JPH0864481A - 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法Info
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- JPH0864481A JPH0864481A JP6199952A JP19995294A JPH0864481A JP H0864481 A JPH0864481 A JP H0864481A JP 6199952 A JP6199952 A JP 6199952A JP 19995294 A JP19995294 A JP 19995294A JP H0864481 A JPH0864481 A JP H0864481A
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- foil
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- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低い化成電圧において従来よりも大きい静電
容量を持つ電解コンデンサ用電極箔を提供する。 【構成】 アルミニウム箔表面にＡｌ2-xＣｒxＯ3（０
＜ｘ＜２）なる組成の誘電体層を有し、Ａｌ2-xＣｒxＯ
3中に微細なγーＡｌ2Ｏ3粒子を含む電解コンデンサ用
電極箔。この電極箔を得る方法は、クロム化合物を含む
水溶液を付着したアルミニウム箔を空気中で熱処理する
工程と、熱処理後のアルミニウム箔を化成して誘電体皮
膜を形成する工程とを有する
容量を持つ電解コンデンサ用電極箔を提供する。 【構成】 アルミニウム箔表面にＡｌ2-xＣｒxＯ3（０
＜ｘ＜２）なる組成の誘電体層を有し、Ａｌ2-xＣｒxＯ
3中に微細なγーＡｌ2Ｏ3粒子を含む電解コンデンサ用
電極箔。この電極箔を得る方法は、クロム化合物を含む
水溶液を付着したアルミニウム箔を空気中で熱処理する
工程と、熱処理後のアルミニウム箔を化成して誘電体皮
膜を形成する工程とを有する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム電解コン
デンサ用電極箔、特に低電圧で化成する電極箔およびそ
の製造方法に関するものである。
デンサ用電極箔、特に低電圧で化成する電極箔およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサは、各種の
電気、電子回路において基本的な受動部品の一つとして
広く活用されている。そして、電子機器の小型化にとも
ない小型大容量化が求められている。このために電極箔
の容量向上の試みがこれまで多くなされてきた。容量向
上の方法は、電極表面積を拡大する方法と、単位電圧当
たりの膜厚を小さくする方法に大別される。電極表面積
を拡大する方法は、いわゆるエッチング法であり、現在
広く用いられている。しかし、エッチング法では、電極
面積拡大率を大きくした場合、微小な凹凸部分が誘電体
皮膜形成時に埋められてしまうため、面積拡大率ひいて
は大容量化にも限界がある。
電気、電子回路において基本的な受動部品の一つとして
広く活用されている。そして、電子機器の小型化にとも
ない小型大容量化が求められている。このために電極箔
の容量向上の試みがこれまで多くなされてきた。容量向
上の方法は、電極表面積を拡大する方法と、単位電圧当
たりの膜厚を小さくする方法に大別される。電極表面積
を拡大する方法は、いわゆるエッチング法であり、現在
広く用いられている。しかし、エッチング法では、電極
面積拡大率を大きくした場合、微小な凹凸部分が誘電体
皮膜形成時に埋められてしまうため、面積拡大率ひいて
は大容量化にも限界がある。
【０００３】単位電圧当たりの膜厚を小さくする方法と
しては、電極箔の化成前処理として熱水処理（ボイル処
理）を行うのが一般的である（特開平５−７４６６３号
公報）。熱水処理により箔表面に疑似ベーマイトからな
る水酸化物皮膜が生成し、これが化成時に脱水して、よ
り大きな電圧を保持できる結晶性のγーＡｌ2Ｏ3に変化
するため、単位電圧当たりの膜厚が減少すると考えられ
ている。
しては、電極箔の化成前処理として熱水処理（ボイル処
理）を行うのが一般的である（特開平５−７４６６３号
公報）。熱水処理により箔表面に疑似ベーマイトからな
る水酸化物皮膜が生成し、これが化成時に脱水して、よ
り大きな電圧を保持できる結晶性のγーＡｌ2Ｏ3に変化
するため、単位電圧当たりの膜厚が減少すると考えられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の熱水処理により
生成する水酸化物皮膜の膜厚は大きく、熱水処理後に低
い化成電圧で薄い誘電体皮膜を作製しようとすると、か
えって静電容量が小さくなる欠点があった。本発明は、
以上の問題点を解決するもので、静電容量の向上した電
極箔を提供することを目的とする。また、本発明は、低
い化成電圧で従来よりも大きい静電容量を持つ電極箔を
提供することを目的としている。
生成する水酸化物皮膜の膜厚は大きく、熱水処理後に低
い化成電圧で薄い誘電体皮膜を作製しようとすると、か
えって静電容量が小さくなる欠点があった。本発明は、
以上の問題点を解決するもので、静電容量の向上した電
極箔を提供することを目的とする。また、本発明は、低
い化成電圧で従来よりも大きい静電容量を持つ電極箔を
提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電解コンデンサ
用電極箔は、アルミニウム箔表面にＡｌ2-xＣｒxＯ
3（０＜ｘ＜２）なる組成の誘電体層を有し、前記Ａｌ
2-xＣｒxＯ3誘電体中に微細なγーＡｌ2Ｏ3粒子を含む
ものである。ここで、γーＡｌ2Ｏ3粒子の平均粒径は、
２０ｎｍ以下であることが好ましい。
用電極箔は、アルミニウム箔表面にＡｌ2-xＣｒxＯ
3（０＜ｘ＜２）なる組成の誘電体層を有し、前記Ａｌ
2-xＣｒxＯ3誘電体中に微細なγーＡｌ2Ｏ3粒子を含む
ものである。ここで、γーＡｌ2Ｏ3粒子の平均粒径は、
２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０００６】本発明の電解コンデンサ用電極箔の製造方
法は、クロム化合物を含む水溶液を付着したアルミニウ
ム箔を空気雰囲気中で熱処理する工程と、前記熱処理後
のアルミニウム箔を化成して誘電体皮膜を形成する工程
とを有する。前記水溶液は、クロム（VI）酸イオンを含
み、かつ前記クロム化合物濃度が０．２モル／ｌ以上で
あることが好ましい。また、熱処理時の温度は５００〜
６５０℃であり、かつ熱処理時間は１時間以上であるこ
とが好ましい。
法は、クロム化合物を含む水溶液を付着したアルミニウ
ム箔を空気雰囲気中で熱処理する工程と、前記熱処理後
のアルミニウム箔を化成して誘電体皮膜を形成する工程
とを有する。前記水溶液は、クロム（VI）酸イオンを含
み、かつ前記クロム化合物濃度が０．２モル／ｌ以上で
あることが好ましい。また、熱処理時の温度は５００〜
６５０℃であり、かつ熱処理時間は１時間以上であるこ
とが好ましい。
【０００７】
【作用】本発明の前処理において、箔表面に付着したク
ロム化合物は、熱処理時にクロム(III)イオンとなり皮
膜中に拡散し、一部Ａｌ3+イオンと置換してＡｌ2-xＣ
ｒxＯ3複合酸化物を生成する。また、同時に熱処理時の
高温により皮膜中の非晶質Ａｌ2Ｏ3は結晶化し、γーＡ
ｌ2Ｏ3粒子が生成する。これを化成することにより、γ
ーＡｌ2Ｏ3粒子を含むＡｌ2-xＣｒxＯ3複合酸化物皮膜
は、任意の膜厚に成長する。本発明の前処理によって生
成する複合酸化物皮膜は、熱水処理によって生成する水
酸化物皮膜と比べて膜厚がきわめて小さく、低い化成電
圧で薄い誘電体皮膜を作製しようとする場合にも静電容
量が低下することはない。なお、熱処理時の温度が５０
０℃未満ではγーＡｌ2Ｏ3粒子がわずかしか生成しない
ため、化成後の静電容量が小さくなる。逆に、６５０℃
を越えると、アルミニウム箔の溶融が始まるため、エッ
チングによる拡面効果が失われ、静電容量が小さくな
る。さらに、熱処理時間が１時間以下の場合、クロムの
拡散が充分に行われず、またγーＡｌ2Ｏ3粒子が充分成
長しないため、化成後の静電容量が低下する。
ロム化合物は、熱処理時にクロム(III)イオンとなり皮
膜中に拡散し、一部Ａｌ3+イオンと置換してＡｌ2-xＣ
ｒxＯ3複合酸化物を生成する。また、同時に熱処理時の
高温により皮膜中の非晶質Ａｌ2Ｏ3は結晶化し、γーＡ
ｌ2Ｏ3粒子が生成する。これを化成することにより、γ
ーＡｌ2Ｏ3粒子を含むＡｌ2-xＣｒxＯ3複合酸化物皮膜
は、任意の膜厚に成長する。本発明の前処理によって生
成する複合酸化物皮膜は、熱水処理によって生成する水
酸化物皮膜と比べて膜厚がきわめて小さく、低い化成電
圧で薄い誘電体皮膜を作製しようとする場合にも静電容
量が低下することはない。なお、熱処理時の温度が５０
０℃未満ではγーＡｌ2Ｏ3粒子がわずかしか生成しない
ため、化成後の静電容量が小さくなる。逆に、６５０℃
を越えると、アルミニウム箔の溶融が始まるため、エッ
チングによる拡面効果が失われ、静電容量が小さくな
る。さらに、熱処理時間が１時間以下の場合、クロムの
拡散が充分に行われず、またγーＡｌ2Ｏ3粒子が充分成
長しないため、化成後の静電容量が低下する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明をその実施例によりさらに詳し
く説明する。 ［実施例１］図１は本発明による電解コンデンサ用電極
箔の製造工程の例を示す。アルミニウム箔には、低圧用
エッチド箔を使用し、アルミニウム箔面積は２．５×
２．０ｃｍ2とした。
く説明する。 ［実施例１］図１は本発明による電解コンデンサ用電極
箔の製造工程の例を示す。アルミニウム箔には、低圧用
エッチド箔を使用し、アルミニウム箔面積は２．５×
２．０ｃｍ2とした。
【０００９】以下、図１に沿って各工程を説明する。 （ａ）クロム化合物および純水を混合し、クロムを含有
する水溶液を作製する。なお、本実施例において使用し
たクロム化合物は、燐酸クロム（III）、硝酸クロム（I
II）、無水クロム（VI）酸およびクロム（VI）酸アンモ
ニウムの４種である。また、各水溶液の濃度は０．１
０、０．２０、０．４０、０．６０モル／ｌの４種類と
する。各水溶液を８５℃に保温し、これに上記の寸法に
切断したアルミニウム箔を１０分間浸漬する。 （ｂ）上記試料を電気炉中（空気雰囲気）において５５
０℃で３時間熱処理する。 （ｃ）熱処理した試料をアジピン酸二アンモニウムの７
wt％水溶液（７０℃）中で化成する。定電圧定電流電源
を用い、化成電流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、化成電圧は
２３Ｖとする。２３Ｖまで電圧を上昇させた後、１５分
間定電圧で保持する。その後、試料は水洗する（第１次
化成）。 （ｄ）試料を燐酸の５％水溶液（６５℃）中に２分間浸
漬した後、水洗し、電気炉中（空気雰囲気）において４
００℃で２分間熱処理する（減極処理）。 （ｅ）熱処理後の試料を燐酸の０．０２wt％水溶液中で
再化成する（第２次化成）。化成浴温度、化成電流密
度、化成電圧は工程（ｃ）と同一である。２３Ｖ到達
後、５分間定電圧で保持する。再化成終了後、水洗し、
乾燥する。
する水溶液を作製する。なお、本実施例において使用し
たクロム化合物は、燐酸クロム（III）、硝酸クロム（I
II）、無水クロム（VI）酸およびクロム（VI）酸アンモ
ニウムの４種である。また、各水溶液の濃度は０．１
０、０．２０、０．４０、０．６０モル／ｌの４種類と
する。各水溶液を８５℃に保温し、これに上記の寸法に
切断したアルミニウム箔を１０分間浸漬する。 （ｂ）上記試料を電気炉中（空気雰囲気）において５５
０℃で３時間熱処理する。 （ｃ）熱処理した試料をアジピン酸二アンモニウムの７
wt％水溶液（７０℃）中で化成する。定電圧定電流電源
を用い、化成電流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、化成電圧は
２３Ｖとする。２３Ｖまで電圧を上昇させた後、１５分
間定電圧で保持する。その後、試料は水洗する（第１次
化成）。 （ｄ）試料を燐酸の５％水溶液（６５℃）中に２分間浸
漬した後、水洗し、電気炉中（空気雰囲気）において４
００℃で２分間熱処理する（減極処理）。 （ｅ）熱処理後の試料を燐酸の０．０２wt％水溶液中で
再化成する（第２次化成）。化成浴温度、化成電流密
度、化成電圧は工程（ｃ）と同一である。２３Ｖ到達
後、５分間定電圧で保持する。再化成終了後、水洗し、
乾燥する。
【００１０】図２に比較例の低圧電解コンデンサ用電極
箔の製造工程を示す。これは上記の手順からクロム水溶
液浸漬処理工程（ａ）および熱処理工程（ｂ）を省略
し、代わりに５分間の熱水処理工程（ｒ）を加えたもの
であり、第１次化成工程以降の処理（ｃ'）〜（ｅ'）は
図１中の（ｃ）〜（ｅ）と同様である。
箔の製造工程を示す。これは上記の手順からクロム水溶
液浸漬処理工程（ａ）および熱処理工程（ｂ）を省略
し、代わりに５分間の熱水処理工程（ｒ）を加えたもの
であり、第１次化成工程以降の処理（ｃ'）〜（ｅ'）は
図１中の（ｃ）〜（ｅ）と同様である。
【００１１】以上の方法で製造した電解コンデンサ用電
極箔の静電容量をほう酸アンモニウムの５wt％水溶液
（２５℃）中で測定した結果を図３に示す。図３から、
クロム化合物水溶液に浸漬し熱処理する工程を有する本
発明の実施例による電極箔は、クロム酸化合物水溶液に
浸漬しない比較例の電極箔より３０％程度静電容量が大
きいことがわかる。特に、クロム化合物の濃度を０．２
０モル／ｌ以上とした場合には、４０％以上の静電容量
の向上がみられる。クロム(VI)酸イオンを含む化合物水
溶液に浸漬した場合、さらに静電容量向上が著しい。
極箔の静電容量をほう酸アンモニウムの５wt％水溶液
（２５℃）中で測定した結果を図３に示す。図３から、
クロム化合物水溶液に浸漬し熱処理する工程を有する本
発明の実施例による電極箔は、クロム酸化合物水溶液に
浸漬しない比較例の電極箔より３０％程度静電容量が大
きいことがわかる。特に、クロム化合物の濃度を０．２
０モル／ｌ以上とした場合には、４０％以上の静電容量
の向上がみられる。クロム(VI)酸イオンを含む化合物水
溶液に浸漬した場合、さらに静電容量向上が著しい。
【００１２】［実施例２］クロム化合物水溶液の箔への
付着方法を検討した。アルミニウム箔は、低圧用エッチ
ド箔を使用し、アルミニウム箔面積は２．５×２．０ｃ
ｍ2とした。処理手順は図１と同様であり、以下図１の
工程に沿って説明する。 （ａ2）実施例１と同様の方法で各水溶液を作製し、８
５℃に保温する。アルミニウム箔試料に各クロム化合物
水溶液を刷毛で塗布する。 （ｂ2）〜（ｅ2）実施例１の工程（ｂ）〜（ｅ）と同様
の方法で処理する。静電容量は、ほう酸アンモニウムの
５wt％水溶液（２５℃）中で測定した。
付着方法を検討した。アルミニウム箔は、低圧用エッチ
ド箔を使用し、アルミニウム箔面積は２．５×２．０ｃ
ｍ2とした。処理手順は図１と同様であり、以下図１の
工程に沿って説明する。 （ａ2）実施例１と同様の方法で各水溶液を作製し、８
５℃に保温する。アルミニウム箔試料に各クロム化合物
水溶液を刷毛で塗布する。 （ｂ2）〜（ｅ2）実施例１の工程（ｂ）〜（ｅ）と同様
の方法で処理する。静電容量は、ほう酸アンモニウムの
５wt％水溶液（２５℃）中で測定した。
【００１３】上記方法で製造した電極箔の静電容量と、
実施例１で製造した電極箔の静電容量との比を図４に示
す。図４の結果から、液の付着方法を変更しても静電容
量には２〜５％程度の影響しか出ないことがわかった。
実施例１で製造した電極箔の静電容量との比を図４に示
す。図４の結果から、液の付着方法を変更しても静電容
量には２〜５％程度の影響しか出ないことがわかった。
【００１４】［実施例３］熱処理温度および時間を検討
した。アルミニウム箔は、低圧用エッチド箔を使用し、
アルミニウム箔面積は２．５×２．０ｃｍ2とする。処
理手順は図１と同様であり、以下図１の工程に沿って説
明する。 （ａ3）無水クロム(VI)酸の０．２０モル／ｌ水溶液を
作製し、８５℃に保温しつつこれに上記アルミニウム箔
を１０分間浸漬する。 （ｂ3）熱処理温度、時間の組合せはＡ（４５０℃、５
時間）、Ｂ（５００℃、４時間）、Ｃ（５００℃、１時
間）、Ｄ（５５０℃、３時間）、Ｅ（５５０℃、３０
分）、Ｆ（６００℃、２時間）、Ｇ（６００℃、３０
分）、Ｈ（６５０℃、１時間）、Ｉ（６５０℃、３０
分）、Ｊ（７００℃、１時間）、Ｋ（７００℃、１０
分)の１１種類とし、熱処理を行う。 （ｃ3）〜（ｅ3）実施例１の工程（ｃ）〜（ｅ）と同様
の方法で処理する。また、比較例として、実施例１の比
較例と同様の方法で電極箔を製造した。
した。アルミニウム箔は、低圧用エッチド箔を使用し、
アルミニウム箔面積は２．５×２．０ｃｍ2とする。処
理手順は図１と同様であり、以下図１の工程に沿って説
明する。 （ａ3）無水クロム(VI)酸の０．２０モル／ｌ水溶液を
作製し、８５℃に保温しつつこれに上記アルミニウム箔
を１０分間浸漬する。 （ｂ3）熱処理温度、時間の組合せはＡ（４５０℃、５
時間）、Ｂ（５００℃、４時間）、Ｃ（５００℃、１時
間）、Ｄ（５５０℃、３時間）、Ｅ（５５０℃、３０
分）、Ｆ（６００℃、２時間）、Ｇ（６００℃、３０
分）、Ｈ（６５０℃、１時間）、Ｉ（６５０℃、３０
分）、Ｊ（７００℃、１時間）、Ｋ（７００℃、１０
分)の１１種類とし、熱処理を行う。 （ｃ3）〜（ｅ3）実施例１の工程（ｃ）〜（ｅ）と同様
の方法で処理する。また、比較例として、実施例１の比
較例と同様の方法で電極箔を製造した。
【００１５】上記方法で製造した各電解コンデンサ用電
極箔の静電容量をほう酸アンモニウムの５wt％水溶液
（２５℃）中で測定した。さらに、作製した各電極箔の
誘電体皮膜断面について透過電子顕微鏡観察、および電
子線回折を行った。この結果、本発明の実施例により得
られた電極箔皮膜は、Ａｌ2-xＣｒxＯ3中にγーＡｌ2Ｏ
3粒子を含んでいることがわかった。透過電子顕微鏡観
察によって得られたγーＡｌ2Ｏ3粒子の平均粒径と静電
容量測定結果を表１に示す。
極箔の静電容量をほう酸アンモニウムの５wt％水溶液
（２５℃）中で測定した。さらに、作製した各電極箔の
誘電体皮膜断面について透過電子顕微鏡観察、および電
子線回折を行った。この結果、本発明の実施例により得
られた電極箔皮膜は、Ａｌ2-xＣｒxＯ3中にγーＡｌ2Ｏ
3粒子を含んでいることがわかった。透過電子顕微鏡観
察によって得られたγーＡｌ2Ｏ3粒子の平均粒径と静電
容量測定結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１より本発明の電極箔は、いずれもγー
Ａｌ2Ｏ3粒子を含んでいるのに対し、比較例の電極箔は
これを含んでいないことがわかる。γーＡｌ2Ｏ3粒子の
平均粒径をみると、熱処理温度４５０℃ではγーＡｌ2
Ｏ3粒子は他の熱処理条件の試料と比べ極端に小さく、
５００℃以上では熱処理温度上昇とともに粒径が大きく
なっている。さらに、熱処理温度７００℃の試料では平
均粒径がきわめて大きい。また、熱処理時間が１時間未
満の場合は粒径は小さい。表１から、静電容量向上の度
合が大きい試料は、その皮膜中のγーＡｌ2Ｏ3粒子の平
均粒径が２０ｎｍ以下であることがわかる。
Ａｌ2Ｏ3粒子を含んでいるのに対し、比較例の電極箔は
これを含んでいないことがわかる。γーＡｌ2Ｏ3粒子の
平均粒径をみると、熱処理温度４５０℃ではγーＡｌ2
Ｏ3粒子は他の熱処理条件の試料と比べ極端に小さく、
５００℃以上では熱処理温度上昇とともに粒径が大きく
なっている。さらに、熱処理温度７００℃の試料では平
均粒径がきわめて大きい。また、熱処理時間が１時間未
満の場合は粒径は小さい。表１から、静電容量向上の度
合が大きい試料は、その皮膜中のγーＡｌ2Ｏ3粒子の平
均粒径が２０ｎｍ以下であることがわかる。
【００１８】次に、顕著な静電容量向上の有無を図５に
まとめて示す。図５において、○印は顕著な静電容量向
上がみられた試料、×印は顕著な静電容量向上がみられ
なかった試料である。図５より、適当な熱処理条件は５
００〜６５０℃で、１時間以上であることがわかる。
まとめて示す。図５において、○印は顕著な静電容量向
上がみられた試料、×印は顕著な静電容量向上がみられ
なかった試料である。図５より、適当な熱処理条件は５
００〜６５０℃で、１時間以上であることがわかる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来と比
べて静電容量が３０〜４０％程度高い電解コンデンサ用
電極箔を得ることができる。また、低い化成電圧におい
て静電容量を向上できるところから、低圧級電解コンデ
ンサの小型大容量化に寄与するところ大である。
べて静電容量が３０〜４０％程度高い電解コンデンサ用
電極箔を得ることができる。また、低い化成電圧におい
て静電容量を向上できるところから、低圧級電解コンデ
ンサの小型大容量化に寄与するところ大である。
【図１】本発明の実施例における電解コンデンサの製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図２】従来の電解コンデンサの製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】アルミニウム箔に付着させた各クロム化合物水
溶液の濃度と得られた電極箔の静電容量との関係を示す
図である。
溶液の濃度と得られた電極箔の静電容量との関係を示す
図である。
【図４】クロム化合物水溶液をアルミニウム箔に付着さ
せる手段として水溶液を箔に塗布した場合と箔を水溶液
に浸漬した場合の得られた電極箔の静電容量の比を表す
図である。
せる手段として水溶液を箔に塗布した場合と箔を水溶液
に浸漬した場合の得られた電極箔の静電容量の比を表す
図である。
【図５】クロム化合物水溶液を付着したアルミニウム箔
を熱処理する条件と得られた電極箔の静電容量の向上の
有無を表す図である。
を熱処理する条件と得られた電極箔の静電容量の向上の
有無を表す図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウム箔表面にＡｌ2-xＣｒxＯ3
（０＜ｘ＜２）なる組成の誘電体層を有し、前記Ａｌ
2-xＣｒxＯ3誘電体中に微細なγーＡｌ2Ｏ3粒子を含む
ことを特徴とする電解コンデンサ用電極箔。 - 【請求項２】 γーＡｌ2Ｏ3粒子の平均粒径が２０ｎｍ
以下である請求項１記載の電解コンデンサ用電極箔。 - 【請求項３】 クロム化合物を含む水溶液を付着したア
ルミニウム箔を空気雰囲気中で熱処理する工程と、前記
熱処理後のアルミニウム箔を化成して誘電体皮膜を形成
する工程とを有することを特徴とする電解コンデンサ用
電極箔の製造方法。 - 【請求項４】 前記水溶液がクロム（VI）酸イオンを含
み、かつ前記クロム化合物濃度が０．２モル／ｌ以上で
ある請求項３記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方
法。 - 【請求項５】 熱処理時の温度が５００〜６５０℃であ
り、かつ熱処理時間が１時間以上である請求項３または
４記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199952A JPH0864481A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199952A JPH0864481A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864481A true JPH0864481A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16416338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6199952A Pending JPH0864481A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864481A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347681A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
| JP2007214371A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 陽極体とその製造方法、および固体電解コンデンサ |
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP6199952A patent/JPH0864481A/ja active Pending
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