JPH08180482A - 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法Info
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- JPH08180482A JPH08180482A JP6324336A JP32433694A JPH08180482A JP H08180482 A JPH08180482 A JP H08180482A JP 6324336 A JP6324336 A JP 6324336A JP 32433694 A JP32433694 A JP 32433694A JP H08180482 A JPH08180482 A JP H08180482A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】
【構成】 光磁気記録媒体において、光の入射側から第
１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順で積層さ
れてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜で、室温
と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化膜となる
磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜厚方向に
連続的に面内異方性が大きい積層膜からなることを特徴
とする光磁気記録媒体及びそれを用いた再生方法。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体及び再生方法を用い
れば、再生磁界もしくは初期化磁石もしくはその両方が
不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、ビームスポ
ット系より小さい磁区の再生が可能で、線記録密度もし
くは線密度とトラック密度の両方を大幅に向上して高密
度記録の達成が可能となった。
１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順で積層さ
れてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜で、室温
と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化膜となる
磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜厚方向に
連続的に面内異方性が大きい積層膜からなることを特徴
とする光磁気記録媒体及びそれを用いた再生方法。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体及び再生方法を用い
れば、再生磁界もしくは初期化磁石もしくはその両方が
不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、ビームスポ
ット系より小さい磁区の再生が可能で、線記録密度もし
くは線密度とトラック密度の両方を大幅に向上して高密
度記録の達成が可能となった。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
の記録及び再生が行われる光磁気記録媒体に関し、特
に、高密度化を可能とする光磁気記録媒体及び光磁気再
生方法に関するものである。
の記録及び再生が行われる光磁気記録媒体に関し、特
に、高密度化を可能とする光磁気記録媒体及び光磁気再
生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
【０００３】又、近年、この光磁気記録媒体の記録密度
を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まってい
る。この光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度
は、再生光学系のレーザー波長λ、対物レンズの開口数
ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光波長と対物レ
ンズの開口数が決まるとビームウエストの径が決まるた
め、最短マーク長はλ／２ＮＡ程度が再生可能な限界と
なってしまう。一方トラック密度は、主として隣接トラ
ック間のクロストークによって制限され、最短マーク長
と同様に再生ビームのスポット径に依存している。
を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まってい
る。この光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度
は、再生光学系のレーザー波長λ、対物レンズの開口数
ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光波長と対物レ
ンズの開口数が決まるとビームウエストの径が決まるた
め、最短マーク長はλ／２ＮＡ程度が再生可能な限界と
なってしまう。一方トラック密度は、主として隣接トラ
ック間のクロストークによって制限され、最短マーク長
と同様に再生ビームのスポット径に依存している。
【０００４】従って、従来の光ディスクで高密度化を実
現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くする
か、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
しかしながら、レーザーの波長を短くするのは素子の効
率、発熱などの問題で容易ではなく、又、対物レンズの
開口数を大きくするとレンズの加工が困難になるだけで
なく、レンズとディスクの距離が近づき過ぎてディスク
と衝突する等の機械的問題が発生する。このため、記録
媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善す
る技術が開発されている。
現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くする
か、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
しかしながら、レーザーの波長を短くするのは素子の効
率、発熱などの問題で容易ではなく、又、対物レンズの
開口数を大きくするとレンズの加工が困難になるだけで
なく、レンズとディスクの距離が近づき過ぎてディスク
と衝突する等の機械的問題が発生する。このため、記録
媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善す
る技術が開発されている。
【０００５】これに対して本発明者は、先に再生磁界を
印加することなく磁気超解像が実現できる光磁気記録媒
体及び該媒体を用いた光磁気記録媒体の再生方法を試み
た。例えば、本発明者は、特開平６−１２４５００号公
報に開示された光磁気記録媒体及び情報再生方法におい
て、再生光の光学的な分解能以上の記録密度を実現する
超解像技術として図９に示すような媒体構成を提案し
た。図９（ａ）は、超解像技術の一例である光ディスク
の断面図を示している。磁性膜中の矢印は例えば膜中の
鉄族元素副格子磁化の向きを表す。メモリ層４２は例え
ばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の
大きい膜で、記録情報はこの層の磁区が膜面に対して上
向きか下向きかによって磁区を形成し保持される。再生
層４１は室温では面内磁化膜だが温度が上昇してＴｌ−
ｍａｓｋになると垂直磁化膜となる。このような媒体構
成のディスクに基板２０側から情報再生用の光を照射す
ると、データトラック中心での温度勾配は図９（ｃ）に
示すようになり、これを基板２０側から見ると、図９
（ｂ）の様にスポット内にＴｌ−ｍａｓｋの等温線が存
在することになる。すると、先述のようにＴｌ−ｍａｓ
ｋ以下の部分では再生層４１は面内磁化膜となるため極
カー効果には寄与せず（フロントマスク４を形成す
る）、メモリ層４２に保持された記録磁区はマスクされ
て見えなくなる。一方、Ｔｌ−ｍａｓｋ以上の部分は再
生層４１が垂直磁化膜になり、且つ磁化の向きはメモリ
層４２からの交換結合により記録情報と同じ向きとな
る。結果として、スポット２の大きさに比べて小さいア
パーチャ３の部分だけにメモリ層４２の記録磁区が転写
されるので、超解像が実現する。
印加することなく磁気超解像が実現できる光磁気記録媒
体及び該媒体を用いた光磁気記録媒体の再生方法を試み
た。例えば、本発明者は、特開平６−１２４５００号公
報に開示された光磁気記録媒体及び情報再生方法におい
て、再生光の光学的な分解能以上の記録密度を実現する
超解像技術として図９に示すような媒体構成を提案し
た。図９（ａ）は、超解像技術の一例である光ディスク
の断面図を示している。磁性膜中の矢印は例えば膜中の
鉄族元素副格子磁化の向きを表す。メモリ層４２は例え
ばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の
大きい膜で、記録情報はこの層の磁区が膜面に対して上
向きか下向きかによって磁区を形成し保持される。再生
層４１は室温では面内磁化膜だが温度が上昇してＴｌ−
ｍａｓｋになると垂直磁化膜となる。このような媒体構
成のディスクに基板２０側から情報再生用の光を照射す
ると、データトラック中心での温度勾配は図９（ｃ）に
示すようになり、これを基板２０側から見ると、図９
（ｂ）の様にスポット内にＴｌ−ｍａｓｋの等温線が存
在することになる。すると、先述のようにＴｌ−ｍａｓ
ｋ以下の部分では再生層４１は面内磁化膜となるため極
カー効果には寄与せず（フロントマスク４を形成す
る）、メモリ層４２に保持された記録磁区はマスクされ
て見えなくなる。一方、Ｔｌ−ｍａｓｋ以上の部分は再
生層４１が垂直磁化膜になり、且つ磁化の向きはメモリ
層４２からの交換結合により記録情報と同じ向きとな
る。結果として、スポット２の大きさに比べて小さいア
パーチャ３の部分だけにメモリ層４２の記録磁区が転写
されるので、超解像が実現する。
【０００６】これらの公知の超解像方式では、低温領域
でのフロントマスク４が隣接するトラックの方向にのび
ているために、線記録密度と同時にトラック密度の向上
をも試みている。
でのフロントマスク４が隣接するトラックの方向にのび
ているために、線記録密度と同時にトラック密度の向上
をも試みている。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、こ
のような面内磁化膜を用いた２層構造の超解像光磁気記
録媒体においては、室温で面内異方性を大きくするとメ
モリ層の磁化情報を十分マスクできるが、再生温度にお
いて完全な垂直磁化膜とすることは難しい。逆に、室温
での面内異方性を小さくすると、再生温度において完全
な垂直磁化膜となるが、室温では、再生層とメモリ層の
間に生じた界面磁壁は、図３のように主として再生層側
に生じる。即ち、再生層のうちメモリ層に近い部分にメ
モリ層の磁化情報にならった垂直方向の磁化成分ができ
る。従って、メモリ層の磁化情報を再生層で完全にマス
クすることは難しい。従って、従来の面内磁化膜を用い
た２層構成の超解像光磁気記録媒体では、記録マークや
トラック幅を短くした場合に、良好な再生信号を得るこ
とは容易ではなかった。
のような面内磁化膜を用いた２層構造の超解像光磁気記
録媒体においては、室温で面内異方性を大きくするとメ
モリ層の磁化情報を十分マスクできるが、再生温度にお
いて完全な垂直磁化膜とすることは難しい。逆に、室温
での面内異方性を小さくすると、再生温度において完全
な垂直磁化膜となるが、室温では、再生層とメモリ層の
間に生じた界面磁壁は、図３のように主として再生層側
に生じる。即ち、再生層のうちメモリ層に近い部分にメ
モリ層の磁化情報にならった垂直方向の磁化成分ができ
る。従って、メモリ層の磁化情報を再生層で完全にマス
クすることは難しい。従って、従来の面内磁化膜を用い
た２層構成の超解像光磁気記録媒体では、記録マークや
トラック幅を短くした場合に、良好な再生信号を得るこ
とは容易ではなかった。
【０００８】これに対して、本発明者は、先に前記再生
層とメモリ層の間に、該再生層よりも室温での面内異方
性を大きくし、さらにキュリー温度の低い中間層を設け
た３層構成の超解像光磁気記録媒体及び該媒体を用いた
再生方法を提案した。そして、この媒体によって、再生
層の面内磁化膜から垂直磁化膜への転移がより急峻にな
り、再生特性を改善することが可能となった。（特願平
０６−４５５９４）しかしながら、上述の面内磁化膜を
用いた３層構成の超解像光磁気記録媒体では、再生層の
面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が、改善されるもの
の、完全に急峻にはならなかった。従って、前記媒体で
は、記録マークやトラック幅を短くした場合に、良好な
再生信号を得ることは容易ではなかった。
層とメモリ層の間に、該再生層よりも室温での面内異方
性を大きくし、さらにキュリー温度の低い中間層を設け
た３層構成の超解像光磁気記録媒体及び該媒体を用いた
再生方法を提案した。そして、この媒体によって、再生
層の面内磁化膜から垂直磁化膜への転移がより急峻にな
り、再生特性を改善することが可能となった。（特願平
０６−４５５９４）しかしながら、上述の面内磁化膜を
用いた３層構成の超解像光磁気記録媒体では、再生層の
面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が、改善されるもの
の、完全に急峻にはならなかった。従って、前記媒体で
は、記録マークやトラック幅を短くした場合に、良好な
再生信号を得ることは容易ではなかった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題に鑑
み、上述の面内磁化膜型超解像媒体をさらに改良し、室
温から再生ビームスポット内の高温部に至るまでの温度
においてメモリ層の磁化情報を完全にマスクし、かつ再
生層の面内磁化膜から垂直磁化膜への転移がより急峻に
して、スポットの高温部においては記録情報を十分に再
生可能とすることで、線記録密度やトラック密度の向上
などの更なる特性向上を図ることにある。
み、上述の面内磁化膜型超解像媒体をさらに改良し、室
温から再生ビームスポット内の高温部に至るまでの温度
においてメモリ層の磁化情報を完全にマスクし、かつ再
生層の面内磁化膜から垂直磁化膜への転移がより急峻に
して、スポットの高温部においては記録情報を十分に再
生可能とすることで、線記録密度やトラック密度の向上
などの更なる特性向上を図ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】そして、上記
目的は、以下（１）〜（６）記載の光磁気記録媒体及び
（７）、（８）記載の情報再生方法によって実現され
る。
目的は、以下（１）〜（６）記載の光磁気記録媒体及び
（７）、（８）記載の情報再生方法によって実現され
る。
【００１１】（１）光磁気記録媒体において、光の入射
側から第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順
で積層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜
で、室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化
膜となる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜
厚方向に連続的に面内異方性が大きい積層膜からなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
側から第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順
で積層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜
で、室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化
膜となる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜
厚方向に連続的に面内異方性が大きい積層膜からなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
【００１２】この媒体によって、室温から再生ビームス
ポット内の高温部に至るまでの温度においてメモリ層の
磁化情報を完全にマスクし、かつ再生層の面内磁化膜か
ら垂直磁化膜への転移がより急峻にして、スポットの高
温部においては記録情報を十分に再生可能となり、線記
録密度やトラック密度の向上などの更なる特性向上が図
れる。
ポット内の高温部に至るまでの温度においてメモリ層の
磁化情報を完全にマスクし、かつ再生層の面内磁化膜か
ら垂直磁化膜への転移がより急峻にして、スポットの高
温部においては記録情報を十分に再生可能となり、線記
録密度やトラック密度の向上などの更なる特性向上が図
れる。
【００１３】（２）光磁気記録媒体において、光の入射
側から第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順
で積層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜
で、室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化
膜となる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜
厚方向に段階的に面内異方性が大きい３層以上の積層膜
からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
側から第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順
で積層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜
で、室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化
膜となる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜
厚方向に段階的に面内異方性が大きい３層以上の積層膜
からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００１４】この媒体によって、（１）に記載したよう
に線記録密度やトラック密度の向上などの更なる特性向
上が図れると同時に、通過型成膜装置によって媒体を製
造することが可能となり、生産性が向上する。
に線記録密度やトラック密度の向上などの更なる特性向
上が図れると同時に、通過型成膜装置によって媒体を製
造することが可能となり、生産性が向上する。
【００１５】（３）、（１）の光磁気記録媒体において
前記第１磁性層が希土類−鉄族非晶質合金からなり、光
の入射側から膜厚方向に希土類元素の含有量が段階的に
多い。
前記第１磁性層が希土類−鉄族非晶質合金からなり、光
の入射側から膜厚方向に希土類元素の含有量が段階的に
多い。
【００１６】（４）、（２）の光磁気記録媒体において
前記第１磁性層が希土類−鉄族非晶質合金からなり、光
の入射側から膜厚方向に希土類元素の含有量が連続的に
多い。
前記第１磁性層が希土類−鉄族非晶質合金からなり、光
の入射側から膜厚方向に希土類元素の含有量が連続的に
多い。
【００１７】（３）、（４）では、希土類のターゲット
と鉄族のターゲットによる同時成膜によって媒体を作成
する際に、希土類ターゲットのパワーのみを変更するこ
とで、媒体を作成することができるので、生産性が向上
する。
と鉄族のターゲットによる同時成膜によって媒体を作成
する際に、希土類ターゲットのパワーのみを変更するこ
とで、媒体を作成することができるので、生産性が向上
する。
【００１８】（５）、（１）の光磁気記録媒体において
前記第１磁性層が膜厚方向に光の入射側から室温での飽
和磁化が段階的に大きい。
前記第１磁性層が膜厚方向に光の入射側から室温での飽
和磁化が段階的に大きい。
【００１９】（６）、（２）の光磁気記録媒体において
前記第１磁性層が膜厚方向に光の入射側から室温での飽
和磁化が連続的に大きい。
前記第１磁性層が膜厚方向に光の入射側から室温での飽
和磁化が連続的に大きい。
【００２０】（５）、（６）によって、容易に室温での
面内異方性を強くすることができ、かつ昇温時に垂直磁
化性を高めることができる。
面内異方性を強くすることができ、かつ昇温時に垂直磁
化性を高めることができる。
【００２１】（７）、（１）の光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。
【００２２】（８）、（２）の光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。（７）、
（８）によって、超解像の再生が実現できる。
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。（７）、
（８）によって、超解像の再生が実現できる。
【００２３】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒
体及び該媒体を用いた情報再生方法について詳しく説明
する。本発明の光磁気記録媒体は、透光性の基板側上
に、基板側から第１磁性層と、垂直磁化膜である第２磁
性層の２層の磁性層を少なくとも積層してなる。（図
１）。以下、第１磁性層を再生層、第２磁性層をメモリ
層と称する。
体及び該媒体を用いた情報再生方法について詳しく説明
する。本発明の光磁気記録媒体は、透光性の基板側上
に、基板側から第１磁性層と、垂直磁化膜である第２磁
性層の２層の磁性層を少なくとも積層してなる。（図
１）。以下、第１磁性層を再生層、第２磁性層をメモリ
層と称する。
【００２４】再生層の磁化形態は、室温で面内磁化膜
で、室温とメモリ層のキュリー温度との間で垂直磁化膜
となるものである。そして再生層は、膜厚方向に光の入
射側から、徐々にもしくは段階的に、室温での面内異方
性が大きくなるようにする。面内磁化膜から垂直磁化膜
へと転移する再生層の材料としては、図４のように補償
温度が室温とキュリー温度の間にある磁性膜が、室温よ
り高くキュリー温度より低い温度において飽和磁化が０
まで減少するので反磁界エネルギーと垂直磁気異方性定
数の間に交点が生じ、面内磁化膜から垂直磁化膜への転
移が生じる。よって再生層としては、例えば室温とキュ
リー温度の間に補償温度があるものが望ましく、また室
温で反磁界エネルギー２πＭｓ2 よりも小さくなる程度
に磁気異方性が小さいものが望ましい。
で、室温とメモリ層のキュリー温度との間で垂直磁化膜
となるものである。そして再生層は、膜厚方向に光の入
射側から、徐々にもしくは段階的に、室温での面内異方
性が大きくなるようにする。面内磁化膜から垂直磁化膜
へと転移する再生層の材料としては、図４のように補償
温度が室温とキュリー温度の間にある磁性膜が、室温よ
り高くキュリー温度より低い温度において飽和磁化が０
まで減少するので反磁界エネルギーと垂直磁気異方性定
数の間に交点が生じ、面内磁化膜から垂直磁化膜への転
移が生じる。よって再生層としては、例えば室温とキュ
リー温度の間に補償温度があるものが望ましく、また室
温で反磁界エネルギー２πＭｓ2 よりも小さくなる程度
に磁気異方性が小さいものが望ましい。
【００２５】本媒体の再生層は、膜厚方向に光の入射側
から、徐々にもしくは段階的に、面内異方性が大きくな
るようにするが、面内異方性を大きくするためには、例
えば室温での飽和磁化Ｍｓを大きくすると良い。
から、徐々にもしくは段階的に、面内異方性が大きくな
るようにするが、面内異方性を大きくするためには、例
えば室温での飽和磁化Ｍｓを大きくすると良い。
【００２６】具体的な方法としては、再生層に希土類元
素副格子磁化優勢な希土類−鉄族金属を用いた場合、希
土類元素の組成を大きくなるようにすると良い。また、
Ｃｏなどの面内異方性を向上させる元素を加えるなど、
垂直磁界方性エネルギーＫｕを小さくするかもしくは負
の値（面内異方性）を持つを持たせても良い。また元素
の種類を膜厚方向に変調させても良い。例えば、希土類
−鉄族元素合金を再生層に用いる場合、希土類元素がＧ
ｄ，Ｄｙ，Ｆｅの順に希土類−鉄族元素合金の垂直磁気
異方性が大きくなるので、再生層の光入射側から、例え
ばＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，Ｄ
ｙＴｂＦｅＣｏの順で元素の種類を変調させて積層す
る。又、これと同時に組成を変えても良い。また同一の
元素、組成で成膜条件を変えることで再生層の膜厚方向
の面内異方性を変えてもよい。
素副格子磁化優勢な希土類−鉄族金属を用いた場合、希
土類元素の組成を大きくなるようにすると良い。また、
Ｃｏなどの面内異方性を向上させる元素を加えるなど、
垂直磁界方性エネルギーＫｕを小さくするかもしくは負
の値（面内異方性）を持つを持たせても良い。また元素
の種類を膜厚方向に変調させても良い。例えば、希土類
−鉄族元素合金を再生層に用いる場合、希土類元素がＧ
ｄ，Ｄｙ，Ｆｅの順に希土類−鉄族元素合金の垂直磁気
異方性が大きくなるので、再生層の光入射側から、例え
ばＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，Ｄ
ｙＴｂＦｅＣｏの順で元素の種類を変調させて積層す
る。又、これと同時に組成を変えても良い。また同一の
元素、組成で成膜条件を変えることで再生層の膜厚方向
の面内異方性を変えてもよい。
【００２７】また、再生層はメモリ層に保持した磁化情
報の再生を担う層で、メモリ層に比べて光の入射に近い
側に位置し、再生時にカー回転角が劣化しないようにキ
ュリー温度をメモリ層より高くする。また、再生層の保
持力はメモリ層よりも小さいことが必要である。これ
は、メモリ層は記録情報を安定に保持するのに対し、再
生層は面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が生じるよう
にするためである。再生層の具体的な材料としては、例
えば希土類−鉄族非晶質合金、例えばＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣ
ｏ，ＤｙＦｅＣｏなどがよい。このなかでＧｄＦｅＣｏ
を主に含む材料がキュリー温度が高く、保持力が低いの
でより望ましい。
報の再生を担う層で、メモリ層に比べて光の入射に近い
側に位置し、再生時にカー回転角が劣化しないようにキ
ュリー温度をメモリ層より高くする。また、再生層の保
持力はメモリ層よりも小さいことが必要である。これ
は、メモリ層は記録情報を安定に保持するのに対し、再
生層は面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が生じるよう
にするためである。再生層の具体的な材料としては、例
えば希土類−鉄族非晶質合金、例えばＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣ
ｏ，ＤｙＦｅＣｏなどがよい。このなかでＧｄＦｅＣｏ
を主に含む材料がキュリー温度が高く、保持力が低いの
でより望ましい。
【００２８】メモリ層は、記録情報を保存する層で、磁
区を安定に保持できることが必要である。メモリ層の材
料としては、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が
保持できるもの、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−鉄族非晶質合金、ガー
ネット、あるいは、白金族−鉄族周期構造膜、例えば、
Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏ白金族−鉄族合金、例えばＰｔ
Ｃｏ，ＰｄＣｏなどであっても良い。
区を安定に保持できることが必要である。メモリ層の材
料としては、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が
保持できるもの、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−鉄族非晶質合金、ガー
ネット、あるいは、白金族−鉄族周期構造膜、例えば、
Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏ白金族−鉄族合金、例えばＰｔ
Ｃｏ，ＰｄＣｏなどであっても良い。
【００２９】再生層とメモリ層には、Ａｌ，Ｔｉ，Ｐ
ｔ，Ｎｂ，Ｃｒなどの耐食性改善のための元素添加を行
なっても良い。上記再生層とメモリ層に加えて、干渉効
果や保護性能を高めるために、ＳｉＮｘ，ＡｌＯｘ，Ｔ
ａＯｘ，ＳｉＯｘ等の誘電体などでできた層を隣接して
設けても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどの熱伝導性の良い層
を設けても良い。また、光変調オーバーライトを行なう
ために磁化を一方向に揃えた初期化層、交換結合力また
は静磁結合力を調節するための記録補助、再生補助のた
めの補助層を設けても良い。更に保護膜として前記誘電
体層や高分子樹脂からなる保護コートを付与しても良
い。
ｔ，Ｎｂ，Ｃｒなどの耐食性改善のための元素添加を行
なっても良い。上記再生層とメモリ層に加えて、干渉効
果や保護性能を高めるために、ＳｉＮｘ，ＡｌＯｘ，Ｔ
ａＯｘ，ＳｉＯｘ等の誘電体などでできた層を隣接して
設けても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどの熱伝導性の良い層
を設けても良い。また、光変調オーバーライトを行なう
ために磁化を一方向に揃えた初期化層、交換結合力また
は静磁結合力を調節するための記録補助、再生補助のた
めの補助層を設けても良い。更に保護膜として前記誘電
体層や高分子樹脂からなる保護コートを付与しても良
い。
【００３０】次に本発明の記録、再生プロセスを説明す
る。先ず、本発明の光磁気記録媒体のメモリ層にデータ
信号に応じて記録磁区を形成する。記録方法としては、
例えば、一度消去した後に、記録方向に磁界を印加しな
がらレーザーパワーを変調して行う。または、外部磁界
を印加しながらレーザーパワーを変調して、旧データの
うえに新データをオーバーライト記録する。このオーバ
ーライト記録の場合、光スポット内の所定領域のみがメ
モリ層のキュリー温度近傍になる様に記録媒体の線速度
を考慮してレーザー光の強度を決定すれば、光スポット
の径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限
界以下の周期の信号を記録できる。又は、メモリ層がキ
ュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照射
しながら外部磁界を変調してオーバーライト記録をす
る。この場合は変調速度を線速度に応じて高速にすれば
光スポットの径以下の記録磁区が形成でき、その結果、
光の回折限界以下の周期の信号を記録できる。
る。先ず、本発明の光磁気記録媒体のメモリ層にデータ
信号に応じて記録磁区を形成する。記録方法としては、
例えば、一度消去した後に、記録方向に磁界を印加しな
がらレーザーパワーを変調して行う。または、外部磁界
を印加しながらレーザーパワーを変調して、旧データの
うえに新データをオーバーライト記録する。このオーバ
ーライト記録の場合、光スポット内の所定領域のみがメ
モリ層のキュリー温度近傍になる様に記録媒体の線速度
を考慮してレーザー光の強度を決定すれば、光スポット
の径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限
界以下の周期の信号を記録できる。又は、メモリ層がキ
ュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照射
しながら外部磁界を変調してオーバーライト記録をす
る。この場合は変調速度を線速度に応じて高速にすれば
光スポットの径以下の記録磁区が形成でき、その結果、
光の回折限界以下の周期の信号を記録できる。
【００３１】次に、本発明の媒体及び再生方法について
述べる。本発明では、外部磁界を印加することなく光ス
ポット内の一部の領域を見かけ上光学的にマスクするこ
とで磁気超解像を実現する。そして、このマスクは面内
磁化膜である再生層から構成され、アパーチャー領域
は、再生層が昇温して垂直磁化膜となりメモリ層の磁化
情報を転写することで生成される。すなわち、マスク領
域では、再生層は十分な面内磁化膜でなければメモリ層
の磁化情報を完全にマスクすることはできず、また転移
温度において急峻に垂直磁化膜とならなければ、マスク
とアパーチャーの境界が不明瞭になって、ノイズの原因
となってしまう。
述べる。本発明では、外部磁界を印加することなく光ス
ポット内の一部の領域を見かけ上光学的にマスクするこ
とで磁気超解像を実現する。そして、このマスクは面内
磁化膜である再生層から構成され、アパーチャー領域
は、再生層が昇温して垂直磁化膜となりメモリ層の磁化
情報を転写することで生成される。すなわち、マスク領
域では、再生層は十分な面内磁化膜でなければメモリ層
の磁化情報を完全にマスクすることはできず、また転移
温度において急峻に垂直磁化膜とならなければ、マスク
とアパーチャーの境界が不明瞭になって、ノイズの原因
となってしまう。
【００３２】本来、面内磁化膜から垂直磁化膜への転移
は、磁性層単層の状態においては、急峻に発生し、低温
ではほぼ完全な面内磁化膜とすることができる。しか
し、これをメモリ層と積層するとこの転移は急峻に生じ
なくなり、室温で完全に面内磁化膜とすることは難し
い。これは再生層を垂直磁化膜であるメモリ層と積層し
た２層膜構成の場合、再生層のうちメモリ層により近い
部分においては、メモリ層からの交換結合力をより強く
うけるため、実効的な垂直磁気異方性が大きくなるため
である。即ち、後述する（数１）のうちＫｕが交換力に
より見かけ上大きくなるためである。また、再生層とメ
モリ層の間の磁壁は異方性の小さな再生層側に浸透し
て、昇温するとともにこの磁壁が徐々に再生層の光入射
側に広がっていくためである。
は、磁性層単層の状態においては、急峻に発生し、低温
ではほぼ完全な面内磁化膜とすることができる。しか
し、これをメモリ層と積層するとこの転移は急峻に生じ
なくなり、室温で完全に面内磁化膜とすることは難し
い。これは再生層を垂直磁化膜であるメモリ層と積層し
た２層膜構成の場合、再生層のうちメモリ層により近い
部分においては、メモリ層からの交換結合力をより強く
うけるため、実効的な垂直磁気異方性が大きくなるため
である。即ち、後述する（数１）のうちＫｕが交換力に
より見かけ上大きくなるためである。また、再生層とメ
モリ層の間の磁壁は異方性の小さな再生層側に浸透し
て、昇温するとともにこの磁壁が徐々に再生層の光入射
側に広がっていくためである。
【００３３】本発明の光磁気記録媒体では、従来の２層
構成媒体に改良を加えて図２のように、膜厚方向に光の
入射側から、徐々にもしくは段階的に、面内異方性を強
くした再生層を設けていることが特徴である。こうすれ
ば、再生層のうちメモリ層に近い部分では面内異方性が
強く、メモリ層からの垂直方向の交換力の影響を受けに
くくなるので、結果として再生層は、メモリ層と積層し
た場合においても、膜厚方向には関係なく一様な磁化方
向を持てるようになる。
構成媒体に改良を加えて図２のように、膜厚方向に光の
入射側から、徐々にもしくは段階的に、面内異方性を強
くした再生層を設けていることが特徴である。こうすれ
ば、再生層のうちメモリ層に近い部分では面内異方性が
強く、メモリ層からの垂直方向の交換力の影響を受けに
くくなるので、結果として再生層は、メモリ層と積層し
た場合においても、膜厚方向には関係なく一様な磁化方
向を持てるようになる。
【００３４】従って、再生層は、あたかもメモリ層と積
層していない単層の状態のように、面内磁化膜から垂直
磁化膜への転移は、急峻に発生し、低温ではほぼ完全な
面内磁化膜とすることができる。このため再生層は、室
温では完全な面内磁化膜とであって、昇温時により急峻
に面内磁化膜から垂直磁化膜へと転移するようになる。
このため再生特性が向上する。
層していない単層の状態のように、面内磁化膜から垂直
磁化膜への転移は、急峻に発生し、低温ではほぼ完全な
面内磁化膜とすることができる。このため再生層は、室
温では完全な面内磁化膜とであって、昇温時により急峻
に面内磁化膜から垂直磁化膜へと転移するようになる。
このため再生特性が向上する。
【００３５】上述の媒体では、膜厚方向に徐々に面内異
方性を強くするのが最も好ましいが、生産上の管理の点
などから段階的に面内異方性を強くしても良い。しか
し、段階的に面内異方性を強くする場合には、再生層を
３層以上に分けて段階的に強くするのが好ましい。これ
は２段階では、上述で述べた効果を十分発揮することが
できないからである。
方性を強くするのが最も好ましいが、生産上の管理の点
などから段階的に面内異方性を強くしても良い。しか
し、段階的に面内異方性を強くする場合には、再生層を
３層以上に分けて段階的に強くするのが好ましい。これ
は２段階では、上述で述べた効果を十分発揮することが
できないからである。
【００３６】本発明の光磁気記録媒体では、再生層に室
温で面内磁化膜であって、高温で垂直磁化膜となる磁性
膜を用いる。このような磁性膜の例を以下に説明する。
一般に単層磁性膜の場合、その磁化の主な向きは、飽和
磁化をＭｓ、垂直磁気異方性エネルギーをＫｕとした
時、
温で面内磁化膜であって、高温で垂直磁化膜となる磁性
膜を用いる。このような磁性膜の例を以下に説明する。
一般に単層磁性膜の場合、その磁化の主な向きは、飽和
磁化をＭｓ、垂直磁気異方性エネルギーをＫｕとした
時、
【００３７】
【数１】Ｋ＝Ｋｕ−２πＭｓ2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋにより決定す
ることが知られている。ここで２πＭｓ2 は反磁界エネ
ルギーであり、Ｋが正の場合には垂直磁化膜、負の場合
には面内磁化膜となる。よって図９に示したように面内
磁化膜から垂直磁化膜への転移にはＫｕと２πＭｓ2 の
大小関係が温度によって変化するものが有効である。こ
のような再生層では、メモリ層の磁化情報を再生する領
域（図９のアパーチャー領域３）に達するまでの温度Ｔ
ｌ−ｍａｓｋ以下の低温領域で、（数２）が成立するた
め面内磁化膜となってメモリ層の磁化情報をマスクする
（フロントマスク４、図９参照）。
ることが知られている。ここで２πＭｓ2 は反磁界エネ
ルギーであり、Ｋが正の場合には垂直磁化膜、負の場合
には面内磁化膜となる。よって図９に示したように面内
磁化膜から垂直磁化膜への転移にはＫｕと２πＭｓ2 の
大小関係が温度によって変化するものが有効である。こ
のような再生層では、メモリ層の磁化情報を再生する領
域（図９のアパーチャー領域３）に達するまでの温度Ｔ
ｌ−ｍａｓｋ以下の低温領域で、（数２）が成立するた
め面内磁化膜となってメモリ層の磁化情報をマスクする
（フロントマスク４、図９参照）。
【００３８】
【数２】 Ｋｕ＜２πＭｓ2 ，Ｋ＜０ （Ｔ＜Ｔｌ−ｍａｓｋ） また、媒体温度Ｔが上昇するとＭｓが小さくなるので２
πＭｓ2 は急激に小さくなってＫｕと大小関係が逆転
し、（数３）となって垂直磁化膜となり、
πＭｓ2 は急激に小さくなってＫｕと大小関係が逆転
し、（数３）となって垂直磁化膜となり、
【００３９】
【数３】 Ｋｕ＞２πＭｓ2 ，Ｋ＞０ （Ｔｌ−ｍａｓｋ＜Ｔ） アパーチャー領域３（図９参照）ができる。
【００４０】ここで、再生層は光の入射側から膜厚方向
に面内異方性を強くする、即ちＫｉを小さくすることが
必要である。このための方法としては、光の入射側から
膜厚方向に徐々にＭｓを大きくする（数４）か、もしく
は（数５）のようにＫｕを光の入射側から膜厚方向にＫ
ｕを小さくする。Ｋｕを小さくするためには、例えばＣ
ｏ含有量を増やすと良い。このうち、Ｍｓを大きくした
方が、補償温度の調節等によって、昇温時にＭｓを小さ
くして垂直磁気異方性を高めることが容易であるので、
より好ましい。Ｋｕを小さくする場合には、昇温時に垂
直磁化膜とすることが比較的難しい。Ｍｓを膜厚方向に
大きくする場合には例えばＲＥリッチの希土類−鉄族合
金（例えばＧｄxi（Ｆｅ100-yＣｏy）100-xiなど）を用
いた場合には、（数５）のように光の入射側から膜厚方
向にｘを増やせばよい。
に面内異方性を強くする、即ちＫｉを小さくすることが
必要である。このための方法としては、光の入射側から
膜厚方向に徐々にＭｓを大きくする（数４）か、もしく
は（数５）のようにＫｕを光の入射側から膜厚方向にＫ
ｕを小さくする。Ｋｕを小さくするためには、例えばＣ
ｏ含有量を増やすと良い。このうち、Ｍｓを大きくした
方が、補償温度の調節等によって、昇温時にＭｓを小さ
くして垂直磁気異方性を高めることが容易であるので、
より好ましい。Ｋｕを小さくする場合には、昇温時に垂
直磁化膜とすることが比較的難しい。Ｍｓを膜厚方向に
大きくする場合には例えばＲＥリッチの希土類−鉄族合
金（例えばＧｄxi（Ｆｅ100-yＣｏy）100-xiなど）を用
いた場合には、（数５）のように光の入射側から膜厚方
向にｘを増やせばよい。
【００４１】具体的な例としてはＧｄx（Ｆｅ60Ｃ
ｏ40）100-xの磁性層について、図５に室温でのＭｓの
組成依存性および図６には補償温度Ｔｃｏｍｐ、キュリ
ー温度Ｔｃの組成依存性を示した。
ｏ40）100-xの磁性層について、図５に室温でのＭｓの
組成依存性および図６には補償温度Ｔｃｏｍｐ、キュリ
ー温度Ｔｃの組成依存性を示した。
【００４２】
【数４】Ｍｓｌ＜Ｍｓ２＜Ｍｓ３・・・
【００４３】
【数５】Ｋｕｌ＞Ｋｕ２＞Ｋｕ３・・・
【００４４】
【数６】ｘ１＜ｘ２＜ｘ３・・・ 又、膜厚方向におけるＫiの具体的大きさは、再生層の
光の入射側で−６×１０5ｅｒｇ／ｃｃ以上で−５×１
０4ｅｒｇ／ｃｃ以下、より好ましくは−４×１０5ｅｒ
ｇ／ｃｃ以上で−８×１０4ｅｒｇ／ｃｃ以下であり、
メモリ層側で−６×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上で−８×１
０5ｅｒｇ／ｃｃ以下であり、より好ましくは−４×１
０6ｅｒｇ／ｃｃ以上で−１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以下で
あることが好ましい。
光の入射側で−６×１０5ｅｒｇ／ｃｃ以上で−５×１
０4ｅｒｇ／ｃｃ以下、より好ましくは−４×１０5ｅｒ
ｇ／ｃｃ以上で−８×１０4ｅｒｇ／ｃｃ以下であり、
メモリ層側で−６×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上で−８×１
０5ｅｒｇ／ｃｃ以下であり、より好ましくは−４×１
０6ｅｒｇ／ｃｃ以上で−１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以下で
あることが好ましい。
【００４５】又、メモリ層のＫiは８×１０5ｅｒｇ／ｃ
ｃ以上、より好ましくは１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上が
好ましい。
ｃ以上、より好ましくは１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上が
好ましい。
【００４６】尚、上述の条件を満足させるために、再生
層、メモリ層に希土類金属−鉄族金属の合金、例えばＧ
ｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏを用いる場合には、飽和磁化
Ｍｓ及び組成は次のような値に設定することが望まし
い。
層、メモリ層に希土類金属−鉄族金属の合金、例えばＧ
ｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏを用いる場合には、飽和磁化
Ｍｓ及び組成は次のような値に設定することが望まし
い。
【００４７】再生層のＭｓ 光の入射側で１００ｅｍｕ／ｃｃ以上で３００ｅｍｕ／
ｃｃ以下、より好ましくは１５０ｅｍｕ／ｃｃ以上で２
８０ｅｍｕ／ｃｃ以下、メモリ側で３４０ｅｍｕ／ｃｃ
以上で１０００ｅｍｕ／ｃｃ以下、より好ましくは４５
０ｅｍｕ／ｃｃ以上で８００ｅｍｕ／ｃｃ以下である。
ｃｃ以下、より好ましくは１５０ｅｍｕ／ｃｃ以上で２
８０ｅｍｕ／ｃｃ以下、メモリ側で３４０ｅｍｕ／ｃｃ
以上で１０００ｅｍｕ／ｃｃ以下、より好ましくは４５
０ｅｍｕ／ｃｃ以上で８００ｅｍｕ／ｃｃ以下である。
【００４８】再生層の組成（単位はａｔ％） Ｇｄx（Ｆｅ100-yＣｏy）100-xにおいて 光入射側 ： ２４≦ｘ≦３５、より好ましくは２６≦
ｘ≦３２ メモリ層側： ３８≦ｘ≦６０、より好ましくは４０≦
ｘ≦５０ 全体で２０≦ｙ≦６０ メモリ層のＭｓ ０ｅｍｕ以上、３００ｅｍｕ以下。
ｘ≦３２ メモリ層側： ３８≦ｘ≦６０、より好ましくは４０≦
ｘ≦５０ 全体で２０≦ｙ≦６０ メモリ層のＭｓ ０ｅｍｕ以上、３００ｅｍｕ以下。
【００４９】メモリ層の組成（単位はａｔ％） Ｔｂx（Ｆｅ100-yＣｏy）100-xにおいて １５≦ｘ≦３５、より好ましくは１８≦ｘ≦２２ １０≦ｙ≦３０である。
【００５０】再生層のキュリー温度 光入射側：２８０℃以上、より好ましくは３００℃以
上。 メモリ層側：１００℃以上で２５０℃以下、より好まし
くは１２０℃以上で２００℃以下である。
上。 メモリ層側：１００℃以上で２５０℃以下、より好まし
くは１２０℃以上で２００℃以下である。
【００５１】データ再生は、媒体にレーザー光を連続照
射して、媒体からの反射光を検知する。このとき、レー
ザー照射部位の温度が上昇し、媒体上の温度分布は媒体
の移動方向にのびた形状となり、光スポット内の一部が
高温となった温度分布となる。即ち、再生時のレーザー
光の強度を図で示される光スポットの一部が面内磁化膜
から垂直磁化膜に転移する温度Ｔｌ以上となるように設
定すれば、図のように再生層は光スポットの一部が垂直
磁化膜（アパーチャー領域）となり、他の部分は面内磁
化膜（マスク領域）のままという状態が実現する。垂直
磁化膜となった再生層は、メモリ層と交換結合によって
磁気的に結合されることから、メモリ層の信号が再生層
に転写される。転写された磁気信号は、再生層の磁気光
学効果によって光学信号に変換されて検出される。
射して、媒体からの反射光を検知する。このとき、レー
ザー照射部位の温度が上昇し、媒体上の温度分布は媒体
の移動方向にのびた形状となり、光スポット内の一部が
高温となった温度分布となる。即ち、再生時のレーザー
光の強度を図で示される光スポットの一部が面内磁化膜
から垂直磁化膜に転移する温度Ｔｌ以上となるように設
定すれば、図のように再生層は光スポットの一部が垂直
磁化膜（アパーチャー領域）となり、他の部分は面内磁
化膜（マスク領域）のままという状態が実現する。垂直
磁化膜となった再生層は、メモリ層と交換結合によって
磁気的に結合されることから、メモリ層の信号が再生層
に転写される。転写された磁気信号は、再生層の磁気光
学効果によって光学信号に変換されて検出される。
【００５２】このように図で示される光スポットの高温
部の面積は、レーザー光の設定強度によって決定できる
ことを考慮すれば、メモリ層に記録された光の回折限界
以下の周期の信号の各記録マーク単位で再生層に転写す
ることができ、その結果、光の回折限界以下の周期の信
号も符号間干渉なく再生できる。
部の面積は、レーザー光の設定強度によって決定できる
ことを考慮すれば、メモリ層に記録された光の回折限界
以下の周期の信号の各記録マーク単位で再生層に転写す
ることができ、その結果、光の回折限界以下の周期の信
号も符号間干渉なく再生できる。
【００５３】さらに、再生に際して再生トラックと隣接
トラックとの境界での温度ＴｒがＴｒ＜Ｔｔｈとなるよ
うな温度分布にしておけば、隣接トラックのメモリ層に
記録された信号が再生層に転写されることなく、クロス
トークは解消され、トラック密度を向上させることがで
きる。その様子を図に示した。又、媒体の熱伝導率が比
較的大きい場合には、温度プロファイルの中心は光スポ
ットの中心に近づき、図のように光スポットの中心に近
い部分はアパーチャー領域となる。この場合も同様に隣
接トラックとのクロストークは解消される。
トラックとの境界での温度ＴｒがＴｒ＜Ｔｔｈとなるよ
うな温度分布にしておけば、隣接トラックのメモリ層に
記録された信号が再生層に転写されることなく、クロス
トークは解消され、トラック密度を向上させることがで
きる。その様子を図に示した。又、媒体の熱伝導率が比
較的大きい場合には、温度プロファイルの中心は光スポ
ットの中心に近づき、図のように光スポットの中心に近
い部分はアパーチャー領域となる。この場合も同様に隣
接トラックとのクロストークは解消される。
【００５４】
【実施例】以下に実験例をもって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験
例に限定されるものではない。まず、再生層が室温及び
室温からキュリー温度間において垂直磁化膜である形態
の光磁気記録媒体を作成して評価し、以下の実験例１、
２に示した。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験
例に限定されるものではない。まず、再生層が室温及び
室温からキュリー温度間において垂直磁化膜である形態
の光磁気記録媒体を作成して評価し、以下の実験例１、
２に示した。
【００５５】（実験例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの各ターゲ
ットを取り付け、直径１３０ｍｍのガラス基板及びプリ
グルーブ付きのポリカーボネイト基板をターゲットから
の距離が１５０ｍｍになる位置に設置された基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０−５Ｐａ以下の高真空になる
までチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真
空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａとなるまでチャ
ンバー内に導入した後、ＳｉＮ干渉層を９００Å、Ｇｄ
ＦｅＣｏ再生層を１００Åの磁性層１、１００Åの磁性
層２、１００Åの磁性層３、１００ の磁性層４を順に
成膜して組成変調膜として構成し、次いでＴｂＦｅＣｏ
メモリ層を３５０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、各々順
々に成膜して図７の構成の本発明の光磁気記録媒体を得
た。各ＳｉＮ誘電体層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ
２ガスを導入し、その混合比を調節しながら屈折率が
２．２となるように反応性スパッタにより成膜した。
ング装置に、Ｓｉ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの各ターゲ
ットを取り付け、直径１３０ｍｍのガラス基板及びプリ
グルーブ付きのポリカーボネイト基板をターゲットから
の距離が１５０ｍｍになる位置に設置された基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０−５Ｐａ以下の高真空になる
までチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真
空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａとなるまでチャ
ンバー内に導入した後、ＳｉＮ干渉層を９００Å、Ｇｄ
ＦｅＣｏ再生層を１００Åの磁性層１、１００Åの磁性
層２、１００Åの磁性層３、１００ の磁性層４を順に
成膜して組成変調膜として構成し、次いでＴｂＦｅＣｏ
メモリ層を３５０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、各々順
々に成膜して図７の構成の本発明の光磁気記録媒体を得
た。各ＳｉＮ誘電体層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ
２ガスを導入し、その混合比を調節しながら屈折率が
２．２となるように反応性スパッタにより成膜した。
【００５６】ＧｄＦｅＣｏ再生膜の組成は、 磁性層１：Ｇｄ26.5（Ｆｅ65Ｃｏ35）73.5として室温で
ＲＥリッチでＭｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は１
６０℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層２：Ｇｄ27（Ｆｅ63Ｃｏ37）73として室温でＲＥ
リッチでＭｓは１８０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は１８８
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層３：Ｇｄ28（Ｆｅ60Ｃｏ40）72として室温でＲＥ
リッチでＭｓは２４０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は２２５
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層４：Ｇｄ32（Ｆｅ58Ｃｏ42）68として室温でＲＥ
リッチでＭｓは３４０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は２７０
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、Ｔｂ20（Ｆｅ80Ｃ
ｏ20）80として室温でＴＭリッチでＭｓは１８０ｅｍｕ
／ｃｃ、キュリー温度は２５０℃であった。
ＲＥリッチでＭｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は１
６０℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層２：Ｇｄ27（Ｆｅ63Ｃｏ37）73として室温でＲＥ
リッチでＭｓは１８０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は１８８
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層３：Ｇｄ28（Ｆｅ60Ｃｏ40）72として室温でＲＥ
リッチでＭｓは２４０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は２２５
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 磁性層４：Ｇｄ32（Ｆｅ58Ｃｏ42）68として室温でＲＥ
リッチでＭｓは３４０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度は２７０
℃、キュリー温度は３００℃以上とした。 ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、Ｔｂ20（Ｆｅ80Ｃ
ｏ20）80として室温でＴＭリッチでＭｓは１８０ｅｍｕ
／ｃｃ、キュリー温度は２５０℃であった。
【００５７】このようにしてガラス基板上に成膜した試
料に、８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板上から
照射してカー回転角の印加磁界依存性を測定した。測定
は、室温から約２００℃まで試料を加熱して行った。外
部磁界ゼロの時のカー回転角（残留カー回転角；
θ K R ）の温度依存性を図８のグラフにおいて（Ａ）の
曲線で示した。その図より、室温から１４０℃付近まで
は、θ K R はゼロであり、かつ急激にθ K R が大きくな
ることがわかる。
料に、８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板上から
照射してカー回転角の印加磁界依存性を測定した。測定
は、室温から約２００℃まで試料を加熱して行った。外
部磁界ゼロの時のカー回転角（残留カー回転角；
θ K R ）の温度依存性を図８のグラフにおいて（Ａ）の
曲線で示した。その図より、室温から１４０℃付近まで
は、θ K R はゼロであり、かつ急激にθ K R が大きくな
ることがわかる。
【００５８】次に、この光磁気記録媒体に０．７８μｍ
のマーク長の磁区を記録した後、８３０ｎｍの半導体レ
ーザーにより光照射しながら偏光顕微鏡で磁区観察を行
なった。レーザーパワーを上げると、あるレーザーパワ
ーにおいては光スポットの中心部（高温の領域）におい
て記録磁区が収縮して消去方向に磁化が配向することが
確認された。次に、この光磁気記録媒体を用いて、記録
再生特性を測定した。測定は、対物レンズのＮ．Ａ．は
０．５５、レーザー波長は７８０ｎｍとし、記録パワー
は７〜１３ｍＷ、再生パワーは２．５〜３．５ｍＷの範
囲内で、Ｃ／Ｎ比が最も高くなるように設定した。線速
度は９ｍ／ｓとした。初めに、媒体の全面を消去した後
にメモリ層に５．８、１０、１５ＭＨｚのキャリア信号
（それぞれマーク長０．７８μｍ、０．４０μｍ、０．
３０μｍに相当する）を記録して、Ｃ／Ｎ比のマーク長
依存性を調べた。
のマーク長の磁区を記録した後、８３０ｎｍの半導体レ
ーザーにより光照射しながら偏光顕微鏡で磁区観察を行
なった。レーザーパワーを上げると、あるレーザーパワ
ーにおいては光スポットの中心部（高温の領域）におい
て記録磁区が収縮して消去方向に磁化が配向することが
確認された。次に、この光磁気記録媒体を用いて、記録
再生特性を測定した。測定は、対物レンズのＮ．Ａ．は
０．５５、レーザー波長は７８０ｎｍとし、記録パワー
は７〜１３ｍＷ、再生パワーは２．５〜３．５ｍＷの範
囲内で、Ｃ／Ｎ比が最も高くなるように設定した。線速
度は９ｍ／ｓとした。初めに、媒体の全面を消去した後
にメモリ層に５．８、１０、１５ＭＨｚのキャリア信号
（それぞれマーク長０．７８μｍ、０．４０μｍ、０．
３０μｍに相当する）を記録して、Ｃ／Ｎ比のマーク長
依存性を調べた。
【００５９】次に、隣接トラックとのクロストーク（以
下、クロストークと称する）の測定を行なった。これ
は、ランド部に上述の方法でマーク長０．７８μｍの信
号を記録してキャリア信号（これをＣ１とする）を測定
した後、消去済の隣のグループ部にトラッキングを合わ
せて同様にキャリア信号（これをＣ２とする）を測定し
それらの差（Ｃ２−Ｃ１）として表した。つまりラン
ド、グループの両方にデータを記録することを想定して
実験を行なっているので実効的なトラックピッチは０．
８μｍである。Ｃ／Ｎ、クロストーク共に初期化磁界、
再生磁界を印加せずに測定した。結果を第１表に示し
た。
下、クロストークと称する）の測定を行なった。これ
は、ランド部に上述の方法でマーク長０．７８μｍの信
号を記録してキャリア信号（これをＣ１とする）を測定
した後、消去済の隣のグループ部にトラッキングを合わ
せて同様にキャリア信号（これをＣ２とする）を測定し
それらの差（Ｃ２−Ｃ１）として表した。つまりラン
ド、グループの両方にデータを記録することを想定して
実験を行なっているので実効的なトラックピッチは０．
８μｍである。Ｃ／Ｎ、クロストーク共に初期化磁界、
再生磁界を印加せずに測定した。結果を第１表に示し
た。
【００６０】（実験例２）実験例１と同様の装置、同様
の方法で、ＳｉＮ干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生
層を１００Åの磁性層１、１００Åの磁性層２、１００
Åの磁性層３を順に成膜して組成変調膜として構成し、
次いでＴｂＦｅＣｏメモリ層を３５０Å、ＳｉＮ保護層
を７００Å、各々順々に成膜して図７の構成の本発明の
光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ誘電体層成膜時には、
Ａｒガスに加えてＮ２ガスを導入し、その混合比を調節
しながら屈折率が２．２となるように反応性スパッタに
より成膜した。
の方法で、ＳｉＮ干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生
層を１００Åの磁性層１、１００Åの磁性層２、１００
Åの磁性層３を順に成膜して組成変調膜として構成し、
次いでＴｂＦｅＣｏメモリ層を３５０Å、ＳｉＮ保護層
を７００Å、各々順々に成膜して図７の構成の本発明の
光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ誘電体層成膜時には、
Ａｒガスに加えてＮ２ガスを導入し、その混合比を調節
しながら屈折率が２．２となるように反応性スパッタに
より成膜した。
【００６１】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、 磁性層１：Ｇｄ27（Ｆｅ65Ｃｏ35）73とした。 磁性層２：（Ｇｄ50Ｄｙ50）30（Ｆｅ65Ｃｏ35）70とし
た。 磁性層３：Ｄｙ30（Ｆｅ60Ｃｏ40）70とした。
た。 磁性層３：Ｄｙ30（Ｆｅ60Ｃｏ40）70とした。
【００６２】ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、Ｔｂ
20（Ｆｅ80Ｃｏ20）80として室温でＴＭリッチでＭｓは
１８０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２５０℃であっ
た。次に実験例１と同様に動特性の評価を行った。結果
を表１に示した。
20（Ｆｅ80Ｃｏ20）80として室温でＴＭリッチでＭｓは
１８０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２５０℃であっ
た。次に実験例１と同様に動特性の評価を行った。結果
を表１に示した。
【００６３】（実験例３）実験例１と同様の装置、同様
の方法で、ＳｉＮ干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生
層をＧｄターゲットに印加するパワーを徐々に大きくし
て、Ｇｄ組成が次第に多くなるように４００Å成膜して
連続組成変調膜とし、次いでＴｂＦｅＣｏメモリ層を３
５０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、各々順々に成膜して
図７の構成の本発明の光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ
誘電体層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ２ガスを導入
し、その混合比を調節しながら屈折率が２．２となるよ
うに反応性スパッタにより成膜した。
の方法で、ＳｉＮ干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生
層をＧｄターゲットに印加するパワーを徐々に大きくし
て、Ｇｄ組成が次第に多くなるように４００Å成膜して
連続組成変調膜とし、次いでＴｂＦｅＣｏメモリ層を３
５０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、各々順々に成膜して
図７の構成の本発明の光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ
誘電体層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ２ガスを導入
し、その混合比を調節しながら屈折率が２．２となるよ
うに反応性スパッタにより成膜した。
【００６４】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、磁性層１を
Ｇｄx（Ｆｅ60Ｃｏ40）100-xとして、ｘを成膜時に２７
ａｔ％から３２ａｔ％まで連続的に変化させた。ＴｂＦ
ｅＣｏメモリ層の組成は、Ｔｂ18（Ｆｅ88Ｃｏ12）82と
して室温でＴＭリッチでＭｓは１２０ｅｍｕ／ｃｃ、キ
ュリー温度は２２０℃であった。次に実験例１と同様に
動特性の評価を行った。結果を表１に示した。
Ｇｄx（Ｆｅ60Ｃｏ40）100-xとして、ｘを成膜時に２７
ａｔ％から３２ａｔ％まで連続的に変化させた。ＴｂＦ
ｅＣｏメモリ層の組成は、Ｔｂ18（Ｆｅ88Ｃｏ12）82と
して室温でＴＭリッチでＭｓは１２０ｅｍｕ／ｃｃ、キ
ュリー温度は２２０℃であった。次に実験例１と同様に
動特性の評価を行った。結果を表１に示した。
【００６５】次に比較例の磁気超解像光磁気記録媒体を
作成して、以上の実施例と同じ装置で同様の評価測定を
行った。
作成して、以上の実施例と同じ装置で同様の評価測定を
行った。
【００６６】（比較実験例１）次に特開平６−１２４５
００号公報記載の媒体と実施例２〜１０同様の媒体を作
成して評価した。実験例１と同様の成膜機、成膜方法
で、同様にガラス基板上にＳｉＮ干渉層を９００Å、Ｇ
ｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を
４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に成膜し
て比較実験例の光磁気記録媒体を得た。
００号公報記載の媒体と実施例２〜１０同様の媒体を作
成して評価した。実験例１と同様の成膜機、成膜方法
で、同様にガラス基板上にＳｉＮ干渉層を９００Å、Ｇ
ｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を
４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に成膜し
て比較実験例の光磁気記録媒体を得た。
【００６７】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチでＭｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は１８８
℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定した。
ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、室温でＴＭリッチでＭ
ｓは２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２２０℃とな
る様に設定した。この光磁気記録媒体について、実験例
１と同様に残留カー回転角θ K R の温度依存性を測定し
た。結果を図８のグラフ曲線（Ｒ１）で示した。その結
果を実施例１（曲線（Ａ））と比較すると、実施例１の
光磁気記録媒体の方が、高温で垂直磁化膜となる状態を
保ちつつ、室温付近の低温部での面内磁気異方性が改善
されている。
リッチでＭｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は１８８
℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定した。
ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、室温でＴＭリッチでＭ
ｓは２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２２０℃とな
る様に設定した。この光磁気記録媒体について、実験例
１と同様に残留カー回転角θ K R の温度依存性を測定し
た。結果を図８のグラフ曲線（Ｒ１）で示した。その結
果を実施例１（曲線（Ａ））と比較すると、実施例１の
光磁気記録媒体の方が、高温で垂直磁化膜となる状態を
保ちつつ、室温付近の低温部での面内磁気異方性が改善
されている。
【００６８】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同様に記録再生特性を測定した結果を第１表に示し
た。
１と同様に記録再生特性を測定した結果を第１表に示し
た。
【００６９】以上の実験例１〜３の測定結果、特に短い
マーク長での測定結果を見ると、いずれの媒体において
も再生磁界を印加しなくとも短いマーク長で高いＣ／Ｎ
が得られた。また、再生層が室温で面内磁化膜で、室温
とキュリー温度間で垂直磁化膜となる媒体ではＣ／Ｎと
ともにクロストークの改善が見られた。比較実施例１で
は、十分なＣ／Ｎが得られなかった。
マーク長での測定結果を見ると、いずれの媒体において
も再生磁界を印加しなくとも短いマーク長で高いＣ／Ｎ
が得られた。また、再生層が室温で面内磁化膜で、室温
とキュリー温度間で垂直磁化膜となる媒体ではＣ／Ｎと
ともにクロストークの改善が見られた。比較実施例１で
は、十分なＣ／Ｎが得られなかった。
【００７０】よって、本発明の光磁気記録媒体において
は、再生磁界もしくは初期化磁界及び再生磁界の両方を
印加することなしに、Ｃ／ＮもしくはＣ／Ｎとクロスト
ークの両方を改善することが可能となり、線記録密度も
しくは線記録密度およびトラック密度の両方を向上する
ことが可能となった。
は、再生磁界もしくは初期化磁界及び再生磁界の両方を
印加することなしに、Ｃ／ＮもしくはＣ／Ｎとクロスト
ークの両方を改善することが可能となり、線記録密度も
しくは線記録密度およびトラック密度の両方を向上する
ことが可能となった。
【００７１】（比較実験例２）次に中間層を設けて再生
特性を改善した媒体を作成して評価した。実験例１と同
様の成膜機、成膜方法で、同様にガラス基板上にＳｉＮ
干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｇ
ｄＦｅ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を３０
０Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に成膜して比
較実験例２の光磁気記録媒体を得た。
特性を改善した媒体を作成して評価した。実験例１と同
様の成膜機、成膜方法で、同様にガラス基板上にＳｉＮ
干渉層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｇ
ｄＦｅ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏメモリ層を３０
０Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に成膜して比
較実験例２の光磁気記録媒体を得た。
【００７２】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチでＭｓは１６０ｅｍｕ／ｃｃ補償温度は２０５
℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定した。
ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッチでＭｓは４
５０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２０５℃となる様に
設定した。ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、室温でＴＭ
リッチでＭｓは２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２
２０℃となる様に設定した。
リッチでＭｓは１６０ｅｍｕ／ｃｃ補償温度は２０５
℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定した。
ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッチでＭｓは４
５０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２０５℃となる様に
設定した。ＴｂＦｅＣｏメモリ層の組成は、室温でＴＭ
リッチでＭｓは２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は２
２０℃となる様に設定した。
【００７３】この光磁気記録媒体について、実験例１と
同様に残留カー回転角θ K R の温度依存性を測定した。
結果を図８のグラフ曲線（Ｒ２）で示した。その結果を
光磁気記録媒体である実施例１（曲線（Ａ））と比較す
ると、比較実施例１（Ｒ１）よりも改善されているもの
の、実験例１ほどには改善されておらず、本発明の光磁
気記録媒体について最も室温付近の低温部分の面内異方
性が良く、面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が、急峻
に起きていることがわかる。次に、この光磁気記録媒体
を用いて実施例１と同様に記録再生特性を観測した結果
を第１表に示した。
同様に残留カー回転角θ K R の温度依存性を測定した。
結果を図８のグラフ曲線（Ｒ２）で示した。その結果を
光磁気記録媒体である実施例１（曲線（Ａ））と比較す
ると、比較実施例１（Ｒ１）よりも改善されているもの
の、実験例１ほどには改善されておらず、本発明の光磁
気記録媒体について最も室温付近の低温部分の面内異方
性が良く、面内磁化膜から垂直磁化膜への転移が、急峻
に起きていることがわかる。次に、この光磁気記録媒体
を用いて実施例１と同様に記録再生特性を観測した結果
を第１表に示した。
【００７４】以上の実験例１〜３の測定結果、特に短い
マーク長での測定結果を見ると、いずれの媒体において
も再生磁界を印加しなくとも短いマーク長で高いＣ／Ｎ
が得られた。また、再生層が室温で面内磁化膜で、室温
とキュリー温度間で垂直磁化膜となる媒体ではＣ／Ｎと
ともにクロストークの改善が見られた。
マーク長での測定結果を見ると、いずれの媒体において
も再生磁界を印加しなくとも短いマーク長で高いＣ／Ｎ
が得られた。また、再生層が室温で面内磁化膜で、室温
とキュリー温度間で垂直磁化膜となる媒体ではＣ／Ｎと
ともにクロストークの改善が見られた。
【００７５】
【表１】
【００７６】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及び再生方法を
用いれば、再生磁界もしくは初期化磁石もしくはその両
方が不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、ビーム
スポット系より小さい磁区の再生が可能で、線記録密度
もしくは線密度とトラック密度の両方を大幅に向上して
高密度記録の達成が可能となった。
用いれば、再生磁界もしくは初期化磁石もしくはその両
方が不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、ビーム
スポット系より小さい磁区の再生が可能で、線記録密度
もしくは線密度とトラック密度の両方を大幅に向上して
高密度記録の達成が可能となった。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の磁性層の基本層構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の超解像光磁気記録媒体の磁化構造の断
面図である。
面図である。
【図３】従来の面内磁化膜を再生層に用いた超解像光磁
気記録媒体の磁化構造の断面図である。
気記録媒体の磁化構造の断面図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体の再生層の反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2と垂直磁気異方性定数Ｋｕの温度特性
の例を示す図。
ルギー２πＭｓ2と垂直磁気異方性定数Ｋｕの温度特性
の例を示す図。
【図５】Ｇｄx（Ｆｅ60Ｃｏ40）100-xについて室温での
飽和磁化Ｍｓの組成依存性を示した図である。
飽和磁化Ｍｓの組成依存性を示した図である。
【図６】Ｇｄx（Ｆｅ60Ｃｏ40）100-xについて補償温度
Ｔｃｏｍｐとキュリー温度Ｔｃの組成依存性を示した図
である。
Ｔｃｏｍｐとキュリー温度Ｔｃの組成依存性を示した図
である。
【図７】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を示し
た図である。
た図である。
【図８】実験例１及び比較実験例１、２の残留カー回転
角の温度依存性を示した図である。
角の温度依存性を示した図である。
【図９】光磁気記録媒体の１形態における情報再生方法
を示した図である。（ａ）は各層の磁化方向状態を示す
図。（ｂ）は媒体の上面の光スポット内のマスク領域と
アパーチャー領域を示す図。（ｃ）はトラック方向の温
度分布を示す図。なお再生層の磁化構造は、本発明の実
施例では図２、比較例では図３のものを用いた。
を示した図である。（ａ）は各層の磁化方向状態を示す
図。（ｂ）は媒体の上面の光スポット内のマスク領域と
アパーチャー領域を示す図。（ｃ）はトラック方向の温
度分布を示す図。なお再生層の磁化構造は、本発明の実
施例では図２、比較例では図３のものを用いた。
Claims (8)
- 【請求項１】 光磁気記録媒体において、光の入射側か
ら第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順で積
層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜で、
室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化膜と
なる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜厚方
向に連続的に面内異方性が大きい積層膜からなることを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 光磁気記録媒体において、光の入射側か
ら第１磁性層、垂直磁化膜からなる第２磁性層の順で積
層されてなり、該第１磁性層が、室温で面内磁化膜で、
室温と第２磁性層のキュリー温度との間で垂直磁化膜と
なる磁性膜であって、該磁性膜が光の入射側から膜厚方
向に段階的に面内異方性が大きい３層以上の積層膜から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１において前記第１磁性層が希土
類−鉄族非晶質合金からなり、光の入射側から膜厚方向
に希土類元素の含有量が段階的に多いことを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２において前記第１磁性層が希土
類−鉄族非晶質合金からなり、光の入射側から膜厚方向
に希土類元素の含有量が連続的に多いことを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１において前記第１磁性層が膜厚
方向に光の入射側から室温での飽和磁化が段階的に大き
いことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項２において前記第１磁性層が膜厚
方向に光の入射側から室温での飽和磁化が連続的に大き
いことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１記載の光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。 - 【請求項８】 請求項２記載の光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射して、前記第２磁性層に蓄積された情報の再
生を行う情報再生方法において、前記光スポット内の高
温部分において前記第１磁性層を垂直磁化膜とし、前記
第１磁性層と第２磁性層とを交換結合させることによ
り、前記第２磁性層に蓄積された情報を前記第１磁性層
に転写し、前記光スポット内の低温部分においては、前
記第１磁性層は面内磁化膜のままとし、前記光スポット
の反射光の磁気光学効果を検出することにより前記情報
の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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