JPH0863567A - Ｉｃカード用モジュール - Google Patents
Ｉｃカード用モジュールInfo
- Publication number
- JPH0863567A JPH0863567A JP6195319A JP19531994A JPH0863567A JP H0863567 A JPH0863567 A JP H0863567A JP 6195319 A JP6195319 A JP 6195319A JP 19531994 A JP19531994 A JP 19531994A JP H0863567 A JPH0863567 A JP H0863567A
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- JP
- Japan
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- chip
- terminal board
- card
- sealing resin
- conductive adhesive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣカード用モジュールを低コストにて供給
することを目的とする。 【構成】 端子基板１４のリード３上に導電接着剤を、
ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポキシ系封止樹脂１２を供
給した後、ＩＣチップ５が該リード３とＩＣチップ５の
パッドとの位置を合わせて搭載され、エポキシ系封止樹
脂１２と導電接着剤１１の硬化処理条件が同じものを使
用することにより、その状態のまま低温炉にて定時間加
熱により導電接着剤１７と封止樹脂１２を硬化する工程
よりなり、端子基板１４に設けられた、外部との接続を
行う各端子部より引き回された各リードと、ＩＣチップ
５の接合部が同心円上に配置されている。 【効果】 低コストでより強度のあるＩＣカード用のモ
ジュールの提供が可能となった。
することを目的とする。 【構成】 端子基板１４のリード３上に導電接着剤を、
ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポキシ系封止樹脂１２を供
給した後、ＩＣチップ５が該リード３とＩＣチップ５の
パッドとの位置を合わせて搭載され、エポキシ系封止樹
脂１２と導電接着剤１１の硬化処理条件が同じものを使
用することにより、その状態のまま低温炉にて定時間加
熱により導電接着剤１７と封止樹脂１２を硬化する工程
よりなり、端子基板１４に設けられた、外部との接続を
行う各端子部より引き回された各リードと、ＩＣチップ
５の接合部が同心円上に配置されている。 【効果】 低コストでより強度のあるＩＣカード用のモ
ジュールの提供が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合成樹脂からなるカード
基材の内部に情報の記憶及び処理を行うＩＣチップ実装
し、表面に入出力端子を露出させてなるＩＣカードに使
用するＩＣカード用モジュールに関する。
基材の内部に情報の記憶及び処理を行うＩＣチップ実装
し、表面に入出力端子を露出させてなるＩＣカードに使
用するＩＣカード用モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードはセキュリティの必要
性から磁気ストライプカードに変わる物として需要が拡
大している。現在ＩＣカードにおける厚みは０．７６ｍ
ｍ〜０．８４ｍｍが規格化されており、このカード上に
搭載されるＩＣモジュールは通常、総厚０．６ｍｍ以下
で有ることが要求されている。
性から磁気ストライプカードに変わる物として需要が拡
大している。現在ＩＣカードにおける厚みは０．７６ｍ
ｍ〜０．８４ｍｍが規格化されており、このカード上に
搭載されるＩＣモジュールは通常、総厚０．６ｍｍ以下
で有ることが要求されている。
【０００３】従来、ＩＣカードに使用するモジュールは
図８に示すようにガラス−エポキシ、紙−エポキシ、紙
−フェノール、ポリイミド等の基材１の片面に導体パタ
ーンによる端子２、他面に導体パターンによるリード
３、が形成され、端子２とリード３はスルーホールによ
り接続がなされた端子基板４のリード３形成面にＩＣチ
ップ５を接着剤６により接合し、これをＡｕ線等ボンデ
ィングワイヤ１０でＩＣチップ５のパッド部とリード３
との電通用接続を行った後、このＩＣチップ５の外周面
側をエポキシ樹脂のような絶縁性の封止樹脂７で封止す
る構造であった。しかしながらこの構造に用いられる、
端子基板４の厚みは基材厚０．１ｍｍ、上下面導体パタ
ーン厚０．０５ｍｍのものが最薄のものであり、現在市
供されているものである。ＩＣチップ５と基材の接着剤
厚が０．０５ｍｍ、ＩＣチップ５上部のボンディングワ
イヤー処理部分が０．１５ｍｍ必要となり、残厚０．２
ｍｍがＩＣチップ５に与えられた厚みとなる。この厚み
でＩＣチップ５を製造することは困難であり、また記憶
容量の大きな大型（４ｍｍ平方〜６ｍｍ平方）のＩＣチ
ップにおいては搭載後の機械的強度が弱く使いものにな
らなかった。この為図９に示されるように端子基板４の
ＩＣチップ５搭載部分を座ぐることにより、ＩＣチップ
５の厚みを０．３ｍｍまで増やす対策が取られていた。
しかしこの構造であると端子基板４の強度が弱くなる欠
点とコストが高くなる欠点があった。この為ＩＣチップ
５の厚みを従来より厚くできる方法として、回路面を端
子基板側に向けて搭載を行う形の実装方法が検討されて
いた。
図８に示すようにガラス−エポキシ、紙−エポキシ、紙
−フェノール、ポリイミド等の基材１の片面に導体パタ
ーンによる端子２、他面に導体パターンによるリード
３、が形成され、端子２とリード３はスルーホールによ
り接続がなされた端子基板４のリード３形成面にＩＣチ
ップ５を接着剤６により接合し、これをＡｕ線等ボンデ
ィングワイヤ１０でＩＣチップ５のパッド部とリード３
との電通用接続を行った後、このＩＣチップ５の外周面
側をエポキシ樹脂のような絶縁性の封止樹脂７で封止す
る構造であった。しかしながらこの構造に用いられる、
端子基板４の厚みは基材厚０．１ｍｍ、上下面導体パタ
ーン厚０．０５ｍｍのものが最薄のものであり、現在市
供されているものである。ＩＣチップ５と基材の接着剤
厚が０．０５ｍｍ、ＩＣチップ５上部のボンディングワ
イヤー処理部分が０．１５ｍｍ必要となり、残厚０．２
ｍｍがＩＣチップ５に与えられた厚みとなる。この厚み
でＩＣチップ５を製造することは困難であり、また記憶
容量の大きな大型（４ｍｍ平方〜６ｍｍ平方）のＩＣチ
ップにおいては搭載後の機械的強度が弱く使いものにな
らなかった。この為図９に示されるように端子基板４の
ＩＣチップ５搭載部分を座ぐることにより、ＩＣチップ
５の厚みを０．３ｍｍまで増やす対策が取られていた。
しかしこの構造であると端子基板４の強度が弱くなる欠
点とコストが高くなる欠点があった。この為ＩＣチップ
５の厚みを従来より厚くできる方法として、回路面を端
子基板側に向けて搭載を行う形の実装方法が検討されて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回路面
を端子基板側に向けて搭載を行う形の実装方法に於いて
は、製造工程に於いて非常に困難な部分があった、それ
はＩＣのパッド部分と端子基板のリード部分を導電性接
着剤、もしくは半田バンプにより接合する工程以後、樹
脂封止工程完了までの間の接合部の剥がれ発生にあっ
た。これはＩＣカード用のＩＣに於いてはバンプ結合部
の数がチップ形状に比べ５カ所〜８カ所と少なく、接合
面積が合計でも０．１平方ミリにしかならず固着力が非
常に弱い、このため封止工程への搬送を行うのに細心の
注意が必要となり又封止工程に於いてもＩＣに対して機
械応力の加わらない封止法が必要であった。このため製
品歩留まりが悪くコストの高い物となりＩＣカード用モ
ジュ−ルとして実用化されていなかったのが現状であっ
た。
を端子基板側に向けて搭載を行う形の実装方法に於いて
は、製造工程に於いて非常に困難な部分があった、それ
はＩＣのパッド部分と端子基板のリード部分を導電性接
着剤、もしくは半田バンプにより接合する工程以後、樹
脂封止工程完了までの間の接合部の剥がれ発生にあっ
た。これはＩＣカード用のＩＣに於いてはバンプ結合部
の数がチップ形状に比べ５カ所〜８カ所と少なく、接合
面積が合計でも０．１平方ミリにしかならず固着力が非
常に弱い、このため封止工程への搬送を行うのに細心の
注意が必要となり又封止工程に於いてもＩＣに対して機
械応力の加わらない封止法が必要であった。このため製
品歩留まりが悪くコストの高い物となりＩＣカード用モ
ジュ−ルとして実用化されていなかったのが現状であっ
た。
【０００５】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり歩留まりの良い低コストのＩＣカー
ド用モジュールを提唱し、ＩＣカード用モジュールを低
コストにて供給することを目的とする。
なされたものであり歩留まりの良い低コストのＩＣカー
ド用モジュールを提唱し、ＩＣカード用モジュールを低
コストにて供給することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はＩＣチップの回
路面を端子基板側に向けてＩＣチップの搭載を行う形の
ＩＣカード用モジュールの製造法であり、端子基板のリ
ード上に導電接着剤を、ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポ
キシ封止樹脂を定量供給した後、ＩＣチップが該リード
とＩＣチップのパッドとの位置を合わせて搭載され、エ
ポキシ封止樹脂と導電接着剤の硬化処理条件が同じもの
を使用することにより、その状態のままで定時間加熱を
行い導電接着剤と封止樹脂を同時に硬化する工程を持
つ、このことにより、端子とＩＣチップの通電用接合を
行うのと同時に基板とＩＣチップを封止樹脂により充分
な強度の機械的接合なすことにある。端子基板に設けら
れた、外部との接続を行う各端子２部より引き回された
リードとＩＣチップとの通電用接合部はＩＣチップ中央
を中心とする円周上に配置しされ、中心部に定量供給さ
れた封止樹脂がＩＣチップを搭載することにより円形に
広がり接合部直前にいたる、これにより通電用接合部の
近くで機械的な結合ができることとなり完全封止を行う
次工程への搬送に於いて通電用接合部が外れることがな
くなる。
路面を端子基板側に向けてＩＣチップの搭載を行う形の
ＩＣカード用モジュールの製造法であり、端子基板のリ
ード上に導電接着剤を、ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポ
キシ封止樹脂を定量供給した後、ＩＣチップが該リード
とＩＣチップのパッドとの位置を合わせて搭載され、エ
ポキシ封止樹脂と導電接着剤の硬化処理条件が同じもの
を使用することにより、その状態のままで定時間加熱を
行い導電接着剤と封止樹脂を同時に硬化する工程を持
つ、このことにより、端子とＩＣチップの通電用接合を
行うのと同時に基板とＩＣチップを封止樹脂により充分
な強度の機械的接合なすことにある。端子基板に設けら
れた、外部との接続を行う各端子２部より引き回された
リードとＩＣチップとの通電用接合部はＩＣチップ中央
を中心とする円周上に配置しされ、中心部に定量供給さ
れた封止樹脂がＩＣチップを搭載することにより円形に
広がり接合部直前にいたる、これにより通電用接合部の
近くで機械的な結合ができることとなり完全封止を行う
次工程への搬送に於いて通電用接合部が外れることがな
くなる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明を用いたＩＣカード用モジュールの第
１の実施例の断面図である。端子基板４は下面に外部よ
りの電源及び信号入出力用の端子２、上面にリード３が
導体パターンにより形成され、端子２とリード３がスル
ーホール８により接続がなされており、基材１はガラス
−エポキシ、紙−エポキシ、紙−フェノール、ポリイミ
ド等よりなる。この端子基板４の下に空隙をもってＩＣ
チップが搭載されており、ＩＣチップ５のパッド９は図
４に示す如くＩＣチップ５の中心より同心円上に配置さ
れており前記パッド９にバンプ１０が圧着され、端子基
板４のリード３とバンプ１０がエポキシ樹脂に銀、又は
アルミフェラーの練り込まれた導電接着剤１１により電
通用接合がなされ、ＩＣチップ５と端子基板４間の空隙
は封止樹脂１２により埋められている。図２は本発明を
用いたＩＣカードモジュールの第２の実施例の断面図で
ある。ＩＣチップ５はパッド９部を抜かし、０．０３ｍ
ｍ程度のポリイミドよりなる絶縁皮膜１３により覆われ
ており。パッド９は導電接着剤１１によりリード３と直
接電通用接合がなされている。これらの実施例によれば
ＩＣチップ５厚は０．３５ｍｍまで厚くできる。
る。図１は本発明を用いたＩＣカード用モジュールの第
１の実施例の断面図である。端子基板４は下面に外部よ
りの電源及び信号入出力用の端子２、上面にリード３が
導体パターンにより形成され、端子２とリード３がスル
ーホール８により接続がなされており、基材１はガラス
−エポキシ、紙−エポキシ、紙−フェノール、ポリイミ
ド等よりなる。この端子基板４の下に空隙をもってＩＣ
チップが搭載されており、ＩＣチップ５のパッド９は図
４に示す如くＩＣチップ５の中心より同心円上に配置さ
れており前記パッド９にバンプ１０が圧着され、端子基
板４のリード３とバンプ１０がエポキシ樹脂に銀、又は
アルミフェラーの練り込まれた導電接着剤１１により電
通用接合がなされ、ＩＣチップ５と端子基板４間の空隙
は封止樹脂１２により埋められている。図２は本発明を
用いたＩＣカードモジュールの第２の実施例の断面図で
ある。ＩＣチップ５はパッド９部を抜かし、０．０３ｍ
ｍ程度のポリイミドよりなる絶縁皮膜１３により覆われ
ており。パッド９は導電接着剤１１によりリード３と直
接電通用接合がなされている。これらの実施例によれば
ＩＣチップ５厚は０．３５ｍｍまで厚くできる。
【０００８】本発明よりなるＩＣカード用モジュールの
製造方法を説明する。初期の端子基板は短冊もしくはリ
ール状をしており、定ピッチにて端子２が配置されてい
る。図３に短冊形状の初期の端子基板１４が示される。
裏面にはＩＣチップ５との電通用接合をなすためのリー
ド３が各端子２に対応する形で設けられており、端子２
とリード３はスルーホール８により接続がなされてい
る。図４に示されるようにリード３はＩＣチップ搭載部
Ａの中央を中心とした同心円上に配置されている。１番
目の工程として初期の端子基板１４は端子２を下面にし
て平板の台にセットされ、リード３上に導電接着剤１１
が、ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポキシ封止樹脂１２が
定量供給される。１番目の工程終了時の形状が図５に示
される。２番目の工程にてＩＣチップ５が位置を合わせ
て搭載される。１番目の工程に於けるエポキシ封止樹脂
１２の供給量はＩＣチップ５の搭載によりＩＣと初期の
端子基板１４の空隙を電通用接合部間際まで埋める量に
コントロールされる。３番目の工程としてその状態のま
ま低温炉にて１００度〜２００度の定時間加熱により導
電接着剤１１と封止樹脂１２を硬化する。エポキシ系封
止樹脂１２と導電接着剤１１は硬化処理条件の同じ物が
使われる。エポキシ系封止樹脂１２は加熱により一時的
に粘度が低下する性質をもち、加熱による粘度低下時点
で封止樹脂１２はＩＣチップ５の回路面、端子基板に塗
れ上がり表面張力によりＩＣチップ５と端子基板の隙間
を狭める方向の力を働かせる。これによりＩＣチップ５
のバンプ１０が端子基板のリード３に押しつけれれなが
らエポキシ系封止樹脂と導電接着剤の硬化が進み、リー
ド３とバンプ１０の接合が確実となると共にと総厚の安
定したＩＣチップ搭載基板となる。３番目の工程終了時
の形状が図６に示される。４番目の工程として低粘度の
封止樹脂１５をＩＣチップ５と端子基板１４の隙間に側
面より流し込む。５番目の工程で側面より流し込まれた
封止樹脂１５の硬化処理が行われる。４番目、５番目の
工程によりＩＣチップ５と端子基板１４の電通用接合部
が封止樹脂１５により覆われるより外力に対し堅固な接
続となると共に、ＩＣチップ５の回路面及び電通用接合
部の外気環境からの保護が行われる。５番目の工程終了
時の形状が図７に示される。６番目の工程として初期端
子基板１４より端子基板４を型抜きすることによりＩＣ
カード用モジュールとなる。
製造方法を説明する。初期の端子基板は短冊もしくはリ
ール状をしており、定ピッチにて端子２が配置されてい
る。図３に短冊形状の初期の端子基板１４が示される。
裏面にはＩＣチップ５との電通用接合をなすためのリー
ド３が各端子２に対応する形で設けられており、端子２
とリード３はスルーホール８により接続がなされてい
る。図４に示されるようにリード３はＩＣチップ搭載部
Ａの中央を中心とした同心円上に配置されている。１番
目の工程として初期の端子基板１４は端子２を下面にし
て平板の台にセットされ、リード３上に導電接着剤１１
が、ＩＣ搭載部中央に絶縁性のエポキシ封止樹脂１２が
定量供給される。１番目の工程終了時の形状が図５に示
される。２番目の工程にてＩＣチップ５が位置を合わせ
て搭載される。１番目の工程に於けるエポキシ封止樹脂
１２の供給量はＩＣチップ５の搭載によりＩＣと初期の
端子基板１４の空隙を電通用接合部間際まで埋める量に
コントロールされる。３番目の工程としてその状態のま
ま低温炉にて１００度〜２００度の定時間加熱により導
電接着剤１１と封止樹脂１２を硬化する。エポキシ系封
止樹脂１２と導電接着剤１１は硬化処理条件の同じ物が
使われる。エポキシ系封止樹脂１２は加熱により一時的
に粘度が低下する性質をもち、加熱による粘度低下時点
で封止樹脂１２はＩＣチップ５の回路面、端子基板に塗
れ上がり表面張力によりＩＣチップ５と端子基板の隙間
を狭める方向の力を働かせる。これによりＩＣチップ５
のバンプ１０が端子基板のリード３に押しつけれれなが
らエポキシ系封止樹脂と導電接着剤の硬化が進み、リー
ド３とバンプ１０の接合が確実となると共にと総厚の安
定したＩＣチップ搭載基板となる。３番目の工程終了時
の形状が図６に示される。４番目の工程として低粘度の
封止樹脂１５をＩＣチップ５と端子基板１４の隙間に側
面より流し込む。５番目の工程で側面より流し込まれた
封止樹脂１５の硬化処理が行われる。４番目、５番目の
工程によりＩＣチップ５と端子基板１４の電通用接合部
が封止樹脂１５により覆われるより外力に対し堅固な接
続となると共に、ＩＣチップ５の回路面及び電通用接合
部の外気環境からの保護が行われる。５番目の工程終了
時の形状が図７に示される。６番目の工程として初期端
子基板１４より端子基板４を型抜きすることによりＩＣ
カード用モジュールとなる。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明よ
りなるＩＣパッド及びリード配置と封止工程をとること
により、チップサイズの大きさに対しパッド個数の少な
いＩＣカード用ＩＣの面実装が可能となり、従来のワイ
ヤーボンドによる製造法に対しＩＣチップの厚みがより
厚いものが使用できることとなり低コストでより強度の
あるＩＣカード用のモジュールの提供が可能となった。
また実装部面積が小さくなることによりより記憶容量の
大きな大面積のＩＣチップの搭載も可能となった。
りなるＩＣパッド及びリード配置と封止工程をとること
により、チップサイズの大きさに対しパッド個数の少な
いＩＣカード用ＩＣの面実装が可能となり、従来のワイ
ヤーボンドによる製造法に対しＩＣチップの厚みがより
厚いものが使用できることとなり低コストでより強度の
あるＩＣカード用のモジュールの提供が可能となった。
また実装部面積が小さくなることによりより記憶容量の
大きな大面積のＩＣチップの搭載も可能となった。
【図１】本発明よりなるＩＣカード用モジュールの第１
の実施例の断面図である。
の実施例の断面図である。
【図２】本発明よりなるＩＣカード用モジュールの第２
の実施例の断面図である。
の実施例の断面図である。
【図３】本発明よりなるＩＣカード用モジュールの製造
に用いられる短冊形の初期端子基板を示す平面図であ
る。
に用いられる短冊形の初期端子基板を示す平面図であ
る。
【図４】初期端子基板のリード部配置形状を示す平面図
である。
である。
【図５】本発明によるＩＣカード用モジュールの製造法
の１番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
の１番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
【図６】本発明によるＩＣカード用モジュールの製造法
の３番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
の３番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
【図７】本発明によるＩＣカード用モジュールの製造法
の５番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
の５番目の工程終了時の断面形状を示す断面図である。
【図８】従来技術によるＩＣカード用モジュール断面図
である。
である。
【図９】従来技術によるＩＣカード用モジュール断面図
である。
である。
１ 基材 ２ 端子 ３ リード ４ 端子基板 ５ ＩＣチップ ６ 接着剤 ７ 封止樹脂 ８ スルーホール ９ パッド １０ バンプ １１ 導電接着剤 １２ 封止樹脂 １３ ボンディングワイヤ １４ 初期端子基板 １５ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/04 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 カードに設けられた凹部内に収納される
ＩＣカード用モジュールであり、ＩＣチップと外部との
接続を行うための端子部とＩＣチップ接続用のリードパ
ターンとを有し、前記ＩＣチップの回路面を前記端子基
板のリードパターンに向けて搭載したＩＣカード用モジ
ュールにおいて、前記端子基板のリードパターン上に導
電接着剤を塗布するとともに、ＩＣチップを搭載する端
子基板面上に、前記導電接着剤と硬化処理条件が同じで
ある封止樹脂を塗布し、前記ＩＣチップのパッドは前記
導電接着剤上に又、前記ＩＣチップの回路面は前記封止
樹脂上に搭載してから前記導電接着剤と封止樹脂を同時
に加熱硬化したことを特徴とするＩＣカード用モジュー
ル。 - 【請求項２】 端子基板に設けられた、外部との接続を
行う各端子部より引き回された各リードとＩＣチップの
各パッドとの接合部がＩＣチップ中央を中心とする円周
上近くに配置されていることを特徴とするＩＣカード用
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195319A JPH0863567A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | Ｉｃカード用モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195319A JPH0863567A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | Ｉｃカード用モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863567A true JPH0863567A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16339194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6195319A Pending JPH0863567A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | Ｉｃカード用モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0863567A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19735171A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Halbleitermodul |
| DE19809073A1 (de) * | 1998-03-04 | 1999-09-16 | Orga Kartensysteme Gmbh | Chipmodul und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte |
| US6357115B1 (en) * | 1997-05-08 | 2002-03-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing a fluid injection apparatus |
| DE10139395A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierung von Halbleiterchips in Chipkarten |
| DE10202727A1 (de) * | 2002-01-24 | 2003-08-21 | Infineon Technologies Ag | Trägersubstrat für ein Chipmodul, Chipmodul und Chipkarte |
| DE10311965A1 (de) * | 2003-03-18 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | Flip-Chip Anordnung auf einem Substratträger |
| US7458823B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-12-02 | Denso Corporation | Electronic circuit device and manufacturing method of the same |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP6195319A patent/JPH0863567A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6357115B1 (en) * | 1997-05-08 | 2002-03-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing a fluid injection apparatus |
| DE19735171A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Halbleitermodul |
| DE19809073A1 (de) * | 1998-03-04 | 1999-09-16 | Orga Kartensysteme Gmbh | Chipmodul und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte |
| DE10139395A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierung von Halbleiterchips in Chipkarten |
| US7019981B2 (en) | 2001-08-10 | 2006-03-28 | Infineon Technologies Ag | Making contact with semiconductor chips in chip cards |
| DE10202727A1 (de) * | 2002-01-24 | 2003-08-21 | Infineon Technologies Ag | Trägersubstrat für ein Chipmodul, Chipmodul und Chipkarte |
| DE10311965A1 (de) * | 2003-03-18 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | Flip-Chip Anordnung auf einem Substratträger |
| US7458823B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-12-02 | Denso Corporation | Electronic circuit device and manufacturing method of the same |
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