JPH0864902A - スタック型半導体レーザ装置の組立方法，及びスタック型半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 所定のハイパワーの光出力を長期間安定に出
力することのできるスタック型半導体レーザ装置を得
る。 【構成】 ヒートシンク６の上面の所定位置に半導体レ
ーザチップ１をダイボンディングし、当該上面に、テー
ブル形状の金属製スペーサ１０（２０，３０）の天板部
の上面の所定位置に半導体レーザチップ２（３，４）を
ダイボンディングしてなるスタック用素子５０ａ，５０
ｂ，５０ｃを、そのテーブル形状の金属製スペーサ１０
（２０，３０）の脚部を絶縁性接着剤８を用いて接着す
ることにより、順次積み上げて、上記半導体レーザチッ
プ１〜４をスタックしてなるスタック型半導体レーザ装
置１００を組み立てる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はスタック型半導体レー
ザ装置の組立方法，及びスタック型半導体レーザ装置に
関し、特に、複数の半導体レーザチップを高精度に位置
決めしてスタックできるスタック型半導体レーザ装置の
組立方法，及び所定のハイパワーの光出力を長期間安定
に出力するスタック型半導体レーザ装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の高機能化に伴
い、ハイパワーの光出力を得るために複数の半導体レー
ザチップを積み上げてなるスタック型半導体レーザ装置
が開発されている。

【０００３】図５はこの従来のスタック型半導体レーザ
装置の構成を示す正面図であり、図において、１０００
はスタック型半導体レーザ装置で、これは、ヒートシン
ク６上に半導体レーザチップ１がハンダ７によりダイボ
ンディング（ハンダ付け）され、同様に、半導体レーザ
チップ１上に半導体レーザチップ２が、半導体レーザチ
ップ２上に半導体レーザチップ３が、半導体レーザチッ
プ３上に半導体レーザチップ４がそれぞれハンダ７によ
りダイボンディング（ハンダ付け）され、半導体レーザ
チップ４の上面電極４ａに金ワイヤ等のワイヤ５がワイ
ヤボンディングされて、構成されている。ここで、１
ａ，２ａ，３ａは各半導体レーザチップ１〜３の上面電
極、１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂは各半導体レーザチップ１
〜４の下面電極、１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃは各半導体レ
ーザチップ１〜４の光出射面、１ｄ，２ｄ，３ｄ，４ｄ
は各半導体レーザチップ１〜４の発光領域（活性層）で
ある。各半導体レーザチップ１〜４は、それぞれ、光出
射面１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃに対して垂直方向（すなわ
ち、図５の紙面に対する垂直方向）にレーザ光を出射す
る。また、金ワイヤ等のワイヤ５は図示しない電源に接
続されており、ヒートシンク６は所要の配線（図示せ
ず）により図示しない電源に接続されている。

【０００４】次に、動作について説明する。このスタッ
ク型半導体レーザ装置１０００は、一般にレーザレーダ
用光源等に使用され、パルス動作によってワットクラス
の光出力を出力する。通常、一個の半導体レーザチップ
を連続的に動作させると、半導体レーザチップはあるレ
ベルの光出力で熱的に飽和し、その後は、光出力は逆に
減少してしまうこととなる。これに対し、このスタック
型半導体レーザ装置１０００では、複数の半導体レーザ
チップ１〜４をパルス動作でもって同時に動作させるこ
とにより、個々の半導体レーザチップ１〜４の光出力を
トータルした光出力を得ることができ、ワットクラスの
ハイパワーの光出力を出力する。なお、このようなスタ
ック型半導体レーザ装置１０００では、通常複数の半導
体レーザチップ１〜４から出射されるレーザ光を集光す
るために、これらチップの光出射面の前方に集光レンズ
（図示せず）が配置されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のスタック型
半導体レーザ装置１０００は以上のようにして組み立て
られるが、以下に記すような問題点を生ずる。

【０００６】すなわち、上記複数の半導体レーザチップ
１〜４は、通常、同一サイズのチップが用いられるた
め、これらチップ１〜４を順次積み上げて、上下に重な
るチップ間をダイボンディングしていく際に、各チップ
を精度よく位置決めすることが困難である。このため、
得られるスタック型半導体レーザ装置１０００は、図６
(a) （スタック型半導体レーザ装置１０００の上面
図），及び図６(b) （スタック型半導体レーザ装置１０
００の正面図）に示すように、各チップ１〜４の光出射
面１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃの向きがずれて、各チップ１
〜４の発光領域（活性層）１ｄ，２ｄ，３ｄ，４ｄから
出射されるレーザ光が異なる方向に出射するものとなっ
てしまうことがあり、所定のハイパワーの光出力が得ら
れるスタック型半導体レーザ装置を再現性よく得ること
ができないという問題点があった。

【０００７】また、チップ上にチップをハンダ付けして
いくので、下側のチップのハンダ付けに用いられ，既に
固化しているハンダが、上側のチップをハンダ付けする
時に下側のチップとともに加熱されて再び溶融し、これ
によって、下側の既に位置決めされていたチップが移動
してしまうことがあり、この場合も、得られるスタック
型半導体レーザ装置１０００は、図６(a) 及び図６(b)
に示すように、各チップ１〜４の光出射面１ｃ，２ｃ，
３ｃ，４ｃの向きがずれて、各チップ１〜４の発光領域
（活性層）１ｄ，２ｄ，３ｄ，４ｄから出射されるレー
ザ光が異なる方向に出射するものとなってしまう。な
お、この問題点は、上側のチップのダイボンディングに
使用するハンダとして、その融点が下側のチップのダイ
ボンディングに使用したハンダのそれよりも低いものを
使用すれば、解消することができるが、複数の（３個以
上の）チップを順次積み上げてダイボンディングしてい
く場合に、融点がこのような関係となる複数（３つ以
上）のハンダを用意することは現実的には極めて困難で
ある。

【０００８】また、図６(b) に示すように、上記ハンダ
７によるチップ１〜４のダイボンディング作業時、溶融
したハンダ７がチップ１〜３の側面に回り込んで、チッ
プ１〜３の側面に表出している活性層に接触することが
あり、得られるスタック型半導体レーザ装置１０００
は、その動作時に、ハンダ７とチップ１〜３の活性層が
電気的にショートして、所定の動作を行えなくなるとい
った問題点があった。

【０００９】また、チップ１〜３の発光領域（活性層）
１ｄ，２ｄ，３ｄとハンダ７との間の距離が近いため、
ハンダ７の固化による応力によって、この発光領域（活
性層）１ｄ，２ｄ，３ｄにストレスがかかり、得られる
スタック型半導体レーザ装置１０００は、各チップ１〜
３の信頼性が低いものとなり、長期間安定に所定の動作
を行うことができないという問題点があった。

【００１０】また、従来のスタック型半導体レーザ装置
１０００は、その動作時、ヒートシンク６に接触するチ
ップ１は、ヒートシンク６によって放熱（冷却）される
が、チップ１の上方に積まれたチップ２，３，４は、ヒ
ートシンク６によって放熱（冷却）されず、温度上昇に
よる性能劣化を生ずることとなり、長期間安定に所定の
動作を行うことができないという問題点があった。

【００１１】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、所定のハイパワーの光出力を出
力するスタック型半導体レーザ装置を再現性よく組み立
てることのできるスタック型半導体レーザ装置の組立方
法を得ることを目的とする。

【００１２】更に、この発明の他の目的は、各チップが
長期間安定動作し、所定のハイパワーの光出力を長期間
安定に出力することのできるスタック型半導体レーザ装
置，及びその組立方法を得ることを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明にかかるスタッ
ク型半導体レーザ装置の組立方法（請求項１）は、ヒー
トシンクの上面に半導体レーザチップをダイボンディン
グする工程と、一個の半導体レーザチップを、天板部と
複数の脚部とからなる一個のテーブル形状の金属製スペ
ーサの当該天板部の上面にダイボンディングしてなる複
数のスタック用素子を組み立てる工程と、上記ヒートシ
ンクの上面に、上記複数のスタック用素子のうちの一個
のスタック用素子の上記複数の脚部をそれぞれ絶縁層を
介して固定した後、当該一個のスタック用素子の上記天
板部の上面に、上記複数のスタック用素子の当該一個の
スタック用素子とは異なる他の複数のスタック用素子
を、上側に配置されるものの上記複数の脚部を下側に配
置されるものの上記天板部の上面にそれぞれ絶縁層を介
して固定することにより積み上げて、上記複数のスタッ
ク用素子を積み上げる工程とを含み、上記ヒートシンク
の上面にダイボンディングされた半導体レーザチップ，
及び上記複数のスタック用素子の各々を構成する複数の
半導体レーザチップをスタックしてなるスタック型半導
体レーザ装置を組み立てることを特徴とするものであ
る。

【００１４】この発明にかかるスタック型半導体レーザ
装置（請求項２）は、その上面に半導体レーザチップが
ダイボンディングされたヒートシンクと、一個の半導体
レーザチップを、天板部と複数の脚部とからなる一個の
テーブル形状の金属製スペーサの当該天板部の上面にダ
イボンディングしてなる複数のスタック用素子とを備
え、上記ヒートシンクの上面に上記複数のスタック用素
子のうちの一個のスタック用素子の複数の脚部がそれぞ
れ絶縁層を介して固定され、かつ、この一個のスタック
用素子の天板部の上面に上記複数のスタック用素子の上
記一個のスタック用素子とは異なる他の複数のスタック
用素子が、その上側に配置されるものの上記複数の脚部
が、下側に配置されるものの上記天板部の上面にそれぞ
れ絶縁層を介して固定されることにより積み上げられ、
上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた上記
半導体レーザチップ，及び上記複数のスタック用素子の
各々を構成する複数の半導体レーザチップがスタックさ
れてなることを特徴とするものである。

【００１５】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項３）は、上記テーブル形
状の金属製スペーサを、互いに別体からなる上記天板部
と上記脚部とを接着して得るようにしたことを特徴とす
るものである。

【００１６】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項４）は、上記テーブル形状の金属製
スペーサを、互いに別体からなる上記天板部と上記脚部
とを接着して得られたものとしたことを特徴とするもの
である。

【００１７】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項５）は、ヒートシンクの
上面に第１のハンダを用いて半導体レーザチップをダイ
ボンディングする工程と、一個の半導体レーザチップを
一個の板状の金属製スペーサの上面に上記第１のハンダ
を用いてダイボンディングしてなるスタック用素子を得
る工程と、上記ヒートシンクの上面にダイボンディング
された半導体レーザチップの上面電極上に、複数の上記
スタック用素子を、その上記金属製スペーサの下面を接
着面に、上記第１のハンダの融点よりも低い融点を有す
る第２のハンダを用いて順次ダイボンディングして、積
み上げる工程とを含み、上記複数のスタック用素子の各
々を構成する複数の半導体レーザチップがスタックされ
たスタック型半導体レーザ装置を組み立てることを特徴
とするものである。

【００１８】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項６）は、ヒートシンクの上面に第１
のハンダを用いてダイボンディングされた半導体レーザ
チップと、一個の半導体レーザチップを一個の板状の金
属製スペーサの上面に上記第１のハンダを用いてダイボ
ンディングしてなる複数のスタック用素子とを有し、上
記複数のスタック用素子は、上記ヒートシンクの上面に
ダイボンディングされた半導体レーザチップの上面電極
上に、その上記金属製スペーサの下面を接着面に、上記
第１のハンダの融点よりも低い融点を有する第２のハン
ダを用いて順次ダイボンディングされて積み上げられ、
上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた上記
半導体レーザチップ，及び上記複数のスタック用素子の
各々を構成する複数の半導体レーザチップがスタックさ
れてなることを特徴とするものである。

【００１９】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項７）は、階段状の表面を
有するヒートシンクの当該階段状の表面の各段に、半導
体レーザチップをダイボンディングする工程を備え、複
数の半導体レーザチップをスタックしてなるスタック型
半導体レーザ装置を組み立てることを特徴とするもので
ある。

【００２０】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項８）は、階段状の表面を有するヒー
トシンクの当該階段状の表面の各段に、半導体レーザチ
ップをダイボンディングしてなり、複数の半導体レーザ
チップをスタックしてなること特徴とするものである。

【００２１】

【作用】この発明にかかるスタック型半導体レーザ装置
の組立方法（請求項１）においては、ヒートシンクの上
面に複数のテーブル形状の金属製スペーサを積み上げ、
ヒートシンクの上面，及び複数のテーブル形状の金属製
スペーサの各々の天板部の上面に半導体レーザチップを
ダイボンディングするようにしたから、これらの上面に
おいて各チップを精度よく位置決めすることができ、複
数の半導体レーザチップを、各チップの光出射面を確実
に同一方向を向くようにスタックすることができる。ま
た、各チップの上面電極上にはハンダを敷設しないた
め、各チップの側面に露出する活性層とハンダが接触す
ることがなく、また、発光領域（活性層）にストレスが
加わることもない。

【００２２】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項２）においては、ヒートシンクの上
面，及びこのヒートシンクの上面に積み上げられた複数
のテーブル形状の金属製スペーサの各々の天板部の上面
に半導体レーザチップがダイボンディングされたものと
したから、各チップはヒートシンク，またはテーブル形
状の金属製スペーサにより放熱されることとなる。ま
た、各チップはその上面電極上にハンダが敷設されない
ので、その側面に表出する活性層にハンダが接触するこ
とがなく、活性層とハンダが電気的にショートしてしま
うこともない。また、各チップは、その上面電極上にハ
ンダが敷設されないので、その発光領域（活性層）には
ストレスが加わらず、信頼性の高いものとなる。

【００２３】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項３）においては、上記テ
ーブル形状の金属製スペーサとして、上記天板部と脚部
とが別体からなるものを用い、これら天板部と脚部とを
接着して上記テーブル形状の金属製スペーサを組み立て
るようにしたから、上記テーブル形状の金属製スペーサ
を一体物とした場合は、これを得るための加工が煩雑で
あるという問題点があったが、これを解消することがで
きる。

【００２４】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項４）においては、上記テーブル形状
の金属製スペーサを、互いに別体からなる天板部と脚部
とを接着して得られたものとしたから、上記脚部として
その太さが太いものを用いることかでき、上記テーブル
形状の金属製スペーサとして一体物を用いた場合は、こ
れを得るための加工によりその脚部が細く、機械的強度
の弱いものとなってしまう問題点があったが、これを解
消することができる。

【００２５】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項５）においては、一個の
半導体レーザチップを一個の板状の金属製スペーサ上に
第１のハンダを用いてダイボンディングしてなるスタッ
ク用素子を複数作成し、この複数のスタック用素子を、
ヒートシンクの上面に第１のハンダを用いてダイボンデ
ィングされた半導体レーザチップの上面電極上に順次積
み上げて、上下の素子間を上記第１のハンダの融点より
も低い融点を有する第２のハンダを用いてダイボンディ
ングすることにより、スタック型半導体レーザ装置を組
立てるようにしたから、上記複数のスタック用素子を、
各々の上記一個の金属製スペーサの側面を、他の部材の
平坦面に沿わせて、順次積み上げることにより、各々が
上記一個の金属製スペーサの上面の所定位置に位置決め
されている上記複数のスタック用素子を構成する上記一
個の半導体レーザチップの光出射面が確実に同一方向を
向くように配置される。

【００２６】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項６）においては、ヒートシンク上に
第１のハンダを用いてダイボンディングされた半導体レ
ーザチップの上面電極上に、一個の半導体レーザチップ
を一個の板状の金属製スペーサ上の所定位置に上記第１
のハンダを用いてダイボンディングしてなるスタック用
素子を複数積み上げ、上下の素子間を上記第１のハンダ
の融点よりも低い融点を有する第２のハンダを用いてダ
イボンディングしてなるものとしたから、上記複数のス
タック用素子を、精度よく位置決めして配設することが
でき、これにより、これらの各々を構成する複数の上記
一個の半導体レーザチップの光出射面が、上記ヒートシ
ンク上にダイボンディングされた半導体レーザチップと
光出射面と確実に同一方向を向くように配置されること
となる。また、各チップはその下にあるヒートシンク，
または板状の金属製スペーサによって放熱されることと
なり、温度上昇による性能劣化を防止することができ
る。

【００２７】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置の組立方法（請求項７）においては、階段状
の表面を有するヒートシンクの当該階段状の表面の各段
に、半導体レーザチップをダイボンディングすることに
より、複数の半導体レーザチップを直接積み上げること
なく、スタック型半導体レーザ装置を組み立てるように
したから、各チップを上記階段状の表面の各段において
精度よく位置決めすることができ、各チップの光出射面
を確実に同一方向を向くようにスタックすることができ
る。また、各チップの上面電極上にはハンダを敷設しな
いため、各チップの側面に露出する活性層とハンダが接
触することがなく、また、発光領域（活性層）にストレ
スが加わることもない。

【００２８】更に、この発明にかかるスタック型半導体
レーザ装置（請求項８）においては、階段状の表面を有
するヒートシンクの当該階段状の表面の各段に、半導体
レーザチップをダイボンディングしてなるものとしたか
ら、各チップは上記ヒートシンクにより放熱されること
となり、温度上昇による性能劣化を防止することができ
る。また、各チップのその上面電極上にハンダが敷設さ
れないので、その側面に表出する活性層にハンダが接触
することがなく、活性層とハンダが電気的にショートし
てしまうこともない。また、各チップはその上面電極上
にハンダが敷設されないので、発光領域（活性層）には
ストレスが加わらず、信頼性の高いものとなる。

【００２９】

【実施例】実施例１ ．図１はこの発明の実施例１によるスタック型
半導体レーザ装置の構造を示す正面図（図１(a) ）と、
このスタック型半導体レーザ装置を構成するスタック用
素子の構造を示す分解斜視図（図１(b) ）である。図に
おいて、図４と同一符号は同一または相当する部分を示
し、５ａ〜５ｄはワイヤ、８は絶縁性接着剤、１０，２
０，３０はＡｇ，Ｃｕ等の放熱性に優れた金属の塊を、
加工して作製された四角形状の天板部を有するテーブル
形状の金属製スペーサ、５０はスタック用素子、１００
はスタック型半導体レーザ装置である。ここで、ワイヤ
５ａは図示しない一端がテーブル形状の金属製スペーサ
１０に電気的に接続され、ワイヤ５ｂは図示しない一端
がテーブル形状の金属製スペーサ２０に電気的に接続さ
れ、ワイヤ５ｃは図示しない一端がテーブル形状の金属
製スペーサ３０に電気的に接続され、ワイヤ５ｄは図示
しない一端が電源（図示せず）に接続されている。ま
た、ヒートシンク６は図示しない配線により上記電源
（図示せず）に接続されている。なお、この図では、半
導体レーザチップ１〜４の上面電極，及び下面電極は図
示していない。

【００３０】かかる構造からなる本実施例のスタック型
半導体レーザ装置１００の動作は、従来装置１０００の
それと基本的に同じであり、電源から流れる電流によ
り、ワイヤ５ｄとヒートシンク６間に直列に接続された
半導体レーザチップ１〜４が同時にレーザ発振する。そ
して、これら半導体レーザチップ１〜４の各々から出射
するレーザ光は、図示しない集光用レンズによって集光
されて、ハイパワーの光出力となる。

【００３１】以下、スタック型半導体レーザ装置１００
の組立工程を説明する。まず、図１(b) に示すように、
テーブル形状の金属製スペーサ１０の天板部の上面の所
定位置に、半導体レーザチップ２を、その光出射面２ｃ
がテーブル形状の金属製スペーサ１０の天板部の所定の
端面１０ａと平行となり、その下面電極（図示せず）が
上記天板部の上面に接着するように、ダイボンディング
（ハンダ付け）して、スタック用素子５０ａを得る。

【００３２】上記と同様にして、半導体レーザチップ３
をテーブル形状の金属製スペーサ２０の天板部の上面に
ダイボンディングしてなるスタック用素子５０ｂ，半導
体レーザチップ４をテーブル形状の金属製スペーサ３０
の天板部の上面にダイボンディングしてなるスタック用
素子５０ｃを作成する。

【００３３】次に、その上面の所定位置に半導体レーザ
チップ１がダイボンディング（ハンダ付け）されたヒー
トシンク６の当該上面に、上記スタック用素子５０ａ
を、上記半導体レーザチップ１の光出射面１ａとこのス
タック用素子５０ａを構成する半導体レーザチップ２の
光出射面２ａが平行となるように、載置する。ここで
は、スタック用素子５０ａを構成する上記テーブル形状
の金属製スペーサ１０の天板部の下に上記半導体レーザ
チップ１が位置するように、このテーブル形状の金属製
スペーサ１０の脚部を絶縁性接着剤８により上記ヒート
シンク６の上面に接着する。

【００３４】次に、上記ヒートシンク６の上面に載置さ
れたスタック用素子５０ａのこれを構成する上記テーブ
ル形状の金属製スペーサ１０の天板部の上面に、スタッ
ク用素子５０ｂを、これを構成する上記テーブル形状の
金属製スペーサ２０の脚部を上記金属製スペーサ１０の
天板部の上面に絶縁性の接着剤８を用いて接着すること
により、載置する。ここでは、スタック用素子５０ｂ
を、テーブル形状の金属製スペーサ１０の半導体レーザ
チップ２の光出射面２ａと平行な端面が、テーブル形状
の金属製スペーサ２０の半導体レーザチップ３の光出射
面３ａと平行な端面と平行となるように、載置する。

【００３５】次に、上記スタック用素子５０ａを構成す
る上記テーブル形状の金属製スペーサ１０の天板部の上
面に、スタック用素子５０ｂを、そのテーブル形状の金
属製スペーサ２０のその半導体レーザチップ３の光出射
面３ａと平行な端面が、上記テーブル形状の金属製スペ
ーサ１０の上記半導体レーザチップ２の光出射面２ａと
平行な端面と平行となるように、載置する。ここでは、
上記テーブル形状の金属製スペーサ２０の脚部を上記金
属製スペーサ１０の天板部の上面に絶縁性の接着剤８を
用いて接着する。

【００３６】次に、上記スタック用素子５０ｂを構成す
る上記テーブル形状の金属製スペーサ２０の天板部の上
面に、スタック用素子５０ｃを、そのテーブル形状の金
属製スペーサ３０のその半導体レーザチップ４の光出射
面４ａと平行な端面が、上記テーブル形状の金属製スペ
ーサ２０の上記半導体レーザチップ３の光出射面３ａと
平行な端面と平行となるように、載置する。ここでは、
上記テーブル形状の金属製スペーサ３０の脚部を上記金
属製スペーサ２０の天板部の上面に絶縁性の接着剤８を
用いて接着する。

【００３７】次に、上記半導体レーザチップ１〜４の各
上面電極に金等からなるワイヤ５ａ〜５ｄをワイヤボン
ディングした後、半導体レーザチップ１の上面電極にワ
イヤボンディングしたワイヤ５ａをテーブル形状の金属
製スペーサ１０に電気的に接続し、半導体レーザチップ
２の上面電極にワイヤボンディングしたワイヤ５ｂをテ
ーブル形状の金属製スペーサ２０に電気的に接続し、半
導体レーザチップ３の上面電極にワイヤボンディングし
たワイヤ５ｃをテーブル形状の金属製スペーサ３０に電
気的に接続する。

【００３８】最後に、半導体レーザチップ４の上面電極
にワイヤボンディングしたワイヤ５ｄとヒートシンク６
を電源に接続すると、図１(a) に示す、スタック型半導
体レーザ装置１００が得られる。

【００３９】なお、以上の工程では、半導体レーザチッ
プ１〜４の上面電極へのワイヤボンディングを、スタッ
ク用素子１０，２０，３０を積み上げた後に行ったが、
半導体レーザチップ１をダイボンディングした後、この
半導体レーザチップ１の上面電極にワイヤをボンディン
グし、スタック用素子１０，２０，３０を順次積み上げ
る毎に，順次半導体レーザチップ１〜３の上面電極へワ
イヤボンディングを行うようにしてもよい。

【００４０】このように本実施例では、一個のテーブル
形状の金属製スペーサ１０，２０，３０の天板部の上面
に、その出射レーザ光が所定方向、すなわち、その光出
射面が所定方向に向くように位置決めされた半導体レー
ザチップ２，３，４をそれぞれ搭載してなるスタック用
素子５０ａ，５０ｃ，５０ｂを、その上面に半導体レー
ザチップ１がダイボンディングされたヒートシンク６の
上面上に、順次積み上げることにより、半導体レーザチ
ップ１〜４をスタックしてなるスタック型半導体レーザ
装置１００を組み立てるので、複数の半導体レーザチッ
プ１〜４は各々が高精度に位置決めされたものとなり、
これら複数の半導体レーザチップ１〜４を、各チップ１
〜４の光出射面が確実に同一方向を向くようにスタック
することができる。また、各チップ１〜３の上面電極に
はハンダが敷設されないので、各チップ１〜３の側面に
露出する活性層にハンダが接触することがなく、かつ、
各チップ１〜３の発光領域（活性層）１ａ，２ａ，３ａ
にストレスが加わることもない。また、各チップ１〜４
は、その動作時にヒートシンク６，テーブル形状の金属
製スペーサ１０，２０，３０によって各々が効率良く放
熱されるものとなる。従って、本実施例によれば、各チ
ップ１〜４が長期間安定動作し、所定のハイパワーの光
出力を長期間安定に出力することのできるスタック型半
導体レーザ装置１００を再現性よく得ることができる。

【００４１】実施例２．図２はこの発明の実施例２によ
るスタック型半導体レーザ装置の構造を示す正面図であ
り、図において、図１と同一符号は同一または相当する
部分を示し、１１，２１，３１は四角形状の天板部を有
するテーブル形状の金属製スペーサであり、実施例１で
使用したテーブル形状の金属製スペーサ１０，２０，３
０は金属塊の加工により一体物として得られたものであ
ったが、これらは金属塊を個別に加工して得られた脚部
１１ａ（２１ａ，３１ａ）と、天板部１１ｂ（２１ｂ，
３１ｂ）とを接着することにより得られたものである。
また、２００はスタック型半導体レーザ装置である。こ
こで、ワイヤ５ａは図示しない一端が天板部１１ｂに電
気的に接続され、ワイヤ５ｂは図示しない一端が天板部
２１ｂに電気的に接続され、ワイヤ５ｃは図示しない一
端が天板部３１ｂに電気的に接続され、ワイヤ５ｄは図
示しない一端が電源（図示せず）に接続されている。ま
た、ヒートシンク６は図示しない配線により上記電源
（図示せず）に接続されている。なお、この図では、半
導体レーザチップ１〜４の上面電極，及び下面電極は図
示していない。

【００４２】上記実施例１のスタック型半導体レーザ装
置１００では、金属塊をテーブル形状に加工して得られ
たテーブル形状の金属製スペーサ１０，２０，３０を用
いたが、このような金属塊をテーブル形状に精度よく加
工することは困難であり、また、テーブル形状の金属製
スペーサ１０，２０，３０の脚部となる部分が細くなり
過ぎて、それ自身の機械的強度が弱くなってしまうとい
う欠点がある。

【００４３】本実施例はかかる欠点を解消できるように
したもので、脚部１１ａ（２１ａ，３１ａ）と，天板部
（１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ）を個別に作製し、これらを
接着することにより、テーブル形状の金属製スペーサ１
１（２１，３１）を組み立てるようにしたものである。

【００４４】以下、このスタック型半導体レーザ装置２
００を組立工程を説明する。まず、ヒートシンク６の上
面の所定位置に半導体レーザチップ１をダイボンディン
クする。

【００４５】次に、天板部１１ａ，２１ａ，３１ａの上
面の所定位置に、それぞれ半導体レーザチップ２，３，
４をダイボンディングする。

【００４６】次に、ヒートシンク６の上面に絶縁性接着
剤８を用いて複数（４本）の脚部１１ａを接着した後、
この脚部１１ａの上端面に上記その上面に半導体レーザ
チップ２がダイボンディングされた天板部１１ｂを接着
する（ここで、テーブル形状のスペーサ１１が組み立て
られる）。

【００４７】次に、上記天板部１１ｂの上面の上記半導
体レーザチップ２の周囲部に複数（４本）の脚部２１ａ
を立設した後、この複数の脚部２１ａの上端面に上記そ
の上面に半導体レーザチップ３がダイボンディングされ
た天板部２１ｂを接着する（ここで、テーブル形状のス
ペーサ２１が組み立てられる）。

【００４８】次に、上記天板部２１ｂの上面の上記半導
体レーザチップ３の周囲部に複数（４本）の脚部３１ａ
を立設した後、この複数の脚部３１ａの上端面に上記そ
の上面に半導体レーザチップ４がダイボンディングされ
た天板部３１ｂを接着する（ここで、テーブル形状のス
ペーサ３１が組み立てられる）。

【００４９】次に、上記半導体レーザチップ１〜４の各
上面電極に金等からなるワイヤ５ａ〜５ｄをワイヤボン
ディングした後、半導体レーザチップ１の上面電極にワ
イヤボンディングしたワイヤ５ａを天板部１１ｂに電気
的に接続し、半導体レーザチップ２の上面電極にワイヤ
ボンディングしたワイヤ５ｂを天板部２１ｂに電気的に
接続し、半導体レーザチップ３の上面電極にワイヤボン
ディングしたワイヤ５ｃを天板部３１ｂに電気的に接続
する。

【００５０】最後に、半導体レーザチップ４の上面電極
にワイヤボンディングしたワイヤ５ｄとヒートシンク６
を電源に接続すると、図２に示す、スタック型半導体レ
ーザ装置２００が得られる。

【００５１】なお、以上の工程では、半導体レーザチッ
プ１〜４の上面電極へのワイヤボンディング，及びワイ
ヤ５ａ〜５ｃの金属製板状部材１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ
への電気的接続を、全ての半導体レーザチップ１〜４を
ダイボンディングした後に行ったが、半導体レーザチッ
プをダイボンディングした後、この半導体レーザチップ
１の上方に金属製板状部材を設ける毎に，この半導体レ
ーザチップの上面電極へのワイヤボンディングと、この
金属製板状部材へのワイヤの電気的接続を行うようにし
てもよい。

【００５２】このような本実施例においては、上記実施
例１と同様の効果を得ることができるとともに、各テー
ブル形状のスペーサ部材１１，２１，３１の脚部（縁性
棒状部材１１ａ，２１ａ，３１ａ）を十分な太さのもの
にすることができるので、これらテーブル形状のスペー
サ部材１１，２１，３１の安定度，及び機械的強度が向
上して、実施例１のスタック型半導体レーザ装置１００
に比して、信頼性の高いスタック型半導体レーザ装置２
００を得ることができる。

【００５３】なお、上記実施例では、天板部１１ｂ，２
１ｂ，３１ｂの上面に半導体レーザチップ２〜４をそれ
ぞれダイボンディングした後、ヒートシンク上でテーブ
ル形状のスペーサ１１，２１，３１）をそれぞれ組み立
てるようにしたが、テーブル形状のスペーサ１１（２
１，３１）を組み立て、その天板部１１ｂ（２１ｂ，３
１ｂ）の上面に半導体レーザチップ２（３，４）をダイ
ボンディングして、前述の（実施例１の）スタック用素
子５０ａ〜５０ｃを組み立てた後、これらスタック用素
子５０ａ〜５０ｃを実施例１と同様にして積み上げて
も、同様の効果を得ることができる。

【００５４】また、上記実施例１，２ではテーブル形状
のスペーサの天板部を四角形としたが、これを他の形に
しても、その上面にチップをダイボンディングすべき位
置を特定するパターンを形成しておけば、上記実施例
１，２と同様の効果を得ることができる。

【００５５】実施例３．図３はこの発明の実施例３によ
るスタック型半導体レーザ装置の構造を示す正面図であ
り、図において、図１と同一符号は同一または相当する
部分を示し、６０ａ〜６０ｃはスタック用素子で、これ
らは、それぞれ板状の金属製スペーサ１２，１３，１４
と、この板状の金属製スペーサ１２，１３，１４の上面
にダイボンディングされた半導体レーザチップ２，３，
４とで構成されている。３００はスタック型半導体レー
ザ装置である。ここで、金属製スペーサ１２，１３，１
４の上面には、半導体レーザチップ２，３，４の載置す
べき位置を特定するパターンが描かれており、このパタ
ーンに基づいて半導体レーザチップ２，３，４は、その
光出射面２ａ，３ａ，４ａが金属製スペーサ１２，１
３，１４の前面（図における正面）と平行となるよう
に、位置決めされている。また、半導体レーザチップ１
のヒートシンク６へのダイボンディング，及び半導体レ
ーザチップ２〜４の板状の金属製スペーサ１２〜１４へ
のダイボンディングに用いられているハンダ７ａと、ス
タック用素子６０ａ〜６０ｃのその下方の半導体レーザ
チップ（１〜３）の上面電極へのダイボンディングに用
いられているハンダ７ｂとはその融点が異なり、ハンダ
７ｂはハンダ７ａの融点よりも低い融点を有している。
また、半導体レーザチップ４の上面電極にダイボンディ
ングされたワイヤ５は図示しない一端が電源（図示せ
ず）に接続され、ヒートシンク６は図示しない配線によ
り上記電源（図示せず）に接続されている。なお、この
図では、半導体レーザチップ１〜４の上面電極，及び下
面電極は図示していない。

【００５６】以下、このスタック型半導体レーザ装置３
００の組立工程を説明する。その上面に半導体レーザチ
ップ２を載置すべき位置を特定するためのパターンが描
かれた板状の金属製スペーサ１２の上面に、このパター
ンに従って半導体レーザチップ２をハンダ７ａを用いて
ダイボンディングして、半導体レーザチップ２の光出射
面２ｃが金属製スペーサ１２の前面と平行となったスタ
ック用素子６０ａを組み立てる。そして、同様にして、
スタック用素子６０ｂ，６０ｃを組立てる。

【００５７】次に、ヒートシンク６の上面の所定位置に
半導体レーザチップ１をハンダ７ａを用いてダイボンデ
ィングした後、半導体レーザチップ１の上面電極に、上
記スタック用素子６０ａを、その金属製スペーサ１２下
面を接着面にして、当該金属製スペーサ１２の前面が上
記半導体レーザチップ１の光出射面１ａと平行となるよ
う、ハンダ７ｂを用いてダイボンディングし、続いて、
このスタック用素子６０ａの半導体レーザチップ２の上
面電極に、上記スタック用素子６０ｂをその上記金属製
スペーサ１３の下面を接着面にして、ハンダ７ｂを用い
てダイボンディングし、さらに、このスタック用素子６
０ｂの半導体レーザチップ３の上面電極に、上記スタッ
ク用素子６０ｃをその上記金属製スペーサ１４の下面を
接着面にして、ハンダ７ｂを用いてダイボンディングす
る。ここで、スタック用素子６０ａ，６０ｂ，６０ｃ
は、これらを構成する各々の金属製スペーサ１２，１
３，１４の各々の側面を、他の部材（図示せず）の平坦
面に沿わせた状態で、順次積み上げて、ダイボンディン
グする。これにより、スタック用素子６０ａ，６０ｂ，
６０ｃの各金属製スペーサ１２，１３，１４の上面にそ
の光出射面（２ａ，３ａ，４ａ）が所定方向を向くよう
にダイボンディングされている半導体レーザチップ２〜
４は、互いの光出射面２ａ，３ａ，４ａが同一方向を向
くように配置されることになる。また、スタック用素子
６０ａ，６０ｂ，６０ｃのダイボンディングに使用する
ハンダ７ｂは、半導体レーザチップ１〜４のダイボンデ
ィングに使用したハンダ７ａのそれよりも低い融点のも
のであるので、これらスタック用素子６０ａ，６０ｂ，
６０ｃのダイボンディング時に、半導体レーザチップ１
とヒートシンク６の間，及び半導体レーザチップ２〜４
と金属製スペーサ１２〜１４間に介在するハンダ７ａは
溶融せず、その結果、半導体レーザチップ１〜４は各々
の光出射面１ａ，２ａ，３ａ，４ａを互いに同一方向に
向けてスタックされる。 このように本実施例において
も、半導体レーザチップ１〜４を、その光出射面が同一
方向を向くように（そのレーザ光が同一方向に出射する
ように）スタックすることができ、所定のハイパワーの
光出力を得ることのできるスタック型半導体レーザ装置
３００を再現性よく得ることができる。また、このスタ
ック型半導体レーザ装置３００は、半導体レーザチップ
１がヒートシンク６により放熱され、半導体レーザチッ
プ２〜４が金属製スペーサ１２〜１４により放熱される
ので、温度上昇による性能劣化を生ずることはない。た
だし、本実施例では、チップ（１〜３）の上面電極上に
ハンダ７ｂを敷設するため、チップ（１〜３）の側面に
表出する活性層にハンダが接触したり、また、チップ
（１〜３）の発光領域（１ｄ〜３ｄ）にストレスがかか
るという従来の問題点を解消することはできない。

【００５８】実施例４．図４はこの発明の実施例４によ
るスタック型半導体レーザ装置の構造を示す側面図であ
り、図において、図１と同一符号は同一または相当する
部分を示し、４００はスタック型半導体レーザ装置で、
これは、階段状の表面を有するヒートシンク６ａと、こ
のヒートシンク６ａの階段状の表面の各段にそれぞれダ
イボンディングされた半導体レーザチップ１〜４とから
構成されている。図中１ｅ，２ｅ，３ｅ，４ｅは半導体
レーザチップ１〜４の各々から出射するレーザ光を示し
ている。なお、この図では半導体レーザチップ１〜４の
各上面電極，及び下面電極は図示していないが、この下
面電極はハンダ７によりヒートシンク６ａの階段状の表
面にハンダ付けされており、上面電極にはぞれぞれその
一端が電源（図示せず）に接続された金等からなるワイ
ヤ（図示せず）がワイヤボンディングされている。ま
た、ヒートシンク６ａは図示しない配線により上記電源
（図示せず）に接続されている。

【００５９】このスタック型半導体レーザ装置４００
は、ヒートシンク６ａの階段状の表面の各段に、半導体
レーザチップ１〜４を各チップの光出射面１ｄ，２ｄ，
３ｄ，４ｄが同一方向を向くように、ダイボンディング
した後、各チップ１〜４の上面電極にワイヤをボンディ
ングすることにより組立られる。

【００６０】このようにして組み立てられたスタック型
半導体レーザ装置４００は、各半導体レーザチップ１〜
４が同一方向にレーザ光１ｅ，２ｅ，３ｅ，４ｅを出射
し、ヒートシンク６ａによって放熱され、また、その側
面に表出する活性層にハンダが接触して電気的にショー
トすることもないので、所定のレーザ光を安定に出射す
るものとなる。従って、本実施例においても、上記実施
例１，２と同様に、各チップ１〜４が長期間安定動作
し、所定のハイパワーの光出力を長期間安定に出力する
ことのできるスタック型半導体レーザ装置４００を再現
性よく得ることができる。

【００６１】

【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１，
２）によれば、ヒートシンクの上面に複数のテーブル形
状の金属製スペーサを積み上げ、ヒートシンクの上面，
及び複数のテーブル形状の金属製スペーサの各々の天板
部の上面に半導体レーザチップをダイボンディングし
て、スタック型半導体レーザ装置を組み立てるようにし
たので、これらの上面において各チップを精度よく位置
決めすることができ、複数の半導体レーザチップを、各
チップの光出射面を確実に同一方向を向くようにスタッ
クすることができる。また、各チップの上面電極上には
ハンダを敷設しないため、各チップの側面に露出する活
性層とハンダが接触することがなく、また、発光領域
（活性層）にストレスが加わることなく、複数の半導体
レーザチップをスタックすることができる。従って、ス
タックされた複数の半導体レーザチップが長期間安定動
作し、所定のハイパワーの光出力を長期間安定に出力す
ることのできるスタック型半導体レーザを再現性よく得
ることができる効果がある。

【００６２】更に、この発明（請求項３，４）によれ
ば、上記テーブル形状の金属製スペーサを、互いに別体
からなる上記天板部と上記脚部とを接着することにより
得るようにしたので、上記脚部を十分な強度が得られる
太さのものとすることができ、その結果、上記スタック
された複数の半導体レーザチップが長期間安定動作し
て、所定のハイパワーの光出力を長期間安定に出力する
ことができるスタック型半導体レーザを、機械的強度に
優れたものとすることができる効果がある。

【００６３】更に、この発明（請求項５，６）によれ
ば、一個の半導体レーザチップを一個の板状の金属製ス
ペーサ上に第１のハンダを用いてダイボンディングして
なるスタック用素子を複数作成し、この複数のスタック
用素子を、ヒートシンクの上面に第１のハンダを用いて
ダイボンディングされた半導体レーザチップの上面電極
上に順次積み上げて、上下の素子間を上記第１のハンダ
の融点よりも低い融点を有する第２のハンダを用いてダ
イボンディングすることにより、スタック型半導体レー
ザ装置を組み立てるようにしたので、上記複数のスタッ
ク用素子を、各々の上記一個の金属製スペーサの側面
を、他の部材の平坦面に沿わせて、順次積み上げること
により、上記複数のスタック用素子の上記一個の金属製
スペーサの上面の所定位置に位置決めされた上記一個の
半導体レーザチップの光出射面を、確実に同一方向を向
くように配置することができ、その結果、所定のハイパ
ワーの光出力を出力することのできるスタック型半導体
レーザを再現性よく得ることができる効果がある。

【００６４】更に、この発明（請求項７，８）によれ
ば、階段状の表面を有するヒートシンクの当該階段状の
表面の各段に、半導体レーザチップをダイボンディング
することにより、複数の半導体レーザチップを直接積み
上げることなく、スタック型半導体レーザ装置を組み立
てるようにしたので、複数の半導体レーザチップを、各
チップの光出射面を確実に同一方向を向くようにスタッ
クすることができる。また、各チップの上面電極上には
ハンダを敷設しないため、各チップの側面に露出する活
性層とハンダが接触することがなく、また、発光領域
（活性層）にストレスが加わることなく、複数の半導体
レーザチップをスタックすることができる。従って、ス
タックされた複数の半導体レーザチップが長期間安定動
作し、所定のハイパワーの光出力を長期間安定に出力す
ることのできるスタック型半導体レーザを再現性よく得
ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１によるスタック型半導体レ
ーザ装置の構造を示す正面図（図１(a) ）と、このスタ
ック型半導体レーザ装置を構成するスタック用素子の構
造を示す分解斜視図である。

【図２】 本発明の実施例２によるスタック型半導体レ
ーザ装置の構造を示す正面図である。

【図３】 本発明の実施例３によるスタック型半導体レ
ーザ装置の構造を示す正面図である。

【図４】 本発明の実施例４によるスタック型半導体レ
ーザ装置の構造を示す正面図である。

【図５】 従来のスタック型半導体レーザ装置の構造を
示す正面図である。

【図６】 従来のスタック型半導体レーザ装置の問題点
を説明するための上面図（図６(a) ）と側面図（図６
(b) ）である。

【符号の説明】

１〜４ 半導体レーザチップ、１ａ，２ａ，３ａ，４ａ
上面電極、１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ 下面電極、１
ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃ 光出射面、１ｄ，２ｄ，３ｄ，
４ｄ 発光領域（活性層）、１ｅ，２ｅ，３ｅ，４ｅ
レーザ光、５，５ａ〜５ｄ ワイヤ、６，６ａ ヒート
シンク、７，７ａ，７ｂ ハンダ、８絶縁性接着剤、１
０，１１，２０，２１，３０，３１ テーブル形状の金
属製スペーサ、１１ａ，２１ａ，３１ａ 脚部、１１
ｂ，２１ｂ，３１ｂ 天板部、５０ａ〜５０ｃ，６０ａ
〜６０ｃ スタック用素子、１００，２００，３００，
４００，１０００ スタック型半導体レーザ装置。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ヒートシンクの上面に半導体レーザチッ
   プをダイボンディングする工程と、 一個の半導体レーザチップを、天板部と脚部とからなる
   一個のテーブル形状の金属製スペーサの当該天板部の上
   面にダイボンディングしてなる複数のスタック用素子を
   得る工程と、 上記ヒートシンクの上面に、上記複数のスタック用素子
   のうちの一個のスタック用素子の上記脚部を絶縁層を介
   して固定した後、当該一個のスタック用素子の上記天板
   部の上面に、上記複数のスタック用素子の当該一個のス
   タック用素子とは異なる他の複数のスタック用素子を、
   上側に配置されるものの上記脚部を下側に配置されるも
   のの上記天板部の上面に絶縁層を介して固定することに
   より、上記複数のスタック用素子を積み上げる工程とを
   含み、 上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた半導
   体レーザチップ，及び上記複数のスタック用素子の各々
   を構成する複数の半導体レーザチップをスタックしてな
   るスタック型半導体レーザ装置を組み立てることを特徴
   とするスタック型半導体レーザ装置の組立方法。
2. 【請求項２】 その上面に半導体レーザチップがダイボ
   ンディングされたヒートシンクと、 一個の半導体レーザチップを、天板部と脚部とからなる
   一個のテーブル形状の金属製スペーサの当該天板部の上
   面にダイボンディングしてなる複数のスタック用素子と
   を備え、 上記ヒートシンクの上面に上記複数のスタック用素子の
   うちの一個のスタック用素子の脚部が絶縁層を介して固
   定され、かつ、この一個のスタック用素子の天板部の上
   面に上記複数のスタック用素子の上記一個のスタック用
   素子とは異なる他の複数のスタック用素子が、その上側
   に配置されるものの上記脚部が、下側に配置されるもの
   の上記天板部の上面に絶縁層を介して固定されることに
   より積み上げられ、 上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた上記
   半導体レーザチップ，及び上記複数のスタック用素子の
   各々を構成する複数の半導体レーザチップがスタックさ
   れてなることを特徴とするスタック型半導体レーザ装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のスタック型半導体レー
   ザ装置の組立方法において、 上記テーブル形状の金属製スペーサを、互いに別体から
   なる上記天板部と上記脚部とを接着して得るようにした
   ことを特徴とするスタック型半導体レーザ装置の組立方
   法。
4. 【請求項４】 請求項２に記載のスタック型半導体レー
   ザ装置において、 上記テーブル形状の金属製スペーサは、互いに別体から
   なる上記天板部と上記脚部とを接着して得られたもので
   あることを特徴とするスタック型半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 ヒートシンクの上面に第１のハンダを用
   いて半導体レーザチップをダイボンディングする工程
   と、 一個の半導体レーザチップを一個の板状の金属製スペー
   サの上面に上記第１のハンダを用いてダイボンディング
   してなるスタック用素子を得る工程と、 上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた半導
   体レーザチップの上面電極上に、複数の上記スタック用
   素子を、その上記金属製スペーサの下面を接着面に、上
   記第１のハンダの融点よりも低い融点を有する第２のハ
   ンダを用いて順次ダイボンディングして、積み上げる工
   程とを含み、 上記複数のスタック用素子の各々を構成する複数の半導
   体レーザチップがスタックされたスタック型半導体レー
   ザ装置を組み立てることを特徴とするスタック型半導体
   レーザ装置の組立方法。
6. 【請求項６】 ヒートシンクの上面に第１のハンダを用
   いてダイボンディングされた半導体レーザチップと、 一個の半導体レーザチップを一個の板状の金属製スペー
   サの上面に上記第１のハンダを用いてダイボンディング
   してなる複数のスタック用素子とを有し、 上記複数のスタック用素子は、上記ヒートシンクの上面
   にダイボンディングされた半導体レーザチップの上面電
   極上に、その上記金属製スペーサの下面を接着面に、上
   記第１のハンダの融点よりも低い融点を有する第２のハ
   ンダを用いて順次ダイボンディングされて積み上げら
   れ、 上記ヒートシンクの上面にダイボンディングされた上記
   半導体レーザチップ，及び上記複数のスタック用素子の
   各々を構成する複数の半導体レーザチップがスタックさ
   れてなることを特徴とするスタック型半導体レーザ装
   置。
7. 【請求項７】 階段状の表面を有するヒートシンクの当
   該階段状の表面の各段に、半導体レーザチップをダイボ
   ンディングする工程を含み、 複数の半導体レーザチップをスタックしてなるスタック
   型半導体レーザ装置を組み立てることを特徴とするスタ
   ック型半導体レーザ装置の組立方法。
8. 【請求項８】 階段状の表面を有するヒートシンクの当
   該階段状の表面の各段に、半導体レーザチップをダイボ
   ンディングしてなり、 複数の半導体レーザチップをスタックしてなることを特
   徴とするスタック型半導体レーザ装置。