JPH0863809A

JPH0863809A - 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法

Info

Publication number: JPH0863809A
Application number: JP6201979A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Hiroki; 知之廣木; Takeshi Okada; 岡田　　健; Naoki Nishimura; 直樹西村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-08-26
Filing date: 1994-08-26
Publication date: 1996-03-08

Abstract

(57)【要約】【目的】初期化磁界、再生磁界を必要としない簡易な
構成で、先の回折限界以下の記録マークを再生可能とす
る光磁気記録媒体及び情報再生方法の提供。【構成】少なくとも第一磁性層と第三磁性層と第二磁
性層とを、その順に基板上に積層して成る光磁気記録媒
体において、前記第一磁性層は希土類−鉄族元素非晶質
合金からなり、室温において希土類元素副格子磁化優勢
で、室温とキュリー温度の間に補償温度を持ち、前記第
二磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からなる垂直磁
化膜で、該第二磁性層のキュリー温度は前記第一磁性層
のキュリー温度よりも低く前記第三磁性層のキュリー温
度よりも高く、前記第一磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１
と前記第三磁性層のキュリー温度Ｔｃ３との間に以下の
関係 −２０（℃）≦Ｔｃｏｍｐ１（℃）−Ｔｃ３（℃）≦８
０（℃）が成り立つことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ビームを用いて光学
的に情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体、及び該
媒体の情報再生方法に関し、特に媒体の高密度化を可能
とする光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
又、近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。この光磁
気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系
のレーザー波長λ、対物レンズの開口数ＮＡに大きく依
存する。すなわち、再生光波長と対物レンズの開口数が
決まるとビームウエストの径が決まるため、最短マーク
長はλ／２ＮＡ程度が再生可能な限界となってしまう。

【０００３】一方トラック密度は、主として隣接トラッ
ク間のクロストークによって制限され、最短マーク長と
同様に再生ビームのスポット径に依存している。したが
って、従来の光ディスクで高密度化を実現するために
は、再生光学系のレーザー波長を短くするか、対物レン
ズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。

【０００４】しかしながら、レーザーの波長を短くする
のは素子の効率、発熱などの問題で容易ではなく、又、
対物レンズの開口数を大きくするとレンズの加工が困難
になるだけでなく、レンズとディスクの距離が近づき過
ぎてディスクと衝突する等の機械的問題が発生する。こ
のため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録
密度を改善する技術が開発されている。

【０００５】例えば、特開平６−１２４５００号公報に
開示された光磁気記録媒体では、再生光の光学的な分解
能以上の記録密度を実現する超解像技術として、図２４
に示すような媒体構成が提案されている。図２４（ａ）
は、超解像技術の一例である光ディスクの断面図を示し
ている。基板２０は通常ガラスあるいはポリカーボネー
トの様な透明な材料であり、あらかじめ同心円状又はら
せん状の溝（グループ６）がついておりガイドトラック
を形成している。記録情報はランドおよび／またはグル
ープに沿って記録する。基板２０上に干渉層４３、第一
の磁性層（以下再生層と称する）４１、第二の磁性層
（以下メモリ層と称する）４２、保護層４４の順に積層
する。干渉層４３はカー効果を高めるため、保護層４４
は磁性層の保護のために用いられるものである。磁性層
中の矢印は、膜中の鉄族元素副格子磁化の向きを表す。
メモリ層４２は例えばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏなど
の垂直磁気異方性の大きい膜で、記録情報はこの層の磁
化が膜面に対して上向きか下向きかによって磁区を形成
し、保持される。再生層４１は飽和磁化Ｍｓが大きく垂
直磁気異方性が小さい材料で希土類元素副格子磁化優勢
な組成で構成されている。図２５に再生層４１の静特性
の一例を示す。室温では面内磁化膜だが温度の上昇と共
に飽和磁化Ｍｓは次第に減少していき、所定温度に達す
ると垂直磁気異方性Ｋｕと２πＭｓ²の大小関係が逆転
するために垂直磁化膜となる。図２５は再生層単体での
静特性を示したが、メモリ層４２と積層した場合にはメ
モリ層４２との交換結合力が働くためにより低い温度Ｔ
ｔｈで垂直磁化膜となり、又垂直磁化膜となるときの再
生層４１の鉄族元素副格子磁化の向きはメモリ層４２と
交換結合した向きとなる。このような媒体構成のディス
クに基板２０側から情報再生用の光を照射すると、デー
タトラック中心での温度勾配は図２４（ｃ）に示すよう
になり、これを基板２０側から見ると、図２４（ｂ）の
様にスポット内にＴｔｈの等温線が存在することにな
る。すると、先述のようにＴｔｈ以下の部分では再生層
４１は面内磁化膜となるため極カー効果には寄与せず
（フロントマスク４を形成する）、メモリ層４２に保持
された記録磁区はマスクされて見えなくなる。一方Ｔｔ
ｈ以上の部分は再生層４１が垂直磁化膜になり、且つ鉄
族元素副格子磁化の向きはメモリ層４２からの交換結合
により記録情報と同じ向きとなる。結果として、スポッ
ト２の大きさに比べて小さいアパーチャ３の部分だけに
メモリ層４２の記録磁区が転写されるので、超解像が実
現する。

【０００６】又、特開平３−９３０５８号公報及び特開
平４−２５５９４６号公報に開示された超解像再生方法
では、図２６に示すように再生層３１、第三の磁性層
（以下中間層と称する）３２とメモリ層３３からなる媒
体を用いる。情報再生に先立って初期化磁界２１により
再生層３１の磁化の向きを一方向に揃えてメモリ層３３
の磁区情報をマスクした後に光スポット２を照射し、そ
の際に生じる媒体の温度分布のうち、低温領域では再生
層３１に初期化状態を維持させ（フロントマスク４を形
成する）、中間層３２のキュリー温度Ｔｃ２以上の高温
領域では再生層３１を再生磁界２２の方向に強制的に配
向させ（リアマスク５を形成する）、中温領域のみでメ
モリ層３３の磁区情報が転写されるようにして再生スポ
ットの実効的な大きさを小さくすることにより、光の回
折限界以下の記録マーク１を再生可能とし、線密度の向
上を図っている。

【０００７】これらの公知の超解像方式では、低温領域
でのフロントマスク４が隣接するトラックの方向にのび
ているために、線記録密度と同時にトラック密度の向上
をも試みている。

【０００８】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
開平６−１２４５００号公報に開示された超解像再生方
法ではフロントマスク４のみを用いるために、解像度を
上げるためにマスクの領域を広げるとアパーチャ３の位
置がスポット中心から外れてしまって信号品質が犠牲に
なるという問題があった。又、特開平３−９３０５８号
公報及び特開平４−２５５９４６号公報に開示された方
法では、信号品質を落とさずに解像力を上げられる反
面、情報再生に先立って再生層３１の磁化を一方向に揃
えなければならず、そのために初期化磁界２１を発生さ
せるための磁石を従来の装置に追加することが必要とな
る。

【０００９】以上のように、従来の超解像再生方法は、
解像力が十分上げられなかったり、光磁気記録再生装置
が複雑化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問
題点を有している。

【００１０】本発明は、このような問題点の解決を図る
ものとして、再生時に初期化磁界及び再生磁界を必要と
しない簡易な構成で、光の回折限界以下の記録マーク
を、高い信号品質で再生可能な光磁気記録媒体及び該媒
体を用いた光学的情報再生方法の提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の前記目
的は、少なくとも第一磁性層と第三磁性層と第二磁性層
とを、その順に基板上に積層して成る光磁気記録媒体に
おいて、前記第一磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金
からなり、室温において希土類元素副格子磁化優勢で、
室温とキュリー温度の間に補償温度を持ち、前記第二磁
性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からなる垂直磁化膜
で、該第二磁性層のキュリー温度は前記第一磁性層のキ
ュリー温度よりも低く前記第三磁性層のキュリー温度よ
りも高く、前記第一磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１と前
記第三磁性層のキュリー温度Ｔｃ３との間の関係を、 −２０（℃）≦Ｔｃｏｍｐ１（℃）−Ｔｃ３（℃）≦８
０（℃）とすることによって達成される。

【００１２】又、少なくとも第一磁性層と第三磁性層と
第二磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成る光磁
気記録媒体であって、前記第一磁性層は希土類−鉄族元
素非晶質合金からなり、室温において希土類元素副格子
磁化優勢で、室温とキュリー温度の間に補償温度を持
ち、前記第二磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金から
なる垂直磁化膜で、該第二磁性層のキュリー温度は前記
第一磁性層のキュリー温度よりも低く前記第三磁性層の
キュリー温度よりも高く、前記第一磁性層の補償温度Ｔ
ｃｏｍｐ１と前記第三磁性層のキュリー温度Ｔｃ３との
間に以下の関係 −２０（℃）≦Ｔｃｏｍｐ１（℃）−Ｔｃ３（℃）≦８
０（℃）が成り立つ光磁気記録媒体に光ビームを照射して、記録
された情報を再生する情報再生方法において、前記第一
磁性層側から光ビームを照射し、前記光ビームのスポッ
ト内の低温部分における前記第一磁性層の磁化を一方向
に磁化し、前記スポット内の低温部分以外の部分で前記
第一磁性層を垂直磁化膜として前記第二磁性層と交換結
合させ、前記第一磁性層に前記第二磁性層に蓄積された
情報を転写し、前記光ビームの反射光を検出することに
より前記第二磁性層に蓄積された情報の再生を行うこと
によって達成される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。

【００１４】図１は本実施例における光ディスクの断面
図を示す。図１に示すように、本実施例に用いる光ディ
スクでは、基板２０上に干渉層１４、第一磁性層（以下
再生層と称する）１１、第三磁性層（以下中間層と称す
る）１２、第二磁性層（以下メモリ層と称する）１３、
保護層１５の順に積層している。基板２０は通常ガラス
あるいはポリカーボネートの様な透明な材料が使われ
る。これらの各層は、マグネトロンスパッタ装置による
連続スパッタリング、あるいは連続蒸着などによって被
着形成できる。干渉層１４は磁気光学効果を高めるため
に設けられ、例えばＳｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
Ｏ、ＺｎＳ、ＭｇＦ₂などの透明な誘電体材料が用いら
れる。保護層１５は磁性層の保護のために用いられるも
ので、干渉層１４と同様の材料が用いられる。干渉層１
４及び保護層１５は本発明の本質とは無関係であるの
で、ここでは詳細な説明は省略する。又、図１には示し
ていないが、膜の保護、あるいは磁界変調オーバーライ
ト用磁界ヘッドを用いるために、保護層１５にさらに紫
外線硬化樹脂などのハードコート材を塗布しても良い。

【００１５】再生層１１は、メモリ層１３に保持した磁
化情報の再生を担う層で室温においては面内磁化膜で、
室温とキュリー温度の間の所定温度以上で垂直磁化膜と
なる磁化特性を備える。又、再生層１１は、中間層１
２、メモリ層１３に比べて光の入射に近い側に位置し、
再生時にカー回転角を劣化させないために、キュリー温
度は少なくとも中間層１２、メモリ層１３より高くす
る。再生層１１は、例えば希土類−鉄族元素非晶質合金
で垂直磁気異方性が小さいもの、例えばＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏなどＧｄＦｅＣｏ
を主に含む材料であればキュリー温度が高く、保持力が
低く、本媒体の主眼である高温領域での記録磁区の収縮
が容易に起きるので望ましい。具体的にはＧｄＦｅＣｏ
が望ましい。また、これに短波長でのカー回転角を大き
くするためにＮｄ、Ｐｒ、Ｓｍなどの軽希土類金属を添
加してもよい。

【００１６】次に、中間層１２の設けられる目的は、以
下の３つである。（１）室温付近において、再生層１１とメモリ層１３の
間の磁壁エネルギーを緩和し、再生層１１が面内磁化膜
となるのを助ける。これは結果として再生層の膜厚低減
にも寄与する。（２）所定温度以上に達すると再生層１１とともに垂直
磁化膜に遷移し、メモリ層１３から再生層１１への交換
結合を媒介する。（３）中間層１２のキュリー温度以上では、再生層１１
とメモリ層１３の間の交換結合を切断する。

【００１７】これらの目的を達成するために、中間層１
２は再生層１１とメモリ層１３の間に位置し、キュリー
温度を室温より高く、再生層１１及びメモリ層１３のキ
ュリー温度より低くする。中間層１２のキュリー温度
は、再生時の光スポット内の中温部で再生層１１にメモ
リ層１３からの交換結合力を媒介できる程度に大きく、
最高温度部で交換結合力を切断できる程度に小さく、具
体的には８０℃以上で２２０℃以下が良く、より望まし
くは１１０℃以上で１８０℃以下が良い。中間層１２の
材料としては、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例え
ば、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅ，
ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどが良い。又キュリ
ー温度を低減するためにＣｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕなどの
非磁性元素を添加しても良い。また、再生層を低温で面
内磁化膜として低温領域をマスクする場合には、低温で
の再生層の面内磁気異方性を強めるために、室温での面
内異方性が再生層よりも大きいもの、例えば室温での飽
和磁化Ｍｓが再生層の室温でのＭｓよりも大きいものが
より望ましい。

【００１８】メモリ層１３は記録情報を保持する層で、
１μｍ以下の微小な磁区を安定に保持できることが必要
である。メモリ層１３の材料としては、垂直磁気異方性
が大きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えばＴｂ
ＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土
類−鉄族非晶質合金、ガーネット、あるいは、白金族−
鉄族周期構造膜、例えばＰｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏ、また
白金族−鉄族合金、例えばＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどであ
っても良い。

【００１９】再生層１１と中間層１２とメモリ層１３に
は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｃｒなどの耐食性改善の
ための元素添加を行なっても良い。また、熱伝導性改良
のためＡｌ，ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなど
の熱伝導性の良い層を設けても良い。また、光変調オー
バーライトを行なうために磁化を一方向に揃えた初期化
層、交換結合力または静磁結合力を調節するための記録
補助、再生補助のための補助層を設けても良い。

【００２０】本発明の光ディスクへのデータ信号の記録
は、媒体を移動させると同時に、一定方向の磁界を印加
しながらレーザパワーを変調して行う（光変調記録）
か、もしくはメモリ層１３がキュリー温度Ｔｃ３前後に
なるような一定のパワーのレーザ光を照射しながら外部
磁界を変調して行う（磁界変調記録）。前者の場合、光
スポット内の所定領域のみがＴｃ３になるようにレーザ
光の強度を調整すれば、光スポット径より小さい記録磁
区が形成でき、その結果光の回折限界以下の周期の信号
を記録する事ができる。また後者の場合は磁界の変調周
波数を光スポットと媒体との相対速度（線速）に比較し
て高周波にすることで、小さい記録磁区が形成できる。

【００２１】また、後述のメカニズムから明らかなよう
に、本発明の超解像が安定して機能するためには、記録
マークの周囲の磁化がマークと逆の方向を向いている必
要がある。もっとも一般的な光変調記録では、まず一定
の磁界を印加した状態でレーザパワーをハイパワーで一
定とし、記録しようとするトラックの磁化を初期化（消
去動作）し、その後磁界の向きを反転した状態でレーザ
パワーを強度変調して所望の記録マークを形成する。そ
の時、記録マークの周囲に磁化の向きがランダムな部分
があると、再生の際ノイズの原因となるため、再生信号
品質を上げるためには記録マークよりも広い幅で消去し
ておくことが一般に行われている。したがって、記録さ
れた磁区の周囲の磁化は必ず磁区と逆を向いていること
になるため、本発明の超解像は従来の光変調記録のもと
では安定に動作する。

【００２２】また、光変調記録のもう一つの方式とし
て、光変調オーバーライトがある。これは、特開昭６２
−１７５９４８に記載されているような構成の媒体を用
いるもので、記録に先立つ消去動作を必要としないもの
である。この媒体は記録情報を保持するメモリ層の他
に、記録に先立って磁化が一方向に向けられている書き
込み層を備えている。この媒体に記録を行う場合には、
書き込み層とは逆向きの一定の磁界を印加しながら記録
情報に応じてレーザ強度をＰｈ，Ｐｌ（Ｐｈ＞Ｐｌ）の
間で変調する。媒体がＰｈに相当する温度Ｔｈまで昇温
すると、Ｔｈは書き込み層のＴｃとほぼ等しく設定され
ているので、メモリ層と書き込み層の磁化は外部磁界の
方向を向いて磁区を形成し、媒体がＰｌ相当の温度Ｔｌ
までしか昇温しないとメモリ層の磁化の向きは書き込み
層と同じ向きとなる。このプロセスはあらかじめ記録さ
れていた磁区とは無関係に起こる。ここで、媒体にＰｈ
のレーザを照射した時を考えると、記録磁区を形成する
部分はＴｈに昇温しているが、この時の温度分布は２次
元的に広がった形となっているので、レーザをＰｈまで
上げたとしても磁区の周囲には必ずＴｌまでしか昇温し
ない部分が生じる。したがって記録磁区の周囲には反対
向きの磁化を持った部分が存在することになる。すなわ
ち、本発明の超解像は従来の光変調オーバーライト記録
のもとでも安定に動作する。さらに別の記録方法として
先述の磁界変調記録が挙げられる。これは、レーザをハ
イパワーでＤＣ照射しながら外部磁界の向きを交番状に
変化させるものであるが、前に記録されていた磁区の履
歴を残さずに新たな情報を記録するためには、磁区を形
成する幅は常に一定にしなければならない。したがっ
て、この場合は何らかの処置を施さなければ記録磁区の
周囲に磁化の向きがランダムな領域が存在してしまい、
本発明の超解像は安定に動作しないことになる。したが
って、磁界変調記録を行う場合には、媒体の出荷時ある
いは一回目の記録に先立って、通常の記録パワーよりも
大きいパワーで記録領域に対して初期化動作を行ってお
くか、ランド、グルーブの両方に対して全面的に磁化の
初期化を行う必要がある。

【００２３】図２は、本発明の光ディスクにレーザ光を
照射しながら、向かって右にディスクが移動したときの
スポットの様子及び各磁性層の磁化状態を示している。
図２ではディスクがおよそ９ｍ／ｓ程度で移動している
場合を示しており、レーザ照射による熱の蓄積があるた
めに、膜温度が最大となる位置はレーザスポットの中心
よりも後ろ側になる。

【００２４】まず、スポット２の進行方向に対して前縁
側では、媒体の温度は室温からそれほど上がっていな
い。再生層１１と中間層１２の飽和磁化Ｍｓの温度依存
性は例えば図３、図４に示すようになっており、スポッ
ト中の低温領域ではどちらの層も飽和磁化Ｍｓが大きく
垂直磁気異方性Ｋｕが小さい。この時、再生層１１の垂
直磁気異方性Ｋｕ１、飽和磁化Ｍｓ１、中間層１２を介
してメモリ層１３からの交換結合力によって再生層１１
の磁化を垂直方向に向けるエネルギーをＥｗ１３とする
と、（数１）２πＭｓ１²＞Ｋｕ１＋Ｅｗ１３が成り立つ場合には、再生層１１の磁化は膜面内を向く
ことになる。特に、中間層１２の飽和磁化は再生層１１
よりもさらに大きく面内異方性が強いので、垂直磁化膜
であるメモリ層１３と面内磁化膜である再生層１１の間
の界面磁壁エネルギーを中間層１２で吸収する作用があ
る。したがって中間層１２を入れることにより、中間層
１２がない場合に比べて、再生層１１の膜厚を薄くした
場合でも磁化の向きが膜面内になり、メモリ層１３の磁
化は転写されずにフロントマスク４を形成する。

【００２５】次に、スポット２の照射により媒体温度が
上がってくると、再生層１１、中間層１２の飽和磁化Ｍ
ｓは次第に小さくなっていく。特に本発明の場合、再生
層１１の補償温度と中間層１２のキュリー温度が近い値
になっているので、媒体の昇温に従ってどちらも急激に
飽和磁化が下がる。そこで、媒体が所定温度Ｔｔｈに到
達し、（数２）２πＭｓ１²＜Ｋｕ＋Ｅｗ１３になると、再生層１１は垂直磁化膜となると同時にメモ
リ層１３と交換結合するので、メモリ層１３に保持され
た磁区が再生層１１に転写されてアパーチャ３を形成す
る。さらに温度が上がって中間層１２のキュリー温度Ｔ
ｃ２よりも高くなると、中間層１２の磁化は消失し、再
生層１１とメモリ層１３との間の交換結合力がなくな
る。この温度で再生層１１が希土類元素副格子磁化優勢
であり、メモリ層１３が鉄族元素副格子磁化優勢になる
ような場合を考える（すなわちアンチパラレル）。する
とＴｃ２以下の温度で再生層１１に転写されていた磁区
は、磁区を保持していたメモリ層１３からの交換結合力
がなくなると同時に、メモリ層１３からの静磁結合力が
逆の方向に加わることになる。また再生層１１も補償温
度に近いために再生層１１自身の反磁界の影響も少ない
ので、メモリ層１３から転写されていた再生層１１の磁
区はブロッホ磁壁エネルギーに抗じきれずに収縮して反
転してしまう。すなわち、スポット２内において中間層
１２のキュリー温度Ｔｃ２以上に昇温した部分では、再
生層に磁区が存在できずに同一方向に揃ってしまう領域
が生じる。この部分がすなわちリアマスク５である。こ
のリアマスクの形成過程は、各磁性層間の相互作用に関
するエネルギーのバランス変化から生じるものなので、
特に再生用に外部磁界を加えずともマスクが形成され
る。

【００２６】このアパーチャ部からリアマスクに移る過
程での、再生層１１に転写された磁区の振る舞いについ
てさらに詳細に述べる。

【００２７】図５には、メモリ層１３から転写された再
生層１１の記録磁区（以下、単に記録磁区と称する）
が、光スポットが移動する際に高温領域で収縮する過程
を示した平面図と断面図である。簡便のため図５では１
つの記録磁区の収縮過程を図示している。また、図５で
は磁性材料に希土類鉄族フェリ磁性体を想定しており、
白抜き矢印３０は全体の磁化を、黒矢印３１は鉄族副格
子磁化を示し、再生層１１はＲＥリッチの磁性層、メモ
リ層１３はＴＭリッチの磁性層を例として記載した。媒
体の温度分布は熱伝導度に限界があるため、光スポット
中心から光スポットの移動と反対方向にずれる。

【００２８】図５（ａ）は、記録磁区１がアパーチャ領
域にある状態を示している。この記録磁区１には、メモ
リ層１３からの交換結合力による実効的磁界Ｈｗｉ以外
に、ブロッホ磁壁エネルギーによる実効的磁界Ｈｗｂ、
媒体内部からの静磁界Ｈｄが印加されている。Ｈｗｉは
再生層の記録磁区１を安定に保持するように働くが、Ｈ
ｗｂ、Ｈｄは記録磁区を広げたり収縮させる方向に力が
働く。よって再生層１１が安定的にメモリ層１３の磁化
を転写するためには、記録磁区１が高温領域５に達する
までに、（数３）の条件が必要である。（数３）｜Ｈｗｂ−Ｈｄ｜＜Ｈｃ１＋Ｈｗｉ（Ｔ＜Ｔｈ−ｍａｓｋ）ここで、Ｔｈ−ｍａｓｋは高温領域５の境界温度であ
る。

【００２９】再生層１１の保磁力Ｈｃ１は、メモリ層１
３からの交換結合力によって、見かけ上大きくなるた
め、容易に（数３）は成立し、安定的にメモリ層１３の
磁化情報を転写して正確に記録情報を再生することが可
能となる。

【００３０】Ｈｗｉは、再生層１１とメモリ層１３の界
面磁壁エネルギーをσｗｉ、再生層１１の記録磁区１の
飽和磁化をＭｓ１、再生層の膜厚をｈ１とすると（数
４）で表される。（数４）Ｈｗｉ＝σｗｉ／２Ｍｓ１ｈ１さらに光スポットが移動して高温領域５に入ると、Ｈｗ
ｉは中間層１２のキュリー温度付近に到達してσｗｉは
急激に小さくなりＨｗｉは減少する。よって再生層１１
が本来の保磁力の小さい状態に戻って（数５）となり、
記録磁区１のブロッホ磁壁８は容易に移動するようにな
る。（数５）｜Ｈｗｂ−Ｈｄ｜＞Ｈｃ１＋Ｈｗｉ（Ｔ＞Ｔｈ−ｍａｓｋ）Ｈｗｂは再生層１１のブロッホ磁壁エネルギーをσｗ
ｂ、再生層１１の記録磁区１の半径をｒとすると（数
６）で表され、記録磁区１を収縮させる方向に働く（図
６）。（数６）Ｈｗｂ＝σｗｂ／２Ｍｓ１ｒよってＨｗｂーＨｄが正（符号が＋）に優勢となって
（数７）となれば、記録磁区１は収縮する。（数７）Ｈｗｂ−Ｈｄ＞Ｈｃ１＋Ｈｗｉ（Ｔ＞Ｔｈ−ｍａｓｋ）こうして、図５（ｂ）に示すように記録磁区１は高温領
域５にはいると収縮して反転し、最終的に図５（ｃ）に
示すように、磁化はすべて消去方向に配向する。

【００３１】即ち、図２に示すように、光スポット２内
の高温領域５においては、再生層１１は常に消去方向に
配向した垂直磁化膜となるので、光学的なマスク（リア
マスク５）として機能する。よって図２に示したように
光スポット２は、見かけ上、高温領域５および低温の面
内磁化膜の領域（フロントマスク）を除いた狭い領域に
絞られることとなり、それ以外の領域では、アパーチャ
ー領域３となり、検出限界以下の周期の記録磁区（記録
マーク）が検出可能となる。なお、従来の超解像方法
は、特開平４−２５５９４７に記載されているように外
部磁界Ｈｒを用いて（数８）の関係によってマスクを形
成する。（数８）Ｈｒ＞Ｈｃ１＋Ｈｗｉ本発明では外部磁界Ｈｒの代わりに媒体内部の実効的磁
界Ｈｗ−Ｈｄの大きさを変化させることによってマスク
を形成するため外部磁界が不要となる。

【００３２】次に、高温で実効的磁界Ｈｗ−Ｈｄを正に
優勢とさせる、即ち、記録磁区１を収縮させる方法につ
いてさらに具体的に述べる。（数７）のＨｄは周囲の消
去磁化からの漏洩磁界Ｈｌｅａｋ、メモリ層１３の磁化
からの静磁界Ｈｓｔなどからなり（数９）で表される。（数９）Ｈｄ＝Ｈｌｅａｋ±ＨｓｔこのうちＨｌｅａｋは図６で示すように記録磁区１を拡
大させる方向に働く。高温領域で記録磁区１をより容易
に収縮させる第１の方法は、Ｈｌｅａｋを小さくして記
録磁区１の反転を妨げる磁界を減少させる方法である。
Ｈｌｅａｋは消失させる記録磁区周辺の再生層１１の飽
和磁化をＭｓ１”、記録磁区１の半径をｒとするとおお
まかに（数１０）で表される。（数１０）Ｈｌｅａｋ＝４πＭｓ１”ｈ１／（ｈ１＋３／２ｒ）（数１０）のうち記録磁区半径ｒと再生層膜厚ｈ１は、
容易には変更できないのでＭｓ１”を小さくすることが
必要となる。このような場合、再生層に室温とキュリー
温度の間に補償温度のある材料を選択すればよい。補償
温度では磁化が小さくなるので、Ｈｌｅａｋを小さくす
ることができる。例として再生層１１にＧｄＦｅＣｏを
用いた場合について述べる。図８（ａ）〜（ｃ）は、そ
れぞれ補償温度の異なるＧｄＦｅＣｏのＭｓの温度依存
性であるが、再生時の媒体上の最高温度は再生パワーに
よって異なるが一般的に図に示した最高温度はおおよそ
１６０〜２２０℃に達し、中温領域はそれより２０〜６
０℃程度低い領域であるので図８（ｂ），図８（ｃ）の
ような場合にはＭｓ１”は大きい。このため、Ｈｌｅａ
ｋは大きくなってしまう。図８（ａ）のように補償温度
が室温とキュリー温度の間にある組成を再生層１１に用
いると、中温および高温領域のＭｓが低減してＨｌｅａ
ｋを減少させることができる。ＧｄＦｅＣｏを再生層１
１に用いた場合、補償温度は図８のように特に希土類元
素（Ｇｄ）の組成に強く依存するので、主にＧｄＦｅＣ
ｏを含む磁性層を再生層１１に用いた場合、Ｇｄ量を２
４〜３２ａｔ％に設定するのが望ましい。

【００３３】第２の方法は、メモリ層１３からの静磁界
Ｈｓｔを負に大きくして記録磁区１の反転を促す方法で
ある。（数７）のうちＨｓｔは、交換結合領域から高温
領域に入った時点で再生層１１とメモリ層１３がパラレ
ルタイプかアンチパラレルタイプかによって記録磁区１
が収縮する方向に働くかそのまま保たれるように働くか
が決まる。これは以下の理由による。

【００３４】図７に示したように交換結合力は交換力の
強い鉄族元素副格子磁化の向きにならい、静磁結合力は
全体の磁化の向きにならう。図７（ａ）は再生層１１が
希土類元素副格子磁化優勢で、メモリ層１３が鉄族元素
副格子磁化優勢であるアンチパラレルタイプを示してい
るが、この場合、中間層１２がキュリー温度付近に達し
て交換結合が切断するとメモリ層１３との静磁結合力に
よって記録磁区１は磁化反転しようとする（Ｈｓｔは負
となる）。逆に図７（ｂ）に示したようにパラレルタイ
プ（図では両層とも鉄族元素副格子磁化優勢の場合を示
している）の場合には静磁結合力は交換結合状態を持続
する方向に働く（Ｈｓｔは正となる）。

【００３５】よって記録磁区１を反転させるためには、
アンチパラレルタイプの構成にすることが望ましい。具
体的には、例えば再生層１１とメモリ層１３をフェリ磁
性として、優勢な副格子磁化の種類をお互いに逆にすれ
ば良い。例えば再生層１１及びメモリ層１３を希土類
（ＲＥ）鉄族（ＴＭ）元素合金から構成し、再生層１１
が希土類元素副格子磁化優勢な磁性層で、メモリ層１３
が室温で鉄族元素副格子磁化優勢の構成とする。尚この
アンチパラレルの構成は少なくとも記録磁区１が収縮す
る時点の温度（上述の中温〜高温領域５において）で達
成されることが必要である。

【００３６】また、Ｈｓｔの値は、円筒形磁区を想定し
記録磁区１の半径、メモリ層１３の磁区からの距離、メ
モリ層の磁化Ｍｓ２を用いて大まかに、計算することが
できる（名古屋大学博士論文、１９９３．３月．”希土
類−鉄族非晶質合金薄膜及びその複合膜の磁性と磁気光
学効果に関する研究”小林正のＰ４０〜４１参照）。Ｈ
ｓｔは、メモリ層の飽和磁化Ｍｓ２に比例する（数１
１）。（数１１）Ｈｓｔ∝Ｍｓ２そのため、Ｍｓ２は記録情報の安定性が悪化しない程
度、消去磁化が反転しない程度に大きくするのが望まし
い。

【００３７】また、上述のメモリ層１３からの静磁界Ｈ
ｓｔは、消去方向の磁化にも働く。しかし消去方向の磁
化は、Ｈｓｔによって反転した場合、高温領域５の広範
囲にわたって磁壁が形成されるため磁壁エネルギーが大
きく上昇する。したがって磁化反転せずに同じ消去方向
の磁化を保つ。このため高温領域５においては常に消去
方向に磁化配向した領域が生成し、ここがリアマスク５
となる。消去磁化が反転した場合のブロッホ磁壁エネル
ギーの実効的磁界Ｈｗｂ’は、反転磁区半径をＲとする
と（数１２）で表される。（数１２）Ｈｗｂ’＝σｗｂ／２Ｍｓ１Ｒよって消去磁化がＨｓｔによって反転しない条件は（数
１３）となる。（数１３）Ｈｗｂ’＞Ｈｓｔ以上の記録磁区１を容易に反転させて消去状態にする２
つの方法―Ｈｌｅａｋを低減する方法及びＨｓｔを負に
大きくする方法―は、どちらか片方の方法のみを用いて
も良いが、２つの方法を併用する場合に最もよく超解像
効果を発揮する。

【００３８】次に、これらの条件を満たす媒体構成につ
いて、以下に説明する。

【００３９】スポット中にリアマスクを生じさせるに
は、上述のようにスポット内の最高温度の部分で中間層
がキュリー温度に達しなければならない。情報再生用の
レーザパワーは通常媒体面上において４ｍＷ程度以下に
設定しており、それ以上では記録時のレーザパワーに対
するマージンが少なくなってしまう。この時再生パワー
の照射により達する温度は２２０℃程度であることを鑑
みると、中間層のキュリー温度は２２０℃以下にしなけ
ればならない。また逆に、リアマスクはスポット中の一
部分のみで生じるべきものであり、レーザを照射せずに
中間層がキュリー温度に達してしまうようでは、フロン
トマスクあるいはアパーチャーが形成されず、信号再生
が出来ない。光磁気記録再生装置の装置内温度は、通常
５０〜６０℃位まで上昇するので、中間層のキュリー温
度は８０℃以上でなければ安定した情報再生は出来な
い。したがって、中間層のキュリー温度は８０〜２２０
℃の範囲にする必要がある。

【００４０】中間層がキュリー温度付近に達したときに
リアマスクが安定して形成されるためには、先述のよう
にＨｌｅａｋが小さい必要がある。Ｈｌｅａｋは、（数
１０）に示したように記録磁区周辺の飽和磁化Ｍｓ１”
に比例するので、Ｍｓ１”を小さくしなければならな
い。したがって、中間層がキュリー温度付近に達したと
き、再生層が補償温度付近になっている場合に上記の条
件を満たすことになる。

【００４１】次にリアマスクを形成するためのもう一つ
の条件、Ｈｓｔについて考える。Ｈｓｔは、中間層がキ
ュリー温度付近に達したときにメモリ層の記録磁区から
再生層に働く静磁結合力である。Ｈｓｔは、メモリ層と
再生層がアンチパラレルの場合には転写された磁区を反
転させてリアマスクを形成する方向に働くが、パラレル
タイプの場合には逆にリアマスクの形成を妨げる向きに
働く。このことは、例えばメモリ層が鉄族元素副格子磁
化優勢の場合、中間層のキュリー温度Ｔｃ３付近の温度
で、再生層が希土類元素副格子磁化優勢であればよい、
つまり再生層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１が中間層のキュリ
ー温度Ｔｃ３よりも高い方がＨｓｔによる効果が大きい
ことを意味する。

【００４２】以上説明したように、Ｈｌｅａｋによる磁
区の保持効果を小さく、かつＨｓｔによる磁区の収縮効
果を大きくするためには、再生層の補償温度Ｔｃｏｍｐ
１を中間層のキュリー温度Ｔｃ３よりもやや高めに設定
した場合に、もっともリアマスクが安定して形成でき
る。それに対し、Ｔｃｏｍｐ１が低くなるとＨｓｔによ
り磁区を収縮させる効果が小さくなるのでリアマスクが
安定して形成できなくなり、再生信号の品位は落ちる。
逆にＴｃｏｍｐ１が高すぎるとＭｓ１”が大きくなるた
めＨｌｅａｋも大きく、中間層がキュリー温度に達して
も再生層の磁区が収縮しにくくなるので、やはり再生信
号の品位は悪化する。すなわち、Ｔｃｏｍｐ１−Ｔｃ３
を数十度程度、具体的には−２０℃以上、８０℃以下に
設定したときに、本発明の効果がもっとも大きく得られ
る。

【００４３】以上のように本発明の光磁気記録媒体を用
いれば再生時に外部磁界を印加せずに光スポットの高温
領域５で一様な方向に磁化配向させることができ、メモ
リ層１３の磁化を光学的にマスクすることができる。

【００４４】以上説明したようなメカニズムにより、本
発明の光磁気記録媒体においては最も効率の良い超解
像、すなわち情報再生用スポットの中心付近のみが情報
再生に寄与するため高い再生信号品質が期待でき、また
さらに膜特性を最適化することでフロントマスクが形成
でき、隣接トラックからのクロストークにも強い超解像
方式が、外部磁界など従来の再生装置に新たな部品を加
えることなしに実現できるものである。以下に実験例を
もって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はその要
旨を越えない限り以下の実験例に限定されるものではな
い。

【００４５】（実験例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲ
ットを取り付け、直径１３０ｍｍのガラス基板及びピッ
チ１．６μｍのプリグルーブ付きポリカーボネイト基板
をターゲットからの距離が１５０ｍｍになる位置に設置
された基板ホルダーに固定した後、１×１０^-5Ｐａ以下
の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真
空排気した。真空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａ
となるまでチャンバー内に導入した後、ＳｉＮ干渉層を
９０ｎｍ、Ｇｄ₂₈（Ｆｅ₆₀Ｃｏ₄₀）₇₂再生層を４０ｎ
ｍ、Ｇｄ₃₇Ｆｅ₆₃中間層を１０ｎｍ、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃ
ｏ₂₀）₈₀メモリ層を３０ｎｍ、ＳｉＮ保護層を７０ｎ
ｍ、を各々順々に成膜して図１の構成の媒体を得た。各
ＳｉＮ誘電体層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ２ガス
を導入し、その混合比を調節しながら屈折率が２．１と
なるように反応性スパッタにより成膜した。Ｇｄ₂₈（Ｆ
ｅ₆₀Ｃｏ₄₀）₇₂再生層は、室温で希土類元素副格子磁化
優勢であり、飽和磁化Ｍｓ１は１８０ｅｍｕ／ｃｃ、補
償温度Ｔｃｏｍｐ１は２１５℃、キュリー温度は３００
℃以上である。Ｇｄ₃₇Ｆｅ₆₃中間層は、室温で希土類元
素副格子磁化優勢であり、飽和磁化Ｍｓ３は４５０ｅｍ
ｕ／ｃｃ、キュリー温度Ｔｃ３は１９０℃となる様に設
定した。Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₀メモリ層は、室温で
鉄族元素副格子磁化優勢であり飽和磁化Ｍｓ２はー２５
０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度Ｔｃ２は２７０℃となる
様に設定した。なお、これ以後飽和磁化の極性は、希土
類元素副格子磁化優勢の場合を正、鉄族元素副格子磁化
優勢の場合を負として記述する。

【００４６】この光磁気記録媒体に０．７８μｍのマー
ク長の磁区を記録した後、８３０ｎｍの半導体レーザー
により光照射しながら偏光顕微鏡で磁区観察を行なっ
た。レーザーパワーを上げると、あるレーザーパワーに
おいては光スポットの中心部（高温の領域）において記
録磁区が収縮して消去方向に磁化が配向することが確認
された。

【００４７】次に、この光磁気記録媒体を用いて、記録
再生特性を測定した。測定は、対物レンズのＮＡ０．５
３、レーザー波長は７８０ｎｍの光ヘッドを用い、線速
９ｍ／ｓ、記録パワーは１０ｍＷとした。初めに媒体の
全面を消去した後に、１１．３ＭＨｚの周波数でレーザ
を変調して長さ０．４０μｍのマークを記録しておき、
再生パワーを０．８ｍＷから４．４ｍＷまで変化させた
時のＣ／Ｎの変化を測定した。結果を図９に示す。

【００４８】本発明の光磁気記録媒体では、再生パワー
が１．０ｍＷ以下の場合には媒体の温度が十分に上がら
ないので再生層の磁化はほぼ膜面内を向いている。従っ
てメモリ層に記録されたマークは再生層にマスクされて
しまうためにほとんどＣ／Ｎが出ない。再生パワーを
２．０〜２．８ｍＷ程度にまで上げると、再生スポット
内に中温領域、すなわちアパーチャが形成されてメモリ
層の磁区が再生層に転写されるためにＣ／Ｎが上がって
いく。この時のアパーチャの形状は、図２４に示した従
来の面内膜を用いた２層構成の超解像とほぼ同様とな
り、超解像現象は起こっているがアパーチャの大きさと
位置が最適になっていないために、Ｃ／Ｎとしては３６
ｄＢ程度しか得られない。更に再生パワーを３．２〜
４．０ｍＷに上げると、スポット内で中間層がキュリー
温度に達する部分が現れ、すなわち、リアマスクが形成
される。するとアパーチャ形状は図２に示したようにス
ポットに対して最適な形状となるので、Ｃ／Ｎも４５ｄ
Ｂが得られた。再生パワーが４．０ｍＷを越えると、最
高温度がメモリ層のキュリー温度を超えてしまうために
記録データが破壊され、Ｃ／Ｎは下がってしまう。

【００４９】次に、本発明の光磁気記録媒体におけるリ
アマスクの形成をさらに裏付けるために、再生信号の振
幅及びＤＣレベルの測定を行った。図１０のキャリア、
ノイズは先程示したものと同じデータであり、記録マー
ク長が０．４μｍの時、再生パワーが３ｍＷを越えると
キャリアレベルが急激に上昇し、リアマスクが形成され
ていることが分かる。

【００５０】振幅、ＤＣレベルは同じ媒体に０．８μｍ
のマークを記録した時の再生信号から求めたものであ
り、ＤＣレベルは消去側を正の符号に取っている。従来
の光ディスクで考えた場合、再生パワーを変化させても
アパーチャ形状が変化することはないので、メモリ層が
キュリー温度に達しない程度のパワーであれば、再生信
号振幅と再生パワーとの関係は原点を通る直線となる。
また、記録マークはスポットの幅一杯に記録することは
なく、マークの両側に消去状態の部分が残っていること
から、記録マークのデューティサイクルが５０％となる
ように記録を行ったとしても、再生信号のＤＣレベルは
０にはならず、消去側（図１０では正側）にオフセット
する事になる。以上のことから、振幅、ＤＣレベルとも
に再生パワーとの関係は傾きが正で原点を通る直線とな
る。あるいは、パワーの上昇による再生層のカー回転角
の減少が無視できないレベルであれば、その度合いに応
じて若干上に凸のカーブになる。ところが、本発明の超
解像ディスクの場合、直線は原点を通らずしかも再生パ
ワー３ｍＷ付近で傾きが変化している。これは次のよう
に考えられる。

【００５１】再生パワーが０．５ｍＷ以下では、最高温
度の部分においても再生層が面内磁化膜から垂直磁化膜
に遷移する温度に達しないために、スポット内のすべて
の領域で再生層の磁化が面内、すなわちマスクされた状
態になっているので、振幅、ＤＣレベルともに０であ
る。０．５ｍＷを越えるとスポット内の一部の再生層が
垂直磁化膜となり、さらにパワーを上げていくとアパー
チャが広がっていくので、振幅、ＤＣレベルともに再生
パワーと比例関係以上の傾きで急激に増加していく。し
かし、再生パワーが３ｍＷを越えると、スポット内にリ
アマスクが形成され始め、リアマスクの部分は消去方向
に磁化の向きが揃う。この部分はリアマスク出現前は信
号再生に寄与していたにも拘わらず、リアマスクの出現
とともに消去方向にマスクされて信号再生に寄与しなく
なる。したがって、再生パワー３ｍＷを境にＤＣレベル
は急激に消去方向に増加していき、再生信号振幅は減少
していく。以上の結果から、本発明の超解像ディスクに
おけるリアマスクの振る舞いが裏付けられた。

【００５２】また、本発明の超解像効果が、外部から再
生磁界を加えることなしに生じていることを確認するた
めに、再生磁界依存性を調べた結果を図１１に示す。こ
れは、先述と同様の方法でディスク上に０．４μｍのマ
ークを記録した後に、再生パワー３．２ｍＷで信号再生
しながら再生磁界を変化させ、その時のＣ／Ｎの変化を
プロットしたものである。この図から明らかなように、
再生磁界±２００Ｏｅの範囲で４５ｄＢと安定したＣ／
Ｎが得られている。

【００５３】次に、同じ媒体に対して記録時のレーザ変
調周波数を５．８、９．０、１１．３、１５ＭＨｚ（そ
れぞれマーク長０．７８、０．５０、０．４０、０．３
０μｍに相当する）と変化させて、Ｃ／Ｎのマーク長依
存性を調べた。結果を図１２に示す。図に示すように、
本発明の記録媒体では良好な空間周波数特性が得られ
た。

【００５４】次に、隣接トラックとのクロストーク（以
下、クロストークと称する）の測定を行なった。これ
は、ランド、グルーブともに全面消去を行った後、ラン
ド部に上述の方法でマーク長０．７８μｍの信号を記録
してキャリアレベル（これをＣＬとする）を測定した
後、隣接グルーブにトラッキングをかけた時のキャリア
レベル（これをＣＧとする）を測定し、それらの比ＣＬ
／ＣＧとして表した。つまり、ランド、グルーブの両方
にデータ記録することを想定して実験を行っているの
で、実効的なトラックピッチは０．８μｍである。この
時の結果を図１３に示す。図から明らかなように、この
媒体に対して最適な再生パワーである３．２〜４．０ｍ
Ｗの範囲でクロストークは−２８ｄＢ程度に抑えられて
おり、本媒体が狭トラックピッチ化に対しても効果があ
ることを示している。

【００５５】以上示したデータは全て初期化磁界を印加
せずに測定しており、従来の情報記録再生装置と同様の
装置で、高密度記録のマークについて良好な結果が得ら
れている。また、最適条件でのＣ／Ｎ及び同じ再生パワ
ーでのクロストークを表１の実験例１にまとめる。

【００５６】（実験例２）実験例１と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎｍ、
ＧｄＦｅＣｏ再生層を４０ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏ中間層を
１０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を３０ｎｍ、ＳｉＮ保
護層を７０ｎｍを各々順々に成膜して図１と同様の構成
の媒体を作成した。但し、今回は再生層、中間層各々の
組成を変化させることにより、各層の飽和磁化、補償温
度、キュリー温度を変化させて、各物性値に対する特性
の変化を調べた。

【００５７】実験例１と同じ条件で各サンプルに長さ
０．４０μｍのマークを記録したときの、再生層の飽和
磁化Ｍｓ１（ｅｍｕ／ｃｃ）とＣ／Ｎの関係を図１４に
示す。例えば中間層の飽和磁化Ｍｓ３（ｅｍｕ／ｃｃ）
が１００の時のカーブを見てみると、Ｍｓ１＝２６０付
近で極大値を持つ上に凸のカーブとなっている。これ
は、再生層の飽和磁化Ｍｓ１が小さいと再生層の面内異
方性が小さくなり、すなわちメモリ層との交換結合によ
って磁化が垂直になる温度が低くなるためにフロントマ
スクの効果が薄れ、Ｃ／Ｎが下がると考えられる。逆に
Ｍｓ１が大きすぎると、フロントマスクが強すぎてアパ
ーチャが十分に開かない内に中間層がキュリー温度に達
してしまうため、やはりＣ／Ｎは悪化する。フロントマ
スクの効果は、再生層、中間層それぞれの面内異方性の
バランス関係で決まり、再生層の面内異方性が弱くなる
と中間層の面内異方性を強くしなければならない。つま
り、中間層の飽和磁化Ｍｓ３が大きくなると、Ｍｓ１の
最適値は小さくなる。したがって、図１４に示すように
Ｍｓ３の変化によってＣ／Ｎのピーク位置がシフトして
いく。後で述べるように、面内磁化膜を使った従来の２
層構成の超解像媒体においては、０．４０μｍのマーク
長に対して３７ｄＢ程度のＣ／Ｎが得られているので、
これと比較すると本発明の媒体により優れた超解像効果
が得られていることが分かる。情報再生の高信頼性を確
保するためには、Ｃ／Ｎは４３ｄＢ以上得られることが
必要であるので、本発明の超解像媒体における再生層の
室温での飽和磁化Ｍｓ１は、２０≦Ｍｓ１≦３４０の範
囲にあるといえる（希土類元素副格子磁化優勢）。ま
た、さらに高い信頼性を確保するためには４５ｄＢ程度
のＣ／Ｎが得られることが望ましく、その為には１００
≦Ｍｓ１≦２６０の範囲に設定することがより望まし
い。

【００５８】次に、本実験例における各媒体について実
験例１と同様の方法でクロストークの測定を行った。結
果を図１５に示す。例えば中間層の飽和磁化Ｍｓ３（ｅ
ｍｕ／ｃｃ）が１００の時のカーブを見てみると、Ｍｓ
１＝２６０付近で極小値を持つ下に凸のカーブとなって
いる。これは、同じ中間層組成に対して、Ｍｓ１が大き
いと再生層の面内異方性が大きすぎてフロントマスクの
効果が強すぎ、ランドでのキャリアレベルが上がらない
ためにグルーブで再生した時との差が出にくく、逆にＭ
ｓ１が小さいときはフロントマスクの効果が小さくなっ
てグルーブ再生時にクロストークの影響を受けやすくな
るからである。したがってクロストークに関しても両者
のバランスがもっとも取れたところに最適値が存在す
る。後述のように、ＴｂＦｅＣｏ単層ディスクに対して
同様の実験を行うと−２２ｄＢ程度のクロストークとな
ることを鑑み、本発明で十分にクロストークの改善効果
が現れるレベルをー２５ｄＢとすると、先述の、Ｃ／Ｎ
の観点から見た、再生層の最適飽和磁化Ｍｓ１の範囲で
は、フロントマスクが形成されており、クロストークに
対しても効果を発揮するといってよい。

【００５９】次に、同じデータを中間層の飽和磁化Ｍｓ
３（ｅｍｕ／ｃｃ）に関する依存性の形にして図１６、
１７に示す。図１６はＣ／Ｎのデータで、図１４と同様
に上に凸のカーブとなっている。これは、中間層の飽和
磁化Ｍｓ３が小さい場合には、面内異方性が小さいので
中間層がキュリー温度に達するまで再生パワーを増大さ
せるとスポット中にアパーチャが広がりすぎて解像度が
上がらなくなり、逆に中間層の飽和磁化Ｍｓ３が大きい
場合には中間層がキュリー温度に達する前に、メモリ層
との交換結合が十分に行われないことによる。再生層の
飽和磁化の場合と同様に、情報再生の高信頼性を確保す
るために、Ｃ／Ｎは４３ｄＢ以上得られる範囲を考える
と、本発明の光磁気記録媒体による効果が得られるのは
ー２００≦Ｍｓ３≦７００の範囲にあるといえる。しか
し、図１７のクロストークのデータをみると、中間層の
飽和磁化Ｍｓ３に対してクロストークは大きく変化して
いることがわかる。これは中間層の飽和磁化が、フロン
トマスクの効果に対して大きく影響していることによ
る。図１７の結果によると、Ｃ／Ｎ４３ｄＢ以上が得ら
れている組成で必ずしもクロストークが改善されている
わけではなく、先程と同様に−２５ｄＢを基準にする
と、Ｍｓ３≧ー１５０のときにフロントマスクの効果が
得られている。すなわち、良好なＣ／Ｎと両立するため
の中間層の飽和磁化Ｍｓ３はー１５０≦Ｍｓ３≦７００
にするのが良い。また、さらにトラックピッチを狭くす
るためにはより良好なクロストークが要求されるので、
クロストークをー３０ｄＢ以下とすると２００≦Ｍｓ３
≦７００となる。また、さらに高い信頼性のために４５
ｄＢ程度のＣ／Ｎを確保するためには２００≦Ｍｓ３≦
５５０の範囲がより望ましい。以上の結果から、本発明
の中間層の飽和磁化Ｍｓ３は、ー１５０≦Ｍｓ３≦７０
０に設定するのがよく、より望ましくは２００≦Ｍｓ３
≦７００にするのがよい。さらに望ましくは、２００≦
Ｍｓ３≦５００が良い。また、本実験例で得られたデー
タの一部を表１に記す。

【００６０】次に、先述のリアマスク形成メカニズムを
裏付けるために、本実験例で得られた実験結果を観点を
変えて表してみる。図１８、図１９は、本実験例で用い
た再生層、中間層の飽和磁化とそれぞれの補償温度、キ
ュリー温度との関係を表した図である。ＧｄＦｅＣｏの
組成の組み合わせにより、飽和磁化と補償温度、キュリ
ー温度の関係は常にこうなるわけではないが、本実験例
ではＣｏ含有量をあまり大きく振らずにＧｄ量の変化に
より特性を変化させたため、図１８、１９で示すような
カーブとなる。図１４で示したＣ／Ｎのデータでは、中
間層の飽和磁化によりピーク位置のシフトが見られた
が、図１８、１９に基づいて横軸を再生層の補償温度と
中間層のキュリー温度との差（ΔＴ＝Ｔｃｏｍｐ１−Ｔ
ｃ３）として書き直すと図２０に示すようにほぼピーク
位置の一致した曲線が得られる。

【００６１】先述のように、本発明のリアマスクの形成
は中間層がほぼキュリー温度に達し、再生層とメモリ層
の交換結合が切れたときの、再生層、メモリ層の磁化の
向き及び大きさに大きく依存する。本実験例ではメモリ
層の組成はすべて一定で行っており、室温で鉄族元素副
格子磁化優勢の組成である。従って、リアマスクが形成
されるか否かは再生層の特性に左右される。

【００６２】０≦ΔＴ≦６０の範囲では、中間層がキュ
リー温度に達したときに再生層はまだ補償温度に達して
おらず、希土類元素副格子磁化優勢なので、鉄族元素副
格子磁化優勢であるメモリ層からの静磁結合力がリアマ
スクの形成を助ける向きに働く。また、再生層自身の飽
和磁化も小さいために、磁区の周囲からの漏洩磁界が小
さく、マスクが出来やすいので結果として高いＣ／Ｎが
得られる。

【００６３】ΔＴが小さくなり負になると、すなわち中
間層がキュリー温度に達したときに再生層はすでに補償
温度を越えて鉄族元素副格子磁化優勢になっているの
で、メモリ層からの静磁結合力は再生層に転写された磁
区が収縮するのを妨げる方向に働くようになるため、マ
スクは形成しにくくなりＣ／Ｎは次第に下がっていく。
逆にΔＴが大きすぎると、交換結合が切れたときの再生
層の飽和磁化が大きすぎ、漏洩磁界によって磁区が保存
されようとするためにリアマスクは形成されず、やはり
Ｃ／Ｎは下がっていく。

【００６４】これらの結果から、Ｃ／Ｎ４３ｄＢ以上が
確保できるのは、再生層と中間層の特性がー２０≦Ｔｃ
ｏｍｐ１−Ｔｃ３≦８０の場合であり、さらに望ましく
は０≦Ｔｃｏｍｐ１−Ｔｃ３≦５０の時に４５ｄＢ以上
のＣ／Ｎが得られる。

【００６５】また、本実験例は比較のためにすべてのサ
ンプルで再生層、中間層の膜厚をそれぞれ４０ｎｍ，１
０ｎｍとして実験を行ったが、再生層のマスク効果を考
えると、再生層膜厚は２０ｎｍ以上あれば差し支えな
い。また中間層はキュリー温度以上で再生層、メモリ層
の交換結合を切断する働きから鑑みて、膜厚は３ｎｍ以
上あればよい。さらにメモリ層は、安定に磁区が保存さ
れるために１０ｎｍ以上の膜厚が得られれば本発明の効
果を実現する媒体が得られる。逆に、情報の記録再生に
必要なパワーから見ると、磁性層全体の膜厚は２００ｎ
ｍ以下に抑えることが望ましい。従って、膜厚に関して
は以上に述べた範囲にあれば、本発明の思想から逸脱す
るものではない。

【００６６】（実験例３）次に実験例１と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎ
ｍ、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４０ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏ中間
層を１０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を３０ｎｍ、Ｓｉ
Ｎ保護層を７０ｎｍを各々順々に成膜して図１と同様の
構成の媒体を作成した。但し、今回は実験例２で得られ
た再生層、中間層各々の最適な膜特性に対して、メモリ
層の飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を様々に変化させた。図
２１は、メモリ層の飽和磁化とＣ／Ｎの関係とを示して
いる（マーク長０．４０μｍ）。図からわかるように、
Ｃ／Ｎから見たメモリ層の組成マージンは十分に広く、
−３００≦Ｍｓ２≦２００の範囲でほぼ一定のＣ／Ｎが
得られている。メモリ層の飽和磁化が−３００ｅｍｕ／
ｃｃを越えると（鉄族元素副格子磁化優勢）、メモリ層
自身の反磁界の影響が強くなり、磁区の内部でさらに微
小な磁区（マイクロドメイン）が形成されたり、磁区の
形状に歪みを生じてノイズ成分が増えるためにＣ／Ｎが
悪化する。逆にメモリ層の飽和磁化が２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ以上（希土類元素副格子磁化優勢）になると、メモリ
層の補償温度が２００℃以上となり、中間層のキュリー
温度よりも高くなるために、再生層との交換結合が切断
された温度でのメモリ層は希土類元素副格子磁化優勢と
なる。すると、メモリ層から再生層に対して働く静磁結
合力は低温での交換結合力と同じ向きとなるので、再生
層に転写された磁区がリアマスクで反転するのを阻害す
る方向に働く。したがって超解像効果が次に薄れていき
Ｃ／Ｎは低下していく。

【００６７】図２１の結果から、本発明の光磁気記録媒
体での超解像効果により４３ｄＢ以上の高いＣ／Ｎが得
られるのはー３５０≦Ｍｓ２≦２５０の範囲にあるとい
える。また、組成マージンから見て安定したＣ／Ｎを得
るためにはー３００≦Ｍｓ２≦２００の範囲がより望ま
しい。

【００６８】（実験例４）次に実験例１と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎ
ｍ、Ｇｄ₂₈（Ｆｅ₆₀Ｃｏ₄₀）₇₂再生層を４０ｎｍ、Ｇｄ
₃₇Ｆｅ₆₃中間層を１０ｎｍ、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₀
メモリ層を３０ｎｍ、ＳｉＮ保護層を７０ｎｍを各々順
々に成膜し、さらに熱特性を改善するためにＡｌの放熱
層を６０ｎｍ成膜して図２２に示す構成の媒体を作成し
た。放熱層を加えることにより、熱特性の線速依存性が
改善されることはすでに知られており、本発明において
も放熱層を追加すると記録、再生パワーの線速依存性が
改善される。この効果は実験例１〜６で述べた光変調記
録でも得られるが、磁界変調記録方式でも同様の効果が
得られる。また磁界変調記録の場合、記録時の媒体の温
度分布形状に従って記録マークの形が弓状（いわゆる矢
羽マーク）になることが知られており、放熱層をつけた
場合にはマークの円弧の部分の曲率が低減されるという
効果がある。

【００６９】本実験例の媒体に磁界変調記録を行った場
合のキャリア、ノイズの記録パワー依存性を図２３に示
す。このように、本実験例によれば磁界変調記録を行っ
た場合でも微小なマーク（０．４０μｍ）に対しても４
４ｄＢという良好なＣ／Ｎが得られ、本発明の目的であ
る超解像の効果を発揮できることがわかった。

【００７０】（実験例５）実験例１と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎｍ、
Ｇｄ₂₈（Ｆｅ₆₀Ｃｏ₄₀）₇₂再生層を４０ｎｍ、Ｇｄ₃₇Ｆ
ｅ₆₃中間層を１０ｎｍ、Ｄｙ₂₅（Ｆｅ₇₀Ｃｏ₃₀）₇₅メモ
リ層を３０ｎｍ、ＳｉＮ保護層を７０ｎｍを各々順々に
成膜して図１と同様の構成の媒体を作成した。

【００７１】本実験例ではメモリ層としてＴｂＦｅＣｏ
の代わりにＤｙＦｅＣｏを用いたが、Ｃ／Ｎ、クロスト
ークともに実験１とほぼ同様の良好な結果が得られ、本
発明の主旨はＴｂＦｅＣｏメモリ層に限定されないこと
を確認した。

【００７２】次に、本発明の効果をより明確にするた
め、従来知られていた媒体構成で同様の実験を行い比較
を行った。

【００７３】（比較実験例１）実験例１と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎ
ｍ、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₀メモリ層を８０ｎｍ、Ｓ
ｉＮ保護層を７０ｎｍを各々順々に成膜した。つまり、
実験例１で用いたメモリ層のみを磁性層とした単層ディ
スクを作成した。まず、本実験例で作成した媒体にマー
ク長０．４０μｍのマークを記録し、キャリア、ノイズ
の再生パワー依存性を測定した。結果を図９に示す。こ
のように、再生パワーの増加に従ってキャリアレベルは
増加していくものの、本発明の媒体で見られたようなマ
スク効果が得られないために傾斜は緩やかである。次に
本実験例の媒体に様々な大きさのマークを記録して、空
間周波数特性を測定した。結果は図１２に示すように、
マーク長が０．７８μｍと大きいときには十分なＣ／Ｎ
が得られているのに対し、光学系のカットオフ周波数を
超えると急激に解像力が低下していくことがわかる。

【００７４】また、クロストークの測定でも、実効的ト
ラックピッチ０．８μｍでは再生スポットに対して狭い
上に、単層ディスクの場合にはマスク効果がないため
に、図１３に示すように−２２ｄＢ程度のクロストーク
しか得られなかった。

【００７５】（比較実験例２）実験例１と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ干渉層を９０ｎ
ｍ、Ｇｄ₂₈（Ｆｅ₆₀Ｃｏ₄₀）₇₂再生層を７０ｎｍ、Ｔｂ
₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₀メモリ層を３０ｎｍ、ＳｉＮ保護
層を７０ｎｍを各々順々に成膜して図２４と同様の構成
の媒体を作成した。

【００７６】まず、本実験例で作成した媒体にマーク長
０．４０μｍのマークを記録し、キャリア、ノイズの再
生パワー依存性を測定した。結果を図９に示す。このよ
うに、本実験例の媒体でも低温で面内磁化膜を用いるこ
とによる超解像効果があるので、再生パワーが０．８〜
２．８ｍＷの範囲では実験例１の媒体と同様にキャリア
レベルが増加していく。しかし、本実験例の２層構成超
解像媒体では、さらに再生パワーを３ｍＷ以上に増加し
てもリアマスクが出現することはないので、実験例１の
媒体のような急激なキャリアの増加は見られない。

【００７７】次に本実験例の媒体に様々な大きさのマー
クを記録して、空間周波数特性を測定した。結果は図１
２に示すように、単層ディスクに比べると高周波域での
解像度は上がっているものの、リアマスクの効果がなく
又アパーチャとスポットとの位置関係が最適になってい
ないために、実験例１のディスクに比べると解像力は劣
っている。

【００７８】しかし、クロストークに関しては、フロン
トマスクが大きく影響しリアマスクは関係しない。した
がって、図１３に示すように実験例１の媒体と同等の−
３０ｄＢ程度のクロストークが得られた。

【００７９】

【表１】

【００８０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の光
磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法を用いれば、再
生磁界および／または初期化磁界が不要である簡素な装
置（従来と同様の装置）を用いて、ビームスポット系よ
り小さい磁区の再生が可能で、線記録密度もしくは線密
度とトラック密度の両方を大幅に向上して高密度記録の
達成が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図。

【図２】本発明における超解像のメカニズムを説明する
図。

【図３】本発明の第一磁性層の飽和磁化曲線を示す図。

【図４】本発明の第三磁性層の飽和磁化曲線を示す図。

【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の光磁気記録媒体
の再生時の状態を示す図。

【図６】再生層に転写された記録磁区にかかる静磁界Ｈ
ｌｅａｋ，Ｈｓｔ及びブロッホ磁壁エネルギーによる実
効的磁界Ｈｗｂを示した図。

【図７】（ａ）はアンチパラレルタイプの層構成につい
て各々交換結合力及び静磁結合力が支配的に作用する場
合に安定な磁化の向きを示した図、（ｂ）はパラレルタ
イプの層構成について各々交換結合力、静磁結合力が支
配的に作用する場合に安定な磁化の向きを示した図。

【図８】（ａ）（ｂ）（ｃ）は磁化の温度変化を補償温
度の異なるＧｄＦｅＣｏについて示した図。

【図９】キャリア、ノイズの再生パワー依存性を示す
図。

【図１０】キャリア、ノイズ、振幅、ＤＣレベルの再生
パワー依存性を示す図。

【図１１】Ｃ／Ｎの再生磁界依存性を示す図。

【図１２】Ｃ／Ｎのマーク長依存性を示す図。

【図１３】クロストークの再生パワー依存性を示す図。

【図１４】本発明におけるＣ／Ｎの再生層Ｇｄ含有量依
存性を示す図。

【図１５】本発明におけるクロストークの再生層Ｇｄ含
有量依存性を示す図。

【図１６】本発明におけるＣ／Ｎの中間層Ｇｄ含有量依
存性を示す図。

【図１７】本発明におけるクロストークの中間層Ｇｄ含
有量依存性を示す図。

【図１８】本発明における再生層飽和磁化と補償温度の
関係を示す図。

【図１９】本発明における中間層飽和磁化とキュリー温
度の関係を示す図。

【図２０】再生層補償温度と中間層キュリー温度の差と
Ｃ／Ｎの関係を示す図。

【図２１】本発明におけるＣ／Ｎのメモリ層Ｔｂ含有量
依存性を示す図。

【図２２】本発明の他の実施例の構成図。

【図２３】本発明の媒体に磁界変調記録を行ったときの
キャリア、ノイズの記録パワー依存性を示す図。

【図２４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は従来の面内磁化膜を用
いた２層構成超解像の原理図。

【図２５】従来の面内磁化膜を用いた２層構成超解像の
一磁性層の静特性を示す図。

【図２６】（ａ）（ｂ）（ｃ）は従来の垂直磁化膜を用
いた３層構成超解像の原理図。

【符号の説明】

１記録マーク２再生スポット３アパーチャ４フロントマスク５リアマスク６グルーブ７ランド１１再生層１２中間層１３メモリ層１４干渉層１５保護層１６放熱層２０基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第一磁性層と第三磁性層と第
二磁性層とを、その順に基板上に積層して成る光磁気記
録媒体において、前記第一磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
り、室温において希土類元素副格子磁化優勢で、室温と
キュリー温度の間に補償温度を持ち、前記第二磁性層は
希土類−鉄族元素非晶質合金からなる垂直磁化膜で、該
第二磁性層のキュリー温度は前記第一磁性層のキュリー
温度よりも低く前記第三磁性層のキュリー温度よりも高
く、前記第一磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１と前記第三
磁性層のキュリー温度Ｔｃ３との間に以下の関係 −２０（℃）≦Ｔｃｏｍｐ１（℃）−Ｔｃ３（℃）≦８
０（℃）が成り立つことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１において、前記第一、第二、第三磁性層は、室温と第三磁性層のキ
ュリー温度の間の温度で交換結合すると共に前記第一磁
性層の磁化は、前記第三磁性層のキュリー温度以上では
一方向に揃えられる。
【請求項３】請求項１において、前記第一の磁性層の
飽和磁化Ｍｓ１は、室温において前記第一磁性層の飽和
磁化Ｍｓ１は、室温において２０≦Ｍｓ１（ｅｍｕ／ｃ
ｃ）≦３４０である。
【請求項４】請求項３において、前記第一磁性層はＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏを含む。
【請求項５】請求項１において、前記第二磁性層の飽和磁化Ｍｓ２は、室温において希土
類元素副格子磁化優勢の場合、Ｍｓ２（ｅｍｕ／ｃｃ）
≦２５０であり、室温において鉄族元素副格子磁化優勢
の場合、Ｍｓ２（ｅｍｕ／ｃｃ）≦３５０である。
【請求項６】請求項５において、前記第二磁性層はＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏを含む。
【請求項７】請求項５において、前記第二磁性層はＤｙ、Ｆｅ、Ｃｏを含む。
【請求項８】請求項１において、前記第三磁性層の飽和磁化Ｍｓ３は、室温において希土
類元素副格子磁化優勢の場合、Ｍｓ３（ｅｍｕ／ｃｃ）
≦７００であり、室温において鉄族元素副格子磁化優勢
の場合、Ｍｓ３（ｅｍｕ／ｃｃ）≦１５０である。
【請求項９】請求項８において、前記第三磁性層はＧｄ、Ｆｅを含む。
【請求項１０】請求項１において、前記第三磁性層のキュリー温度Ｔｃ３は、８０（℃）≦
Ｔｃ３（℃）≦２２０（℃）である。
【請求項１１】少なくとも第一磁性層と第三磁性層と
第二磁性層とを、その順に基板上に積層して成る光磁気
記録媒体であって、前記第一磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
り、室温において希土類元素副格子磁化優勢で、室温と
キュリー温度の間に補償温度を持ち、前記第二磁性層は
希土類−鉄族元素非晶質合金からなる垂直磁化膜で、該
第二磁性層のキュリー温度は前記第一磁性層のキュリー
温度よりも低く前記第三磁性層のキュリー温度よりも高
く、前記第一磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１と前記第三
磁性層のキュリー温度Ｔｃ３との間に以下の関係 −２０（℃）≦Ｔｃｏｍｐ１（℃）−Ｔｃ３（℃）≦８
０（℃）が成り立つ光磁気記録媒体に光ビームを照射して、記録
された情報を再生する情報再生方法において、前記第一磁性層側から光ビームを照射し、前記光ビーム
のスポット内の低温部分における前記第一磁性層の磁化
を膜面内方向に磁化し、前記スポット内の低温部分以外
の部分で前記第一磁性層を垂直磁化膜として前記第二磁
性層と交換結合させ、前記第一磁性層に前記第二磁性層
に蓄積された情報を転写し、前記光ビームの反射光を検
出することにより前記第二磁性層に蓄積された情報の再
生を行うことを特徴とする情報再生方法。