JPH0862859A - 半導体装置の現像処理方法 - Google Patents
半導体装置の現像処理方法Info
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- JPH0862859A JPH0862859A JP6198444A JP19844494A JPH0862859A JP H0862859 A JPH0862859 A JP H0862859A JP 6198444 A JP6198444 A JP 6198444A JP 19844494 A JP19844494 A JP 19844494A JP H0862859 A JPH0862859 A JP H0862859A
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- rinse
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の現像後のリンス中またはリンス
後の乾燥時にリンス液の表面張力を下げレジストパター
ンの倒れを防止できる半導体装置の現像処理方法を得る
こと。 【構成】 半導体基板１上のフォトレジストを塗布し露
光して現像しパターン形成後、純水９でリンスする現像
処理方法において、リンス中もしくはリンス後の純水９
にアルコール１５を加えリンス液をアルコールとの混合
液とした。
後の乾燥時にリンス液の表面張力を下げレジストパター
ンの倒れを防止できる半導体装置の現像処理方法を得る
こと。 【構成】 半導体基板１上のフォトレジストを塗布し露
光して現像しパターン形成後、純水９でリンスする現像
処理方法において、リンス中もしくはリンス後の純水９
にアルコール１５を加えリンス液をアルコールとの混合
液とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の現像処理
方法に関し、特に現像後の純水リンスの改良に関するも
のである。
方法に関し、特に現像後の純水リンスの改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ技術ではアルカリ現像液で
露光後のフォトレジストを現像して微細なパターンを形
成した後、パターン表面を洗浄リンスするために、半導
体基板上に純水を放出して所定の時間接触させた後、半
導体基板を高速に回転させることで半導体基板表面の水
分を遠心力で振り切り乾燥させている。図５は従来の洗
浄リンスから乾燥させる処理装置の要部概要図であり、
図において、１は被処理基板である半導体基板、２はモ
ータ３で駆動され半導体基板１を吸着して回転させる回
転用吸着板、４は現像処理等がなされる現像カップ、５
は純水放出ノズル、６はノズル５の支持台、７は分岐用
継ぎ手、８は純水供給用配管、９はリンス液として供さ
れた純水である。
露光後のフォトレジストを現像して微細なパターンを形
成した後、パターン表面を洗浄リンスするために、半導
体基板上に純水を放出して所定の時間接触させた後、半
導体基板を高速に回転させることで半導体基板表面の水
分を遠心力で振り切り乾燥させている。図５は従来の洗
浄リンスから乾燥させる処理装置の要部概要図であり、
図において、１は被処理基板である半導体基板、２はモ
ータ３で駆動され半導体基板１を吸着して回転させる回
転用吸着板、４は現像処理等がなされる現像カップ、５
は純水放出ノズル、６はノズル５の支持台、７は分岐用
継ぎ手、８は純水供給用配管、９はリンス液として供さ
れた純水である。
【０００３】この構成にはリンス前の処理装置について
は示してないが、半導体基板１はフォトレジストを塗布
された後、所定のパターンを露光され、現像工程に進
む、一般的なレジストではアルカリ水溶液により露光部
が溶解し、レジストパターンが形成される。この時点で
平面状の膜であったレジストが微小寸法の壁状や柱状の
パターンとして基板上に林立することになる。この装置
では形成された微細パターンの表面および露出した基板
表面のアルカリ現像液を洗い流すために、現像カップ４
内で回転用吸着板２に吸着してセットされ静止または低
回転している半導体基板１の上方に位置する純水放出ノ
ズル５から純水９を注ぎかけて洗浄している。この洗浄
が所定の時間、動的または静的に半導体基板１のパター
ン表面と純水９の接触が行われた後、半導体基板１上の
純水９は半導体基板１の回転による遠心力で振り切ら
れ、さらに高速回転時の気流により乾燥がなされる。
は示してないが、半導体基板１はフォトレジストを塗布
された後、所定のパターンを露光され、現像工程に進
む、一般的なレジストではアルカリ水溶液により露光部
が溶解し、レジストパターンが形成される。この時点で
平面状の膜であったレジストが微小寸法の壁状や柱状の
パターンとして基板上に林立することになる。この装置
では形成された微細パターンの表面および露出した基板
表面のアルカリ現像液を洗い流すために、現像カップ４
内で回転用吸着板２に吸着してセットされ静止または低
回転している半導体基板１の上方に位置する純水放出ノ
ズル５から純水９を注ぎかけて洗浄している。この洗浄
が所定の時間、動的または静的に半導体基板１のパター
ン表面と純水９の接触が行われた後、半導体基板１上の
純水９は半導体基板１の回転による遠心力で振り切ら
れ、さらに高速回転時の気流により乾燥がなされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の現
像処理方法は以上のようになされていたので、リンスに
使用される洗浄液が純水であり表面張力値は２５℃にお
いて７２．６ｄｙｎ／ｃｍ2と高く、パターンサイズが
微小になるにつれて、パターンのアスペクト比が高くな
ると、リンス時またはリンス後の半導体基板１の乾燥時
にパターン同志が互いに引き寄せられるように倒れてし
まうという現象が起こる（１９９３年９月号ＮＩＫＫＥ
Ｉ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ １５頁にも記載）という
問題点があった。なお、リンス液である純水に界面活性
剤を加える手法も考えられるが、この場合半導体基板お
よびパターン表面上に界面活性剤成分が微量に残る可能
性があり、不要な元素や不純物が半導体基板上に残りか
ねない。
像処理方法は以上のようになされていたので、リンスに
使用される洗浄液が純水であり表面張力値は２５℃にお
いて７２．６ｄｙｎ／ｃｍ2と高く、パターンサイズが
微小になるにつれて、パターンのアスペクト比が高くな
ると、リンス時またはリンス後の半導体基板１の乾燥時
にパターン同志が互いに引き寄せられるように倒れてし
まうという現象が起こる（１９９３年９月号ＮＩＫＫＥ
Ｉ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ １５頁にも記載）という
問題点があった。なお、リンス液である純水に界面活性
剤を加える手法も考えられるが、この場合半導体基板お
よびパターン表面上に界面活性剤成分が微量に残る可能
性があり、不要な元素や不純物が半導体基板上に残りか
ねない。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、リンス中またはリンス後の乾燥
時に、リンス液の表面張力を下げることのできる半導体
装置の現像処理方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、リンス中またはリンス後の乾燥
時に、リンス液の表面張力を下げることのできる半導体
装置の現像処理方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体装置の現像処理方法は、半導体基板上にフォト
レジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水
でリンスする現像処理方法において、上記リンス中もし
くはリンス後の純水にアルコールを加えリンス液をアル
コールとの混合液としたものである。
の半導体装置の現像処理方法は、半導体基板上にフォト
レジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水
でリンスする現像処理方法において、上記リンス中もし
くはリンス後の純水にアルコールを加えリンス液をアル
コールとの混合液としたものである。
【０００７】また、請求項２の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
の専用ノズルから放出されるものである。
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
の専用ノズルから放出されるものである。
【０００８】また、請求項３の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
のスプレーで霧化した状態とし放出されるものである。
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
のスプレーで霧化した状態とし放出されるものである。
【０００９】また、請求項４の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは蒸気化処理され
て放出されるものである。
法は、請求項１において、アルコールは蒸気化処理され
て放出されるものである。
【００１０】また、請求項５の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールはメタノール，エ
タノール，１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅ
ｒｔ．−ブタノールの内のいずれかであるものである。
法は、請求項１において、アルコールはメタノール，エ
タノール，１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅ
ｒｔ．−ブタノールの内のいずれかであるものである。
【００１１】
【作用】この発明における半導体装置の現像処理方法
は、リンス液である純水に加えられたアルコールによっ
てリンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリン
ス後の高速回転による乾燥中におけるレジストパターン
の倒れを防止する。
は、リンス液である純水に加えられたアルコールによっ
てリンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリン
ス後の高速回転による乾燥中におけるレジストパターン
の倒れを防止する。
【００１２】また、スプレーで霧化したアルコールは半
導体基板上の純水への混入が均等化される。
導体基板上の純水への混入が均等化される。
【００１３】また、蒸気化されたアルコールは半導体基
板上の純水への混入がさらに均等化される。
板上の純水への混入がさらに均等化される。
【００１４】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１における半導体装置の
現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾燥させる処理装
置の要部概要図である。図において、１〜６，８は従来
と同様でありその説明は省略する。１０は後述するアル
コール１５の加圧容器、１１は加圧用窒素配管、１２は
アルコールを供給する供給用配管、１３は処理される半
導体基板１の上方に位置しアルコールを放出するノズ
ル、１４はノズル１３の支持台である。
する。図１はこの発明の実施例１における半導体装置の
現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾燥させる処理装
置の要部概要図である。図において、１〜６，８は従来
と同様でありその説明は省略する。１０は後述するアル
コール１５の加圧容器、１１は加圧用窒素配管、１２は
アルコールを供給する供給用配管、１３は処理される半
導体基板１の上方に位置しアルコールを放出するノズ
ル、１４はノズル１３の支持台である。
【００１５】１５は放出される選定アルコールで、表面
張力が低くかつ、純水への溶解度が高いこと、さらにフ
ォトレジスト表面を溶解しにくいことを必須条件として
選定し、メタノール，エタノール，１−プロパノール
（＝ｎ−プロピルアルコール），２−プロパノール（＝
イソプロピルアルコール），ｔｅｒｔ．−ブタノール
（＝ｔｅｒｔ．ブチルアルコール）の内いずれかを使用
する。選定したアルコールの各表面張力値を以下に示
す。メタノール２２．５５ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、
エタノール２２．２７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、１−
プロパノール２３．８ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、２−
プロパノール２１．７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、ｔｅ
ｒｔ．−ブタノール１９．４５ｄｙｎ／ｃｍ2（２５
℃）。
張力が低くかつ、純水への溶解度が高いこと、さらにフ
ォトレジスト表面を溶解しにくいことを必須条件として
選定し、メタノール，エタノール，１−プロパノール
（＝ｎ−プロピルアルコール），２−プロパノール（＝
イソプロピルアルコール），ｔｅｒｔ．−ブタノール
（＝ｔｅｒｔ．ブチルアルコール）の内いずれかを使用
する。選定したアルコールの各表面張力値を以下に示
す。メタノール２２．５５ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、
エタノール２２．２７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、１−
プロパノール２３．８ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、２−
プロパノール２１．７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、ｔｅ
ｒｔ．−ブタノール１９．４５ｄｙｎ／ｃｍ2（２５
℃）。
【００１６】次に動作について説明する。従来と同要領
で半導体基板１に現像後のレジストパターンが形成され
た状態で、純水放出ノズル５から純水９を注ぎかけると
同時または時間差的にアルコール放出ノズル１３より選
定アルコール１５を半導体基板１の表面に放出させる。
これによりリンス中の純水９に選定アルコール１５が混
入されリンス液は純水と選定アルコールとの混合液とな
りその表面張力値は低くなる。このような混合液状態で
リンスおよびリンス後の乾燥がされることにより、パタ
ーン同志が互いに引き寄せられるように倒れる現象が防
止されることになる。なお、この処理方法によれば純水
９に対し選定アルコール１５の放出タイミングおよび放
出量などの自由度が高いことでリンス液の表面張力値を
徐々に低下させることも可能である。
で半導体基板１に現像後のレジストパターンが形成され
た状態で、純水放出ノズル５から純水９を注ぎかけると
同時または時間差的にアルコール放出ノズル１３より選
定アルコール１５を半導体基板１の表面に放出させる。
これによりリンス中の純水９に選定アルコール１５が混
入されリンス液は純水と選定アルコールとの混合液とな
りその表面張力値は低くなる。このような混合液状態で
リンスおよびリンス後の乾燥がされることにより、パタ
ーン同志が互いに引き寄せられるように倒れる現象が防
止されることになる。なお、この処理方法によれば純水
９に対し選定アルコール１５の放出タイミングおよび放
出量などの自由度が高いことでリンス液の表面張力値を
徐々に低下させることも可能である。
【００１７】また、リンス時もしくはリンス後の純水９
に加えられる選定アルコール１５の対応品が実施例１に
示すように複数種類あるが、これらを状況に応じて選択
して使用する場合、図２に示すように、それぞれの供給
用配管１２ａ〜１２ｅと、ノズルホルダ１６にセットさ
れたそれぞれの放出ノズル１３ａ〜１３ｅと、任意のノ
ズルを挟持し半導体基板１の上方位置まで移動させる選
択式ノズルアーム駆動装置１７とを備え、純水９と適正
な選定アルコール１５との組み合わせを容易に可能とす
る装置を使用するようにしても良い。
に加えられる選定アルコール１５の対応品が実施例１に
示すように複数種類あるが、これらを状況に応じて選択
して使用する場合、図２に示すように、それぞれの供給
用配管１２ａ〜１２ｅと、ノズルホルダ１６にセットさ
れたそれぞれの放出ノズル１３ａ〜１３ｅと、任意のノ
ズルを挟持し半導体基板１の上方位置まで移動させる選
択式ノズルアーム駆動装置１７とを備え、純水９と適正
な選定アルコール１５との組み合わせを容易に可能とす
る装置を使用するようにしても良い。
【００１８】実施例２．以下、この発明の実施例２を図
に基づいて説明する。図３はこの発明の実施例２におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜６，９〜１５は実施例１と同様でありその説明は省略
する。１８は選定アルコール１５を霧化１５ａして放出
するスプレー式ノズル、１９はスプレー加圧用窒素配管
である。
に基づいて説明する。図３はこの発明の実施例２におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜６，９〜１５は実施例１と同様でありその説明は省略
する。１８は選定アルコール１５を霧化１５ａして放出
するスプレー式ノズル、１９はスプレー加圧用窒素配管
である。
【００１９】次に動作について説明する。純水９が注が
れリンスが開始された後、スプレー加圧用窒素配管１９
より送られた窒素によって選定アルコール１５が加圧さ
れスプレー式ノズル１８より霧化して純水９面に放出さ
れる。即ち、現像後の半導体基板１を純水リンスした段
階で、純水９が盛られたままの半導体基板に選定アルコ
ール１５をスプレー噴霧することにより、リンス液９の
表面張力を下げる方法である。従来の処理方法では純水
リンスした後、高速回転により純水を振り切り乾燥する
ため、半導体基板上の微細パターンには純水の表面張力
および遠心力によって動く純水の力が相当加わっている
と考えられる。そこでこの実施例では純水リンス後の純
水９が半導体基板１上に溜まっている状態、または純水
リンス中に霧状の選定アルコール１５を噴霧し均等にリ
ンス液の表面張力を下げた後、回転によるリンス液の振
り切りで乾燥させるようにするものである。霧化したア
ルコール１５ａは純水表面に均等に噴霧され易く純水と
の混合が均等に短時間でなされる。
れリンスが開始された後、スプレー加圧用窒素配管１９
より送られた窒素によって選定アルコール１５が加圧さ
れスプレー式ノズル１８より霧化して純水９面に放出さ
れる。即ち、現像後の半導体基板１を純水リンスした段
階で、純水９が盛られたままの半導体基板に選定アルコ
ール１５をスプレー噴霧することにより、リンス液９の
表面張力を下げる方法である。従来の処理方法では純水
リンスした後、高速回転により純水を振り切り乾燥する
ため、半導体基板上の微細パターンには純水の表面張力
および遠心力によって動く純水の力が相当加わっている
と考えられる。そこでこの実施例では純水リンス後の純
水９が半導体基板１上に溜まっている状態、または純水
リンス中に霧状の選定アルコール１５を噴霧し均等にリ
ンス液の表面張力を下げた後、回転によるリンス液の振
り切りで乾燥させるようにするものである。霧化したア
ルコール１５ａは純水表面に均等に噴霧され易く純水と
の混合が均等に短時間でなされる。
【００２０】実施例３．以下、この発明の実施例３を図
に基づいて説明する。図４はこの発明の実施例３におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜４，９〜１２，１５は実施例１と同様でありその説明
は省略する。２０は選定アルコール１５をアルコール蒸
気１５ｂにさせる蒸気発生容器、２１は蒸気発生容器２
０を加熱するヒータ、２２はアルコール蒸気１５ｂの供
給配管、２３は供給配管２２の先端の蒸気放出ノズル、
２４は現像カップ４の上面を密閉する上ブタ、２５は上
ブタ２４の支持アーム、２６は支持アーム２５を連動さ
せ上ブタを自在に開閉する上ブタ駆動装置である。
に基づいて説明する。図４はこの発明の実施例３におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜４，９〜１２，１５は実施例１と同様でありその説明
は省略する。２０は選定アルコール１５をアルコール蒸
気１５ｂにさせる蒸気発生容器、２１は蒸気発生容器２
０を加熱するヒータ、２２はアルコール蒸気１５ｂの供
給配管、２３は供給配管２２の先端の蒸気放出ノズル、
２４は現像カップ４の上面を密閉する上ブタ、２５は上
ブタ２４の支持アーム、２６は支持アーム２５を連動さ
せ上ブタを自在に開閉する上ブタ駆動装置である。
【００２１】次に動作について説明する。実施例４と同
様に現像後、純水９によるリンスまで行った後、洗浄工
程でよく使われている選定アルコール１５，ここではイ
ソプロピルアルコールによる蒸気乾燥を現像カップ４内
で行う方法に用いる装置である。純水９用のノズル５
（図示してない）が現像カップ上から退避した後、上ブ
タ駆動装置２６を動作させ現像カップ４用上ブタ２４が
上面を覆い密閉する。この後、蒸気発生容器２０で発生
させたアルコール蒸気１５ｂが供給配管２２を通過して
蒸気放出ノズル２３より密閉された現像カップ４内に放
出される。このアルコール蒸気１５ｂが半導体基板１上
に溜まっているリンス液の純水９に溶け込んでいき、リ
ンス液の表面張力が下がりこの状態で回転によるリンス
液の振り切りで乾燥させるようにするものである。アル
コール蒸気は実施例２に比較して純水への混合の均等化
をさらに良くする。
様に現像後、純水９によるリンスまで行った後、洗浄工
程でよく使われている選定アルコール１５，ここではイ
ソプロピルアルコールによる蒸気乾燥を現像カップ４内
で行う方法に用いる装置である。純水９用のノズル５
（図示してない）が現像カップ上から退避した後、上ブ
タ駆動装置２６を動作させ現像カップ４用上ブタ２４が
上面を覆い密閉する。この後、蒸気発生容器２０で発生
させたアルコール蒸気１５ｂが供給配管２２を通過して
蒸気放出ノズル２３より密閉された現像カップ４内に放
出される。このアルコール蒸気１５ｂが半導体基板１上
に溜まっているリンス液の純水９に溶け込んでいき、リ
ンス液の表面張力が下がりこの状態で回転によるリンス
液の振り切りで乾燥させるようにするものである。アル
コール蒸気は実施例２に比較して純水への混合の均等化
をさらに良くする。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、半導体基板上にフォトレジストを塗布し露光して
現像しパターン形成後、純水でリンスする現像処理方法
において、上記リンス中もしくはリンス後の純水にアル
コールを加えリンス液をアルコールとの混合液としたの
で、リンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリ
ンス後の乾燥中におけるレジストパターンの倒れを防止
できる半導体装置の現像処理方法が得られる効果があ
る。
れば、半導体基板上にフォトレジストを塗布し露光して
現像しパターン形成後、純水でリンスする現像処理方法
において、上記リンス中もしくはリンス後の純水にアル
コールを加えリンス液をアルコールとの混合液としたの
で、リンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリ
ンス後の乾燥中におけるレジストパターンの倒れを防止
できる半導体装置の現像処理方法が得られる効果があ
る。
【００２３】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、アルコールは半導体基板上方の専用ノズ
ルから放出されるので、放出量および放出のタイミング
の調整が容易である。
項１において、アルコールは半導体基板上方の専用ノズ
ルから放出されるので、放出量および放出のタイミング
の調整が容易である。
【００２４】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１において、アルコールは半導体基板上方のスプレー
で霧化した状態とし放出されるので、純水への混入が均
等化されリンス液の表面張力も均等に低下する。
項１において、アルコールは半導体基板上方のスプレー
で霧化した状態とし放出されるので、純水への混入が均
等化されリンス液の表面張力も均等に低下する。
【００２５】また、この発明の請求項４によれば、請求
項１において、アルコールは蒸気化処理されて放出され
るので、純水への混入がさらに均等化されリンス液の表
面張力もさらに均等に低下する。
項１において、アルコールは蒸気化処理されて放出され
るので、純水への混入がさらに均等化されリンス液の表
面張力もさらに均等に低下する。
【００２６】また、この発明の請求項５によれば、請求
項１において、アルコールはメタノール，エタノール，
１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅｒｔ．−ブ
タノールの内のいずれかとしたので純水への溶解度が高
くかつ、フォトレジスト表面を溶解しにくいのでリンス
液の表面張力を効果的に低くできる。
項１において、アルコールはメタノール，エタノール，
１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅｒｔ．−ブ
タノールの内のいずれかとしたので純水への溶解度が高
くかつ、フォトレジスト表面を溶解しにくいのでリンス
液の表面張力を効果的に低くできる。
【図１】 この発明の実施例１における半導体装置の現
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。
【図２】 実施例１の構成で他の部分構成を示す要部平
面図である。
面図である。
【図３】 この発明の実施例２における半導体装置の現
像処理方法に用いる処理装置の要部概要図である。
像処理方法に用いる処理装置の要部概要図である。
【図４】 この発明の実施例３における半導体装置の現
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。
【図５】 従来の半導体装置の現像処理方法に用いるリ
ンス，乾燥処理装置の要部概要図である。
ンス，乾燥処理装置の要部概要図である。
１ 半導体基板、４ 現像カップ、５ 純水放出ノズル、
９ 純水、１０ アルコールの加圧容器、１３ アルコー
ル放出ノズル、１５ 選定アルコール（アルコール）、１
５ａ 霧化したアルコール、１５ｂ アルコール蒸気、１
８ スプレー式ノズル、１９ スプレー加圧用窒素配管、
２０ 蒸気発生容器、２１ ヒータ、 ２３ 蒸気放出ノズル、２４ 上ブタ、２６ 上ブタ駆動
装置。
９ 純水、１０ アルコールの加圧容器、１３ アルコー
ル放出ノズル、１５ 選定アルコール（アルコール）、１
５ａ 霧化したアルコール、１５ｂ アルコール蒸気、１
８ スプレー式ノズル、１９ スプレー加圧用窒素配管、
２０ 蒸気発生容器、２１ ヒータ、 ２３ 蒸気放出ノズル、２４ 上ブタ、２６ 上ブタ駆動
装置。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上にフォトレジストを塗布し
露光して現像しパターン形成後、純水でリンスする現像
処理方法において、上記リンス中もしくはリンス後の上
記純水にアルコールを混入させ上記半導体基板上のリン
ス液の表面張力を低下させたことを特徴とする半導体装
置の現像処理方法。 - 【請求項２】 アルコールは半導体基板上方の専用ノズ
ルから放出されることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の現像処理方法。 - 【請求項３】 アルコールは半導体基板上方のスプレー
で霧化した状態とし放出されることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の現像処理方法。 - 【請求項４】 アルコールは蒸気化処理されて放出され
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の現像
処理方法。 - 【請求項５】 アルコールはメタノール，エタノール，
１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅｒｔ．−ブ
タノールの内のいずれかであることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の現像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198444A JPH0862859A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置の現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198444A JPH0862859A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置の現像処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862859A true JPH0862859A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16391198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198444A Pending JPH0862859A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置の現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862859A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073677A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and evaporating solution for rinsing a developed photoresist layer |
| WO2005010620A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Reynolds Reese M | A method for drying developed photoresist in semiconductor processing |
| JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
| JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198444A patent/JPH0862859A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073677A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and evaporating solution for rinsing a developed photoresist layer |
| US6660459B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse |
| WO2005010620A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Reynolds Reese M | A method for drying developed photoresist in semiconductor processing |
| JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
| JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
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