JPH0864767A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、剥離が発生せず、かつ誘電率、ヒ
ステリシス、リーク電流、耐圧等のキャパシタ電圧等の
キャパシタ特性が安定することを目的とする。 【構成】基板(1) 上の絶縁膜、多結晶シリコン膜あるい
は半導体拡散領域上に形成された第１の電極(3) と、前
記第１の電極(3) 上に形成された高，強誘電体膜４と、
前記高，強誘電体膜４上に形成された第２の電極(5) と
を有する半導体装置において、前記第１の電極(3) が絶
縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形
成される第一層(3a)とその上に形成され前記高，強誘電
体膜４と接する第二層(3b)とから構成され、前記第１の
電極(3) の第一層(3a)が酸化物で且つ前記第１の電極
(3) の第二層(3b)が金属からなり、さらに前記第２の電
極(3)が酸化物からなることを特徴とする強誘電体膜薄
膜キャパシタ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高，強誘電体膜を有
するメモリ装置、薄膜コンデンサ装置、電気光学装置、
薄膜センサ−などの半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】酸化物を高、強誘電体薄膜キャパシタの
電極として用いる特許、文献はこれまでに幾つか発表さ
れている。例えば、特開平３−２５７８５８では、図８
に示したように導電性酸化物（ＲｈＯ₂ 、ＲｅＯ₃ 、Ｏ
ｓＯ₂ 、ＩｒＯ₂ ）を第１の電極としている。図８にお
いて、符番81は単結晶シリコンの表面上を水蒸気熱酸化
法により酸化させて形成したＳｉＯ₂ 膜である。このＳ
ｉＯ₂ 膜81上には、膜厚０．５μｍの導電性酸化物（第
１の電極）82が金属タ−ゲットを用い酸素を反応ガスと
した反応性直流マグネトロンスパッタ法で基板温度１０
０℃下で作製されている。前記導電性酸化膜82を含む前
記ＳｉＯ₂ 膜81上には、ＢａＴｉＯ₃ からなる厚さ０．
５μｍの強誘電体膜83が形成されている。この強誘電体
膜83は、化学量論組成の粉末タ−ゲットを用い、Ｏ₂ ガ
スを反応ガスとした反応性高周波マグネトロンスパッタ
法で基板温度６００℃下で作製する。前記強誘電体膜83
上には、Ａｌからなる厚さ０．５μｍの第２の電極84が
直流スパッタ法により成膜されている。

【０００３】このような構造にすることにより、高温熱
処理を行っても下地の絶縁膜もしくは多結晶シリコンの
Ｓｉが電極表面に拡散してくるのを防止できるために、
電極表面に低誘電率のＳｉ酸化膜層ができず、且つ平坦
性を保つことができる。このことにより、絶縁性がよく
一様な高誘電率をもつ薄膜キャパシタを得ることができ
る。

【０００４】また、ＵＳＰ５２９３５１０あるいは特開
平３−２５７８５７では、図９に示したように、第１の
電極の第一層に導電性酸化物（ＩＴＯ、ＲｅＯ₂ 、Ｒｕ
Ｏ₂、ＭｏＯ₃ ）を用い、且つ第１の電極の第二層とし
て高融点貴金属（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｄ）を用いている。図
９において、符番91は多結晶シリコンまたは半導体拡散
層からなる下層である。この下層91の上には導電性酸化
物からなる第一層92ａと、該第一層92ａ上に形成された
高融点貴金属からなる第二層92ｂで構成された第１の電
極92が形成されている。前記第一層，第二層は、直流マ
グネトロンスパッタ法で順に作製している。前記第１の
電極92上には強誘電体膜93がスパッタリング法によって
作製され、更にＡｌからなる第２の電極94もスパッタリ
ング法によって作製されている。

【０００５】このような構造にすることにより、下地の
多結晶シリコンもしくは半導体拡散領域からのＳｉの電
極表面への拡散を防止できるために、高融点金属表面に
低誘電率のＳｉ酸化膜層ができず、且つ表面の平坦性を
保つことができる。このことにより、拡散領域に直接絶
縁性がよく一様な高誘電率をもつ薄膜キャパシタを得る
ことができ、且つ拡散領域上に直接薄膜キャパシタを形
成できるので高密度な半導体デバイスを提供できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８および図９に示し
た従来技術では、第２の電極のＡｌと強誘電体膜界面の
接着強度が弱いために剥離が発生し易いという問題点が
ある。また、高，強誘電体膜と接する第２の電極を形成
後に５００℃以上の熱処理を施さないと誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の安定した特性が得られな
い。従って、従来例のように高，強誘電体膜と接する第
２の電極として低融点のＡｌを使用した場合には、５０
０℃以上の熱処理を行えないため、安定した特性を持つ
高，強誘電体薄膜キャパシタを得ることができない。

【０００７】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、剥離が発生せず且つ誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等のキャパシタ特性が安定した半導体
装置を提供することを目的とするもの。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、基板
上の絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域
上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成
された高，強誘電体膜と、前記高，強誘電体膜上に形成
された第２の電極とを有する半導体装置において、前記
第１の電極が絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体
拡散領域上に形成される第一層とその上に形成され前記
高，強誘電体膜と接する第二層とから構成され、前記第
１の電極の第一層が酸化物で且つ前記第１の電極の第二
層が金属からなり、さらに前記第２の電極が酸化物から
なることを特徴とする半導体装置である。

【０００９】本願第２の発明は、基板上の絶縁膜、多結
晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成された第
１の電極と、前記第１の電極上に形成された高，強誘電
体膜と、前記高，強誘電体膜上に形成された第２の電極
とを有する半導体装置において、前記第１の電極が絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成
される第一層とその上に形成され前記高，強誘電体膜と
接する第二層とから構成され、前記第１の電極の第一層
が酸化物で且つ前記第１の電極の第二層が金属からな
り、さらに前記第２の電極が前記高，強誘電体膜上に形
成される第一層とその上に形成される第二層とから構成
され、前記第２の電極の第一層が酸化物で且つ前記第２
の電極の第二層が金属からなることを特徴とする半導体
装置である。

【００１０】本願第３の発明は、基板上の絶縁膜、多結
晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成された第
１の電極と、前記第１の電極上に形成された高，強誘電
体膜と、前記高，強誘電体膜上に形成された第２の電極
とを有する半導体装置において、前記第１の電極が酸化
物であり、さらに前記第２の電極が前記高，強誘電体膜
上に形成される第一層とその上に形成される第二層とか
ら構成され、前記第２の電極の第一層が酸化物で且つ前
記第２の電極の第二層が金属からなることを特徴とする
半導体装置である。

【００１１】

【作用】

（本願第１の発明） ［作用］第１の電極の第一層（酸化物）は下層との接着
層の役割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散物を
阻止する働きをする。また、第１の電極の第二層（金
属）は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定
した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性
を引き出す役目をする。更に、第２の電極の酸化物は
高，強誘電体膜との良好な接着力を持っていると共に、
５００℃以上の高温熱処理を施しても高、強誘電体膜に
拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００１２】［効果］第１の発明によれば、第２の電極
として酸化物を用いることにより、第２の電極と高，強
誘電体膜界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
きる。また、酸化物は５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないので、第
２の電極形成後の高温熱処理が可能となる。従って、
高，誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリ
シス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができる。
更に、第１の電極の第一層として酸化物を用い第１の電
極の第二層として金属の構造にすることにより、酸化物
は下層との接着層の役割を果たすと共に、下層からのＳ
ｉ等の拡散物を阻止する働きをし、且つ金属は高，強誘
電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒス
テリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目を
してくれる。従って膜剥離が発生せず、且つ高、強誘電
体膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリ
シス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得
ることができる。

【００１３】（本願第２の発明） ［作用］第１の電極の第一層（酸化物）は下層との接着
層の役割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散物を
阻止する働きをする。また、第１の電極の第二層（金
属）は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定
した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等どの特
性を引き出す役目をする。更に、第２の電極の第一層
（酸化物）は、高，強誘電体膜との良好な接着力を持っ
ていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施しても
高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。更
には、第２の電極の第二層（金属）は、第２の電極の抵
抗を下げる作用をする。

【００１４】［効果］第２の電極の第一層として酸化物
を用いることにより、第２の電極と高，強誘電体膜界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止でき、且つ第２
の電極の第二層として金属を用いることで第２の電極の
低抵抗化となる。また、第２の電極の第二層は５００℃
以上の熱処理を施しても高、強誘電体膜への拡散等の影
響を及ぼさないので、第２の電極形成後の高温熱処理が
可能となる。従って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安
定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特
性を得ることができる。更には、第１の電極の第一層と
して酸化物を用い第１の電極の第二層として金属の構造
にすることにより、第１の電極の第一層は下層との接着
層の役割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散物を
阻止する働きをし、且つ第１の電極の第二層は高，強誘
電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒス
テリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目を
してくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ高、強誘
電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒス
テリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置
を得ることができる。

【００１５】（本願第３の発明） ［作用］第１の電極（酸化物）は、下層との接着層の役
割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散物を阻止す
る働きをする。また、第２の電極の第一層（酸化物）は
高，強誘電体膜との良好な接着力を持っていると共に、
５００℃以上の高温熱処理を施しても高，強誘電体膜に
拡散等の影響を及ぼすことがない。更に、第２の電極の
第二層（金属）は、第２の電極の抵抗を下げる作用をす
る。

【００１６】［効果］第２の電極の第一層として酸化物
を用いることにより、第２の電極と高，強誘電体膜界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止でき、且つ第２
の電極の第二層として金属を用いることで第２の電極の
低抵抗化となる。また第２の電極の第一層は、５００℃
以上の熱処理を施しても高，強誘電体膜への拡散等の影
響を及ぼさないので第２の電極形成後の高温熱処理が可
能となる。従って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定
した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性
を得ることができる。更に、第１の電極として酸化物を
用いることにより、酸化物は下層との接着層の役割を果
たす。従って膜剥離が発生せず、且つ高、強誘電体薄膜
キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることができ
る。

【００１７】

【実施例】

（実施例１）図１は、この発明の実施例１に係る高，強
誘電体薄膜キャパシタの断面構造を示す。図中の符番１
は、Ｓｉ基板である。なお、Ｓｉ基板の代わりにガラス
基板でもよい。この基板１上には、高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの下層２が形成されている。ここで、下層２
は、ＳｉＯ₂ 、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＮＳＧ、ＳｉＮ等の
絶縁膜を０．５μｍの膜厚であるいはそれらの絶縁膜を
介して多結晶シリコン膜をＣＶＤで０．５μｍの膜厚で
形成した。この下層２上には、酸化物からなる第一層３
ａ及び金属からなる第二層３ｂの２層で構成される第１
の電極３が形成されている。ここで、第１の電極３の第
一層３ａとしてＩＴＯをスパッタ、ＣＶＤ、蒸着、イオ
ンプレ−ティングなどで０．０５〜０．２μｍの膜厚で
形成し、その後連続もしくは５００℃以上の熱処理後に
その上に第１の電極の第二層３ｂとして白金をスパッ
タ、ＣＶＤ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで０．２
μｍの膜厚で形成した。この第１の電極３の第二層３ｂ
上にはＰＺＴなどからなる膜厚０．３μｍの高、強誘電
体膜４が形成され、さらにその上に酸化物（ＩＴＯ）か
らなる第２の電極５が形成されている。

【００１８】こうした構成のキャパシタは、次のように
して作製する。まず、基板１上に下層２を水蒸気熱酸化
もしくはＣＶＤにより形成する。次に、前記下層２上に
第１の電極の第一層３ａとしてＩＴＯをスパッタ、ＣＶ
Ｄ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで０．０５〜０．
２μｍの膜厚で形成し、その後連続もしくは５００℃以
上の熱処理後にその上に第１の電極３の第二層３ｂとし
て白金をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着、イオンプレ−ティン
グなどで０．２μｍの膜厚で形成した。その後、５００
℃以上の熱処理後に白金上にＰＺＴ等高，強誘電体膜４
をゾル−ゲル法によって０．３μｍの膜厚で成膜および
５００℃以上の熱処理を行った。更に、高、強誘電体膜
４上に、第２の電極５としてＩＴＯをスパッタ、ＣＶ
Ｄ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで形成し、しかる
後に５００℃以上の熱処理を施した。

【００１９】この実施例１の構造において、第１の電極
３の第一層３ａのＩＴＯは下層２の絶縁膜もしくは多結
晶シリコン膜と良好な接着性を示したので、最終工程ま
で剥離が発生せず、またＸＰＳ等による元素のデプスプ
ロファイル分析の結果、下層からのＳｉ等の拡散物がな
いことが確認できた。また、本実施例１の構造における
高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス特性、電圧
−電流特性、誘電率特性を夫々図１０、１１、１２に示
し、図１３、１４、１５には第１の電極の第二層の白金
がない構造つまり第１の電極がＩＴＯのみの構造におけ
る高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス特性、電
圧−電流特性、誘電率特性を示した。

【００２０】図１０〜図１５により、実施例１の構造に
おける高，強誘電体薄膜キャパシタでは、分極量が大き
く抗電界が小さいヒステリシス特性となり、電圧−電流
特性からリ−ク電流が小さく耐圧が大きいことがわか
る。また、誘電率においても周波数に依存せず、一定の
高誘電率を示していることがわかる。更に、これらの特
性は経時的にも安定していた。従って、白金は高，強誘
電体薄膜キャパシタのヒステリシス、リ−ク電流、耐
圧、誘電率等の特性を最良および安定にする役目をして
いることがわかる。

【００２１】更に、第２の電極５となるＩＴＯ（酸化
物）は高，強誘電体膜４との良好な接着力を示し、最終
工程まで剥離が発生しなかった。また、従来例では第２
の電極として融点が低いＡｌを使用しているために第２
の電極を形成後に５００℃以上の熱処理が行えないこと
から、高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス特性
等に不安定な面があった。しかしながら、本構造の酸化
物を第２の電極として用いれば５００℃以上の熱処理を
行っても、高，強誘電体膜への酸化物の拡散が発生しな
いので、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定したヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得られる
ことがわかった。

【００２２】以上より、実施例１によれば、従来から問
題であった第２の電極と高，強誘電体薄膜界面からの剥
離れを防ぐことが可能となり、さらに高、強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧、誘電率の特性を得ることができた。

【００２３】なお、上記実施例１では、第１の電極の第
一層の材料としてＩＴＯを、第二層の材料として白金を
用いた場合について述べたが、これに限定されない。例
えば、ＩＴＯの代わりに酸化スズ、酸化インジウム、酸
化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オス
ミウム、酸化イリジウムを用い、また白金の代わりにパ
ラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レニウム、オス
ミウム、イリジウムを用いた場合でも、同様に第２の電
極と高，強誘電体膜界面からの剥離を防ぐことが可能と
なり、さらに高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および
安定したヒステリシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の
特性を得ることができた。

【００２４】（実施例２）図２は、この発明の実施例２
に係る高，強誘電体薄膜キャパシタとＭＯＳトランジス
タからなるメモリ装置の１セルの断面構造を示す。ここ
で、図１と同部材は同符号を付して説明を省略する。Ｓ
ｉ基板１の表面にはフィールド酸化膜21が形成され、こ
のフィールド酸化膜21でかこまれた基板１の素子領域に
はソース領域（Ｓ）22，ドレイン領域（Ｄ）23が形成さ
れている。前記ソース領域22，ドレイン領域23間の素子
領域上には、ゲート絶縁膜24を介してゲート電極25が形
成されている。ここで、前記ソース領域22，ドレイン領
域23及びゲート電極25によりＭＯＳトランジスタが構成
されている。

【００２５】前記フィールド酸化膜21を含む基板１上に
は絶縁膜26が形成されており、前記トランジスタの近傍
の絶縁膜26上に第一層３ａと第二層３ｂからなる第１の
電極３、高，強誘電体膜４、第２の電極５の順に積層し
た高，強誘電体薄膜キャパシタが形成されている。

【００２６】前記キャパシタを含む前記絶縁膜26上に
は、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等からなる厚さ０．５μｍの層間絶縁膜
27が形成されている。前記ソース領域22，ドレイン領域
に対応する前記層間絶縁膜27、絶縁膜26にはコンタクト
ホール28ａ，28ｂが夫々形成されている。前記キャパシ
タの第１の電極３の第二層３ｂ、第２の電極５に対応す
る前記層間絶縁膜27には、コンタクトホール28ｃ，28ｄ
が夫々形成されている。前記コンタクトホール28ａと28
ｃ，28ｂ，28ｄには、ソース領域22及び第２の電極５に
接続する配線電極29ａ、ドレイン領域23に接続するビッ
ト配線電極29ｂ、第１の電極３の第二層３ｂに接続する
ドライブ配線電極29ｃが夫々接続されている。

【００２７】こうした構成のメモリ装置は、次のように
して製造する。即ち、フィ−ルド酸化膜21からソース領
域22、ドレイン領域23及びゲ−ト電極25からなるＭＯＳ
トランジスタの形成までは一般的に知られている半導体
製造工程で形成した。その後、絶縁膜26から第１の電極
３の第一層としてＩＴＯ、第１の電極３の第二層として
白金、高，強誘電体膜４のＰＺＴ、第２の電極５として
ＩＴＯの順に積層した高，強誘電体薄膜キャパシタの形
成は実施例１と同様な工程で作製した。つづいて、層間
絶縁膜27をＣＶＤ、スピンコ−ト法等で０．５μｍの膜
厚で形成し、更にＲＩＥ等で配線電極29ａ、ビット配線
電極29ｂ、ドライブ配線電極29ｃを接続するためのコン
タクトホ−ル28ａ〜28ｄを形成し、しかる後にＡｌ等か
らなる配線電極29ａ、ビット配線電極29ｂ、ドライブ配
線電極29ｃを１μｍの膜厚で形成して図２のメモリ装置
を製造した。

【００２８】実施例２によるメモリ装置によれば、高，
強誘電体薄膜キャパシタにおいて実施例１と同様、従来
から問題であった第２の電極と高，強誘電体膜界面から
の剥離を防ぐことが可能となり、更に高，強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることができた。従っ
て、書き込み、読み出しが安定したメモリ装置が可能と
なった。

【００２９】なお、実施例２のＩＴＯの代わりに酸化ス
ズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、
酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムを用
い、白金の代わりにパラジウム、金、ルテニウム、ロジ
ウム、レニウム、オスミウム、イリジウムを用いた場合
でも、同様に第２の電極と高、強誘電体薄膜界面からの
剥離を防ぐことが可能となり、更に高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧、誘電率等の特性を得ることができた。従っ
て、書き込み、読み出しが安定したメモリ装置が可能と
なった。

【００３０】（実施例３）図３、この発明の実施例３に
係る高，強誘電体薄膜キャパシタとＭＯＳトランジスタ
からなるメモリ装置の１セルの断面構造を示す。ここ
で、図１，図２と同部材は同符号を付して説明を省略す
る。実施例３は、実施例２と比べ、高、強誘電体薄膜キ
ャパシタの第２の電極５，第１の電極３の第二層３ｂに
対応する層間絶縁膜27にコンタクトホール31，32が夫々
形成されている点、ＭＯＳトランジスタのソース領域2
2，前記キャパシタの第１の電極３の第二層３ｂに夫々
接続する配線電極33が形成されている点、前記キャパシ
タの第２の電極５に接続するドライブ配線電極34が形成
されている点が異なる。

【００３１】こうした構成のメモリ装置は、次のように
して製造する。即ち、フィ−ルド酸化物21からソース領
域22、ドレイン領域23及びゲ−ト電極25からなるＭＯＳ
トランジスタの形成までは一般的に知られている半導体
製造工程で形成した。その後、絶縁膜26から第１の電極
３の第一層としてＩＴＯ、第１の電極３の第二層として
白金、高，強誘電体膜４のＰＺＴ、第２の電極５として
ＩＴＯの順に積層した高，強誘電体薄膜キャパシタの形
成は実施例１と同様な工程で作製した。つづいて、層間
絶縁膜27をＣＶＤ、スピンコ−ト法等で０．５μｍの膜
厚で形成し、更にＲＩＥ等で配線電極33、ビット配線電
極29ａ、ドライブ配線電極34を接続するためのコンタク
トホ−ル28，32，28ｂ，31を形成し、しかる後にＡｌ等
からなる配線電極33、ビット配線電極29ｂ、ドライブ配
線電極34を１μｍの膜厚で形成して図３のメモリ装置を
製造した。

【００３２】実施例３によるメモリ装置によれば、高，
強誘電体薄膜キャパシタにおいて実施例１と同様、従来
から問題であった第２の電極と高，強誘電体膜界面から
の剥離を防ぐことが可能となり、更に高，強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることができた。従っ
て、書き込み、読み出しが安定したメモリ装置が可能と
なった。

【００３３】なお、実施例３のＩＴＯの代わりに酸化ス
ズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、
酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムを用
い、白金の代わりにパラジウム、金、ルテニウム、ロジ
ウム、レニウム、オスミウム、イリジウムを用いた場合
でも、実施例３と同様に第２の電極と高，強誘電体薄膜
界面からの剥離を防ぐことが可能となり、さらに高、強
誘電体薄膜キャパシタの最良および安定したヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることがで
きた。従って、書き込み、読み出しが安定したメモリ装
置が可能となった。

【００３４】（実施例４）図４は、この発明の実施例４
に係る高，強誘電体薄膜キャパシタとＭＯＳトランジス
タからなるメモリ装置の１セルの断面構造を示す。ここ
で、図１，図２及び図３と同部材は同符号を付して説明
を省略する。実施例４では、ＭＯＳトランジスタのソー
ス領域22上に、酸化物（ＩＴＯ）からなる第一層３ａ及
び白金からなる第二層３ｂから構成される第１の電極
３、該電極３上に形成されたＰＺＴからなる高，強誘電
体膜４、及び酸化物（ＩＴＯ）からなる第２の電極５を
順次積層して構成される高，強誘電体薄膜キャパシタが
形成されている。また、前記キャパシタの第２の電極５
にはドライブ配線電極34が接続している。

【００３５】こうした構成のメモリ装置は、次のように
して製造される。即ち、まずフィ−ルド酸化膜21からソ
ース領域22，ドレイン領域23及びゲート電極25からなる
ＭＯＳトランジスタの形成までは一般的に知られている
半導体製造工程で形成した。次に、ＳｉＯ₂ 、ＢＰＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＮＳＧ、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の絶縁膜26を０．５
μｍの膜厚で形成し、つづいてソ−ス領域22に対応する
絶縁膜26をＲＩＥ等で選択的にエッチングし、コンタク
トホール41を形成した。更に、第１の電極３、高，強誘
電体膜４、及び第２の電極５の順に積層した高、強誘電
体薄膜キャパシタの形成は実施例１と同様な工程でソ−
ス領域22上に作製した。つづいて、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等からな
る層間絶縁膜27をＣＶＤ、スピンコ−ト法等で０．５μ
ｍの膜厚で形成し、その後ＲＩＥ等で、ビット配線電極
29ｂ、ドライブ配線電極34を接続するためのコンタクト
ホ−ルを形成し、しかる後にＡｌ等からなるビット配線
電極29ｂ、ドライブ配線電極34を１μｍの膜厚で形成
し、メモリ装置を製造した。

【００３６】実施例４によるメモリ装置によれば、高，
強誘電体薄膜キャパシタにおいて実施例１と同様、従来
から問題であった第２の電極と高，強誘電体膜界面から
の剥離を防ぐことが可能となり、更に高，強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることができた。ま
た、高，強誘電体薄膜キャパシタをＭＯＳトランジスタ
のソ−ス領域22上に配線したので１セルの占領面積が小
さくできた。従って、書き込み、読み出しが安定し、且
つ高密度なメモリ装置が可能となった。

【００３７】また、上記実施例４において、ＩＴＯの代
わりに酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸
化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリ
ジウムを用い、白金の代わりにパラジウム、金、ルテニ
ウム、ロジウム、レニウム、オスミウム、イリジウムを
用いた場合でも、実施例４と同様に第２の電極と高，強
誘電体薄膜界面からの剥離を防ぐことが可能となり、さ
らに高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得
ることができた。従って、書き込み、読み出しが安定
し、且つ高密度なメモリ装置が可能となった。

【００３８】（実施例５）図５は、この発明に係る実施
例５の高，強誘電体薄膜キャパシタの断面構造を示す。
但し、図１と同部材は同符号を付して説明を省略する。
Ｓｉもしくはガラスからなる基板１上には、高，強誘電
体薄膜キャパシタの下層２が形成されている。ここで、
下層２は、ＳｉＯ₂ 、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＮＳＧ、Ｓｉ
Ｎ等の絶縁膜を０．５μｍの膜厚であるいはそれらの絶
縁膜を介して多結晶シリコン膜をＣＶＤで０．５μｍの
膜厚で形成した。前記下層２上には、ＩＴＯ（酸化物）
からなる第一層３ａ及びその上に形成された白金からな
る第二層３ｂの２層から構成される第１の電極３が形成
されている。第１の電極３の第二層３ｂ上には、ＰＺＴ
等の高，強誘電体膜４が形成されている。前記高，強誘
電体膜４上には、ＩＴＯ（酸化物）からなる第一層51ａ
及びその上のＡｌからなる第二層51ｂの２層から構成さ
れる第２の電極51が形成された構造になっている。

【００３９】こうした構成の高，強誘電体薄膜キャパシ
タは、次のようにして製造される。即ち、まず、Ｓｉも
しくはガラス基板１上に、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２としてＳｉＯ₂ 、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＮＳＧ、
ＳｉＮ等の絶縁膜を０．５μｍの膜厚であるいはそれら
の絶縁膜を介して多結晶シリコン膜をＣＶＤで０．５μ
ｍの膜厚で形成した。つづいて、その上に第１の電極３
の第一層３ａとしてＩＴＯをスパッタ、ＣＶＤ、蒸着、
イオンプレ−ティングなどで０．０５〜０．２μｍの膜
厚で形成し、その後連続もしくは５００℃以上の熱処理
後にその上に第１の電極３の第二層３ｂとして白金をス
パッタ、ＣＶＤ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで
０．２μｍの膜厚で形成した。その後、５００℃以上の
熱処理後に白金上にＰＺＴ等の高、強誘電体膜４をゾル
ゲ−ル法によって０．２μｍの膜厚で成膜および５００
℃以上の熱処理を行った。更に、高，強誘電体膜４上に
第２の電極51の第一層51ａとしてＩＴＯをスパッタ、Ｃ
ＶＤ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで形成し、しか
る後に５００℃以上の熱処理を施した。ひきつづき、第
２の電極51の第二層51ｂとしてＡｌを１μｍの膜厚で形
成し、高，強誘電体薄膜キャパシタを製造した。

【００４０】上記実施例５の構造において、第１の電極
３の第一層３ａのＩＴＯは、下層２の絶縁膜もしくは多
結晶シリコン膜と良好な接着性を示したので、最終工程
まで剥離が発生せず、またＸＰＳ等による元素のデプス
プロファイル分析の結果、下層からのＳｉ等の拡散物な
ないことが確認できた。また本実施例構造における高，
強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス特性、電圧−電
流特性、誘電率特性をそれぞれ図１０、１１、１２に示
し、図１３、１４、１５には第１の電極３の第二層３ａ
の白金がない構造，つまり第１の電極がＩＴＯのみの構
造における高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス
特性、電圧−電流特性、誘電率特性を示した。

【００４１】本実施例構造における高，誘電体薄膜キャ
パシタでは、分極量が大きく抗電界が小さいヒステリシ
ス特性となり、電圧−電流特性からリ−ク電流が小さく
耐圧が大きいことがわかる。また、誘電率においても周
波数に依存せず一定の高誘電率を示していることがわか
る。更に、これらの特性は経時的にも安定していた。従
って、白金は高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を最良および安
定にする役目をしていることがわかる。

【００４２】また、ＩＴＯ（酸化膜）からなる第一層51
ａは、高，強誘電体膜４との良好な接着力を示し、最終
工程まで剥離が発生しなかった。更に、従来例では第２
の電極として融点が低いＡｌのみを使用しているために
第２の電極を形成後に５００℃以上の熱処理が行えない
ことから、高，強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス
特性等に不安定な面があった。しかしながら、本構造の
ような２層構造の第２の電極51構造を用いれば、第２の
電極51の第一層51ａを形成後に５００℃以上の熱処理を
行い、しかる後に第２の電極51の第二層51ｂのＡｌを形
成できるので、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得
られ、且つ第２の電極51の低抵抗化を維持することがで
きた。

【００４３】以上より実施例５によれば、従来から問題
であった第２の電極と高，強誘電体膜界面からの剥離を
抵抗を増大させることなく防ぐことが可能となり、さら
に高、強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定したヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得る
ことができた。

【００４４】なお、実施例５の第１の電極の第一層，第
２の電極の第二層のＩＴＯの代わりに酸化スズ、酸化イ
ンジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニウ
ム、酸化オスミウム、酸化イリジウムを用い、第１の電
極の第二層の白金の代わりにパラジウム、金、ルテニウ
ム、ロジウム、レニウム、オスミウム、イリジウムを用
い、第２の電極の第二層のＡｌの代わり銅を用いたた場
合でも同様に第２の電極と高，強誘電体薄膜界面からの
剥離を防ぐことが可能となり、さらに高，強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定したヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることができた。

【００４５】（実施例６）図６は、この発明に係る実施
例６の高，強誘電体薄膜キャパシタの断面構造を示す。
但し、図１，図５と同部材は同符号を付して説明を省略
する。Ｓｉもしくはガラスからなる基板１上には、高，
強誘電体薄膜キャパシタの下層２が形成されている。こ
こで、下層２は、ＳｉＯ₂ 、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＮＳ
Ｇ、ＳｉＮ等の絶縁膜を０．５μｍの膜厚であるいはそ
れらの絶縁膜を介して多結晶シリコン膜をＣＶＤで０．
５μｍの膜厚で形成した。前記下層２上には、ＩＴＯ
（酸化物）からなる第１の電極61が形成されている。こ
の第１の電極61上には、ＰＺＴ等の高，強誘電体膜４が
形成されている。この高，強誘電体膜４上には、ＩＴＯ
（酸化物）からなる第一層51ａ及びその上のＡｌからな
る第二層51ｂの２層から構成される第２の電極51が形成
された構造になっている。

【００４６】こうした構成の高，強誘電体薄膜キャパシ
タは、次のようにして製造される。即ち、まず、基板１
上に高，強誘電体薄膜キャパシタの下層２としてＳｉＯ
₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＮＳＧ、ＳｉＮ等の絶縁膜を
０．５μｍの膜厚であるいはそれらの絶縁膜を介してＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜をＣＶＤで０．５μｍの膜厚で形成し
た。次に、その上に第１の電極61としてＩＴＯをスパッ
タ、ＣＶＤ、蒸着、イオンプレ−ティングなどで０．２
μｍの膜厚で形成し、その後５００℃以上の熱処理後に
ＰＺＴ等の高，強誘電体膜４をゾル−ゲル法によって
０．２μｍの膜厚で成膜および５００℃以上の熱処理を
行った。その後、高，強誘電体膜４上に第２の電極51の
第一層51ａとしてＩＴＯをスパッタ、ＣＶＤ、蒸着、イ
オンプレ−ティングなどで形成し、しかる後に５００℃
以上の熱処理を施した。更に、第２の電極51の第二層51
ｂとしてＡｌを１μｍの膜厚で形成した。

【００４７】この実施例６の構造において、第１の電極
61のＩＴＯは下層２の絶縁膜もしくは多結晶シリコン膜
と良好な接着性を示したので最終工程まで剥離が発生せ
ず、またＸＰＳ等による元素のデプスプロファイル分析
の結果、下層からのＳｉ等の拡散物がないことが確認で
きた。また、第２の電極51の第一層（ＩＴＯ）51ａは、
高，強誘電体膜４との良好な接着力を示し最終工程まで
剥離が発生しなかった。

【００４８】更に、従来例では第２の電極として融点が
低いＡｌのみを使用しているために、第２の電極を形成
後に５００℃以上の熱処理が行えないことから、高，強
誘電体薄膜キャパシタのヒステリシス特性等に不安定な
面があった。しかしながら、本構造のような２層構造の
第２の電極51構造を用いれば第２の電極51の第一層（Ｉ
ＴＯ）51ａを形成後に５００℃以上の熱処理を行い、し
かる後に第２の電極の第二層（Ａｌ）51ｂを形成できる
ので、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定したヒステリ
シス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得られ、且
つ第２電極の低抵抗化を維持することができた。

【００４９】以上より、実施例６によれば、従来から問
題であった第２の電極と高，強誘電体膜界面からの剥離
を抵抗を増大させることなく防ぐことが可能となり、さ
らに高、強誘電体薄膜キャパシタの安定したヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性を得ることがで
きた。

【００５０】また、実施例６の第１の電極，第２の電極
の第一層のＩＴＯの代わりに酸化スズ、酸化インジウ
ム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸
化オスミウム、酸化イリジウムを用い、第２の電極の第
２層のＡｌの代わり銅を用いたた場合でも、同様に第２
の電極と高，強誘電体薄膜界面からの剥離を防ぐことが
可能となり、さらに高，強誘電体薄膜キャパシタの安定
したヒステリシス、リ−ク電流、耐圧、誘電率等の特性
を得ることができた。

【００５１】以上、実施例に基づいて説明しきたが、本
明細書中には以下の発明が含まれる。 １．（実施例１に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂ
として金属が形成されている。第１の電極の第二層上に
は高，強誘電体膜５が形成され、さらにその上に第２の
電極５として酸化物が形成されている構造になってい
る。

【００５２】［作用］ この構造において第一層（酸化
物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下
層からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。また、
第二層（金属）４は高，強誘電体薄膜キャパシタの最良
および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐
圧等の特性を引き出す役目をする。更に、第二の電極
（酸化物）５は、高，強誘電体膜４との良好な接着力を
持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施して
も高、強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００５３】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極と高，強誘電体膜界面の接
着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、酸化
物は５００℃以上の熱処理を施しても高，強誘電体膜へ
の拡散等の影響を及ぼさないので、第２の電極５形成後
の高温熱処理が可能となる。従って、高，誘電体薄膜キ
ャパシタの安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧等の特性を得ることができる。更に、第１の電
極３の第一層３ａとして酸化物を用い第１の電極３の第
二層３ｂとして金属の構造にすることにより、酸化物は
下層２との接着層の役割を果たすと共に下層からのＳｉ
等の拡散物を阻止する働きをし、且つ金属第二層（金
属）３ｂは高、強誘電体薄膜キャパシタの最良および安
定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特
性を引き出す役目をしてくれる。従って膜剥離が発生せ
ず、且つ高，強誘電体膜キャパシタの最良および安定し
た誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を
持つ半導体装置を得ることができる。

【００５４】２．（実施例１に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
導電性酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二
層３ｂとして金属が形成されている。第１の電極３の第
二層３ｂ上には高，強誘電体膜４が形成され、さらにそ
の上に第２の電極５として導電性酸化物が形成されてい
る構造になっている。

【００５５】［作用］ この構造において、第１の電極
３の第一層（導電性酸化物）３ａは下層２との接着層の
役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻
止する働きをする。また、第１の電極３の第二層（金
属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および
安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の
特性を引き出す役目をする。更に、第２の電極（導電性
酸化物）５は高，強誘電体膜４との良好な接着力を持っ
ていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施しても
高、強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００５６】［効果］ 第２の電極５として導電性酸化
物を用いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜
４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。
また、第２の電極（導電性酸化物）５は５００℃以上の
熱処理を施しても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及
ぼさないので、第２の電極形成後の高温熱処理が可能と
なる。従って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得
ることができる。更に、第１の電極３の第一層３ａとし
て導電性酸化物を用い、第１の電極３の第二層３ｂとし
て金属の構造にすることにより、第一層（導電性酸化
物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に下層
からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをし、且つ第一層
（金属）３ｂは高，強誘電体薄膜キャパシタの最良およ
び安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等
の特性を引き出す役目をしてくれる。従って、膜剥離が
発生せず、且つ高、強誘電体薄膜キャパシタの最良およ
び安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等
の特性を持つ半導体装置を得ることができる。

【００５７】３．（実施例１に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂ
として高融点金属が形成されている。第１の電極３の第
二層３ｂ上には高，強誘電体膜４が形成され、さらにそ
の上に第２の電極５として酸化物が形成されている構造
になっている。

【００５８】［作用］ この構造において、第１の電極
３の第一層（酸化物）３ａは下層２との接着層の役割を
果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する
働きをする。また、第１の電極３の第二層（高融点金
属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および
安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の
特性を引き出す役目をする。更に、酸化物１０６は高、
強誘電体膜１０５との良好な接着力を持っていると共
に、５００℃以上の高温熱処理を施しても高、強誘電体
膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００５９】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、
第２の電極（酸化物）５は、５００℃以上の熱処理を施
しても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないの
で第２電極形成後の高温熱処理が可能となる。従って、
高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができ
る。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物を用
い第１の電極３の第二層３ｂとして高融点金属の構造に
することにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との接
着層の役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡散
物を阻止する働きをし、且つ第１の電極３の第二層（高
融点金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良
および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐
圧等の特性を引き出す役目をしてくれる。従って膜剥離
が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパシタの最良お
よび安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧
等の特性を持つ半導体装置を得ることができる。

【００６０】４．（実施例１に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イ
リジウムのうち少なくとも一つを主成分としている酸化
物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂとし
て金属が形成されている。第１の電極３の第二層３ｂ上
には、高，強誘電体膜45が形成され、さらにその上に第
２の電極５としてＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、
酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オ
スミウム、酸化イリジウムのうち少なくとも一つを主成
分としている酸化物が形成されている構造になってい
る。

【００６１】［作用］ この構造においてＩＴＯ、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウ
ム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムの
うち少なくとも一つを主成分としている第一層（酸化
物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下
層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシ
タの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。更に、ＩＴ
Ｏ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化
ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジ
ウムのうち少なくとも一つを主成分としている第２の電
極（酸化物）５は、高，強誘電体膜４との良好な接着力
を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施し
ても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがな
い。

【００６２】［効果］ 第２の電極５としてＩＴＯ、酸
化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウ
ム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムの
うち少なくとも一つを主成分としている酸化物を用いる
ことにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面の接
着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、第２
の電極（酸化物）５は、５００℃以上の熱処理を施して
も高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないので第
２電極形成後の高温熱処理が可能となる。従って、高，
強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができる。更
に、第１電極３の第一層３ａとしてＩＴＯ、酸化スズ、
酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化
レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムのうち少な
くとも一つを主成分としている酸化物を用い、第１電極
３の第二層３ｂとして高融点金属の構造にすることによ
り、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウ
ム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸
化イリジウムのうち少なくとも一つを主成分としている
第一層（酸化物）３ａは下層２との接着層の役割を果た
すと共に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働き
をし、且つ第二層（金属）３ｂは高，強誘電体薄膜キャ
パシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ
−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をしてくれる。
従って、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャ
パシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ
−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることが
できる。

【００６３】５．（実施例１に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂ
として白金、パラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、
レニウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも一
つを主成分としている金属が形成されている。第１の電
極３の第二層３ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成さ
れ、さらにその上に第２の電極５として酸化物が形成さ
れている構造になっている。

【００６４】［作用］ この構造において、第一層（酸
化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、
下層からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、白金、パラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レ
ニウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも一つ
を主成分としている第二層（金属）３ｂは、高，強誘電
体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をす
る。更に、第２の電極（酸化物）５は、高，強誘電体膜
４との良好な接着力を持っていると共に、５００℃以上
の高温熱処理を施しても高，強誘電体膜に拡散等の影響
を及ぼすことがない。

【００６５】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、
第２の電極（酸化物）５は、５００℃以上の熱処理を施
しても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないの
で、第２の電極５形成後の高温熱処理が可能となる。従
って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることが
できる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物
を用い、第１の電極３の第二層３ｂとして白金、パラジ
ウム、金、ルテニウム、ロジウム、レニウム、オスミウ
ム、イリジウムのうち少なくとも一つを主成分としてい
る金属の構造にすることにより、第一層（酸化物）３ａ
は下層２との接着層の役割を果たすと共に、下層２から
のＳｉ等の拡散物を阻止する働きをし、且つ白金、パラ
ジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レニウム、オスミ
ウム、イリジウムのうち少なくとも一つを主成分として
いる第二層（金属）３ｂは高，強誘電体薄膜キャパシタ
の最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧等の特性を引き出す役目をしてくれる。従っ
て、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパシ
タの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることができ
る。

【００６６】６．（実施例２に対応） ［構成］ 基板１上にはゲ−ト電極25、ソース領域22、
ドレイン領域23から構成されるＭＯＳトランジスタが形
成されている。また、ＭＯＳトランジスタの近傍の絶縁
膜26上に第１の電極３の第一層３ａとして酸化物、第１
の電極３の第二層３ｂとして金属、高，強誘電体膜４、
第２の電極５として酸化物の順で積層された高，強誘電
体薄膜キャパシタが形成されており、第２の電極（酸化
物）５とＭＯＳトランジスタのソ−ス領域22とを配線電
極29ａで結線し、第１の電極３の第二層（金属）３ｂを
ドライブ配線電極29ｃと接続した構造からなるメモリ装
置。

【００６７】［作用］ この構造によれば、高，強誘電
体薄膜キャパシタの第一層（酸化物）３ａは下層２との
接着層の役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡
散物を阻止する働きをする。また、第二層（金属）３ｂ
は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引
き出す役目をする。更に、第２の電極（酸化物）５は、
高，強誘電体膜４との良好な接着力を持っていると共
に、５００℃以上の高温熱処理を施しても高、強誘電体
膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００６８】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、
第２の電極（酸化物）５は、５００℃以上の熱処理を施
しても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないの
で、第２の電極５形成後の高温熱処理が可能となる。従
って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることが
できる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物
を用い、第１の電極３の第二層３ｂとして金属の構造に
することにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との接
着層の役割を果たすと共に下層からのＳｉ等の拡散物を
阻止する働きをし、且つ第二層（金属）３ｂは高，強誘
電体薄膜キャパシタの最良及び安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をし
てくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ最良及び安
定した誘電性、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特
性を持つ高，強誘電性薄膜キャパシタとなるので、書き
込み、読み出しが安定な高密度メモリ装置が可能とな
る。

【００６９】７．（実施例３に対応） ［構成］ 基板１上にはゲ−ト電極25、ソース領域22、
ドレイン領域23から構成されるＭＯＳトランジスタが形
成されている。また、ＭＯＳトランジスタの近傍の絶縁
膜26上に第１の電極３の第一層３として酸化物、第１の
電極３の第二層３ｂとして金属、高，強誘電体膜４、第
２の電極５として酸化物の順で積層された高，強誘電体
薄膜キャパシタが形成されており、第１の電極３の第二
層（金属）３ｂとＭＯＳトランジスタのソ−ス領域22と
を配線電極33で結線し、第２の電極５をドライブ配線電
極29ｃと接続した構造からなるメモリ装置。

【００７０】［作用］ この構造によれば、高，強誘電
体薄膜キャパシタの第一層（酸化物）３ａは下層２との
接着層の役割を果たすと共に、下層から２のＳｉ等の拡
散物を阻止する働きをする。また、第二層（金属）３ｂ
は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引
き出す役目をする。更に、第２の電極（酸化物）５は、
高，強誘電体膜４との良好な接着力を持っていると共
に、５００℃以上の高温熱処理を施しても高，強誘電体
膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。

【００７１】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、
第２の電極（酸化物）５は、５００℃以上の熱処理を施
しても高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさない
ので、第２の電極５形成後の高温熱処理が可能となる。
従って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電
率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得るこ
とができる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸
化物を用い、第１の電極３の第二層３ｂとして金属の構
造にすることにより、第一層（酸化物）３ａは下層２と
の接着層の役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の
拡散物を阻止する働きをし、且つ第二層（金属）３ｂは
高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電
率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出
す役目をしてくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ
最良及び安定した誘電性、ヒステリシス、リ−ク電流、
耐圧等の特性を持つ高，強誘電性薄膜キャパシタとなる
ので、書き込み、読み出しが安定な高密度メモリ装置が
可能となる。

【００７２】８．（実施例４に対応） ［構成］ 基板１上にはゲ−ト電極25、半導体拡販領域
であるソース領域22、ドレイン領域23から構成されるＭ
ＯＳトランジスタが形成されている。また、前記ソ−ス
領域22上には、第１の電極３の第一層３ａとして酸化
物、第１の電極３の第二層３ｂとして金属、高，強誘電
体膜４、第２の電極５として酸化物の順で積層された
高，強誘電体薄膜キャパシタが形成されており、第２の
電極（酸化物）５とドライブ配線電極34を接続した構造
からなるメモリ装置。

【００７３】［作用］ この構造によれば、高，強誘電
体薄膜キャパシタの第一層（酸化物）３ａは下層２との
接着層の役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡
散物を阻止する働きをする。また、第２層（金属）３ｂ
は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引
き出す役目をする。更に、第２の電極（酸化物）５は、
高，強誘電体膜４との良好な接着力を持っていると共
に、５００℃以上の高温熱処理を施しても高，強誘電体
膜に拡散等の影響を及ぼすことがない。更には、高，強
誘電体薄膜キャパシタがソ−ス領域22上に直接形成され
ているので、１メモリセルの占領面積を小さくできる。

【００７４】［効果］ 第２の電極５として酸化物を用
いることにより、第２の電極５と高，強誘電体膜４界面
の接着力が良好となるので膜剥離を防止できる。また、
第２の電極（酸化物）５は５００℃以上の熱処理を施し
ても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないの
で、第２の電極５形成後の高温熱処理が可能となる。従
って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることが
できる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物
を用い、第１の電極３の第二層３ｂとして金属の構造に
することにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との接
着層の役割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散物
を阻止する働きをし、且つっ第二層（金属）３ｂは高，
強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役
目をしてくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ最良
及び安定した誘電性、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧
等の特性を持つ高、強誘電性薄膜キャパシタとなるの
で、書き込み、読み出しが安定な高密度メモリ装置が可
能となる。更には、高，強誘電体薄膜キャパシタがソ−
ス領域22上に直接形成されているので、１メモリセルの
占領面積を小さくでき、従って高密度なメモリ装置が可
能となる。

【００７５】９．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂ
として金属が形成されている。第１の電極３の第二層３
ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、その上に第２
の電極51の第一層51ａとして酸化物が形成され、さらに
その上に第２の電極51の第二層51ｂとして金属が形成さ
れている構造になっている。

【００７６】［作用］ この構造において、第一層（酸
化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、
下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシ
タの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧等どの特性を引き出す役目をする。更に、第
一層（酸化物）51ａは高，強誘電体膜４との良好な接着
力を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施
しても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがな
い。更には、第二層（金属）51ｂは、第２の電極51の抵
抗を下げる作用をする。

【００７７】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで、第２の電極51の低抵抗化となる。また、第一層
（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので、
第２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従っ
て、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることがで
きる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物を
用い、第１の電極３の第二層３ｂとして金属の構造にす
ることにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との接着
層の役割を果たすと共に、下層３からのＳｉ等の拡散物
を阻止する働きをし、且つ第二層（金属）３ｂは高，強
誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目
をしてくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ高、強
誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装
置を得ることができる。

【００７８】１０．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
導電性酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二
層３ｂｂとして金属が形成されている。第１の電極３の
第二層３ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、その
上に第２の電極51の第一層51ａとして導電性酸化物が形
成され、さらにその上に第２の電極51の第二層51ｂとし
て金属が形成されている構造になっている。

【００７９】［作用］ この構造において、第一層（導
電性酸化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと
共に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをす
る。また、第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。更
に、第一層（導電性酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４
との良好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の
高温熱処理を施しても高，強誘電体膜に拡散等の影響を
及ぼすことがない。更には、第二層（金属）51ｂは、第
２の電極51の抵抗を下げる作用をする。

【００８０】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て導電性酸化物を用いることにより、第２の電極51と
高，強誘電体４膜界面の接着力が良好となるので膜剥離
を防止でき、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属
を用いることで第２の電極51の低抵抗化となる。また、
第一層（導電性酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理
を施しても高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさな
いので、第２の電極51形成後の高温熱処理が可能となり
従って、高、強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電
率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得るこ
とができる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして導
電性酸化物を用い、第１の電極３の第二層３ｂｂとして
金属の構造にすることにより、第一層（導電性酸化物）
３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下層２
からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをし、且つ第二層
（金属）３ｂは高，強誘電体薄膜キャパシタの最良およ
び安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等
の特性を引き出す役目をしてくれる。従って、膜剥離が
発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパシタの最良およ
び安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等
の特性を持つ半導体装置を得ることができる。

【００８１】１１．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ａ
として高融点金属が形成されている。第１の電極３の第
二層３ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、さらに
その上に第２の電極51の第二層51ａとして酸化物が形成
され、さらにその上に第２の電極51の第二層51ａとして
金属が形成されている構造になっている。

【００８２】［作用］ この構造において、第一層（酸
化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、
下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第二層（高融点金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。更
に、第一層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良
好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の高温熱
処理を施しても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼす
ことがない。更には、第二層（金属）51ｂは、第２の電
極51の抵抗を下げる作用をする。

【００８３】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで、第２の電極51の低抵抗化となる。また、第一層
（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないので、第
２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従って、
高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができ
る。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物を用
い、第１の電極３の第二層３ｂとして高融点金属の構造
にすることにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との
接着層の役割を果たすと共に、下層からのＳｉ等の拡散
物を阻止する働きをし、且つ第二層（高融点金属）３ｂ
は、高，強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引
き出す役目をしてくれる。従って、膜剥離が発生せず、
且つ高、強誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した
誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持
つ半導体装置を得ることができる。

【００８４】１２．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層２ａとして
酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂ
として金属が形成されている。第１の電極３の第二層３
ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、さらにその上
に第２の電極51の第一層51ａとして酸化物が形成され、
さらにその上に第２の電極51の第二層51ｂとして低抵抗
金属が形成されている構造になっている。

【００８５】［作用］この構造において、第一層（酸化
物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下
層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシ
タの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。さらに第一
層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良好な接着
力を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施
しても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがな
い。更には、第二層（低抵抗金属）51ｂは、第２電極51
の抵抗を下げる作用をする。

【００８６】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして低抵抗金属を
用いることで、第２の電極51の低抵抗化となる。また第
一層（酸化物）51ａは５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので、
第２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従っ
て、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることがで
きる。更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸化物を
用い、第１の電極３の第二層３ｂとして金属の構造にす
ることにより、第一層（酸化物）３ａは下層２との接着
層の役割を果たすと共に、下層２からのＳｉ等の拡散物
を阻止する働きをし、且つ第二層（金属）３ｂは高、強
誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目
をしてくれる。従って、膜剥離が発生せず、且つ高，強
誘電体薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装
置を得ることができる。

【００８７】１３．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとして
ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イ
リジウムのうち少なくとも一つを主成分としている酸化
物３が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ａと
して金属が形成されている。第１の電極３の第二層３ｂ
上には高，強誘電体膜４が形成され、さらにその上に第
２の電極51の第一層51ａとしてＩＴＯ、酸化スズ、酸化
インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニ
ウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムのうち少なくと
も一つを主成分としている酸化物が形成され、さらにそ
の上に第２の電極51の第二層51ｂとして金属が形成され
ている構造になっている。

【００８８】［作用］ この構造においてＩＴＯ、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウ
ム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムの
うち少なくとも一つを主成分としている第１層（酸化
物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下
層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。また
第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシタの
最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。更に、ＩＴ
Ｏ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化
ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジ
ウムのうち少なくとも一つを主成分としている第一層
（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良好な接着力
を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施し
ても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼすことがな
い。更には、第二層（金属）51ｂは、第２の電極51の抵
抗を下げる作用をする。

【００８９】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
てＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウ
ム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸
化イリジウムのうち少なくとも一つを主成分としている
酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘電
体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第１層
（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないので、第
２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従って、
高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができ
る。

【００９０】更に、第１の電極３の第一層３ａとしてＩ
ＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸
化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリ
ジウムのうち少なくとも一つを主成分としている酸化物
を用い、第１の電極３の第二層３ａとして金属の構造に
することにより、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、
酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オ
スミウム、酸化イリジウムのうち少なくとも一つを主成
分としている第１層（酸化物）３ａは下層２との接着層
の役割を果たすと共に下層からのＳｉ等の拡散物を阻止
する働きをし、且つ第二層（金属）３ｂは高，強誘電体
薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリ
シス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をして
くれる。従って膜剥離が発生せず、且つ高、強誘電体薄
膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得る
ことができる。

【００９１】１４．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１電極３の第一層３ａとして酸
化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３ｂと
して白金、パラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レ
ニウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも一つ
を主成分としている金属が形成されている。第１の電極
３の第二層３ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、
さらにその上に第２の電極51の第一層51ａとして酸化物
が形成され、さらにその上に第２の電極51の第二層51ｂ
として金属が形成されている構造になっている。

【００９２】［作用］ この構造において、第一層（酸
化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、
下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、白金、パラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レ
ニウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも一つ
を主成分としている第二層（金属）３ｂは高，強誘電体
薄膜キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリ
シス、リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をす
る。更に、第一層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４
との良好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の
高温熱処理を施しても高，強誘電体膜４に拡散等の影響
を及ぼすことがない。更には、第二層（金属）51ｂは、
第２の電極51の抵抗を下げる作用をする。

【００９３】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第一層
（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても
高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので、
第２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従っ
て、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることがで
きる。

【００９４】更に、第１の電極３の第一層３ａとして酸
化物を用い、第１の電極３の第二層３ｂとして白金、パ
ラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レニウム、オス
ミウム、イリジウムのうち少なくとも一つを主成分とし
ている金属の構造にすることにより、第一層（酸化物）
３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に、下層２
からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをし、且つ白金、
パラジウム、金、ルテニウム、ロジウム、レニウム、オ
スミウム、イリジウムのうち少なくとも一つを主成分と
している第二層（金属）３ｂは高，強誘電体薄膜キャパ
シタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−
ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をしてくれる。従
って、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパ
シタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−
ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることがで
きる。

【００９５】１５．（実施例５に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は、請求項の絶
縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当
するが、その下層２上に第１の電極３の第一層３ａとし
て酸化物が形成され、その上に第１の電極３の第二層３
ｂとして金属が形成されている。第１の電極３の第二層
３ｂ上には、高，強誘電体膜４が形成され、さらにその
上に第２の電極３の第二層３ｂとして酸化物が形成さ
れ、さらにその上に第２の電極３の第二層３ｂとしてＡ
ｌ、Ｃｕのうち少なくとも一つを主成分としている金属
が形成されている構造になっている。

【００９６】［作用］ この構造において、第一層（酸
化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たすと共に下
層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第二層（金属）３ｂは、高，強誘電体薄膜キャパシ
タの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク
電流、耐圧等の特性を引き出す役目をする。更に、第一
層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良好な接着
力を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施
しても高，強誘電体膜４に拡散等の影響を及ぼすことが
ない。更に、Ａｌ、Ｃｕのうち少なくとも一つを主成分
としている第二層（金属）51ｂは、第２の電極51の抵抗
を下げる作用をする。

【００９７】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとしてＡｌ、Ｃｕの
うち少なくとも一つを主成分としている金属を用いるこ
とで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第一層（酸
化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても高，強
誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので第２の電
極51形成後の高温熱処理が可能となり従って、高，強誘
電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができる。更に、
第１の電極３の第一層３ａとして酸化物を用い、第１の
電極３の第二層３ｂとして金属の構造にすることによ
り、第一層（酸化物）３ａは下層２との接着層の役割を
果たすと共に下層からのＳｉ等の拡散物を阻止する働き
をし、且つ第二層（金属）３ｂは高，、強誘電体薄膜キ
ャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等の特性を引き出す役目をしてくれ
る。従って、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜
キャパシタの最良および安定した誘電率、ヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得る
ことができる。

【００９８】１６．（実施例６に対応） ［構成］ 基板１上には高，強誘電体薄膜キャパシタの
下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極61として酸化物が形成
されている。第１の電極61上には高，強誘電体膜４が形
成され、さらにその上に第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物が形成され、さらにその上に第２の電極51の第
二層51ｂとして金属が形成されている構造になってい
る。

【００９９】［作用］ この構造において、第１の電極
（酸化物）61は下層２との接着層の役割を果たすと共に
下層からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。ま
た、第一層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良
好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の高温熱
処理を施しても高，強誘電体膜４に拡散等の影響を及ぼ
すことがない。さらには第二層（金属）51ｂは第２の電
極51の抵抗を下げる作用をする。

【０１００】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第一層
（酸化物）51ａは５００℃以上の熱処理を施しても高，
強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので第２の
電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従って、高，
強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができる。更
に、第１の電極61として酸化物を用いることにより、第
１の電極（酸化物）61は下層２との接着層の役割を果た
す。従って、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜
キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電
流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることができ
る。

【０１０１】１７．（実施例６に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極61として導電性酸化物
が形成されている。第１の電極61上には高，強誘電体膜
４が形成され、さらにその上に第２の電極51の第一層51
ａとして導電性酸化物が形成され、さらにその上に第２
の電極51の第二層51ｂとして金属が形成されている構造
になっている。

【０１０２】［作用］ この構造において、第１の電極
（導電性酸化物）61は、下層２との接着層の役割を果た
すと共に下層からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをす
る。また、第１の電極（導電性酸化物）61は、高，強誘
電体膜４との良好な接着力を持っていると共に、５００
℃以上の高温熱処理を施しても高，強誘電体膜に拡散等
の影響を及ぼすことがない。更に、第二層（金属）51ｂ
は、第２の電極51の抵抗を下げる作用をする。

【０１０３】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て導電性酸化物を用いることにより、第２の電極51と
高，強誘電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離
を防止でき、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属
を用いることで第２の電極51の低抵抗化となる。また、
第一層（導電性酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理
を施しても高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさ
ないので第２の電極51形成後の高温熱処理が可能とな
る。従って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘
電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得る
ことができる。更に、第１の電極61として導電性酸化物
を用いることにより、第１の電極（導電性酸化物）61
は、下層２との接着層の役割を果たすと共に下層２から
のＳｉ等の拡散物を阻止する働きをしてくれる。従っ
て、膜剥離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパシ
タの安定した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧
等の特性を持つ半導体装置を得ることができる。

【０１０４】１８．（実施例６に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は、請求項の絶
縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当
するが、その下層２上に第１の電極61として酸化物が形
成されている。第１の電極61上には高，強誘電体膜４が
形成され、さらにその上に第２の電極51の第一層51ａと
して酸化物が形成され、さらにその上に第２の電極51の
第二層51ｂとして低抵抗金属が形成されている構造にな
っている。

【０１０５】［作用］ この構造において、第１の電極
（酸化物）61は、下層２との接着層の役割を果たすと共
に下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。
また、第一層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との
良好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の高温
熱処理を施しても高，強誘電体膜に拡散等の影響を及ぼ
すことがない。更に、第二層（低抵抗金属）51ｂは、第
２の電極51の抵抗を下げる作用をする。

【０１０６】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして低抵抗金属を
用いることで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第
一層（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施して
も高，強誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないの
で、第２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従
って、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、
ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることが
できる。更に、第１の電極61として酸化物を用いること
により、第１の電極（酸化物）61は下層２との接着層の
役割を果たすとと共に、下層からのＳｉ等の拡散物を阻
止する働きをする。従って、膜剥離が発生せず、且つ
高、強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を
得ることができる。

【０１０７】１９．（実施例６に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極61としてＩＴＯ、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウ
ム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムの
うち少なくとも一つを主成分としている酸化物が形成さ
れている。第１の電極61上には高，強誘電体膜４が形成
され、さらにその上に第２の電極51の第一層51ａとして
ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イ
リジウムのうち少なくとも一つを主成分としている酸化
物が形成され、さらにその上に第２の電極51の第二層51
ｂとして金属が形成されている構造になっている。

【０１０８】［作用］ この構造においてＩＴＯ、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウ
ム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムの
うち少なくとも一つを主成分としている第１の電極（酸
化物）61は下層２との接着層の役割を果たすと共に下層
からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。また、Ｉ
ＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸
化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリ
ジウムのうち少なくとも一つを主成分としている第１層
（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４との良好な接着力
を持っていると共に、５００℃以上の高温熱処理を施し
ても高，強誘電体膜４に拡散等の影響を及ぼすことがな
い。更に、第二層（金属）51ｂは、第２の電極51の抵抗
を下げる作用をする。

【０１０９】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
てＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ルテニウ
ム、酸化ロジウム、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸
化イリジウムのうち少なくとも一つを主成分としている
酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘電
体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとして金属を用いる
ことで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第１層
（酸化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても
高、強誘電体膜への拡散等の影響を及ぼさないので、第
２の電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従って、
高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステ
リシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができ
る。更に、第１の電極61としてＩＴＯ、酸化スズ、酸化
インジウム、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化レニ
ウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムのうち少なくと
も一つを主成分としている酸化物を用いることにより、
下層２との接着層の役割を果たすとと共に、下層２から
のＳｉ等の拡散物を阻止する働きをする。従って、膜剥
離が発生せず、且つ高，強誘電体薄膜キャパシタの安定
した誘電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性
を持つ半導体装置を得ることができる。

【０１１０】２０．（実施例６に対応） ［構成］ 基板１上には、高，強誘電体薄膜キャパシタ
の下層２が形成されている。この下層２は請求項の絶縁
膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域に該当す
るが、その下層２上に第１の電極61として酸化物が形成
されている。第１の電極61上には、高，強誘電体膜４が
形成され、さらにその上に第２の電極51の第一層51ａと
して酸化物が形成され、さらにその上に第２の電極51の
第二層51ｂとしてＡｌ、Ｃｕのうち少なくとも一つを主
成分としている金属が形成されている構造になってい
る。

【０１１１】［作用］ この構造において、第１の電極
（酸化物）61は下層２との接着層の役割を果たすと共
に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働きをす
る。また、第１層（酸化物）51ａは、高，強誘電体膜４
との良好な接着力を持っていると共に、５００℃以上の
高温熱処理を施しても高，強誘電体膜４に拡散等の影響
を及ぼすことがない。更に、Ａｌ、Ｃｕのうち少なくと
も一つを主成分としている第二層（金属）51ｂは、第２
の電極51の抵抗を下げる作用をする。

【０１１２】［効果］ 第２の電極51の第一層51ａとし
て酸化物を用いることにより、第２の電極51と高，強誘
電体膜４界面の接着力が良好となるので膜剥離を防止で
き、且つ第２の電極51の第二層51ｂとしてＡｌ、Ｃｕの
うち少なくとも一つを主成分としている金属を用いるこ
とで第２の電極51の低抵抗化となる。また、第１層（酸
化物）51ａは、５００℃以上の熱処理を施しても高，強
誘電体膜４への拡散等の影響を及ぼさないので、第２の
電極51形成後の高温熱処理が可能となる。従って、高，
強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシ
ス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることができる。更
に、第１の電極61として酸化物を用いることにより、第
１の電極（酸化物）61は下層２との接着層の役割を果た
すとと共に、下層２からのＳｉ等の拡散物を阻止する働
きをする。従って、膜剥離が発生せず、且つ高、強誘電
体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒステリシス、リ
−ク電流、耐圧等の特性を持つ半導体装置を得ることが
できる。

【０１１３】２１． ［構成］ 第２の電極の第一層の導電性酸化物を形成し
た後（図７（Ａ））、５００℃以上の熱処理を施し（図
７（Ｂ））、しかる後に第２の電極の第二層である低抵
抗金属を形成する（図７（Ｃ））工程を具備する半導体
装置の製造方法（図７参照）。 ［作用］ 第２の電極の第一層の導電性酸化物を形成後
に５００℃以上の熱処理を施し、しかる後に第２の電極
の第二層である低抵抗金属を形成するステップを用いれ
ば、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘電率、ヒ
ステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得ることがで
きると共に、第２の電極の第二層として低融点で加工が
容易で且つ低抵抗な低コスト金属を使用できることにな
る。

【０１１４】［効果］ 第２の電極の第一層の導電性酸
化物を形成後に５００℃以上の熱処理を施し、しかる後
に第２の電極の第二層である低抵抗金属を形成する工程
を用いれば、高，強誘電体薄膜キャパシタの安定した誘
電率、ヒステリシス、リ−ク電流、耐圧等の特性を得る
ことができると共に、第２の電極の第二層として低融点
で加工が容易で且つ低抵抗な低コスト金属を使用できる
ことになる。従って、安定した誘電率、ヒステリシス、
リ−ク電流、耐圧等の特性をもつ高，強誘電体薄膜キャ
パシタからなる高密度で低コストな半導体装置を作製可
能となる。

【０１１５】

【発明の効果】以上詳述した如くこの発明によれば、剥
離が発生せず、かつ誘電率、ヒステリシス、リーク電
流、耐圧等のキャパシタ電圧等のキャパシタ特性が安定
した半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの断面構造図。

【図２】この発明の実施例２に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタとＭＯＳトランジスタからなるメモリ装置の１
セルの断面構造図。

【図３】この発明の実施例３に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタとＭＯＳトランジスタからなるメモリ装置の１
セルの断面構造図。

【図４】この発明の実施例４に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタとＭＯＳトランジスタからなるメモリ装置の１
セルの断面構造図。

【図５】この発明の実施例５に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの断面構造図。

【図６】この発明の実施例６に係る高，強誘電体薄膜キ
ャパシタの断面構造図。

【図７】この発明に係る高，強誘電体薄膜キャパシタの
製造工程を示す説明図。

【図８】従来の高，強誘電体膜薄膜キャパシタの断面構
造図。

【図９】従来の他の高、強誘電体膜薄膜キャパシタの断
面構造図。

【図１０】この発明の実施例１，５である強誘電体薄膜
キャパシタの電荷−電圧ヒステリシス特性図。

【図１１】この発明の実施例１，５である強誘電体薄膜
キャパシタの電流−電圧特性図。

【図１２】この発明の実施例１，５である強誘電体薄膜
キャパシタの誘電率−周波数特性図。

【図１３】第１の電極として導電性酸化物を直接強誘電
体膜に接触させたキャパシタ構造の電荷−電圧ヒステリ
シス特性図。

【図１４】第１の電極として導電性酸化物を直接強誘電
体膜に接触させたキャパシタ構造の電流−電圧特性図。

【図１５】第１の電極として導電性酸化物を直接強誘電
体膜に接触させたキャパシタ構造の誘電率−周波数特性
図。

【符号の説明】

１…基板、 ２…下層 ３，61…
第１の電極、３ａ，51ａ…第一層、３ｂ，51ｂ…第二
層、 ４…高，強誘電体膜、５…第２の電極、
21…フィールド酸化膜、22…ソース領域、23…ドレイ
ン領域、 24…ゲート酸化膜、 25…ゲート電極、26
…絶縁膜、 27…層間絶縁膜、28ａ，28ｂ，28
ｃ，28ｄ，41…コンタクトホール、29ａ，33…配線電
極、29ｂ…ビット配線電極、 29
ｃ，34…ドライブ配線電極、51…第２の電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8242

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の絶縁膜、多結晶シリコン膜ある
   いは半導体拡散領域上に形成された第１の電極と、前記
   第１の電極上に形成された高，強誘電体膜と、前記高，
   強誘電体膜上に形成された第２の電極とを有する半導体
   装置において、前記第１の電極が絶縁膜、多結晶シリコ
   ン膜あるいは半導体拡散領域上に形成される第一層とそ
   の上に形成され前記高，強誘電体膜と接する第二層とか
   ら構成され、前記第１の電極の第一層が酸化物で且つ前
   記第１の電極の第二層が金属からなり、さらに前記第２
   の電極が酸化物からなることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 基板上の絶縁膜、多結晶シリコン膜ある
   いは半導体拡散領域上に形成された第１の電極と、前記
   第１の電極上に形成された高，強誘電体膜と、前記高，
   強誘電体膜上に形成された第２の電極とを有する半導体
   装置において、 前記第１の電極が絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半
   導体拡散領域上に形成される第一層とその上に形成され
   前記高，強誘電体膜と接する第二層とから構成され、前
   記第１の電極の第一層が酸化物で且つ前記第１の電極の
   第二層が金属からなり、さらに前記第２の電極が前記
   高，強誘電体膜上に形成される第一層とその上に形成さ
   れる第二層とから構成され、前記第２の電極の第一層が
   酸化物で且つ前記第２の電極の第二層が金属からなるこ
   とを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 基板上の絶縁膜、多結晶シリコン膜ある
   いは半導体拡散領域上に形成された第１の電極と、前記
   第１の電極上に形成された高，強誘電体膜と、前記高，
   強誘電体膜上に形成された第２の電極とを有する半導体
   装置において、 前記第１の電極が酸化物であり、さらに前記第２の電極
   が前記高，強誘電体膜上に形成される第一層とその上に
   形成される第二層とから構成され、前記第２の電極の第
   一層が酸化物で且つ前記第２の電極の第二層が金属から
   なることを特徴とする半導体装置。