JPS6122467B2 - - Google Patents
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- JPS6122467B2 JPS6122467B2 JP54109965A JP10996579A JPS6122467B2 JP S6122467 B2 JPS6122467 B2 JP S6122467B2 JP 54109965 A JP54109965 A JP 54109965A JP 10996579 A JP10996579 A JP 10996579A JP S6122467 B2 JPS6122467 B2 JP S6122467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoplastic resin
- resin plate
- depression
- shaped molded
- molded product
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
本発明はダイオードやトランジスターのような
半導体素子や、これら半導体の集積回路（以下半
導体類と称す）を気密収納する為のパツケージ成
形方法、更に詳しくは半導体類を装着したリード
フレームを予め成形された少なくとも１個が半導
体類を収納するための周辺側壁部の厚さが位置に
より異なる窪みを有する二個の熱可塑性樹脂板状
成形品（以下熱可塑性樹脂板状体と称す）により
挟んだ状態で一体密封化することを特徴とする熱
可塑性樹脂製のフラツトパツケージ及びデユアル
インラインパツケージの製法に関するものであ
る。 従来、半導体類のパツケージ方法には金属、セ
ラミツクス及びガラス等で気密シールを行なうパ
ツケージ方式とプラスチツクによるパツケージ方
式とがありチツプの保護技術の進歩による信頼性
の向上により、最近は廉価なプラスチツクパツケ
ージが主流となつている。 現在実用に供せられているプラスチツクパツケ
ージにはその製造方式によりいわゆるモールド法
と注入法の２種類がある 中でも金属との密着性、耐湿性、電気及び機械
的特性などに優れたエポキシ樹脂のトランスフア
ーモールド法によるプラスチツクパツケージが最
も多く用いられている。 このモールド法は第１図に示すようにタブ１上
の半導体類のチツプ２の電極とリード４を金やア
ルミ等の金属細線３により電気的に結合した状態
のリードフレーム５を上型６及び下型７の間に挟
み、図示はしていないがスプルー、ランナー、ゲ
ートを介してトランスフアー成形機より成形樹脂
材料をキヤビテイ８に充填成形する方法である。 この方法の難点はリードフレームの厚みのバラ
ツキ、金型加工の精度及び使用にともなう摩耗、
寸法の狂い等により、金型とリードフレーム間に
隙間が出来、この部分およびその周辺にフラツシ
ユの出る場合が多いことでありこれらリード上の
フラツシユはリードとソケツトとの接触不良や半
田づけ作業の妨げの原因となるため除去作業が必
要となる等の欠点があつた。 更に、この方法では樹脂による封止成形中にチ
ツプが成形樹脂材料と直接接触することにより高
温、高圧の状態におかれるため、場合によつては
半導体機能の信頼性に影響を及ぼすといつた欠点
もあつた。 このような欠点を解決するために第２図および
第３図に示すように予め成形された少なくとも１
個が半導体類を収納するための窪みを有する、２
個の熱可塑性樹脂板状体１０，１０′をプレス機
能を有する平面金型９，９′に取付け、図には示
されていないが半導体類を装着したリードフレー
ム５と共にヒーター１２で合体に必要な温度まで
加熱し溶融樹脂をプレス圧力によつてリードフレ
ームのリード間隙１３に流し込み充填することよ
りなる半導体類のパツケージ法が提案されてい
る。 しかしかかる方法においても次のような欠陥が
あつた。 即ち、熱可塑性樹脂板状体の合体面を加熱溶融
した後、リードフレームを挟んでプレスで加圧し
て融合合体する過程は、加熱溶融された熱可塑性
樹脂板状体の合体面へリードフレームのリードが
プレス圧力によつて押込まれる過程()およびリ
ードが押込まれることによつて排除された溶融樹
脂がリード間隙を流れて充填する過程()よりな
つている。()の過程においては溶融樹脂がプレ
ス圧力によつてリード表面を流れることによつて
リード表面と熱可塑性樹脂板状体の合体面との境
界に存在する空気を押出してリード表面を樹脂で
十分濡らすることによつて接着強度を向上させ
る。()の過程においては溶融樹脂がリード間隙
を流れながら存在する空気を排除し樹脂で充填し
ていくことによつてリードフレームを抱き込んだ
形で２個の熱可塑性樹脂板状体とリードフレーム
とが合体される。 十分な接着力を得るために必要な圧力を加えた
場合()の過程においてリードの押込まれる量が
多くなり()の過程においてリード間隙を充填し
てなお余剰の溶融樹脂がフラツシユとなつてパツ
ケージの合体部外周辺および内部の窪みへ流れ出
す結果となる。 パツケージ合体部外周辺のフラツシユは、樹脂
モールドの場合と同様にリードとソケツトの接触
不良や半田付け作業の妨げの原因となる場合があ
り、内部の窪み内のフラツシユは窪み内のリード
先端部に設けられた金属細線結合部を破壊する場
合もあるという致命的な問題を生じる。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、以下１実施例を示す第４図〜第６図によりそ
の内容を説明する。 第４図において予め成形された半導体類を収納
するための周辺部薄肉側壁部１５，１５′と厚肉
側壁部１６，１６′を有する窪み１１，１１′およ
び厚肉側壁部に融合合体時に生じる余剰樹脂を溜
めるための溶融樹脂溜め用窪み１８，１８′のあ
る２個の溶融樹脂溜め用窪み付き熱可塑性樹脂板
状体１７，１７′および図には示されていない
が、半導体を装着したリードフレーム５を窪み付
き金型１４，１４′にとりつけ、リードフレーム
および熱可塑性樹脂板状体を所定の温度に加熱し
た後プレスによつて加圧し、該熱可塑性樹脂板状
体を融合合体せしめる。 この際熱可塑性樹脂板状体をとりつける窪み付
金型１４，１４′には該熱可塑性樹脂板状体を密
着してとりつけることのできる熱可塑性樹脂板状
体とりつけ用窪み１９，１９′を設けてある。該
窪みの形状は深さt2を熱可塑性樹脂板状体の厚さ
t1より小さくしてある以外は該熱可塑性樹脂板状
体と少なくともその窪み開口部周辺において同一
形状であり、該熱可塑性樹脂板状体の外表面を該
窪みの少なくとも開口部周辺の壁面に密着させる
ことができる形状である。 t1―t2に相当する部分が融合合体時に溶融流動
する樹脂部分であり、この量はリードフレームの
形状によつて決定されるものであるが、t1―t2が
0.1mm以上0.7mm以下好ましくは0.2mm以上0.5mm以
下の場合に有害なフラツシユも認められずまた十
分な気密性が得られた。0.1mm未満の場合には溶
融流動し得る樹脂量が少なく十分な気密性が得ら
れなかつた。また0.7mmを越えた場合熱可塑性樹
脂板状体の合体面と金型との距離が大き過ぎるた
めに金型への放熱が遅れる結果該合体面外周辺の
温度が必要以上に高くなり、溶融樹脂の粘度が低
下して有害なフラツシユの発生が認められた。 該金型は温度調節が可能な構造でありその温度
は熱可塑性樹脂板状体の材料として使用する熱可
塑性樹脂の溶融流動特性、溶融樹脂量によつて異
なるが有害なフラツシユが発生しない温度に保つ
必要がある。 このような熱可塑性樹脂板状体をとりつけ冷却
するための窪みを設けた金型を使用することによ
つてパツケージ外部へのフラツシユを抑えたため
に結果的には窪み１１，１１′へのフラツシユ量
が多くなるが、本発明では厚肉側壁部に少なくと
も１個以上の窪み１８，１８′を設けリードと樹
脂の接着に必要十分な加熱加圧を行つた際に生ず
るフラツシユの原因となる溶融樹脂を該窪みへ流
し込むようにすることによつて、半導体類を収納
している窪み１１，１１′へのフラツシユを極め
て少はくしリード先端部に設けた金属細線の結線
部の破損を皆無にすることができた。 実施例 １ ポリフエニレンサルフアイド（フイリツプス社
製ライトンPPS：Ｒ―４）を用いて第５図のよう
な形状の熱可塑性樹脂状体を成形し、半導体集積
回路を装着した厚さ250μの16ピンDIP型リード
フレームと共に第４図に示すように30℃に保つた
加圧合体用の窪み付金型にとりつけ400℃の熱盤
を挟んで５秒間加熱した後、熱盤を取り去つて圧
力30mg／cm3で加圧合体した。合体後パツケージ内
外のフラツシユの観線、I.C.テスターによる断線
の確認、オートタレーブ中で５ft／cm2加圧下にお
ける赤色アルコール溶液浸漬試験による気密性の
確認を行つた。結果は第１表に示した通りいずれ
も良好であつた。 実施例 ２ 窪み付金型の温度を60℃に保つた以外は実施例
１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツケ
ージは第１表に示した通り良好な結果であつた。 実施例 ３ 加熱方法を450℃の熱風で10秒間加熱する方法
を用いた以外は実施例１と同じ方法で合体した。
得られた半導体パツケージは第１表に示した通り
良好な結果であつた。 実施例 ４ 加熱方法を800℃のヒーターからの輻射熱で30
秒間加熱する方法を用いた以外は実施例１と同じ
方法で合体した。得られた半導体パツケージは第
１表に示した通り良好な結果であつた。 比較例 １ 合体用金型の温度を100℃に保つた以外は実施
例１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツ
ケージは表１に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ２ 熱可塑性樹脂板状体として第５図における窪み
１８，１８′を設けないものを用いた以外は実施
例１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツ
ケージは表１に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ３ 合体用金型として第６図の窪み１９，１９′を
設けない平面金型を用いた以外は実施例１と同じ
方法で合体した。得られた半導体パツケージは第
１表に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ４ 合体用金型は30℃に保つた平面金型を用い熱可
塑性樹脂板状体としては第５図の窪み１８，１
８′のないものを使用し、合体圧力を15ft／cm3と
した以外は実施例１と同じ方法で合体した。得ら
れれた半導体パツケージは第１表に示した通り欠
陥が認められた。
半導体素子や、これら半導体の集積回路（以下半
導体類と称す）を気密収納する為のパツケージ成
形方法、更に詳しくは半導体類を装着したリード
フレームを予め成形された少なくとも１個が半導
体類を収納するための周辺側壁部の厚さが位置に
より異なる窪みを有する二個の熱可塑性樹脂板状
成形品（以下熱可塑性樹脂板状体と称す）により
挟んだ状態で一体密封化することを特徴とする熱
可塑性樹脂製のフラツトパツケージ及びデユアル
インラインパツケージの製法に関するものであ
る。 従来、半導体類のパツケージ方法には金属、セ
ラミツクス及びガラス等で気密シールを行なうパ
ツケージ方式とプラスチツクによるパツケージ方
式とがありチツプの保護技術の進歩による信頼性
の向上により、最近は廉価なプラスチツクパツケ
ージが主流となつている。 現在実用に供せられているプラスチツクパツケ
ージにはその製造方式によりいわゆるモールド法
と注入法の２種類がある 中でも金属との密着性、耐湿性、電気及び機械
的特性などに優れたエポキシ樹脂のトランスフア
ーモールド法によるプラスチツクパツケージが最
も多く用いられている。 このモールド法は第１図に示すようにタブ１上
の半導体類のチツプ２の電極とリード４を金やア
ルミ等の金属細線３により電気的に結合した状態
のリードフレーム５を上型６及び下型７の間に挟
み、図示はしていないがスプルー、ランナー、ゲ
ートを介してトランスフアー成形機より成形樹脂
材料をキヤビテイ８に充填成形する方法である。 この方法の難点はリードフレームの厚みのバラ
ツキ、金型加工の精度及び使用にともなう摩耗、
寸法の狂い等により、金型とリードフレーム間に
隙間が出来、この部分およびその周辺にフラツシ
ユの出る場合が多いことでありこれらリード上の
フラツシユはリードとソケツトとの接触不良や半
田づけ作業の妨げの原因となるため除去作業が必
要となる等の欠点があつた。 更に、この方法では樹脂による封止成形中にチ
ツプが成形樹脂材料と直接接触することにより高
温、高圧の状態におかれるため、場合によつては
半導体機能の信頼性に影響を及ぼすといつた欠点
もあつた。 このような欠点を解決するために第２図および
第３図に示すように予め成形された少なくとも１
個が半導体類を収納するための窪みを有する、２
個の熱可塑性樹脂板状体１０，１０′をプレス機
能を有する平面金型９，９′に取付け、図には示
されていないが半導体類を装着したリードフレー
ム５と共にヒーター１２で合体に必要な温度まで
加熱し溶融樹脂をプレス圧力によつてリードフレ
ームのリード間隙１３に流し込み充填することよ
りなる半導体類のパツケージ法が提案されてい
る。 しかしかかる方法においても次のような欠陥が
あつた。 即ち、熱可塑性樹脂板状体の合体面を加熱溶融
した後、リードフレームを挟んでプレスで加圧し
て融合合体する過程は、加熱溶融された熱可塑性
樹脂板状体の合体面へリードフレームのリードが
プレス圧力によつて押込まれる過程()およびリ
ードが押込まれることによつて排除された溶融樹
脂がリード間隙を流れて充填する過程()よりな
つている。()の過程においては溶融樹脂がプレ
ス圧力によつてリード表面を流れることによつて
リード表面と熱可塑性樹脂板状体の合体面との境
界に存在する空気を押出してリード表面を樹脂で
十分濡らすることによつて接着強度を向上させ
る。()の過程においては溶融樹脂がリード間隙
を流れながら存在する空気を排除し樹脂で充填し
ていくことによつてリードフレームを抱き込んだ
形で２個の熱可塑性樹脂板状体とリードフレーム
とが合体される。 十分な接着力を得るために必要な圧力を加えた
場合()の過程においてリードの押込まれる量が
多くなり()の過程においてリード間隙を充填し
てなお余剰の溶融樹脂がフラツシユとなつてパツ
ケージの合体部外周辺および内部の窪みへ流れ出
す結果となる。 パツケージ合体部外周辺のフラツシユは、樹脂
モールドの場合と同様にリードとソケツトの接触
不良や半田付け作業の妨げの原因となる場合があ
り、内部の窪み内のフラツシユは窪み内のリード
先端部に設けられた金属細線結合部を破壊する場
合もあるという致命的な問題を生じる。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、以下１実施例を示す第４図〜第６図によりそ
の内容を説明する。 第４図において予め成形された半導体類を収納
するための周辺部薄肉側壁部１５，１５′と厚肉
側壁部１６，１６′を有する窪み１１，１１′およ
び厚肉側壁部に融合合体時に生じる余剰樹脂を溜
めるための溶融樹脂溜め用窪み１８，１８′のあ
る２個の溶融樹脂溜め用窪み付き熱可塑性樹脂板
状体１７，１７′および図には示されていない
が、半導体を装着したリードフレーム５を窪み付
き金型１４，１４′にとりつけ、リードフレーム
および熱可塑性樹脂板状体を所定の温度に加熱し
た後プレスによつて加圧し、該熱可塑性樹脂板状
体を融合合体せしめる。 この際熱可塑性樹脂板状体をとりつける窪み付
金型１４，１４′には該熱可塑性樹脂板状体を密
着してとりつけることのできる熱可塑性樹脂板状
体とりつけ用窪み１９，１９′を設けてある。該
窪みの形状は深さt2を熱可塑性樹脂板状体の厚さ
t1より小さくしてある以外は該熱可塑性樹脂板状
体と少なくともその窪み開口部周辺において同一
形状であり、該熱可塑性樹脂板状体の外表面を該
窪みの少なくとも開口部周辺の壁面に密着させる
ことができる形状である。 t1―t2に相当する部分が融合合体時に溶融流動
する樹脂部分であり、この量はリードフレームの
形状によつて決定されるものであるが、t1―t2が
0.1mm以上0.7mm以下好ましくは0.2mm以上0.5mm以
下の場合に有害なフラツシユも認められずまた十
分な気密性が得られた。0.1mm未満の場合には溶
融流動し得る樹脂量が少なく十分な気密性が得ら
れなかつた。また0.7mmを越えた場合熱可塑性樹
脂板状体の合体面と金型との距離が大き過ぎるた
めに金型への放熱が遅れる結果該合体面外周辺の
温度が必要以上に高くなり、溶融樹脂の粘度が低
下して有害なフラツシユの発生が認められた。 該金型は温度調節が可能な構造でありその温度
は熱可塑性樹脂板状体の材料として使用する熱可
塑性樹脂の溶融流動特性、溶融樹脂量によつて異
なるが有害なフラツシユが発生しない温度に保つ
必要がある。 このような熱可塑性樹脂板状体をとりつけ冷却
するための窪みを設けた金型を使用することによ
つてパツケージ外部へのフラツシユを抑えたため
に結果的には窪み１１，１１′へのフラツシユ量
が多くなるが、本発明では厚肉側壁部に少なくと
も１個以上の窪み１８，１８′を設けリードと樹
脂の接着に必要十分な加熱加圧を行つた際に生ず
るフラツシユの原因となる溶融樹脂を該窪みへ流
し込むようにすることによつて、半導体類を収納
している窪み１１，１１′へのフラツシユを極め
て少はくしリード先端部に設けた金属細線の結線
部の破損を皆無にすることができた。 実施例 １ ポリフエニレンサルフアイド（フイリツプス社
製ライトンPPS：Ｒ―４）を用いて第５図のよう
な形状の熱可塑性樹脂状体を成形し、半導体集積
回路を装着した厚さ250μの16ピンDIP型リード
フレームと共に第４図に示すように30℃に保つた
加圧合体用の窪み付金型にとりつけ400℃の熱盤
を挟んで５秒間加熱した後、熱盤を取り去つて圧
力30mg／cm3で加圧合体した。合体後パツケージ内
外のフラツシユの観線、I.C.テスターによる断線
の確認、オートタレーブ中で５ft／cm2加圧下にお
ける赤色アルコール溶液浸漬試験による気密性の
確認を行つた。結果は第１表に示した通りいずれ
も良好であつた。 実施例 ２ 窪み付金型の温度を60℃に保つた以外は実施例
１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツケ
ージは第１表に示した通り良好な結果であつた。 実施例 ３ 加熱方法を450℃の熱風で10秒間加熱する方法
を用いた以外は実施例１と同じ方法で合体した。
得られた半導体パツケージは第１表に示した通り
良好な結果であつた。 実施例 ４ 加熱方法を800℃のヒーターからの輻射熱で30
秒間加熱する方法を用いた以外は実施例１と同じ
方法で合体した。得られた半導体パツケージは第
１表に示した通り良好な結果であつた。 比較例 １ 合体用金型の温度を100℃に保つた以外は実施
例１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツ
ケージは表１に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ２ 熱可塑性樹脂板状体として第５図における窪み
１８，１８′を設けないものを用いた以外は実施
例１と同じ方法で合体した。得られた半導体パツ
ケージは表１に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ３ 合体用金型として第６図の窪み１９，１９′を
設けない平面金型を用いた以外は実施例１と同じ
方法で合体した。得られた半導体パツケージは第
１表に示した通り欠陥が認められた。 比較例 ４ 合体用金型は30℃に保つた平面金型を用い熱可
塑性樹脂板状体としては第５図の窪み１８，１
８′のないものを使用し、合体圧力を15ft／cm3と
した以外は実施例１と同じ方法で合体した。得ら
れれた半導体パツケージは第１表に示した通り欠
陥が認められた。
【表】
以上説明したように本発明においては次の効果
が達成される。 １ 少なくとも１個が半導体類を収納するための
窪みを有する熱可塑性樹脂板状体を使用するこ
とにより半導体類とリード間の結線損傷が皆無
となると共に半導体類、金属細線、リード先端
の結線部が樹脂と接触していないためにイオン
性不純物が接触し難い等の理由により半導体機
能の信頼性が向上する。 ２ 従来の熱可塑性樹脂によるモールド封止法に
比べ融合合体時の樹脂粘度が高い上に金型を冷
却することによつて合体面の外周辺部だけ更に
高粘度に保ち得るために融合合体時のフラツシ
ユの発生がほとんど認められず工程の軽減が計
れる。
が達成される。 １ 少なくとも１個が半導体類を収納するための
窪みを有する熱可塑性樹脂板状体を使用するこ
とにより半導体類とリード間の結線損傷が皆無
となると共に半導体類、金属細線、リード先端
の結線部が樹脂と接触していないためにイオン
性不純物が接触し難い等の理由により半導体機
能の信頼性が向上する。 ２ 従来の熱可塑性樹脂によるモールド封止法に
比べ融合合体時の樹脂粘度が高い上に金型を冷
却することによつて合体面の外周辺部だけ更に
高粘度に保ち得るために融合合体時のフラツシ
ユの発生がほとんど認められず工程の軽減が計
れる。
第１図はモールド法による半導体類のパツケー
ジ成形方法を示す断面図、第２図、第３図は熱可
塑性樹脂体を用いる場合の一般的なパツケージ成
形方法を示す断面図、第４図は本発明の一実施例
を示す断面図、第５図は本発明に使用する熱可塑
性樹脂板状の合体面形状の一例を示す平面図、第
６図は本発明に使用する金型の断面形状の一例と
熱可塑性樹脂板状体とのとり合いを示した図であ
る。 符号の説明、１……タブ、２……半導体類のチ
ツプ、３……金属細線、４……リード、５……リ
ードフレーム、６……上型、７……下型、８……
キヤビテイ、９，９′……平面金型、１０，１
０′……熱可塑性樹脂板状体、１１，１１′……窪
み、１２……ヒーター、１３……リード間隙、１
４，１４′……窪み付金型、１５，１５′……薄肉
側壁部、１６，１６′……厚肉側壁部、１７，１
７′……溶融樹脂溜め用窪みつき熱可塑性樹脂板
状体、１８，１８′……溶融樹脂溜め用窪み、１
９，１９′……熱可塑性樹脂板状体取付用窪み。
ジ成形方法を示す断面図、第２図、第３図は熱可
塑性樹脂体を用いる場合の一般的なパツケージ成
形方法を示す断面図、第４図は本発明の一実施例
を示す断面図、第５図は本発明に使用する熱可塑
性樹脂板状の合体面形状の一例を示す平面図、第
６図は本発明に使用する金型の断面形状の一例と
熱可塑性樹脂板状体とのとり合いを示した図であ
る。 符号の説明、１……タブ、２……半導体類のチ
ツプ、３……金属細線、４……リード、５……リ
ードフレーム、６……上型、７……下型、８……
キヤビテイ、９，９′……平面金型、１０，１
０′……熱可塑性樹脂板状体、１１，１１′……窪
み、１２……ヒーター、１３……リード間隙、１
４，１４′……窪み付金型、１５，１５′……薄肉
側壁部、１６，１６′……厚肉側壁部、１７，１
７′……溶融樹脂溜め用窪みつき熱可塑性樹脂板
状体、１８，１８′……溶融樹脂溜め用窪み、１
９，１９′……熱可塑性樹脂板状体取付用窪み。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１個が半導体類を収納するための
周辺側壁部の厚さが位置により異なる窪みを有す
る、２個の熱可塑性樹脂板状成形品により、半導
体類を装着したリードフレームを挟み、加熱加圧
して熱可塑性樹脂板状成形品を融合合体せしめる
半導体類のパツケージ成形方法において、窪みに
より形成される熱可塑性樹脂板状成形品の薄肉側
壁部の合体面を除いた厚肉側壁部の合体面、およ
び窪みを有しない熱可塑性樹脂板状成形品の場合
には融合合体時に窪みを有する熱可塑性樹脂板状
成形品の厚肉側壁部に対応する合体面のいずれか
一方もしくは双方の少なくとも１箇所以上に溶融
樹脂溜め用の窪みを少なくとも１個以上有する熱
可塑性樹脂板状成形品と、融合合体時に該熱可塑
性樹脂板状成形品を固定冷却するための窪み付金
型を用いることを特徴とする半導体類のパツケー
ジ成形方法。 ２ 加熱方法が熱盤に接触させる方法である特許
請求の範囲第１項記載の半導体類のパツケージ成
形方法。 ３ 加熱方法が熱風である特許請求の範囲第１項
記載の半導体類のパツケージ成形方法。 ４ 加熱方法が輻射である特許請求の範囲第１項
記載の半導体類のパツケージ成形方法。 ５ 半導体類のパツケージとして有害なフラツシ
ユを発生させない温度に金型を温調する特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半
導体類のパツケージ成形方法。 ６ 熱可塑樹脂板状成形品をとりつけるための金
型の窪みは、その深さt2と該熱可塑性樹脂板状成
形品の厚みt1の差t1―t2が0.1mm以上0.7mm以下であ
り窪みの壁面と該熱可塑性樹脂板状成形品の合体
面を除く外表面が少なくとも該窪みの開口部周辺
において密着できる形状の窪みである特許請求の
範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の半導
体類のパツケージ成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10996579A JPS5633847A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Package molding for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10996579A JPS5633847A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Package molding for semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5633847A JPS5633847A (en) | 1981-04-04 |
| JPS6122467B2 true JPS6122467B2 (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=14523633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10996579A Granted JPS5633847A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Package molding for semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5633847A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313352A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体類の封止方法 |
-
1979
- 1979-08-28 JP JP10996579A patent/JPS5633847A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5633847A (en) | 1981-04-04 |
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