JPH0870019A - 電子部品の接続構造および接続方法 - Google Patents
電子部品の接続構造および接続方法Info
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- JPH0870019A JPH0870019A JP6227385A JP22738594A JPH0870019A JP H0870019 A JPH0870019 A JP H0870019A JP 6227385 A JP6227385 A JP 6227385A JP 22738594 A JP22738594 A JP 22738594A JP H0870019 A JPH0870019 A JP H0870019A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
- H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
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- H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品を破壊することなく接続することが
でき、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化す
ることができるようにする。 【構成】 半導体チップ（電子部品）１１のバンプ電極
９の下面には、微細な凹凸が形成されている。一方、配
線基板（電子部品）２１のバンプ電極２５は半導体チッ
プ１１のバンプ電極９よりも軟らかく形成されている。
このため、配線基板２１のバンプ電極２５に半導体チッ
プ１１のバンプ電極９を加圧すると、配線基板２１のバ
ンプ電極２５に半導体チップ１１のバンプ電極９の凸部
が食い込み、アンカーリング効果により両バンプ電極
９、２５が接続される。この結果、半導体チップ１１を
高温で加熱することなく両バンプ電極９、２５を接続す
ることができる。したがって、半導体チップ１１を破壊
することなく接続することができ、且つ半導体チップ１
１のバンプ電極９をファインピッチ化することができ
る。
でき、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化す
ることができるようにする。 【構成】 半導体チップ（電子部品）１１のバンプ電極
９の下面には、微細な凹凸が形成されている。一方、配
線基板（電子部品）２１のバンプ電極２５は半導体チッ
プ１１のバンプ電極９よりも軟らかく形成されている。
このため、配線基板２１のバンプ電極２５に半導体チッ
プ１１のバンプ電極９を加圧すると、配線基板２１のバ
ンプ電極２５に半導体チップ１１のバンプ電極９の凸部
が食い込み、アンカーリング効果により両バンプ電極
９、２５が接続される。この結果、半導体チップ１１を
高温で加熱することなく両バンプ電極９、２５を接続す
ることができる。したがって、半導体チップ１１を破壊
することなく接続することができ、且つ半導体チップ１
１のバンプ電極９をファインピッチ化することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子部品の接続構造お
よび接続方法に関する。
よび接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップ等の半導体チップ（電子部
品）の接続方法の一例として、フリップチップボンディ
ング方式がある。このフリップチップボンディング方式
では、例えば半導体チップを配線基板（電子部品）に接
続する場合、半導体チップの電極に半田バンプを設け、
この半田バンプを配線基板に設けた導電層と対向させて
位置合わせを行い、加熱することにより半田を再溶融
し、半田バンプを介して半導体チップの電極と配線基板
の導電層とを接続している。
品）の接続方法の一例として、フリップチップボンディ
ング方式がある。このフリップチップボンディング方式
では、例えば半導体チップを配線基板（電子部品）に接
続する場合、半導体チップの電極に半田バンプを設け、
この半田バンプを配線基板に設けた導電層と対向させて
位置合わせを行い、加熱することにより半田を再溶融
し、半田バンプを介して半導体チップの電極と配線基板
の導電層とを接続している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体チップの接続方法では、半導体チップ
が高温で加熱されることになるので、半導体チップが熱
の影響を受けてその内部が破壊されることがあるという
問題があった。また、半田が再溶融して周囲に流れた場
合、半導体チップの隣接する電極間に短絡が生じること
があるので、半導体チップの電極をファインピッチ化す
ることが困難であるという問題があった。この発明の目
的は、電子部品を破壊することなく接続することがで
き、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化する
ことができる電子部品の接続構造および接続方法を提供
することにある。
このような半導体チップの接続方法では、半導体チップ
が高温で加熱されることになるので、半導体チップが熱
の影響を受けてその内部が破壊されることがあるという
問題があった。また、半田が再溶融して周囲に流れた場
合、半導体チップの隣接する電極間に短絡が生じること
があるので、半導体チップの電極をファインピッチ化す
ることが困難であるという問題があった。この発明の目
的は、電子部品を破壊することなく接続することがで
き、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化する
ことができる電子部品の接続構造および接続方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバンプ電極が
設けられ、２つの電子部品のうち少なくとも一方の電子
部品のバンプ電極には、他方の電子部品のバンプ電極と
対向する面に微細な凹凸が設けられ、他方の電子部品の
バンプ電極に一方の電子部品の対向するバンプ電極の凸
部が食い込んで接続されたものである。請求項３記載の
発明は、２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバン
プ電極を形成し、一方の電子部品のバンプ電極における
他方の電子部品のバンプ電極と対向する面にエッチング
によって微細な凹凸を形成し、且つ他方の電子部品のバ
ンプ電極を一方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく
形成し、２つの電子部品の相対向するバンプ電極同士を
加圧して接続するものである。請求項４記載の発明は、
２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバンプ電極を
形成し、両バンプ電極の相対向する面にエッチングによ
ってそれぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品の相
対向するバンプ電極同士を加圧して接続するものであ
る。
２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバンプ電極が
設けられ、２つの電子部品のうち少なくとも一方の電子
部品のバンプ電極には、他方の電子部品のバンプ電極と
対向する面に微細な凹凸が設けられ、他方の電子部品の
バンプ電極に一方の電子部品の対向するバンプ電極の凸
部が食い込んで接続されたものである。請求項３記載の
発明は、２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバン
プ電極を形成し、一方の電子部品のバンプ電極における
他方の電子部品のバンプ電極と対向する面にエッチング
によって微細な凹凸を形成し、且つ他方の電子部品のバ
ンプ電極を一方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく
形成し、２つの電子部品の相対向するバンプ電極同士を
加圧して接続するものである。請求項４記載の発明は、
２つの電子部品の相対向する面にそれぞれバンプ電極を
形成し、両バンプ電極の相対向する面にエッチングによ
ってそれぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品の相
対向するバンプ電極同士を加圧して接続するものであ
る。
【０００５】
【作用】請求項１記載の発明によれば、２つの電子部品
のうち少なくとも一方の電子部品のバンプ電極には、他
方の電子部品のバンプ電極と対向する面に微細な凹凸が
設けられ、他方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部
品の対向するバンプ電極の凸部が食い込んで接続されて
いるので、例えば他方の電子部品のバンプ電極が一方の
電子部品のバンプ電極よりも軟らかく形成されている場
合には、加熱することなく常温にて両バンプ電極を接続
することができ、且つアンカーリング効果（投錨効果）
によって両バンプ電極を接続することができる。したが
って、電子部品を破壊することなく接続することがで
き、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化する
ことができる。請求項３記載の発明によれば、一方の電
子部品のバンプ電極における他方の電子部品のバンプ電
極と対向する面にエッチングによって微細な凹凸を形成
し、且つ他方の電子部品のバンプ電極を一方の電子部品
のバンプ電極よりも軟らかく形成し、２つの電子部品の
相対向するバンプ電極同士を加圧して接続するので、他
方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部品のバンプ電
極の凸部が食い込んで接続され、加熱することなく常温
にて両バンプ電極を接続することができ、且つアンカー
リング効果によって両バンプ電極を接続することができ
る。したがって、電子部品を破壊することなく接続する
ことができ、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッ
チ化することができる。請求項４記載の発明によれば、
両バンプ電極の相対向する面にエッチングによってそれ
ぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品の相対向する
バンプ電極同士を加圧して接続するので、両バンプ電極
の各微細な凹凸が相互に絡み合って接続され、加熱する
ことなく常温にて両バンプ電極を接続することができ、
且つアンカーリング効果によって両バンプ電極を接続す
ることができる。したがって、電子部品を破壊すること
なく接続することができ、且つ電子部品のバンプ電極を
ファインピッチ化することができる。
のうち少なくとも一方の電子部品のバンプ電極には、他
方の電子部品のバンプ電極と対向する面に微細な凹凸が
設けられ、他方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部
品の対向するバンプ電極の凸部が食い込んで接続されて
いるので、例えば他方の電子部品のバンプ電極が一方の
電子部品のバンプ電極よりも軟らかく形成されている場
合には、加熱することなく常温にて両バンプ電極を接続
することができ、且つアンカーリング効果（投錨効果）
によって両バンプ電極を接続することができる。したが
って、電子部品を破壊することなく接続することがで
き、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッチ化する
ことができる。請求項３記載の発明によれば、一方の電
子部品のバンプ電極における他方の電子部品のバンプ電
極と対向する面にエッチングによって微細な凹凸を形成
し、且つ他方の電子部品のバンプ電極を一方の電子部品
のバンプ電極よりも軟らかく形成し、２つの電子部品の
相対向するバンプ電極同士を加圧して接続するので、他
方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部品のバンプ電
極の凸部が食い込んで接続され、加熱することなく常温
にて両バンプ電極を接続することができ、且つアンカー
リング効果によって両バンプ電極を接続することができ
る。したがって、電子部品を破壊することなく接続する
ことができ、且つ電子部品のバンプ電極をファインピッ
チ化することができる。請求項４記載の発明によれば、
両バンプ電極の相対向する面にエッチングによってそれ
ぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品の相対向する
バンプ電極同士を加圧して接続するので、両バンプ電極
の各微細な凹凸が相互に絡み合って接続され、加熱する
ことなく常温にて両バンプ電極を接続することができ、
且つアンカーリング効果によって両バンプ電極を接続す
ることができる。したがって、電子部品を破壊すること
なく接続することができ、且つ電子部品のバンプ電極を
ファインピッチ化することができる。
【０００６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を適用した半導体
チップと配線基板との接続前の状態を示したものであ
り、図３（Ａ）〜（Ｅ）は半導体チップの製造工程を示
したものである。ここでは、これらの図を参照しながら
半導体チップの構造についてその製造方法と併せて説明
する。まず、図３（Ａ）に示すように、チップ本体１の
上面に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２の上面にアルミニウ
ム等からなる電極３をパターン形成する。次に、電極３
を含む絶縁膜２の上面全体に保護膜４を形成した後、保
護膜４の所定の箇所にエッチングにより開口部５を形成
することにより、電極３の周辺部および絶縁膜２の上面
に保護膜４を残存させるとともに、保護膜４の開口部５
を介して電極３を露出させる。次に、上面全体に下地金
属層形成用層６を形成する。次に、図３（Ｂ）に示すよ
うに、下地金属層形成用層６の上面にメッキレジスト層
７を形成し、メッキレジスト層７を所定のマスクを介し
て露光して現像することにより、メッキレジスト層７の
所定の箇所に開口部８を形成する。次に、図３（Ｃ）に
示すように、ノン・シアン系のメッキ液を使用して開口
部８内に金、銀等を電解メッキすることにより、開口部
８内の下地金属層形成用層６の上面にバンプ電極９を形
成する。この場合、ノン・シアン系のメッキ液を使用し
て電解メッキを行うので、バンプ電極９の硬さは１００
〜１２０Ｈｖ（ビッカース硬さ）程度となっている。次
に、図３（Ｄ）に示すように、バンプ電極９の上面をヨ
ウ素系（例えば、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム＋純水）
のエッチング液で５分以上程度ウエットエッチングする
ことにより、バンプ電極９の上面に微細な凹凸を形成す
る。この場合、エッチング液はバンプ電極９の上面のマ
イクロホールから侵入し、結晶粒界に沿って内部に進行
するので、バンプ電極９の上面に微細な凹凸が形成され
る。また、バンプ電極９の厚さは、エッチング前には１
５μｍ程度だったものがエッチング後には１２〜１３μ
ｍ程度となっている。次に、メッキレジスト層７を除去
し、バンプ電極９をマスクとして下地金属層形成用層６
をエッチングすると、図１および図３（Ｅ）に示すよう
に、バンプ電極９下に下地金属層１０が形成され、半導
体チップ１１が製造される。
チップと配線基板との接続前の状態を示したものであ
り、図３（Ａ）〜（Ｅ）は半導体チップの製造工程を示
したものである。ここでは、これらの図を参照しながら
半導体チップの構造についてその製造方法と併せて説明
する。まず、図３（Ａ）に示すように、チップ本体１の
上面に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２の上面にアルミニウ
ム等からなる電極３をパターン形成する。次に、電極３
を含む絶縁膜２の上面全体に保護膜４を形成した後、保
護膜４の所定の箇所にエッチングにより開口部５を形成
することにより、電極３の周辺部および絶縁膜２の上面
に保護膜４を残存させるとともに、保護膜４の開口部５
を介して電極３を露出させる。次に、上面全体に下地金
属層形成用層６を形成する。次に、図３（Ｂ）に示すよ
うに、下地金属層形成用層６の上面にメッキレジスト層
７を形成し、メッキレジスト層７を所定のマスクを介し
て露光して現像することにより、メッキレジスト層７の
所定の箇所に開口部８を形成する。次に、図３（Ｃ）に
示すように、ノン・シアン系のメッキ液を使用して開口
部８内に金、銀等を電解メッキすることにより、開口部
８内の下地金属層形成用層６の上面にバンプ電極９を形
成する。この場合、ノン・シアン系のメッキ液を使用し
て電解メッキを行うので、バンプ電極９の硬さは１００
〜１２０Ｈｖ（ビッカース硬さ）程度となっている。次
に、図３（Ｄ）に示すように、バンプ電極９の上面をヨ
ウ素系（例えば、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム＋純水）
のエッチング液で５分以上程度ウエットエッチングする
ことにより、バンプ電極９の上面に微細な凹凸を形成す
る。この場合、エッチング液はバンプ電極９の上面のマ
イクロホールから侵入し、結晶粒界に沿って内部に進行
するので、バンプ電極９の上面に微細な凹凸が形成され
る。また、バンプ電極９の厚さは、エッチング前には１
５μｍ程度だったものがエッチング後には１２〜１３μ
ｍ程度となっている。次に、メッキレジスト層７を除去
し、バンプ電極９をマスクとして下地金属層形成用層６
をエッチングすると、図１および図３（Ｅ）に示すよう
に、バンプ電極９下に下地金属層１０が形成され、半導
体チップ１１が製造される。
【０００７】次に、図１を参照しながら配線基板の構造
についてその製造方法と併せて説明する。この配線基板
２１の製造工程はバンプ電極２５の形成を除いて半導体
チップ１１の製造工程とほぼ同様である。すなわち、絶
縁基板２２の上面に導電層２３をパターン形成し、導電
層２３の上面の所定の一部を除く全上面に保護膜２４を
形成し、シアン系のメッキ液を使用して金、銀等を電解
メッキすることにより、導電層２３の露出面上にバンプ
電極２５を形成する。この場合、半導体チップ１１の製
造工程と異なり、シアン系のメッキ液を使用して電解メ
ッキを行う。この結果、バンプ電極２５の硬さは半導体
チップ１１のバンプ電極９の硬さよりも軟らかくなり、
３０〜４０Ｈｖ程度になる。また、ノン・シアン系のメ
ッキ液を使用して電解メッキを行った後、３００℃で１
時間以内程度の熱処理を行っても硬さ３０〜４０Ｈｖ程
度のバンプ電極２５を形成することができる。なお、こ
のバンプ電極２５は半導体チップ１１のバンプ電極９よ
りも大きく形成されている。
についてその製造方法と併せて説明する。この配線基板
２１の製造工程はバンプ電極２５の形成を除いて半導体
チップ１１の製造工程とほぼ同様である。すなわち、絶
縁基板２２の上面に導電層２３をパターン形成し、導電
層２３の上面の所定の一部を除く全上面に保護膜２４を
形成し、シアン系のメッキ液を使用して金、銀等を電解
メッキすることにより、導電層２３の露出面上にバンプ
電極２５を形成する。この場合、半導体チップ１１の製
造工程と異なり、シアン系のメッキ液を使用して電解メ
ッキを行う。この結果、バンプ電極２５の硬さは半導体
チップ１１のバンプ電極９の硬さよりも軟らかくなり、
３０〜４０Ｈｖ程度になる。また、ノン・シアン系のメ
ッキ液を使用して電解メッキを行った後、３００℃で１
時間以内程度の熱処理を行っても硬さ３０〜４０Ｈｖ程
度のバンプ電極２５を形成することができる。なお、こ
のバンプ電極２５は半導体チップ１１のバンプ電極９よ
りも大きく形成されている。
【０００８】次に、半導体チップと配線基板との接続方
法について説明する。まず、図１に示すように、配線基
板２１のバンプ電極２５の上方に半導体チップ１１のバ
ンプ電極９を対向させて位置合わせする。次に、半導体
チップ１１のバンプ電極９を配線基板２１の対向するバ
ンプ電極２５に常温で加圧すると、図２に示すように、
半導体チップ１１のバンプ電極９が配線基板２１の対応
するバンプ電極２５に接続される。この場合、半導体チ
ップ１１のバンプ電極９の下面には微細な凹凸が形成さ
れ、配線基板２１のバンプ電極２５は半導体チップ１１
のバンプ電極９よりも軟らかく形成されているので、加
圧すると配線基板２１のバンプ電極２５に半導体チップ
１１のバンプ電極９の凸部が食い込み、金属の拡散を伴
ったアンカーリング効果により両バンプ電極９、２５が
接続され、半導体チップ１１を高温で加熱することなく
両バンプ電極９、２５を接続することができる。したが
って、半導体チップ１１を破壊することなく両バンプ電
極９、２５を接続することができ、配線基板２１が耐熱
性に劣るものであっても破壊することなく両バンプ電極
９、２５を接続することができる。また、半田を用いな
いで接続するので、半田が流れることを考慮する必要が
なく、半導体チップ１１のバンプ電極９の寸法を微細化
（センタピッチで５０μｍ以下程度）することができ、
ファインピッチ化することができる。さらに、常温で加
圧するのみで接続することができるので、スループット
が高く、半田や異方導電性接着剤等の接続部材を用いな
いで接続することができるので、リペアが容易である。
法について説明する。まず、図１に示すように、配線基
板２１のバンプ電極２５の上方に半導体チップ１１のバ
ンプ電極９を対向させて位置合わせする。次に、半導体
チップ１１のバンプ電極９を配線基板２１の対向するバ
ンプ電極２５に常温で加圧すると、図２に示すように、
半導体チップ１１のバンプ電極９が配線基板２１の対応
するバンプ電極２５に接続される。この場合、半導体チ
ップ１１のバンプ電極９の下面には微細な凹凸が形成さ
れ、配線基板２１のバンプ電極２５は半導体チップ１１
のバンプ電極９よりも軟らかく形成されているので、加
圧すると配線基板２１のバンプ電極２５に半導体チップ
１１のバンプ電極９の凸部が食い込み、金属の拡散を伴
ったアンカーリング効果により両バンプ電極９、２５が
接続され、半導体チップ１１を高温で加熱することなく
両バンプ電極９、２５を接続することができる。したが
って、半導体チップ１１を破壊することなく両バンプ電
極９、２５を接続することができ、配線基板２１が耐熱
性に劣るものであっても破壊することなく両バンプ電極
９、２５を接続することができる。また、半田を用いな
いで接続するので、半田が流れることを考慮する必要が
なく、半導体チップ１１のバンプ電極９の寸法を微細化
（センタピッチで５０μｍ以下程度）することができ、
ファインピッチ化することができる。さらに、常温で加
圧するのみで接続することができるので、スループット
が高く、半田や異方導電性接着剤等の接続部材を用いな
いで接続することができるので、リペアが容易である。
【０００９】図４はこの発明の他の実施例を適用した半
導体チップと配線基板との接続後の状態を示したもので
ある。この場合、配線基板２１のバンプ電極２５の上面
にも半導体チップ１１のバンプ電極９の下面と同様に微
細な凹凸が設けられ、配線基板２１のバンプ電極２５は
半導体チップ１１のバンプ電極９と同じ硬さに形成され
ている。このようにすると、半導体チップ１１のバンプ
電極９の下面に設けられた微細な凹凸と配線基板２１の
バンプ電極２５の上面に設けられた微細な凹凸とが絡み
合い、アンカーリング効果によって両バンプ電極９、２
５が接続される。また、配線基板２１が耐熱性に優れて
いる場合には、両バンプ電極９、２５の接続後に熱処理
すると、金等の結晶が粗大化することでさらに強い接続
が得られる。
導体チップと配線基板との接続後の状態を示したもので
ある。この場合、配線基板２１のバンプ電極２５の上面
にも半導体チップ１１のバンプ電極９の下面と同様に微
細な凹凸が設けられ、配線基板２１のバンプ電極２５は
半導体チップ１１のバンプ電極９と同じ硬さに形成され
ている。このようにすると、半導体チップ１１のバンプ
電極９の下面に設けられた微細な凹凸と配線基板２１の
バンプ電極２５の上面に設けられた微細な凹凸とが絡み
合い、アンカーリング効果によって両バンプ電極９、２
５が接続される。また、配線基板２１が耐熱性に優れて
いる場合には、両バンプ電極９、２５の接続後に熱処理
すると、金等の結晶が粗大化することでさらに強い接続
が得られる。
【００１０】なお、両バンプ電極９、２５の材質は同一
であることが望ましが、例えば半導体チップ１１のバン
プ電極９の材質が金で、配線基板２１のバンプ電極２５
の材質が銀であってもよい。さらに、上記実施例では、
この発明による電子部品の接続構造を半導体チップと配
線基板との接続構造に適用したが、これに限定されず、
例えば半導体チップとＴＡＢテープとの接続構造に適用
することができる。
であることが望ましが、例えば半導体チップ１１のバン
プ電極９の材質が金で、配線基板２１のバンプ電極２５
の材質が銀であってもよい。さらに、上記実施例では、
この発明による電子部品の接続構造を半導体チップと配
線基板との接続構造に適用したが、これに限定されず、
例えば半導体チップとＴＡＢテープとの接続構造に適用
することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、２つの電子部品のうち少なくとも一方の電
子部品のバンプ電極には、他方の電子部品のバンプ電極
と対向する面に微細な凹凸が設けられ、他方の電子部品
のバンプ電極に一方の電子部品の対向するバンプ電極の
凸部が食い込んで接続されているので、例えば他方の電
子部品のバンプ電極が一方の電子部品のバンプ電極より
も軟らかく形成されている場合には、加熱することなく
常温にて両バンプ電極を接続することができ、且つアン
カーリング効果によって両バンプ電極を接続することが
できる。したがって、電子部品を破壊することなく接続
することができ、且つ電子部品のバンプ電極をファイン
ピッチ化することができる。請求項３記載の発明によれ
ば、一方の電子部品のバンプ電極における他方の電子部
品のバンプ電極と対向する面にエッチングによって微細
な凹凸を形成し、且つ他方の電子部品のバンプ電極を一
方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく形成し、２つ
の電子部品の相対向するバンプ電極同士を加圧して接続
するので、他方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部
品のバンプ電極の凸部が食い込んで接続され、加熱する
ことなく常温にて両バンプ電極を接続することができ、
且つアンカーリング効果によって両バンプ電極を接続す
ることができる。したがって、電子部品を破壊すること
なく接続することができ、且つ電子部品のバンプ電極を
ファインピッチ化することができる。請求項４記載の発
明によれば、両バンプ電極の相対向する面にエッチング
によってそれぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品
の相対向するバンプ電極同士を加圧して接続するので、
両バンプ電極の各微細な凹凸が相互に絡み合って接続さ
れ、加熱することなく常温にて両バンプ電極を接続する
ことができ、且つアンカーリング効果によって両バンプ
電極を接続することができる。したがって、電子部品を
破壊することなく接続することができ、且つ電子部品の
バンプ電極をファインピッチ化することができる。
明によれば、２つの電子部品のうち少なくとも一方の電
子部品のバンプ電極には、他方の電子部品のバンプ電極
と対向する面に微細な凹凸が設けられ、他方の電子部品
のバンプ電極に一方の電子部品の対向するバンプ電極の
凸部が食い込んで接続されているので、例えば他方の電
子部品のバンプ電極が一方の電子部品のバンプ電極より
も軟らかく形成されている場合には、加熱することなく
常温にて両バンプ電極を接続することができ、且つアン
カーリング効果によって両バンプ電極を接続することが
できる。したがって、電子部品を破壊することなく接続
することができ、且つ電子部品のバンプ電極をファイン
ピッチ化することができる。請求項３記載の発明によれ
ば、一方の電子部品のバンプ電極における他方の電子部
品のバンプ電極と対向する面にエッチングによって微細
な凹凸を形成し、且つ他方の電子部品のバンプ電極を一
方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく形成し、２つ
の電子部品の相対向するバンプ電極同士を加圧して接続
するので、他方の電子部品のバンプ電極に一方の電子部
品のバンプ電極の凸部が食い込んで接続され、加熱する
ことなく常温にて両バンプ電極を接続することができ、
且つアンカーリング効果によって両バンプ電極を接続す
ることができる。したがって、電子部品を破壊すること
なく接続することができ、且つ電子部品のバンプ電極を
ファインピッチ化することができる。請求項４記載の発
明によれば、両バンプ電極の相対向する面にエッチング
によってそれぞれ微細な凹凸を形成し、２つの電子部品
の相対向するバンプ電極同士を加圧して接続するので、
両バンプ電極の各微細な凹凸が相互に絡み合って接続さ
れ、加熱することなく常温にて両バンプ電極を接続する
ことができ、且つアンカーリング効果によって両バンプ
電極を接続することができる。したがって、電子部品を
破壊することなく接続することができ、且つ電子部品の
バンプ電極をファインピッチ化することができる。
【図１】この発明の一実施例を適用した半導体チップと
配線基板との接続前の状態の断面図。
配線基板との接続前の状態の断面図。
【図２】同実施例を適用した半導体チップと配線基板と
の接続後の状態の断面図。
の接続後の状態の断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は半導体チップの製造工程を示
す断面図。
す断面図。
【図４】この発明の他の実施例を適用した半導体チップ
と配線基板との接続後の状態の断面図。
と配線基板との接続後の状態の断面図。
１１ 半導体チップ（電子部品） ９、２５ バンプ電極 ２１ 配線基板（電子部品）
Claims (5)
- 【請求項１】 ２つの電子部品の相対向する面にそれぞ
れバンプ電極が設けられ、 前記２つの電子部品のうち少なくとも一方の前記電子部
品のバンプ電極には、他方の前記電子部品のバンプ電極
と対向する面に微細な凹凸が設けられ、 前記他方の電子部品のバンプ電極に前記一方の電子部品
の対向するバンプ電極の凸部が食い込んで接続されたこ
とを特徴とする電子部品の接続構造。 - 【請求項２】 前記他方の電子部品のバンプ電極は前記
一方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく形成された
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品の接続構造。 - 【請求項３】 ２つの電子部品の相対向する面にそれぞ
れバンプ電極を形成し、 一方の前記電子部品のバンプ電極における他方の前記電
子部品のバンプ電極と対向する面にエッチングによって
微細な凹凸を形成し、且つ前記他方の電子部品のバンプ
電極を前記一方の電子部品のバンプ電極よりも軟らかく
形成し、 前記２つの電子部品の相対向するバンプ電極同士を加圧
して接続することを特徴とする電子部品の接続方法。 - 【請求項４】 ２つの電子部品の相対向する面にそれぞ
れバンプ電極を形成し、 前記両バンプ電極の相対向する面にエッチングによって
それぞれ微細な凹凸を形成し、 前記２つの電子部品の相対向するバンプ電極同士を加圧
して接続することを特徴とする電子部品の接続方法。 - 【請求項５】 前記エッチングはウエットエッチングで
あることを特徴とする請求項３または４記載の電子部品
の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227385A JPH0870019A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 電子部品の接続構造および接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227385A JPH0870019A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 電子部品の接続構造および接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870019A true JPH0870019A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16859995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227385A Pending JPH0870019A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 電子部品の接続構造および接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870019A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872651B2 (en) | 1999-11-18 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing a bump electrode with roughened face |
| JP2007266555A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Denso Corp | バンプ接合体の製造方法 |
| JP2008219052A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015532780A (ja) * | 2012-08-10 | 2015-11-12 | スマートラック・テクノロジー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｍａｒｔｒａｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｍｂｈ | コンタクトバンプ接続、コンタクトバンプ、およびコンタクトバンプ接続を作るための方法 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6227385A patent/JPH0870019A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872651B2 (en) | 1999-11-18 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing a bump electrode with roughened face |
| US7233067B2 (en) | 1999-11-18 | 2007-06-19 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing a bump electrode with roughened face |
| JP2007266555A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Denso Corp | バンプ接合体の製造方法 |
| JP2008219052A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015532780A (ja) * | 2012-08-10 | 2015-11-12 | スマートラック・テクノロジー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｍａｒｔｒａｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｍｂｈ | コンタクトバンプ接続、コンタクトバンプ、およびコンタクトバンプ接続を作るための方法 |
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