JPH0862842A - 組成物、感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製法 - Google Patents
組成物、感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製法Info
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- JPH0862842A JPH0862842A JP19819094A JP19819094A JPH0862842A JP H0862842 A JPH0862842 A JP H0862842A JP 19819094 A JP19819094 A JP 19819094A JP 19819094 A JP19819094 A JP 19819094A JP H0862842 A JPH0862842 A JP H0862842A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】露光部と非露光部とで大きな凹凸差を有し、正
弦波状等のなだらかな形状を有する表面レリーフ構造を
有するパターンを得る。 【構成】下記一般式（Ｉ）または一般式（IV） （式中、Ｒ１ないしＲ６は水素原子または下記（だだ
し、一般式中、ｍは１以上３以下の整数。）、 で示される基であって、Ｒ１ないしＲ６が全て水素原子
である場合はない。なおｎは１以上６以下の整数。） （式中、Ｒ１２ないしＲ２０は水素原子または下記（だ
だし、一般式中、ｍは１以上３以下の整数。）、 で示される基であって、Ｒ１２ないしＲ２０が全て水素
原子である場合はない。）で示される構造単位を有する
化合物を５〜９０重量％と、式（II）、 （式中、Ｒ７は水素原子または炭素数４以下のアルキル
基を表し、Ｒ６はシクロアルケニル基または式（III）
（ただし、式（III）中、Ｒ９，Ｒ１０およびＲ１１は
それぞれ水素原子またはアルキル基を表し、ｚは１以上
５以下の整数。）で示される基を表す。）で示される構
造単位を２〜９８モル％有する重合体または共重合体を
１０〜９５重量％含む感光性樹脂組成物。該感光性樹脂
組成物の薄膜を露光後、未反応の化合物を加熱、減圧処
理等により除去するパターン作製法。
弦波状等のなだらかな形状を有する表面レリーフ構造を
有するパターンを得る。 【構成】下記一般式（Ｉ）または一般式（IV） （式中、Ｒ１ないしＲ６は水素原子または下記（だだ
し、一般式中、ｍは１以上３以下の整数。）、 で示される基であって、Ｒ１ないしＲ６が全て水素原子
である場合はない。なおｎは１以上６以下の整数。） （式中、Ｒ１２ないしＲ２０は水素原子または下記（だ
だし、一般式中、ｍは１以上３以下の整数。）、 で示される基であって、Ｒ１２ないしＲ２０が全て水素
原子である場合はない。）で示される構造単位を有する
化合物を５〜９０重量％と、式（II）、 （式中、Ｒ７は水素原子または炭素数４以下のアルキル
基を表し、Ｒ６はシクロアルケニル基または式（III）
（ただし、式（III）中、Ｒ９，Ｒ１０およびＲ１１は
それぞれ水素原子またはアルキル基を表し、ｚは１以上
５以下の整数。）で示される基を表す。）で示される構
造単位を２〜９８モル％有する重合体または共重合体を
１０〜９５重量％含む感光性樹脂組成物。該感光性樹脂
組成物の薄膜を露光後、未反応の化合物を加熱、減圧処
理等により除去するパターン作製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感光性を有する組成物、
大きな凹凸差を有するパターンを作製することが可能な
感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製
法に関する。
大きな凹凸差を有するパターンを作製することが可能な
感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来知られている感光性樹脂の多くは、
感光基を持つ化合物と高分子化合物とからなるものであ
るか、感光基をもつ高分子化合物であり、感光性樹脂の
露光部では架橋反応または分子の崩壊反応が生起し、そ
の露光部が難溶化または易溶化することから、溶剤を用
いて該露光部または非露光部の感光性樹脂を除去する方
法［従来法（１）］によりパターンを作製していた。
感光基を持つ化合物と高分子化合物とからなるものであ
るか、感光基をもつ高分子化合物であり、感光性樹脂の
露光部では架橋反応または分子の崩壊反応が生起し、そ
の露光部が難溶化または易溶化することから、溶剤を用
いて該露光部または非露光部の感光性樹脂を除去する方
法［従来法（１）］によりパターンを作製していた。
【０００３】また、樹脂に該樹脂より高い屈折率を有す
る比較的揮発性の光反応性物質をドープしてなる感光性
樹脂組成物より薄膜を形成し、ついで該薄膜に紫外線を
照射し、露光部のドープ物質をロッキングし、非露光部
のドープ物質を蒸発除去することにより、露光部と非露
光部とに屈折率差を有するパターンを形成する方法、い
わゆるフオトロッキング法［従来法（２）］が知られて
いる［アプライド・フイジクス・レターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第２６巻、
第６号、第３０３〜３０６頁（１９７５年）参照］。こ
の方法によれば、露光部では非露光部に比べて膜厚が約
１０％増加することが報告されている。
る比較的揮発性の光反応性物質をドープしてなる感光性
樹脂組成物より薄膜を形成し、ついで該薄膜に紫外線を
照射し、露光部のドープ物質をロッキングし、非露光部
のドープ物質を蒸発除去することにより、露光部と非露
光部とに屈折率差を有するパターンを形成する方法、い
わゆるフオトロッキング法［従来法（２）］が知られて
いる［アプライド・フイジクス・レターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第２６巻、
第６号、第３０３〜３０６頁（１９７５年）参照］。こ
の方法によれば、露光部では非露光部に比べて膜厚が約
１０％増加することが報告されている。
【０００４】さらに、エステルのアルコール残基に光反
応性の二重結合を有するアクリル酸またはメタクリル酸
エステル系の高分子化合物と、分子容が大きくかつ屈折
率が該高分子化合物より高い芳香族ケトンまたは芳香族
アルデヒド（例えば、３−ベンゾイルベンゾフェノン）
とからなる感光性樹脂組成物より薄膜を形成し、ついで
該薄膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳香族ケト
ンまたは芳香族アルデヒドを除去することにより露光部
と非露光部との間に屈折率差（０．０４程度）と凹凸差
（３０％程度）とを併せもつパターンを作製する方法
［従来法（３）］が知られている（特開昭６２−９５５
２５号公報および特開昭６２−９５５２６号公報参
照）。
応性の二重結合を有するアクリル酸またはメタクリル酸
エステル系の高分子化合物と、分子容が大きくかつ屈折
率が該高分子化合物より高い芳香族ケトンまたは芳香族
アルデヒド（例えば、３−ベンゾイルベンゾフェノン）
とからなる感光性樹脂組成物より薄膜を形成し、ついで
該薄膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳香族ケト
ンまたは芳香族アルデヒドを除去することにより露光部
と非露光部との間に屈折率差（０．０４程度）と凹凸差
（３０％程度）とを併せもつパターンを作製する方法
［従来法（３）］が知られている（特開昭６２−９５５
２５号公報および特開昭６２−９５５２６号公報参
照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来法（１）は、ある
露光量を境にして現像液に対する感光性樹脂組成物の溶
解性が異なることを利用して、露光部と非露光部に対応
したパターンを形成するものであるため、作製されたパ
ターンの形状は矩形状のものとなり、正弦波状等のなだ
らかな形状を有するパターンを作製することは困難であ
った。従来法（２）によれば、露光部と非露光部とで屈
折率差および凹凸部分の厚さ変化を有するパターンが得
られるが、その凹凸の変化幅はわずかである。従来法
（３）によれば感光性樹脂組成物における露光部が非露
光部よりも高い屈折率を有し、かつ厚さが大きいパター
ンが作製でき、しかも、露光量によって厚さおよび屈折
率を連続的に変化させることができるので、正弦波状の
なだらかな形状を有するパターンを作製することも可能
であるが、用途によっては、屈折率差が小さく、より大
きな凹凸差を有することが望まれることがあった。
露光量を境にして現像液に対する感光性樹脂組成物の溶
解性が異なることを利用して、露光部と非露光部に対応
したパターンを形成するものであるため、作製されたパ
ターンの形状は矩形状のものとなり、正弦波状等のなだ
らかな形状を有するパターンを作製することは困難であ
った。従来法（２）によれば、露光部と非露光部とで屈
折率差および凹凸部分の厚さ変化を有するパターンが得
られるが、その凹凸の変化幅はわずかである。従来法
（３）によれば感光性樹脂組成物における露光部が非露
光部よりも高い屈折率を有し、かつ厚さが大きいパター
ンが作製でき、しかも、露光量によって厚さおよび屈折
率を連続的に変化させることができるので、正弦波状の
なだらかな形状を有するパターンを作製することも可能
であるが、用途によっては、屈折率差が小さく、より大
きな凹凸差を有することが望まれることがあった。
【０００６】本発明は露光部と非露光部とで大きな凹凸
差を有し、かつ、正弦波状等のなだらかな形状を有する
表面レリーフ構造を有するパターンを得ることができる
組成物または該組成物からなる感光性樹脂を提供するこ
とを目的とする。また、本発明は該感光性樹脂組成物を
用いた上記のパターンを作製する方法を提供することを
目的とする。さらに、本発明は該感光性樹脂組成物によ
り作製されてなるパターンを提供することを目的とす
る。
差を有し、かつ、正弦波状等のなだらかな形状を有する
表面レリーフ構造を有するパターンを得ることができる
組成物または該組成物からなる感光性樹脂を提供するこ
とを目的とする。また、本発明は該感光性樹脂組成物を
用いた上記のパターンを作製する方法を提供することを
目的とする。さらに、本発明は該感光性樹脂組成物によ
り作製されてなるパターンを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、下記一般式（Ｉ）で示される構造単位（以下、
これを構造単位（Ｉ）と称する。）を有する化合物
（Ａ）を５〜９０重量％と、下記一般式（II）で示され
る構造単位（以下、これを構造単位（II）と称する。ま
た、下記一般式（III）で示される構造単位を構造単位
（III）と称する。）を２〜９８モル％有する重合体ま
たは共重合体（以下、単に「重合体（Ｂ）」という。）
を１０〜９５重量％含むことを特徴とする組成物または
該組成物からなる感光性樹脂を提供することにより達成
される。 構造単位（Ｉ）：
目的は、下記一般式（Ｉ）で示される構造単位（以下、
これを構造単位（Ｉ）と称する。）を有する化合物
（Ａ）を５〜９０重量％と、下記一般式（II）で示され
る構造単位（以下、これを構造単位（II）と称する。ま
た、下記一般式（III）で示される構造単位を構造単位
（III）と称する。）を２〜９８モル％有する重合体ま
たは共重合体（以下、単に「重合体（Ｂ）」という。）
を１０〜９５重量％含むことを特徴とする組成物または
該組成物からなる感光性樹脂を提供することにより達成
される。 構造単位（Ｉ）：
【化１３】 構造単位（II）：
【化１４】
【０００８】上記の化合物（Ａ）と重合体（Ｂ）との組
成割合は５：９５〜９０：１０（重量比）の範囲が好ま
しく、２０：８０〜８０：２０（重量比）の範囲がより
好ましい。
成割合は５：９５〜９０：１０（重量比）の範囲が好ま
しく、２０：８０〜８０：２０（重量比）の範囲がより
好ましい。
【０００９】また、本発明によれば、上記の目的は、下
記一般式（IV）で示される構造単位（以下、これを構造
単位（IV）と称する。）を有する化合物（Ｃ）を５〜９
０重量％と、下記一般式（Ｖ）で示される構造単位（以
下、これを構造単位（Ｖ）と称する。また、下記一般式
（VI）で示される構造単位を構造単位（VI）と称す
る。）を２〜９８モル％有する重合体または共重合体
（以下、単に「重合体（Ｄ）」という。）を１０〜９５
重量％含むことを特徴とする組成物または該組成物から
なる感光性樹脂を提供することにより達成される。 構造単位（IV）：
記一般式（IV）で示される構造単位（以下、これを構造
単位（IV）と称する。）を有する化合物（Ｃ）を５〜９
０重量％と、下記一般式（Ｖ）で示される構造単位（以
下、これを構造単位（Ｖ）と称する。また、下記一般式
（VI）で示される構造単位を構造単位（VI）と称す
る。）を２〜９８モル％有する重合体または共重合体
（以下、単に「重合体（Ｄ）」という。）を１０〜９５
重量％含むことを特徴とする組成物または該組成物から
なる感光性樹脂を提供することにより達成される。 構造単位（IV）：
【化１５】 構造単位（Ｖ）：
【化１６】
【００１０】上記の化合物（Ｃ）と重合体（Ｄ）との組
成割合は５：９５〜９０：１０（重量比）の範囲が好ま
しく、２０：８０〜８０：２０（重量比）の範囲がより
好ましい。
成割合は５：９５〜９０：１０（重量比）の範囲が好ま
しく、２０：８０〜８０：２０（重量比）の範囲がより
好ましい。
【００１１】化合物（Ａ）または化合物（Ｃ）として
は、例えば置換基を有していてもベンズアルデヒドまた
はベンゾフェノンの誘導体が挙げられ、好ましい化合物
としては、３，３′−ジトリフルオロメチルベンゾフェ
ノン、（３′−トリフルオロメチルベンゾイル）−３−
トリフルオロメチルベンゾフェノン、４′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル−４−トリフルオロメチルベンゾフ
ェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル−４−ト
リフルオロメチルベンゾフェノン、３′−トリフルオロ
メチルベンゾイル−３，５−ビストリフルオロメチルベ
ンゾフェノン、３′，５′−ビストリフルオロメチル−
３，５−ビストリフルオロメチルベンゾフェノン、３，
３′−ビスパーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−
パーフルオロエチルベンゾイル−３−パーフルオロエチ
ルベンゾフェノン、４′−パーフルオロエチルベンゾイ
ル−４−パーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−パ
ーフルオロエチルベンゾイル−４−パーフルオロエチル
ベンゾフェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル
−３−パーフルオロエチルベンゾフェノン、４′−トリ
フルオロメチルベンゾイル−４−パーフルオロエチルベ
ンゾフェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル−
４−パーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−パーフ
ルオロエチルベンゾイル−４−トリフルオロメチルベン
ゾフェノン、１，３，５−トリス−（３′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル）−ベンゼン、１，３，５−トリス
−（４′−トリフルオロメチルベンゾイル）−ベンゼン
が挙げられる。これらの中で、３−（３′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル）−３−トリフルオロメチルベンゾ
フェノン、３−（４′−トリフルオロメチルベンゾイ
ル）−４−トリフルオロメチルベンゾフェノン、１，
３，５−（トリ−（３′−トリフルオロメチルベンゾイ
ル））ベンゼンおよび３−（３′，５′−ジトリフルオ
ロメチルベンゾイル）−３，５−ジトリフルオロメチル
ベンゾフェノンが合成のし易さ、光反応性の高さなどの
点から好ましい。
は、例えば置換基を有していてもベンズアルデヒドまた
はベンゾフェノンの誘導体が挙げられ、好ましい化合物
としては、３，３′−ジトリフルオロメチルベンゾフェ
ノン、（３′−トリフルオロメチルベンゾイル）−３−
トリフルオロメチルベンゾフェノン、４′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル−４−トリフルオロメチルベンゾフ
ェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル−４−ト
リフルオロメチルベンゾフェノン、３′−トリフルオロ
メチルベンゾイル−３，５−ビストリフルオロメチルベ
ンゾフェノン、３′，５′−ビストリフルオロメチル−
３，５−ビストリフルオロメチルベンゾフェノン、３，
３′−ビスパーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−
パーフルオロエチルベンゾイル−３−パーフルオロエチ
ルベンゾフェノン、４′−パーフルオロエチルベンゾイ
ル−４−パーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−パ
ーフルオロエチルベンゾイル−４−パーフルオロエチル
ベンゾフェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル
−３−パーフルオロエチルベンゾフェノン、４′−トリ
フルオロメチルベンゾイル−４−パーフルオロエチルベ
ンゾフェノン、３′−トリフルオロメチルベンゾイル−
４−パーフルオロエチルベンゾフェノン、３′−パーフ
ルオロエチルベンゾイル−４−トリフルオロメチルベン
ゾフェノン、１，３，５−トリス−（３′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル）−ベンゼン、１，３，５−トリス
−（４′−トリフルオロメチルベンゾイル）−ベンゼン
が挙げられる。これらの中で、３−（３′−トリフルオ
ロメチルベンゾイル）−３−トリフルオロメチルベンゾ
フェノン、３−（４′−トリフルオロメチルベンゾイ
ル）−４−トリフルオロメチルベンゾフェノン、１，
３，５−（トリ−（３′−トリフルオロメチルベンゾイ
ル））ベンゼンおよび３−（３′，５′−ジトリフルオ
ロメチルベンゾイル）−３，５−ジトリフルオロメチル
ベンゾフェノンが合成のし易さ、光反応性の高さなどの
点から好ましい。
【００１２】上記の構造単位（II）におけるＲ7または
構造単位（Ｖ）におけるＲ21が表す炭素数４以下のアル
キル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基などが挙げられる。また構造単
位（III）におけるＲ9、Ｒ10およびＲ11または構造単位
（VI）におけるＲ23、Ｒ24およびＲ25がそれぞれ表すア
ルキル基は分岐鎖または任意の置換基を有していてもよ
く、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基などの炭素数が８以下の低級アルキル基が好ま
しい。構造単位（II）におけるＲ8または構造単位
（Ｖ）におけるＲ22の好適例として、アリル基、２−ブ
テニル基、３−ブテニル基、２−メチル−２−プロペニ
ル基、２−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、４−ヘプ
テニル基、２−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−
２−ブテニル基、２−エチル−２−プロペニル基、２−
メチル−３−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−プロ
ペニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−
ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１，１−ジメチル−
２−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−ブテニル基、
１．３−ジメチル−２−ブテニル基、２，３−ジメチル
−２−ブテニル基、３−メチル−２−ヘプテニル基、２
−メチル−２−ヘプテニル基、２−メチル−２−シクロ
ヘキセニル基、３−メチル−２−シクロヘキセニル基、
ゲラニル基、イソゲラニル基、ネリル基、ラバンジュリ
ル基、６−メチルゲラニル基、１−メチルゲラニル基、
６−エチルゲラニル基、ペリリル基、フアルネシル基、
ゲラニルゲラニル基、β−シクロゲラニルゲラニル基な
どを挙げることができる。
構造単位（Ｖ）におけるＲ21が表す炭素数４以下のアル
キル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基などが挙げられる。また構造単
位（III）におけるＲ9、Ｒ10およびＲ11または構造単位
（VI）におけるＲ23、Ｒ24およびＲ25がそれぞれ表すア
ルキル基は分岐鎖または任意の置換基を有していてもよ
く、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基などの炭素数が８以下の低級アルキル基が好ま
しい。構造単位（II）におけるＲ8または構造単位
（Ｖ）におけるＲ22の好適例として、アリル基、２−ブ
テニル基、３−ブテニル基、２−メチル−２−プロペニ
ル基、２−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、４−ヘプ
テニル基、２−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−
２−ブテニル基、２−エチル−２−プロペニル基、２−
メチル−３−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−プロ
ペニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−
ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１，１−ジメチル−
２−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−ブテニル基、
１．３−ジメチル−２−ブテニル基、２，３−ジメチル
−２−ブテニル基、３−メチル−２−ヘプテニル基、２
−メチル−２−ヘプテニル基、２−メチル−２−シクロ
ヘキセニル基、３−メチル−２−シクロヘキセニル基、
ゲラニル基、イソゲラニル基、ネリル基、ラバンジュリ
ル基、６−メチルゲラニル基、１−メチルゲラニル基、
６−エチルゲラニル基、ペリリル基、フアルネシル基、
ゲラニルゲラニル基、β−シクロゲラニルゲラニル基な
どを挙げることができる。
【００１３】重合体（Ｂ）または重合体（Ｄ）はα位が
アルキル基によって置換されていてもよいアクリル酸も
しくはそのエステルまたは該アクリル酸またはそのエス
テルと構造単位（III）または構造単位（VI）を形成す
るコモノマーとの共重合により重合体を得、ついで該重
合体と基Ｒ11を有するアルコールを反応させることによ
り製造することができる。
アルキル基によって置換されていてもよいアクリル酸も
しくはそのエステルまたは該アクリル酸またはそのエス
テルと構造単位（III）または構造単位（VI）を形成す
るコモノマーとの共重合により重合体を得、ついで該重
合体と基Ｒ11を有するアルコールを反応させることによ
り製造することができる。
【００１４】構造単位（II）または構造単位（Ｖ）を形
成するアクリル酸誘導体としては、アリルメタクリレー
ト、アリルアクリレート、２（または３）−ブテニルメ
タクリレート、２（または３）−ブテニルアクリレー
ト、２−メチル−２−プロペニルメタクリレート、２−
メチル−２−プロペニルアクリレート、２（または３ま
たは４）−ヘプテニルメタクリレート、２（または３ま
たは４）−ヘプテニルアクリレート、２−メチル−２
（または３）−ブテニルメタクリレート、２−メチル−
２（または３）−ブテニルアクリレート、２−エチル−
２−プロペニルメタクリレート、２−エチル−２−プロ
ペニルアクリレート、１，２−ジメチル−２−プロペニ
ルメタクリレート、１，２−ジメチル−２−プロペニル
アクリレート、２（または３または４または５）−ヘキ
セニルメタクリレート、２（または３または４または
５）−ヘキセニルアクリレート、１，１（または１，２
または１，３または２，３）−ジメチル−２−ブテニル
メタクリレート、１，１（または１，２または１，３ま
たは２，３）−ジメチル−２−ブテニルアクリレート、
２（または３）−メチル−２−ヘプテニルメタクリレー
ト、２（または３）−メチル−２−ヘプテニルアクリレ
ートなどのアルコール残基が鎖状になっているアクリル
酸誘導体；２（または３）−メチル−２−シクロヘキセ
ニルメタクリレート、２（または３）−メチル−２−シ
クロヘキセニルアクリレートなどのアルコール残基が環
状になっているアクリル酸誘導体；ゲラニルメタクリレ
ート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタクリレート、
ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリレート、イ
ソゲラニルアクリレート、ラバンジュリルメタクリレー
ト、ラバンジュリルアクリレート、６−メチルゲラニル
メタクリレート、６−メチルゲラニルアクリレート、１
−メチルゲラニルメタクリレート、１−メチルゲラニル
アクリレート、６−エチルゲラニルメタクリレート、６
−エチルゲラニルアクリレート、ペリリルメタクリレー
ト、ペリリルアクリレート等の非共役二重結合を２個有
する鎖状または環状テルペン系アルコールとアクリル酸
またはメタクリル酸とのエステル；フアルネシルメタク
リレート、フアルネシルアクリレート、ゲラニルゲラニ
ルメタクリレート、ゲラニルゲラニルアクリレート、β
−シクロゲラニルゲラニルメタクリレート、β−シクロ
ゲラニルゲラニルアクリレート等の非共役二重結合を３
個以上有する鎖状または環状テルペン系アルコールとア
クリル酸またはメタクリル酸とのエステルが挙げられ
る。これらの中で、アリルメタクリレート、２−プロペ
ニルメタクリレート、２−メチル−２−プロペニルメタ
クリレート、２−ブテニルメタクリレート、２−メチル
−２−ブテニルメタクリレート、２−ヘキセニルメタク
リレート、３−ヘキセニルメタクリレート、ゲラニルメ
タクリレートが、原料となるアルコールの入手のし易
さ、エステル合成のし易さの点から好ましい。
成するアクリル酸誘導体としては、アリルメタクリレー
ト、アリルアクリレート、２（または３）−ブテニルメ
タクリレート、２（または３）−ブテニルアクリレー
ト、２−メチル−２−プロペニルメタクリレート、２−
メチル−２−プロペニルアクリレート、２（または３ま
たは４）−ヘプテニルメタクリレート、２（または３ま
たは４）−ヘプテニルアクリレート、２−メチル−２
（または３）−ブテニルメタクリレート、２−メチル−
２（または３）−ブテニルアクリレート、２−エチル−
２−プロペニルメタクリレート、２−エチル−２−プロ
ペニルアクリレート、１，２−ジメチル−２−プロペニ
ルメタクリレート、１，２−ジメチル−２−プロペニル
アクリレート、２（または３または４または５）−ヘキ
セニルメタクリレート、２（または３または４または
５）−ヘキセニルアクリレート、１，１（または１，２
または１，３または２，３）−ジメチル−２−ブテニル
メタクリレート、１，１（または１，２または１，３ま
たは２，３）−ジメチル−２−ブテニルアクリレート、
２（または３）−メチル−２−ヘプテニルメタクリレー
ト、２（または３）−メチル−２−ヘプテニルアクリレ
ートなどのアルコール残基が鎖状になっているアクリル
酸誘導体；２（または３）−メチル−２−シクロヘキセ
ニルメタクリレート、２（または３）−メチル−２−シ
クロヘキセニルアクリレートなどのアルコール残基が環
状になっているアクリル酸誘導体；ゲラニルメタクリレ
ート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタクリレート、
ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリレート、イ
ソゲラニルアクリレート、ラバンジュリルメタクリレー
ト、ラバンジュリルアクリレート、６−メチルゲラニル
メタクリレート、６−メチルゲラニルアクリレート、１
−メチルゲラニルメタクリレート、１−メチルゲラニル
アクリレート、６−エチルゲラニルメタクリレート、６
−エチルゲラニルアクリレート、ペリリルメタクリレー
ト、ペリリルアクリレート等の非共役二重結合を２個有
する鎖状または環状テルペン系アルコールとアクリル酸
またはメタクリル酸とのエステル；フアルネシルメタク
リレート、フアルネシルアクリレート、ゲラニルゲラニ
ルメタクリレート、ゲラニルゲラニルアクリレート、β
−シクロゲラニルゲラニルメタクリレート、β−シクロ
ゲラニルゲラニルアクリレート等の非共役二重結合を３
個以上有する鎖状または環状テルペン系アルコールとア
クリル酸またはメタクリル酸とのエステルが挙げられ
る。これらの中で、アリルメタクリレート、２−プロペ
ニルメタクリレート、２−メチル−２−プロペニルメタ
クリレート、２−ブテニルメタクリレート、２−メチル
−２−ブテニルメタクリレート、２−ヘキセニルメタク
リレート、３−ヘキセニルメタクリレート、ゲラニルメ
タクリレートが、原料となるアルコールの入手のし易
さ、エステル合成のし易さの点から好ましい。
【００１５】構造単位（III）または構造単位（VI）を
形成するコモノマーとしてはメタクリル酸；メタクリル
酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ペンチル、メタ
クリル酸ヘキシル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸
シクロヘキシルなどのメタクリル酸アルキルエステル；
アクリル酸；アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ア
クリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ペン
チル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸アミル、アクリ
ル酸シクロヘキシルなどのアクリル酸アルキルエステ
ル；メタクリル酸アミド、アクリル酸アミド、スチレ
ン、α−メチルスチレンなどの置換スチレンなどが挙げ
られる。構造単位（III）または構造単位（VI）におけ
る水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよ
い。
形成するコモノマーとしてはメタクリル酸；メタクリル
酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ペンチル、メタ
クリル酸ヘキシル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸
シクロヘキシルなどのメタクリル酸アルキルエステル；
アクリル酸；アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ア
クリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ペン
チル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸アミル、アクリ
ル酸シクロヘキシルなどのアクリル酸アルキルエステ
ル；メタクリル酸アミド、アクリル酸アミド、スチレ
ン、α−メチルスチレンなどの置換スチレンなどが挙げ
られる。構造単位（III）または構造単位（VI）におけ
る水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよ
い。
【００１６】重合体（Ｂ）または重合体（Ｄ）はゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィにより求めたポリスチ
レン換算の数平均分子量が１，０００〜２，０００，０
００の範囲にあるものが好ましい。重合体（Ｂ）または
重合体（Ｄ）は数平均分子量が１００，０００〜１，５
００，０００の範囲にあるものがより好ましい。
ーミエーションクロマトグラフィにより求めたポリスチ
レン換算の数平均分子量が１，０００〜２，０００，０
００の範囲にあるものが好ましい。重合体（Ｂ）または
重合体（Ｄ）は数平均分子量が１００，０００〜１，５
００，０００の範囲にあるものがより好ましい。
【００１７】本発明によれば、上記の他の１つの目的
は、下記の（イ）、（ロ）および（ハ）の工程を設けて
なることを特徴とする上記の感光性を有する組成物を用
いたパターン作製法を提供することにより達成される。 （イ）上記の組成物の薄膜を形成する工程。 （ロ）薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
照射する工程。 （ハ）薄膜から未反応の化合物を除去する工程。
は、下記の（イ）、（ロ）および（ハ）の工程を設けて
なることを特徴とする上記の感光性を有する組成物を用
いたパターン作製法を提供することにより達成される。 （イ）上記の組成物の薄膜を形成する工程。 （ロ）薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
照射する工程。 （ハ）薄膜から未反応の化合物を除去する工程。
【００１８】上記（イ）工程では化合物（Ａ）と重合体
（Ｂ）（または化合物（Ｃ）と重合体（Ｄ））とをこれ
らを溶解する溶媒に溶解し、得られた溶液を用いてキャ
スティング法、バーコート法、スピンコート法などによ
って薄膜を形成する。必要に応じて薄膜を減圧処理また
は熱処理することにより該薄膜から溶剤を除去する。薄
膜の形成法は所望の薄膜の厚さの程度または形態によっ
て選択される。薄膜の膜厚は０．１〜２０μｍの範囲で
あることが好ましい。一般に厚さが大きい場合には、キ
ャスティング法、小さい場合にはバーコート法またはス
ピンコート法が採用される。
（Ｂ）（または化合物（Ｃ）と重合体（Ｄ））とをこれ
らを溶解する溶媒に溶解し、得られた溶液を用いてキャ
スティング法、バーコート法、スピンコート法などによ
って薄膜を形成する。必要に応じて薄膜を減圧処理また
は熱処理することにより該薄膜から溶剤を除去する。薄
膜の形成法は所望の薄膜の厚さの程度または形態によっ
て選択される。薄膜の膜厚は０．１〜２０μｍの範囲で
あることが好ましい。一般に厚さが大きい場合には、キ
ャスティング法、小さい場合にはバーコート法またはス
ピンコート法が採用される。
【００１９】（イ）工程に続く（ロ）工程では、薄膜に
所望のパターンに応じて部分的に波長が２００〜４５０
ｎｍの紫外線を照射する。これによって、構造単位（I
I）と化合物（Ａ）（または構造単位（Ｖ）と化合物
（Ｃ））とが光反応する。光源には高圧水銀ランプ、Ｎ
2ガスレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザなどが用いられる。所
望のパターンを形成する方法としてフオトマスクを用い
るマスク露光法、二光束干渉露光法、レーザビーム直接
描画法などが採用される。
所望のパターンに応じて部分的に波長が２００〜４５０
ｎｍの紫外線を照射する。これによって、構造単位（I
I）と化合物（Ａ）（または構造単位（Ｖ）と化合物
（Ｃ））とが光反応する。光源には高圧水銀ランプ、Ｎ
2ガスレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザなどが用いられる。所
望のパターンを形成する方法としてフオトマスクを用い
るマスク露光法、二光束干渉露光法、レーザビーム直接
描画法などが採用される。
【００２０】（ロ）工程に続く（ハ）工程における未反
応の化合物（Ａ）（または化合物（Ｃ））の除去は、薄
膜を減圧下で２０〜１２０℃の範囲の温度で１５〜３０
時間熱処理（以下、これを前熱処理と称する。）し、つ
いで常圧下で１０５〜２３０℃の範囲の温度で１５分間
〜４０時間熱処理（以下、これを後熱処理と称する。）
することにより行うか、前熱処理し、ついで感光性樹脂
組成物の薄膜の全面に強度が１０〜４０ｍＷ／ｃｍ2の
範囲であり、かつ波長が２００〜４５０ｎｍの範囲であ
る紫外線を３０秒間〜１０分間照射することにより行う
ことが好ましい。これによって所望の凹凸差を有するパ
ターンを得る。上記の後熱処理は１５０〜２００℃の範
囲の温度で１〜５時間行うか、１１０〜１４０℃の範囲
の温度で１０〜２５時間行うことがより好適である。ま
た、上記の前熱処理したのちに、後熱処理ついで紫外線
照射することが、更に耐有機溶剤性および耐熱性を有す
るパターンが得られる点で好ましい。なお、上記の前熱
処理を１００〜１２０℃の範囲の温度で１５〜３０時間
行う際には、上記の後熱処理を省略する場合でも高い耐
有機溶剤性および耐熱性を有するパターンが得られる。
応の化合物（Ａ）（または化合物（Ｃ））の除去は、薄
膜を減圧下で２０〜１２０℃の範囲の温度で１５〜３０
時間熱処理（以下、これを前熱処理と称する。）し、つ
いで常圧下で１０５〜２３０℃の範囲の温度で１５分間
〜４０時間熱処理（以下、これを後熱処理と称する。）
することにより行うか、前熱処理し、ついで感光性樹脂
組成物の薄膜の全面に強度が１０〜４０ｍＷ／ｃｍ2の
範囲であり、かつ波長が２００〜４５０ｎｍの範囲であ
る紫外線を３０秒間〜１０分間照射することにより行う
ことが好ましい。これによって所望の凹凸差を有するパ
ターンを得る。上記の後熱処理は１５０〜２００℃の範
囲の温度で１〜５時間行うか、１１０〜１４０℃の範囲
の温度で１０〜２５時間行うことがより好適である。ま
た、上記の前熱処理したのちに、後熱処理ついで紫外線
照射することが、更に耐有機溶剤性および耐熱性を有す
るパターンが得られる点で好ましい。なお、上記の前熱
処理を１００〜１２０℃の範囲の温度で１５〜３０時間
行う際には、上記の後熱処理を省略する場合でも高い耐
有機溶剤性および耐熱性を有するパターンが得られる。
【００２１】上記の方法により感光性樹脂組成物から、
光導波路、回折格子、グレーティングレンズ、フレネル
レンズ、ホログラムレンズなどのパターンを作製するこ
とができる。また種々の非線形光学材料を感光性樹脂組
成物にドープすることにより、非線形効果を有する光導
波路を作製することができる。それらのパターンは光学
的透明性および耐熱性に極めてすぐれている。
光導波路、回折格子、グレーティングレンズ、フレネル
レンズ、ホログラムレンズなどのパターンを作製するこ
とができる。また種々の非線形光学材料を感光性樹脂組
成物にドープすることにより、非線形効果を有する光導
波路を作製することができる。それらのパターンは光学
的透明性および耐熱性に極めてすぐれている。
【００２２】さらに、本発明により得られたパターンを
母型として用い、２Ｐ法、射出成形法等を利用すること
により、レプリカを大量に複製することができる。
母型として用い、２Ｐ法、射出成形法等を利用すること
により、レプリカを大量に複製することができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。まず、以下の方法で４種類の化合物（Ａ）を合成し
た。
る。まず、以下の方法で４種類の化合物（Ａ）を合成し
た。
【００２４】合成例１ （３−（３′−トリフルオロメ
チルベンゾイル）−３−トリフルオロメチルベンゾフェ
ノンの合成） ３−ブロモトリフルオロメチルベンゼン５０ｇ，マグネ
シウム５．７ｇおよびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１
８０ｍｌからグリニヤール反応により３−ブロモマグネ
シウム−トリフルオロメチルベンゼンを合成し、これを
イソフタロイルクロリド１８．９ｇとＴＨＦ１８０ｍｌ
との溶液に−７８℃で滴下した。その後、反応液を室温
までもどし一昼夜撹拌後、水を加え、エーテル抽出を３
回行い有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。溶
媒を減圧除去後、固形物からカラムクロマトグラフィー
法によって目的物を精製した。
チルベンゾイル）−３−トリフルオロメチルベンゾフェ
ノンの合成） ３−ブロモトリフルオロメチルベンゼン５０ｇ，マグネ
シウム５．７ｇおよびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１
８０ｍｌからグリニヤール反応により３−ブロモマグネ
シウム−トリフルオロメチルベンゼンを合成し、これを
イソフタロイルクロリド１８．９ｇとＴＨＦ１８０ｍｌ
との溶液に−７８℃で滴下した。その後、反応液を室温
までもどし一昼夜撹拌後、水を加え、エーテル抽出を３
回行い有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。溶
媒を減圧除去後、固形物からカラムクロマトグラフィー
法によって目的物を精製した。
【００２５】合成例２ （３−（４′−トリフルオロメ
チルベンゾイル）−４−トリフルオロメチルベンゾフェ
ノンの合成） 合成例１において３−ブロモトリフルオロメチルベンゼ
ンにかえて４−ブロモトリフルオロベンゼンを用い、同
様の方法で合成した。
チルベンゾイル）−４−トリフルオロメチルベンゾフェ
ノンの合成） 合成例１において３−ブロモトリフルオロメチルベンゼ
ンにかえて４−ブロモトリフルオロベンゼンを用い、同
様の方法で合成した。
【００２６】合成例３ （１，３，５−（トリ−（３′
−トリフルオロメチルベンゾイル））ベンゼンの合成） ３−ブロモトリフルオロメチルベンゼン５０ｇ，マグネ
シウム５．７ｇ，ＴＨＦ１８０ｍｌからグリニアール試
薬を調製し、これを１，３，５−ベンゼントリカルボニ
ルトリクロリド１６．６ｇとＴＨＦ１８０ｍｌの溶液に
滴下した。その後、合成例（１）と同様にして目的物を
得た。
−トリフルオロメチルベンゾイル））ベンゼンの合成） ３−ブロモトリフルオロメチルベンゼン５０ｇ，マグネ
シウム５．７ｇ，ＴＨＦ１８０ｍｌからグリニアール試
薬を調製し、これを１，３，５−ベンゼントリカルボニ
ルトリクロリド１６．６ｇとＴＨＦ１８０ｍｌの溶液に
滴下した。その後、合成例（１）と同様にして目的物を
得た。
【００２７】合成例４ （３−（３′−５′−ジトリフ
ルオロメチルベンゾイル）−３，５−ジトリフルオロメ
チルベンゾフェノンの合成） １，３−ジブロモベンゼンとマグネシウムよりグリニア
ール試薬を調製し、これと３，５−ジトリフルオロメチ
ルベンゾイルクロリドとの反応で合成例（１）と同様に
して目的物を得た。
ルオロメチルベンゾイル）−３，５−ジトリフルオロメ
チルベンゾフェノンの合成） １，３−ジブロモベンゼンとマグネシウムよりグリニア
ール試薬を調製し、これと３，５−ジトリフルオロメチ
ルベンゾイルクロリドとの反応で合成例（１）と同様に
して目的物を得た。
【００２８】実施例１ 反応容器にＮ2置換後に２−ブテニルメタクリレート７
０ｇ、メチルメタクリレート１０ｇ、アゾビスイソブチ
ロニトリル６００ｍｇ、ジオキサン９００ｍｌを仕込
み、封管して５３℃のウオーターバス中で２４時間加熱
し重合反応を行った。得られた反応液をメタノール４ｌ
中へあけ、生成物を沈殿させ、乾燥させることにより重
合体（Ｂ）を１５０ｇ得た。この重合体（Ｂ）はＮＭＲ
による測定結果から２−ブテニルメタクリレート対メチ
ルメタクリレートのモル比が１対３の共重合体であるこ
とが確認された。またこの重合体（Ｂ）のゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー法により求めたポリスチレ
ン換算の数平均分子量は２５０，０００であった。上記
合成例１で合成した化合物（Ａ）（芳香族ケトン）０．
８部と該重合体（Ｂ）１部とからなる組成物をトルエン
に溶解し、得られた溶液を用いてガラス基板上にスピン
コート法によって薄膜（厚さ２．５μｍ）を形成した。
この薄膜を７０℃で０時間ベーキング処理した後、３５
μｍ周期のラインアンドスペースを有するフオトマスク
を通して２５ｍＷ／ｃｍ2の紫外線を５分間照射した。
照射後フオトマスクをはずし、真空乾燥機中で９５℃、
０．２ｍｍＨｇの条件で１５時間の加熱処理を行うこと
によって、未反応の化合物（Ａ）を除去して、回折格子
のパターンを作製した。得られた回折格子のパターンを
タリステップを用いて測定したところ、凹部と凸部との
段差は１．０μｍであった。また、該パターンは概ね正
弦波状であった。なお、凸部の最大屈折率は１．５１
５、凹部の最小屈折率は１．５０５であった。
０ｇ、メチルメタクリレート１０ｇ、アゾビスイソブチ
ロニトリル６００ｍｇ、ジオキサン９００ｍｌを仕込
み、封管して５３℃のウオーターバス中で２４時間加熱
し重合反応を行った。得られた反応液をメタノール４ｌ
中へあけ、生成物を沈殿させ、乾燥させることにより重
合体（Ｂ）を１５０ｇ得た。この重合体（Ｂ）はＮＭＲ
による測定結果から２−ブテニルメタクリレート対メチ
ルメタクリレートのモル比が１対３の共重合体であるこ
とが確認された。またこの重合体（Ｂ）のゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー法により求めたポリスチレ
ン換算の数平均分子量は２５０，０００であった。上記
合成例１で合成した化合物（Ａ）（芳香族ケトン）０．
８部と該重合体（Ｂ）１部とからなる組成物をトルエン
に溶解し、得られた溶液を用いてガラス基板上にスピン
コート法によって薄膜（厚さ２．５μｍ）を形成した。
この薄膜を７０℃で０時間ベーキング処理した後、３５
μｍ周期のラインアンドスペースを有するフオトマスク
を通して２５ｍＷ／ｃｍ2の紫外線を５分間照射した。
照射後フオトマスクをはずし、真空乾燥機中で９５℃、
０．２ｍｍＨｇの条件で１５時間の加熱処理を行うこと
によって、未反応の化合物（Ａ）を除去して、回折格子
のパターンを作製した。得られた回折格子のパターンを
タリステップを用いて測定したところ、凹部と凸部との
段差は１．０μｍであった。また、該パターンは概ね正
弦波状であった。なお、凸部の最大屈折率は１．５１
５、凹部の最小屈折率は１．５０５であった。
【００２９】実施例２ 実施例１で作製した薄膜を用い、６０μｍ周期のフオト
マスクと薄膜との間を１５μｍにして、紫外線（２５ｍ
Ｗ／ｃｍ2）を１０分照射した。続いて真空乾燥機中で
９５℃、０．２ｍｍＨｇの条件で１５時間の加熱処理を
行うことにより未反応の化合物（Ａ）を除去した。得ら
れたレリーフパターンの形状は既ね正弦波状で、凹凸が
連続的に変化しており、回折格子における１次光の０次
光に対する回折効率が１００％のものが得られた。な
お、この回折格子における凹部と凸部との段差は１．０
μｍであった。また、凸部および凹部の最大屈折率は実
施例１におけると同等であった。
マスクと薄膜との間を１５μｍにして、紫外線（２５ｍ
Ｗ／ｃｍ2）を１０分照射した。続いて真空乾燥機中で
９５℃、０．２ｍｍＨｇの条件で１５時間の加熱処理を
行うことにより未反応の化合物（Ａ）を除去した。得ら
れたレリーフパターンの形状は既ね正弦波状で、凹凸が
連続的に変化しており、回折格子における１次光の０次
光に対する回折効率が１００％のものが得られた。な
お、この回折格子における凹部と凸部との段差は１．０
μｍであった。また、凸部および凹部の最大屈折率は実
施例１におけると同等であった。
【００３０】実施例３〜６ 実施例１におけると同様の方法で、第１表に示す化合物
（Ａ）と重合体（Ｂ）とからなる感光性樹脂組成物を調
製し、第１表に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例１におけると同じ条件で回折格子を作製した。表１
には、各実施例における凹部と凸部との段差のタリステ
ップによる測定結果等をあわせて示す。
（Ａ）と重合体（Ｂ）とからなる感光性樹脂組成物を調
製し、第１表に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例１におけると同じ条件で回折格子を作製した。表１
には、各実施例における凹部と凸部との段差のタリステ
ップによる測定結果等をあわせて示す。
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、感光性樹脂の露光部と
非露光部とで大きな凹凸差を有し、かつ、正弦波状等の
なだらかな形状を有する表面レリーフするパターンを形
成し得る感光性樹脂組成物が得られる。また該感光性樹
脂組成物を用いた上記のパターンを作製する方法および
該感光性樹脂組成物により作製されてなるパターンが得
られる。特に本発明では、大きな凹凸差を有し、かつ、
正弦波状のパターンを得ることが可能であるから、極め
て高い回折効率を有する回折格子を作製することができ
る。
非露光部とで大きな凹凸差を有し、かつ、正弦波状等の
なだらかな形状を有する表面レリーフするパターンを形
成し得る感光性樹脂組成物が得られる。また該感光性樹
脂組成物を用いた上記のパターンを作製する方法および
該感光性樹脂組成物により作製されてなるパターンが得
られる。特に本発明では、大きな凹凸差を有し、かつ、
正弦波状のパターンを得ることが可能であるから、極め
て高い回折効率を有する回折格子を作製することができ
る。
Claims (8)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）、 【化１】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（II）、 【化２】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含むことを特徴とする組
成物。 - 【請求項２】 下記一般式（Ｉ）、 【化３】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（II）、 【化４】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含む組成物からなること
を特徴とする感光性樹脂。 - 【請求項３】 請求項２記載の感光性樹脂より作製され
てなることを特徴とするパターン。 - 【請求項４】 （イ）下記一般式（Ｉ）、 【化５】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（II）、 【化６】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含む感光性樹脂組成物の
薄膜を形成する工程、（ロ）薄膜に所望のパターンに応
じて部分的に紫外線を照射する工程、および（ハ）薄膜
から未反応の上記化合物を除去する工程を含むことを特
徴とするパターン作製法。 - 【請求項５】 下記一般式（IV）、 【化７】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（Ｖ）、 【化８】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含むことを特徴とする組
成物。 - 【請求項６】 下記一般式（IV）、 【化９】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（Ｖ）、 【化１０】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含む組成物からなること
を特徴とする感光性樹脂。 - 【請求項７】 請求項６記載の感光性樹脂より作製され
てなることを特徴とするパターン。 - 【請求項８】 （イ）下記一般式（IV）、 【化１１】 で示される構造単位を有する化合物を５〜９０重量％
と、下記一般式（Ｖ）、 【化１２】 で示される構造単位を２〜９８モル％有する重合体また
は共重合体を１０〜９５重量％含む感光性樹脂組成物の
薄膜を形成する工程、（ロ）薄膜に所望のパターンに応
じて部分的に紫外線を照射する工程、および（ハ）薄膜
から未反応の上記化合物を除去する工程を含むことを特
徴とするパターン作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19819094A JPH0862842A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 組成物、感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19819094A JPH0862842A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 組成物、感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862842A true JPH0862842A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16386975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19819094A Pending JPH0862842A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 組成物、感光性樹脂、それを用いたパターンおよびパターン作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862842A (ja) |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP19819094A patent/JPH0862842A/ja active Pending
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