JPH0869994A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0869994A JPH0869994A JP20563094A JP20563094A JPH0869994A JP H0869994 A JPH0869994 A JP H0869994A JP 20563094 A JP20563094 A JP 20563094A JP 20563094 A JP20563094 A JP 20563094A JP H0869994 A JPH0869994 A JP H0869994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- refractory metal
- manufacturing
- metal silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高融点金属シリサイド膜を成膜する際の下地
基板の前処理方法に関し、弗酸系の水溶液やガスを用い
ずに自然酸化膜を除去し、また、弗素の含有量の少ない
高融点金属シリサイド膜を成膜することにより、デバイ
スの信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 ウェーハ１２上にタングステンシリサイド膜
３４を成膜する半導体装置の製造方法において、タング
ステンシリサイド膜３４を成膜する前に、ウェーハ１２
を水素プラズマ２８に曝し、ウェーハ１２上に成長した
自然酸化膜を除去する。
基板の前処理方法に関し、弗酸系の水溶液やガスを用い
ずに自然酸化膜を除去し、また、弗素の含有量の少ない
高融点金属シリサイド膜を成膜することにより、デバイ
スの信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 ウェーハ１２上にタングステンシリサイド膜
３４を成膜する半導体装置の製造方法において、タング
ステンシリサイド膜３４を成膜する前に、ウェーハ１２
を水素プラズマ２８に曝し、ウェーハ１２上に成長した
自然酸化膜を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
における前処理方法に関し、特に下地基板上の自然酸化
膜などを除去する半導体装置の製造方法に関する。
における前処理方法に関し、特に下地基板上の自然酸化
膜などを除去する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置の微細化に伴い、電極
や配線材料には、配線抵抗やコンタクト抵抗の低減、熱
処理による物性的な安定性が要求されている。このた
め、電極や配線となる膜を成膜する際には、下地表面の
ダストや汚染物質、自然酸化膜などを十分に除去するこ
とが重要となっている。
や配線材料には、配線抵抗やコンタクト抵抗の低減、熱
処理による物性的な安定性が要求されている。このた
め、電極や配線となる膜を成膜する際には、下地表面の
ダストや汚染物質、自然酸化膜などを十分に除去するこ
とが重要となっている。
【０００３】電極材料等を成膜する際の前処理は、従
来、弗酸（ＨＦ）水溶液を用いたウェットエッチング
や、水分を含有したＨＦガスにより自然酸化膜等を除去
する表面処理が主流であった。タングステンシリサイド
（ＷＳｉx）に代表される高融点金属シリサイド膜の形
成の際にも、このようなＨＦ系の水溶液やガスを用いた
成膜前処理が行われていた。
来、弗酸（ＨＦ）水溶液を用いたウェットエッチング
や、水分を含有したＨＦガスにより自然酸化膜等を除去
する表面処理が主流であった。タングステンシリサイド
（ＷＳｉx）に代表される高融点金属シリサイド膜の形
成の際にも、このようなＨＦ系の水溶液やガスを用いた
成膜前処理が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＨＦ系の水溶液やガスを用いて成膜前処理を行う半
導体装置の製造方法では、自然酸化膜を除去した表面
に、ＨＦ中に含まれていた弗素（Ｆ）が残留するという
問題があった。このため、この前処理後に高融点金属シ
リサイド膜を用いたゲート電極を形成すると、後工程の
熱処理により、残留したＦがゲート酸化膜中に取り込ま
れてゲート容量が低下し、トランジスタの電流駆動能力
が低下するなどの問題があった。
来のＨＦ系の水溶液やガスを用いて成膜前処理を行う半
導体装置の製造方法では、自然酸化膜を除去した表面
に、ＨＦ中に含まれていた弗素（Ｆ）が残留するという
問題があった。このため、この前処理後に高融点金属シ
リサイド膜を用いたゲート電極を形成すると、後工程の
熱処理により、残留したＦがゲート酸化膜中に取り込ま
れてゲート容量が低下し、トランジスタの電流駆動能力
が低下するなどの問題があった。
【０００５】また、開口径の小さいコンタクトホール内
に高融点金属シリサイド膜を形成する場合では、自然酸
化膜を除去する際にＨＦ系水溶液を用いると、コンタク
トホール内に水分が残留するなどして自然酸化膜が十分
に除去されず、堆積した電極材料と下地基板とのコンタ
クト抵抗が増加するといった問題があった。また、高融
点金属シリサイド膜をＣＶＤ法により堆積すると、成膜
と同時にＳｉＦxが生成される。このため、同一のチャ
ンバー内でＷＳｉx膜の成膜を連続して行うと、成膜の
際に発生したＳｉＦxがチャンバー内部に残留してお
り、次に成膜を行うときにＳｉＦx中のＦが混入して高
融点金属シリサイド膜中のＦ濃度が増加するといった問
題があった。
に高融点金属シリサイド膜を形成する場合では、自然酸
化膜を除去する際にＨＦ系水溶液を用いると、コンタク
トホール内に水分が残留するなどして自然酸化膜が十分
に除去されず、堆積した電極材料と下地基板とのコンタ
クト抵抗が増加するといった問題があった。また、高融
点金属シリサイド膜をＣＶＤ法により堆積すると、成膜
と同時にＳｉＦxが生成される。このため、同一のチャ
ンバー内でＷＳｉx膜の成膜を連続して行うと、成膜の
際に発生したＳｉＦxがチャンバー内部に残留してお
り、次に成膜を行うときにＳｉＦx中のＦが混入して高
融点金属シリサイド膜中のＦ濃度が増加するといった問
題があった。
【０００６】また、高融点金属シリサイド膜中のＦ濃度
が増加すると、ボロン（Ｂ）イオン注入によりゲート電
極にセルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成し
た場合、後工程の熱処理において、高融点金属シリサイ
ド膜中のＦの影響によりゲート電極中に打ち込まれたＢ
の拡散が増進され、チャネル領域にまで達することによ
りトランジスタのしきい値電圧が変化するといった問題
があった。
が増加すると、ボロン（Ｂ）イオン注入によりゲート電
極にセルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成し
た場合、後工程の熱処理において、高融点金属シリサイ
ド膜中のＦの影響によりゲート電極中に打ち込まれたＢ
の拡散が増進され、チャネル領域にまで達することによ
りトランジスタのしきい値電圧が変化するといった問題
があった。
【０００７】本発明の目的は、ＨＦ系の水溶液やガスを
用いずに自然酸化膜を除去し、また、Ｆの含有量の少な
い高融点金属シリサイド膜を成膜することにより、デバ
イスの信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
用いずに自然酸化膜を除去し、また、Ｆの含有量の少な
い高融点金属シリサイド膜を成膜することにより、デバ
イスの信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下地基板上
に高融点金属シリサイド膜を成膜する半導体装置の製造
方法において、前記高融点金属シリサイド膜又はその材
料をなす膜の成膜前に、前記下地基板を水素のプラズマ
に曝し、前記下地基板上に成長した自然酸化膜を除去す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。
に高融点金属シリサイド膜を成膜する半導体装置の製造
方法において、前記高融点金属シリサイド膜又はその材
料をなす膜の成膜前に、前記下地基板を水素のプラズマ
に曝し、前記下地基板上に成長した自然酸化膜を除去す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。
【０００９】また、上記の半導体装置の製造方法におい
て、前記水素のプラズマの代わりに、アルゴン、ヘリウ
ム、又は窒素ガスのプラズマを用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成される。また、上記の
半導体装置の製造方法において、前記高融点金属シリサ
イド膜により、ゲート電極を形成することを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成される。
て、前記水素のプラズマの代わりに、アルゴン、ヘリウ
ム、又は窒素ガスのプラズマを用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成される。また、上記の
半導体装置の製造方法において、前記高融点金属シリサ
イド膜により、ゲート電極を形成することを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成される。
【００１０】また、上記の半導体装置の製造方法におい
て、前記高融点金属シリサイド膜により、コンタクトホ
ール部の電極を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成される。また、上記の半導体装置の
製造方法において、前記高融点金属シリサイド膜は、タ
ングステンシリサイド膜であることを特徴とする半導体
装置の製造方法により達成される。
て、前記高融点金属シリサイド膜により、コンタクトホ
ール部の電極を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成される。また、上記の半導体装置の
製造方法において、前記高融点金属シリサイド膜は、タ
ングステンシリサイド膜であることを特徴とする半導体
装置の製造方法により達成される。
【００１１】
【作用】本発明によれば、高融点金属シリサイド膜を用
いたゲート電極を形成する際に、水素又は不活性ガスの
プラズマを用いてウェーハ上の自然酸化膜を除去すると
共に、チャンバー内に残留するＦを除去したので、自然
酸化膜を除去した表面にはＦが残留せず、また、その後
に堆積した高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度
を低減することができる。これにより、ゲート酸化膜中
に取り込まれるＦ濃度を低減できるので、ゲート容量の
低下を防止することができる。
いたゲート電極を形成する際に、水素又は不活性ガスの
プラズマを用いてウェーハ上の自然酸化膜を除去すると
共に、チャンバー内に残留するＦを除去したので、自然
酸化膜を除去した表面にはＦが残留せず、また、その後
に堆積した高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度
を低減することができる。これにより、ゲート酸化膜中
に取り込まれるＦ濃度を低減できるので、ゲート容量の
低下を防止することができる。
【００１２】また、Ｂイオン注入によりゲート電極にセ
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理によってチャネル領域にまで達する
ことがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化するこ
とを防止することができる。
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理によってチャネル領域にまで達する
ことがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化するこ
とを防止することができる。
【００１３】また、コンタクトホール内に高融点金属シ
リサイド電極を形成する際に、水素プラズマを用いたウ
ェーハの前処理を行い、その直後に高融点金属シリサイ
ド膜を堆積したので、コンタクトホール内の自然酸化膜
が十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を
低く抑えることができる。
リサイド電極を形成する際に、水素プラズマを用いたウ
ェーハの前処理を行い、その直後に高融点金属シリサイ
ド膜を堆積したので、コンタクトホール内の自然酸化膜
が十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を
低く抑えることができる。
【００１４】
【実施例】本発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を図１乃至図２を用いて説明する。図１は本実施例に
よる半導体装置の製造装置の概略図、図２は本実施例に
よる半導体装置の製造方法を示す図である。
法を図１乃至図２を用いて説明する。図１は本実施例に
よる半導体装置の製造装置の概略図、図２は本実施例に
よる半導体装置の製造方法を示す図である。
【００１５】成膜を行うチャンバー１０内には、ウェー
ハ１２を載置するためのサセプター１４が設けられてい
る。サセプター１４には、成膜する際にウェーハ１２を
加熱するヒーター（図示せず）が内蔵されている。サセ
プター１４と対向する位置には、サセプター１４との間
に高周波を印加してプラズマを発生するための対向電極
１６が配置されている。
ハ１２を載置するためのサセプター１４が設けられてい
る。サセプター１４には、成膜する際にウェーハ１２を
加熱するヒーター（図示せず）が内蔵されている。サセ
プター１４と対向する位置には、サセプター１４との間
に高周波を印加してプラズマを発生するための対向電極
１６が配置されている。
【００１６】チャンバー１０にはさらに、チャンバー１
０内を真空に引くための排気配管１８、ＷＳｉx膜を成
膜する際にシリコン源となるモノシラン（ＳｉＨ4）を
供給するＳｉＨ4供給配管２０、タングステン源となる
六弗化タングステン（ＷＦ6）を供給するＷＦ6供給配管
２２、及び成膜前処理を行うための水素（Ｈ2）を供給
するＨ2供給配管２４が接続されている。サセプター１
４及び対向電極１６には、プラズマを発生するための高
周波電源２６が接続されている。
０内を真空に引くための排気配管１８、ＷＳｉx膜を成
膜する際にシリコン源となるモノシラン（ＳｉＨ4）を
供給するＳｉＨ4供給配管２０、タングステン源となる
六弗化タングステン（ＷＦ6）を供給するＷＦ6供給配管
２２、及び成膜前処理を行うための水素（Ｈ2）を供給
するＨ2供給配管２４が接続されている。サセプター１
４及び対向電極１６には、プラズマを発生するための高
周波電源２６が接続されている。
【００１７】次に、本実施例による半導体装置の製造方
法を説明する。まず、成膜すべきウェーハ１２をサセプ
ター１４上に載置し、排気配管１８に接続された真空ポ
ンプ（図示せず）によりチャンバー１０内を減圧する。
次いで、ＷＳｉx膜を成膜する際の温度までサセプター
１４の温度を昇温し、その後にＨ2供給配管２４よりＨ2
ガスを導入し、サセプター１４及び対向電極１６間に高
周波を印加してＨ2プラズマ２８を発生する（図２
（ａ））。
法を説明する。まず、成膜すべきウェーハ１２をサセプ
ター１４上に載置し、排気配管１８に接続された真空ポ
ンプ（図示せず）によりチャンバー１０内を減圧する。
次いで、ＷＳｉx膜を成膜する際の温度までサセプター
１４の温度を昇温し、その後にＨ2供給配管２４よりＨ2
ガスを導入し、サセプター１４及び対向電極１６間に高
周波を印加してＨ2プラズマ２８を発生する（図２
（ａ））。
【００１８】水素ガス等の還元性ガス雰囲気中で、１０
００℃程度の高温熱処理を行うことにより、シリコン基
板表面の自然酸化膜を除去する方法が一般に知られてい
るが、本発明では、Ｈ2プラズマ２８が同様の働きをす
る。即ち、熱エネルギーにより還元反応を発生させて自
然酸化膜を除去する代わりに、Ｈ2プラズマ２８のエネ
ルギーによりウェーハ１２上に成長した自然酸化膜を除
去することができる。
００℃程度の高温熱処理を行うことにより、シリコン基
板表面の自然酸化膜を除去する方法が一般に知られてい
るが、本発明では、Ｈ2プラズマ２８が同様の働きをす
る。即ち、熱エネルギーにより還元反応を発生させて自
然酸化膜を除去する代わりに、Ｈ2プラズマ２８のエネ
ルギーによりウェーハ１２上に成長した自然酸化膜を除
去することができる。
【００１９】Ｈ2プラズマ２８を用いた前処理には、さ
らに利点がある。即ち、チャンバー１０の内壁等にＳｉ
Ｆx３０が吸着していた場合には、ＳｉＦx３０も除去す
ることができる（図２（ｂ））。ＳｉＦx３０は、Ｈ2プ
ラズマ２８によりＨＦ３２等の形態に変化するので、チ
ャンバー１０の内壁から除去され易くなる。これによ
り、堆積するＷＳｉx膜中のＦ濃度を低減することがで
きる。なお、ＳｉＦx３０は、ＷＳｉx膜の成長の際に生
成されるもので、複数のウェーハ１２を連続で成膜する
際には、前回の成膜時にチャンバー１０の内壁に吸着さ
れている。
らに利点がある。即ち、チャンバー１０の内壁等にＳｉ
Ｆx３０が吸着していた場合には、ＳｉＦx３０も除去す
ることができる（図２（ｂ））。ＳｉＦx３０は、Ｈ2プ
ラズマ２８によりＨＦ３２等の形態に変化するので、チ
ャンバー１０の内壁から除去され易くなる。これによ
り、堆積するＷＳｉx膜中のＦ濃度を低減することがで
きる。なお、ＳｉＦx３０は、ＷＳｉx膜の成長の際に生
成されるもので、複数のウェーハ１２を連続で成膜する
際には、前回の成膜時にチャンバー１０の内壁に吸着さ
れている。
【００２０】このようにして、ウェーハ１２の前処理
と、チャンバー１０内壁のプラズマクリーニングを同時
に行うことができる。次いで、Ｈ2ガスの導入を停止し
た後に、ＳｉＨ4供給配管２０よりＳｉＨ4ガスを、ＷＦ
6供給配管２２よりＷＦ6ガス導入する。これにより、ウ
ェーハ１２上でＷＦ6及びＳｉＨ4が反応し、ＷＳｉx膜
３４が成膜される（図２（ｃ））。このようにしてＷＳ
ｉx膜３４を堆積することにより、同一チャンバー内で
前処理と堆積を行えるので、膜中のＦ濃度を低減できる
と共に自然酸化膜を除去した直後に成膜することが可能
である。
と、チャンバー１０内壁のプラズマクリーニングを同時
に行うことができる。次いで、Ｈ2ガスの導入を停止し
た後に、ＳｉＨ4供給配管２０よりＳｉＨ4ガスを、ＷＦ
6供給配管２２よりＷＦ6ガス導入する。これにより、ウ
ェーハ１２上でＷＦ6及びＳｉＨ4が反応し、ＷＳｉx膜
３４が成膜される（図２（ｃ））。このようにしてＷＳ
ｉx膜３４を堆積することにより、同一チャンバー内で
前処理と堆積を行えるので、膜中のＦ濃度を低減できる
と共に自然酸化膜を除去した直後に成膜することが可能
である。
【００２１】このように、本実施例によれば、Ｈ2プラ
ズマを用いたウェーハ１２の前処理により、ＷＳｉx膜
３４の成膜直前に自然酸化膜の除去を行うことができる
ので、堆積したＷＳｉx膜３４の密着性が向上し、膜剥
がれを防止することができる。また、ＨＦ系水溶液等を
用いずに自然酸化膜を除去すると共に、チャンバー１０
内に残留するＦを除去したので、堆積したＷＳｉx膜３
４中に含まれるＦ濃度を低減することができる。これに
より、ゲート酸化膜中に取り込まれるＦ濃度を低減でき
るので、ゲート容量の低下を防止することができる。
ズマを用いたウェーハ１２の前処理により、ＷＳｉx膜
３４の成膜直前に自然酸化膜の除去を行うことができる
ので、堆積したＷＳｉx膜３４の密着性が向上し、膜剥
がれを防止することができる。また、ＨＦ系水溶液等を
用いずに自然酸化膜を除去すると共に、チャンバー１０
内に残留するＦを除去したので、堆積したＷＳｉx膜３
４中に含まれるＦ濃度を低減することができる。これに
より、ゲート酸化膜中に取り込まれるＦ濃度を低減でき
るので、ゲート容量の低下を防止することができる。
【００２２】また、Ｂイオン注入によりゲート電極にセ
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理よってチャネル領域にまで達するこ
とがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化すること
を防止することができる。
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理よってチャネル領域にまで達するこ
とがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化すること
を防止することができる。
【００２３】また、コンタクトホール内にＷＳｉx膜３
４を形成する際には、Ｈ2プラズマ２８を用いたウェー
ハ１２の前処理を行い、その直後にＷＳｉx膜３４を堆
積することにより、コンタクトホール内の自然酸化膜が
十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を低
く抑えることができる。本発明の上記実施例に限らず種
々の変形が可能である。
４を形成する際には、Ｈ2プラズマ２８を用いたウェー
ハ１２の前処理を行い、その直後にＷＳｉx膜３４を堆
積することにより、コンタクトホール内の自然酸化膜が
十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を低
く抑えることができる。本発明の上記実施例に限らず種
々の変形が可能である。
【００２４】例えば、上記実施例では自然酸化膜の除去
工程においてＨ2プラズマを用いたが、アルゴン（Ａ
ｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ2）等の不活性ガス
のプラズマを用いて自然酸化膜を除去してもよい。但
し、この場合には化学反応による除去ではなく、物理的
な除去方法である。また、上記実施例ではＷＳｉx膜の
形成前処理を例にとって示したが、ＭｏＳｉx、ＴｉＳ
ｉx、ＴａＳｉx等、他の高融点金属シリサイド膜を用い
ても同様の効果を得ることができる。
工程においてＨ2プラズマを用いたが、アルゴン（Ａ
ｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ2）等の不活性ガス
のプラズマを用いて自然酸化膜を除去してもよい。但
し、この場合には化学反応による除去ではなく、物理的
な除去方法である。また、上記実施例ではＷＳｉx膜の
形成前処理を例にとって示したが、ＭｏＳｉx、ＴｉＳ
ｉx、ＴａＳｉx等、他の高融点金属シリサイド膜を用い
ても同様の効果を得ることができる。
【００２５】また、上記実施例では高融点金属シリサイ
ド膜を堆積する例について示したが、高融点金属膜を堆
積後にシリサイド化する、例えば、サリサイド形成のプ
ロセスに適用してもよい。この場合、高融点金属膜の堆
積前に下地基板をＨ2プラズマ処理することにより達成
することができる。
ド膜を堆積する例について示したが、高融点金属膜を堆
積後にシリサイド化する、例えば、サリサイド形成のプ
ロセスに適用してもよい。この場合、高融点金属膜の堆
積前に下地基板をＨ2プラズマ処理することにより達成
することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、高融点金
属シリサイド膜を用いたゲート電極を形成する際に、水
素又は不活性ガスのプラズマを用いてウェーハ上の自然
酸化膜を除去すると共に、チャンバー内のＦを除去した
ので、自然酸化膜を除去した表面にはＦが残留せず、ま
た、その後に堆積した高融点金属シリサイド膜中に含ま
れるＦ濃度を低減することができる。これにより、ゲー
ト酸化膜中に取り込まれるＦ濃度を低減できるので、ゲ
ート容量の低下を防止することができる。
属シリサイド膜を用いたゲート電極を形成する際に、水
素又は不活性ガスのプラズマを用いてウェーハ上の自然
酸化膜を除去すると共に、チャンバー内のＦを除去した
ので、自然酸化膜を除去した表面にはＦが残留せず、ま
た、その後に堆積した高融点金属シリサイド膜中に含ま
れるＦ濃度を低減することができる。これにより、ゲー
ト酸化膜中に取り込まれるＦ濃度を低減できるので、ゲ
ート容量の低下を防止することができる。
【００２７】また、Ｂイオン注入によりゲート電極にセ
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理によってチャネル領域にまで達する
ことがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化するこ
とを防止することができる。
ルフアラインでソース／ドレイン拡散層を形成した場合
にも、高融点金属シリサイド膜中に含まれるＦ濃度を低
減することができるので、ゲート電極中に打ち込まれた
Ｂが後工程の熱処理によってチャネル領域にまで達する
ことがなく、トランジスタのしきい値電圧が変化するこ
とを防止することができる。
【００２８】また、コンタクトホール内に高融点金属シ
リサイド電極を形成する際に、水素プラズマを用いたウ
ェーハの前処理を行い、その直後に高融点金属シリサイ
ド膜を堆積したので、コンタクトホール内の自然酸化膜
が十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を
低く抑えることができる。
リサイド電極を形成する際に、水素プラズマを用いたウ
ェーハの前処理を行い、その直後に高融点金属シリサイ
ド膜を堆積したので、コンタクトホール内の自然酸化膜
が十分に除去されて密着性が改善し、コンタクト抵抗を
低く抑えることができる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の製造装置の
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を
示す図である。
示す図である。
１０…チャンバー １２…ウェーハ １４…サセプター １６…対向電極 １８…排気配管 ２０…ＳｉＨ4供給配管 ２２…ＷＦ6供給配管 ２４…Ｈ2供給配管 ２６…高周波電源 ２８…Ｈ2プラズマ ３０…ＳｉＦx ３２…ＨＦ ３４…ＷＳｉ2膜
Claims (5)
- 【請求項１】 下地基板上に高融点金属シリサイド膜を
成膜する半導体装置の製造方法において、 前記高融点金属シリサイド膜又はその材料をなす膜の成
膜前に、前記下地基板を水素のプラズマに曝し、前記下
地基板上に成長した自然酸化膜を除去する工程を含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記水素のプラズマの代わりに、アルゴン、ヘリウム、
又は窒素ガスのプラズマを用いることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法において、 前記高融点金属シリサイド膜により、ゲート電極を形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記高融点金属シリサイド膜により、コンタクトホール
部の電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記高融点金属シリサイド膜は、タングステンシリサイ
ド膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20563094A JPH0869994A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20563094A JPH0869994A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869994A true JPH0869994A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16510077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20563094A Withdrawn JPH0869994A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0869994A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002507327A (ja) * | 1997-06-30 | 2002-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積チャンバ内でプラズマ前処理を用いた窒化タングステンの堆積 |
| JP2002516482A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアル周波数エッチングチャンバ内での金属酸化物の還元 |
| CN112864085A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20563094A patent/JPH0869994A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002507327A (ja) * | 1997-06-30 | 2002-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積チャンバ内でプラズマ前処理を用いた窒化タングステンの堆積 |
| JP2002516482A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアル周波数エッチングチャンバ内での金属酸化物の還元 |
| CN112864085A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3086719B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| TWI331364B (ja) | ||
| JP2937817B2 (ja) | 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及びｍｏｓ半導体デバイスの製造方法 | |
| KR100469127B1 (ko) | 반도체 장치의 장벽층 형성방법 | |
| US20010046765A1 (en) | Method for producing a barrier layer in an electronic component and method for producing an electronic component with a barrier layer | |
| CN101765905B (zh) | 半导体器件的制备方法 | |
| EP0886308A2 (en) | Plasma nitridation of a silicon oxide film | |
| KR20010051575A (ko) | 살리사이드 처리를 위한 화학적 플라즈마 세정 | |
| WO1999060620A1 (en) | Semiconductor device fabrication process | |
| JP2001244214A (ja) | シリサイド膜を備えた半導体素子の製造方法 | |
| JPH08162433A (ja) | イオンドーピング装置のクリーニング方法 | |
| KR20040048483A (ko) | 반도체소자의 게이트 산화막 형성방법 | |
| JPH1168095A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6793735B2 (en) | Integrated cobalt silicide process for semiconductor devices | |
| JPH0869994A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5851906A (en) | Impurity doping method | |
| JPH10270434A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法及び酸化膜の形成方法 | |
| JP3588994B2 (ja) | 酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 | |
| JPH11297689A (ja) | シリコン絶縁膜の熱処理方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2003347241A (ja) | カーボン系薄膜除去方法及び表面改質方法並びにそれらの処理装置 | |
| JP3439580B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法および形成装置 | |
| JP3917282B2 (ja) | 半導体基板表面の絶縁膜の形成方法 | |
| JP2002064097A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4086334B2 (ja) | 不純物の導入方法 | |
| JPH06349801A (ja) | 表面処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |