JPH0858155A - Ｌｅｄプリントヘッド、およびｌｅｄアレイチップ、ならびにそのｌｅｄアレイチップの製造方法 - Google Patents

Ｌｅｄプリントヘッド、およびｌｅｄアレイチップ、ならびにそのｌｅｄアレイチップの製造方法

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JPH0858155A
JPH0858155A JP19934594A JP19934594A JPH0858155A JP H0858155 A JPH0858155 A JP H0858155A JP 19934594 A JP19934594 A JP 19934594A JP 19934594 A JP19934594 A JP 19934594A JP H0858155 A JPH0858155 A JP H0858155A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＥＤプリントヘッドの光源として、感光剤
に対して有用な特性を備えた光を発する半導体発光素子
ないしＬＥＤアレイチップを提供して、使用可能な感光
剤の種類が特定のものに限定されないようにする。 【構成】 絶縁性基板２の表面上に、窒化ガリウム系化
合物半導体の積層部３を備えるとともに、この積層部３
が５５０ｎｍ以下の波長の光を発する積層構造となるよ
うに構成されている半導体発光素子（ＬＥＤアレイチッ
プ１）を、ＬＥＤプリントヘッドの感光体に対して光を
照射するための光源とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、ＬＥＤプリントヘッ
ドおよびＬＥＤアレイチップならびにその製造方法に関
し、特に、ＬＥＤプリントヘッドの光源として好適な機
能を発揮することが可能な半導体発光素子の応用技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＬＥＤプリントヘッドは、基板
上に搭載された複数個のＬＥＤアレイチップと、各ＬＥ
Ｄアレイチップの発光ドットを印字情報にしたがって駆
動する複数個の駆動用ＩＣとを基本的に備えている。そ
して、上記ＬＥＤアレイチップの発光ドット列からの光
を、光学レンズ系を介して電子写真プロセスの感光体の
表面に結像させる構成とされている。
【０００３】そして、上記ＬＥＤアレイチップから発せ
られた光が感光体の表面で結像された際には、その表面
部の感光剤に化学変化が生じることに起因して記録紙等
への印字作用が行われる。その場合、上記ＬＥＤアレイ
チップから発せられる光としては、その光学的特性等を
勘案して、赤外に近い７８０ｎｍ程度の波長の光を使用
するのが通例とされていた。
【０００４】一方、従来における上記ＬＥＤアレイチッ
プの詳細構造は、たとえば平面視長矩形状をしたガリウ
ム・砒素系のチップ表面に長手方向等間隔に配置された
複数のＬＥＤ発光部と、これらの各発光部に個別に導通
するようにチップ表面の側縁部に形成された複数のワイ
ヤボンディング用パッドとを備える。詳しくは、１個の
ＬＥＤアレイチップ上にはたとえば６４個の発光部が等
間隔に設けられ、したがって、たとえば１ｍｍ内に８ド
ットの印字密度でＢ４幅の印字を行うようにするために
は、３２個のＬＥＤアレイチップが直線状に配置される
ことになる。
【０００５】この場合、上記ＬＥＤアレイチップにおけ
るチップ表面に複数のＬＥＤ発光部を形成する方法は、
従来においては、基板上に形成されたＮ型半導体層の表
面に等間隔毎にＰ型の不純物を拡散することにより行わ
れていた。
【０００６】なお、上記駆動用ＩＣは、ＬＥＤアレイチ
ップごとにその駆動を担当するようになされるのが通例
である。したがって、上記の場合を例に挙げると、駆動
用ＩＣは６４個の出力パッドをもっており、これら各出
力パッドが上各ＬＥＤアレイチップ上の上記ワイヤボン
ディング用パッドに電気的に導通状態とされる。
【０００７】加えて、従来におけるＬＥＤプリントヘッ
ドの構成によれば、上記ＬＥＤアレイチップ上の各ワイ
ヤボンディング用パッドと対応する駆動用ＩＣ上の出力
パッド間を、基板に形成した配線パターンを介して接続
している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＬＥＤプリントヘッドによれば、ＬＥＤアレイチップか
ら光学レンズ系を介して感光体に照射される光の波長が
長いため、使用可能な感光剤が限定されてしまう問題が
ある。これは、この種の感光剤は、照射光の波長が短い
場合に比して長い場合の方が化学変化が生じ難いという
特性を有していることによる。
【０００９】そして、上記感光剤に十分な化学変化が生
じなければ、感光体の表面の帯電状況等が適切でなくな
るなどして電子写真作用に支障を来し、鮮明な印字等が
行えなくなり、印字品質上の問題が生じる。
【００１０】なお、上記のような不具合に対処するに
は、従来とは異なるＬＥＤアレイチップを使用せざるを
得なくなるが、その相違点がたとえば化合物半導体の組
成や積層構造である場合に、上記例示したような不純物
拡散による従来手法によりその相違するＬＥＤアレイチ
ップを製造することは困難あるいは不可能になる。
【００１１】本願発明は、上述の事情のもとで考え出さ
れたものであって、ＬＥＤプリントヘッドの光源とし
て、感光剤に対して有用な特性を備えた光を発する半導
体発光素子もしくはＬＥＤアレイチップを提供して、使
用可能な感光剤の種類が極めて狭い範囲内の特定のもの
に限定されないようにすることをその課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１３】すなわち、本願の請求項１に記載した発明
は、ＬＥＤプリントヘッドの光源に係るものであって、
絶縁性基板の表面上に、窒化ガリウム系化合物半導体の
積層部を備えるとともに、この積層部が５５０ｎｍ以下
の波長の光を発する積層構造となるように構成されてい
る半導体発光素子を、感光体に対して光を照射するため
の光源としたことを特徴としている。
【００１４】また、本願の請求項２に記載した発明は、
主としてＬＥＤプリントヘッドに使用されるＬＥＤアレ
イチップであって、絶縁性基板の表面上に一直線上に沿
うように形成された窒化ガリウム系化合物半導体の積層
部と、この積層部に長手方向所定間隔毎にエッチングま
たは電子ビーム照射により形成された絶縁部とを備え、
上記積層部における絶縁部の非形成箇所を、個別発光が
可能な複数の単位発光部で構成される発光ドット列とし
たことを特徴としている。
【００１５】さらに、本願の請求項３に記載した発明
は、上記ＬＥＤアレイチップの製造方法であって、絶縁
性基板の表面上に連続して一直線上に延びる窒化ガリウ
ム系化合物半導体の積層部を形成する工程と、その積層
部の長手方向に対して所定間隔毎にエッチング処理また
は電子ビーム照射処理を施すことにより上記積層部を発
光領域と非発光領域とに交互に区分する工程と、上記積
層部の各発光領域のＰ型半導体層に導通される個別電極
パターン、および上記各発光領域のＮ型半導体層に導通
される共通電極パターンを形成する工程と、を少なくと
も備えていることを特徴としている。
【００１６】
【発明の作用および効果】上記請求項１に記載した発明
によれば、サファイア基板等の絶縁性基板上に窒化ガリ
ウム系化合物半導体でなるＮ型層、発光層およびＰ型層
を形成して得られる半導体発光素子、具体的には、上記
の積層構造が波長５５０ｎｍ以下の光を発するように構
成された半導体発光素子がＬＥＤプリントヘッドの光源
として使用される。
【００１７】この場合、たとえば発光色が緑色である場
合の波長は５６３〜５６５ｎｍ程度であり、ピュアー緑
色である場合の波長は５５５ｎｍ程度である。そこで、
窒化ガリウム系化合物半導体の特定の積層構造（以下の
実施例で詳述する）を絶縁基板上に形成することによ
り、青色の発光色（５５０ｎｍ以下の波長の光）を有し
かつ十分な高輝度特性を備えた半導体発光素子が得られ
ることに着目して、この青色発光の半導体発光素子を上
記ＬＥＤプリントヘッドの光源として使用すればよいこ
とになる。
【００１８】このように、従来（７８０ｎｍ程度の波
長）よりもはるかに短い波長の光が、光学レンズ系等を
介して感光体に照射されることにより、その短波長特性
に起因して感光剤に化学変化が生じ易い状態となる。し
たがって、感光体の表面の帯電状況等が適切な態様とな
り、電子写真作用が支障なく行われ、印字品質が向上す
るという利点が得られる。
【００１９】一方、上記請求項２に記載した発明によれ
ば、サファイア基板等の絶縁性基板の表面上に形成され
た窒化ガリウム系化合物半導体の積層部に対して、エッ
チングまたは電子ビーム照射による絶縁部を所定間隔毎
に形成することにより、発光ドット列を有するＬＥＤア
レイチップが形成される。これにより、従来の赤色発光
用のＬＥＤアレイチップとは異なる化合物半導体層で構
成される高輝度特性を備えた青色発光用のＬＥＤアレイ
チップにおける発光ドット列の形成が正確かつ円滑に行
われる。加えて、この種のＬＥＤアレイチップにおける
発光ドットの高密度化をも図り得ることになる。
【００２０】また、上記請求項３に記載した発明によれ
ば、サファイア基板等の絶縁基板の表面に対して一直線
上に延びる積層部が連続状に形成された後に、エッチン
グ処理または電子ビーム照射処理により発光ドット列が
形成される。この場合、絶縁基板上への積層部の形成
は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により行
われるのが通例であるが、この後に上記積層部の外表面
部に位置するＰ型半導体層が低抵抗化されねば、要請さ
れる高輝度特性を得ることはできない。そこで、通例に
おいては、上記積層部の形成後における素子に対してア
ニール工程を実施することにより、上記Ｐ型半導体層の
低抵抗化が行われる。
【００２１】そして、上記アニール工程による低抵抗化
を行うことを前提とすれば、上記連続状の積層部に対し
て所定間隔毎にエッチングを行うことにより、その各残
余部分を各単位発光部とする発光ドット列が形成され
る。これに対して、上記アニール工程による低抵抗化を
行わないことを前提とすれば、上記Ｐ型半導体層に対し
て所定間隔毎に電子ビームを照射して、その各照射部部
分のみを低抵抗化することにより、上記各照射部分を単
位発光部とする発光ドット列が形成される。
【００２２】以上のようなエッチングや電子ビーム照射
による発光ドット列の形成は、従来のようにＮ型半導体
層にＰ型不純物を拡散させる手法とは全く異なるもので
あり、上記青色発光に特有の積層構造を備えたＬＥＤア
レイチップの製造に適したものと言える。そして、発光
ドットの高密度化の要請に応じた上で、作業性の向上や
量産化をも図り得ることになる。
【００２３】
【実施例の説明】以下、本願発明の好ましい実施例を、
図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２４】図１は本願発明の第１実施例に係るＬＥＤ
アレイチップの基本的概念を示す概略平面図、図２ない
し図６は上記ＬＥＤアレイチップの構成あるいは製造方
法をより具体化して示す図面である。
【００２５】図１に示すように、上記第１実施例に係る
ＬＥＤアレイチップ１は、透明のサファイア基板２の表
面上に一直線上に沿って形成した後述する積層部３に対
して、長手方向所定間隔毎に絶縁部４を形成することに
より、複数の単位発光部５を備えた発光ドット列Ｘを構
成したものである。そして、上記各単位発光部５の所定
箇所に対しては、ワイヤボンディング用パッド６ａを有
するＰ側の各個別電極パターン６と、グランドに通じる
共通電極パターン７とが電気的に接続されている。
【００２６】上記ＬＥＤアレイチップ１の具体的構造の
一例をその製造方法とともに説明すると、次に示す通り
である。
【００２７】まず、図２に示すように、透明のサファイ
ア基板２上にＧａＮのバッファ層９を形成し、このバッ
ファ層９の表面上に、下層部分から順に、Ｎ型ＧａＮの
層１０と、Ｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層１１と、Ｉｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎの発光層１２と、Ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8
Ｎの層１３と、Ｐ型ＧａＮの層１４と、を形成する。こ
の積層構造は、青色に対応した波長（好ましくは４７０
ｎｍ）の光を発光させるようになっている。
【００２８】加えて、上記Ｎ型ＧａＮの層１０およびＮ
型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層１１には、Ｓｉが添加され、
Ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層１３およびＰ型ＧａＮの層
１４には、Ｍｇが添加されるとともに、上記Ｉｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎの発光層１２にはＺｎが添加される。そして、
上記Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎの発光層１２におけるＩｎのＧ
ａに対する組成比（混晶比）を増加させた場合には、こ
の発光層１２から発せられる光の波長が長くなるととも
に、上記Ｚｎの添加量を増加させた場合には、上記組成
比を増加させた場合よりもさらに光の波長が長くなると
いう特性を備えている。なお、上記各層の厚みは、下層
側から各層１０、１１、１２、１３、１４のそれぞれの
順に、たとえば３μｍ、３００ｎｍ、５０ｎｍ、３００
ｎｍ、１５０ｎｍに設定されている。また、上記の積層
部３は、平面視長矩形状のサファイア基板２の略表面全
域に対してＭＯＣＶＤ法を用いて形成される。
【００２９】以上の各層の積層構造が形成された後は、
摂氏７００度の温度条件下で約２０分間にわたって窒素
ガス中に上記素子を晒すことにより、アニール工程を実
行する。この結果、上記積層部３の表面部に存するＰ型
半導体層１４（および１３）が低抵抗化される。
【００３０】次に、図３に示すように、上記積層部３の
前方側と後方側とのそれぞれの所定幅領域Ａ１，Ａ２
を、下層部のＮ型ＧａＮの層１０とサファイア基板２の
表面とが露出状態になるように、かつ上記積層部３に所
定間隔毎に絶縁用溝１６が形成されるようにエッチング
処理を行う。この時点で、上記サファイア基板２上に
は、長手方向に沿って所定間隔毎に複数の単位発光部５
が形成された状態となる。
【００３１】この後、図４に示すように、上記積層部３
に形成された各絶縁用溝１６に、ポリイミドやＳｉＯ2
等の絶縁介装材１６ａを埋め込むとともに、上記積層部
３の後方側の領域Ａ２における除去部分にも、ポリイミ
ドやＳｉＯ2 等の絶縁層１６ｂを付加形成する。この場
合、上記絶縁層１６ｂの上面と各単位発光部５の上面と
は略面一状態となるようにする。なお、上記絶縁介装材
１６ａの埋め込みと、上記絶縁層１６ｂの形成とは、同
一の材料を用いて同一の手法で同時に行うことが可能で
ある。
【００３２】さらにこの後、図４、図５および図６に示
すように、上記各単位発光部５の上面（Ｐ型ＧａＮの層
１４）から上記絶縁層１６ｂの上面にわたって、相互に
独立した複数の個別電極パターン６が形成されるととも
に、上記各単位発光部５の前方側の所定幅領域Ａ１にお
けるＮ型ＧａＮの層１０の表面に共通電極パターン７が
形成される。なお、上記個別電極パターン６のワイヤボ
ンディング用パッド６ａは、発光ドット列Ｘの高密度化
を図るために、千鳥状に配列されている。
【００３３】なお、上記例示したものは、最終的に単一
のチップとして得られるものであるが、実際の製造に際
しては、所定面積のウエハに対して上記各図に示すよう
な構造のものを複数箇所に一括して形成した後、ダイシ
ングにより複数個のＬＥＤアレイチップ１に分割すると
いう手法が採用される（後述する第２実施例についても
同様）。
【００３４】以上のようにして得られたＬＥＤアレイチ
ップ１は、たとえば図７に示すような状態で、ＬＥＤプ
リントヘッド２０に組み込まれる。
【００３５】すなわち、同図に示すように、上記ＬＥＤ
アレイチップ１を、その発光ドット列Ｘが紙面と直交す
る状態になるように基板２１上にボンディングするとと
もに、このＬＥＤアレイチップ１と所定寸法離間させて
駆動用ＩＣ２２を上記基板２１上に搭載する。そして、
上記ＬＥＤアレイチップ１上の各ワイヤボンディング用
パッド６ａと駆動用ＩＣ２２上の出力パッドとの間を第
１のワイヤボンディング部Ｗ１により、上記ＬＥＤアレ
イチップ１上の共通電極パターン７と基板２１上のグラ
ンド用の配線パターンとの間を第２のワイヤボンディン
グ部Ｗ２により接続するとともに、上記駆動用ＩＣ２２
上の入力パッドと基板２１上のＩＣ制御用の配線パター
ンとの間を第３のワイヤボンディング部Ｗ３によって接
続する。
【００３６】さらに、上記基板２１の上方を覆うカバー
部材２３に、正立等倍型あるいは屈折率分布型のレンズ
アレイ２４を保持させるとともに、上記基板２１を放熱
板２５の上面に配置させた状態でバネ部材２６の作用に
より上記カバー部材２３に対して固定状態とする。
【００３７】このような構成を備えたＬＥＤプリントヘ
ッド２０によれば、上記駆動用ＩＣ２２からの信号に基
づいてＬＥＤアレイチップ１の各単位発光部５から発せ
られた光が、レンズアレイ２４を通過して感光体２７の
周面に結像される。
【００３８】この場合、上記ＬＥＤアレイチップ１の各
単位発光部５から発せられる光の波長は、既述のよう
に、青色光に対応した短い波長（好ましくは４７０ｎ
ｍ）であることから、感光体２７の周面における感光剤
に対して化学変化を生じさせ易いという現象が得られ
る。この結果、上記感光体２７に対する良好な帯電状況
等が得られることにより適切な電子写真作用が行われ、
印字品位が向上することになる。加えて、従来のように
赤外線に近い長い波長の光を使用していた場合のよう
に、化学変化が生じ難いことに伴って感光剤を限定せざ
るを得なくなるという不具合が回避され、感光剤の選択
の自由度が向上する。
【００３９】なお、上記ＬＥＤアレイチップ１から発せ
られる光の波長は、５５０ｎｍ以下であれば、上記と略
同様の効果が得られる。また、光学レンズ系としては、
上記正立等倍型のレンズアレイに代えて、拡大または縮
小作用を行うことが可能な凸レンズ系を使用してもよ
い。
【００４０】ところで、上記第１実施例に係るＬＥＤア
レイチップ１は、サファイア基板２に連続状に形成され
た積層部３に対してエッチング処理を行うことにより、
所定間隔毎に絶縁用溝１６を形成して発光ドット列Ｘを
作製したものであるが、これに代えて、以下の第２実施
例に示すような手法および構成を採用することも可能で
ある。なお、以下の第２実施例の説明に際して、上述の
第１実施例と共通の構成要件については同一符号を付し
てその説明を省略する。
【００４１】すなわち、この第２実施例に係るＬＥＤア
レイチップ１は、図８にその概略構成を示すように、サ
ファイア基板２の表面上に、上記と同様の方法に基づい
て上記と同様の構造を備えた連続状の積層部３を形成し
た後、アニール工程を行わずに、その表面部に対して長
手方向所定間隔毎に電子ビームを照射する。
【００４２】この結果、上記電子ビームの照射部分に対
応する積層部３の表面部のみが、その高エネルギーによ
り低抵抗化されることにより、複数の単位発光部５とな
るのに対して、電子ビームの非照射部分１６ｘは上記表
面部が高抵抗値を示すことにより絶縁部となる。したが
って、上記積層部３は、連続状に延びた形態を維持した
状態で、発光領域である各単位発光部５と非発光領域で
ある各絶縁部１６ｘとが交互に配列されてなる発光ドッ
ト列Ｘを構成することになる。
【００４３】なお、上記各単位発光部５に対する各個別
電極パターン６の形成状態や共通電極パターン７の形成
状態は、上記第１実施例で詳述した内容と同様である。
【００４４】したがって、この第２実施例に係るＬＥＤ
アレイチップ１、ならびにこれを図７に示す状態にＬＥ
Ｄプリントヘッド２０に組み込むことにより得られる作
用効果は、上記第１実施例と同様である。
【００４５】さらに、以上の実施例の説明に際しては、
透光性結像系として光学レンズ系を備えたものを例示し
たが、これに代えて、以下に示すような構成のＬＥＤプ
リントヘッドを採用してもよい。
【００４６】すなわち、図９に示すように、ＬＥＤプリ
ントヘッド３０の構成要素として光ファイバーアレイプ
レート３１を使用するのである。この光ファイバーアレ
イプレート３１は、プレート部３２の幅方向中間部を長
手方向に沿って延びる光ファイバーアレイ部３３を備え
ている。この光ファイバーアレイ部３３は、上下方向に
沿って配列された多数本の光ファイバーケーブル３３ａ
の束であって、各光ファイバーケーブル３３ａの相互間
は樹脂等により結束固着された状態にある。
【００４７】そして、図１０に示すように、上記光ファ
イバーアレイプレート３１における光ファイバーアレイ
部３３の裏面側には、上記ＬＥＤアレイチップ１と駆動
用ＩＣ２２とが取り付けられている。詳しくは、上記Ｌ
ＥＤアレイチップ１は、いわゆるフリップチップ方式を
利用して取り付けられている。すなわち、上記ＬＥＤア
レイチップ１の個別電極パターン６（パッド６ａ）にお
けるバンプ３５が、上記光ファイバーアレイプレート３
１の裏面に形成された駆動制御用の導体パターン３６に
対して圧接により接合固着される一方、上記ＬＥＤアレ
イチップ１の共通電極パターン７におけるバンプ３７
が、同様にして上記プレート３１の裏面のグランド用の
導体パターン３８に対して接合固着されている。
【００４８】また、駆動用ＩＣ２２上の一対のパッド３
９，４０は、一方のパッド３９が上記プレート３１の裏
面における駆動制御用の導体パターン３６にワイヤボン
ディング部Ｗ４を介して接続され、他方のパッド４０が
同じく裏面におけるＩＣ制御用の導体パターン４１にワ
イヤボンディング部Ｗ５を介して接続されている。
【００４９】図１０からも明らかなように、上記ＬＥＤ
アレイチップ１の配設状態は、各単位発光部５から発せ
られた光の光路が、光ファイバーアレイ部３３の各光フ
ァイバーケーブル３３ａの軸心方向に沿う状態となるよ
うに設定されている。
【００５０】さらに、上記光ファイバーアレイプレート
３１の裏面には、上記ＬＥＤアレイチップ１および駆動
用ＩＣ２２を覆う保護層４２が形成されている。この保
護層４２は、上記バンプ３５，３７の導体パターン３
６，３８に対する接合状態を強化する役割を果たすとと
もに、ＬＥＤアレイチップ１の酸化防止の役割等をも果
たすものである。また、上記各単位発光部５と光ファイ
バーアレイ部３３との間には、各単位発光部５から発せ
られた光の照射が阻害されないように、保護層４２の非
形成箇所Ｘ１が存在している。
【００５１】また、図９に示すように、上記光ファイバ
ーアレイプレート３１の長手方向一端部の一側縁には、
外部から供給される電力および各種信号の受渡し作用を
行うコネクタ４３が接続されている。このコネクタ４３
のリード４３ａは、上記光ファイバーアレイプレート３
１のプレート部３２を圧接挟持するクリップ構造であ
り、このコネクタ４３の外れを防止するために、上記プ
レート部３２の裏面側には上記リード４３ａを覆う樹脂
層（図示せず）が形成されている。
【００５２】なお、上記光ファイバーアレイプレート３
１の外部から上記ＬＥＤアレイチップ１の各単位発光部
５の上方隙間への光の入射を防止するため、上記プレー
ト部３２の表裏面には遮光膜が形成されている（図示せ
ず）。
【００５３】以上のような構成によれば、上記各単位発
光部５から発せられた光Ｌ１は、図１０に鎖線矢印で示
すように、光ファイバーアレイ部３３の光ファイバーケ
ーブル３３ａを通過する。この光Ｌ１は、上記ケーブル
３３ａ内の通過時に拡散することなく正立等倍作用を伴
なって感光体２７の周面に結像される。
【００５４】このような構成によれば、感光体２７の感
光剤に対する既述の効果が得られることに加えて、図７
に示す構成のＬＥＤプリントヘッド２０と比較して、レ
ンズ系の共役長の制約を受けないことにより、プリント
ヘッドの全高を低くして小型が図られるという利点も得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１実施例に係るＬＥＤアレイチッ
プの基本的概念を示す概略平面図である。
【図２】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップの製
造途中における構成を示す要部縦断概略正面図である。
【図３】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップの製
造途中における構成を示す要部斜視図である。
【図４】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップの製
造終了後における構成を示す要部斜視図である。
【図５】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップの製
造終了後における構成を示す平面図である。
【図６】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップの製
造終了後における構成を示す縦断側面図である。
【図７】上記第１実施例に係るＬＥＤアレイチップが組
み込まれたＬＥＤプリントヘッドの構成の一例を示す縦
断側面図である。
【図８】本願発明の第２実施例に係るＬＥＤアレイチッ
プの基本的概念を示す概略平面図である。
【図９】本願発明に係るＬＥＤアレイチップが組み込ま
れたＬＥＤプリントヘッドの構成の他の例を示す斜視図
である。
【図１０】上記他の例のＬＥＤプリントヘッドの作用を
示す拡大縦断側面図である。
【符号の説明】
１ ＬＥＤアレイチップ ２ 絶縁性基板（サファイア基板） ３ 積層部 ４ 絶縁部 ５ 単位発光部 ６ 個別電極パターン ７ 共通電極パターン １６ａ 絶縁部（絶縁介装材） １６ｂ 絶縁部（絶縁層） ２０ ＬＥＤプリントヘッド ３０ ＬＥＤプリントヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/036 Ａ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性基板の表面上に、窒化ガリウム系
    化合物半導体の積層部を備えるとともに、この積層部が
    ５５０ｎｍ以下の波長の光を発する積層構造となるよう
    に構成されている半導体発光素子を、 感光体に対して光を照射するための光源としたことを特
    徴とする、ＬＥＤプリントヘッド。
  2. 【請求項２】 絶縁性基板の表面上に一直線上に沿うよ
    うに形成された窒化ガリウム系化合物半導体の積層部
    と、この積層部に長手方向所定間隔毎にエッチングまた
    は電子ビーム照射により形成された絶縁部とを備え、上
    記積層部における絶縁部の非形成箇所を、個別発光が可
    能な複数の単位発光部で構成される発光ドット列とした
    ことを特徴とする、ＬＥＤアレイチップ。
  3. 【請求項３】 絶縁性基板の表面上に連続して一直線上
    に延びる窒化ガリウム系化合物半導体の積層部を形成す
    る工程と、その積層部の長手方向に対して所定間隔毎に
    エッチング処理または電子ビーム照射処理を施すことに
    より上記積層部を発光領域と非発光領域とに交互に区分
    する工程と、上記積層部の各発光領域のＰ型半導体層に
    導通される個別電極パターン、および上記各発光領域の
    Ｎ型半導体層に導通される共通電極パターンを形成する
    工程と、を少なくとも備えていることを特徴とする、Ｌ
    ＥＤアレイチップの製造方法。
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