JPH0864032A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0864032A JPH0864032A JP6201993A JP20199394A JPH0864032A JP H0864032 A JPH0864032 A JP H0864032A JP 6201993 A JP6201993 A JP 6201993A JP 20199394 A JP20199394 A JP 20199394A JP H0864032 A JPH0864032 A JP H0864032A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- parts
- weight
- dielectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁抵抗が高く、絶縁破壊電圧が大きい誘電
体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 一般式としてｘＭｇＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2
Ｏ3で表され、ｘ，ｙ，ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表１）に示す各点ａ，ｂ，ｃ
を直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分とし、
主成分１００重量部に対し、副成分として、Ｎｂ2Ｏ5を
０．５〜５．０重量部添加したものである。 【表１】
体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 一般式としてｘＭｇＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2
Ｏ3で表され、ｘ，ｙ，ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表１）に示す各点ａ，ｂ，ｃ
を直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分とし、
主成分１００重量部に対し、副成分として、Ｎｂ2Ｏ5を
０．５〜５．０重量部添加したものである。 【表１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば電子機器用セラミ
ックコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
ックコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサの温度
補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さく、高
周波回路などにも使用可能な材料として以下の材料系が
知られている。
補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さく、高
周波回路などにも使用可能な材料として以下の材料系が
知られている。
【０００３】・ＭｇＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3 例えば、０．１４ＭｇＯ−０．７２ＴｉＯ2−０．１４
Ｎｄ2Ｏ3の組成比からなる誘電体磁器組成物を使用して
誘電体磁器円板を作製し、誘電率、静電容量温度係数、
良好度Ｑ、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の電気特性を測定す
ると、誘電率：１３、静電容量温度係数：Ｎ４ｐｐｍ／
℃、良好度Ｑ：２０００、絶縁抵抗：７．８×１０10、
絶縁破壊電圧：１５ｋｖ／ｍｍの値が得られた。
Ｎｄ2Ｏ3の組成比からなる誘電体磁器組成物を使用して
誘電体磁器円板を作製し、誘電率、静電容量温度係数、
良好度Ｑ、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の電気特性を測定す
ると、誘電率：１３、静電容量温度係数：Ｎ４ｐｐｍ／
℃、良好度Ｑ：２０００、絶縁抵抗：７．８×１０10、
絶縁破壊電圧：１５ｋｖ／ｍｍの値が得られた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、高周波Ｑが小さくまた積層セラミックコ
ンデンサの大容量化を目的とした内部電極間の誘電体厚
みの薄層化を進めた場合、絶縁抵抗や絶縁破壊強度が小
さいという問題点を有していた。
来の構成では、高周波Ｑが小さくまた積層セラミックコ
ンデンサの大容量化を目的とした内部電極間の誘電体厚
みの薄層化を進めた場合、絶縁抵抗や絶縁破壊強度が小
さいという問題点を有していた。
【０００５】本発明は、良好度Ｑに優れ、絶縁抵抗が高
く、絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を得ること
を目的とするものである。
く、絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を得ること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＭｇＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2Ｏ3で表され、ｘ，ｙ，ｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表２）
に示す各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲である
組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対し、
副成分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部含有させ
たものである。
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＭｇＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2Ｏ3で表され、ｘ，ｙ，ｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表２）
に示す各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲である
組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対し、
副成分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部含有させ
たものである。
【０００７】
【表２】
【０００８】
【作用】この構成により、焼結性が向上し、絶縁抵抗の
高いかつ絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を得る
ことができる。その上、これは良好度Ｑにも優れたもの
である。
高いかつ絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を得る
ことができる。その上、これは良好度Ｑにも優れたもの
である。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。
【００１０】（実施例１）まず、出発原料として化学的
高純度のＮｂ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ3粉末を
（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニア
ボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共
に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後、高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。
高純度のＮｂ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ3粉末を
（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニア
ボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共
に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後、高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。
【００１１】
【表３】
【００１２】次にこの仮焼粉末をジルコニアボールを備
えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、湿
式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉に有機バインダー
を加え均質とした後、３２メッシュのふるいを通して整
粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2で直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成形した。次い
で、成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて
（表３）に示す温度で２時間焼成し、（表３）の試料番
号１〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、湿
式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉に有機バインダー
を加え均質とした後、３２メッシュのふるいを通して整
粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2で直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成形した。次い
で、成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて
（表３）に示す温度で２時間焼成し、（表３）の試料番
号１〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００１３】このようにして得られた誘電体磁器円板の
厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数の
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、両面に銀電極を焼き付けた。そして、誘電
率、Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数：１ＭＨｚで
の測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃
と８５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数の
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、両面に銀電極を焼き付けた。そして、誘電
率、Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数：１ＭＨｚで
の測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃
と８５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
【００１４】 ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏ×１／（８５−２０）×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式により求めた。
【００１５】Ｋ＝１４３．８×Ｃｏ×ｔ／Ｄ2 Ｋ ：誘電率 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器の直径（ｍｍ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍｍ） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒューレット・パッカード
（株）製のＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
（株）製のＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
【００１６】そして絶縁破壊強度は菊水電子工業（株）
製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料をシリ
コンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求
めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当たりの絶
縁破壊強度とした。
製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料をシリ
コンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求
めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当たりの絶
縁破壊強度とした。
【００１７】上記の測定結果を試料番号１〜２０別に
（表４）に示す。
（表４）に示す。
【００１８】
【表４】
【００１９】図１は、本発明にかかわる組成物の主成分
の組成範囲を示すものであり、図１のように組成範囲を
限定した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難に
なるためである。また、主成分に対し副成分Ｎｂ2Ｏ5を
添加することにより、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上
させることができる。しかし主成分１００重量部に対
し、Ｎｂ2Ｏ5の添加量が０．５重量部未満であると効果
がなく、５．０重量部を越えると良好度Ｑが劣化し、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め本発明の範囲から除外した。
の組成範囲を示すものであり、図１のように組成範囲を
限定した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難に
なるためである。また、主成分に対し副成分Ｎｂ2Ｏ5を
添加することにより、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上
させることができる。しかし主成分１００重量部に対
し、Ｎｂ2Ｏ5の添加量が０．５重量部未満であると効果
がなく、５．０重量部を越えると良好度Ｑが劣化し、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め本発明の範囲から除外した。
【００２０】（実施例２）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号２１〜４０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号２１〜４０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
【００２１】
【表５】
【００２２】そして実施例１と同様の処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号２１〜４０別に（表６）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号２１〜４０別に（表６）に
示す。
【００２３】
【表６】
【００２４】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｔａ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上さ
せ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果
を有すると共に、特に温度係数を小さくする結果を有す
る。しかし、主成分１００重量部に対しＴａ2Ｏ5の添加
量が０．４重量部未満であると効果がなく、８．０重量
部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲か
ら除外した。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｔａ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上さ
せ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果
を有すると共に、特に温度係数を小さくする結果を有す
る。しかし、主成分１００重量部に対しＴａ2Ｏ5の添加
量が０．４重量部未満であると効果がなく、８．０重量
部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲か
ら除外した。
【００２５】（実施例３）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比に
なるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処理
して（表７）の試料番号４１〜６０の組成比の誘電体磁
器円板を得た。
に代えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比に
なるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処理
して（表７）の試料番号４１〜６０の組成比の誘電体磁
器円板を得た。
【００２６】
【表７】
【００２７】そして実施例１と同様の処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号４１〜６０別に（表８）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号４１〜６０別に（表８）に
示す。
【００２８】
【表８】
【００２９】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｖ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上さ
せ、特に絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有する。しかし、主成分１００重量部に対しＶ2
Ｏ5の添加量が０．２重量部未満であると効果がなく、
３．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵
抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるため本
発明の範囲から除外した。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｖ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上さ
せ、特に絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有する。しかし、主成分１００重量部に対しＶ2
Ｏ5の添加量が０．２重量部未満であると効果がなく、
３．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵
抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるため本
発明の範囲から除外した。
【００３０】（実施例４）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5粉末を
（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程
を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号６１〜
８０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5粉末を
（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程
を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号６１〜
８０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００３１】
【表９】
【００３２】そして、実施例１と同様の処理をして特性
を測定し、測定結果を試料番号６１〜８０別に（表１
０）に示す。
を測定し、測定結果を試料番号６１〜８０別に（表１
０）に示す。
【００３３】
【表１０】
【００３４】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加することによ
り、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊
強度を大きくする効果を有する。しかし、主成分１００
重量部に対しＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の少なくとも
二種以上の合計が０．００２モル部未満であると効果が
なく、０．０２０モル部を越えると良好度Ｑが劣化し、
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなる
ため本発明の範囲から除外した。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分に対し副
成分Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加することによ
り、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊
強度を大きくする効果を有する。しかし、主成分１００
重量部に対しＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の少なくとも
二種以上の合計が０．００２モル部未満であると効果が
なく、０．０２０モル部を越えると良好度Ｑが劣化し、
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなる
ため本発明の範囲から除外した。
【００３５】また、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5から選
ばれる二種以上の成分を添加することにより、各成分の
一種を添加するものに比べてさらに、誘電率、良好度Ｑ
が高く、絶縁抵抗及び絶縁破壊強度が大きく、かつ静電
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
ばれる二種以上の成分を添加することにより、各成分の
一種を添加するものに比べてさらに、誘電率、良好度Ｑ
が高く、絶縁抵抗及び絶縁破壊強度が大きく、かつ静電
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
【００３６】なお、実施例における誘電体磁器の作製方
法は、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2，Ｎｄ2Ｏ3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるようにＭｇ2ＴｉＯ4な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＴｉＯ
2，Ｎｄ2Ｏ3となる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
法は、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2，Ｎｄ2Ｏ3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるようにＭｇ2ＴｉＯ4な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＴｉＯ
2，Ｎｄ2Ｏ3となる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
【００３７】また、主成分をあらかじめ仮焼した後、副
成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることがで
きる。
成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることがで
きる。
【００３８】また、誘電体磁器用として一般に使用され
る工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業製のＫ
Ａ−１０Ｃ、古河鉱業（株）製の二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器組成物を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
る工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業製のＫ
Ａ−１０Ｃ、古河鉱業（株）製の二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器組成物を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
【００３９】また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ
Ｏ2，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、酸化物などを、特性
を損なわない範囲で加えることもできる。
Ｏ2，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、酸化物などを、特性
を損なわない範囲で加えることもできる。
【００４０】
【発明の効果】以上、本発明の誘電体磁器組成物は、現
時点では、明らかではないが、焼結させるときに、主成
分の中の未反応物質が、副成分として添加したＮｂ
2Ｏ5，Ｔａ 2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5と反応し、粒界に偏析し、焼結
性が向上すると思われ、絶縁抵抗が高く、かつ、絶縁破
壊強度も大きいので、例えば、積層セラミックコンデン
サの内部電極間の誘電体を薄層化でき、小型化、大容量
化をさらに推し進めることができる。また、この誘電体
磁器組成物は、良好度Ｑに優れているので、高周波回路
などで使用する温度補償用コンデンサにおいても優れた
特性を示すものである。
時点では、明らかではないが、焼結させるときに、主成
分の中の未反応物質が、副成分として添加したＮｂ
2Ｏ5，Ｔａ 2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5と反応し、粒界に偏析し、焼結
性が向上すると思われ、絶縁抵抗が高く、かつ、絶縁破
壊強度も大きいので、例えば、積層セラミックコンデン
サの内部電極間の誘電体を薄層化でき、小型化、大容量
化をさらに推し進めることができる。また、この誘電体
磁器組成物は、良好度Ｑに優れているので、高周波回路
などで使用する温度補償用コンデンサにおいても優れた
特性を示すものである。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の組成範囲
を示す三元成分図
を示す三元成分図
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【表４】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】
【表６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】
【表８】
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式としてｘＭｇＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ
Ｎｄ2Ｏ3で表され、ｘ，ｙ，ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表１）に示す各点ａ，
ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分
とし、この主成分１００重量部に対し、副成分として、
Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加させることを特徴
とする誘電体磁器組成物。 【表１】 - 【請求項２】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｔａ2Ｏ5を０．４〜
８．０重量部添加させる請求項１記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項３】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｖ2Ｏ5を０．２〜
３．０重量部添加させる請求項１記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項４】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5のうち少なくとも二種以上の合計が０．０
０２〜０．０２０モル部添加させる請求項１記載の誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201993A JPH0864032A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201993A JPH0864032A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864032A true JPH0864032A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16450171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6201993A Pending JPH0864032A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864032A (ja) |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP6201993A patent/JPH0864032A/ja active Pending
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