JPH10335696A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
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- JPH10335696A JPH10335696A JP14145297A JP14145297A JPH10335696A JP H10335696 A JPH10335696 A JP H10335696A JP 14145297 A JP14145297 A JP 14145297A JP 14145297 A JP14145297 A JP 14145297A JP H10335696 A JPH10335696 A JP H10335696A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来例の発光ダイオードアレイでは、電流拡
散層５５が発光させたくない領域にも存在しており、
１）発光駆動電流が電流拡散層を介して広がり、発光さ
せたくない領域が発光し、２）電流拡散層が光ガイドと
して作用して、発光させたくない領域も発光するという
問題があった。 【解決手段】 第１導電型の基板上に複数個の発光エレ
メントがほぼ直線状に配置されてなり、前記各発光エレ
メントは少なくとも、前記基板上に順次積層される第１
導電型のクラッド層と、（（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる活性層と、第２導
電型のクラッド層と、第２導電型の電流拡散層とを有
し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部は互いに
電気的に分離されてなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記隣り合う第２導電型の電流拡散層はメサエッチ
ングにより互いに物理的に孤立分離されてなることを特
徴とするものである。
散層５５が発光させたくない領域にも存在しており、
１）発光駆動電流が電流拡散層を介して広がり、発光さ
せたくない領域が発光し、２）電流拡散層が光ガイドと
して作用して、発光させたくない領域も発光するという
問題があった。 【解決手段】 第１導電型の基板上に複数個の発光エレ
メントがほぼ直線状に配置されてなり、前記各発光エレ
メントは少なくとも、前記基板上に順次積層される第１
導電型のクラッド層と、（（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる活性層と、第２導
電型のクラッド層と、第２導電型の電流拡散層とを有
し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部は互いに
電気的に分離されてなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記隣り合う第２導電型の電流拡散層はメサエッチ
ングにより互いに物理的に孤立分離されてなることを特
徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイに関し、特にプリンタヘッドやカメラ等のデータバ
ック用等に用いられる発光ダイオードアレイ及びその製
造方法に関する。
レイに関し、特にプリンタヘッドやカメラ等のデータバ
ック用等に用いられる発光ダイオードアレイ及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例の発光ダイオードアレイ及びその
製造方法の技術について、例えば、特開平８−６４８６
４号公報、発明の名称：発光ダイオードアレイ及びその
製造方法、出願人：シャープ株式会社、があり、これを
図３〜図５に示す。
製造方法の技術について、例えば、特開平８−６４８６
４号公報、発明の名称：発光ダイオードアレイ及びその
製造方法、出願人：シャープ株式会社、があり、これを
図３〜図５に示す。
【０００３】図３は従来例の発光ダイオードアレイの上
面図であり、図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図３の
各発光ダイオード単体の上面図及び図４（ａ）のＸ−Ｙ
線断面図、図５は図３の部分斜視図である。図４（ａ）
及び（ｂ）において、従来例の発光ダイオードアレイ
は、ｎ型ＧａＡｓ基板５０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
ー層５１、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５２、アン
ドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層５３、ｐ
型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５４、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ層電流拡散層５５がＭＯＣＶＤ法により積層されてい
る。
面図であり、図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図３の
各発光ダイオード単体の上面図及び図４（ａ）のＸ−Ｙ
線断面図、図５は図３の部分斜視図である。図４（ａ）
及び（ｂ）において、従来例の発光ダイオードアレイ
は、ｎ型ＧａＡｓ基板５０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
ー層５１、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５２、アン
ドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層５３、ｐ
型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５４、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ層電流拡散層５５がＭＯＣＶＤ法により積層されてい
る。
【０００４】その後、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜
のＳｉＮx膜をＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層５５上に
形成し、フォトリソグラフィー及びバッファードフッ酸
によるエッチングによりボンディングパッド下に電流が
注入されることを防止するための絶縁膜５６が形成され
ている。５７はｐ型電極であり、Ｔｉ／ＡｕＺｎ系の材
料が用いられている。５８はｎ型電極であり、ＡｕＧｅ
／Ｎｉ系の材料が用いられている。５９はボンディング
パッドであり、ｐ型電極５７の上にＴｉ／Ａｕをスパッ
タして形成されたものである。赤色発光領域は主とし
て、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層５５の形状に発光す
る。
のＳｉＮx膜をＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層５５上に
形成し、フォトリソグラフィー及びバッファードフッ酸
によるエッチングによりボンディングパッド下に電流が
注入されることを防止するための絶縁膜５６が形成され
ている。５７はｐ型電極であり、Ｔｉ／ＡｕＺｎ系の材
料が用いられている。５８はｎ型電極であり、ＡｕＧｅ
／Ｎｉ系の材料が用いられている。５９はボンディング
パッドであり、ｐ型電極５７の上にＴｉ／Ａｕをスパッ
タして形成されたものである。赤色発光領域は主とし
て、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層５５の形状に発光す
る。
【０００５】図３は各発光ダイオード単体の上面図であ
り、５３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
活性層、５５はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ層電流拡散層、５７
はｐ型電極、５９はボンディングパッドである。図３で
は、赤色発光領域の形状となる電流拡散層５５の７個の
アレイが示されている。
り、５３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
活性層、５５はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ層電流拡散層、５７
はｐ型電極、５９はボンディングパッドである。図３で
は、赤色発光領域の形状となる電流拡散層５５の７個の
アレイが示されている。
【０００６】図５は発光ダイオードアレイの部分斜視図
であり、５０はｎ型ＧａＡｓ基板、５１はｎ型ＧａＡｓ
バッファー層、５２はｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層、５３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
活性層、５４はｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、５５
はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ層電流拡散層、５６は絶縁膜、５
７はｐ型電極、５９はボンディングパッドである。
であり、５０はｎ型ＧａＡｓ基板、５１はｎ型ＧａＡｓ
バッファー層、５２はｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層、５３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
活性層、５４はｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、５５
はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ層電流拡散層、５６は絶縁膜、５
７はｐ型電極、５９はボンディングパッドである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の方法では、電流拡散層５５が発光させたくない領域に
も存在しており、以下に示すような問題点があった。 １）発光駆動電流が電流拡散層を介して広がり発光させ
たくない領域が発光し、 ２）電流拡散層が光ガイドとして作用して発光させたく
ない領域が発光するという問題が発生し、発光ダイオー
ドアレイの発光点が滲むという問題が発生していた。
の方法では、電流拡散層５５が発光させたくない領域に
も存在しており、以下に示すような問題点があった。 １）発光駆動電流が電流拡散層を介して広がり発光させ
たくない領域が発光し、 ２）電流拡散層が光ガイドとして作用して発光させたく
ない領域が発光するという問題が発生し、発光ダイオー
ドアレイの発光点が滲むという問題が発生していた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
発光ダイオードアレイは、第１導電型の基板上に複数個
の発光エレメントがほぼ直線状に配置されてなり、前記
各発光エレメントは少なくとも、前記基板上に順次積層
される第１導電型のクラッド層と、（（ＡｌxＧａ1-x）
yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる活性層
と、第２導電型のクラッド層と、第２導電型の電流拡散
層とを有し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部
は互いに電気的に分離されてなる発光ダイオードアレイ
において、前記隣り合う第２導電型の電流拡散層はメサ
エッチングにより互いに物理的に孤立分離されてなるこ
とを特徴とするものである。
発光ダイオードアレイは、第１導電型の基板上に複数個
の発光エレメントがほぼ直線状に配置されてなり、前記
各発光エレメントは少なくとも、前記基板上に順次積層
される第１導電型のクラッド層と、（（ＡｌxＧａ1-x）
yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる活性層
と、第２導電型のクラッド層と、第２導電型の電流拡散
層とを有し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部
は互いに電気的に分離されてなる発光ダイオードアレイ
において、前記隣り合う第２導電型の電流拡散層はメサ
エッチングにより互いに物理的に孤立分離されてなるこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項２記載の発光ダイオードアレ
イは、前記電流拡散層は設計された発光領域においての
み配設されてなることを特徴とするものである。
イは、前記電流拡散層は設計された発光領域においての
み配設されてなることを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項３記載の発光ダイオードアレ
イは、前記第２導電型の電流拡散層からの電極の上に配
設される電極パッドを、前記活性層または前記第２導電
型のクラッド層に接する絶縁膜の上に該電流拡散層から
の電極を介在せしめて配設されてなることを特徴とする
ものである。
イは、前記第２導電型の電流拡散層からの電極の上に配
設される電極パッドを、前記活性層または前記第２導電
型のクラッド層に接する絶縁膜の上に該電流拡散層から
の電極を介在せしめて配設されてなることを特徴とする
ものである。
【００１１】さらに、請求項４記載の発光ダイオードア
レイは、前記第２導電型の電流拡散層の側壁面に該電流
拡散層の表面からの金属電極を延在することにより前記
電流拡散層からの発光を遮光することを特徴とするもの
である。
レイは、前記第２導電型の電流拡散層の側壁面に該電流
拡散層の表面からの金属電極を延在することにより前記
電流拡散層からの発光を遮光することを特徴とするもの
である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に従って、詳細に説明
する。図１（ａ）は本発明の一実施例による発光ダイオ
ードアレイの上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の各発光
ダイオード単体の上面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ
−Ｂ線断面図、図２（ａ）は本発明の他の一実施例によ
る発光ダイオードアレイの各発光ダイオード単体の上面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄ線断面図である。
する。図１（ａ）は本発明の一実施例による発光ダイオ
ードアレイの上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の各発光
ダイオード単体の上面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ
−Ｂ線断面図、図２（ａ）は本発明の他の一実施例によ
る発光ダイオードアレイの各発光ダイオード単体の上面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄ線断面図である。
【００１３】図１（ｂ）及び（ｃ）において、本発明の
一実施の形態よりなる発光ダイオードアレイは、第１導
電型であるｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、第１導電型であ
るｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層
１１、第１導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）
Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１２、アンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３、第２導電型であ
るｐ型（ｐ＝３×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層１４、第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流
拡散層１５をＭＯＣＶＤ法により積層する。各層の厚み
は、例えば、層１１から層１５にかけて、例えば、０．
５μｍ、１μｍ、０．６μｍ、１μｍ、３μｍである。
一実施の形態よりなる発光ダイオードアレイは、第１導
電型であるｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、第１導電型であ
るｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層
１１、第１導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）
Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１２、アンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３、第２導電型であ
るｐ型（ｐ＝３×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層１４、第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流
拡散層１５をＭＯＣＶＤ法により積層する。各層の厚み
は、例えば、層１１から層１５にかけて、例えば、０．
５μｍ、１μｍ、０．６μｍ、１μｍ、３μｍである。
【００１４】次に、フォトリソグラフィー及び硫酸：過
酸化水素系エッチャント、熱リン酸により、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４またはアンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３に達するまでＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５のメサエッチングを行う
ことにより、隣り合う各発光エレメントの第２導電型の
電流拡散層１５はお互いに物理的に孤立分離されてなる
状態となり、図１（ｃ）の断面図に示される発光ダイオ
ードアレイが得られる。また、メサエッチングの程度が
深い程、即ち、活性層１３に達するまでメサエッチング
をする方が、電気的にまた光学的によく分離されること
となるが、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４に達す
る程度のメサエッチングで、実用上は十分である。
酸化水素系エッチャント、熱リン酸により、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４またはアンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３に達するまでＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５のメサエッチングを行う
ことにより、隣り合う各発光エレメントの第２導電型の
電流拡散層１５はお互いに物理的に孤立分離されてなる
状態となり、図１（ｃ）の断面図に示される発光ダイオ
ードアレイが得られる。また、メサエッチングの程度が
深い程、即ち、活性層１３に達するまでメサエッチング
をする方が、電気的にまた光学的によく分離されること
となるが、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４に達す
る程度のメサエッチングで、実用上は十分である。
【００１５】その後、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜
のＳｉＮx膜１６をメサ状のＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡
散層１５上に形成し、フォトリソグラフィー及びバッフ
ァードフッ酸によるエッチングにより絶縁膜のパターニ
ングを行う。絶縁膜１６は、図１（ｃ）に示されるよう
に、メサエッチングされた電流拡散層１５の上面の稜線
近傍及び側壁面と、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１
４またはアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層１３の表面を覆うように形成される。
のＳｉＮx膜１６をメサ状のＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡
散層１５上に形成し、フォトリソグラフィー及びバッフ
ァードフッ酸によるエッチングにより絶縁膜のパターニ
ングを行う。絶縁膜１６は、図１（ｃ）に示されるよう
に、メサエッチングされた電流拡散層１５の上面の稜線
近傍及び側壁面と、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１
４またはアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層１３の表面を覆うように形成される。
【００１６】次に、このパターニングされた絶縁膜１６
の上に、Ｔｉ／ＡｕＺｎをｐ側からスパッタし、フォト
リソグラフィー及びヨウ素系エッチャント、希フッ酸に
よるエッチングをした後、熱処理を施し、ｐ型電極１７
を形成する。
の上に、Ｔｉ／ＡｕＺｎをｐ側からスパッタし、フォト
リソグラフィー及びヨウ素系エッチャント、希フッ酸に
よるエッチングをした後、熱処理を施し、ｐ型電極１７
を形成する。
【００１７】そして、第１導電型であるｎ型ＧａＡｓ基
板１０上に、ＡｕＧｅ／Ｎｉを蒸着し、熱処理を施しｎ
側電極１９を形成する。さらに、ｐ側からＴｉ／Ａｕを
スパッタし、フォトリソグラフィー及びヨウ素系エッチ
ャント、希フッ酸による化学エッチングによりボンディ
ングパッド（電極パッド）１８を形成する。
板１０上に、ＡｕＧｅ／Ｎｉを蒸着し、熱処理を施しｎ
側電極１９を形成する。さらに、ｐ側からＴｉ／Ａｕを
スパッタし、フォトリソグラフィー及びヨウ素系エッチ
ャント、希フッ酸による化学エッチングによりボンディ
ングパッド（電極パッド）１８を形成する。
【００１８】また、ボンディングパッド１８及びｐ型電
極１７の下には、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４
が残存しているため、たとえ絶縁膜１６にピンホールが
発生しても、ＰＮ接合を介さないリーク電流は発生せ
ず、従って電気的特性不良とはならない構造である。さ
らに、電流拡散層１５に比較して、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１４は抵抗が高いため、注入された電流は
電流拡散層１５の下部のＰＮ接合部にのみ流れ、電極パ
ッド１８の下部のｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４
の領域ではほとんど発光は起こらず、譬え発光したとし
ても、電極パッド１８により遮光され、電極パッド周辺
からの光漏れ不良の発生を防止することができる。
極１７の下には、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４
が残存しているため、たとえ絶縁膜１６にピンホールが
発生しても、ＰＮ接合を介さないリーク電流は発生せ
ず、従って電気的特性不良とはならない構造である。さ
らに、電流拡散層１５に比較して、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１４は抵抗が高いため、注入された電流は
電流拡散層１５の下部のＰＮ接合部にのみ流れ、電極パ
ッド１８の下部のｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４
の領域ではほとんど発光は起こらず、譬え発光したとし
ても、電極パッド１８により遮光され、電極パッド周辺
からの光漏れ不良の発生を防止することができる。
【００１９】電極パッド１８は、図１（ｃ）の断面図に
明示されるように、活性層１３または第２導電型のクラ
ッド層１４に接する絶縁膜１６の上に電流拡散層１５か
らの電極１７を介させて配設されており、活性層１３ま
たは第２導電型のクラッド層１４からの光（発光領域か
らの発光）を遮光する作用をしている。波長５９０ｎｍ
程度の赤色発光は主として、メサエッチングされたＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５の形状（およそ、４０μ
ｍ〜１００μｍ角程度）の発光領域で発光する。
明示されるように、活性層１３または第２導電型のクラ
ッド層１４に接する絶縁膜１６の上に電流拡散層１５か
らの電極１７を介させて配設されており、活性層１３ま
たは第２導電型のクラッド層１４からの光（発光領域か
らの発光）を遮光する作用をしている。波長５９０ｎｍ
程度の赤色発光は主として、メサエッチングされたＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５の形状（およそ、４０μ
ｍ〜１００μｍ角程度）の発光領域で発光する。
【００２０】図１（ａ）は発光ダイオードアレイの上面
図であり、１３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ活性層、１５はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散
層、１７はｐ型電極、１８はボンディングパッドであ
る。図１（ａ）では、赤色発光領域の形状となる電流拡
散層１５の７個のアレイが示されている。
図であり、１３はアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ活性層、１５はＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散
層、１７はｐ型電極、１８はボンディングパッドであ
る。図１（ａ）では、赤色発光領域の形状となる電流拡
散層１５の７個のアレイが示されている。
【００２１】以上のようにして得られた本発明の一実施
の形態よりなるモノリシック発光ダイオードアレイは、
発光層に直接遷移型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
を用い、且つメサエッチングされた電流拡散層を用いる
ことにより、発光効率を上げることができる。さらに、
電流拡散層１５をメサ状とすることにより、１つの発光
エレメントに注入される電流が、他の発光エレメントに
回り込むことがないのは勿論のこと、発光領域の発光点
にみの集中して流れることになり、鮮明な、切れの良い
発光点を得ることができる。また、電流拡散層１５が光
ガイドとなって、発光部領域以外の半導体層に広がるこ
とをも防止する作用もしている。
の形態よりなるモノリシック発光ダイオードアレイは、
発光層に直接遷移型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
を用い、且つメサエッチングされた電流拡散層を用いる
ことにより、発光効率を上げることができる。さらに、
電流拡散層１５をメサ状とすることにより、１つの発光
エレメントに注入される電流が、他の発光エレメントに
回り込むことがないのは勿論のこと、発光領域の発光点
にみの集中して流れることになり、鮮明な、切れの良い
発光点を得ることができる。また、電流拡散層１５が光
ガイドとなって、発光部領域以外の半導体層に広がるこ
とをも防止する作用もしている。
【００２２】また、図１の発光層として、アンドープの
（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層を用いたが、必
要に応じて、Ｐ型活性層やＮ型活性層を用いてもよいこ
とは当然である。
（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層を用いたが、必
要に応じて、Ｐ型活性層やＮ型活性層を用いてもよいこ
とは当然である。
【００２３】図２は本発明の他の一実施例による発光ダ
イオードアレイであり、電流拡散層の側壁面に電流拡散
層の表面からの金属電極を延在することにより電流拡散
層からの発光が他の半導体層に伝搬することを防止する
構造に関するものである。図２（ａ）は本発明の他の一
実施例による発光ダイオードアレイの各発光ダイオード
単体の上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄ線断面
図である。
イオードアレイであり、電流拡散層の側壁面に電流拡散
層の表面からの金属電極を延在することにより電流拡散
層からの発光が他の半導体層に伝搬することを防止する
構造に関するものである。図２（ａ）は本発明の他の一
実施例による発光ダイオードアレイの各発光ダイオード
単体の上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄ線断面
図である。
【００２４】図２（ｂ）において、本発明の一実施の形
態よりなる発光ダイオードアレイは、第１導電型である
ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、第１導電型であるｎ型（ｎ
＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層１１、第１
導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐクラッド層１２、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３、第２導電型であるｐ
型（ｐ＝３×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層１４、第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散
層１５をＭＯＣＶＤ法により積層する。各層の厚みは、
例えば、層１１から層１５にかけて、例えば、０．５μ
ｍ、１μｍ、０．６μｍ、１μｍ、３μｍである。
態よりなる発光ダイオードアレイは、第１導電型である
ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、第１導電型であるｎ型（ｎ
＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層１１、第１
導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐクラッド層１２、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３、第２導電型であるｐ
型（ｐ＝３×１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層１４、第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散
層１５をＭＯＣＶＤ法により積層する。各層の厚みは、
例えば、層１１から層１５にかけて、例えば、０．５μ
ｍ、１μｍ、０．６μｍ、１μｍ、３μｍである。
【００２５】次に、フォトリソグラフィー及び硫酸：過
酸化水素系エッチャント、熱リン酸により、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４またはアンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３に達するまでＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５のメサエッチングを行う
ことにより、隣り合う各発光エレメントの第２導電型の
電流拡散層１５はお互いに物理的に孤立分離されてなる
状態となり、図２（ｂ）の断面図に示される発光ダイオ
ードアレイが得られる。
酸化水素系エッチャント、熱リン酸により、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１４またはアンドープ（Ａｌ
0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１３に達するまでＡｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層１５のメサエッチングを行う
ことにより、隣り合う各発光エレメントの第２導電型の
電流拡散層１５はお互いに物理的に孤立分離されてなる
状態となり、図２（ｂ）の断面図に示される発光ダイオ
ードアレイが得られる。
【００２６】その後、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜
のＳｉＮx膜１６をメサ状のＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡
散層１５上に形成し、フォトリソグラフィー及びバッフ
ァードフッ酸によるエッチングにより絶縁膜のパターニ
ングを行う。絶縁膜１６は、図２（ｂ）に示されるよう
に、メサエッチングされた電流拡散層１５の上面の稜線
近傍及び側壁面と、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１
４またはアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層１３の表面を覆うように形成される。
のＳｉＮx膜１６をメサ状のＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡
散層１５上に形成し、フォトリソグラフィー及びバッフ
ァードフッ酸によるエッチングにより絶縁膜のパターニ
ングを行う。絶縁膜１６は、図２（ｂ）に示されるよう
に、メサエッチングされた電流拡散層１５の上面の稜線
近傍及び側壁面と、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１
４またはアンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層１３の表面を覆うように形成される。
【００２７】次に、このパターニングされた絶縁膜１６
の上に、Ｔｉ／ＡｕＺｎをｐ側からスパッタし、フォト
リソグラフィー及びヨウ素系エッチャント、希フッ酸に
よるエッチングをした後、熱処理を施し、ｐ型電極２０
を形成する。図１で説明したｐ型電極１７と異なる点
は、ｐ型電極２０の形状が、図２（ａ）に示されるよう
に、電流拡散層１５の側壁面に電流拡散層の表面からの
金属電極を配設することにより電流拡散層からの発光が
他の半導体層に伝搬することを防止する構造形状になっ
ている点である。
の上に、Ｔｉ／ＡｕＺｎをｐ側からスパッタし、フォト
リソグラフィー及びヨウ素系エッチャント、希フッ酸に
よるエッチングをした後、熱処理を施し、ｐ型電極２０
を形成する。図１で説明したｐ型電極１７と異なる点
は、ｐ型電極２０の形状が、図２（ａ）に示されるよう
に、電流拡散層１５の側壁面に電流拡散層の表面からの
金属電極を配設することにより電流拡散層からの発光が
他の半導体層に伝搬することを防止する構造形状になっ
ている点である。
【００２８】そして、第１導電型であるｎ型ＧａＡｓ基
板１０上に、ＡｕＧｅ／Ｎｉを蒸着し、熱処理を施しｎ
側電極１９を形成する。さらに、ｐ側からＴｉ／Ａｕを
スパッタし、フォトリソグラフィー及びヨウ素系エッチ
ャント、希フッ酸による化学エッチングによりボンディ
ングパッド（電極パッド）１８を形成する。
板１０上に、ＡｕＧｅ／Ｎｉを蒸着し、熱処理を施しｎ
側電極１９を形成する。さらに、ｐ側からＴｉ／Ａｕを
スパッタし、フォトリソグラフィー及びヨウ素系エッチ
ャント、希フッ酸による化学エッチングによりボンディ
ングパッド（電極パッド）１８を形成する。
【００２９】以上のようにして得られた本発明の他の一
実施の形態よりなるモノリシック発光ダイオードアレイ
は、電流拡散層１５をメサ状とし、且つ電流拡散層１５
の側壁面に電流拡散層の表面からの金属電極を配設する
ことにより、電流拡散層の側壁面からの発光を遮光する
ことができる。その結果、より鮮明な、切れの良い発光
点を得ることができる。
実施の形態よりなるモノリシック発光ダイオードアレイ
は、電流拡散層１５をメサ状とし、且つ電流拡散層１５
の側壁面に電流拡散層の表面からの金属電極を配設する
ことにより、電流拡散層の側壁面からの発光を遮光する
ことができる。その結果、より鮮明な、切れの良い発光
点を得ることができる。
【００３０】また、図１または図２の発光層として、ア
ンドープの（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層を用
いて説明したが、必要に応じて、Ｐ型活性層やＮ型活性
層を用いてもよいことは当然である。さらに、他の発光
ダイオードアレイの構造として、第１導電型であるｎ型
（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層１１と
第１導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１２との間に、ｎ型（ｎ＝５×
１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型（ｎ＝５×１０
17ｃｍ-3）（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.5Ｉｎ0.5Ｐの２０ペア
の多層反射膜を介在させて、発光効率を高めることもで
きる。
ンドープの（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層を用
いて説明したが、必要に応じて、Ｐ型活性層やＮ型活性
層を用いてもよいことは当然である。さらに、他の発光
ダイオードアレイの構造として、第１導電型であるｎ型
（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）ＧａＡｓバッファー層１１と
第１導電型であるｎ型（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3）Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１２との間に、ｎ型（ｎ＝５×
１０17ｃｍ-3）Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型（ｎ＝５×１０
17ｃｍ-3）（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.5Ｉｎ0.5Ｐの２０ペア
の多層反射膜を介在させて、発光効率を高めることもで
きる。
【００３１】次に、電流拡散層の側壁面の傾斜について
説明する。例えば、ＭＯＣＶＤの成長時の基板ウエハ１
０の面方位として、オフアングルが｛１００｝面から
｛１１１｝面方向に振られている場合、＜１１０＞方向
に矩形の電極の辺が平行となると、特に一方向に著しく
なだらかな斜面が発生するので、図２の一実施の形態よ
りなる発光ダイオードアレイの場合に適用することがで
きる。また、発光素子のパターンによっては、上記のよ
うな配置設計が無理な場合がある。その時は、＜１１０
＞方向に矩形の電極の辺が平行とならないよう、例えば
＜１００＞方向と平行になるように発光領域をパターニ
ングすることで緩和することができる。
説明する。例えば、ＭＯＣＶＤの成長時の基板ウエハ１
０の面方位として、オフアングルが｛１００｝面から
｛１１１｝面方向に振られている場合、＜１１０＞方向
に矩形の電極の辺が平行となると、特に一方向に著しく
なだらかな斜面が発生するので、図２の一実施の形態よ
りなる発光ダイオードアレイの場合に適用することがで
きる。また、発光素子のパターンによっては、上記のよ
うな配置設計が無理な場合がある。その時は、＜１１０
＞方向に矩形の電極の辺が平行とならないよう、例えば
＜１００＞方向と平行になるように発光領域をパターニ
ングすることで緩和することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
発光ダイオードアレイによれば、第１導電型の基板上に
複数個の発光エレメントがほぼ直線状に配置されてな
り、前記各発光エレメントは少なくとも、前記基板上に
順次積層される第１導電型のクラッド層と、（（Ａｌx
Ｇａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から
なる活性層と、第２導電型のクラッド層と、第２導電型
の電流拡散層とを有し、且つ前記隣り合う発光エレメン
トの発光部は互いに電気的に分離されてなる発光ダイオ
ードアレイにおいて、前記隣り合う第２導電型の電流拡
散層はメサエッチングにより互いに物理的に孤立分離さ
れてなることを特徴とするものであり、発光層に直接遷
移型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐを用い、且つメ
サエッチングされた電流拡散層を用いることにより、発
光効率（外部発光効率）を上げることができ、１つの発
光エレメントに注入される電流が、他の発光エレメント
に回り込むことがないのは勿論のこと、発光領域の発光
点にみの集中して流れることになり、鮮明な、切れの良
い発光点を得ることができる。
発光ダイオードアレイによれば、第１導電型の基板上に
複数個の発光エレメントがほぼ直線状に配置されてな
り、前記各発光エレメントは少なくとも、前記基板上に
順次積層される第１導電型のクラッド層と、（（Ａｌx
Ｇａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から
なる活性層と、第２導電型のクラッド層と、第２導電型
の電流拡散層とを有し、且つ前記隣り合う発光エレメン
トの発光部は互いに電気的に分離されてなる発光ダイオ
ードアレイにおいて、前記隣り合う第２導電型の電流拡
散層はメサエッチングにより互いに物理的に孤立分離さ
れてなることを特徴とするものであり、発光層に直接遷
移型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐを用い、且つメ
サエッチングされた電流拡散層を用いることにより、発
光効率（外部発光効率）を上げることができ、１つの発
光エレメントに注入される電流が、他の発光エレメント
に回り込むことがないのは勿論のこと、発光領域の発光
点にみの集中して流れることになり、鮮明な、切れの良
い発光点を得ることができる。
【００３３】また、請求項２記載の発光ダイオードアレ
イによれば、前記電流拡散層は設計された発光領域にお
いてのみ配設されてなることを特徴とするものであり、
電流拡散層が光ガイドとなって、発光部領域以外の半導
体層に広がることをも防止し、鮮明な、切れの良い発光
点を得ることができる。
イによれば、前記電流拡散層は設計された発光領域にお
いてのみ配設されてなることを特徴とするものであり、
電流拡散層が光ガイドとなって、発光部領域以外の半導
体層に広がることをも防止し、鮮明な、切れの良い発光
点を得ることができる。
【００３４】また、請求項３記載の発光ダイオードアレ
イによれば、前記第２導電型の電流拡散層からの電極の
上に配設される電極パッドを、前記活性層または前記第
２導電型のクラッド層に接する絶縁膜の上に該電流拡散
層からの電極を介在せしめて配設されてなることを特徴
とするものであり、電極パッド下部のｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層の領域で譬え発光したとしても、電極
パッドにより遮光され、電極パッドボンディング周辺か
らの光漏れ不良の発生を防止することができる。
イによれば、前記第２導電型の電流拡散層からの電極の
上に配設される電極パッドを、前記活性層または前記第
２導電型のクラッド層に接する絶縁膜の上に該電流拡散
層からの電極を介在せしめて配設されてなることを特徴
とするものであり、電極パッド下部のｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層の領域で譬え発光したとしても、電極
パッドにより遮光され、電極パッドボンディング周辺か
らの光漏れ不良の発生を防止することができる。
【００３５】さらに、請求項４記載の発光ダイオードア
レイは、前記第２導電型の電流拡散層の側壁面に該電流
拡散層の表面からの金属電極を延在することにより前記
電流拡散層からの発光を遮光することを特徴とするもの
であり、電流拡散層からの発光が他の半導体層に伝搬す
ることを防止し、より鮮明な、切れの良い発光点を得る
ことができる。
レイは、前記第２導電型の電流拡散層の側壁面に該電流
拡散層の表面からの金属電極を延在することにより前記
電流拡散層からの発光を遮光することを特徴とするもの
であり、電流拡散層からの発光が他の半導体層に伝搬す
ることを防止し、より鮮明な、切れの良い発光点を得る
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる発光ダイオード
アレイを説明する図であり、（ａ）は発光ダイオードア
レイの上面図であり、（ｂ）は（ａ）の各発光ダイオー
ド単体の上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ｂ線断面
図である。
アレイを説明する図であり、（ａ）は発光ダイオードア
レイの上面図であり、（ｂ）は（ａ）の各発光ダイオー
ド単体の上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ｂ線断面
図である。
【図２】本発明の他の一実施の形態よりなる発光ダイオ
ードアレイを説明する図であり、（ａ）は各発光ダイオ
ード単体の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｄ線断
面図である。
ードアレイを説明する図であり、（ａ）は各発光ダイオ
ード単体の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｄ線断
面図である。
【図３】従来例の発光ダイオードアレイを説明する上面
図である。
図である。
【図４】（ａ）は従来例の発光ダイオードアレイを説明
する図３の各発光ダイオード単体の上面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｙ線断面図である。
する図３の各発光ダイオード単体の上面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｙ線断面図である。
【図５】従来例の発光ダイオードアレイを説明する図３
の部分斜視図である。
の部分斜視図である。
１０ 第１導電型であるｎ型ＧａＡｓ基板 １１ 第１導電型であるｎ型ＧａＡｓバッファー層 １２ 第１導電型であるｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層 １３ アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性
層 １４ 第２導電型であるｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層 １５ 第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層 １６ 絶縁膜 １７ ｐ型電極 １８ ボンディングパッド（電極パッド） １９ ｎ側電極 ２０ ｐ型電極
層 １３ アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性
層 １４ 第２導電型であるｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層 １５ 第２導電型であるＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流拡散層 １６ 絶縁膜 １７ ｐ型電極 １８ ボンディングパッド（電極パッド） １９ ｎ側電極 ２０ ｐ型電極
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の基板上に複数個の発光エレ
メントがほぼ直線状に配置されてなり、前記各発光エレ
メントは少なくとも、前記基板上に順次積層される第１
導電型のクラッド層と、（（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる活性層と、第２導
電型のクラッド層と、第２導電型の電流拡散層とを有
し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部は互いに
電気的に分離されてなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記隣り合う第２導電型の電流拡散層はメサエッチ
ングにより互いに物理的に孤立分離されてなることを特
徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光ダイオードアレイに
おいて、前記電流拡散層は設計された発光領域において
のみ配設されてなることを特徴とする発光ダイオードア
レイ。 - 【請求項３】 請求項２記載の発光ダイオードアレイに
おいて、前記第２導電型の電流拡散層からの電極の上に
配設される電極パッドは、前記活性層または前記第２導
電型のクラッド層に接する絶縁膜の上に該電流拡散層か
らの電極を介在せしめて配設されてなることを特徴とす
る発光ダイオードアレイ。 - 【請求項４】 請求項２記載の発光ダイオードアレイに
おいて、前記第２導電型の電流拡散層の側壁面に該電流
拡散層の表面からの金属電極を延在することにより前記
電流拡散層からの発光を遮光することを特徴とする発光
ダイオードアレイ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14145297A JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 発光ダイオードアレイ |
| TW087108338A TW383511B (en) | 1997-05-30 | 1998-05-28 | Light emitting diode array |
| DE19823914A DE19823914B4 (de) | 1997-05-30 | 1998-05-28 | Anordnung Licht emittierender Dioden |
| KR10-1998-0019632A KR100385108B1 (ko) | 1997-05-30 | 1998-05-29 | 발광다이오드어레이 |
| US09/086,583 US6191438B1 (en) | 1997-05-30 | 1998-05-29 | Light emitting diode array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14145297A JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335696A true JPH10335696A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3797748B2 JP3797748B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=15292248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14145297A Expired - Fee Related JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6191438B1 (ja) |
| JP (1) | JP3797748B2 (ja) |
| KR (1) | KR100385108B1 (ja) |
| DE (1) | DE19823914B4 (ja) |
| TW (1) | TW383511B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7195998B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2013038381A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Canon Inc | Ｌｅｄ素子、ｌｅｄ素子アレイおよびその駆動方法 |
| US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955747A (en) * | 1996-07-25 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-density light-emitting-diode array utilizing a plurality of isolation channels |
| US6291841B1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-09-18 | Jiahn-Chang Wu | Flat interconnection semiconductor package |
| JP2002344011A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 表示素子及びこれを用いた表示装置 |
| JP2003282939A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Oki Degital Imaging:Kk | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP4115197B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2008-07-09 | 株式会社沖デジタルイメージング | 発光素子アレイ |
| JP2005167062A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及びプリンタ |
| US20060082297A1 (en) * | 2004-10-19 | 2006-04-20 | Eastman Kodak Company | Method of preparing a lens-less LED |
| KR101428053B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE202016102460U1 (de) | 2016-05-09 | 2016-07-12 | Chuan Jiing Enterprise Co., Ltd. | Bremsöl-Füllgerät |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142490A (en) | 1976-05-21 | 1977-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting diode |
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