JPH0859863A - 合成樹脂製収納ケースの洗浄方法 - Google Patents
合成樹脂製収納ケースの洗浄方法Info
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- JPH0859863A JPH0859863A JP19245394A JP19245394A JPH0859863A JP H0859863 A JPH0859863 A JP H0859863A JP 19245394 A JP19245394 A JP 19245394A JP 19245394 A JP19245394 A JP 19245394A JP H0859863 A JPH0859863 A JP H0859863A
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Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高清浄度を達成し、輸送等による振動を受け
ても発塵し難い合成樹脂製の精密基板収納ケースの洗浄
方法を提供する。 【構成】 精密基板を収納するための合成樹脂製収納ケ
ースの洗浄方法であって、前記合成樹脂製収納ケースの
表面を低温酸素プラズマ処理を施した後、直ちに洗浄と
乾燥を行うことを特徴とする合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法。
ても発塵し難い合成樹脂製の精密基板収納ケースの洗浄
方法を提供する。 【構成】 精密基板を収納するための合成樹脂製収納ケ
ースの洗浄方法であって、前記合成樹脂製収納ケースの
表面を低温酸素プラズマ処理を施した後、直ちに洗浄と
乾燥を行うことを特徴とする合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、石英ガラ
ス基板、光ディスク等のような精密基板（以下、基板と
省略することがある）の収納や輸送をするにあたり、高
清浄度が要求される合成樹脂製収納ケース（以下、ケー
スと省略することがある）の洗浄方法に関するものであ
る。
ス基板、光ディスク等のような精密基板（以下、基板と
省略することがある）の収納や輸送をするにあたり、高
清浄度が要求される合成樹脂製収納ケース（以下、ケー
スと省略することがある）の洗浄方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の集積度の大規模
化や記録媒体の一層の大容量化を背景にして、これらに
用いられる基板材料の一層の高清浄度化が要求されてい
る。というのは、これらの精密基板はその表面にわずか
なパーティクルが存在するだけで、半導体集積回路のパ
ターン不良や、記録媒体の記録エラーの発生の原因とな
るからである。従って、前記精密基板は高清浄度に保つ
必要があるが、これは必然的にこれらの基板を収納する
ケースの高清浄度化が要求されることになる。いくら基
板を洗浄等によって高清浄度としても、これらを納める
ケースが汚染されていたのでは、結局、基板を高清浄度
になし得ないからである。
化や記録媒体の一層の大容量化を背景にして、これらに
用いられる基板材料の一層の高清浄度化が要求されてい
る。というのは、これらの精密基板はその表面にわずか
なパーティクルが存在するだけで、半導体集積回路のパ
ターン不良や、記録媒体の記録エラーの発生の原因とな
るからである。従って、前記精密基板は高清浄度に保つ
必要があるが、これは必然的にこれらの基板を収納する
ケースの高清浄度化が要求されることになる。いくら基
板を洗浄等によって高清浄度としても、これらを納める
ケースが汚染されていたのでは、結局、基板を高清浄度
になし得ないからである。
【０００３】ところで精密基板の収納ケースは、一般に
粉塵や化学物質による汚染防止、取り扱いの便宜、コス
ト等の点からポリプロピレンや塩化ビニル等の合成樹脂
が使用され、その高清浄度化のため洗浄がなされる。従
来、この種の洗浄方法には種々のものがあるが、一般に
湿式の洗浄が用いられ、被洗浄物を超音波を用いて洗浄
する超音波洗浄、高水圧を利用したシャワー洗浄、ブラ
シでケースをこするブラシ洗浄などが用いられている。
また、洗浄液に関しては純水をはじめ、界面活性剤、有
機溶剤、酸等が用いられ、上記洗浄方法と組み合わせて
合成樹脂製収納ケースの洗浄が行なわれている。
粉塵や化学物質による汚染防止、取り扱いの便宜、コス
ト等の点からポリプロピレンや塩化ビニル等の合成樹脂
が使用され、その高清浄度化のため洗浄がなされる。従
来、この種の洗浄方法には種々のものがあるが、一般に
湿式の洗浄が用いられ、被洗浄物を超音波を用いて洗浄
する超音波洗浄、高水圧を利用したシャワー洗浄、ブラ
シでケースをこするブラシ洗浄などが用いられている。
また、洗浄液に関しては純水をはじめ、界面活性剤、有
機溶剤、酸等が用いられ、上記洗浄方法と組み合わせて
合成樹脂製収納ケースの洗浄が行なわれている。
【０００４】しかし、近年の精密基板に対する清浄度の
要求が一層厳しくなるに伴ない、この基板を収納、輸送
するための収納ケースの清浄度の要求も一層厳しくな
り、前記従来の洗浄方法では限界に達しつつある。すな
わち、例え超高純度の洗浄液を用いて、前記洗浄方法に
よってこれらのケースを洗浄しても、基板をケースに収
納して輸送する過程で、基板上のパーティクルが増加し
ているという問題が生じている。これは、収納された基
板自体からの発塵も考えられるが、現在の超高精度とな
った前記精密基板にあっては、基板自体からの発塵は非
常に少なく、ケースの洗浄不良やケース自体からの発塵
が主な原因となっている。
要求が一層厳しくなるに伴ない、この基板を収納、輸送
するための収納ケースの清浄度の要求も一層厳しくな
り、前記従来の洗浄方法では限界に達しつつある。すな
わち、例え超高純度の洗浄液を用いて、前記洗浄方法に
よってこれらのケースを洗浄しても、基板をケースに収
納して輸送する過程で、基板上のパーティクルが増加し
ているという問題が生じている。これは、収納された基
板自体からの発塵も考えられるが、現在の超高精度とな
った前記精密基板にあっては、基板自体からの発塵は非
常に少なく、ケースの洗浄不良やケース自体からの発塵
が主な原因となっている。
【０００５】この原因は、今のところ明確ではないが、
従来の洗浄方法においては、ケースが合成樹脂のため表
面が疎水性であり、いわゆる濡れ性が悪く水との接触を
避けようとする。その為に、超音波等の物理的エネルギ
ーを与えても、合成樹脂表面や表面上のパーティクルに
物理的作用があまり伝搬されず、効率のよいパーティク
ル除去洗浄ができなかったものと思われ、これによって
洗浄不良が発生していたものと推察される。また、その
後の発塵は合成樹脂表面のミクロ単位のケバ立ちや突起
によるものと考えられ、これが輸送中の振動あるいは収
納基板との摺れ等によって時間の経過とともに合成樹脂
表面から離脱し、基板表面に付着するものと考えられ
る。さらに、近年のケース形状の複雑化がこのケースの
洗浄不良やケース自体からの発塵を助長させているもの
と思われる。
従来の洗浄方法においては、ケースが合成樹脂のため表
面が疎水性であり、いわゆる濡れ性が悪く水との接触を
避けようとする。その為に、超音波等の物理的エネルギ
ーを与えても、合成樹脂表面や表面上のパーティクルに
物理的作用があまり伝搬されず、効率のよいパーティク
ル除去洗浄ができなかったものと思われ、これによって
洗浄不良が発生していたものと推察される。また、その
後の発塵は合成樹脂表面のミクロ単位のケバ立ちや突起
によるものと考えられ、これが輸送中の振動あるいは収
納基板との摺れ等によって時間の経過とともに合成樹脂
表面から離脱し、基板表面に付着するものと考えられ
る。さらに、近年のケース形状の複雑化がこのケースの
洗浄不良やケース自体からの発塵を助長させているもの
と思われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、前記従来の洗浄方法では、精密基板を収納
するための合成樹脂製収納ケースの洗浄不良やケース自
体からの発塵を完全に防止するのは困難であることに鑑
み、ケース自体をより洗浄され易いものとすることによ
ってより高清浄度を達成し、さらにその後の輸送等によ
る振動を受けても発塵し難い合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法を提供することにある。特に、従来のシャワー洗
浄やブラシ洗浄では高清浄度の達成が困難な細い溝部等
を多数有する複雑な構造の収納ケースの洗浄に適する洗
浄方法を提供するものである。
する課題は、前記従来の洗浄方法では、精密基板を収納
するための合成樹脂製収納ケースの洗浄不良やケース自
体からの発塵を完全に防止するのは困難であることに鑑
み、ケース自体をより洗浄され易いものとすることによ
ってより高清浄度を達成し、さらにその後の輸送等によ
る振動を受けても発塵し難い合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法を提供することにある。特に、従来のシャワー洗
浄やブラシ洗浄では高清浄度の達成が困難な細い溝部等
を多数有する複雑な構造の収納ケースの洗浄に適する洗
浄方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、洗浄され
易くかつその後発塵し難いケースとすべく、ケース表面
（特に内表面）をプラズマによって改質処理をする事を
着想し本発明を完成させたもので、その要旨とする所は
精密基板を収納するための合成樹脂製収納ケースの洗浄
方法であって、前記合成樹脂製収納ケースの表面を低温
酸素プラズマ処理を施した後、直ちに洗浄と乾燥を行う
ことを特徴とする合成樹脂製収納ケースの洗浄方法であ
る。
易くかつその後発塵し難いケースとすべく、ケース表面
（特に内表面）をプラズマによって改質処理をする事を
着想し本発明を完成させたもので、その要旨とする所は
精密基板を収納するための合成樹脂製収納ケースの洗浄
方法であって、前記合成樹脂製収納ケースの表面を低温
酸素プラズマ処理を施した後、直ちに洗浄と乾燥を行う
ことを特徴とする合成樹脂製収納ケースの洗浄方法であ
る。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。合成樹脂
成形体の表面をプラズマ処理して表面改質する方法は種
々報告されている（例えばポリプロピレン樹脂の場合、
特開昭56-82825号、特開昭57-87431号、特開昭 57-2076
25号参照）。しかし、これらの技術はプラズマ処理によ
り表面を極性化、活性化することによって、塗装性、印
刷性、接着性の改善を目的とするのに対し、本発明はポ
リプロピレンのような合成樹脂表面をプラズマ処理によ
り表面活性化し、その後直ちに洗浄、乾燥を行なうこと
によって、洗浄性の向上（ケースの清浄度の向上）が図
れること及び、その後のミクロ単位の発塵も防止できる
ことを見出し、これを半導体基板等の精密基板を収納す
るケースに応用したものである。
成形体の表面をプラズマ処理して表面改質する方法は種
々報告されている（例えばポリプロピレン樹脂の場合、
特開昭56-82825号、特開昭57-87431号、特開昭 57-2076
25号参照）。しかし、これらの技術はプラズマ処理によ
り表面を極性化、活性化することによって、塗装性、印
刷性、接着性の改善を目的とするのに対し、本発明はポ
リプロピレンのような合成樹脂表面をプラズマ処理によ
り表面活性化し、その後直ちに洗浄、乾燥を行なうこと
によって、洗浄性の向上（ケースの清浄度の向上）が図
れること及び、その後のミクロ単位の発塵も防止できる
ことを見出し、これを半導体基板等の精密基板を収納す
るケースに応用したものである。
【０００９】本発明のプラズマ処理は、例えば図１に示
したごとき構造の一般のプラズマ処理装置で行うことが
出来る。（ａ）はいわゆるバレル型であり、（ｂ）はダ
ウンフロー型である。ここで１はチャンバ、２は電極、
３はガス入口、４は処理されるケ−ス、５はガス出口、
６は電源（高周波あるいはマイクロ波等）である。この
ような装置を用い、高周波放電、マイクロ波放電等で低
圧下、酸素又はこれに窒素、Ａｒ等を加えた混合ガスを
励起してプラズマを発生させ、これを精密基板収納用ケ
ースに接触させることによって処理を行う。処理条件も
特に限定されることはないが、圧力は0.01〜0.5torr 、
処理温度は10〜40℃、処理時間は５〜90秒とすると良
い。これは0.5torr ／40℃を越えると合成樹脂の変形が
生じるし、90秒を越えて処理すると合成樹脂表面が粗面
化し再び発塵しやすくなるためである。また、0.01torr
／10℃未満、処理時間５秒未満では、それぞれの条件の
組み合わせを変えても、合成樹脂表面の改質が不充分と
なるためである。
したごとき構造の一般のプラズマ処理装置で行うことが
出来る。（ａ）はいわゆるバレル型であり、（ｂ）はダ
ウンフロー型である。ここで１はチャンバ、２は電極、
３はガス入口、４は処理されるケ−ス、５はガス出口、
６は電源（高周波あるいはマイクロ波等）である。この
ような装置を用い、高周波放電、マイクロ波放電等で低
圧下、酸素又はこれに窒素、Ａｒ等を加えた混合ガスを
励起してプラズマを発生させ、これを精密基板収納用ケ
ースに接触させることによって処理を行う。処理条件も
特に限定されることはないが、圧力は0.01〜0.5torr 、
処理温度は10〜40℃、処理時間は５〜90秒とすると良
い。これは0.5torr ／40℃を越えると合成樹脂の変形が
生じるし、90秒を越えて処理すると合成樹脂表面が粗面
化し再び発塵しやすくなるためである。また、0.01torr
／10℃未満、処理時間５秒未満では、それぞれの条件の
組み合わせを変えても、合成樹脂表面の改質が不充分と
なるためである。
【００１０】洗浄されるケースの形状は、収納される精
密基板の寸法、形状等に従い種々のものがある。例え
ば、半導体シリコン基板の収納用ケースであれば図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のごときのものが挙げ
られる。（ａ）は外箱の上蓋、（ｂ）は基板を保持する
内箱、（ｃ）は外箱の下側容器、（ｄ）はケースを閉じ
た状態を示した側面図である。この場合、プラズマ処理
はケース全表面に行えば確実であるが、内表面について
のみ行ってもよい。さらに、図２のケースのようにケー
スが内外分割型の場合は、内箱とフタの内側についての
みプラズマ処理をしても本発明の効果を奏することが出
来る。要は、収納される精密基板と接触又は、曝される
雰囲気を形成する内面につきプラズマ処理が施されてい
ればよい。本発明においては、先にも述べたように、従
来の洗浄法ではその洗浄効果の少なかった図２（ｂ）の
ような基板と直接接触し、多数のリブ状の溝を有する複
雑な構造の内箱に対して特にその効果を発揮する。
密基板の寸法、形状等に従い種々のものがある。例え
ば、半導体シリコン基板の収納用ケースであれば図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のごときのものが挙げ
られる。（ａ）は外箱の上蓋、（ｂ）は基板を保持する
内箱、（ｃ）は外箱の下側容器、（ｄ）はケースを閉じ
た状態を示した側面図である。この場合、プラズマ処理
はケース全表面に行えば確実であるが、内表面について
のみ行ってもよい。さらに、図２のケースのようにケー
スが内外分割型の場合は、内箱とフタの内側についての
みプラズマ処理をしても本発明の効果を奏することが出
来る。要は、収納される精密基板と接触又は、曝される
雰囲気を形成する内面につきプラズマ処理が施されてい
ればよい。本発明においては、先にも述べたように、従
来の洗浄法ではその洗浄効果の少なかった図２（ｂ）の
ような基板と直接接触し、多数のリブ状の溝を有する複
雑な構造の内箱に対して特にその効果を発揮する。
【００１１】プラズマ処理を施したケースは、表面が改
質され親水性となっているため、前記従来法による洗浄
でも十分に高清浄度化される。このプラズマ処理したケ
ースの洗浄法の一例を挙げると、１）第１段として、塩
酸あるいは界面活性剤等の洗浄液を用いた超音波洗浄
（超音波は40ＫＨｚ程度の強力なものが望ましい）、
２）第２段として、純水による超音波リンス（超音波は
40ＫＨｚ程度）、３）第３段として純水による超音波リ
ンス（超音波は１ＭＨｚ程度とし、40ＫＨｚでは落とし
きれない微細なパーティクルを除去する）、４）第４段
として、超純水のみによるリンス、５）洗浄の完了した
ケースを直ちにクラス 100以上（米国連邦規格209B）の
清浄度のクリーンオーブンにて乾燥、といった方法を行
うことが出来る。なお、この時の清浄度はさらにクラス
10〜１と高くする程、より確実な効果を挙げることがで
きる。ここで、本発明では、ケースをプラズマ処理して
表面を親水性化し、洗浄性を向上させているので、この
ケースの洗浄は少なくとも１回は純水または純水を含む
溶液による洗浄工程を経る必要があるが、特に、薬液を
含む洗浄液による洗浄の後、異なる純水槽による段階的
な洗浄を２度以上行い、仕上洗浄は超純水により行なえ
ば、より完全である。
質され親水性となっているため、前記従来法による洗浄
でも十分に高清浄度化される。このプラズマ処理したケ
ースの洗浄法の一例を挙げると、１）第１段として、塩
酸あるいは界面活性剤等の洗浄液を用いた超音波洗浄
（超音波は40ＫＨｚ程度の強力なものが望ましい）、
２）第２段として、純水による超音波リンス（超音波は
40ＫＨｚ程度）、３）第３段として純水による超音波リ
ンス（超音波は１ＭＨｚ程度とし、40ＫＨｚでは落とし
きれない微細なパーティクルを除去する）、４）第４段
として、超純水のみによるリンス、５）洗浄の完了した
ケースを直ちにクラス 100以上（米国連邦規格209B）の
清浄度のクリーンオーブンにて乾燥、といった方法を行
うことが出来る。なお、この時の清浄度はさらにクラス
10〜１と高くする程、より確実な効果を挙げることがで
きる。ここで、本発明では、ケースをプラズマ処理して
表面を親水性化し、洗浄性を向上させているので、この
ケースの洗浄は少なくとも１回は純水または純水を含む
溶液による洗浄工程を経る必要があるが、特に、薬液を
含む洗浄液による洗浄の後、異なる純水槽による段階的
な洗浄を２度以上行い、仕上洗浄は超純水により行なえ
ば、より完全である。
【００１２】
【作用】本発明によれば、プラズマによって合成樹脂製
の精密基板収納ケースの表面が改質され、活性化、極性
化するため、純水との濡れ性が向上し、表面パーティク
ルが洗浄され易くなる。従って、従来法による洗浄でも
その洗浄効果が向上し、ケースを高清浄度とすることが
出来る。また、プラズマによって合成樹脂表面のミクロ
単位のケバ立ち、突起についても改質され、輸送中の振
動や収納基板との摺れによってもこれらが離脱すること
もなく、ケース自体の発塵も少ない。
の精密基板収納ケースの表面が改質され、活性化、極性
化するため、純水との濡れ性が向上し、表面パーティク
ルが洗浄され易くなる。従って、従来法による洗浄でも
その洗浄効果が向上し、ケースを高清浄度とすることが
出来る。また、プラズマによって合成樹脂表面のミクロ
単位のケバ立ち、突起についても改質され、輸送中の振
動や収納基板との摺れによってもこれらが離脱すること
もなく、ケース自体の発塵も少ない。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例 図２に示した６”φの半導体シリコン鏡面ウェーハ（集
積回路製造用基板）収納用のポリプロピレン樹脂製のケ
ースを40個用意した。このうちの20個には、図１（ａ）
に示したバレル型のプラズマ処理装置で、ケースの内表
面が発生したプラズマに接触するようにして表面処理を
行った（残りの20個にはプラズマ処理せず）。処理条件
は以下のようにした。 装置方式：高周波（13.56 ＭＨｚ）、バレル型 ガス体 ：酸素 ガス流量：150cc/min ガス圧力：0.1torr 温度 ：30±５℃ 出力 ： 450Ｗ 処理時間：10秒
積回路製造用基板）収納用のポリプロピレン樹脂製のケ
ースを40個用意した。このうちの20個には、図１（ａ）
に示したバレル型のプラズマ処理装置で、ケースの内表
面が発生したプラズマに接触するようにして表面処理を
行った（残りの20個にはプラズマ処理せず）。処理条件
は以下のようにした。 装置方式：高周波（13.56 ＭＨｚ）、バレル型 ガス体 ：酸素 ガス流量：150cc/min ガス圧力：0.1torr 温度 ：30±５℃ 出力 ： 450Ｗ 処理時間：10秒
【００１４】プラズマ処理したケース５個と、処理をし
なかったケース５個につき図３に示した定義による水接
触角（θ）を測定したところ、プラズマ処理をしていな
いケースにおいては平均30〜40°であったのに対し、プ
ラズマ処理をしたものは平均０〜５°であった。したが
って、プラズマ処理によってポリプロピレンの表面が疎
水性から親水性に変化していることが判る。
なかったケース５個につき図３に示した定義による水接
触角（θ）を測定したところ、プラズマ処理をしていな
いケースにおいては平均30〜40°であったのに対し、プ
ラズマ処理をしたものは平均０〜５°であった。したが
って、プラズマ処理によってポリプロピレンの表面が疎
水性から親水性に変化していることが判る。
【００１５】次に、プラズマ処理をした20個、処理をし
ていない20個全てのケースを、以下のような条件の洗浄
方法に従い洗浄した。洗浄条件は、１）第１段として濃
塩酸：純水＝１：10の洗浄液を用い40ＫＨｚの超音波を
印加した超音波洗浄 ２）第２段として10ＭΩ・cmの純
水を用い、40ＫＨｚの超音波を印加した超音波リンス
３）第３段として10ＭΩ・cmの純水を用い、１ＭＨｚの
超音波を印加した超音波リンス ４）第４段として、15
ＭΩ・cmの超純水のみによるリンス ５）その後直ち
に、クラス 10 のクリーンオーブンにて乾燥、温度50〜
80℃、風速0.5m/secの温風乾燥、とした。尚、図４にこ
の工程の概略図を示した。７は流量形、８は洗浄槽、９
は超音波発振器、10はクリ−ンオ−ブン、11はヘパフィ
ルタ−、12はブロワ−、13はダクトヒ−タ−である。
ていない20個全てのケースを、以下のような条件の洗浄
方法に従い洗浄した。洗浄条件は、１）第１段として濃
塩酸：純水＝１：10の洗浄液を用い40ＫＨｚの超音波を
印加した超音波洗浄 ２）第２段として10ＭΩ・cmの純
水を用い、40ＫＨｚの超音波を印加した超音波リンス
３）第３段として10ＭΩ・cmの純水を用い、１ＭＨｚの
超音波を印加した超音波リンス ４）第４段として、15
ＭΩ・cmの超純水のみによるリンス ５）その後直ち
に、クラス 10 のクリーンオーブンにて乾燥、温度50〜
80℃、風速0.5m/secの温風乾燥、とした。尚、図４にこ
の工程の概略図を示した。７は流量形、８は洗浄槽、９
は超音波発振器、10はクリ−ンオ−ブン、11はヘパフィ
ルタ−、12はブロワ−、13はダクトヒ−タ−である。
【００１６】こうして、洗浄されたケースに６”φの4M
D-RAM用シリコン鏡面ウェーハを各々25枚ずつ収納し
た。収納前のウェーハは全数パーティクルカウンター
（サーフスキャン 6200）で、パーティクル数を測定し
ておいた。この６”φシリコンウェーハ入りケースを全
数、東京−福岡間を航空便で往復させ、その後開封し、
輸送後のシリコンウェーハにつき全数パーティクル測定
を行った。結果を表１に示す。
D-RAM用シリコン鏡面ウェーハを各々25枚ずつ収納し
た。収納前のウェーハは全数パーティクルカウンター
（サーフスキャン 6200）で、パーティクル数を測定し
ておいた。この６”φシリコンウェーハ入りケースを全
数、東京−福岡間を航空便で往復させ、その後開封し、
輸送後のシリコンウェーハにつき全数パーティクル測定
を行った。結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から判るように、本発明による洗浄を
行ったケースでシリコンウェーハを輸送したものは、ケ
ースに収納する前のパーティクル数と輸送後のパーティ
クル数が略一致し、ケース内で高精浄度に保たれている
のに対し、プラズマ処理のないケースにあっては、輸送
後にパーティクル数の増加が見られ、輸送中にシリコン
ウェーハが汚染されることが判る。
行ったケースでシリコンウェーハを輸送したものは、ケ
ースに収納する前のパーティクル数と輸送後のパーティ
クル数が略一致し、ケース内で高精浄度に保たれている
のに対し、プラズマ処理のないケースにあっては、輸送
後にパーティクル数の増加が見られ、輸送中にシリコン
ウェーハが汚染されることが判る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、合成樹脂製収納ケース
の洗浄性を高め、従来の洗浄法によっても容易に効率よ
く洗浄できる結果、高い清浄度のケースを得ることが出
来る。また、その後のケースの輸送等による振動等によ
っても発塵を防止できることから、洗浄後の高い清浄度
を維持することが出来る。よって、これを用いて輸送さ
れる精密基板の高い清浄度を確保できることから、半導
体産業をはじめ精密基板を用いる産業におけるその利用
価値はすこぶる高い。
の洗浄性を高め、従来の洗浄法によっても容易に効率よ
く洗浄できる結果、高い清浄度のケースを得ることが出
来る。また、その後のケースの輸送等による振動等によ
っても発塵を防止できることから、洗浄後の高い清浄度
を維持することが出来る。よって、これを用いて輸送さ
れる精密基板の高い清浄度を確保できることから、半導
体産業をはじめ精密基板を用いる産業におけるその利用
価値はすこぶる高い。
【図１】プラズマ処理装置の概略図である。 （ａ）バレル型 （ｂ）ダウンフロー型
【図２】半導体シリコン基板収納用ケースの一例であ
る。 （ａ）外箱の上蓋の斜視図 （ｂ）内箱の斜視図 （ｃ）外箱の下側容器の斜視図 （ｄ）ケースを閉じた状態の側面図
る。 （ａ）外箱の上蓋の斜視図 （ｂ）内箱の斜視図 （ｃ）外箱の下側容器の斜視図 （ｄ）ケースを閉じた状態の側面図
【図３】水接触角を説明する概念図である。
【図４】本発明の洗浄方法の一実施例を示す、工程概略
図である。
図である。
１…チャンバ ２…電極 ３…ガス入口 ４…ケース ５…ガス出口 ６…電源 ７…流量計 ８…洗浄槽 ９…超音波発振器 １０…クリ−ンオ−ブン １１…ヘパフィルタ− １２…ブロワ− １３…ダクトヒ−タ−
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ６５Ｄ 85/86 (72)発明者 原田 康之 東京都多摩市唐木田１丁目38番地３号
Claims (4)
- 【請求項１】 精密基板を収納するための合成樹脂製収
納ケースの洗浄方法であって、前記合成樹脂製収納ケー
スの表面を低温酸素プラズマ処理を施した後、直ちに洗
浄と乾燥を行うことを特徴とする合成樹脂製収納ケース
の洗浄方法。 - 【請求項２】 合成樹脂製収納ケースの材質はポリプロ
ピレン樹脂であって、該収納ケースの側壁部及び／又は
底部には、複数の精密基板の外周部と接触し、該精密基
板を支持するための複数のリブ状の溝を備えていること
を特徴とする請求項１記載の合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法。 - 【請求項３】 低温酸素プラズマは減圧酸素ガス中のグ
ロー放電によるものであって、該プラズマ発生部の酸素
ガスの圧力範囲は0.01〜0.5torr であり、合成樹脂製収
納ケースをプラズマ処理する時の温度は10〜40℃、プラ
ズマ処理に要する時間は５〜90秒の範囲とすることを特
徴とする請求項１、２記載の合成樹脂製収納ケースの洗
浄方法。 - 【請求項４】 洗浄と乾燥は、薬液を含む洗浄液による
洗浄の後、異なる純水槽による段階的な洗浄を２度以上
行い、仕上洗浄は超純水により行ない、その後直ちに、
少なくともクラス 100以上（米国連邦規格209B）の雰囲
気清浄度を有する乾燥器内で乾燥を行うことを特徴とす
る請求項１〜３記載の合成樹脂製収納ケースの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19245394A JP3576216B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 合成樹脂製収納ケースの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19245394A JP3576216B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 合成樹脂製収納ケースの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859863A true JPH0859863A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3576216B2 JP3576216B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=16291558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19245394A Expired - Fee Related JP3576216B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 合成樹脂製収納ケースの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3576216B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012203937A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| CN106573277A (zh) * | 2014-07-24 | 2017-04-19 | 普发真空公司 | 用于处理用于基板的输送和大气储存的由塑料材料制成的运输容器的方法和工作站 |
| JP2020175024A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 株式会社ニイタカ | 表面改質樹脂容器の製造方法、樹脂容器及び樹脂容器の表面改質方法 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19245394A patent/JP3576216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012203937A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| CN106573277A (zh) * | 2014-07-24 | 2017-04-19 | 普发真空公司 | 用于处理用于基板的输送和大气储存的由塑料材料制成的运输容器的方法和工作站 |
| EP3171992A1 (fr) * | 2014-07-24 | 2017-05-31 | Pfeiffer Vacuum | Procede et station de traitement d'une boîte de transport en matériau plastique pour le convoyage et le stockage atmosphérique de substrats |
| JP2017527108A (ja) * | 2014-07-24 | 2017-09-14 | ファイファー バキユーム | 基板の搬送及び大気圧中保管用の、プラスチック製搬送ボックスを処理する方法、及びステーション |
| US10478872B2 (en) | 2014-07-24 | 2019-11-19 | Pfeiffer Vacuum | Method and station for treatment of a transport container made of plastic material for the atmospheric storage and conveyance of substrates |
| JP2020175024A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 株式会社ニイタカ | 表面改質樹脂容器の製造方法、樹脂容器及び樹脂容器の表面改質方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3576216B2 (ja) | 2004-10-13 |
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