JPH0868627A - カメラの測距装置 - Google Patents
カメラの測距装置Info
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- JPH0868627A JPH0868627A JP20341594A JP20341594A JPH0868627A JP H0868627 A JPH0868627 A JP H0868627A JP 20341594 A JP20341594 A JP 20341594A JP 20341594 A JP20341594 A JP 20341594A JP H0868627 A JPH0868627 A JP H0868627A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遠距離側の測距能力の低下を防止することお
よび、マクロ領域の測距範囲を確保する。 【構成】 通常撮影の距離では、ＰＳＤを使用して、差
信号／和信号によって三角測距を行い、マクロ撮影の距
離範囲では、前記のＰＳＤの差信号と隣接するＰＳＤの
和信号（又はＳＰＣの光量出力）の比により距離を求め
る。
よび、マクロ領域の測距範囲を確保する。 【構成】 通常撮影の距離では、ＰＳＤを使用して、差
信号／和信号によって三角測距を行い、マクロ撮影の距
離範囲では、前記のＰＳＤの差信号と隣接するＰＳＤの
和信号（又はＳＰＣの光量出力）の比により距離を求め
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被写体に向けて赤外光を
投光し、その赤外光の被写体からの反射光を測光して被
写体までの距離情報を得るカメラの測距装置に関するも
のである。
投光し、その赤外光の被写体からの反射光を測光して被
写体までの距離情報を得るカメラの測距装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、所定の距離（基線長）を隔てた投
光素子と受光素子とを備え、被写体に向けて投光素子の
光を投光用集光レンズで焦光して投光し、その光の被写
体からの反射光を受光用焦光レンズで焦光し、半導体位
置検出素子上に結像し、その結像位置に応じた信号を出
力する２つの電極の出力により被写体までの距離情報を
得るいわゆるアクティブ方式の測距装置においては、投
光素子の光を被写体に向けて投光し、その反射光を測光
して測距を行うため、被写体が遠距離になる程、また被
写体の反射率が低反射率になる程、反射光が減少するた
め、被写体が遠距離になる程、また被写体の反射率が低
反射率になる程、測距精度が低下する。また、所定の基
線長を隔てて、投光素子と受光素子が配置されている
為、被写体の距離によって被写体からの反射光の半導体
位置検出素子上の結像位置は変化する。従って、測定対
象である被写体の測距範囲からの反射光をカバーする様
に半導体位置検出素子は所定の長さをもつ必要があり、
この長さは、測距範囲が広がる程長くする必要がある
が、半導体位置検出素子の長さを長くする程、測距精度
は低下する。従って、遠距離側の測距精度を高め、かつ
遠距離から近距離まで幅広い測距範囲をカバーするため
に、比較的遠距離の被写体からの反射光を検出する半導
体位置検出素子をもち、この半導体位置検出素子の２つ
の出力を用いて、比較的遠距離の被写体の測距を行い、
近距離側の被写体距離を測距するために、前記の比較的
遠距離の被写体の距離を測距する半導体位置検出素子に
隣接して、光検出素子（又は半導体位置検出素子）を配
設して、近距離の被写体の測距に関しては、前記の比較
的遠距離を測距する半導体位置検出素子の２つの電極の
和信号と、前記の隣接して配設された光検出素子の光量
出力（又は隣接して配設された半導体位置検出素子の２
つの電極の出力の和信号）の比を取ることにより、測距
を行うものが提案されている。
光素子と受光素子とを備え、被写体に向けて投光素子の
光を投光用集光レンズで焦光して投光し、その光の被写
体からの反射光を受光用焦光レンズで焦光し、半導体位
置検出素子上に結像し、その結像位置に応じた信号を出
力する２つの電極の出力により被写体までの距離情報を
得るいわゆるアクティブ方式の測距装置においては、投
光素子の光を被写体に向けて投光し、その反射光を測光
して測距を行うため、被写体が遠距離になる程、また被
写体の反射率が低反射率になる程、反射光が減少するた
め、被写体が遠距離になる程、また被写体の反射率が低
反射率になる程、測距精度が低下する。また、所定の基
線長を隔てて、投光素子と受光素子が配置されている
為、被写体の距離によって被写体からの反射光の半導体
位置検出素子上の結像位置は変化する。従って、測定対
象である被写体の測距範囲からの反射光をカバーする様
に半導体位置検出素子は所定の長さをもつ必要があり、
この長さは、測距範囲が広がる程長くする必要がある
が、半導体位置検出素子の長さを長くする程、測距精度
は低下する。従って、遠距離側の測距精度を高め、かつ
遠距離から近距離まで幅広い測距範囲をカバーするため
に、比較的遠距離の被写体からの反射光を検出する半導
体位置検出素子をもち、この半導体位置検出素子の２つ
の出力を用いて、比較的遠距離の被写体の測距を行い、
近距離側の被写体距離を測距するために、前記の比較的
遠距離の被写体の距離を測距する半導体位置検出素子に
隣接して、光検出素子（又は半導体位置検出素子）を配
設して、近距離の被写体の測距に関しては、前記の比較
的遠距離を測距する半導体位置検出素子の２つの電極の
和信号と、前記の隣接して配設された光検出素子の光量
出力（又は隣接して配設された半導体位置検出素子の２
つの電極の出力の和信号）の比を取ることにより、測距
を行うものが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、比較的遠距離を測定する半導体位置検出素子
の２つの電極の和信号と隣接する光検出素子の光量出力
の比を取るため、被写体の距離に応じた反射光のセンサ
面上での移動に対して、出力比の変化量が大きすぎると
いう欠点があった。また、比較的遠距離を測定する半導
体位置検出素子を近距離測距用にも使用するため、この
センサーの和信号を使用した場合、信号量が大きすぎ
て、回路が飽和しやすいという欠点があった。
来例では、比較的遠距離を測定する半導体位置検出素子
の２つの電極の和信号と隣接する光検出素子の光量出力
の比を取るため、被写体の距離に応じた反射光のセンサ
面上での移動に対して、出力比の変化量が大きすぎると
いう欠点があった。また、比較的遠距離を測定する半導
体位置検出素子を近距離測距用にも使用するため、この
センサーの和信号を使用した場合、信号量が大きすぎ
て、回路が飽和しやすいという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、以
上の事情に鑑み為されたもので、比較的遠距離からの被
写体からの反射光を検出する半導体位置素子検出手段と
前記半導体位置検出手段の検出可能な被写体距離よりも
さらに近距離側の被写体からの反射光を検出する光検出
素子（又は半導体位置検出素子）手段を前記の比較的遠
距離を測距する半導体位置検出素子手段に隣接して配置
し、近距離側の被写体の測距に関しては、前記の比較的
遠距離の被写体を測距する半導体位置検出素子の２つの
電極の差信号と前記の隣接して配設された光検出素子の
光量出力（又は隣接して配設された半導体位置検出素子
の２つの電極の出力の和信号）の比をとることにより、
測距を行おうとするものである。
上の事情に鑑み為されたもので、比較的遠距離からの被
写体からの反射光を検出する半導体位置素子検出手段と
前記半導体位置検出手段の検出可能な被写体距離よりも
さらに近距離側の被写体からの反射光を検出する光検出
素子（又は半導体位置検出素子）手段を前記の比較的遠
距離を測距する半導体位置検出素子手段に隣接して配置
し、近距離側の被写体の測距に関しては、前記の比較的
遠距離の被写体を測距する半導体位置検出素子の２つの
電極の差信号と前記の隣接して配設された光検出素子の
光量出力（又は隣接して配設された半導体位置検出素子
の２つの電極の出力の和信号）の比をとることにより、
測距を行おうとするものである。
【０００５】
（第１の実施例）図１は、本発明の特徴を最もよく表す
図面であり、同図において、１は被写体に向けて赤外光
を投光する公知の赤外発光素子であり、赤外発光ダイオ
ード（以下ＩＲＥＤと省略する）が多く用いられる。２
は、前記１のＩＲＥＤの光を集光し、被写体上に結像さ
せる投光用レンズ。３は、公知の位置検出素子（以下Ｐ
ＳＤと省略する）であり、受光した光の結像位置に応じ
た信号（Ｉ1 及びＩ2 ）を２つの電極より出力する。４
は、公知の光検出素子（以下ＳＰＣと省略する）であ
り、受光した光の光量に応じた信号（Ｉ3 ）を出力す
る。また、図中のｌ1 〜ｌn は、距離Ｄ1 〜Ｄn の被写
体からのそれぞれの反射光の光路を示している。
図面であり、同図において、１は被写体に向けて赤外光
を投光する公知の赤外発光素子であり、赤外発光ダイオ
ード（以下ＩＲＥＤと省略する）が多く用いられる。２
は、前記１のＩＲＥＤの光を集光し、被写体上に結像さ
せる投光用レンズ。３は、公知の位置検出素子（以下Ｐ
ＳＤと省略する）であり、受光した光の結像位置に応じ
た信号（Ｉ1 及びＩ2 ）を２つの電極より出力する。４
は、公知の光検出素子（以下ＳＰＣと省略する）であ
り、受光した光の光量に応じた信号（Ｉ3 ）を出力す
る。また、図中のｌ1 〜ｌn は、距離Ｄ1 〜Ｄn の被写
体からのそれぞれの反射光の光路を示している。
【０００６】図２は前記図１のセンサ（ＰＳＤ及びＳＰ
Ｃ）の部分を拡大した図面であり、同図において、６は
距離Ｄ1 の被写体からの前記１のＩＲＥＤの反射光の受
光像を示してあり、電極Ａから距離ｘ1 の位置に結像し
ている。７は、同様に距離Ｄ2 の被写体からの反射光の
受光像であり、ｘ2 の位置に結像している。８は距離Ｄ
n の被写体からの反射光の受光像であり、ｘn の位置に
結像している。
Ｃ）の部分を拡大した図面であり、同図において、６は
距離Ｄ1 の被写体からの前記１のＩＲＥＤの反射光の受
光像を示してあり、電極Ａから距離ｘ1 の位置に結像し
ている。７は、同様に距離Ｄ2 の被写体からの反射光の
受光像であり、ｘ2 の位置に結像している。８は距離Ｄ
n の被写体からの反射光の受光像であり、ｘn の位置に
結像している。
【０００７】図３は、前記図２のセンサの出力と受光像
位置ｘ（即ち被写体距離Ｄに対応している）の関係を示
す図であり、同図において、９は３のＰＳＤの出力Ｉ1
−Ｉ2 ／Ｉ1 ＋Ｉ2 （差信号Ｉ1 −Ｉ2 を和信号Ｉ1 ＋
Ｉ2 で正規化したもの）と受光像位置ｘの関係を示し、
１０は３のＰＳＤ及び４のＳＰＣの出力Ｉ3 ／Ｉ1 −Ｉ
2 （ＳＰＣの出力Ｉ3 をＰＳＤの差信号Ｉ1 −Ｉ2 で正
規化したもの）と受光像位置ｘの関係を示している。
位置ｘ（即ち被写体距離Ｄに対応している）の関係を示
す図であり、同図において、９は３のＰＳＤの出力Ｉ1
−Ｉ2 ／Ｉ1 ＋Ｉ2 （差信号Ｉ1 −Ｉ2 を和信号Ｉ1 ＋
Ｉ2 で正規化したもの）と受光像位置ｘの関係を示し、
１０は３のＰＳＤ及び４のＳＰＣの出力Ｉ3 ／Ｉ1 −Ｉ
2 （ＳＰＣの出力Ｉ3 をＰＳＤの差信号Ｉ1 −Ｉ2 で正
規化したもの）と受光像位置ｘの関係を示している。
【０００８】図４は本発明の実施例を示す回路図であ
り、同図において、１１は前記３のＰＳＤの電極Ａの出
力信号Ｉ1 を電流／電圧変換するアンプ。１２は前記３
のＰＳＤの電極Ｂの出力信号Ｉ2 を電流／電圧変換する
アンプ。１３は前記４のＳＰＣの出力信号Ｉ3 を電流／
電圧変換するアンプ。１４〜１８は前記の１１〜１３の
アンプの出力の直流成分をカットするコンデンサ。１９
は前記１１と１２のアンプの出力を減算して増幅する減
算増幅器。２０は前記１１と１２のアンプの出力を加算
して増幅する加算増幅器。２１は前記１３のアンプの出
力を増幅する増幅器。２２〜２４は抵抗。２５は前記１
９の減算増幅器の出力と２８の積分器の入力とを接続す
る公知の半導体スイッチ。２６は前記２０の加算増幅器
の出力と２８の積分器の入力とを接続する公知の半導体
スイッチ。２７は前記２１の増幅器の出力と２８の積分
器の入力とを接続する公知の半導体スイッチ。２９は２
８の積分器の出力を所定の電圧と比較する比較器。３０
は１の赤外発光素子ＩＲＥＤを駆動する公知のＩＲＥＤ
駆動回路。３１はカメラのシーケンスをコントロールす
る為のＣＰＵであり、図示しないＲＯＭ、ＲＡＭのメモ
リー及び時間を計測するためのタイマー及びＡ／Ｄ変換
器を内蔵する。３２は図示しないカメラのレリーズスイ
ッチが撮影者により、第１のストロークまで押し込まれ
ることによりオンするスイッチである。
り、同図において、１１は前記３のＰＳＤの電極Ａの出
力信号Ｉ1 を電流／電圧変換するアンプ。１２は前記３
のＰＳＤの電極Ｂの出力信号Ｉ2 を電流／電圧変換する
アンプ。１３は前記４のＳＰＣの出力信号Ｉ3 を電流／
電圧変換するアンプ。１４〜１８は前記の１１〜１３の
アンプの出力の直流成分をカットするコンデンサ。１９
は前記１１と１２のアンプの出力を減算して増幅する減
算増幅器。２０は前記１１と１２のアンプの出力を加算
して増幅する加算増幅器。２１は前記１３のアンプの出
力を増幅する増幅器。２２〜２４は抵抗。２５は前記１
９の減算増幅器の出力と２８の積分器の入力とを接続す
る公知の半導体スイッチ。２６は前記２０の加算増幅器
の出力と２８の積分器の入力とを接続する公知の半導体
スイッチ。２７は前記２１の増幅器の出力と２８の積分
器の入力とを接続する公知の半導体スイッチ。２９は２
８の積分器の出力を所定の電圧と比較する比較器。３０
は１の赤外発光素子ＩＲＥＤを駆動する公知のＩＲＥＤ
駆動回路。３１はカメラのシーケンスをコントロールす
る為のＣＰＵであり、図示しないＲＯＭ、ＲＡＭのメモ
リー及び時間を計測するためのタイマー及びＡ／Ｄ変換
器を内蔵する。３２は図示しないカメラのレリーズスイ
ッチが撮影者により、第１のストロークまで押し込まれ
ることによりオンするスイッチである。
【０００９】図５は、本実施例の動作を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【００１０】図６は、本実施例の動作中の各部の信号波
形を示す図である。
形を示す図である。
【００１１】まず、図１は本実施例の測距装置の光学的
な配置を示す図であり、１のＩＲＥＤにより投光された
光は、２の投光用集光レンズにより集光され、前方の被
写体に向けて投光され、距離Ｄ1 〜Ｄn の各被写体によ
り反射され、５の受光用集光レンズにより集光され、３
及び４のセンサー上に結像される。また、図から明らか
なように、被写体がＤ1 〜Ｄ2 の比較的遠距離の場合、
被写体からの反射光は、３のＰＳＤ上に結像し、Ｄn 付
近の比較的近距離の被写体からの反射光は、３のＰＳＤ
及び４のＳＰＣの両方のセンサー面上に受光像がかかる
様に結像する。また、図２は、センサー３及び４と被写
体距離Ｄ1 、Ｄ2 及びＤn の被写体から反射した光の受
光像の結像位置及び大きさを示している。図から明らか
なように、Ｄ1 及びＤ2 の被写体からの反射光は、３の
ＰＳＤ上のみに結像し、Ｄn の被写体からの反射光は、
３及び４のセンサー面上の両方に受光像がかかる様に結
像する。
な配置を示す図であり、１のＩＲＥＤにより投光された
光は、２の投光用集光レンズにより集光され、前方の被
写体に向けて投光され、距離Ｄ1 〜Ｄn の各被写体によ
り反射され、５の受光用集光レンズにより集光され、３
及び４のセンサー上に結像される。また、図から明らか
なように、被写体がＤ1 〜Ｄ2 の比較的遠距離の場合、
被写体からの反射光は、３のＰＳＤ上に結像し、Ｄn 付
近の比較的近距離の被写体からの反射光は、３のＰＳＤ
及び４のＳＰＣの両方のセンサー面上に受光像がかかる
様に結像する。また、図２は、センサー３及び４と被写
体距離Ｄ1 、Ｄ2 及びＤn の被写体から反射した光の受
光像の結像位置及び大きさを示している。図から明らか
なように、Ｄ1 及びＤ2 の被写体からの反射光は、３の
ＰＳＤ上のみに結像し、Ｄn の被写体からの反射光は、
３及び４のセンサー面上の両方に受光像がかかる様に結
像する。
【００１２】図３は、受光像が図２に示されるようにセ
ンサ面上に結像したときの各センサの出力を示してい
る。図３に示すように、３のＰＳＤの受光出力９（Ｉ1
−Ｉ2／Ｉ1 ＋Ｉ2 ）は、受光位置ｘ1 〜ｘ2 の間で
は、ほぼ受光位置ｘの変化に応じて直線的に変化してい
るが、ｘ2 よりもさらに電極Ｂの側に受光像が変位する
と、受光像が３のＰＳＤよりはみ出してしまうため、受
光像の重心位置の変化量が見かけ上少なくなり、受光出
力９は直線性を失ない曲がり初め、ｘn 付近の位置では
重心の変化量が微少になり測距を行うことが困難にな
る。また、Ｄn よりさらに近距離の被写体からの反射光
が入射した場合には、受光出力９は逆の変化を示すよう
になり、誤測距の原因になる。従って、図３の１０に示
すように、ｘn付近の被写体及びさらに近側の被写体を
測距するため、３のＰＳＤの差信号及び４のＳＰＣの受
光光量の比を求める。３のＰＳＤの差信号と４のＳＰＣ
の受光出力の比は、図３の１０のようになり、ｘn 付近
及びさらに近距離の被写体からの反射光でも充分測距可
能な変化量が得られる。
ンサ面上に結像したときの各センサの出力を示してい
る。図３に示すように、３のＰＳＤの受光出力９（Ｉ1
−Ｉ2／Ｉ1 ＋Ｉ2 ）は、受光位置ｘ1 〜ｘ2 の間で
は、ほぼ受光位置ｘの変化に応じて直線的に変化してい
るが、ｘ2 よりもさらに電極Ｂの側に受光像が変位する
と、受光像が３のＰＳＤよりはみ出してしまうため、受
光像の重心位置の変化量が見かけ上少なくなり、受光出
力９は直線性を失ない曲がり初め、ｘn 付近の位置では
重心の変化量が微少になり測距を行うことが困難にな
る。また、Ｄn よりさらに近距離の被写体からの反射光
が入射した場合には、受光出力９は逆の変化を示すよう
になり、誤測距の原因になる。従って、図３の１０に示
すように、ｘn付近の被写体及びさらに近側の被写体を
測距するため、３のＰＳＤの差信号及び４のＳＰＣの受
光光量の比を求める。３のＰＳＤの差信号と４のＳＰＣ
の受光出力の比は、図３の１０のようになり、ｘn 付近
及びさらに近距離の被写体からの反射光でも充分測距可
能な変化量が得られる。
【００１３】次に、図４の回路図及び図５のフローチャ
ートを用いて本実施例の動作を具体的に説明する。ま
ず、ステップ１０１で、３２のスイッチＳＷ１の状態を
チェックし、撮影者によりカメラのレリーズスイッチが
第１のストロークまで押し込まれると、ＳＷ１がオン
し、ステップ１０２に進む。ステップ１０２で、３１の
ＣＰＵのＩＲＥＤ端子より３０のＩＲＥＤ駆動回路に所
定の信号を出力し、所定の変調周波数及び所定の電流で
１のＩＲＥＤを駆動する。次に、１のＩＲＥＤに同期さ
せて、３１のＣＰＵのＳ１端子を駆動し、２５の半導体
スイッチを制御して、ステップ１０４で、３のＰＳＤの
差信号（Ｉ1 −Ｉ2 ）の積分を開始する。ステップ１０
５で、差信号の積分開始からの時間をチェックし、所定
時間Ｔ0 が経過すれば、Ｓ１端子の駆動を停止し、差信
号の積分を終了し、ステップ１０６に進む。ステップ１
０６で、Ｓ３端子をＩＲＥＤ１の変調周波数に同期させ
て駆動し、前記差信号の積分電圧を放電するようにステ
ップ１０７で、４のＳＰＣの受光出力Ｉ3 により逆積分
を開始する。次に、ステップ１０８で、２９の比較器の
位相をチェックし、逆積分開始時点の位相から反転して
いれば、ステップ１０９に進み、ステップ１０９で逆積
分開始から位相反転までの時間ｔを３１のＣＰＵのＲＡ
Ｍにメモリーし、ステップ１１０に進む。ステップ１１
０で逆積分の積分時間をチェックし、逆積分開始からＴ
時間経過すればステップ１１２に進む。また、ステップ
１０８で比較器の位相が変化していなければ、ステップ
１１１に進み、ステップ１１１で逆積分時間をチェック
し、逆積分の時間がＴ時間になれば、ステップ１１２に
進む。また、差信号の積分時間Ｔ0 とＩ3 の最大積分時
間Ｔには、Ｔ0 ＜Ｔの関係がある。ステップ１１２で
は、３０の積分器の出力電圧をＡ／Ｄ変換し、Ｉ3 の積
分量をメモリーし、ステップ１１３に進む。ステップ１
１３で、ｔ／Ｔ0 から被写体距離Ｄを演算し、ステップ
１１４に進む。ステップ１１４で前記Ｉ3 の積分量を所
定の比較レベルＩTHと比較し、Ｉ3 ＞ＩTHのときは、ス
テップ１１５に、Ｉ3 ≦ＩTHのときは、ステップ１１６
に進む。即ちＩ3の積分量が所定値以下のときは、４の
ＳＰＣ上に受光像がないと考えられるため、ステップ１
１６に進み、所定値以上のときは、４のＳＰＣ上に受光
像があり、３と４のセンサの出力比により距離を求める
ことが可能である。ステップ１１５で前記ステップ１１
３で演算した距離Ｄと所定の距離ＤTHを比較して、Ｄ＞
ＤTHならば、３のＰＳＤで測距した方が良い（即ち受光
像は、３のＰＳＤのセンサー面上により多くかかるよう
に結像している）ため、ステップ１１６に進み、Ｄ≦Ｄ
THのときは、この測距結果を採用して測距を終了する。
次に、ステップ１１６では、再度ＩＲＥＤを点灯し、ス
テップ１１７で１のＩＲＥＤに同期させて、３１のＣＰ
ＵのＳ１端子を駆動し、２５の半導体スイッチを制御し
て、ステップ１１８で、３のＰＳＤの差信号（Ｉ1 −Ｉ
2 ）の積分を開始する。ステップ１１９で、差信号の積
分開始からの時間をチェックし、所定時間Ｔが経過すれ
ば、Ｓ１端子の駆動を停止し、差信号の積分を終了し、
ステップ１２０に進む。ステップ１２０で、今度は、Ｓ
２端子をＩＲＥＤ１の変調周波数に同期させて駆動し、
前記差信号の積分電圧を放電するようにステップ１２１
で、３のＰＳＤの受光出力Ｉ1 ＋Ｉ2 により逆積分を開
始する。次に、ステップ１２２で、２９の比較器の位相
をチェックし、逆積分開始時点の位相から反転していれ
ば、ステップ１２３に進み、ステップ１２３で逆積分開
始から位相反転までの時間ｔを３１のＣＰＵのＲＡＭに
メモリーし、ステップ１２４に進む。ステップ１２４で
逆積分の積分時間をチェックし、逆積分開始からＴ時間
経過すればステップ１２６に進む。また、ステップ１２
２で比較器の位相が変化していなければ、ステップ１２
５に進み、ステップ１２５で逆積分の時間をチェック
し、逆積分の時間がＴ時間になればステップ１２６に進
み、Ｔ時間経過していなければ、再びステップ１２２に
もどる。ステップ１２６で、３０の積分器の出力電圧を
Ａ／Ｄ変換し、Ｉ1 ＋Ｉ2の積分量をメモリーし、ステ
ップ１２７に進む。ステップ１２７でｔ／Ｔから被写体
距離Ｄを演算し、ステップ１２８に進む。ステップ１２
８で前記Ｉ1 ＋Ｉ2の積分量を所定の比較レベルｉTHと
比較し、Ｉ1 ＋Ｉ2 ≦ｉTHのときは、ステップ１２９に
進み、被写体距離データーを無限として測距を終了す
る。また、Ｉ1＋Ｉ2 ＞ｉTHのときは、前記の被写体距
離Ｄを採用して測距を終了する。
ートを用いて本実施例の動作を具体的に説明する。ま
ず、ステップ１０１で、３２のスイッチＳＷ１の状態を
チェックし、撮影者によりカメラのレリーズスイッチが
第１のストロークまで押し込まれると、ＳＷ１がオン
し、ステップ１０２に進む。ステップ１０２で、３１の
ＣＰＵのＩＲＥＤ端子より３０のＩＲＥＤ駆動回路に所
定の信号を出力し、所定の変調周波数及び所定の電流で
１のＩＲＥＤを駆動する。次に、１のＩＲＥＤに同期さ
せて、３１のＣＰＵのＳ１端子を駆動し、２５の半導体
スイッチを制御して、ステップ１０４で、３のＰＳＤの
差信号（Ｉ1 −Ｉ2 ）の積分を開始する。ステップ１０
５で、差信号の積分開始からの時間をチェックし、所定
時間Ｔ0 が経過すれば、Ｓ１端子の駆動を停止し、差信
号の積分を終了し、ステップ１０６に進む。ステップ１
０６で、Ｓ３端子をＩＲＥＤ１の変調周波数に同期させ
て駆動し、前記差信号の積分電圧を放電するようにステ
ップ１０７で、４のＳＰＣの受光出力Ｉ3 により逆積分
を開始する。次に、ステップ１０８で、２９の比較器の
位相をチェックし、逆積分開始時点の位相から反転して
いれば、ステップ１０９に進み、ステップ１０９で逆積
分開始から位相反転までの時間ｔを３１のＣＰＵのＲＡ
Ｍにメモリーし、ステップ１１０に進む。ステップ１１
０で逆積分の積分時間をチェックし、逆積分開始からＴ
時間経過すればステップ１１２に進む。また、ステップ
１０８で比較器の位相が変化していなければ、ステップ
１１１に進み、ステップ１１１で逆積分時間をチェック
し、逆積分の時間がＴ時間になれば、ステップ１１２に
進む。また、差信号の積分時間Ｔ0 とＩ3 の最大積分時
間Ｔには、Ｔ0 ＜Ｔの関係がある。ステップ１１２で
は、３０の積分器の出力電圧をＡ／Ｄ変換し、Ｉ3 の積
分量をメモリーし、ステップ１１３に進む。ステップ１
１３で、ｔ／Ｔ0 から被写体距離Ｄを演算し、ステップ
１１４に進む。ステップ１１４で前記Ｉ3 の積分量を所
定の比較レベルＩTHと比較し、Ｉ3 ＞ＩTHのときは、ス
テップ１１５に、Ｉ3 ≦ＩTHのときは、ステップ１１６
に進む。即ちＩ3の積分量が所定値以下のときは、４の
ＳＰＣ上に受光像がないと考えられるため、ステップ１
１６に進み、所定値以上のときは、４のＳＰＣ上に受光
像があり、３と４のセンサの出力比により距離を求める
ことが可能である。ステップ１１５で前記ステップ１１
３で演算した距離Ｄと所定の距離ＤTHを比較して、Ｄ＞
ＤTHならば、３のＰＳＤで測距した方が良い（即ち受光
像は、３のＰＳＤのセンサー面上により多くかかるよう
に結像している）ため、ステップ１１６に進み、Ｄ≦Ｄ
THのときは、この測距結果を採用して測距を終了する。
次に、ステップ１１６では、再度ＩＲＥＤを点灯し、ス
テップ１１７で１のＩＲＥＤに同期させて、３１のＣＰ
ＵのＳ１端子を駆動し、２５の半導体スイッチを制御し
て、ステップ１１８で、３のＰＳＤの差信号（Ｉ1 −Ｉ
2 ）の積分を開始する。ステップ１１９で、差信号の積
分開始からの時間をチェックし、所定時間Ｔが経過すれ
ば、Ｓ１端子の駆動を停止し、差信号の積分を終了し、
ステップ１２０に進む。ステップ１２０で、今度は、Ｓ
２端子をＩＲＥＤ１の変調周波数に同期させて駆動し、
前記差信号の積分電圧を放電するようにステップ１２１
で、３のＰＳＤの受光出力Ｉ1 ＋Ｉ2 により逆積分を開
始する。次に、ステップ１２２で、２９の比較器の位相
をチェックし、逆積分開始時点の位相から反転していれ
ば、ステップ１２３に進み、ステップ１２３で逆積分開
始から位相反転までの時間ｔを３１のＣＰＵのＲＡＭに
メモリーし、ステップ１２４に進む。ステップ１２４で
逆積分の積分時間をチェックし、逆積分開始からＴ時間
経過すればステップ１２６に進む。また、ステップ１２
２で比較器の位相が変化していなければ、ステップ１２
５に進み、ステップ１２５で逆積分の時間をチェック
し、逆積分の時間がＴ時間になればステップ１２６に進
み、Ｔ時間経過していなければ、再びステップ１２２に
もどる。ステップ１２６で、３０の積分器の出力電圧を
Ａ／Ｄ変換し、Ｉ1 ＋Ｉ2の積分量をメモリーし、ステ
ップ１２７に進む。ステップ１２７でｔ／Ｔから被写体
距離Ｄを演算し、ステップ１２８に進む。ステップ１２
８で前記Ｉ1 ＋Ｉ2の積分量を所定の比較レベルｉTHと
比較し、Ｉ1 ＋Ｉ2 ≦ｉTHのときは、ステップ１２９に
進み、被写体距離データーを無限として測距を終了す
る。また、Ｉ1＋Ｉ2 ＞ｉTHのときは、前記の被写体距
離Ｄを採用して測距を終了する。
【００１４】また、本実施例では、隣接する光検出素子
にＳＰＣを用いたが、半導体位置検出素子を用いて、２
つの電極出力の加算信号を用いてもよいことはいうまで
もない。
にＳＰＣを用いたが、半導体位置検出素子を用いて、２
つの電極出力の加算信号を用いてもよいことはいうまで
もない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比較的遠距離を半導体位置検出素子の差信号と和信号の
比で行い、さらに近距離の測距を前記半導体位置検出素
子の差信号と隣接する光検出素子の光量出力の比で行う
ようにしたので、近距離測距時の出力比の変化量が小さ
くでき、測距可能範囲が広げられる。また、差信号を使
用するため、遠距離用センサの和信号を近距離側で使用
するのに比べ回路の飽和に対して有利である。
比較的遠距離を半導体位置検出素子の差信号と和信号の
比で行い、さらに近距離の測距を前記半導体位置検出素
子の差信号と隣接する光検出素子の光量出力の比で行う
ようにしたので、近距離測距時の出力比の変化量が小さ
くでき、測距可能範囲が広げられる。また、差信号を使
用するため、遠距離用センサの和信号を近距離側で使用
するのに比べ回路の飽和に対して有利である。
【００１６】また、光検出素子の光量出力を使用して、
近距離のデータと遠距離のデータをセレクトする様にし
たので、比較的簡便な方法で両者のデーターをセレクト
することが可能になった。
近距離のデータと遠距離のデータをセレクトする様にし
たので、比較的簡便な方法で両者のデーターをセレクト
することが可能になった。
【図１】本発明の第１の実施例に係る測距光学系を説明
する図。
する図。
【図２】本発明の第１の実施例に係るセンサと受光像の
関係を説明する図。
関係を説明する図。
【図３】本発明の第１の実施例に係る受光位置とセンサ
出力の関係を示す図。
出力の関係を示す図。
【図４】本発明の第１の実施例に係る回路図。
【図５】本発明の第１の実施例を示すフローチャート。
【図６】本発明の第１の実施例の各部波形を示す図。
１ 投光素子 ２ 投光用レンズ ３ 半導体位置検出素子 ４ 光検出素子 ５ 受光用レンズ ６〜８ 受光像 ９ 半導体位置検出素子出力 １０ 半導体位置検出素子−光検出素子出力比 １１〜１３ 電流−電圧変換アンプ １４〜１８ コンデンサ １９ 減算増幅器 ２０ 加算増幅器 ２１ 増幅器 ２２〜２４ 抵抗 ２５〜２７ 半導体スイッチ ２８ 積分器 ２９ 比較器 ３０ ＩＲＥＤ駆動回路 ３１ ＣＰＵ ３２ スイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】 測定対象からの反射光を受光し、測定対
象の距離に依存して変化する第１と第２の信号を出力す
る第１の受光手段と、前記第１の受光手段に隣接して配
置され、測定対象からの反射光の光量に応じ信号を出力
する第２の受光手段とから距離を測定するカメラの測距
装置において、前記第１の受光手段の測定範囲外の測定
対象の距離を前記第１の受光手段の第１と第２の差信号
と第２の受光手段の光量信号の比から演算することを特
徴とするカメラの測距装置。 - 【請求項２】 請求項１のカメラの測距装置において、
第２の受光手段の信号量が所定の比較レベルより大きい
ときは、第１の受光手段の差信号と第２の受光手段の光
量信号の比から測定対象の距離を演算することを特徴と
するカメラの測距装置。 - 【請求項３】 請求項１のカメラの測距装置において、
第２の受光手段の光量信号は、ＳＰＣの出力信号である
ことを特徴とするカメラの測距装置。 - 【請求項４】 請求項１のカメラの測距装置において、
第２の受光手段の光量信号は、ＰＳＤの２つの出力の和
信号であることを特徴とするカメラの測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20341594A JPH0868627A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | カメラの測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20341594A JPH0868627A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | カメラの測距装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868627A true JPH0868627A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16473702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20341594A Withdrawn JPH0868627A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | カメラの測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0868627A (ja) |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP20341594A patent/JPH0868627A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |