JPH0863791A - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0863791A JPH0863791A JP6225691A JP22569194A JPH0863791A JP H0863791 A JPH0863791 A JP H0863791A JP 6225691 A JP6225691 A JP 6225691A JP 22569194 A JP22569194 A JP 22569194A JP H0863791 A JPH0863791 A JP H0863791A
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- recording medium
- information recording
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 色素の特性を変えずに、かつディスクとして
の特性を落とすことなく、容易に記録感度を上げること
ができる追記型光ディスク、及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 透光性を有する基板1と、基板1上に色素材
料からなる記録層2と、記録層2上に反射層3と、反射
層3上に保護層4とを有する光情報記録媒体であって、
反射層3をAu−Ti合金膜とする。この合金膜はCo
−スパッタリング法により形成する。この場合、Auタ
ーゲットに入力するスパッタリングパワーは一定にし、
Tiターゲットに入力するスパッタリングパワーを次第
に減少させることにより、Au−Ti合金膜のTi組成
比が、記録層2から保護層4へ向かって減少する光情報
記録媒体を容易に製造することができる。
の特性を落とすことなく、容易に記録感度を上げること
ができる追記型光ディスク、及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 透光性を有する基板1と、基板1上に色素材
料からなる記録層2と、記録層2上に反射層3と、反射
層3上に保護層4とを有する光情報記録媒体であって、
反射層3をAu−Ti合金膜とする。この合金膜はCo
−スパッタリング法により形成する。この場合、Auタ
ーゲットに入力するスパッタリングパワーは一定にし、
Tiターゲットに入力するスパッタリングパワーを次第
に減少させることにより、Au−Ti合金膜のTi組成
比が、記録層2から保護層4へ向かって減少する光情報
記録媒体を容易に製造することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録・再生を行う光ディスクに関し、さらに詳しく
は、コンパクトディスク(CD)あるいはコンパクトデ
ィスク−ROM(CD−ROM)対応の追記型光ディス
クに関する。
の記録・再生を行う光ディスクに関し、さらに詳しく
は、コンパクトディスク(CD)あるいはコンパクトデ
ィスク−ROM(CD−ROM)対応の追記型光ディス
クに関する。
【0002】
【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてCDが、またコン
ピュータ−ROMとしてCD−ROMが、それぞれ広く
普及している。このようなCD、CD−ROMは通常ポ
リカーボネート等の透明基板表面にCDフォーマット信
号またはCD−ROMフォーマット信号を有するピット
列を射出成形時に形成し、その上からアルミニウム、金
等を蒸着あるいはスパッタリングにより反射膜として設
け、さらに保護膜をコートして作製する。
で、オーディオ等の音楽再生用としてCDが、またコン
ピュータ−ROMとしてCD−ROMが、それぞれ広く
普及している。このようなCD、CD−ROMは通常ポ
リカーボネート等の透明基板表面にCDフォーマット信
号またはCD−ROMフォーマット信号を有するピット
列を射出成形時に形成し、その上からアルミニウム、金
等を蒸着あるいはスパッタリングにより反射膜として設
け、さらに保護膜をコートして作製する。
【0003】一方、編集機能を有する追記型光ディスク
としてはシアニン、フタロシアニン等の有機化合物(色
素)を記録膜とし、その上に金等の反射膜を設けて反射
率を確保する方法が実用化されている。
としてはシアニン、フタロシアニン等の有機化合物(色
素)を記録膜とし、その上に金等の反射膜を設けて反射
率を確保する方法が実用化されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記色素
では、その光安定性等の特性と、ディスクにしたときの
記録感度との間に密接な関係があり、光安定性等の特性
を落とさずに記録感度を上げるのは難しいという問題が
あった。
では、その光安定性等の特性と、ディスクにしたときの
記録感度との間に密接な関係があり、光安定性等の特性
を落とさずに記録感度を上げるのは難しいという問題が
あった。
【0005】本発明は、この点に鑑みなされたもので、
その目的は、色素の特性を変えずに、かつディスクとし
ての特性を落とすことなく、容易に記録感度を上げるこ
とができる追記型光ディスク、及びその製造方法を提供
することににある。
その目的は、色素の特性を変えずに、かつディスクとし
ての特性を落とすことなく、容易に記録感度を上げるこ
とができる追記型光ディスク、及びその製造方法を提供
することににある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この問題を解決するた
め、請求項1の光情報記録媒体は、図1に示すように、
透光性を有する基板1と、この基板1上に色素材料から
構成した記録層2と、この記録層2上に反射層3と、こ
の反射層3上に保護層4とを有する光情報記録媒体であ
って、前記反射層3がAu−Ti合金膜であることを特
徴とする。
め、請求項1の光情報記録媒体は、図1に示すように、
透光性を有する基板1と、この基板1上に色素材料から
構成した記録層2と、この記録層2上に反射層3と、こ
の反射層3上に保護層4とを有する光情報記録媒体であ
って、前記反射層3がAu−Ti合金膜であることを特
徴とする。
【0007】請求項2に記載の光情報記録媒体は、請求
項1において、前記Au−Ti合金膜のTi組成比が
0.1〜10wt%であることを特徴とする。
項1において、前記Au−Ti合金膜のTi組成比が
0.1〜10wt%であることを特徴とする。
【0008】請求項3に記載の光情報記録媒体は、請求
項1において、前記Au−Ti合金膜の膜厚が500Å
以上であることを特徴とする。
項1において、前記Au−Ti合金膜の膜厚が500Å
以上であることを特徴とする。
【0009】請求項4に記載の光情報記録媒体は、請求
項1または2において、前記Au−Ti合金膜のTi組
成比が、該合金膜の厚さ方向に変化していることを特徴
とする。
項1または2において、前記Au−Ti合金膜のTi組
成比が、該合金膜の厚さ方向に変化していることを特徴
とする。
【0010】請求項5に記載の光情報記録媒体は、請求
項4において、前記Au−Ti合金膜のTi組成比が、
前記記録層から前記保護層へ向かって減少していること
を特徴とする。
項4において、前記Au−Ti合金膜のTi組成比が、
前記記録層から前記保護層へ向かって減少していること
を特徴とする。
【0011】請求項6に記載の光情報記録媒体の製造方
法は、透光性を有する基板と、この基板上に色素材料か
ら構成した記録層と、この記録層上に反射層と、この反
射層上に保護層とを有する光情報記録媒体であって、前
記反射層がAu−Ti合金膜であるものを製造するに際
し、このAu−Ti合金膜をスパッタリング法で作製す
ることを特徴とする。
法は、透光性を有する基板と、この基板上に色素材料か
ら構成した記録層と、この記録層上に反射層と、この反
射層上に保護層とを有する光情報記録媒体であって、前
記反射層がAu−Ti合金膜であるものを製造するに際
し、このAu−Ti合金膜をスパッタリング法で作製す
ることを特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1の光情報記録媒体においては、反射層
を従来のAu膜からAu−Ti合金膜に変えたことによ
り、その熱伝導率が下がる。このため記録層の熱が逃げ
にくくなり、記録感度が上昇する。
を従来のAu膜からAu−Ti合金膜に変えたことによ
り、その熱伝導率が下がる。このため記録層の熱が逃げ
にくくなり、記録感度が上昇する。
【0013】請求項1の光情報記録媒体においては、A
u−Ti合金膜を設けたことにより熱伝導率は下がる
が、同時に反射率も下がってしまう。そこで、請求項
2,3においてAu−Ti合金膜のTi組成比を0.1
〜10wt%とし、かつ膜厚を500Å以上にすること
により、この合金膜の熱伝導率を下げるとともに、その
反射率の低下を抑えることができる。
u−Ti合金膜を設けたことにより熱伝導率は下がる
が、同時に反射率も下がってしまう。そこで、請求項
2,3においてAu−Ti合金膜のTi組成比を0.1
〜10wt%とし、かつ膜厚を500Å以上にすること
により、この合金膜の熱伝導率を下げるとともに、その
反射率の低下を抑えることができる。
【0014】なお、Tiの組成比が0.1wt%未満で
は反射率は低下しないが、熱伝導率も下がらない。Ti
の組成比が10wt%を超えると、熱伝導率は下がる
が、反射率も下がってしまう。また、Au−Ti合金膜
の膜厚が500Å未満であると膜厚の減少とともに反射
率も低下するが、膜厚が500Å以上であれば反射率は
一定となる。
は反射率は低下しないが、熱伝導率も下がらない。Ti
の組成比が10wt%を超えると、熱伝導率は下がる
が、反射率も下がってしまう。また、Au−Ti合金膜
の膜厚が500Å未満であると膜厚の減少とともに反射
率も低下するが、膜厚が500Å以上であれば反射率は
一定となる。
【0015】請求項4においては、前記Au−Ti合金
膜のTi組成比を、この合金膜の膜厚方向に変化させる
ことで、熱伝導率の高い部分と、低い部分とを設けるこ
とができる。特に、請求項5のとおりにTi組成比を、
記録層から保護層へ向かって減少させることで、記録層
に接する付近では熱伝導率が低く、保護層に近づくに従
って熱伝導率が高くなり、同時に反射率も高くなる。す
なわち、Tiの組成比を合金膜の膜厚方向に変化させな
い場合に比べて、反射率を下げずに記録感度を上げるこ
とできる。
膜のTi組成比を、この合金膜の膜厚方向に変化させる
ことで、熱伝導率の高い部分と、低い部分とを設けるこ
とができる。特に、請求項5のとおりにTi組成比を、
記録層から保護層へ向かって減少させることで、記録層
に接する付近では熱伝導率が低く、保護層に近づくに従
って熱伝導率が高くなり、同時に反射率も高くなる。す
なわち、Tiの組成比を合金膜の膜厚方向に変化させな
い場合に比べて、反射率を下げずに記録感度を上げるこ
とできる。
【0016】請求項6に記載の製造方法においては、A
u−Ti合金膜を作製する場合、スパッタリング法、特
にCo−スパッタリング法を用い、Auターゲットに入
力するスパッタリングパワーは一定にし、Tiターゲッ
トに入力するスパッタリングパワーを次第に減少させて
いくという方法を採れば、請求項4または5の光情報記
録媒体を容易に製造することができる。
u−Ti合金膜を作製する場合、スパッタリング法、特
にCo−スパッタリング法を用い、Auターゲットに入
力するスパッタリングパワーは一定にし、Tiターゲッ
トに入力するスパッタリングパワーを次第に減少させて
いくという方法を採れば、請求項4または5の光情報記
録媒体を容易に製造することができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例1(図1参照) 深さ1400Å、幅0.45μm、ピッチ1.6μmの
案内溝を有する厚さ1.2mm、外径120mm、内径
15mmのポリカーボネート基板1上にフタロシアニン
系色素の記録層2を、スピンコーターによって膜厚16
00Åに成膜した。次に、この記録層2上に反射層3と
してAu−Ti合金膜を1200Åに成膜した。この場
合、AuとTiのCo−スパッタリング法を用い、Ti
組成比が8wt%となるようにAuとTiのそれぞれス
パッタリングパワーを調整した。更に、この合金膜の上
に紫外線硬化樹脂により膜厚5μmの保護層4を設けて
光ディスクを作製した。
る。 実施例1(図1参照) 深さ1400Å、幅0.45μm、ピッチ1.6μmの
案内溝を有する厚さ1.2mm、外径120mm、内径
15mmのポリカーボネート基板1上にフタロシアニン
系色素の記録層2を、スピンコーターによって膜厚16
00Åに成膜した。次に、この記録層2上に反射層3と
してAu−Ti合金膜を1200Åに成膜した。この場
合、AuとTiのCo−スパッタリング法を用い、Ti
組成比が8wt%となるようにAuとTiのそれぞれス
パッタリングパワーを調整した。更に、この合金膜の上
に紫外線硬化樹脂により膜厚5μmの保護層4を設けて
光ディスクを作製した。
【0018】実施例2 反射層以外は実施例1と同一で、反射層はAuとTiの
Co−スパッタリングによって以下のように成膜した。
すなわち、スパッタリング開始時のTi組成比が8wt
%となるようにAuとTiのそれぞれのスパッタリング
パワーを調整し、Tiのパワーのみを徐々に減少させ、
スパッタリング終了と同時にゼロとなるようにした。こ
れにより反射層として、Tiの組成比が記録層から保護
層に向かって減少する、膜厚1200ÅのAu−Ti合
金膜を成膜した光ディスクを作製した。
Co−スパッタリングによって以下のように成膜した。
すなわち、スパッタリング開始時のTi組成比が8wt
%となるようにAuとTiのそれぞれのスパッタリング
パワーを調整し、Tiのパワーのみを徐々に減少させ、
スパッタリング終了と同時にゼロとなるようにした。こ
れにより反射層として、Tiの組成比が記録層から保護
層に向かって減少する、膜厚1200ÅのAu−Ti合
金膜を成膜した光ディスクを作製した。
【0019】比較例1 反射層以外は上記実施例1,2と同一で、反射層はAu
のターゲットをスパッタリングすることにより、膜厚1
200ÅのAu膜を成膜した光ディスクを作製した。
のターゲットをスパッタリングすることにより、膜厚1
200ÅのAu膜を成膜した光ディスクを作製した。
【0020】このようにして作製した実施例1,2の光
ディスクの反射率はそれぞれ73%と80%で、比較例
1の光ディスクの反射率は82%であった。次に、波長
785nmの半導体レーザーを使用して線速度1.4m
/secでEFM−CDフォーマット信号を記録したと
ころ、最適レーザーパワーが実施例1,2の光ディスク
ではそれぞれ7.0mWと7.7mWで、比較例1の光
ディスクでは8.2mWでそれぞれ記録可能であった。
以上の結果をまとめると、下記[表1]のとおりであ
る。
ディスクの反射率はそれぞれ73%と80%で、比較例
1の光ディスクの反射率は82%であった。次に、波長
785nmの半導体レーザーを使用して線速度1.4m
/secでEFM−CDフォーマット信号を記録したと
ころ、最適レーザーパワーが実施例1,2の光ディスク
ではそれぞれ7.0mWと7.7mWで、比較例1の光
ディスクでは8.2mWでそれぞれ記録可能であった。
以上の結果をまとめると、下記[表1]のとおりであ
る。
【0021】
【表1】
【0022】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
光情報記録媒体では、反射層にAu−Ti合金膜を用い
(請求項1)、そのTi組成比と膜厚を規定する(請求
項2,3)ことにより、反射率の低下を抑えつつ、記録
感度を向上させることができる。また、Au−Ti合金
膜のTi組成比を記録層から保護層に向かって減少させ
る(請求項5)ことで、反射率を殆ど低下させることな
く記録感度を向上させることができる。さらに、Au−
Ti合金膜をスパッタリング法で作製する(請求項6)
ことにより、上記特性を有する光情報記録媒体を容易に
製造することができる。
光情報記録媒体では、反射層にAu−Ti合金膜を用い
(請求項1)、そのTi組成比と膜厚を規定する(請求
項2,3)ことにより、反射率の低下を抑えつつ、記録
感度を向上させることができる。また、Au−Ti合金
膜のTi組成比を記録層から保護層に向かって減少させ
る(請求項5)ことで、反射率を殆ど低下させることな
く記録感度を向上させることができる。さらに、Au−
Ti合金膜をスパッタリング法で作製する(請求項6)
ことにより、上記特性を有する光情報記録媒体を容易に
製造することができる。
【図1】本発明に係る光情報記録媒体の構成を示す断面
図である。
図である。
1 基板 2 記録層 3 反射層 4 保護層
Claims (6)
- 【請求項1】 透光性を有する基板と、この基板上に色
素材料から構成した記録層と、この記録層上に反射層
と、この反射層上に保護層とを有する光情報記録媒体で
あって、前記反射層がAu−Ti合金膜であることを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項2】 前記Au−Ti合金膜のTi組成比が
0.1〜10wt%であることを特徴とする請求項1に
記載の光情報記録媒体。 - 【請求項3】 前記Au−Ti合金膜の膜厚が500Å
以上であることを特徴とする請求項1に記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項4】 前記Au−Ti合金膜のTi組成比が、
該合金膜の厚さ方向に変化していることを特徴とする請
求項1または2に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項5】 前記Au−Ti合金膜のTi組成比が、
前記記録層から前記保護層へ向かって減少していること
を特徴とする請求項4に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項6】 透光性を有する基板と、この基板上に色
素材料から構成した記録層と、この記録層上に反射層
と、この反射層上に保護層とを有する光情報記録媒体で
あって、前記反射層がAu−Ti合金膜であるものを製
造するに際し、このAu−Ti合金膜をスパッタリング
法で作製することを特徴とする光情報記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22569194A JP3336422B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22569194A JP3336422B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863791A true JPH0863791A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3336422B2 JP3336422B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16833285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22569194A Expired - Fee Related JP3336422B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336422B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP22569194A patent/JP3336422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3336422B2 (ja) | 2002-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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