JPH0859555A - ４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法 - Google Patents
４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法Info
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- JPH0859555A JPH0859555A JP20195794A JP20195794A JPH0859555A JP H0859555 A JPH0859555 A JP H0859555A JP 20195794 A JP20195794 A JP 20195794A JP 20195794 A JP20195794 A JP 20195794A JP H0859555 A JPH0859555 A JP H0859555A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高温度での蒸留による設備上の制約を回避し且
つ脱炭酸などの分解反応を防止しつつ、生産効率良くＤ
Ｍ−ＢＤＣの精製を行いうる方法を提供することを主な
目的とする。 【構成】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの
粗結晶を特定の高沸点化合物の少なくとも１種からなる
溶媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、晶析さ
せる。
つ脱炭酸などの分解反応を防止しつつ、生産効率良くＤ
Ｍ−ＢＤＣの精製を行いうる方法を提供することを主な
目的とする。 【構成】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの
粗結晶を特定の高沸点化合物の少なくとも１種からなる
溶媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、晶析さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、４，４´−ビフェニル
ジカルボン酸ジメチル（以下ＤＭ−ＢＤＣという）を高
純度に精製する方法に関する。
ジカルボン酸ジメチル（以下ＤＭ−ＢＤＣという）を高
純度に精製する方法に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】ＤＭ−ＢＤＣは、液晶化合物
などの高機能性高分子の原料として有用な化合物であ
る。
などの高機能性高分子の原料として有用な化合物であ
る。
【０００３】ＤＭ−ＢＤＣの精製方法としては、蒸留に
よる方法がある。しかしながら、この方法は、ＤＭ−Ｂ
ＤＣの融点が２１７℃と高いため、かなり高温で蒸留を
行う必要があり、高融点に対応する特殊な蒸留装置を必
要とする。この様な特殊な蒸留装置を備えているプラン
トは限られているので、この蒸留による精製方法は、普
遍的に実施することが出来ない。また、この様な高温で
の精製操作時には、ＤＭ−ＢＤＣ自体の脱炭酸などの分
解反応が生じることがある。
よる方法がある。しかしながら、この方法は、ＤＭ−Ｂ
ＤＣの融点が２１７℃と高いため、かなり高温で蒸留を
行う必要があり、高融点に対応する特殊な蒸留装置を必
要とする。この様な特殊な蒸留装置を備えているプラン
トは限られているので、この蒸留による精製方法は、普
遍的に実施することが出来ない。また、この様な高温で
の精製操作時には、ＤＭ−ＢＤＣ自体の脱炭酸などの分
解反応が生じることがある。
【０００４】再結晶によるＤＭ−ＢＤＣの精製方法も知
られている。しかしながら、ＤＭ−ＢＤＣは、アセトン
などのケトン類、メタノールなどのアルコール類、トル
エンなどの低沸点の芳香族炭化水素類などの一般的な再
結晶溶媒にはほとんど溶解せず、クロロベンゼンなどに
１００℃近傍で数％程度の溶解度で溶解するだけなの
で、生産効率が極めて低い。
られている。しかしながら、ＤＭ−ＢＤＣは、アセトン
などのケトン類、メタノールなどのアルコール類、トル
エンなどの低沸点の芳香族炭化水素類などの一般的な再
結晶溶媒にはほとんど溶解せず、クロロベンゼンなどに
１００℃近傍で数％程度の溶解度で溶解するだけなの
で、生産効率が極めて低い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、高
温度での蒸留による設備上の制約を回避し且つ脱炭酸な
どの分解反応を防止しつつ、生産効率良くＤＭ−ＢＤＣ
の精製を行いうる方法を提供することを主な目的とす
る。
温度での蒸留による設備上の制約を回避し且つ脱炭酸な
どの分解反応を防止しつつ、生産効率良くＤＭ−ＢＤＣ
の精製を行いうる方法を提供することを主な目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
従来技術の問題点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、ＤＭ
−ＢＤＣの融点（２１７℃）付近にまで加熱可能な特定
の高沸点溶媒中で加熱溶解操作を行なう場合には、従来
使用されてきたクロロベンゼンなどによる溶解に比し
て、はるかに高い溶解度でＤＭ−ＢＤＣを溶解し得るこ
とを見出した。
従来技術の問題点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、ＤＭ
−ＢＤＣの融点（２１７℃）付近にまで加熱可能な特定
の高沸点溶媒中で加熱溶解操作を行なう場合には、従来
使用されてきたクロロベンゼンなどによる溶解に比し
て、はるかに高い溶解度でＤＭ−ＢＤＣを溶解し得るこ
とを見出した。
【０００７】すなわち、本発明は、下記のＤＭ−ＢＤＣ
の精製方法を提供するものである： １．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）およ
び（６）で示される化合物の少なくとも１種からなる溶
媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、晶析させ
ることを特徴とする４，４´−ビフェニルジカルボン酸
ジメチルの精製方法；
の精製方法を提供するものである： １．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）およ
び（６）で示される化合物の少なくとも１種からなる溶
媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、晶析させ
ることを特徴とする４，４´−ビフェニルジカルボン酸
ジメチルの精製方法；
【０００８】
【化１３】
【０００９】｛式（１）において、Ｘ、ＹおよびＺは、
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
【００１０】
【化１４】
【００１１】｛式（２）において、Ｗは、Ｏ、Ｓ、Ｃ
Ｏ、ＣＨ2およびＮＨを表す。｝
Ｏ、ＣＨ2およびＮＨを表す。｝
【００１２】
【化１５】
【００１３】｛式（３）において、Ｘ、ＹおよびＺは、
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、Ｃｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、Ｃｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
【００１４】
【化１６】
【００１５】
【化１７】
【００１６】
【化１８】
【００１７】｛式（６）において、ＸおよびＹは、同一
または相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、
Ｂｒ、ＮＯ3基およびＮＨ2基を表す。｝ ２．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）およ
び（６）で示される化合物の少なくとも１種からなる溶
媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、不純物を
吸着除去し、次いで晶析させることを特徴とする４，４
´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法；
または相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、
Ｂｒ、ＮＯ3基およびＮＨ2基を表す。｝ ２．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）およ
び（６）で示される化合物の少なくとも１種からなる溶
媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した後、不純物を
吸着除去し、次いで晶析させることを特徴とする４，４
´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法；
【００１８】
【化１９】
【００１９】｛式（１）において、Ｘ、ＹおよびＺは、
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
【００２０】
【化２０】
【００２１】｛式（２）において、Ｗは、Ｏ、Ｓ、Ｃ
Ｏ、ＣＨ2およびＮＨを表す。｝
Ｏ、ＣＨ2およびＮＨを表す。｝
【００２２】
【化２１】
【００２３】｛式（３）において、Ｘ、ＹおよびＺは、
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、Ｃｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
全て同一または２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のア
ルキル基、Ｃｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝
【００２４】
【化２２】
【００２５】
【化２３】
【００２６】
【化２４】
【００２７】｛式（６）において、ＸおよびＹは、同一
または相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、
Ｂｒ、ＮＯ3基およびＮＨ2基を表す。｝ ３．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸をメチルエス
テル化して得られた粗結晶である上記項１または２に記
載の方法。
または相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、
Ｂｒ、ＮＯ3基およびＮＨ2基を表す。｝ ３．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの粗結
晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸をメチルエス
テル化して得られた粗結晶である上記項１または２に記
載の方法。
【００２８】４．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジ
メチルの粗結晶が、パラクロル安息香酸メチルまたはパ
ラブロム安息香酸メチルをカップリングして得られた粗
結晶である上記項１または２に記載の方法。
メチルの粗結晶が、パラクロル安息香酸メチルまたはパ
ラブロム安息香酸メチルをカップリングして得られた粗
結晶である上記項１または２に記載の方法。
【００２９】５．４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジ
メチルの粗結晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸
クロライドまたは４，４´−ビフェニルジカルボン酸ブ
ロミドをメチルエステル化して得られた粗結晶である上
記項１または２に記載の方法。
メチルの粗結晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸
クロライドまたは４，４´−ビフェニルジカルボン酸ブ
ロミドをメチルエステル化して得られた粗結晶である上
記項１または２に記載の方法。
【００３０】本発明で使用する溶媒は、操作上の観点か
ら、取り扱う温度範囲で液体であることが好ましく、常
温で液体であることがより好ましい。本発明で溶媒とし
て使用する化合物の具体例を示すと、以下の通りであ
る。
ら、取り扱う温度範囲で液体であることが好ましく、常
温で液体であることがより好ましい。本発明で溶媒とし
て使用する化合物の具体例を示すと、以下の通りであ
る。
【００３１】Ｉ．式（１）で示される化合物；ビフェニ
ル、モノエチルビフェニル、ジエチルビフェニル、トリ
エチルビフェニル、モノイソプロピルビフェニル、ジイ
ソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、
ニトロビフェニル、ブロモビフェニル、ジブロモビフェ
ニルなど。
ル、モノエチルビフェニル、ジエチルビフェニル、トリ
エチルビフェニル、モノイソプロピルビフェニル、ジイ
ソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、
ニトロビフェニル、ブロモビフェニル、ジブロモビフェ
ニルなど。
【００３２】ＩＩ．式（２）で示される化合物；ジフェ
ニルエーテル、ジフェニルサルファイド、ジフェニルケ
トン、ジフェニルメタン、ジフェニルアミン。
ニルエーテル、ジフェニルサルファイド、ジフェニルケ
トン、ジフェニルメタン、ジフェニルアミン。
【００３３】ＩＩＩ．式（３）で示される化合物；ナフ
タレン、モノメチルナフタレン、ジメチルナフタレン、
トリメチルナフタレン、モノエチルナフタレン、ジエチ
ルナフタレン、トリエチルナフタレン、モノイソプロピ
ルナフタレン、ジイソプロピルナフタレン、トリイソプ
ロピルナフタレン、ニトロナフタレン、クロロナフタレ
ン、ジクロロナフタレン、ブロモナフタレン、ジブロモ
ナフタレンなど。
タレン、モノメチルナフタレン、ジメチルナフタレン、
トリメチルナフタレン、モノエチルナフタレン、ジエチ
ルナフタレン、トリエチルナフタレン、モノイソプロピ
ルナフタレン、ジイソプロピルナフタレン、トリイソプ
ロピルナフタレン、ニトロナフタレン、クロロナフタレ
ン、ジクロロナフタレン、ブロモナフタレン、ジブロモ
ナフタレンなど。
【００３４】ＩＶ．式（４）で示される化合物；テトラ
リン。
リン。
【００３５】Ｖ．式（５）で示される化合物；デカリ
ン。
ン。
【００３６】ＶＩ．式（６）で示される化合物； ＶＩＩＩ．式（８）で示される化合物；ニトロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、アニリン、ニトロトルエン、ク
ロロトルエンなど。
ン、ジクロロベンゼン、アニリン、ニトロトルエン、ク
ロロトルエンなど。
【００３７】これらの溶媒は、単独で使用しても良く、
或いは２種以上を混合して使用しても良い。
或いは２種以上を混合して使用しても良い。
【００３８】本発明が対象とするＤＭ−ＢＤＣ粗結晶
は、その製造方法には関係なく、例えば、４，４´−ビ
フェニルジカルボン酸をメチルエステル化して得られた
粗結晶、パラクロル安息香酸メチルまたはパラブロム安
息香酸メチルをカップリングして得られた粗結晶、４，
４´−ビフェニルジカルボン酸クロライドまたは４，４
´−ビフェニルジカルボン酸ブロミドをメチルエステル
化して得られた粗結晶などの全ての粗結晶である。
は、その製造方法には関係なく、例えば、４，４´−ビ
フェニルジカルボン酸をメチルエステル化して得られた
粗結晶、パラクロル安息香酸メチルまたはパラブロム安
息香酸メチルをカップリングして得られた粗結晶、４，
４´−ビフェニルジカルボン酸クロライドまたは４，４
´−ビフェニルジカルボン酸ブロミドをメチルエステル
化して得られた粗結晶などの全ての粗結晶である。
【００３９】ＤＭ−ＢＤＣ粗結晶に対する溶媒の使用量
は、製造方法の相違に基づく粗結晶の種類および純度、
溶媒自体の種類、溶解時の温度などにより異なるが、通
常粗結晶に対し、０．５〜２０倍重量程度である。溶媒
の使用量が多すぎる場合には、精製効率の改善が充分で
なくなるのに対し、少なすぎる場合には、充分な精製効
果が達成されない。
は、製造方法の相違に基づく粗結晶の種類および純度、
溶媒自体の種類、溶解時の温度などにより異なるが、通
常粗結晶に対し、０．５〜２０倍重量程度である。溶媒
の使用量が多すぎる場合には、精製効率の改善が充分で
なくなるのに対し、少なすぎる場合には、充分な精製効
果が達成されない。
【００４０】ＤＭ−ＢＤＣ粗結晶の溶解時の温度は、主
に使用する溶媒の沸点により定められるが、通常１００
℃〜溶媒の沸点、より好ましくは１３０〜１８０℃程度
の範囲内にある。
に使用する溶媒の沸点により定められるが、通常１００
℃〜溶媒の沸点、より好ましくは１３０〜１８０℃程度
の範囲内にある。
【００４１】ＤＭ−ＢＤＣを溶解した溶液の濾過は、常
法に従って、フィルタープレスなどを使用して行われ
る。この濾過により、例えばカップリング反応で使用し
た金属触媒の一部、原料として使用した未反応の４，４
´−ビフェニルジカルボン酸などを除去することが出来
る。
法に従って、フィルタープレスなどを使用して行われ
る。この濾過により、例えばカップリング反応で使用し
た金属触媒の一部、原料として使用した未反応の４，４
´−ビフェニルジカルボン酸などを除去することが出来
る。
【００４２】濾過を終えた濾液を晶析処理に供し、精製
されたＤＭ−ＢＤＣを晶析させる。晶析方法は、濾液を
冷却することにより精製物を晶析させる、いわゆる「再
結晶法」が最も一般的であるが、ＤＭ−ＢＤＣの溶解度
の低い溶媒を加えて晶析させても良い。
されたＤＭ−ＢＤＣを晶析させる。晶析方法は、濾液を
冷却することにより精製物を晶析させる、いわゆる「再
結晶法」が最も一般的であるが、ＤＭ−ＢＤＣの溶解度
の低い溶媒を加えて晶析させても良い。
【００４３】本発明においては、必要ならば、ＤＭ−Ｂ
ＤＣを溶解した溶液を濾過した後、さらに濾液を活性
炭、活性炭素繊維などによる吸着処理に供して、不純物
の吸着除去を行なうことにより、さらに高度の精製を行
うことが出来る。吸着処理は、固定床方式および流動床
方式のいずれによっても、行うことが出来る。この吸着
処理により、溶解している微量の不純物、前工程での濾
過では除去できなかった微小な不純物を除去することが
出来る。
ＤＣを溶解した溶液を濾過した後、さらに濾液を活性
炭、活性炭素繊維などによる吸着処理に供して、不純物
の吸着除去を行なうことにより、さらに高度の精製を行
うことが出来る。吸着処理は、固定床方式および流動床
方式のいずれによっても、行うことが出来る。この吸着
処理により、溶解している微量の不純物、前工程での濾
過では除去できなかった微小な不純物を除去することが
出来る。
【００４４】
【発明の効果】特定の溶媒を使用する本発明方法によれ
ば、高融点に対応する蒸留設備の様な特殊な装置を使用
することなく、晶析によるＤＭ−ＢＤＣの高度の精製を
効率よく行うことが出来る。
ば、高融点に対応する蒸留設備の様な特殊な装置を使用
することなく、晶析によるＤＭ−ＢＤＣの高度の精製を
効率よく行うことが出来る。
【００４５】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明の
特徴とするところをより一層明確にする。
特徴とするところをより一層明確にする。
【００４６】なお、以下においては、粗結晶および精製
結晶の組成は、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。また、金属分は、原子吸光法により分析した。
結晶の組成は、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。また、金属分は、原子吸光法により分析した。
【００４７】実施例１ ４，４´−ビフェニルジカルボン酸（以下ＢＤＣＡとい
う）を硫酸触媒の存在下１２０℃でメタノールによりメ
チルエステル化して、ＤＭ−ＢＤＣ８３．１％、４，４
´−ビフェニルジカルボン酸モノメチルエステル（以下
ＭＭ−ＢＤＣという）３．１％およびＢＤＣＡ１３．８
％の組成を有する粗結晶を得た。
う）を硫酸触媒の存在下１２０℃でメタノールによりメ
チルエステル化して、ＤＭ−ＢＤＣ８３．１％、４，４
´−ビフェニルジカルボン酸モノメチルエステル（以下
ＭＭ−ＢＤＣという）３．１％およびＢＤＣＡ１３．８
％の組成を有する粗結晶を得た。
【００４８】得られた粗結晶１５．０ｇとモノイソプロ
ピルビフェニル（４−イソプロピルビフェニル５１％、
３−イソプロピルビフェニル４９％）３０ｇとを還流管
付きのフラスコに入れ、１８０℃に熱して、粗結晶を溶
解させた。
ピルビフェニル（４−イソプロピルビフェニル５１％、
３−イソプロピルビフェニル４９％）３０ｇとを還流管
付きのフラスコに入れ、１８０℃に熱して、粗結晶を溶
解させた。
【００４９】次いで、得られた溶液を保持粒径２．５μ
ｍのフィルターを使用して、１８０℃で濾過した後、濾
液を撹拌しつつ、室温まで冷却し、析出した結晶を濾別
し、乾燥した。その結果、白色の精製結晶１１．９ｇが
得られた。
ｍのフィルターを使用して、１８０℃で濾過した後、濾
液を撹拌しつつ、室温まで冷却し、析出した結晶を濾別
し、乾燥した。その結果、白色の精製結晶１１．９ｇが
得られた。
【００５０】この精製結晶の組成は、ＤＭ−ＢＤＣ９
９．５％、ＭＭ−ＢＤＣ０．５％、ＢＤＣＡトレース量
であり、ＤＭ−ＢＤＣの回収率は、９５．０％であっ
た。
９．５％、ＭＭ−ＢＤＣ０．５％、ＢＤＣＡトレース量
であり、ＤＭ−ＢＤＣの回収率は、９５．０％であっ
た。
【００５１】本実施例および以下の実施例の結果を下記
の表１に一括して示す。
の表１に一括して示す。
【００５２】実施例２ モノイソプロピルビフェニルに代えてニトロベンゼンを
使用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結
晶の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１１．９
ｇが得られた。
使用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結
晶の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１１．９
ｇが得られた。
【００５３】実施例３ モノイソプロピルビフェニルに代えてジイソプロピルビ
フェニル（４，４´−ジイソプロピルビフェニル３０
％、３，４´−ジイソプロピルビフェニル７０％）を使
用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結晶
の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１１．５ｇ
が得られた。
フェニル（４，４´−ジイソプロピルビフェニル３０
％、３，４´−ジイソプロピルビフェニル７０％）を使
用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結晶
の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１１．５ｇ
が得られた。
【００５４】実施例４ モノイソプロピルビフェニルに代えてｏ−ジクロロベン
ゼンを使用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤ
Ｃ粗結晶の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１
１．６ｇが得られた。
ゼンを使用する以外は実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤ
Ｃ粗結晶の精製を行った。その結果、白色の精製結晶１
１．６ｇが得られた。
【００５５】
【表１】
【００５６】表１に示す結果から、本発明の優れた効果
が明らかである。
が明らかである。
【００５７】実施例５〜１１ 溶媒として下記に示す化合物をそれぞれ使用する以外は
実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結晶の精製を行っ
た。
実施例１と同様にしてＤＭ−ＢＤＣ粗結晶の精製を行っ
た。
【００５８】実施例５…ジフェニルエーテル 実施例６…ジフェニルアミン 実施例７…メチルナフタリン（α−体４５％＋β−体５
５％） 実施例８…イソプロピルナフタリン（α−体１８％＋β
−体８２％） 実施例９…テトラリン 実施例１０…デカリン 実施例１１…アニリン これら実施例の結果を下記の表２に一括して示す。
５％） 実施例８…イソプロピルナフタリン（α−体１８％＋β
−体８２％） 実施例９…テトラリン 実施例１０…デカリン 実施例１１…アニリン これら実施例の結果を下記の表２に一括して示す。
【００５９】
【表２】
【００６０】実施例１２ ｐ−クロロ安息香酸メチルを金属亜鉛とニッケル触媒と
を用いてカップリングし、ＤＭ−ＢＤＣ９５．２％、Ｍ
Ｍ−ＢＤＣ０．７％、成分不明分４．１％の組成の粗結
晶を得た。この粗結晶は、さらにＺｎ３．５％およびＮ
ｉ２．０％を含んでいた。
を用いてカップリングし、ＤＭ−ＢＤＣ９５．２％、Ｍ
Ｍ−ＢＤＣ０．７％、成分不明分４．１％の組成の粗結
晶を得た。この粗結晶は、さらにＺｎ３．５％およびＮ
ｉ２．０％を含んでいた。
【００６１】この粗結晶１５．０ｇとニトロベンゼン３
０ｇとを環流管付きのフラスコに入れ、１８０℃に熱し
て、粗結晶を溶解させた。
０ｇとを環流管付きのフラスコに入れ、１８０℃に熱し
て、粗結晶を溶解させた。
【００６２】次いで、得られた溶液を保持粒径２．５μ
ｍのフィルターを使用して、１８０℃で濾過した後、濾
液に粒状ヤシガラ活性炭１ｇを加え、１８０℃で１時間
加熱した。次いで、この濾液を１８０℃で再度濾過し
て、活性炭を除去し、濾液を撹拌しながら、室温まで冷
却し、析出した結晶を濾別し、乾燥した。その結果、白
色の精製結晶１２．９ｇが得られた。
ｍのフィルターを使用して、１８０℃で濾過した後、濾
液に粒状ヤシガラ活性炭１ｇを加え、１８０℃で１時間
加熱した。次いで、この濾液を１８０℃で再度濾過し
て、活性炭を除去し、濾液を撹拌しながら、室温まで冷
却し、析出した結晶を濾別し、乾燥した。その結果、白
色の精製結晶１２．９ｇが得られた。
【００６３】得られた精製結晶の組成および金属含有量
は、表２に示す通りであった。
は、表２に示す通りであった。
【００６４】
【表３】
【００６５】表３に示す結果から、活性炭による吸着を
行うことにより、ＤＭ−ＢＤＣの精製効果が一層改善さ
れることが明らかである。
行うことにより、ＤＭ−ＢＤＣの精製効果が一層改善さ
れることが明らかである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 67/14 67/343 67/52
Claims (5)
- 【請求項１】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチ
ルの粗結晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）および（６）で示される化合物の少なくとも１種
からなる溶媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した
後、晶析させることを特徴とする４，４´−ビフェニル
ジカルボン酸ジメチルの精製方法； 【化１】 ｛式（１）において、Ｘ、ＹおよびＺは、全て同一また
は２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｂ
ｒおよびＮＯ3基を表す。｝ 【化２】 ｛式（２）において、Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＣＨ2およ
びＮＨを表す。｝ 【化３】 ｛式（３）において、Ｘ、ＹおよびＺは、全て同一また
は２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ
ｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝ 【化４】 【化５】 【化６】 ｛式（６）において、ＸおよびＹは、同一または相異な
って、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、Ｂｒ、ＮＯ3
基およびＮＨ2基を表す。｝ - 【請求項２】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチ
ルの粗結晶を下式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）および（６）で示される化合物の少なくとも１種
からなる溶媒に溶解させ、不溶分を濾過して除去した
後、不純物を吸着除去し、次いで晶析させることを特徴
とする４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精
製方法； 【化７】 ｛式（１）において、Ｘ、ＹおよびＺは、全て同一また
は２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｂ
ｒおよびＮＯ3基を表す。｝ 【化８】 ｛式（２）において、Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＣＨ2およ
びＮＨを表す。｝ 【化９】 ｛式（３）において、Ｘ、ＹおよびＺは、全て同一また
は２以上が相異なって、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ
ｌ、ＢｒおよびＮＯ3基を表す。｝ 【化１０】 【化１１】 【化１２】 ｛式（６）において、ＸおよびＹは、同一または相異な
って、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃｌ、Ｂｒ、ＮＯ3
基およびＮＨ2基を表す。｝ - 【請求項３】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチ
ルの粗結晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸をメ
チルエステル化して得られた粗結晶である請求項１また
は２に記載の方法。 - 【請求項４】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチ
ルの粗結晶が、パラクロル安息香酸メチルまたはパラブ
ロム安息香酸メチルをカップリングして得られた粗結晶
である請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項５】４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチ
ルの粗結晶が、４，４´−ビフェニルジカルボン酸クロ
ライドまたは４，４´−ビフェニルジカルボン酸ブロミ
ドをメチルエステル化して得られた粗結晶である請求項
１または２に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20195794A JPH0859555A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | ４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20195794A JPH0859555A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | ４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859555A true JPH0859555A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16449575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20195794A Pending JPH0859555A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | ４，４´−ビフェニルジカルボン酸ジメチルの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0859555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020179364A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社神鋼環境ソリューション | 排水処理設備及び排水処理方法 |
| JP2020179363A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社神鋼環境ソリューション | 排水処理方法及び排水処理設備 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20195794A patent/JPH0859555A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020179364A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社神鋼環境ソリューション | 排水処理設備及び排水処理方法 |
| JP2020179363A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社神鋼環境ソリューション | 排水処理方法及び排水処理設備 |
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