドをエポキシ樹脂接着剤を用いてかぶ
せてパッケージを作成し、プレッシャークッカーテスト
を実施した。テスト条件は、１２１℃、１００％の蒸気
中に所定時間放置し、その後２５℃の恒温室に３０分置
き、ガラスリッドに曇の発生することを観察した。曇の
発生するまでの時間を耐久時間とし、その結果を表２に
示した。耐久時間が長いほど耐湿性は良好と判定した。
２個連続したリードフレーム板を用意し、インナーリー
ド部とアウターリード部とを治具またはシールテープを
用いてマスキングした。そして、前記した表面処理を施
し、トランスファー成形機を用いて図２に示すようなエ
ポキシ樹脂製の中空パッケージを得た。この中空パッケ
ージにガラスリッドをエポキシ樹脂接着剤を用いてかぶ
せてパッケージを作成し、プレッシャークッカーテスト
を実施した。テスト条件は、１２１℃、１００％の蒸気
中に所定時間放置し、その後２５℃の恒温室に３０分置
き、ガラスリッドに曇の発生することを観察した。曇の
発生するまでの時間を耐久時間とし、その結果を表２に
示した。耐久時間が長いほど耐湿性は良好と判定した。
【００１６】
【図１】本発明に係る中空パッケージが使用された半導
体装置の概略断面図である。
体装置の概略断面図である。
【図２】本発明に係る中空パッケージの概略平面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る中空パッケージの一部を構成する
リードフレームの概略平面図である。
リードフレームの概略平面図である。
【図４】予備試験に用いた金属板の平面図である。
【図５】予備試験に用いた試験片作成用の金型の平面図
である。
である。
【符号の説明】 １ 箱型パッケージ（パッケージ本体） ２ 半導体素子 ３ リードフレーム ３ａ インナーリード部（一端部） ３ｂ アウターリード部（他端部） １１ 中間部分（中間部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 邦博 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三 井石油 化学工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を収納するための凹部を有す
る樹脂製のパッケージ本体と、一端部が凹部内に延出さ
れると共に他端部が前記パッケージ本体外部へ延出され
た状態で中間部が前記パッケージ本体に埋め込まれ前記
一端部を介して前記半導体素子と電気的に接続されるリ
ードフレームとを備えた中空パッケージにおいて、前記
リードフレームの中間部を粗面に形成したことを特徴と
する中空パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190302A JPH0855927A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 中空パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190302A JPH0855927A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 中空パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855927A true JPH0855927A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16255901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6190302A Pending JPH0855927A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 中空パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855927A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0867935A3 (en) * | 1997-03-25 | 2000-03-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
| JP2002326252A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 金属インサートポリフェニレンスルフィド樹脂成形部品 |
| EP0788157A3 (en) * | 1996-02-01 | 2004-02-25 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Resin molded package with excellent high frequency characteristics |
| JP2007088211A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP6190302A patent/JPH0855927A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0788157A3 (en) * | 1996-02-01 | 2004-02-25 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Resin molded package with excellent high frequency characteristics |
| EP0867935A3 (en) * | 1997-03-25 | 2000-03-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
| US6087713A (en) * | 1997-03-25 | 2000-07-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
| JP2002326252A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 金属インサートポリフェニレンスルフィド樹脂成形部品 |
| WO2002090083A1 (fr) * | 2001-05-02 | 2002-11-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Procede de production d'un composant moule en resine de sulfure de polyphenylene a insert metallique, un tel composant moule et dispositif de production de semi-conducteur pourvu de ce composant |
| JP2007088211A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2047486C (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| EP0867935B1 (en) | Plastic package and semiconductor device | |
| CN113658878A (zh) | 电磁屏蔽结构的制备方法 | |
| JPH0855927A (ja) | 中空パッケージ | |
| JP3682369B2 (ja) | 樹脂パッケージ，半導体装置，および樹脂パッケージの製造方法 | |
| JPS624862B2 (ja) | ||
| KR100691057B1 (ko) | 반도체 부품용 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JP2839948B2 (ja) | 半導体装置の耐湿性改良方法 | |
| JP2810309B2 (ja) | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 | |
| JPH05335434A (ja) | 半導体装置用の箱型樹脂成形体の製造方法 | |
| JPS60244512A (ja) | 成形方法 | |
| JP2000158488A (ja) | 金型クリーニング用のダミー・リードフレーム | |
| JPS607484Y2 (ja) | 電子部品の樹脂モ−ルド装置 | |
| JPH0221581A (ja) | 表面実装用金属端子および素子の合成樹脂インサート成型方法並びに成型装置 | |
| JPH0936278A (ja) | 金属箔被覆半導体装置及びその製造方法とこれに用いる金属箔材料 | |
| JP2801899B2 (ja) | 半導体チップパッケージの保護胴体を形成するための金型 | |
| JP2002198455A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3786571B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH07288263A (ja) | 半導体装置の製造方法および金属箔材料 | |
| JP2694288B2 (ja) | 電子部品の封止成形に用いられる熱硬化性樹脂材料とその製造方法 | |
| JPS572537A (en) | Semiconductor device | |
| JPH04298094A (ja) | 電子部品の樹脂封止実装方法 | |
| JPS6122467B2 (ja) | ||
| JPS6126225B2 (ja) | ||
| JPS57208209A (en) | Manufacture of container made of plastics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010529 |