JPH0864712A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH0864712A JPH0864712A JP6200743A JP20074394A JPH0864712A JP H0864712 A JPH0864712 A JP H0864712A JP 6200743 A JP6200743 A JP 6200743A JP 20074394 A JP20074394 A JP 20074394A JP H0864712 A JPH0864712 A JP H0864712A
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- optical semiconductor
- peltier element
- semiconductor element
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
- G02B6/4268—Cooling
- G02B6/4271—Cooling with thermo electric cooling
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- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リード線の外部リード端子への半田付け作業を
容易に行うことができる光半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。 【構成】上面に光半導体素子4 がペルチェ素子6 を介し
て載置される載置部1aを有する金属基体1 と、前記金属
基体1 の載置部1a周辺に該金属基体１を上下に貫通する
ようにして絶縁部材8 を介して固定され、且つその上端
部に前記ペルチェ素子6 の電極がリード線10を介して電
気的に接続されるペルチェ素子用外部リード端子7bと、
前記金属基体1 上に載置部1a及びペルチェ素子用外部リ
ード端子7bを囲繞するようにして接合された金属枠体2
と、前記金属枠体2 の上面に取着され、光半導体素子4
を気密に封止する金属蓋体3 とから成る光半導体素子収
納用パッケージであって、前記ペルチェ素子用外部リー
ド端子7bの上端部に前記リード線10を挿通可能な切り欠
き部Ｃ若しくは貫通孔Ｈが形成されている。
容易に行うことができる光半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。 【構成】上面に光半導体素子4 がペルチェ素子6 を介し
て載置される載置部1aを有する金属基体1 と、前記金属
基体1 の載置部1a周辺に該金属基体１を上下に貫通する
ようにして絶縁部材8 を介して固定され、且つその上端
部に前記ペルチェ素子6 の電極がリード線10を介して電
気的に接続されるペルチェ素子用外部リード端子7bと、
前記金属基体1 上に載置部1a及びペルチェ素子用外部リ
ード端子7bを囲繞するようにして接合された金属枠体2
と、前記金属枠体2 の上面に取着され、光半導体素子4
を気密に封止する金属蓋体3 とから成る光半導体素子収
納用パッケージであって、前記ペルチェ素子用外部リー
ド端子7bの上端部に前記リード線10を挿通可能な切り欠
き部Ｃ若しくは貫通孔Ｈが形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子を収容す
るための光半導体素子収納用パッケージに関するもので
ある。
るための光半導体素子収納用パッケージに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、図５、図６に示すよう
に鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステン合金
等の金属から成り、上面中央部に光半導体素子２１がペ
ルチェ素子２２を介して載置される載置部２３ａを有す
る金属基体２３と、前記金属基体２３の載置部２３ａ周
辺に該金属基体２３を上下に貫通するようにして絶縁部
材２４を介して固定され、光半導体素子２１及びペルチ
ェ素子２２をそれぞれ外部電気回路に接続するための複
数の円柱状の外部リード端子２５と、前記載置部２３ａ
及び外部リード端子２５を囲繞するようにして金属基体
２３上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に光
半導体素子２１と外部との光信号の授受を行う光ファイ
バー２６が貫通固定される固定部材２７が配された金属
枠体２８と、前記金属枠体２８の上面に接合され、光半
導体素子２１を気密に封止する金属蓋体２９とから構成
され、前記金属基体２３の載置部２３ａに光半導体素子
２１を間にペルチェ素子２２を挟んで取着固定するとと
もに該光半導体素子２１の電極をボンディングワイヤ３
０を介して外部リード端子２５の一部に電気的に接続
し、次に前記金属枠体２８上面に金属蓋体２９を接合さ
せ、金属基体２３と金属枠体２８と金属蓋体２９とから
成る容器の内部に光半導体素子２１を気密に収容し、最
後に金属枠体２８の固定部材２７に光ファイバー２６を
接着固定することによって製品としての光半導体装置と
なる。
半導体素子収納用パッケージは、図５、図６に示すよう
に鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステン合金
等の金属から成り、上面中央部に光半導体素子２１がペ
ルチェ素子２２を介して載置される載置部２３ａを有す
る金属基体２３と、前記金属基体２３の載置部２３ａ周
辺に該金属基体２３を上下に貫通するようにして絶縁部
材２４を介して固定され、光半導体素子２１及びペルチ
ェ素子２２をそれぞれ外部電気回路に接続するための複
数の円柱状の外部リード端子２５と、前記載置部２３ａ
及び外部リード端子２５を囲繞するようにして金属基体
２３上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に光
半導体素子２１と外部との光信号の授受を行う光ファイ
バー２６が貫通固定される固定部材２７が配された金属
枠体２８と、前記金属枠体２８の上面に接合され、光半
導体素子２１を気密に封止する金属蓋体２９とから構成
され、前記金属基体２３の載置部２３ａに光半導体素子
２１を間にペルチェ素子２２を挟んで取着固定するとと
もに該光半導体素子２１の電極をボンディングワイヤ３
０を介して外部リード端子２５の一部に電気的に接続
し、次に前記金属枠体２８上面に金属蓋体２９を接合さ
せ、金属基体２３と金属枠体２８と金属蓋体２９とから
成る容器の内部に光半導体素子２１を気密に収容し、最
後に金属枠体２８の固定部材２７に光ファイバー２６を
接着固定することによって製品としての光半導体装置と
なる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子２１に光を励起
させ、該励起させた光を光ファイバー２６を介して外部
に伝達することによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子２１に光を励起
させ、該励起させた光を光ファイバー２６を介して外部
に伝達することによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
【０００４】また前記光半導体素子収納用パッケージの
外部リード端子２５の一部は、ペルチェ素子２２を外部
電気回路に接続するためのペルチェ素子用外部リード端
子２５ａとして作用し、該ペルチェ素子用外部リード端
子２５ａにはペルチェ素子２２の電極に接続されたリー
ド線３１が半田付けにより電気的に接続され、ペルチェ
素子用外部リード端子２５ａを外部電気回路に電気的に
接続することによって外部電気回路よりペルチェ素子２
２に電力を供給し、ペルチェ素子２２を光半導体素子２
１から金属基体２３に熱を移動させる熱ポンプとして作
動させ、光半導体素子２１が作動時に発生する熱をペル
チェ素子２２を介して金属基体２２に強制的に伝達し、
該熱を金属基体２３より大気中に放散除去することによ
り光半導体素子２１の温度を常に定温として光半導体素
子２１が常に安定して作動するようになしている。
外部リード端子２５の一部は、ペルチェ素子２２を外部
電気回路に接続するためのペルチェ素子用外部リード端
子２５ａとして作用し、該ペルチェ素子用外部リード端
子２５ａにはペルチェ素子２２の電極に接続されたリー
ド線３１が半田付けにより電気的に接続され、ペルチェ
素子用外部リード端子２５ａを外部電気回路に電気的に
接続することによって外部電気回路よりペルチェ素子２
２に電力を供給し、ペルチェ素子２２を光半導体素子２
１から金属基体２３に熱を移動させる熱ポンプとして作
動させ、光半導体素子２１が作動時に発生する熱をペル
チェ素子２２を介して金属基体２２に強制的に伝達し、
該熱を金属基体２３より大気中に放散除去することによ
り光半導体素子２１の温度を常に定温として光半導体素
子２１が常に安定して作動するようになしている。
【０００５】尚、前記ペルチェ素子用外部リード端子２
５ａに前記リード線３１を半田付けにより電気的に接続
するには、先ずペルチェ素子用リード端子２５ａの上端
部にリード線３１の一端を巻回して仮止めし、しかる
後、前記仮止めされたリード線３１をペルチェ素子用外
部リード端子２５に半田付けすることによって行われ
る。
５ａに前記リード線３１を半田付けにより電気的に接続
するには、先ずペルチェ素子用リード端子２５ａの上端
部にリード線３１の一端を巻回して仮止めし、しかる
後、前記仮止めされたリード線３１をペルチェ素子用外
部リード端子２５に半田付けすることによって行われ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージによれば、外部リー
ド端子が円柱状であり、ペルチェ素子の電極に接続され
たリード線をペルチェ素子用外部リード端子に仮止めす
るために該リード線の一端をペルチェ素子用外部リード
端子の上端部に巻回しなければならず、このため仮止め
の作業が極めて繁雑となるとともに巻回仮止めされたリ
ード線が緩んでペルチェ素子用外部リード端子の上端部
からずり落ちてしまい、その結果、ペルチェ素子用外部
リード端子へのリード線の半田付け作業が極めて困難な
ものとなっていた。
来の光半導体素子収納用パッケージによれば、外部リー
ド端子が円柱状であり、ペルチェ素子の電極に接続され
たリード線をペルチェ素子用外部リード端子に仮止めす
るために該リード線の一端をペルチェ素子用外部リード
端子の上端部に巻回しなければならず、このため仮止め
の作業が極めて繁雑となるとともに巻回仮止めされたリ
ード線が緩んでペルチェ素子用外部リード端子の上端部
からずり落ちてしまい、その結果、ペルチェ素子用外部
リード端子へのリード線の半田付け作業が極めて困難な
ものとなっていた。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は、ペルチェ素子の電極に接続された
リード線をペルチェ素子用外部リード端子に容易、且つ
確実に仮止めすることができるとともにペルチェ素子用
外部リード端子へのリード線の半田付け作業を容易に行
うことができる光半導体素子収納用パッケージを提供す
ることにある。
であり、その目的は、ペルチェ素子の電極に接続された
リード線をペルチェ素子用外部リード端子に容易、且つ
確実に仮止めすることができるとともにペルチェ素子用
外部リード端子へのリード線の半田付け作業を容易に行
うことができる光半導体素子収納用パッケージを提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子がペルチェ素子を介して載置される載置部を有す
る金属基体と、前記金属基体の載置部周辺に該金属基体
を上下に貫通するようにして絶縁部材を介して固定さ
れ、且つその上端部に前記ペルチェ素子の電極がリード
線を介して電気的に接続されるペルチェ素子用外部リー
ド端子と、前記金属基体上に載置部及びペルチェ素子用
外部リード端子を囲繞するようにして接合された金属枠
体と、前記金属枠体の上面に取着され、光半導体素子を
気密に封止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納用
パッケージであって、前記ペルチェ素子用外部リード端
子の上端部に前記リード線を挿通可能な切り欠き部若し
くは貫通孔が形成されていることを特徴とするものであ
る。
体素子がペルチェ素子を介して載置される載置部を有す
る金属基体と、前記金属基体の載置部周辺に該金属基体
を上下に貫通するようにして絶縁部材を介して固定さ
れ、且つその上端部に前記ペルチェ素子の電極がリード
線を介して電気的に接続されるペルチェ素子用外部リー
ド端子と、前記金属基体上に載置部及びペルチェ素子用
外部リード端子を囲繞するようにして接合された金属枠
体と、前記金属枠体の上面に取着され、光半導体素子を
気密に封止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納用
パッケージであって、前記ペルチェ素子用外部リード端
子の上端部に前記リード線を挿通可能な切り欠き部若し
くは貫通孔が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明の光半導体素子収納用パッケージによれ
ば、ペルチェ素子の電極がリード線を介して電気的に接
続されるペルチェ素子用外部リード端子の上端部に前記
リード線を挿通可能な切り欠き部若しくは貫通孔が形成
されていることから、該切り欠き部若しくは貫通孔内に
リード線の一端を挿通して係止することによってリード
線をペルチェ素子用外部リード端子に正確、且つ容易に
仮止めすることができ、また前記リード線の一端が該切
り欠き部若しくは貫通孔内に挿通係止されていることか
ら、リード線がペルチェ素子用外部リード端子の上端部
からずり落ちることはなく、従ってリード線をペルチェ
素子用外部リード端子に容易に半田付けすることができ
る。
ば、ペルチェ素子の電極がリード線を介して電気的に接
続されるペルチェ素子用外部リード端子の上端部に前記
リード線を挿通可能な切り欠き部若しくは貫通孔が形成
されていることから、該切り欠き部若しくは貫通孔内に
リード線の一端を挿通して係止することによってリード
線をペルチェ素子用外部リード端子に正確、且つ容易に
仮止めすることができ、また前記リード線の一端が該切
り欠き部若しくは貫通孔内に挿通係止されていることか
ら、リード線がペルチェ素子用外部リード端子の上端部
からずり落ちることはなく、従ってリード線をペルチェ
素子用外部リード端子に容易に半田付けすることができ
る。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。
する。
【００１１】図１及び図２は、本発明の光半導体素子収
納用パッケージの一実施例を示し、１は金属基体、２は
金属枠体、３は金属蓋体であり、前記金属基体１と金属
枠体２と金属蓋体３とで光半導体素子４を収容する容器
５を構成する。
納用パッケージの一実施例を示し、１は金属基体、２は
金属枠体、３は金属蓋体であり、前記金属基体１と金属
枠体２と金属蓋体３とで光半導体素子４を収容する容器
５を構成する。
【００１２】前記金属基体１は、例えば銅−タングステ
ン合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
略矩形状の平板であり、その上面中央部に光半導体素子
４を載置するための載置部１ａが形成されており、該載
置部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子６を挟
んでロウ材等の接着材により接着固定される。
ン合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
略矩形状の平板であり、その上面中央部に光半導体素子
４を載置するための載置部１ａが形成されており、該載
置部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子６を挟
んでロウ材等の接着材により接着固定される。
【００１３】前記金属基体１は例えば、銅−タングステ
ン合金から成る場合、タングステン粉末（粒径約１０μ
ｍ）を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形すると
ともにこれを還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成
して多孔質のタングステン焼結体を得、次に約１１００
℃の温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体
の多孔部分に毛管現象を利用して含浸させることによっ
て製作される。
ン合金から成る場合、タングステン粉末（粒径約１０μ
ｍ）を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形すると
ともにこれを還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成
して多孔質のタングステン焼結体を得、次に約１１００
℃の温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体
の多孔部分に毛管現象を利用して含浸させることによっ
て製作される。
【００１４】また前記金属基体１には、金属基体１に接
着固定された光半導体素子４を外部電気回路に接続する
ための光半導体素子用外部リード端子７ａとペルチェ素
子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素子用外
部リード端子７ｂとを含む複数の外部リード端子７が搭
載部１ａの周辺に該金属基体１を上下に貫通するように
してガラス等の絶縁部材８を介して固定されている。
着固定された光半導体素子４を外部電気回路に接続する
ための光半導体素子用外部リード端子７ａとペルチェ素
子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素子用外
部リード端子７ｂとを含む複数の外部リード端子７が搭
載部１ａの周辺に該金属基体１を上下に貫通するように
してガラス等の絶縁部材８を介して固定されている。
【００１５】前記外部リード端子７は、例えば鉄−コバ
ルト−ニッケル合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成
る棒状体であり、該外部リード端子７のうち、光半導体
素子４を外部電気回路に接続するための光半導体素子用
外部リード端子７ａは、その上端面が平坦となってお
り、該光半導体素子用外部リード端子７ａの上端面には
光半導体素子４の電極がボンディングワイヤ９を介して
電気的に接続され、光半導体素子用外部リード端子７ａ
の他端を外部電気回路基板の配線導体に接続することに
より光半導体素子４がボンディングワイヤ９及び光半導
体素子用外部リード端子７ａを介して外部電気回路に電
気的に接続されることとなる。
ルト−ニッケル合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成
る棒状体であり、該外部リード端子７のうち、光半導体
素子４を外部電気回路に接続するための光半導体素子用
外部リード端子７ａは、その上端面が平坦となってお
り、該光半導体素子用外部リード端子７ａの上端面には
光半導体素子４の電極がボンディングワイヤ９を介して
電気的に接続され、光半導体素子用外部リード端子７ａ
の他端を外部電気回路基板の配線導体に接続することに
より光半導体素子４がボンディングワイヤ９及び光半導
体素子用外部リード端子７ａを介して外部電気回路に電
気的に接続されることとなる。
【００１６】また、前記外部リード端子７のうち、ペル
チェ素子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素
子用外部リード端子７ｂは、図３に示すようにその上端
部にペルチェ素子６の電極に接続されたリード線１０を
挿通可能な切り欠き部Ｃが形成されており、前記切り欠
き部Ｃ内にペルチェ素子６の電極に接続されたリード線
１０の一端が挿通されるとともに該挿通された一端がペ
ルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部に半田付けさ
れ、外部リード端子７ｂの他端を外部電気回路基板の配
線導体に接続することにより、ペルチェ素子６がリード
線１０及びペルチェ素子用外部リード端子７ｂを介して
外部電気回路基板に電気的に接続されることとなる。
チェ素子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素
子用外部リード端子７ｂは、図３に示すようにその上端
部にペルチェ素子６の電極に接続されたリード線１０を
挿通可能な切り欠き部Ｃが形成されており、前記切り欠
き部Ｃ内にペルチェ素子６の電極に接続されたリード線
１０の一端が挿通されるとともに該挿通された一端がペ
ルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部に半田付けさ
れ、外部リード端子７ｂの他端を外部電気回路基板の配
線導体に接続することにより、ペルチェ素子６がリード
線１０及びペルチェ素子用外部リード端子７ｂを介して
外部電気回路基板に電気的に接続されることとなる。
【００１７】尚、前記ペルチェ素子用外部リード端子７
ｂの上端部にリード線１０を半田付けするには、先ずペ
ルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部に形成された
切り欠き部Ｃ内にリード線１０の一端を挿通することに
よってリード線１０をペルチェ素子用外部リード端子７
ｂ上端部に仮止め係止し、しかる後、前記仮止め係止さ
れたリード線１０の一端をペルチェ素子用外部リード端
子７ｂ上端部に半田付けすることによって行われる。
ｂの上端部にリード線１０を半田付けするには、先ずペ
ルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部に形成された
切り欠き部Ｃ内にリード線１０の一端を挿通することに
よってリード線１０をペルチェ素子用外部リード端子７
ｂ上端部に仮止め係止し、しかる後、前記仮止め係止さ
れたリード線１０の一端をペルチェ素子用外部リード端
子７ｂ上端部に半田付けすることによって行われる。
【００１８】前記ペルチェ素子用外部リード端子７ｂ
は、その上端部にペルチェ素子６の電極と接続されたリ
ード端子１０を挿通可能な切り欠き部Ｃが形成されてい
ることから、リード線１０の一端を該切り欠き部Ｃ内に
挿通するだけで、リード線１０をペルチェ素子用外部リ
ード端子７ｂ上端部に容易に仮止め係止することがで
き、またリード線１０の一端がペルチェ素子用外部リー
ド端子７ｂに形成された切り欠き部Ｃ内に挿通されるこ
とにより該切り欠き部Ｃ内に係止されるのでリード線１
０がペルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部から容
易にずり落ちることはなく、従ってリード線１０のペル
チェ素子用外部リード端子７ｂへの半田付けの作業が容
易なものとなる。
は、その上端部にペルチェ素子６の電極と接続されたリ
ード端子１０を挿通可能な切り欠き部Ｃが形成されてい
ることから、リード線１０の一端を該切り欠き部Ｃ内に
挿通するだけで、リード線１０をペルチェ素子用外部リ
ード端子７ｂ上端部に容易に仮止め係止することがで
き、またリード線１０の一端がペルチェ素子用外部リー
ド端子７ｂに形成された切り欠き部Ｃ内に挿通されるこ
とにより該切り欠き部Ｃ内に係止されるのでリード線１
０がペルチェ素子用外部リード端子７ｂの上端部から容
易にずり落ちることはなく、従ってリード線１０のペル
チェ素子用外部リード端子７ｂへの半田付けの作業が容
易なものとなる。
【００１９】尚、前記光半導体素子用外部リード端子７
ａ及びペルチェ素子用外部リード端子７ｂを含む外部リ
ード端子７の金属基体１への固定は、金属基体１に外部
リード端子７より若干大きな径の孔をあけておき、この
孔にリング状のガラスからなる絶縁部材８と外部リード
端子７を挿通させ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁
部材８を加熱溶融させることによって行われる。
ａ及びペルチェ素子用外部リード端子７ｂを含む外部リ
ード端子７の金属基体１への固定は、金属基体１に外部
リード端子７より若干大きな径の孔をあけておき、この
孔にリング状のガラスからなる絶縁部材８と外部リード
端子７を挿通させ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁
部材８を加熱溶融させることによって行われる。
【００２０】更に前記金属基体１の上面には、載置部１
ａを囲繞するようにして筒状の金属枠体２が接合されて
おり、これにより内部に光半導体素子４を収容するため
の空所が形成される。 前記金属枠体２は、例えば鉄−
ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属か
ら成り、金属基体１への接合は銀ロウ等のロウ材を介し
てロウ付けすることによって行われる。
ａを囲繞するようにして筒状の金属枠体２が接合されて
おり、これにより内部に光半導体素子４を収容するため
の空所が形成される。 前記金属枠体２は、例えば鉄−
ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属か
ら成り、金属基体１への接合は銀ロウ等のロウ材を介し
てロウ付けすることによって行われる。
【００２１】また、前記金属枠体２には内部に収容する
光半導体素子４との間で光信号を授受するための光ファ
イバー１１が固定される固定部材１２が該金属枠体２を
貫通して設けられている。
光半導体素子４との間で光信号を授受するための光ファ
イバー１１が固定される固定部材１２が該金属枠体２を
貫通して設けられている。
【００２２】前記固定部材１２は例えば鉄−ニッケル−
コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成る円筒
状部材であり、金属枠体２に設けた貫通孔２ａに挿入さ
れるとともに該金属枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して
接合されており、その内部に光ファイバーが挿通固定さ
れ、これにより該光ファイバー１１を介して内部に収容
する光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能とな
る。
コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成る円筒
状部材であり、金属枠体２に設けた貫通孔２ａに挿入さ
れるとともに該金属枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して
接合されており、その内部に光ファイバーが挿通固定さ
れ、これにより該光ファイバー１１を介して内部に収容
する光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能とな
る。
【００２３】また更に前記金属枠体２の上面には、例え
ば鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の
金属から成る略矩形平板状の金属蓋体３が接合され、こ
れにより金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成
る容器５の内部に光半導体素子４が気密に封止されるこ
ととなる。
ば鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の
金属から成る略矩形平板状の金属蓋体３が接合され、こ
れにより金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成
る容器５の内部に光半導体素子４が気密に封止されるこ
ととなる。
【００２４】前記金属蓋体３の金属枠体２上面への接合
は例えばシームウエルド法等の溶接によって行われる。
は例えばシームウエルド法等の溶接によって行われる。
【００２５】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば金属基体１の載置部１ａに光半導体素子
４を間にペルチェ素子６を挟んで接着固定し、次に前記
光半導体素子４の電極をボンディングワイヤ９を介して
光半導体素子用外部リード端子７ａに電気的に接続する
とともにペルチェ素子６の電極をリード線１０を介して
ペルチェ素子用外部リード端子７ｂに電気的に接続し、
しかる後、金属枠体２の上面に金属蓋体３を接合させ、
金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成る容器５
内部に光半導体素子４を収容し、最後に金属枠体２の固
定部材１２に光ファイバー１１の一端を挿通接着させ、
光ファイバー１１を金属枠体２に固定することによって
最終製品としての光半導体装置として機能し、光ファイ
バー１１を介して内部に収容する光半導体素子４と外部
との光信号の授受が可能となる。
ケージによれば金属基体１の載置部１ａに光半導体素子
４を間にペルチェ素子６を挟んで接着固定し、次に前記
光半導体素子４の電極をボンディングワイヤ９を介して
光半導体素子用外部リード端子７ａに電気的に接続する
とともにペルチェ素子６の電極をリード線１０を介して
ペルチェ素子用外部リード端子７ｂに電気的に接続し、
しかる後、金属枠体２の上面に金属蓋体３を接合させ、
金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成る容器５
内部に光半導体素子４を収容し、最後に金属枠体２の固
定部材１２に光ファイバー１１の一端を挿通接着させ、
光ファイバー１１を金属枠体２に固定することによって
最終製品としての光半導体装置として機能し、光ファイ
バー１１を介して内部に収容する光半導体素子４と外部
との光信号の授受が可能となる。
【００２６】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例ではペルチ
ェ素子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素子
用外部リード端子７ｂの上端部にリード線１０を挿通可
能な切り欠きＣを形成したが、図４に示すように外部リ
ード端子７ｂの上端部にリード線１０を挿通可能な貫通
孔Ｈを形成しても良い。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例ではペルチ
ェ素子６を外部電気回路に接続するためのペルチェ素子
用外部リード端子７ｂの上端部にリード線１０を挿通可
能な切り欠きＣを形成したが、図４に示すように外部リ
ード端子７ｂの上端部にリード線１０を挿通可能な貫通
孔Ｈを形成しても良い。
【００２７】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、ペルチェ素子の電極がリード線を介して接続
されるペルチェ素子用外部リード端子の上端部に前記リ
ード線を挿通可能な切り込み若しくは貫通孔が形成され
ていることから、該切り込み若しくは貫通孔内にリード
線の一端を挿通することによってリード線を正確、且つ
容易に仮止めすることができ、またリード線の一端がペ
ルチェ素子用外部リード端子に形成した切り欠き部若し
くは貫通孔に挿通係止されていることから、リード線が
ペルチェ素子用外部リード端子の上端部からずり落ちる
ことはなく、従ってリード線を外部リード端子に容易に
半田付けすることができる。
によれば、ペルチェ素子の電極がリード線を介して接続
されるペルチェ素子用外部リード端子の上端部に前記リ
ード線を挿通可能な切り込み若しくは貫通孔が形成され
ていることから、該切り込み若しくは貫通孔内にリード
線の一端を挿通することによってリード線を正確、且つ
容易に仮止めすることができ、またリード線の一端がペ
ルチェ素子用外部リード端子に形成した切り欠き部若し
くは貫通孔に挿通係止されていることから、リード線が
ペルチェ素子用外部リード端子の上端部からずり落ちる
ことはなく、従ってリード線を外部リード端子に容易に
半田付けすることができる。
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの金属
基体上面の平面図である。
基体上面の平面図である。
【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージのＸ
−Ｘ線における断面図である。
−Ｘ線における断面図である。
【図３】図１及び図２に示した光半導体素子収納用パッ
ケージの要部拡大図である。
ケージの要部拡大図である。
【図４】本発明の他の実施例を説明するための要部拡大
図である。
図である。
【図５】従来の光半導体素子収納用パッケージの金属基
体上面の平面図である。
体上面の平面図である。
【図６】図５に示した光半導体素子収納用パッケージの
Ｘ−Ｘ線における断面図である。
Ｘ−Ｘ線における断面図である。
１・・・金属基体 ２・・・金属枠体 ３・・・金属蓋体 ４・・・光半導体素子 ６・・・ペルチェ素子 ７ｂ・・ペルチェ素子用外部リード端子 ８・・・絶縁部材 １０・・・リード線 Ｃ・・・切り欠き部 Ｈ・・・貫通孔
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｍ Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】上面に光半導体素子がペルチェ素子を介し
て載置される載置部を有する金属基体と、前記金属基体
の載置部周辺に該金属基体を上下に貫通するようにして
絶縁部材を介して固定され、且つその上端部に前記ペル
チェ素子の電極がリード線を介して電気的に接続される
ペルチェ素子用外部リード端子と、前記金属基体上に載
置部及びペルチェ素子用外部リード端子を囲繞するよう
にして接合された金属枠体と、前記金属枠体の上面に取
着され、光半導体素子を気密に封止する金属蓋体とから
成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記ペル
チェ素子用外部リード端子の上端部に前記リード線を挿
通可能な切り欠き部若しくは貫通孔が形成されているこ
とを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074394A JP3434899B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074394A JP3434899B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864712A true JPH0864712A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3434899B2 JP3434899B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=16429439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20074394A Expired - Fee Related JP3434899B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434899B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310818A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 熱電モジュール、熱電装置およびその製造方法 |
| JP2006324391A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2017163132A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-09-14 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | 電子コンポーネント用ケーシング及びレーザモジュール |
| US10777965B2 (en) | 2016-09-05 | 2020-09-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser apparatus and light source apparatus |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20074394A patent/JP3434899B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310818A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 熱電モジュール、熱電装置およびその製造方法 |
| JP2006324391A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2017163132A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-09-14 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | 電子コンポーネント用ケーシング及びレーザモジュール |
| US10707642B2 (en) | 2016-02-10 | 2020-07-07 | Schott Ag | Housing for an electronic component, and laser module |
| US11367992B2 (en) | 2016-02-10 | 2022-06-21 | Schott Ag | Housing for an electronic component, and laser module |
| US10777965B2 (en) | 2016-09-05 | 2020-09-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser apparatus and light source apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3434899B2 (ja) | 2003-08-11 |
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