JPH086252A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH086252A JPH086252A JP6143645A JP14364594A JPH086252A JP H086252 A JPH086252 A JP H086252A JP 6143645 A JP6143645 A JP 6143645A JP 14364594 A JP14364594 A JP 14364594A JP H086252 A JPH086252 A JP H086252A
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- photosensitive resin
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｒＦエキシマレーザーなどの極超短波長光
の発振波長領域に透明で、かつ感光材（光酸発生剤等）
や導入する感光基の選択等の設計により、より長波長に
感度（吸収）をもつように構成して、ｇ線，ｉ線，Ｋｒ
Ｆエキシマレーザーなどにも使用可能にした、微細加工
に好適で汎用性に富む感光性樹脂組成物を提供する。 【構成】 セルロース樹脂が、アセタールあるいはケ
タール骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、
光酸発生剤とを含有。セルロース樹脂が、アセタール
あるいはケタール骨格により架橋した構造を有し、該架
橋部位が光酸発生機能を備える。セルロース樹脂がア
セタールあるいはケタール骨格により架橋し、該架橋部
位以外の部分に光酸発生機能を備える基を導入したも
の。
の発振波長領域に透明で、かつ感光材（光酸発生剤等）
や導入する感光基の選択等の設計により、より長波長に
感度（吸収）をもつように構成して、ｇ線，ｉ線，Ｋｒ
Ｆエキシマレーザーなどにも使用可能にした、微細加工
に好適で汎用性に富む感光性樹脂組成物を提供する。 【構成】 セルロース樹脂が、アセタールあるいはケ
タール骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、
光酸発生剤とを含有。セルロース樹脂が、アセタール
あるいはケタール骨格により架橋した構造を有し、該架
橋部位が光酸発生機能を備える。セルロース樹脂がア
セタールあるいはケタール骨格により架橋し、該架橋部
位以外の部分に光酸発生機能を備える基を導入したも
の。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性樹脂組成物に関
する。本発明は、例えば電子材料（半導体装置等）の製
造プロセスにおける各種パターン形成のためのフォトリ
ソグラフィー技術に用いることができるフォトレジスト
として利用し得るものである。
する。本発明は、例えば電子材料（半導体装置等）の製
造プロセスにおける各種パターン形成のためのフォトリ
ソグラフィー技術に用いることができるフォトレジスト
として利用し得るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子材料の製造プロセス等において、各
種パターンを形成する必要のある場合、そのパターンの
微細化が進行しており、例えば半導体装置の分野で言え
ば、その集積化に伴う微細化がますます進行し、例えば
半導体集積回路の最小加工寸法は、今やサブクォータミ
クロン領域にはいろうとしている。このため、微細な加
工が可能な技術として、ＫｒＦエキシマレーザーリソグ
ラフィー技術などが研究されており、更にまたそれ以降
の技術として、ＥＢ直接描画技術、ＡｒＦエキシマレー
ザーリソグラフィー技術、Ｘ線リソグラフィー技術など
が注目されている。
種パターンを形成する必要のある場合、そのパターンの
微細化が進行しており、例えば半導体装置の分野で言え
ば、その集積化に伴う微細化がますます進行し、例えば
半導体集積回路の最小加工寸法は、今やサブクォータミ
クロン領域にはいろうとしている。このため、微細な加
工が可能な技術として、ＫｒＦエキシマレーザーリソグ
ラフィー技術などが研究されており、更にまたそれ以降
の技術として、ＥＢ直接描画技術、ＡｒＦエキシマレー
ザーリソグラフィー技術、Ｘ線リソグラフィー技術など
が注目されている。
【０００３】光リソグラフィーを技術について言えば、
ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー技術は有力であ
るが、この波長領域は有機物の紫外吸収領域にかかろう
とする領域にあたるため、これに用いる感光性組成物と
しては、なるべくベンゼン環など問題を生じ得る吸収を
示すような原子団を含有しない骨格のものが望まれる。
ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー技術は有力であ
るが、この波長領域は有機物の紫外吸収領域にかかろう
とする領域にあたるため、これに用いる感光性組成物と
しては、なるべくベンゼン環など問題を生じ得る吸収を
示すような原子団を含有しない骨格のものが望まれる。
【０００４】ところが、この波長領域の材料としては、
ＰＭＭＡ系の樹脂材料が知られているが、これのみをベ
ースレジンとする感光性樹脂組成物は、必ずしも満足の
行くものではなかった。とは言え、それ以外には目新し
いものはないというのが現状である。
ＰＭＭＡ系の樹脂材料が知られているが、これのみをベ
ースレジンとする感光性樹脂組成物は、必ずしも満足の
行くものではなかった。とは言え、それ以外には目新し
いものはないというのが現状である。
【０００５】また、リソグラフィー技術に用いる感光性
樹脂組成物としては、上記のように微細加工可能なＡｒ
Ｆエキシマレーザーに対して好適に使用できるととも
に、それより長波長の光（ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマ
レーザーなど）に対しても使用可能に設計できることが
望まれる。
樹脂組成物としては、上記のように微細加工可能なＡｒ
Ｆエキシマレーザーに対して好適に使用できるととも
に、それより長波長の光（ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマ
レーザーなど）に対しても使用可能に設計できることが
望まれる。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、ＡｒＦエキシマレーザーなどの極超短波長光の発
振波長領域に透明な感光性樹脂組成物であって、かつ設
計により、例えば感光材（光酸発生剤等）や導入する感
光基の選択によって、より長波長に感度（吸収）をもつ
ように構成して、例えばｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレ
ーザーなどにも使用可能である、微細加工に好適であっ
てかつ汎用性に富むようにした感光性樹脂組成物を提供
することを目的とする。
ので、ＡｒＦエキシマレーザーなどの極超短波長光の発
振波長領域に透明な感光性樹脂組成物であって、かつ設
計により、例えば感光材（光酸発生剤等）や導入する感
光基の選択によって、より長波長に感度（吸収）をもつ
ように構成して、例えばｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレ
ーザーなどにも使用可能である、微細加工に好適であっ
てかつ汎用性に富むようにした感光性樹脂組成物を提供
することを目的とする。
【０００７】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発生
剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物であって、
これにより上記目的を達成するものである。本明細書
中、「セルロース樹脂」とは、セルロースを高分子鎖の
主鎖の少なくとも一部として含有するものを言う。
は、セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発生
剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物であって、
これにより上記目的を達成するものである。本明細書
中、「セルロース樹脂」とは、セルロースを高分子鎖の
主鎖の少なくとも一部として含有するものを言う。
【０００８】本出願の請求項２の発明は、セルロース樹
脂が、アセタールあるいはケタール骨格により架橋した
構造を有し、該架橋部位が光酸発生機能を備えることを
特徴とする感光性樹脂組成物であって、これにより上記
目的を達成するものである。
脂が、アセタールあるいはケタール骨格により架橋した
構造を有し、該架橋部位が光酸発生機能を備えることを
特徴とする感光性樹脂組成物であって、これにより上記
目的を達成するものである。
【０００９】本出願の請求項３の発明は、架橋部位を与
える成分であるカルボニル化合物が、有機スルホン基あ
るいは有機ハロゲン基を有し、これが光によって酸を発
生する機能を付与するものであることを特徴とする請求
項２に記載の感光性樹脂組成物であって、これにより上
記目的を達成するものである。
える成分であるカルボニル化合物が、有機スルホン基あ
るいは有機ハロゲン基を有し、これが光によって酸を発
生する機能を付与するものであることを特徴とする請求
項２に記載の感光性樹脂組成物であって、これにより上
記目的を達成するものである。
【００１０】本出願の請求項４の発明は、セルロース樹
脂がアセタールあるいはケタール骨格により架橋した構
造の樹脂であって、該架橋部位以外の部分に光酸発生機
能を備える基を導入したものであることを特徴とする感
光性樹脂組成物であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
脂がアセタールあるいはケタール骨格により架橋した構
造の樹脂であって、該架橋部位以外の部分に光酸発生機
能を備える基を導入したものであることを特徴とする感
光性樹脂組成物であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００１１】本出願の請求項５の発明は、光酸発生機能
を備える基が、セルロース樹脂の残留水酸基に、有機ハ
ロゲン化物である酸、あるいはスルホン酸が結合し、エ
ステルをなすことにより導入されていることを特徴とす
る請求項４に記載の感光性樹脂組成物であって、これに
より上記目的を達成するものである。
を備える基が、セルロース樹脂の残留水酸基に、有機ハ
ロゲン化物である酸、あるいはスルホン酸が結合し、エ
ステルをなすことにより導入されていることを特徴とす
る請求項４に記載の感光性樹脂組成物であって、これに
より上記目的を達成するものである。
【００１２】本出願の請求項６の発明は、下記（ａ）〜
（ｃ）のすべてあるいは（ａ）〜（ｃ）のうちの任意の
２成分の混合物からなることを特徴とする感光性樹脂組
成物であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。 （ａ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発
生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物。 （ｂ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光酸発生
機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成物。 （ｃ）セルロース樹脂がアセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部位以外
の部分に光酸発生機能を備える基を導入したものである
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。
（ｃ）のすべてあるいは（ａ）〜（ｃ）のうちの任意の
２成分の混合物からなることを特徴とする感光性樹脂組
成物であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。 （ａ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発
生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物。 （ｂ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光酸発生
機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成物。 （ｃ）セルロース樹脂がアセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部位以外
の部分に光酸発生機能を備える基を導入したものである
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。
【００１３】本出願の請求項７の発明は、感光性樹脂組
成物（ｂ）の架橋部位を与える部分であるカルボニル化
合物が、有機スルホン基あるいは有機ハロゲン基を有
し、これが光によって酸を発生する機能を付与するもの
であることを特徴とする請求項６に記載の感光性樹脂組
成物であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
成物（ｂ）の架橋部位を与える部分であるカルボニル化
合物が、有機スルホン基あるいは有機ハロゲン基を有
し、これが光によって酸を発生する機能を付与するもの
であることを特徴とする請求項６に記載の感光性樹脂組
成物であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１４】本出願の請求項８の発明は、感光性樹脂組
成物（ｃ）の光酸発生機能を備える基が、セルロース樹
脂の残留水酸基に、有機ハロゲン化物である酸、あるい
はスルホン酸が結合し、エステルをなすことにより導入
されているものであることを特徴とする請求項６または
７に記載の感光性樹脂組成物であって、これにより上記
目的を達成するものである。
成物（ｃ）の光酸発生機能を備える基が、セルロース樹
脂の残留水酸基に、有機ハロゲン化物である酸、あるい
はスルホン酸が結合し、エステルをなすことにより導入
されているものであることを特徴とする請求項６または
７に記載の感光性樹脂組成物であって、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１５】本発明の好ましい態様の一つにあっては、
請求項１の発明を適用して、ＡｒＦエキシマレーザーな
どの極超短波長光の発振波長領域でも透明な、セルロー
ス樹脂を骨格として、これにアセタールあるいはケター
ル化を行い、分子間で架橋を行ったものをベースレジン
として用い、更にこれに感光剤として光酸発生剤を加え
て２成分系として、感光性樹脂組成物を構成する。
請求項１の発明を適用して、ＡｒＦエキシマレーザーな
どの極超短波長光の発振波長領域でも透明な、セルロー
ス樹脂を骨格として、これにアセタールあるいはケター
ル化を行い、分子間で架橋を行ったものをベースレジン
として用い、更にこれに感光剤として光酸発生剤を加え
て２成分系として、感光性樹脂組成物を構成する。
【００１６】すなわち、セルロース樹脂が、アセタール
またはケタール骨格により架橋した構造は、次のように
表すことができる。まず、セルロースは次式で示され
る。
またはケタール骨格により架橋した構造は、次のように
表すことができる。まず、セルロースは次式で示され
る。
【化１】
【００１７】このセルロースのＯＨ同士が、アセタール
またはケタール骨格で架橋するのは、次のように表すこ
とができる。
またはケタール骨格で架橋するのは、次のように表すこ
とができる。
【化２】
【００１８】但し、Ｒ1 ，Ｒ2 はＨ，ＣＨ3 等のアルキ
ル基、ＣＨ2 Ｃｌ，ＣＨＣｌ2 ，ＣＣｌ3 等の置換アル
キル基などである。
ル基、ＣＨ2 Ｃｌ，ＣＨＣｌ2 ，ＣＣｌ3 等の置換アル
キル基などである。
【００１９】これの架橋部位は酸ではずれる部位であ
り、酸の存在により上記式の右から左への反応が進む。
よって、光酸発生剤を同時に含有させておくことにより
この光酸発生剤が酸をもたらすと架橋が切れ、水溶性
化、あるい低分子量化する。水や極性溶媒などの現像液
と、低極性溶媒のリンス液などを組み合わせることによ
り、ポジ型の像を与える。
り、酸の存在により上記式の右から左への反応が進む。
よって、光酸発生剤を同時に含有させておくことにより
この光酸発生剤が酸をもたらすと架橋が切れ、水溶性
化、あるい低分子量化する。水や極性溶媒などの現像液
と、低極性溶媒のリンス液などを組み合わせることによ
り、ポジ型の像を与える。
【００２０】この場合に用いることができる光酸発生剤
としては、オニウム塩、有機ハロゲン化物、スルホン酸
エルテル類などを挙げることができる。
としては、オニウム塩、有機ハロゲン化物、スルホン酸
エルテル類などを挙げることができる。
【００２１】架橋部位そのものが、光酸発生剤であるよ
うに構成することは、本発明の他の好ましい態様である
（請求項２の発明の適用）。この場合は、クロロアセト
アルデヒド、ジクロロアセトアルデヒトなどを架橋剤と
し、これによる架橋部位が光酸発生機能を有するように
して、ここから発生するハロゲン酸を酸として用いる構
成にすることができる。
うに構成することは、本発明の他の好ましい態様である
（請求項２の発明の適用）。この場合は、クロロアセト
アルデヒド、ジクロロアセトアルデヒトなどを架橋剤と
し、これによる架橋部位が光酸発生機能を有するように
して、ここから発生するハロゲン酸を酸として用いる構
成にすることができる。
【００２２】また、分子内に光酸発生剤を含有させる態
様も本発明の好ましい実施態様である（請求項４の発明
の適用）。この態様を、用いるためには、一たん架橋さ
せたこのベースレジンの残留水酸基とエステル化可能な
ものを含有させておく構成をとることができる。このよ
うな化合物としては、トリクロロ酢酸などの有機ハロゲ
ン化物や、スルホン酢酸類などや、トリクロロメタンス
ルホン酸、メタンスルホン酸などを例示できる。なおこ
の場合のエステル化は、トリエチルアミンなどの塩基性
条件化で行う必要がある。そうしないと、架橋が切れて
しまうからである。
様も本発明の好ましい実施態様である（請求項４の発明
の適用）。この態様を、用いるためには、一たん架橋さ
せたこのベースレジンの残留水酸基とエステル化可能な
ものを含有させておく構成をとることができる。このよ
うな化合物としては、トリクロロ酢酸などの有機ハロゲ
ン化物や、スルホン酢酸類などや、トリクロロメタンス
ルホン酸、メタンスルホン酸などを例示できる。なおこ
の場合のエステル化は、トリエチルアミンなどの塩基性
条件化で行う必要がある。そうしないと、架橋が切れて
しまうからである。
【００２３】
【実施例】以下本発明を、実施例をもって詳細に説明す
る。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例
により限定を受けるものではない。
る。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例
により限定を受けるものではない。
【００２４】実施例１ 本実施例では、請求項１の発明のタイプの２成分系（ベ
ース樹脂と光酸発生剤との２成分を必須成分として含む
もの）の感光性樹脂組成物を作製した。
ース樹脂と光酸発生剤との２成分を必須成分として含む
もの）の感光性樹脂組成物を作製した。
【００２５】樹脂の調製 セルロースをＤＭＦ（ジメチルフォルムアミド）及び水
の混合溶媒に溶解し、酸性条件下で、パラホルムアルデ
ヒドのクラッキングにより発生させたホルムアルデヒド
によって分子間架橋させ、食塩水に投入後エーテル抽出
し硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、ロータリエ
バポレータで濃縮し、エタノールに再沈澱させること
で、架橋セルロースを得る。
の混合溶媒に溶解し、酸性条件下で、パラホルムアルデ
ヒドのクラッキングにより発生させたホルムアルデヒド
によって分子間架橋させ、食塩水に投入後エーテル抽出
し硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、ロータリエ
バポレータで濃縮し、エタノールに再沈澱させること
で、架橋セルロースを得る。
【００２６】これを、エタノール及び水の混合溶媒に溶
解し、請求項１の発明タイプの感光性樹脂組成物とする
ために、光酸発生剤としてここではエチレングリコール
のトリクロロ酢酸エステルを加える。その後濾過する。
このようにして得た感光性樹脂組成物は、この濾過後の
状態で、フォトリソグラフィーに使用する塗布液として
用いることができる。
解し、請求項１の発明タイプの感光性樹脂組成物とする
ために、光酸発生剤としてここではエチレングリコール
のトリクロロ酢酸エステルを加える。その後濾過する。
このようにして得た感光性樹脂組成物は、この濾過後の
状態で、フォトリソグラフィーに使用する塗布液として
用いることができる。
【００２７】実施例２ 本実施例では、請求項２の発明のタイプの１成分系（セ
ルロース樹脂の架橋部位が光酸発生機能を有するもの）
の感光性樹脂組成物を作製した。
ルロース樹脂の架橋部位が光酸発生機能を有するもの）
の感光性樹脂組成物を作製した。
【００２８】樹脂の調製 セルロースをＤＭＦ及び水の混合溶媒に溶解し、酸性条
件下で、クロロアセトアルデヒドを分子間アセタール化
剤に用いて、分子間架橋させ、食塩水に投入後エーテル
抽出し硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、ロータ
リエバポレータで濃縮し、エタノールに再沈澱させるこ
とで、架橋セルロースを得る。
件下で、クロロアセトアルデヒドを分子間アセタール化
剤に用いて、分子間架橋させ、食塩水に投入後エーテル
抽出し硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、ロータ
リエバポレータで濃縮し、エタノールに再沈澱させるこ
とで、架橋セルロースを得る。
【００２９】これを、エタノール及び水の混合溶媒に溶
解し、請求項２の発明のタイプの感光性樹脂組成物を得
た。
解し、請求項２の発明のタイプの感光性樹脂組成物を得
た。
【００３０】実施例３ 本実施例では、請求項４の発明のタイプの１成分系（セ
ルロース樹脂の架橋部位が以外の部分に光酸発生機能を
備える基を導入したもの）の感光性樹脂組成物を作製し
た。
ルロース樹脂の架橋部位が以外の部分に光酸発生機能を
備える基を導入したもの）の感光性樹脂組成物を作製し
た。
【００３１】即ち、このタイプの感光性樹脂組成物得る
ため、実施例１で得られた架橋セルロース樹脂をＤＭＦ
に溶解し、これにトリエチルアミンと、トリクロロ酢酸
塩化物を加えて、残留水酸基の一部をトリクロロ酢酸エ
ステルにした。これを、エタノール及び水の混合溶媒に
溶解し、請求項４の発明のタイプの感光性樹脂組成物を
得た。
ため、実施例１で得られた架橋セルロース樹脂をＤＭＦ
に溶解し、これにトリエチルアミンと、トリクロロ酢酸
塩化物を加えて、残留水酸基の一部をトリクロロ酢酸エ
ステルにした。これを、エタノール及び水の混合溶媒に
溶解し、請求項４の発明のタイプの感光性樹脂組成物を
得た。
【００３２】実施例４ この実施例では、上記実施例１〜３で得た感光性樹脂組
成物を用いて、シリコン半導体ウェハ上にパターン形成
を行った。即ち、実施例１〜３に係る３種の樹脂を、各
々５インチウェハに回転塗布し、０．８μｍの膜厚にな
るようにした。これを、試作ＡｒＦ露光機（密着型）を
用いて露光した後、現像・リンスを行い、乾燥した。各
組成物に対して用いた現像液、リンス液、及びパターン
解像度を下の表１に示す。
成物を用いて、シリコン半導体ウェハ上にパターン形成
を行った。即ち、実施例１〜３に係る３種の樹脂を、各
々５インチウェハに回転塗布し、０．８μｍの膜厚にな
るようにした。これを、試作ＡｒＦ露光機（密着型）を
用いて露光した後、現像・リンスを行い、乾燥した。各
組成物に対して用いた現像液、リンス液、及びパターン
解像度を下の表１に示す。
【表１】 使用液及びパターン解像度測定結果
【００３３】以上のようにすることで、本実施例によれ
ば、ＡｒＦエキシマレーザーの発振波長領域に透明な感
光性樹脂組成物を得て、これにより良好なパターン形成
を行うことができた。
ば、ＡｒＦエキシマレーザーの発振波長領域に透明な感
光性樹脂組成物を得て、これにより良好なパターン形成
を行うことができた。
【００３４】実施例５ 上記実施例１の架橋セルロース樹脂について、より長波
長に感度（吸収）をもっている光酸発生剤を含有させる
ことにによって、光酸発生剤の対応する感光領域に従
い、ｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレーザーに各々使用可
能である感光性樹脂組成物を得ることができた。
長に感度（吸収）をもっている光酸発生剤を含有させる
ことにによって、光酸発生剤の対応する感光領域に従
い、ｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレーザーに各々使用可
能である感光性樹脂組成物を得ることができた。
【００３５】本実施例では、感光性樹脂組成物中の光酸
発生剤として、ｇ線用及びｉ線用組成物には下記化合物
を用い、ＫｒＦエキシマレーザー用組成物には下記化
合物及び／またはを用いた。
発生剤として、ｇ線用及びｉ線用組成物には下記化合物
を用い、ＫｒＦエキシマレーザー用組成物には下記化
合物及び／またはを用いた。
【００３６】
【化３】
【００３７】実施例６ 本実施例では、下記感光性樹脂組成物（ａ）〜（ｃ）を
混合して、感光性樹脂組成物として用いた。 （ａ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発
生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物である、
実施例１の感光性組成物。 （ｂ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光酸発生
機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成物であ
る、実施例２の感光性組成物。 （ｃ）セルロース樹脂がアセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部位以外
の部分に光酸発生機能を備える基を導入したものである
ことを特徴とする感光性樹脂組成物である、実施例３の
感光性組成物。
混合して、感光性樹脂組成物として用いた。 （ａ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発
生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物である、
実施例１の感光性組成物。 （ｂ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光酸発生
機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成物であ
る、実施例２の感光性組成物。 （ｃ）セルロース樹脂がアセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部位以外
の部分に光酸発生機能を備える基を導入したものである
ことを特徴とする感光性樹脂組成物である、実施例３の
感光性組成物。
【００３８】本実施例では特に、（ａ）〜（ｃ）を１：
１：１で混合して用い、これを実施例４と同様にして、
シリコンウェハ上にパターンを形成した。
１：１で混合して用い、これを実施例４と同様にして、
シリコンウェハ上にパターンを形成した。
【００３９】この結果、０．２０μｍラインアンドスペ
ースの良好なパターンを形成することができた。
ースの良好なパターンを形成することができた。
【００４０】実施例７ 本実施例では、実施例６の（ａ）と（ｂ）とを１：１に
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
４μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
４μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
【００４１】実施例８ 本実施例では、実施例６の（ａ）と（ｃ）とを１：１に
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
３μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
３μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
【００４２】実施例９ 本実施例では、実施例６の（ｂ）と（ｃ）とを１：１に
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
４μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
混合して用いた。これにより、同様に実施して、０．２
４μｍラインアンドスペースの良好なパターンを形成す
ることができた。
【００４３】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ＡｒＦエ
キシマレーザーなどの極超短波長光の発振波長領域に透
明な感光性樹脂組成物であって、かつ設計により、例え
ば感光材（光酸発生剤等）あるいは導入する感光基の選
択によって、より長波長に感度（吸収）をもつように構
成して、例えばｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレーザーな
どにも使用可能である、微細加工に好適であってかつ汎
用性に富むようにした感光性樹脂組成物を提供すること
ができた。
キシマレーザーなどの極超短波長光の発振波長領域に透
明な感光性樹脂組成物であって、かつ設計により、例え
ば感光材（光酸発生剤等）あるいは導入する感光基の選
択によって、より長波長に感度（吸収）をもつように構
成して、例えばｇ線，ｉ線，ＫｒＦエキシマレーザーな
どにも使用可能である、微細加工に好適であってかつ汎
用性に富むようにした感光性樹脂組成物を提供すること
ができた。
Claims (8)
- 【請求項１】セルロース樹脂が、アセタールあるいはケ
タール骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、 光酸発生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】セルロース樹脂が、アセタールあるいはケ
タール骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光
酸発生機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成
物。 - 【請求項３】架橋部位を与える成分であるカルボニル化
合物が、有機スルホン基あるいは有機ハロゲン基を有
し、これが光によって酸を発生する機能を付与するもの
であることを特徴とする請求項２に記載の感光性樹脂組
成物。 - 【請求項４】セルロース樹脂がアセタールあるいはケタ
ール骨格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部
位以外の部分に光酸発生機能を備える基を導入したもの
であることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項５】光酸発生機能を備える基が、セルロース樹
脂の残留水酸基に、有機ハロゲン化物である酸、あるい
はスルホン酸が結合し、エステルをなすことにより導入
されていることを特徴とする請求項４に記載の感光性樹
脂組成物。 - 【請求項６】下記（ａ）〜（ｃ）のすべてあるいは
（ａ）〜（ｃ）のうちの任意の２成分の混合物からなる
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。 （ａ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有するベース樹脂と、光酸発
生剤とを少なくとも含有する感光性樹脂組成物。 （ｂ）セルロース樹脂が、アセタールあるいはケタール
骨格により架橋した構造を有し、該架橋部位が光酸発生
機能を備えることを特徴とする感光性樹脂組成物。 （ｃ）セルロース樹脂がアセタールあるいはケタール骨
格により架橋した構造の樹脂であって、該架橋部位以外
の部分に光酸発生機能を備える基を導入したものである
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項７】感光性樹脂組成物（ｂ）の架橋部位を与え
る部分であるカルボニル化合物が、有機スルホン基ある
いは有機ハロゲン基を有し、これが光によって酸を発生
する機能を付与するものであることを特徴とする請求項
６に記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項８】感光性樹脂組成物（ｃ）の光酸発生機能を
備える基が、セルロース樹脂の残留水酸基に、有機ハロ
ゲン化物である酸、あるいはスルホン酸が結合し、エス
テルをなすことにより導入されているものであることを
特徴とする請求項６または７に記載の感光性樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143645A JPH086252A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143645A JPH086252A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH086252A true JPH086252A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15343604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143645A Pending JPH086252A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH086252A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0848290A1 (en) * | 1996-12-10 | 1998-06-17 | Morton International, Inc. | High resolution positive acting dry film photoresist |
| EP1211559A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive resin composition, fabricating method for patterned substrate, and device comprising this substrate |
| US6887347B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-05-03 | The Procter And Gamble Company | Cellulose fibers comprising radiation activatable resin formalities |
| US7135209B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-11-14 | Basf Aktiengesellschaft | Water soluble radiation activatable polymer resins |
| US9389451B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, method of forming pattern, and liquid crystal display using the same |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP6143645A patent/JPH086252A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0848290A1 (en) * | 1996-12-10 | 1998-06-17 | Morton International, Inc. | High resolution positive acting dry film photoresist |
| EP1211559A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive resin composition, fabricating method for patterned substrate, and device comprising this substrate |
| US6887347B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-05-03 | The Procter And Gamble Company | Cellulose fibers comprising radiation activatable resin formalities |
| US7135209B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-11-14 | Basf Aktiengesellschaft | Water soluble radiation activatable polymer resins |
| US9389451B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, method of forming pattern, and liquid crystal display using the same |
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